JPH06128761A - プラズマエッチング用電極板 - Google Patents

プラズマエッチング用電極板

Info

Publication number
JPH06128761A
JPH06128761A JP4282111A JP28211192A JPH06128761A JP H06128761 A JPH06128761 A JP H06128761A JP 4282111 A JP4282111 A JP 4282111A JP 28211192 A JP28211192 A JP 28211192A JP H06128761 A JPH06128761 A JP H06128761A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode plate
plasma etching
carbon
lattice constant
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4282111A
Other languages
English (en)
Inventor
Kojiro Ota
幸次郎 太田
Yoshihiro Kikuchi
好洋 菊池
Mitsuji Kamata
充志 鎌田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP4282111A priority Critical patent/JPH06128761A/ja
Publication of JPH06128761A publication Critical patent/JPH06128761A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 寿命の長いプラズマエッチング用電極板を提
供する。 【構成】 格子定数Co(002)が6.990Å以下
の結晶を有するガラス状炭素からなるプラズマエッチン
グ用電極板。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマエッチング用
の電極板に関する。
【0002】
【従来の技術】ガラス状炭素は、一般の炭素材料が有す
る軽量、耐熱性、耐食性、電気伝導性等の性質を備えて
いるほか、ガス不透過性で硬度が高い等の特有の性質を
持っているところから、エレクトロニクス産業、原子力
産業、航空産業等各種の分野での広範な用途に使用され
つつある。最近は、炭素粒子の脱落や付着がない性質を
利用して、半導体集積回路を製造する際のウエハのプラ
ズマエッチング加工用電極板として使用することが検討
されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
状炭素は三次元網目構造の均質緻密組織を持っているに
もかかわらず、このプラズマエッチング用電極板は、プ
ラズマ化されたイオン又は電子の衝突により消耗が促進
されるという問題がある。このため、エッチング処理中
に電極の交換をを余儀なくされており、該電極板の長寿
命化が要望されていた。本発明は、上記した問題を解決
し、寿命の長いプラズマエッチング用電極板を提供する
ことを目的とするものである。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明者は、格子定数C
o(002)が6.990Å以下の結晶を有するガラス
状炭素からなるプラズマエッチング用電極板に関する。
格子定数Co(002)の測定方法は、日本学術振興会
第117委員会で制定した方法(炭素、No.36、19
63に掲載された)(以下、学振法と呼ぶ)によるもの
である。格子定数Co(002)が6.990Åを越え
ると、イオンによる消耗が増大し、寿命の低下を招く。
【0004】本発明のプラズマエッチング用電極板は次
のようにして製造される。即ち、出発原料として高純度
の液状熱硬化性樹脂を用い、均一肉厚の平板に成形硬化
し、電極板の形状にする所定の加工を行った後、その樹
脂板を不活性雰囲気中(通常、ヘリウム、アルゴン等の
不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等の非酸化性ガ
スの少なくとも一種の気体からなる酸素を含まない雰囲
気、減圧又は真空下)において約1000℃の温度で焼
成炭化し、更に同雰囲気で1500℃以上の温度で熱処
理し、必要に応じて純化処理してガラス状炭素を得る。
高純度の樹脂とは、樹脂製造過程で樹脂中への不純物の
混入防止や不純物除去を図ったものを言う。不純物除去
は通常用いられる樹脂の不純物除去方法でよい。樹脂の
成形硬化は縮合水等が外部に抜け易い加熱条件及び昇温
速度で行うか、又は硬化のための触媒の量を適正な量に
設定して、安定した樹脂板を得る。ガラス状炭素中の不
純物含有量は20ppm以下が好ましい。不純物含有量が
多いとウエハを汚染する。
【0005】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。前記した製
造法により、厚さ3mmで、平面に直径0.8mmの貫通小
孔を3mmのピッチで多数穿設したガラス状炭素の焼成炭
化品を得た。次にこれを熱処理して(試料No.1〜5は
1500℃以上、試料No.6〜8は1500℃未満の温
度)不純物含有量20ppm以下のプラズマエッチング用
電極板を製作した。電極板の格子定数Co(002)は
前記学振法で測定し、表1に示した。次にこの電極板を
プラズマエッチング装置にセットし、反応ガス:トリフ
ロロメタン(CHF3)、キャリアガス:アルゴン(A
r)、反応チャンバー内のガス圧:1Torr、電源周波
数:13.5MHzの条件でシリコンウェハの酸化膜エ
ッチングを行って、下記式により各電極板の消耗速度
(μm/時)を求めて、表1に示した。
【0006】
【数1】消耗速度={(使用前の電極板厚さ)−(使用後の
電極板厚さ)}/使用時間
【0007】
【表1】
【0008】表1から、格子定数Co(002)が6.
990Å以下の電極板は、格子定数が6.990Åを越
える電極板に比較して電極板の消耗速度が小さく、寿命
の長いことが示される。
【0009】
【発明の効果】本発明によれば、エッチングの際の寿命
の改善されたプラズマエッチング用電極板が提供され
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 格子定数Co(002)が6.990Å
    以下の結晶を有するガラス状炭素からなるプラズマエッ
    チング用電極板。
JP4282111A 1992-10-21 1992-10-21 プラズマエッチング用電極板 Pending JPH06128761A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4282111A JPH06128761A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 プラズマエッチング用電極板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4282111A JPH06128761A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 プラズマエッチング用電極板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06128761A true JPH06128761A (ja) 1994-05-10

Family

ID=17648273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4282111A Pending JPH06128761A (ja) 1992-10-21 1992-10-21 プラズマエッチング用電極板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06128761A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6013236A (en) Wafer
JPH11312646A (ja) チャンバー内壁保護部材及びプラズマ処理装置
US6187704B1 (en) Process for making heater member
JPH1012692A (ja) ダミーウエハ
WO2003040059A1 (fr) Procede de fabrication de support de frittage de carbure de silicium destine a etre employe dans la production de semi-conducteurs et support de frittage de carbure de silicium ainsi fabrique
JPH06128762A (ja) プラズマエッチング用電極板
JPH1171181A (ja) 半導体製造装置用部材
JPH06128761A (ja) プラズマエッチング用電極板
JP3437026B2 (ja) プラズマエッチング用電極板およびその製造方法
JPH05304114A (ja) プラズマエッチング用電極板
JP3461120B2 (ja) プラズマエッチング用電極板及びプラズマエッチング装置
JP2002280316A (ja) ウエハ及びその製造方法
JP3555670B2 (ja) プラズマエッチング用電極板の製造法及び該製造法で得られたプラズマエッチング用電極板
JP4060575B2 (ja) 高周波透過材料の製造方法
JPH10101432A (ja) ドライエッチング装置用部品
JPH07292484A (ja) プラズマエッチング用電極板及びその製造法
JPH03162593A (ja) プラズマエツチング用電極板及びその製造法
JP2707886B2 (ja) プラズマエッチング用電極板
JP2003023002A (ja) チャンバー内壁保護部材及びプラズマ処理装置
JPH10182229A (ja) プラズマエッチング用電極
JPH11131265A (ja) プラズマエッチング用電極板
JP2002029843A (ja) プラズマ処理装置用保護部材
JP2008187209A (ja) プラズマエッチング電極
JP2008172253A (ja) プラズマエッチング用電極
JPH11217265A (ja) ガラス状カーボン材及びその製造方法並びにそれを基材とするドライエッチング電極又はダミーウェーハ