JPH10182229A - プラズマエッチング用電極 - Google Patents
プラズマエッチング用電極Info
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- JPH10182229A JPH10182229A JP8338084A JP33808496A JPH10182229A JP H10182229 A JPH10182229 A JP H10182229A JP 8338084 A JP8338084 A JP 8338084A JP 33808496 A JP33808496 A JP 33808496A JP H10182229 A JPH10182229 A JP H10182229A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属不純物でシリコンウエハの汚染を大幅に
少なくすることが可能なガラス状炭素製プラズマエッチ
ング用電極を提供する。 【解決手段】 貫通孔内壁を含む全表面に付着した鉄付
着量が、全表面積に対し、２μg/cm2以下であるガラス
状炭素製プラズマエッチング用電極。
少なくすることが可能なガラス状炭素製プラズマエッチ
ング用電極を提供する。 【解決手段】 貫通孔内壁を含む全表面に付着した鉄付
着量が、全表面積に対し、２μg/cm2以下であるガラス
状炭素製プラズマエッチング用電極。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造工程のドライエッチング装置に用いられるガラス状炭
素製プラズマエッチング用電極に関する。
造工程のドライエッチング装置に用いられるガラス状炭
素製プラズマエッチング用電極に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造工程の一つに、シリ
コンウエハに回路パターンを形成するエッチングの工程
がある。このうち平行平板型のプラズマエッチング装置
では、下部電極にシリコンウエハを配置し、これと平行
な、反応ガスを流通させるための多数の貫通孔を有する
上部電極との間に、高周波プラズマを発生させ、シリコ
ンウエハのエッチングを行う。この上部電極は、シリコ
ンウエハのエッチング時にそれ自身もプラズマによりエ
ッチングを受ける。
コンウエハに回路パターンを形成するエッチングの工程
がある。このうち平行平板型のプラズマエッチング装置
では、下部電極にシリコンウエハを配置し、これと平行
な、反応ガスを流通させるための多数の貫通孔を有する
上部電極との間に、高周波プラズマを発生させ、シリコ
ンウエハのエッチングを行う。この上部電極は、シリコ
ンウエハのエッチング時にそれ自身もプラズマによりエ
ッチングを受ける。
【０００３】従来、上部電極（プラズマエッチング用電
極）には、特開昭５７−１８５９８２号公報などに示さ
れるように導電性があり、化学的安定性に優れ、金属不
純物でシリコンウエハを汚染することのない、高純度化
された黒鉛材料が使用されてきた。しかし黒鉛材料は、
骨材及びマトリックスからなる粒子の集合体であるた
め、プラズマによるエッチングにより、構成粒子が脱落
し、消耗が大きくなったり、シリコンウエハ上に粒子が
落下し、回路パータン形成の障害になるなどの問題があ
った。このような問題を解決するために、近年、特開昭
６２−１０９３１７号公報などに示されるようにプラズ
マエッチング用電極にガラス状炭素が使用されるように
なってきた。
極）には、特開昭５７−１８５９８２号公報などに示さ
れるように導電性があり、化学的安定性に優れ、金属不
純物でシリコンウエハを汚染することのない、高純度化
された黒鉛材料が使用されてきた。しかし黒鉛材料は、
骨材及びマトリックスからなる粒子の集合体であるた
め、プラズマによるエッチングにより、構成粒子が脱落
し、消耗が大きくなったり、シリコンウエハ上に粒子が
落下し、回路パータン形成の障害になるなどの問題があ
った。このような問題を解決するために、近年、特開昭
６２−１０９３１７号公報などに示されるようにプラズ
マエッチング用電極にガラス状炭素が使用されるように
なってきた。
【０００４】黒鉛材料などの、一般の炭素材料が骨材及
びマトリックスからなる粒子の集合体であるのに対し、
熱硬化性樹脂を炭化焼成して得られるガラス状炭素は、
ガラス状の非常に均質、緻密な構造を有する。このた
め、ガラス状炭素は化学的安定性、耐熱性、自己潤滑性
等に加え、構成粒子の脱落がないという、一般の炭素材
料にない優れた特長を有する。このため、ガラス状炭素
は半導体製造装置部材に好適であるとされている。
びマトリックスからなる粒子の集合体であるのに対し、
熱硬化性樹脂を炭化焼成して得られるガラス状炭素は、
ガラス状の非常に均質、緻密な構造を有する。このた
め、ガラス状炭素は化学的安定性、耐熱性、自己潤滑性
等に加え、構成粒子の脱落がないという、一般の炭素材
料にない優れた特長を有する。このため、ガラス状炭素
は半導体製造装置部材に好適であるとされている。
【０００５】半導体デバイスの製造においては、金属不
純物によるシリコンウエハの汚染は、特性の劣化を引き
起こし、デバイスの歩留り低下を引き起こす。このた
め、プラズマエッチング用電極は、金属、特に鉄・鉛等
の重金属の含有量が少ない、高純度であることが必要と
される。しかし、全体としては高純度の場合でも又は表
面への金属付着は、全体の不純物量からみて微量であっ
ても、電極使用の初期段階で、シリコンウエハ汚染への
影響が著しい。
純物によるシリコンウエハの汚染は、特性の劣化を引き
起こし、デバイスの歩留り低下を引き起こす。このた
め、プラズマエッチング用電極は、金属、特に鉄・鉛等
の重金属の含有量が少ない、高純度であることが必要と
される。しかし、全体としては高純度の場合でも又は表
面への金属付着は、全体の不純物量からみて微量であっ
ても、電極使用の初期段階で、シリコンウエハ汚染への
影響が著しい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属不純物
でシリコンウエハの汚染を大幅に少なくすることが可能
なガラス状炭素製プラズマエッチング用電極を提供する
ものである。
でシリコンウエハの汚染を大幅に少なくすることが可能
なガラス状炭素製プラズマエッチング用電極を提供する
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、貫通孔内壁を
含む全表面に付着した鉄付着量が、全表面積に対し、２
μg/cm2以下であるガラス状炭素製プラズマエッチング
用電極に関する。
含む全表面に付着した鉄付着量が、全表面積に対し、２
μg/cm2以下であるガラス状炭素製プラズマエッチング
用電極に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明におけるガラス状炭素と
は、熱硬化性樹脂硬化物を炭化、焼成して得られる炭素
材料であり、該熱硬化性樹脂硬化物を得るのに用いられ
る熱硬化性樹脂としては特に制限はないが、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン
樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等
を挙げることができる。また、これらの樹脂の混合物を
用いてもよい。好ましくはフラン樹脂及び／又はフェノ
ール樹脂である。
は、熱硬化性樹脂硬化物を炭化、焼成して得られる炭素
材料であり、該熱硬化性樹脂硬化物を得るのに用いられ
る熱硬化性樹脂としては特に制限はないが、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン
樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等
を挙げることができる。また、これらの樹脂の混合物を
用いてもよい。好ましくはフラン樹脂及び／又はフェノ
ール樹脂である。
【０００９】本発明に用いられる熱硬化性樹脂は、硬化
前に目的とする形状に応じて各種の成形方法で成形され
るが、その成形方法については特に制限はない。所定の
形状に成形した後、更に１３０〜２００℃の温度で硬化
処理する。熱硬化性樹脂の成形硬化は縮合水などが外部
に抜け易い加熱条件及び昇温速度で行うか又は硬化の為
の触媒量を適正な量に設定して安定した樹脂板を得る。
前に目的とする形状に応じて各種の成形方法で成形され
るが、その成形方法については特に制限はない。所定の
形状に成形した後、更に１３０〜２００℃の温度で硬化
処理する。熱硬化性樹脂の成形硬化は縮合水などが外部
に抜け易い加熱条件及び昇温速度で行うか又は硬化の為
の触媒量を適正な量に設定して安定した樹脂板を得る。
【００１０】次いで、電極板の形状にするため所定の加
工を行った後、高純度の治具及び炉を用い不活性雰囲気
中（通常、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスや窒素、
水素、ハロゲンガス等の非酸化性ガスの少なくも１種の
気体からなる酸素を含まない雰囲気、減圧又は真空下）
において約１０００℃の温度で焼成炭化する。更に１３
００℃以上の温度、好ましくは２０００℃以上の温度で
高温処理しガラス状炭素からなるプラズマエッチング用
電極が得られる。プラズマエッチング用電極を得る方法
は、前記の方法以外にガラス状炭素を得た後、放電加工
あるいは超音波加工で所定の形状の電極板に加工しても
よい。また、プラズマエッチング用電極は、必要に応じ
て表面研磨等の仕上げ加工を行う。
工を行った後、高純度の治具及び炉を用い不活性雰囲気
中（通常、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスや窒素、
水素、ハロゲンガス等の非酸化性ガスの少なくも１種の
気体からなる酸素を含まない雰囲気、減圧又は真空下）
において約１０００℃の温度で焼成炭化する。更に１３
００℃以上の温度、好ましくは２０００℃以上の温度で
高温処理しガラス状炭素からなるプラズマエッチング用
電極が得られる。プラズマエッチング用電極を得る方法
は、前記の方法以外にガラス状炭素を得た後、放電加工
あるいは超音波加工で所定の形状の電極板に加工しても
よい。また、プラズマエッチング用電極は、必要に応じ
て表面研磨等の仕上げ加工を行う。
【００１１】ガラス状炭素全体に含有される金属不純物
が多い場合、表面の汚染に関わらずシリコンウエハが汚
染する。従ってガラス状炭素全体に含有される金属不純
物量は５０ppm以下が好ましく、２０ppm以下がより好ま
しい。なお金属不純物量は、ガラス状炭素を酸素を含む
雰囲気で焼成して得られる灰分量から求められる。
が多い場合、表面の汚染に関わらずシリコンウエハが汚
染する。従ってガラス状炭素全体に含有される金属不純
物量は５０ppm以下が好ましく、２０ppm以下がより好ま
しい。なお金属不純物量は、ガラス状炭素を酸素を含む
雰囲気で焼成して得られる灰分量から求められる。
【００１２】本発明になるプラズマエッチング用電極の
表面に付着する鉄付着量は、貫通孔内壁を含む全表面積
に対し、２μg/cm2以下、好ましくは１．８μg/cm2以
下、より好ましくは１μg/cm2以下とされ、２μg/cm2を
超えるとプラズマエッチングに使用する際、シリコンウ
エハの汚染が顕著になり、製品歩留りが低下する。な
お、鉄付着量は、通常０．０９μg/cm2が限度であり、
これ以上にすることは困難である。
表面に付着する鉄付着量は、貫通孔内壁を含む全表面積
に対し、２μg/cm2以下、好ましくは１．８μg/cm2以
下、より好ましくは１μg/cm2以下とされ、２μg/cm2を
超えるとプラズマエッチングに使用する際、シリコンウ
エハの汚染が顕著になり、製品歩留りが低下する。な
お、鉄付着量は、通常０．０９μg/cm2が限度であり、
これ以上にすることは困難である。
【００１３】本発明でガラス状炭素製プラズマエッチン
グ用電極の貫通孔内壁を含む全表面に付着する鉄付着量
とは、プラズマエッチング用電極表面から酸抽出される
鉄成分量をいい、具体的には濃塩酸中にプラズマエッチ
ング用電極を浸漬し、この濃塩酸中に溶出した鉄の濃度
を測定して求められる。濃塩酸中への浸漬時間は、鉄の
濃度が実質的に飽和するまでの時間である。鉄の濃度の
分析は、原子吸光分析、ＩＣＰ法、電位差ストリッピン
グ法等の電気化学分析など公知の方法で行い、得られた
鉄の濃度から、プラズマエッチング用電極に付着してい
た鉄の量を算出する。
グ用電極の貫通孔内壁を含む全表面に付着する鉄付着量
とは、プラズマエッチング用電極表面から酸抽出される
鉄成分量をいい、具体的には濃塩酸中にプラズマエッチ
ング用電極を浸漬し、この濃塩酸中に溶出した鉄の濃度
を測定して求められる。濃塩酸中への浸漬時間は、鉄の
濃度が実質的に飽和するまでの時間である。鉄の濃度の
分析は、原子吸光分析、ＩＣＰ法、電位差ストリッピン
グ法等の電気化学分析など公知の方法で行い、得られた
鉄の濃度から、プラズマエッチング用電極に付着してい
た鉄の量を算出する。
【００１４】本発明で得られるプラズマエッチング用電
極の貫通孔内壁を含む全表面に付着する鉄付着量が全表
面積に対して２μg/cm2を超える場合、酸洗浄又は加熱
処理を行うことにより鉄付着量を減少させることができ
る。
極の貫通孔内壁を含む全表面に付着する鉄付着量が全表
面積に対して２μg/cm2を超える場合、酸洗浄又は加熱
処理を行うことにより鉄付着量を減少させることができ
る。
【００１５】酸洗浄とは、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等
の酸又はこれらの混合液若しくはその水溶液（以下これ
らを総称して洗浄液とする）にプラズマエッチング用電
極を浸漬させて行うものであり、浸漬時間は１時間以上
が好ましい。洗浄液の濃度は、種類によって異なるが、
２重量％以上が好ましく。５重量％以上がより好まし
く、１０〜６０重量％の範囲がさらに好ましい。２重量
％未満では鉄成分の除去能力が低下し、効果が発揮でき
なくなる傾向がある。また、洗浄の効果を上げるため、
過酸化水素を添加してもよい。その添加量は洗浄液に対
して１０重量％以上が好ましく、２０重量％以上がより
好ましく、２５〜４０重量％の範囲がさらに好ましい。
さらに、より酸洗浄を効果的にするには必要に応じて超
音波振動を加えるなどの方法で洗浄を行ってもよい。超
音波振動をかける時間は１分以上が好ましく、５分以上
がより好ましい。
の酸又はこれらの混合液若しくはその水溶液（以下これ
らを総称して洗浄液とする）にプラズマエッチング用電
極を浸漬させて行うものであり、浸漬時間は１時間以上
が好ましい。洗浄液の濃度は、種類によって異なるが、
２重量％以上が好ましく。５重量％以上がより好まし
く、１０〜６０重量％の範囲がさらに好ましい。２重量
％未満では鉄成分の除去能力が低下し、効果が発揮でき
なくなる傾向がある。また、洗浄の効果を上げるため、
過酸化水素を添加してもよい。その添加量は洗浄液に対
して１０重量％以上が好ましく、２０重量％以上がより
好ましく、２５〜４０重量％の範囲がさらに好ましい。
さらに、より酸洗浄を効果的にするには必要に応じて超
音波振動を加えるなどの方法で洗浄を行ってもよい。超
音波振動をかける時間は１分以上が好ましく、５分以上
がより好ましい。
【００１６】熱処理は、１０００℃以上の温度で加熱処
理することが好ましく、１０００〜２０００℃の温度で
加熱処理することがさらに好ましい。１０００℃未満の
温度では目的とする鉄成分の除去能力が低下し、効果が
発揮できなくなる傾向がある。この方法は、貫通孔内壁
を含む全表面に付着した鉄を加熱して蒸発させ除去する
方法であり、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活
性ガス雰囲気中、真空（減圧）中などの非酸化性雰囲気
中で加熱処理することが好ましい。
理することが好ましく、１０００〜２０００℃の温度で
加熱処理することがさらに好ましい。１０００℃未満の
温度では目的とする鉄成分の除去能力が低下し、効果が
発揮できなくなる傾向がある。この方法は、貫通孔内壁
を含む全表面に付着した鉄を加熱して蒸発させ除去する
方法であり、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活
性ガス雰囲気中、真空（減圧）中などの非酸化性雰囲気
中で加熱処理することが好ましい。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例にて詳細に説明する。 実施例１〜６及び比較例１〜３ フラン樹脂（日立化成工業(株)製、商品名ＶＦ−３０
３）１００重量部に、パラトルエンスルホン酸０．３重
量部及びエチレングリコール０．３重量部を添加し、十
分混合した後、混合物を成形型に注入し、５０℃で３
日、７０℃で３日及び９０℃で３日間保持して乾燥硬化
した後、１６０℃までを５℃／時間の速度で昇温し、１
６０℃で３日間保持し硬化処理を行い、厚さが４mmで、
直径が２５０mmの円盤状樹脂成形体を得た。
３）１００重量部に、パラトルエンスルホン酸０．３重
量部及びエチレングリコール０．３重量部を添加し、十
分混合した後、混合物を成形型に注入し、５０℃で３
日、７０℃で３日及び９０℃で３日間保持して乾燥硬化
した後、１６０℃までを５℃／時間の速度で昇温し、１
６０℃で３日間保持し硬化処理を行い、厚さが４mmで、
直径が２５０mmの円盤状樹脂成形体を得た。
【００１８】該成形体を予め焼成の寸法収縮（２０％収
縮）を見込んだ所定の形状に加工した後、１６０℃まで
を５℃／時間の速度で昇温し、１６０℃で３日間保持し
硬化処理を行い円盤状樹脂硬化体を得た。該硬化体を電
気炉に入れ窒素気流中で１０００℃までを５℃／時間の
速度で昇温し、１０００℃の温度で１０時間保持して焼
成炭化した後、高純度の治具及び雰囲気炉を用い窒素雰
囲気中で２０００℃までを３０℃／時間の速度で昇温
し、２０００℃の温度で６時間保持して高温処理を行
い、厚さが３．５mmで、直径が２００mmのガラス状炭素
を得た。
縮）を見込んだ所定の形状に加工した後、１６０℃まで
を５℃／時間の速度で昇温し、１６０℃で３日間保持し
硬化処理を行い円盤状樹脂硬化体を得た。該硬化体を電
気炉に入れ窒素気流中で１０００℃までを５℃／時間の
速度で昇温し、１０００℃の温度で１０時間保持して焼
成炭化した後、高純度の治具及び雰囲気炉を用い窒素雰
囲気中で２０００℃までを３０℃／時間の速度で昇温
し、２０００℃の温度で６時間保持して高温処理を行
い、厚さが３．５mmで、直径が２００mmのガラス状炭素
を得た。
【００１９】次いでガラス状炭素に直径が０．８mmの貫
通小孔を３mmのピッチで多数穿孔し、ダイヤモンドラッ
プマシンで厚さが３．０mmまで研磨し、鏡面仕上げして
プラズマエッチング用電極を得た。このプラズマエッチ
ング用電極の貫通孔を含む全表面積は、９５０cm2であ
った。得られたプラズマエッチング用電極の物理特性の
平均値はそれぞれ、かさ密度が１．５０g/cm2、気孔率
が０．５体積％、電気比抵抗が４２．５μΩｍ、曲げ強
度が１３５MPa及びショア硬度が１２３であった。ま
た、同一ロットで作製したプラズマエッチング用電極の
全不純物量（灰分）は１５ppmであった。
通小孔を３mmのピッチで多数穿孔し、ダイヤモンドラッ
プマシンで厚さが３．０mmまで研磨し、鏡面仕上げして
プラズマエッチング用電極を得た。このプラズマエッチ
ング用電極の貫通孔を含む全表面積は、９５０cm2であ
った。得られたプラズマエッチング用電極の物理特性の
平均値はそれぞれ、かさ密度が１．５０g/cm2、気孔率
が０．５体積％、電気比抵抗が４２．５μΩｍ、曲げ強
度が１３５MPa及びショア硬度が１２３であった。ま
た、同一ロットで作製したプラズマエッチング用電極の
全不純物量（灰分）は１５ppmであった。
【００２０】次にプラズマエッチング用電極を表１に示
す各条件で各々２枚ずつ酸洗浄した後、その内の１枚を
濃塩酸に１０時間浸漬した。この濃塩酸中の鉄の濃度を
原子吸光分析により測定し、貫通孔内壁を含む全表面に
付着していた鉄付着量を算出した。その結果も表１に示
す。次にそれぞれ残った１枚のプラズマエッチング用電
極をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：ト
リフロロメタン（ＣＨＦ3）キャリアガス：アルゴン
（Ａｒ）、反応チャンバー内のガス圧：１Torr、電源周
波数：１３．５MHzの条件で直径６インチのシリコンウ
エハの酸化膜エッチングを行った。このときのシリコン
ウエハから得られた半導体デバイスの製品歩留りを併せ
て表１に示す。
す各条件で各々２枚ずつ酸洗浄した後、その内の１枚を
濃塩酸に１０時間浸漬した。この濃塩酸中の鉄の濃度を
原子吸光分析により測定し、貫通孔内壁を含む全表面に
付着していた鉄付着量を算出した。その結果も表１に示
す。次にそれぞれ残った１枚のプラズマエッチング用電
極をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：ト
リフロロメタン（ＣＨＦ3）キャリアガス：アルゴン
（Ａｒ）、反応チャンバー内のガス圧：１Torr、電源周
波数：１３．５MHzの条件で直径６インチのシリコンウ
エハの酸化膜エッチングを行った。このときのシリコン
ウエハから得られた半導体デバイスの製品歩留りを併せ
て表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例７〜１２及び比較例４〜６ 実施例１〜６及び比較例１〜３と同様の材料を使用し、
実施例１〜６及び比較例１〜３と、同様の工程を経て厚
さが５．５mmで、直径が３５０mmの円盤状樹脂成形体を
得た。該成形体を実施例１〜６及び比較例１〜３と同様
の工程を経て焼成炭化を行った後、高純度の治具及び雰
囲気炉を用い窒素雰囲気中で２３００℃までを３０℃／
時間の速度で昇温し、２３００℃の温度で６時間保持し
て高温処理を行い、厚さが４．４mmで、直径が２８０mm
のガラス状炭素を得た。
実施例１〜６及び比較例１〜３と、同様の工程を経て厚
さが５．５mmで、直径が３５０mmの円盤状樹脂成形体を
得た。該成形体を実施例１〜６及び比較例１〜３と同様
の工程を経て焼成炭化を行った後、高純度の治具及び雰
囲気炉を用い窒素雰囲気中で２３００℃までを３０℃／
時間の速度で昇温し、２３００℃の温度で６時間保持し
て高温処理を行い、厚さが４．４mmで、直径が２８０mm
のガラス状炭素を得た。
【００２３】次いでガラス状炭素に直径が０．５mmの貫
通小孔を７mmのピッチで多数穿孔し、ダイヤモンドラッ
プマシンで厚さが４．０mmまで研磨し、鏡面仕上げして
プラズマエッチング用電極を得た。このプラズマエッチ
ング用電極の貫通孔を含む全表面積は、１３００cm2で
あった。得られたプラズマエッチング用電極の物理特性
の平均値はそれぞれ、かさ密度が１．５１g/cm2、気孔
率が０．１体積％、電気比抵抗が４２．５μΩｍ、曲げ
強度が１４５MPa及びショア硬化が１２３であった。ま
た、同一ロットで作製したプラズマエッチング用電極の
全不純物量（灰分）は１５ppmであった。
通小孔を７mmのピッチで多数穿孔し、ダイヤモンドラッ
プマシンで厚さが４．０mmまで研磨し、鏡面仕上げして
プラズマエッチング用電極を得た。このプラズマエッチ
ング用電極の貫通孔を含む全表面積は、１３００cm2で
あった。得られたプラズマエッチング用電極の物理特性
の平均値はそれぞれ、かさ密度が１．５１g/cm2、気孔
率が０．１体積％、電気比抵抗が４２．５μΩｍ、曲げ
強度が１４５MPa及びショア硬化が１２３であった。ま
た、同一ロットで作製したプラズマエッチング用電極の
全不純物量（灰分）は１５ppmであった。
【００２４】次にプラズマエッチング用電極を表２に示
す条件で各々２枚ずつ加熱処理した後、その内の１枚を
濃塩酸に１０時間浸漬した。この濃塩酸中の鉄の濃度を
原子吸光分析により測定し、貫通孔内壁を含む全表面に
付着していた鉄付着量を算出した。その結果も表２に示
す。次にそれぞれ残った１枚のプラズマエッチング用電
極をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：ト
リフロロメタン（ＣＨＦ3）キャリアガス：アルゴン
（Ａｒ）、反応チャンバー内のガス圧：１Torr、電源周
波数：１３．５MHzの条件で直径６インチのシリコンウ
エハの酸化膜エッチングを行った。このときのシリコン
ウエハから得られたデバイスの製品歩留りを併せて表２
に示す。
す条件で各々２枚ずつ加熱処理した後、その内の１枚を
濃塩酸に１０時間浸漬した。この濃塩酸中の鉄の濃度を
原子吸光分析により測定し、貫通孔内壁を含む全表面に
付着していた鉄付着量を算出した。その結果も表２に示
す。次にそれぞれ残った１枚のプラズマエッチング用電
極をプラズマエッチング装置にセットし、反応ガス：ト
リフロロメタン（ＣＨＦ3）キャリアガス：アルゴン
（Ａｒ）、反応チャンバー内のガス圧：１Torr、電源周
波数：１３．５MHzの条件で直径６インチのシリコンウ
エハの酸化膜エッチングを行った。このときのシリコン
ウエハから得られたデバイスの製品歩留りを併せて表２
に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】表１及び表２に示されるように、本発明に
なるプラズマエッチング用電極は、鉄付着量が１．９０
μg/cm2以下と少なく、デバイスの製品歩留りのよいこ
とが示される。これに対し比較例のプラズマエッチング
用電極は、鉄付着量が２．２０μg/cm2以上と多く、デ
バイスの製品歩留りの悪いことが示される。
なるプラズマエッチング用電極は、鉄付着量が１．９０
μg/cm2以下と少なく、デバイスの製品歩留りのよいこ
とが示される。これに対し比較例のプラズマエッチング
用電極は、鉄付着量が２．２０μg/cm2以上と多く、デ
バイスの製品歩留りの悪いことが示される。
【００２７】
【発明の効果】本発明になるプラズマエッチング用電極
は、金属不純物によるシリコンウエハの汚染を大幅に少
なくすることができるため、デバイスの歩留りを向上さ
せ、安定したプラズマエッチング加工を行うことが可能
になり、産業上極めて好適である。
は、金属不純物によるシリコンウエハの汚染を大幅に少
なくすることができるため、デバイスの歩留りを向上さ
せ、安定したプラズマエッチング加工を行うことが可能
になり、産業上極めて好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小鍜治 和己 茨城県日立市鮎川町三丁目３番１号 日立 化成工業株式会社山崎工場内
Claims (1)
- 【請求項１】 貫通孔内壁を含む全表面に付着した鉄付
着量が、全表面積に対し、２μg/cm2以下であるガラス
状炭素製プラズマエッチング用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8338084A JPH10182229A (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | プラズマエッチング用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8338084A JPH10182229A (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | プラズマエッチング用電極 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008012528A Division JP2008172253A (ja) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | プラズマエッチング用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10182229A true JPH10182229A (ja) | 1998-07-07 |
Family
ID=18314761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8338084A Pending JPH10182229A (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | プラズマエッチング用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10182229A (ja) |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP8338084A patent/JPH10182229A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040318 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040420 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040826 |