JP2001176846A - プラズマエッチング電極板及びその製造法 - Google Patents
プラズマエッチング電極板及びその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 デバイスの歩留まり向上を図るため上記の異
物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチン
グ電極板及びデバイスの歩留まり向上を図るため上記の
異物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチ
ング電極板の製造法を提供する。 【解決手段】 プラズマ面側の表面又は両表面が超鏡面
であるプラズマエッチング電極板６及び表面を研磨して
得られるプラズマエッチング電極板において、プラズマ
面側の表面又は両表面の５０μｍ以上をポリッシュ研磨
してなるプラズマエッチング電極板の製造法。
物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチン
グ電極板及びデバイスの歩留まり向上を図るため上記の
異物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチ
ング電極板の製造法を提供する。 【解決手段】 プラズマ面側の表面又は両表面が超鏡面
であるプラズマエッチング電極板６及び表面を研磨して
得られるプラズマエッチング電極板において、プラズマ
面側の表面又は両表面の５０μｍ以上をポリッシュ研磨
してなるプラズマエッチング電極板の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造工程のドライエッチング装置に好適に使用されるプラ
ズマエッチング電極板及びその製造法に関する。
造工程のドライエッチング装置に好適に使用されるプラ
ズマエッチング電極板及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造工程の一つに、シリ
コンウエハに回路パターンを形成するエッチングの工程
がある。このエッチングを行う装置として、プラズマエ
ッチング装置が用いられている。プラズマエッチング装
置は、図１に示されるように、真空容器１内に上部電極
２及び下部電極３が間隔を置いて設けられており、下部
電極３の上に被処理材としてシリコンウエハ４を載置し
ている。上部電極２はバックプレート５とプラズマエッ
チング電極板６とで構成されており、それぞれにエッチ
ングガスを吹き出すための貫通孔７が設けられている。
コンウエハに回路パターンを形成するエッチングの工程
がある。このエッチングを行う装置として、プラズマエ
ッチング装置が用いられている。プラズマエッチング装
置は、図１に示されるように、真空容器１内に上部電極
２及び下部電極３が間隔を置いて設けられており、下部
電極３の上に被処理材としてシリコンウエハ４を載置し
ている。上部電極２はバックプレート５とプラズマエッ
チング電極板６とで構成されており、それぞれにエッチ
ングガスを吹き出すための貫通孔７が設けられている。
【０００３】エッチングガスを貫通孔７を通してシリコ
ンウエハ４に向かって流しながら、高周波電源８によ
り、上部電極２と下部電極３の間に高周波電力を印加し
てプラズマ１０を形成する。このプラズマ１０によって
シリコンウエハ４をエッチングし、所定のパターンの素
子を形成する。シールドリング９は、アルミナ又は石英
のような絶縁物からなり、プラズマエッチング電極板６
の取付用ビスをプラズマ１０から保護するため、プラズ
マエッチング電極板６の外周部を覆うように設置されて
いる。
ンウエハ４に向かって流しながら、高周波電源８によ
り、上部電極２と下部電極３の間に高周波電力を印加し
てプラズマ１０を形成する。このプラズマ１０によって
シリコンウエハ４をエッチングし、所定のパターンの素
子を形成する。シールドリング９は、アルミナ又は石英
のような絶縁物からなり、プラズマエッチング電極板６
の取付用ビスをプラズマ１０から保護するため、プラズ
マエッチング電極板６の外周部を覆うように設置されて
いる。
【０００４】プラズマエッチング電極板６は、使用する
に従いプラズマが発生している部分、つまり対向してい
るシリコンウエハ４とほぼ同じ面積の部分が、プラズマ
によってエッチングされる。このようにプラズマによる
エッチングにより電極自身がエッチングされるか又はエ
ッチングガスによる反応推積物が剥離することにより異
物がシリコンウエハ上に落下し、所望のエッチングパタ
ーンが形成されずに配線不良を引き起こしたり、デバイ
スの動作不良を引き起こしたりする。また、デバイスの
歩留り低下を引き起こす。このため、プラズマエッチン
グ電極板は、異物の発生を極力少なくすることが要求さ
れる。
に従いプラズマが発生している部分、つまり対向してい
るシリコンウエハ４とほぼ同じ面積の部分が、プラズマ
によってエッチングされる。このようにプラズマによる
エッチングにより電極自身がエッチングされるか又はエ
ッチングガスによる反応推積物が剥離することにより異
物がシリコンウエハ上に落下し、所望のエッチングパタ
ーンが形成されずに配線不良を引き起こしたり、デバイ
スの動作不良を引き起こしたりする。また、デバイスの
歩留り低下を引き起こす。このため、プラズマエッチン
グ電極板は、異物の発生を極力少なくすることが要求さ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】請求項１記載の発明
は、デバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発生
を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電極
板を提供するものである。請求項２、３及び４記載の発
明は、デバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発
生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電
極板の製造法を提供するものである。
は、デバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発生
を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電極
板を提供するものである。請求項２、３及び４記載の発
明は、デバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発
生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電
極板の製造法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ面側
の表面又は両表面が超鏡面であるプラズマエッチング電
極板に関する。また、本発明は、表面を研磨して得られ
るプラズマエッチング電極板において、プラズマ面側の
表面又は両表面の５０μｍ以上をポリッシュ研磨してな
るプラズマエッチング電極板の製造法に関する。また、
本発明は、ラップ研磨した後、ポリッシュ研磨してなる
前記のプラズマエッチング電極板の製造法に関する。さ
らに、本発明は、プラズマエッチング電極板の材質が、
ガラス状炭素、単結晶シリコン、多結晶シリコン又は炭
化硅素である前記のプラズマエッチング電極板の製造法
に関する。
の表面又は両表面が超鏡面であるプラズマエッチング電
極板に関する。また、本発明は、表面を研磨して得られ
るプラズマエッチング電極板において、プラズマ面側の
表面又は両表面の５０μｍ以上をポリッシュ研磨してな
るプラズマエッチング電極板の製造法に関する。また、
本発明は、ラップ研磨した後、ポリッシュ研磨してなる
前記のプラズマエッチング電極板の製造法に関する。さ
らに、本発明は、プラズマエッチング電極板の材質が、
ガラス状炭素、単結晶シリコン、多結晶シリコン又は炭
化硅素である前記のプラズマエッチング電極板の製造法
に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明になるプラズマエッチング
電極板のプラズマ面側の表面、即ち、シリコンウエハに
対向する面又は両表面、即ち、シリコンウエハに対向す
る面及びバックプレートに接する面を超鏡面にするに
は、５０μｍ以上を、アルミナ、酸化セリウム、Ｓｉ
Ｃ、ダイヤモンド等の砥粒を用いて２０〜６０min-1程
度の回転数でポリッシュ研磨を行うことにより達成する
ことができ、このように超鏡面に仕上げればエッチング
消耗による異物の発生を抑え、反応推積物を低減すると
共にこの反応推積物が剥離してシリコンウエハに落下す
ることを防止することができる。
電極板のプラズマ面側の表面、即ち、シリコンウエハに
対向する面又は両表面、即ち、シリコンウエハに対向す
る面及びバックプレートに接する面を超鏡面にするに
は、５０μｍ以上を、アルミナ、酸化セリウム、Ｓｉ
Ｃ、ダイヤモンド等の砥粒を用いて２０〜６０min-1程
度の回転数でポリッシュ研磨を行うことにより達成する
ことができ、このように超鏡面に仕上げればエッチング
消耗による異物の発生を抑え、反応推積物を低減すると
共にこの反応推積物が剥離してシリコンウエハに落下す
ることを防止することができる。
【０００８】本発明において研磨は、ポリッシュ研磨の
みを行ってもよく、またラップ研磨を行った後に、前記
と同様のポリッシュ研磨を行っても、エッチング消耗に
よる異物の発生を抑え、反応推積物を低減すると共にこ
の反応推積物が剥離してシリコンウエハに落下すること
を防止することができる。なお、ラップ研磨は、ポリッ
シュ研磨に比較して面の粗い研磨機を使用するため短時
間で研磨することができる。従って研磨を行う前のプラ
ズマエッチング電極板の表面の凹凸が激しい場合は、最
初ラップ研磨を行い、その後ポリッシュ研磨を行えば効
率よく研磨できるので好ましい。
みを行ってもよく、またラップ研磨を行った後に、前記
と同様のポリッシュ研磨を行っても、エッチング消耗に
よる異物の発生を抑え、反応推積物を低減すると共にこ
の反応推積物が剥離してシリコンウエハに落下すること
を防止することができる。なお、ラップ研磨は、ポリッ
シュ研磨に比較して面の粗い研磨機を使用するため短時
間で研磨することができる。従って研磨を行う前のプラ
ズマエッチング電極板の表面の凹凸が激しい場合は、最
初ラップ研磨を行い、その後ポリッシュ研磨を行えば効
率よく研磨できるので好ましい。
【０００９】ポリッシュ研磨する場合の研磨量は５０μ
ｍ以上、好ましくは１００μｍ以上で、上限については
制限はないが、ある程度研磨すれば本発明の効果が得ら
れるので１５０μｍ程度研磨すればよい。特にポリッシ
ュ研磨のみ行う場合は、１００μｍ以上研磨することが
好ましい。研磨量が５０μｍ未満では異物の発生を抑え
る効果が少なく、反応推積物を低減することができない
ため、該反応推積物が剥離してシリコンウエハに落下す
ることがある。またラップ研磨する厚さについては特に
制限はなく、砥粒もポリッシュ研磨に用いるものと同じ
物が使用できる。
ｍ以上、好ましくは１００μｍ以上で、上限については
制限はないが、ある程度研磨すれば本発明の効果が得ら
れるので１５０μｍ程度研磨すればよい。特にポリッシ
ュ研磨のみ行う場合は、１００μｍ以上研磨することが
好ましい。研磨量が５０μｍ未満では異物の発生を抑え
る効果が少なく、反応推積物を低減することができない
ため、該反応推積物が剥離してシリコンウエハに落下す
ることがある。またラップ研磨する厚さについては特に
制限はなく、砥粒もポリッシュ研磨に用いるものと同じ
物が使用できる。
【００１０】本発明のプラズマエッチング電極板の形状
は、プラズマエッチング装置の構造に応じて決められ、
特に制限されないが、一般的には円盤状である。その材
質は、好ましくはガラス状炭素、単結晶シリコン、多結
晶シリコン又は炭化硅素からなる材質のものが用いら
れ、より好ましくはガラス状炭素からなるものが用いら
れる。
は、プラズマエッチング装置の構造に応じて決められ、
特に制限されないが、一般的には円盤状である。その材
質は、好ましくはガラス状炭素、単結晶シリコン、多結
晶シリコン又は炭化硅素からなる材質のものが用いら
れ、より好ましくはガラス状炭素からなるものが用いら
れる。
【００１１】ガラス状炭素は、熱硬化性樹脂硬化物を、
炭化、高温処理して得られる炭素材料であり、用いられ
る熱硬化性樹脂としては特に制限はないが、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン
樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等
を挙げることができる。また、これら樹脂の混合物を用
いてもよい。好ましくはフラン樹脂及び／又はフェノー
ル樹脂あるいはこれらの混合樹脂である。
炭化、高温処理して得られる炭素材料であり、用いられ
る熱硬化性樹脂としては特に制限はないが、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン
樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、キシレン樹脂等
を挙げることができる。また、これら樹脂の混合物を用
いてもよい。好ましくはフラン樹脂及び／又はフェノー
ル樹脂あるいはこれらの混合樹脂である。
【００１２】熱硬化性樹脂の種類に応じて、硬化剤が用
いられる。硬化剤としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸
等の無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン
酸等の有機スルホン酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフ
ロロ酢酸等のカルボン酸などが挙げられる。硬化剤は熱
硬化性樹脂に対して０．００１〜２０重量％使用するこ
とが好ましい。
いられる。硬化剤としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸
等の無機酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン
酸等の有機スルホン酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフ
ロロ酢酸等のカルボン酸などが挙げられる。硬化剤は熱
硬化性樹脂に対して０．００１〜２０重量％使用するこ
とが好ましい。
【００１３】前記熱硬化性樹脂は、必要に応じて前記硬
化剤を添加した後、目的とする形状に応じて各種成形方
法で成形した後、硬化処理する。この硬化は６０〜２０
０℃、より好ましくは７０〜１００℃の温度で熱処理し
て行うことが好ましい。
化剤を添加した後、目的とする形状に応じて各種成形方
法で成形した後、硬化処理する。この硬化は６０〜２０
０℃、より好ましくは７０〜１００℃の温度で熱処理し
て行うことが好ましい。
【００１４】必要に応じさらにプラズマエッチング電極
板としての所定の加工を行った後、高度に純化された治
具及び炉を用い不活性雰囲気中（通常、ヘリウム、アル
ゴン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等の非
酸化性ガスの少なくとも一種の気体からなる酸素を含ま
ない雰囲気又は真空下）において、好ましくは８００〜
３０００℃、より好ましくは１１００〜２８００℃の温
度で焼成し、炭化する。次いで好ましくは１３００〜３
５００℃の温度で高温処理しガラス状炭素を得ることが
できる。
板としての所定の加工を行った後、高度に純化された治
具及び炉を用い不活性雰囲気中（通常、ヘリウム、アル
ゴン等の不活性ガスや窒素、水素、ハロゲンガス等の非
酸化性ガスの少なくとも一種の気体からなる酸素を含ま
ない雰囲気又は真空下）において、好ましくは８００〜
３０００℃、より好ましくは１１００〜２８００℃の温
度で焼成し、炭化する。次いで好ましくは１３００〜３
５００℃の温度で高温処理しガラス状炭素を得ることが
できる。
【００１５】本発明のプラズマエッチング電極板の大き
さ及び形状としては、特に制限されないが、外径１５０
〜４００mm、厚さが３〜１０mmの円盤状のものが好まし
い。電極板をプラズマエッチング装置に取付けるための
外周部の取付け穴は、８〜２４個設けることが好まし
い。エッチングガスをシャワー状に分散させるためのエ
ッチングガスを吹出すための貫通孔は、取付け穴より内
周部に設けることが好ましい。この貫通孔の大きさはエ
ッチング条件等により異なるが孔径で０．３〜２．０mm
が好ましく、孔数は１００〜３０００個が好ましい。孔
の加工は、機械加工、放電加工、超音波加工等で行うこ
とができる。
さ及び形状としては、特に制限されないが、外径１５０
〜４００mm、厚さが３〜１０mmの円盤状のものが好まし
い。電極板をプラズマエッチング装置に取付けるための
外周部の取付け穴は、８〜２４個設けることが好まし
い。エッチングガスをシャワー状に分散させるためのエ
ッチングガスを吹出すための貫通孔は、取付け穴より内
周部に設けることが好ましい。この貫通孔の大きさはエ
ッチング条件等により異なるが孔径で０．３〜２．０mm
が好ましく、孔数は１００〜３０００個が好ましい。孔
の加工は、機械加工、放電加工、超音波加工等で行うこ
とができる。
【００１６】プラズマエッチング装置は、プラズマエッ
チング電極板として上記のものを使うこと以外は特に制
限はない。その装置の一例としては、前述した図１に示
されるものが挙げられ、図１のプラズマエッチング装置
において、プラズマエッチング電極板６として上記の本
発明のプラズマエッチング電極板を用いればよい。
チング電極板として上記のものを使うこと以外は特に制
限はない。その装置の一例としては、前述した図１に示
されるものが挙げられ、図１のプラズマエッチング装置
において、プラズマエッチング電極板６として上記の本
発明のプラズマエッチング電極板を用いればよい。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１８】実施例１〜８、比較例１〜３ フラン樹脂（日立化成工業(株)製、商品名ＶＦ−３０
２）１００重量部に、パラトルエンスルホン酸０．３重
量部及びエチレングリコール（和光純薬工業(株)製）
０．３重量部を添加し、十分混合した後、該樹脂を型に
注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥
硬化した後１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０
℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さが５mmで、直径が
４００mmの円盤状樹脂成形体Ａを得た。
２）１００重量部に、パラトルエンスルホン酸０．３重
量部及びエチレングリコール（和光純薬工業(株)製）
０．３重量部を添加し、十分混合した後、該樹脂を型に
注入し５０℃で３日、７０℃で３日、９０℃で３日乾燥
硬化した後１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０
℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さが５mmで、直径が
４００mmの円盤状樹脂成形体Ａを得た。
【００１９】該円盤状樹脂成形体Ａを予め焼成の寸法収
縮（２０％収縮）を見込んだ大きさの形状に加工した
後、１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３
日間保持し硬化処理を行い厚さが４mmで、直径が２８５
mmの円盤状樹脂成形体Ｂを得た。該成形体Ｂを電気炉に
入れ、窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した
後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い、不活性
雰囲気下で２０００℃の温度で高温処理を行いガラス状
炭素を得た。該ガラス状炭素に直径が０．８mmの貫通小
孔を３mmのピッチで多数穿孔した。
縮（２０％収縮）を見込んだ大きさの形状に加工した
後、１６０℃までを５℃／時間で昇温し、１６０℃で３
日間保持し硬化処理を行い厚さが４mmで、直径が２８５
mmの円盤状樹脂成形体Ｂを得た。該成形体Ｂを電気炉に
入れ、窒素気流中で１０００℃の温度で焼成炭化した
後、高純度に処理した治具及び雰囲気炉を用い、不活性
雰囲気下で２０００℃の温度で高温処理を行いガラス状
炭素を得た。該ガラス状炭素に直径が０．８mmの貫通小
孔を３mmのピッチで多数穿孔した。
【００２０】次に、遊離砥粒としてアルミナ、２０００
＃を用いて、４０min-1の回転数でシリコンウエハに対
向する面をラップ研磨（スピードファム社製の研磨機使
用）した後、さらに遊離砥粒として酸化セリウムを用い
て、４０min-1の回転数で表１及び表２に示す研磨量と
なるようにポリッシュ研磨（浜井産業(株)製の研磨機使
用）を行いプラズマエッチング電極板を製作した。
＃を用いて、４０min-1の回転数でシリコンウエハに対
向する面をラップ研磨（スピードファム社製の研磨機使
用）した後、さらに遊離砥粒として酸化セリウムを用い
て、４０min-1の回転数で表１及び表２に示す研磨量と
なるようにポリッシュ研磨（浜井産業(株)製の研磨機使
用）を行いプラズマエッチング電極板を製作した。
【００２１】次に、このプラズマエッチング電極板から
６５mm×６５mm×４mmの評価サンプルを製作し、電極板
のサンプル評価用のプラズマエッチング装置に取付け、
酸素、アルゴン、フロロカーボンガスの混合ガスを反応
ガスとして流し、反応チャンバー内のガス圧：１Torr、
電源周波数：１３．５MHzでプラズマを発生させ、下部
電極に積載した８インチシリコンウエハに落下した異物
を測定した。その結果を合わせて表１及び表２に示す。
６５mm×６５mm×４mmの評価サンプルを製作し、電極板
のサンプル評価用のプラズマエッチング装置に取付け、
酸素、アルゴン、フロロカーボンガスの混合ガスを反応
ガスとして流し、反応チャンバー内のガス圧：１Torr、
電源周波数：１３．５MHzでプラズマを発生させ、下部
電極に積載した８インチシリコンウエハに落下した異物
を測定した。その結果を合わせて表１及び表２に示す。
【００２２】実施例９ 実施例１〜８及び比較例１〜３で得た円盤状樹脂成形体
Ａを予め焼成の寸法収縮（２０％収縮）を見込んだ大き
さの形状に加工した後、１６０℃までを５℃／時間で昇
温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さが４
mmで、直径が２８５mmの円盤状樹脂成形体Ｃを得た。該
円盤状樹脂成形体Ｃを電気炉に入れ、窒素気流中で１０
００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具
及び雰囲気炉を用い、不活性雰囲気下で２０００℃の温
度で高温処理を行いガラス状炭素を得た。該ガラス状炭
素に直径が０．５mmの貫通小孔を３mmのピッチで多数穿
孔した。
Ａを予め焼成の寸法収縮（２０％収縮）を見込んだ大き
さの形状に加工した後、１６０℃までを５℃／時間で昇
温し、１６０℃で３日間保持し硬化処理を行い厚さが４
mmで、直径が２８５mmの円盤状樹脂成形体Ｃを得た。該
円盤状樹脂成形体Ｃを電気炉に入れ、窒素気流中で１０
００℃の温度で焼成炭化した後、高純度に処理した治具
及び雰囲気炉を用い、不活性雰囲気下で２０００℃の温
度で高温処理を行いガラス状炭素を得た。該ガラス状炭
素に直径が０．５mmの貫通小孔を３mmのピッチで多数穿
孔した。
【００２３】次に、ラップ研磨を行わず遊離砥粒として
酸化セリウムを用いて、４０min-1の回転数で表１に示
す研磨量となるようにポリッシュ研磨（浜井産業(株)製
の研磨機使用）のみを行ってプラズマエッチング電極板
を製作した。以下実施例１〜８及び比較例１〜３と同様
の工程を経て、下部電極に積載した８インチシリコンウ
エハに落下した異物を測定した。その結果を合わせて表
１に示す。
酸化セリウムを用いて、４０min-1の回転数で表１に示
す研磨量となるようにポリッシュ研磨（浜井産業(株)製
の研磨機使用）のみを行ってプラズマエッチング電極板
を製作した。以下実施例１〜８及び比較例１〜３と同様
の工程を経て、下部電極に積載した８インチシリコンウ
エハに落下した異物を測定した。その結果を合わせて表
１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】表１及び表２に示されるように、本発明に
なるプラズマエッチング電極板は、比較例のプラズマエ
ッチング電極板に比較してシリコンウエハに落下する異
物の数が少ないことが明らかである。
なるプラズマエッチング電極板は、比較例のプラズマエ
ッチング電極板に比較してシリコンウエハに落下する異
物の数が少ないことが明らかである。
【００２７】
【発明の効果】請求項１におけるプラズマエッチング電
極板は、プラズマエッチング装置によるエッチングの際
に、シリコンウエハに落下する異物を低減することがで
き、半導体デバイス製造における歩留り低下を抑えるこ
とが可能になるため、産業上きわめて有益である。請求
項２、３及び４における方法により得られるプラズマエ
ッチング電極板は、プラズマエッチング装置によるエッ
チングの際に、シリコンウエハに落下する異物を低減す
ることができ、半導体デバイス製造における歩留り低下
を抑えることが可能になるため、産業上きわめて有益で
ある。
極板は、プラズマエッチング装置によるエッチングの際
に、シリコンウエハに落下する異物を低減することがで
き、半導体デバイス製造における歩留り低下を抑えるこ
とが可能になるため、産業上きわめて有益である。請求
項２、３及び４における方法により得られるプラズマエ
ッチング電極板は、プラズマエッチング装置によるエッ
チングの際に、シリコンウエハに落下する異物を低減す
ることができ、半導体デバイス製造における歩留り低下
を抑えることが可能になるため、産業上きわめて有益で
ある。
【図１】プラズマエッチング装置の概略断面図である。
１ 真空容器 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ シリコンウエハ ５ バックプレート ６ プラズマエッチング電極板 ７ 貫通孔 ８ 高周波電源 ９ シールドリング １０ プラズマ
Claims (4)
- 【請求項１】 プラズマ面側の表面又は両表面が超鏡面
であるプラズマエッチング電極板。 - 【請求項２】 表面を研磨して得られるプラズマエッチ
ング電極板において、プラズマ面側の表面又は両表面の
５０μｍ以上をポリッシュ研磨してなるプラズマエッチ
ング電極板の製造法。 - 【請求項３】 ラップ研磨した後、ポリッシュ研磨して
なる請求項２記載のプラズマエッチング電極板の製造
法。 - 【請求項４】 プラズマエッチング電極板の材質が、ガ
ラス状炭素、単結晶シリコン、多結晶シリコン又は炭化
硅素である請求項２又は３記載のプラズマエッチング電
極板の製造法。
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|---|---|---|---|
| JP35435399A JP2001176846A (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | プラズマエッチング電極板及びその製造法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35435399A JP2001176846A (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | プラズマエッチング電極板及びその製造法 |
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| JP35435399A Pending JP2001176846A (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | プラズマエッチング電極板及びその製造法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-12-14 JP JP35435399A patent/JP2001176846A/ja active Pending
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