JP5083268B2 - 基板支持装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板搬送装置に関する。

半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムを用いて行われる。

この塗布、現像装置にはウエハにレジストを塗布するレジスト塗布モジュールや現像液を供給する現像モジュール、レジスト塗布モジュール及び現像モジュールでウエハに処理を行う前後でウエハを加熱または冷却する加熱、冷却系のモジュールなどが含まれている。そして、これらの各モジュール間及び塗布、現像装置と露光装置との間において、ウエハは例えば当該ウエハを支持して搬送を行う基板支持装置の一つの形態である搬送アームなどの基板搬送装置により搬送される。図２１（ａ）、（ｂ）にはその基板搬送装置を構成するウエハ搬送部の一例を示している。

図２１（ａ）、（ｂ）に示したウエハ搬送部１０１は、概ねＣ字状に形成されたフレーム１０２を備え、このフレーム１０２に囲まれるようにウエハＷが保持される。フレーム１０２の内周には計４個のウエハ保持部材１０３が設けられている。ウエハ保持部材１０３はウエハＷの金属汚染を防ぐために樹脂により形成されており、フレーム１０２の内側でウエハＷを水平に支持する裏面支持部１０４と、ウエハＷの側面を囲み、ウエハＷのウエハ搬送部１０１からの落下を防ぐための側壁部１０５と、傾斜部１０６と、を備えている。ウエハＷの受け渡し時や搬送時にウエハＷの周縁部が傾斜部１０６に乗り上げたときに、ウエハＷの裏面は傾斜部１０６及び裏面支持部１０４を滑り、前記側壁部１０５に囲まれる支持領域にガイドされる。

ところで、塗布、現像装置ではウエハＷ表面に各種の処理を行うために様々な薬液が用いられる。薬液としては上記のレジスト及び現像液や、ウエハＷに反射防止膜や保護膜などを形成するための薬液などがある。これらの各薬液は例えばミストの状態でウエハの側面や裏面に回り込んで付着する場合がある。そのウエハＷを搬送するときに各ウエハ保持部材１０３がそのウエハＷに付着した薬液に接し、化学的に浸食される場合がある。化学的浸食には腐食が含まれる。

その化学的な浸食により例えば裏面支持部１０４が変形してウエハＷが傾いて支持されたり、側壁部１０６の化学的浸食によりウエハＷがその浸食痕に入り込み、正常な支持領域からずれて支持されたり、傾斜部１０６及び裏面支持部１０４の摩擦係数が摩耗及び化学的浸食により増大する結果ウエハＷが当該傾斜部１０６を滑り落ちなかったりするおそれがある。それによって、搬送中にウエハＷがそのウエハ搬送部１０１から落下してしまったり、ウエハＷが各モジュールの正常な位置に受け渡されず、正常に処理が行われなくなるおそれがある。

また、塗布、現像装置の各モジュールには基板支持装置として、ウエハＷの裏面支持部を備えたステージが設けられ、その裏面支持部上に載置されるウエハＷの横滑りを防ぐためにウエハＷの側面を囲う位置規制部が設けられる場合がある。この位置規制部に囲まれる載置領域もウエハＷの誤差を考慮してウエハＷの径よりも大きく設定される。そして、このようなステージについても、ウエハ保持部材１０３と同様に裏面支持部及び位置規制部の薬液による化学的浸食が起こり、そのステージ上で載置領域からウエハＷがずれて載置されたり、傾いたりすることで、正常な処理が行われなかったり、基板搬送装置との間でそのウエハＷの正常な受け渡しが行われなくなるおそれがある。

このような摩耗及び化学的浸食を防ぐためにウエハ保持部材１０３にＣＶＤやＰＶＤなどにより保護膜を形成することが考えられる。しかし、このように成膜される保護膜は、その厚さ方向に貫通する微細な孔が欠陥として形成される場合があり、この貫通欠陥を介してウエハ保持部材が薬液に曝されることで、十分にウエハ保持部材１０３を保護できないおそれがある。

特許文献１には樹脂からなる機械部品基体をダイヤモンド状炭素膜により被覆することについて記載されているが、上記の貫通孔の欠陥が形成される問題を解決できるものではない。また、特許文献２には上記のウエハ搬送部について記載されているが、上記の問題について解決できる手法については記載されていない。

特許３３５９５０号（段落００１７） 特開平１１−２４３１３３（図７他）

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板を介した薬品による化学的浸食によって基板を正常に支持できなくなることを防ぐことができる基板支持装置を提供することである。

本発明の基板支持装置は、基板の裏面を支持する裏面支持部を備えた支持部材と、
この支持部材に設けられ、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する位置規制部と、
前記位置規制部に囲まれる基板の支持領域の外方から当該支持領域に向かって下降し、基板の周縁部を滑降させて、基板を裏面支持部上にガイドするための傾斜部と、
前記支持部材を支持する基体と、
前記基体に対して支持部材を移動させるための駆動機構と、
を備え、
前記裏面支持部、前記位置規制部及び前記傾斜部のうち少なくともいずれかは、多数のファイバをその先端がその表面に突出するように保持する基材を備え、
この基材を被覆する第１の膜と、その第１の膜上に積層された第２の膜とを含む、化学的浸食を防ぐためのダイヤモンドライクカーボンにより構成される保護膜が、前記裏面支持部、前記位置規制部、前記傾斜部のうち少なくともいずれかに前記基材の表面に突出した前記ファイバを被覆して設けられ、
前記保護膜がその表面に形成された前記基材は、基板の衝突による応力を基板が衝突した位置から分散させるために変形し、前記位置の応力が分散して弱まるとその復元力により元の形状に戻るように構成され、
前記保護膜は、前記基材に追従して変形するように構成され、
前記第１の膜を構成する主成分と、前記第２の膜を構成する主成分とが互いに異なり、前記第１の膜を構成する主成分としてフッ素が含まれ、第２の膜を構成する主成分としてシリコンが含まれ、
前記第１の膜の膜厚は１μｍ〜３μｍであり、前記第２の膜の膜厚は５μｍ〜１０μｍであり、
基板搬送装置として構成されたことを特徴とする。

前記基材は例えば樹脂からなり、前記保護膜は、前記位置規制部、裏面支持部または傾斜部の摩耗を防ぐようになっていてもよい。

本発明の基板支持装置は、第１の膜と、その第１の膜に積層された第２の膜とからなる保護膜により、基板の裏面を支持する裏面支持部または前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する位置規制部が被覆されている。成膜処理の異常により第１の膜及び第２の膜に各膜を貫通する貫通孔が形成されてもそれらの貫通孔が重ならないと、裏面支持部、位置規制部を構成する基材が露出しないので、その基材が化学的に浸食され、基板が正常に支持できなくなることを防ぐことができる。

本発明の実施の形態に係る基板搬送装置を備えた塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記塗布、現像装置の処理ブロックの斜視図である。 前記処理ブロックの搬送アームに設けられたウエハ搬送部の斜視図である。 前記ウエハ搬送部の縦断側面図である。 前記ウエハ保持部材の斜視図及びそのウエハ保持部材の表面の縦断面図である。 前記ウエハ保持部材の製造工程を示した工程図である。 前記ウエハ搬送部にウエハが受け渡される工程を示した工程図である。 前記ウエハ保持部材にウエハが受け渡される様子を示した説明図である。 ウエハ保持部材の側壁部にウエハが衝突したときの様子を示した説明図である。 ウエハ保持部材の他の例を示した縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられたインターフェイスアームの平面図及び縦断側面図である。 前記インターフェイスアームのウエハ搬送部の斜視図である。 前記ウエハ搬送部がウエハを受け取る工程を示した説明図である。 前記塗布、現像装置に設けられた加熱モジュールの加熱板の平面図及び縦断側面図である。 前記加熱板にウエハが受け渡される工程を示した工程図である。 評価試験で用いた装置の説明図である。 評価試験の結果を示したグラフ図である。 評価試験の結果を示したグラフ図である。 従来の搬送アームのウエハ搬送部の平面図及び縦断側面図である。

本発明の基板搬送装置が設けられた塗布、現像装置１について説明する。図１は塗布、現像装置１に露光装置Ｃ４が接続されたレジストパターン形成システムの平面図を示しており、図２は同システムの斜視図である。また、図３は同システムの縦断面図である。この塗布、現像装置１にはキャリアブロックＣ１が設けられており、その載置台１１上に載置された密閉型のキャリア１０から受け渡しアーム１２がウエハＷを取り出して処理ブロックＣ２に受け渡し、処理ブロックＣ２から受け渡しアーム１２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア１０に戻すように構成されている。

前記処理ブロックＣ２は、図３に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される保護膜の形成を行うための第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４を、下から順に積層して構成されている。

処理ブロックＣ２の各層は平面視同様に構成されているため、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３を例に挙げて説明すると、ＣＯＴ層Ｂ３は塗布膜としてレジスト膜を形成するためのレジスト膜形成モジュール１３と、このレジスト膜形成モジュール１３にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットＵ１〜Ｕ４と、前記レジスト膜形成モジュール１３と加熱・冷却系の処理モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハＷの受け渡しを行う基板搬送装置である搬送アームＡ３と、により構成されている。

前記棚ユニットＵ１〜Ｕ４は搬送アームＡ３が移動する搬送領域Ｒ１に沿って配列され、夫々上記の加熱モジュール２１、冷却モジュールが積層されることにより構成される。加熱モジュール２１は載置されたウエハを加熱するための加熱板７を備えており、冷却モジュールは載置されたウエハを冷却するための冷却板を備えている。図１では加熱モジュール２１を示しており、加熱モジュール２１は搬送領域Ｒ１側と加熱板７側との間で移動し、ウエハＷの受け渡しを仲介すると共に加熱されたウエハＷを冷却する役割を有する冷却プレート２４を備えている。加熱板７の構成については後述する。

第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４については、前記レジスト膜形成モジュールに相当する反射防止膜形成モジュール、保護膜形成モジュールが夫々設けられ、これらモジュールにおいてレジストの代わりに塗布液として反射防止膜形成用の薬液、保護膜形成用の薬液が夫々ウエハＷに供給されることを除けばＣＯＴ層Ｂ３と同様の構成である。

第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１については一つのＤＥＶ層Ｂ１内にレジスト膜形成モジュールに対応する現像モジュールが２段に積層されており、この現像モジュールの前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群を構成する棚ユニットが設けられている。そして当該ＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像モジュールと、前記加熱・冷却系の処理モジュールとにウエハＷを搬送するための搬送アームＡ１が設けられている。つまり２段の現像モジュールに対して搬送アームＡ１が共通化されている構成となっている。

更に処理ブロックＣ２には、図１及び図３に示すように棚ユニットＵ５が設けられ、キャリアブロックＣ１からのウエハＷは前記棚ユニットＵ５の一つの受け渡しユニット、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の対応する受け渡しユニットＣＰＬ２に順次搬送される。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２内の搬送アームＡ２は、この受け渡しユニットＣＰＬ２からウエハＷを受け取って各ユニット（反射防止膜形成モジュール及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。

その後、ウエハＷは棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ２、受け渡しアームＤ１、棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＣＰＬ３に搬送され、そこで例えば２３℃に温度調整された後、搬送アームＡ３を介して第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に搬入され、レジスト膜形成モジュール１３にてレジスト膜が形成される。更にウエハＷは、搬送アームＡ３→棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＢＦ３→受け渡しアームＤ１を経て棚ユニットＵ５における受渡しユニットＢＦ３に受け渡される。なおレジスト膜が形成されたウエハＷは、第４のブロック（ＩＴＣ層）Ｂ４にて更に保護膜が形成される場合もある。この場合は、ウエハＷは受け渡しユニットＣＰＬ４を介して搬送アームＡ４に受け渡され、保護膜の形成された後搬送アームＡ４により受け渡しユニットＴＲＳ４に受け渡される。

一方ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアーム１４が設けられている。レジスト膜や更に保護膜の形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１を介して受け渡しユニットＢＦ３、ＴＲＳ４から受け取り受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアーム１４により棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送され、インターフェイスブロックＣ３に取り込まれることになる。なお図３中のＣＰＬが付されている受け渡しユニットは温調用の冷却ユニットを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しユニットは複数枚のウエハＷを載置可能なバッファユニットを兼ねている。

次いで、ウエハＷはインターフェイスアーム５０により露光装置Ｃ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＣ２に戻される。戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、搬送アームＡ１により棚ユニットＵ５の受け渡しユニットＴＲＳ１に受け渡される。その後、受け渡しアーム１２を介してキャリア１０に戻される。

ここで、ＣＯＴ層Ｂ３の基板支持装置の一つの実施形態をなす基板搬送装置である搬送アームＡ３について図４を参照しながら説明する。搬送アームＡ３は、搬送領域Ｒ１に沿って移動する水平移動部２５と、水平移動部２５を上下に昇降する昇降基体２６と、昇降基体２６上を鉛直軸周りに回動する回動基体２７と、を備えている。回動基体２７には、当該回動基体２７に支持され、回動基体２７上を互いに独立して前後に移動する２枚のウエハ搬送部３が設けられている。これら、水平移動部２５、昇降基体２６、回動基体２７の動作は不図示の駆動機構を介して行われる。

ウエハ搬送部３について、図５及び図６を参照しながら説明する。このウエハ搬送部３は背景技術の欄で示したウエハ搬送部１０１と同様の形状を有しており、基部から２股に分かれて伸びた突起を持ち、概ねＣ字状に形成されたフレーム３２を備えている。フレーム３２の内周側には、その内周側にてウエハＷを保持するためのウエハ保持部材３３が４つ、間隔をおいて設けられている。フレーム３２とウエハ保持部材３３とからなるウエハ搬送部３は基板の支持部材を構成する。

ウエハ保持部材３３について、その斜視図である図７（ａ）も参照しながら説明する。図７（ａ）では多数の点を付して、後述の保護膜４１に被覆された箇所を示している。ウエハ保持部材３３は、ウエハＷの裏面を支持する裏面支持部３４と、裏面支持部３４に支持されたウエハＷの側面を囲み、その位置を規制する下側垂直壁部３５と、当該下側垂直壁部３５に連続し、この下側垂直壁部３５に向かって下降するように形成された傾斜部３６と、を備えている。傾斜部３６は、当該傾斜部３６に乗り上げたウエハＷの周縁部を滑り落ちさせ、前記下側垂直壁部３５に囲まれる支持領域３０にウエハＷをガイドする役割を有する。背景技術の欄で説明したように、ウエハＷの径よりも支持領域３０の径が若干大きくなるようにウエハ保持部材３３はフレーム３２に設けられている。

また、傾斜部３６上には、この傾斜部３６に連続するように上側垂直壁部３７が形成されている。上側垂直壁部３７は、ウエハ搬送部３によりウエハＷの搬送が行われたときに、慣性や衝撃により支持領域３０から傾斜部３６へ乗り上げたウエハＷの周縁部がさらに前記支持領域３０の外方へと向かい、ウエハＷが保持部材３３から落下してしまうことを抑える役割を有する。

ウエハ保持部材３３はウエハＷの金属汚染を防ぐために例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂の成型体からなる基材４０により構成されており、図７（ｂ）に示すように基材４０にはその強度を向上させるために多数のカーボンファイバ４５が混入され、保持されている。カーボンファイバ４５の直径は例えば７μｍ程度、長さは例えば０．１ｍｍ〜６ｍｍである。そして、前記基材４０の表面から多数のカーボンファイバ４５の先端が１μｍ〜５μｍ程度突出している。

図６及び７（ｂ）に示すように前記裏面支持部３４、下側垂直壁部３５及び傾斜部３６の表面には２層の積層膜である保護膜４１が形成されている。保護膜４１は下層膜４２と上層膜４３とからなり、これら下層膜４２及び上層膜４３は炭化水素あるいは炭素の同素体からなる非晶質の硬質膜であるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）により構成されている。図中４４は成膜時に各膜４２、４３に形成された貫通孔（貫通欠陥）である。ＤＬＣは前記基材４０に比べて高い硬度を有するため高い耐摩耗性を持ち、各種の薬液に対して高い耐食性を有しており、また基材４０に比べてその摩擦係数が低い。

上層膜４３は、ウエハＷの受け渡し時及びウエハＷの搬送時においてウエハＷに接触するため、より低い摩擦係数、高い平滑性、高い硬度による耐摩耗性が得られるように主成分としてＣ（炭素），Ｈ（水素）及びＳｉ（シリコン）を含んだＤＬＣ膜により形成されている。また、基材４０上に直接成膜された下層膜４２は、薬液に対して高い撥水性を有し、基材４０へその薬液が浸透することを防ぎ、高い耐食性が得られるように主成分であるとしてＣ，Ｈ及びＦ（フッ素）を含んだＤＬＣ膜により構成されている。つまり、上層膜４３は下層膜４２よりも低い摩擦係数、高い平滑性及び高い耐摩耗性を有しており、下層膜４２は上層膜４３よりも高い撥水性を有している。

保護膜４１は、当該保護膜４１と基材４０の表面から突出したカーボンファイバ４５との隙間を介して薬液が基材４０に供給されることを防ぐと共に摩擦係数を十分に下げるために、前記カーボンファイバ４５の先端を覆い、この突出した先端の長さよりも大きな膜厚を有するように形成されている。また、図７（ｂ）の保護膜４１の厚さＨ１として、その厚さが小さすぎると膜の緻密性が小さく、薬液が保護膜４１を透過して基材４０を浸食するおそれがあり、厚さが大きすぎると後述のようにウエハＷが衝突したときに基材４０に追従して変形せず、その衝撃の吸収性が低下してしまうおそれがあることから、例えば１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。また、下層膜４２の厚さＨ２としては十分な撥水性を得るために例えば１μｍ〜３μｍであり、上層膜４３の厚さＨ３としては、十分な硬度を得るために例えば５μｍ〜１０μｍである。

このウエハ保持部材３３の製造方法について説明する。溶融した前記樹脂に多数のカーボンファイバ４５を混合し、その混合物をウエハ保持部材３３を成形するための金型４６に充填して、金型４６内で樹脂を硬化させて基材４０を形成する。図８（ａ）は基材４０と、金型４６との境界を示しており、この境界付近に存在するカーボンファイバ４５の先端部は樹脂の硬化時の膨張収縮などにより金型４６に押し付けられて折れ曲がって密着した状態となっている。また、金型４６内面の面粗さなどの形状に応じて基材４０の表面には僅かな凹凸が形成される場合がある。そして、図８（ｂ）に示すようにウエハ保持部材３３が金型４６から取り外されると、折れ曲がっていたカーボンファイバ４５の先端が、外方に飛び出そうとする反発力（ファイバ４５の復元力）により、あるいは金型４６の内面形状に応じて、ウエハ保持部材３３表面で立ち上がり、当該表面に飛び出した状態となる。なお、ファイバ４５について、各図では基材４０表面に突出した先端と基材４０に埋没した部分とが同じ太さで描いているが、前記先端は金型４３に押し潰され、基材４０に埋没した部分に比べてその径が小さくなっている場合もある。

その後、例えばＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により図８（ｃ）に示すように下層膜４２を成膜する。基材４０表面には、カーボンファイバ４５が突出しており、複雑な凹凸が形成された状態になっているので、下層膜４２は、この凹凸に入り組んだように形成される。従って下層膜４２は基材４０に対して密着性高く形成される。然る後ＰＶＤまたはＣＶＤにより図８（ｄ）に示すように上層膜４３を成膜して保護膜４１を形成する。このように膜を積層しているため、下層膜４２に貫通孔４４が形成されてもその貫通孔４４が上層膜４３に覆われ、また上層膜４３に貫通孔４４が発生してもその下側に下層膜４２が存在することにより、貫通孔４４により基材４０の表面が露出することが防がれる。

例えばプラズマＣＶＤ法により前記ＤＬＣの保護膜４１を形成する場合、原料ガスとしては、ＤＬＣ形成に一般に用いられるメタン（ＣＨ_４）、エタン（Ｃ_２Ｈ_６）、プロパン（Ｃ_３Ｈ_８）、ブタン（Ｃ_４Ｈ_１０）、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）、ベンゼン（Ｃ_６Ｈ_６）、４フッ化炭素（ＣＦ_４）、６フッ化２炭素（Ｃ_２Ｆ_６）等の炭素化合物ガスを用いる。必要に応じて、これらの炭素化合物ガスにキャリアガスとして水素ガス、不活性ガス等を混合してウエハＷに供給して、成膜を行う。この例では、下層膜４２としては炭素と水素とフッ素とを含む原料ガスが基材４０に供給されて形成され、上層膜４３としては炭素と水素とシリコンとを含む原料ガスが基材４０に供給されて形成される。

続いて、この搬送アームＡ３のウエハ搬送部３が受け渡しユニットＢＦ３に設けられたステージ４７からウエハＷを受け取るときのプロセスについて、図９を参照しながら説明する。ウエハ搬送部３がステージ４７に向けて前進し、図９（ａ）に示すように当該ステージ４７に載置されたウエハＷの下方側に位置する。その後、ウエハ搬送部３が上昇し、図９（ｂ）に示すように例えば４つのうち一部のウエハ保持部材３３の裏面支持部３４にウエハＷの裏面が支持され、且つウエハＷの周縁部が４つのうち一部の傾斜部３６上に位置するように傾いた状態でウエハＷがウエハ搬送部３に受け渡される。

このようにウエハＷがウエハ保持部材３３に受け渡されたときに、傾斜部３６及び裏面支持部３４は、保護膜４１に被覆されているため、その衝撃による破損が抑えられる。特に保護膜４１の上層膜４３は、より硬質となるようにシリコンを含んでいるので、より確実に破損が抑えられる。また、このとき、図１０（ａ）、（ｂ）に示すようにウエハＷの裏面及び側面であるベベル部に薬液のミスト４８が付着していても、既述のように保護膜４１を積層膜として構成し、貫通孔４４による基材４０の露出が防がれているため、基材４０がミスト４８に曝されることが防がれる。また、下層膜４２は撥水性を得るためにフッ素を含んでいるので、上層膜４３の貫通孔４４を介してミスト４８が下層膜４２に付着してもその撥水性により基材４０に浸透することが防がれるので、より確実にミスト４８による化学的浸食を防ぐことができる。

そして、保護膜４１はその摩擦係数が低いため、速やかにウエハＷの周縁部が傾斜部３６を滑降すると共にウエハＷが前記裏面支持部３４上を滑り、図９（ｃ）に示すようにウエハＷは下側側壁部３５に囲まれる支持領域３０に位置し、水平に保持される。

その後、ウエハ保持部材３３が水平方向に移動すると、慣性力によりウエハＷが裏面支持部３４を滑り、下側垂直壁部３５に衝突する。このときの下側垂直壁部３５の様子について図１１を参照しながら説明する。その衝突により、ウエハ保持部材３３に応力が加わり、その樹脂からなる基材４０は変形する。このとき、既述のようにカーボンファイバ４５に下層膜４１が入り組むことで、当該保護膜４１が基材４０に密着性高く形成されているため、基材４０に追従して下層膜４２も変形し、また上層膜４３は下層膜４２と同じＤＬＣであるため下層膜４２に対する密着性が高いことから、この下層膜４２の変形に追従して変形する。このように保護膜４１及び基材４０が変形することで、下側垂直壁部３５において応力がウエハＷの衝突箇所から分散され、その分散された応力が各部で基材４０により吸収される（図１１（ａ）、（ｂ））。そして、応力が弱まると、基材４０は、その復元力により元の形状に戻り、保護膜４１も基材４０に追従して元に戻る（図１１（ｃ））。

下側垂直壁部３５を例にして応力が吸収される様子を説明したが、裏面支持部３３及び傾斜部３６についても同様に既述のようにウエハＷが受け渡されたり、その表面を摺動する際に強い応力が加わっても、保護膜４１が基材４０に密着性高く形成されていることから、下側垂直壁部３５と同様にその応力が広く分散される。従って高い耐摩耗性が得られる。

また、ウエハＷがウエハ保持部材３３に受け渡されるときに、基材４０が薬液のミスト４８に曝されることが防がれる様子について説明したが、例えば上記のようにウエハＷの搬送中にウエハＷが下側垂直壁部３５に衝突した際にも、ウエハＷが受け渡されるときと同様にウエハＷの側面に付着したミスト４８が貫通孔４４を介して下側垂直壁部３５の基材４０に付着することが防がれるので浸食されることが防がれる。

既述のようにウエハ搬送部３のウエハ保持部材３３は、そのウエハＷを保持するための裏面支持部３３と、その裏面支持部３３にウエハＷが保持されるようにウエハＷをガイドする傾斜部３６及びウエハＷの側面を囲み、その位置を規制する下側垂直壁部３５と、を備え、それら裏面支持部３３、傾斜部３６及び下側垂直壁部３５の表面にはＤＬＣにより構成された下層膜４２と上層膜４３とからなる保護膜４１が形成されている。従って、各膜４２，４３に貫通欠陥である貫通孔４４が形成されても、それらが重なり合わなければ各部を構成する基材４０が露出しないので、基材４０が薬液に接して化学的に浸食されることが抑えられる。このように耐食性が向上する結果として、ウエハＷを確実にそのウエハ搬送部３の支持領域３０にて保持できるので、搬送中にウエハＷがウエハ搬送部３から落下したり、そのウエハＷが載置されるモジュールに正常に受け渡すことができなくなったりすることが抑えられる。また、前記ＤＬＣは摩擦係数が低いため、ウエハＷは傾斜部３６及び裏面支持部３４上を滑りやすく、ウエハＷをウエハ搬送部３の支持領域３０により確実に保持することができる。

また、上記のように基材４０に突出したカーボンファイバ４５を保護膜４１で覆う構成とすることで、保護膜４１の基材４０に対する密着性及び保護膜４１の強度が向上し、基材４０が衝撃を吸収し、より高い耐摩耗性が得られると共にウエハＷに加わる衝撃を抑え、ウエハＷの欠け（チッピング）などの破損を低減することができる。

下層膜４２、上層膜４３は、例えば主成分としてＣ及びＨからなり、Ｆ、Ｓｉを夫々含まないＤＬＣ膜として構成してもよく、また、前記主成分としてＣ及びＨの他に例えばＳｉ及びＮ（窒素）を含んだ膜、Ｓｉ及びＯ（酸素）を含んだＤＬＣ膜、Ｃ、Ｈ、ＳｉＯ_２を含んだＤＬＣ膜として下層膜４２及び上層膜４３を構成してもよい。前記Ｎは例えばＣＮ基として膜中に含まれている。下層膜４２に主成分としてＣ，Ｈ，Ｓｉが含まれ、上層膜４３に主成分としてＣ，Ｈ，Ｆが含まれていてもよいが、既述のようにＳｉを含んだより硬質で摩擦係数の低い膜を上層膜にすることが好ましい。

さらに、例えば上層膜４３及び下層膜４２は互いにその主成分が同じ膜として構成してもよい。例えば主成分としてＣ及びＨからなる膜を上層膜４３及び下層膜４２として構成してもよく、その場合は例えば薬液の基材４０への浸透を抑えるために下層膜を上層膜に比べてその緻密性高くなるように、且つ上層膜を下層膜に比べて高い平滑性及び低い摩擦係数を有するように形成することが好ましい。また、上層膜４３、下層膜４２は同一の組成の膜により構成されていてもよいし、保護膜４１としては２層に限られず３層以上の積層膜により構成されていてもよい。

図１２（ａ）に示すように上層膜４３は下層膜４２全体を被覆しなくてもよい。また、図１２（ｂ）に示すように基材４０から突出したカーボンファイバ４５の先端は下層膜４２を突き抜けて上層膜４３に達していてもよい。また、繊維体であるファイバとして樹脂の基材４０にカーボンファイバを混入させる代わりに例えばグラスファイバを混入させても、基材４０の強度及び保護膜の密着性を向上させることができる。

ところで、保護膜４１を構成する材質としては、ＤＬＣに限られず、各種の薬液に対する高い耐食性または高い硬度を有していればよく、ＳｉＣ、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）などのセラミックス、石英部材などを用いてもよい。また、例えば炭素の比率が高く、精製された炭化水素を例えばポリカーボネートなどのアクリル系樹脂に均質に混合させた、耐摩耗性の高い炭化水素樹脂により保護膜４１を形成してもよい。この炭化水素樹脂の炭素の含有率は例えば８０％以上である。

保護膜４１としては例えばそのビッカース硬さが１０００〜３０００、平滑性についてＲａが０．５ｎｍ〜１．０ｎｍ、摩擦係数が０．２以下であることが好ましい。また、既述のように樹脂からなる基材に対して成膜するためには、その基材の変質を防ぐために例えば２００℃以下の低温で成膜できる材質を選択することが好ましい。

搬送アームＡ１，Ａ２，Ａ４及び受け渡しアームＤ１のウエハ保持部材もこの搬送アームＡ３のウエハ保持部材３３と同様に構成されている。

続いて、ウエハ搬送部の他の例としてインターフェイスアーム５０に設けられるウエハ搬送部５についてその平面図である図１３（ａ）、その縦断側面図である図１３（ｂ）、その斜視図である図１４を参照しながらウエハ搬送部３との差異点を中心に説明する。ウエハ搬送部５は図１３（ａ）に示す回動基体５１に支持され、当該搬送基体５１を前後するように設けられ、回動基体５１は回動基体２７と同様に昇降自在及び回動自在に構成されている。また、回動基体５１にはウエハ搬送部５の左右両側にウエハＷの位置合わせを行うための押圧部５２が設けられ、この押圧部５２が前記回動基体５１と共に移動する。

このウエハ搬送部５は二股のフォーク状に形成されたフレーム５３を備えており、このフレーム５３の各先端側には、ウエハ保持部材３３と同様の製造工程を経て、ウエハ保持部材３３と同様にカーボンファイバ４５とＰＥＥＫ樹脂からなる基材４０とにより構成されたウエハ保持部材５４が設けられている。このウエハ保持部材５４は、ウエハＷを水平に支持するための裏面支持部５６と、その裏面支持部５６の先端側に設けられた垂直壁部５７とを備えている。裏面支持部５６及び垂直壁部５７は、既述の保護膜４１により覆われている。垂直壁部５７は、ウエハ保持部材５４においてウエハＷの位置を規制する役割を有する。

フレーム５３の基端側には、ウエハ保持部材３３と同様の製造工程を経て、基材４０と、ＰＥＥＫ樹脂からなる基材４０とにより構成されたウエハ保持部材６１が設けられている。このウエハ保持部材６１はウエハＷの裏面を水平に支持するための裏面支持部６２と、裏面支持部６２の基端側に設けられた下側垂直壁部６３と、前記基端側から先端側へ下降する傾斜部６４と、を備えている。傾斜部６４は、傾斜部３６と同様に裏面支持部６２へウエハＷをガイドする役割を有する。裏面支持部６２及び下側垂直壁部６３は保護膜４１に覆われている。図中６０は下側垂直壁部６３と垂直壁部５７とに囲まれるウエハＷの支持領域である。なお、図１４では保護膜４１に覆われた箇所に多数の点を付して示している。フレーム５３と、ウエハ保持部材５４、６１とからなるウエハ搬送部５は、基板の支持部材を構成する。

図１５を用いてウエハ搬送部５が受け渡しユニットＣＰＬ１２に設けられたステージ６９からウエハＷを受け取る様子について説明する。ウエハ搬送部５がステージ６９に向けて前進し、ステージ６９に載置されたウエハＷの下側に位置した後、上昇して（図１５（ａ），（ｂ））、裏面支持部５６及び傾斜部６４に支持され、例えば傾いた状態でウエハＷがウエハ搬送部５に受け渡される（図１５（ｃ））。その後、ウエハ搬送部５が後退し、ウエハＷの側面が押圧部５２に当接し、ウエハ搬送部５の先端方向に押圧されて、ウエハＷが傾斜部６４を滑り落ち、裏面支持部５６、６２に水平に支持される（図１５（ｄ））。ウエハＷは慣性力により裏面支持部５６、６２上を滑り、垂直壁部５７に当接して停止する（図１５（ｅ））。このようにウエハＷがウエハ搬送部５に受け渡され、搬送されるときに、そのウエハ保持部材５４、６１の各部にウエハＷが接触しても、保護膜４１によりその保持部材５４、６１を構成する基材４０の化学的浸食及び摩耗が抑えられる。

インターフェイスアーム５０のウエハ搬送部５について示したが、受け渡しアーム１２のウエハ搬送部もウエハ搬送部５と同様に構成されている。これら、ウエハ搬送部３、５において全面を保護膜４１により被覆してもよく、またウエハ搬送部５において押圧部５２を保護膜４１により被覆してもよい。

続いて、既述のＣＯＴ層Ｂ３の加熱モジュール２１に設けられた基板支持装置をなす加熱板７について、その平面図である図１６（ａ）及びその縦断側面図である図１６（ｂ）を参照しながら説明する。加熱板７はウエハＷを載置するステージを兼用し、扁平な円形に形成され、その周方向に３つの孔（図１６（ｂ）では２つのみ図示）が加熱板７の厚さ方向に穿設されている。孔７１内には昇降機構７２により昇降する昇降ピン７３が設けられ、加熱板７上にて突没する。加熱板７の内部にはウエハWを加熱するためのヒータが設けられている。

加熱板７１において、孔７１の外側には周方向に複数、この例では４つの裏面支持部である支持ピン７４が設けられている。支持ピン７４は加熱板７１表面からウエハＷを浮かせて支持する役割を有する。また、加熱板７１の周縁部にはウエハＷの加熱板７１からの飛び出しを防ぐための多数の位置規制用ピン７５が設けられている。支持ピン７４及び位置規制用ピン７５はウエハ保持部材３３と同様の製造工程を経て製造されている。そして、支持ピン７４及び位置規制用ピン７５は、ウエハ保持部材３３と同様にカーボンファイバ４５とＰＥＥＫ樹脂からなる基材４０とにより構成され、その表面は下層膜４２及び上層膜４３からなる保護膜４１に被覆されている。

図１７を参照しながら、この加熱板７１にウエハＷが受け渡される工程について説明する。冷却プレート２４にウエハＷが受け渡されると、冷却プレート２４が加熱板７１上に移動し、昇降ピン７３が上昇してウエハＷの裏面を支持する（図１７（ａ））。そして、冷却プレート２４が加熱板７１上から退避した後、昇降ピン７３が下降し、ウエハＷが支持ピン７４上に受け渡される（図１７（ｂ））。

このとき、加熱板７１とウエハＷの裏面との間の空気により図１７（ｃ）に示すようにウエハＷが支持ピン７４上を滑り、位置規制用ピン７５に衝突する場合がある。しかし、ウエハ保持部材３３と同様に保護膜４１により、これら支持ピン７４及び位置規制用ピン７５が摩耗することが防がれる。また、ウエハＷに薬液が付着していても、保護膜４１によりこれら支持ピン７４及び位置規制用ピン７５が浸食されることが防がれる。

既述の保護膜は上記の各例の他にすべての基板への接触部に適用することができる。例えば成膜装置やエッチング装置の基板を載置するステージ表面に上記の保護膜４１を形成したり、保護膜４１で被覆された位置規制用ピン７４を設けてもよい。

なお、保護膜４１は、当該保護膜を成膜するための各種の方法により、ウエハ保持部材３３，５４，６１の夫々の全表面に成膜されていても良く、少なくとも基板の接触領域の箇所に成膜されていれば良い。また、基材４０を構成する樹脂としてはＰＥＥＫ以外にも公知の樹脂を用いることができる。

（評価試験１）
評価試験１−１として、図１８に示すように４つのウエハ保持部材３３を周方向に配置し、その裏面支持部３４にウエハＷを載置した。各ウエハ保持部材３３は不図示の駆動部に接続され、各ウエハ保持部材３３の間隔を保ったまま、図中矢印で示すように水平方向に往復移動できるようになっている。また、ウエハ保持部材３３の下側側壁部３５がウエハＷの側面から若干離れるように各ウエハ保持部材３３の位置は調整されている。ただし、このウエハ保持部材３３には、実施の形態で説明したＤＬＣからなる保護膜４１が形成されていない。また、この試験で用いたウエハ保持部材３３は、実施の形態で説明したＰＥＥＫ樹脂の代わりに所定の樹脂により構成されている。前記樹脂中にはカーボンファイバが実施形態と同様に混入されている。ウエハＷの載置後、ウエハ保持部材３３を２０万回往復移動させ、その下側側壁部３５にウエハＷを衝突させた。その後、下側側壁部３５に形成された摩耗痕の深さについて顕微鏡を用いて測定した。

続いて評価試験１−２として評価試験１−１と同様の試験を行い、下側側壁部３５に形成された摩耗痕の深さについて測定した。この評価試験１−２で用いたウエハ保持部材３３には実施の形態と同様の各部にＤＬＣからなる保護膜が形成されているが、この保護膜は積層されておらず単層であり、その厚さは３μｍである。

また、評価試験１−３として評価試験１−３と同様に試験を行い、下側側壁部３５に形成された各摩耗痕の深さについて測定した。ただし、この評価試験１−３では、ウエハ保持部材３３は実施の形態と同じＰＥＥＫにより構成されている。ウエハ保持部材３３には実施の形態と同様に保護膜４１が形成されており、その厚さは評価試験１−２と同じ３μｍである。ウエハ保持部材３３の往復移動回数は２０万回とした。

また、評価試験１−４として評価試験１−２と同様に試験を行い、下側側壁部３５に形成された摩耗痕の深さについて測定した。ウエハ保持部材３３を往復移動させる回数としては１０００万回とした。ウエハ保持部材３３の各部に形成された保護膜４１の厚さは評価試験１−２と同じ３μｍである。

評価試験１−５として、評価試験１−３と同様に試験を行い、下側側壁部３５に形成された各摩耗痕の深さについて測定した。ただし、この評価試験１−５では、ウエハ保持部材３３は評価試験１−２と同様の所定の樹脂により構成されている。評価試験１−２と同様にウエハ保持部材３３に形成されたＤＬＣからなる保護膜は単層であり、その厚さは８μｍである。ウエハ保持部材３３の往復移動回数は１０００万回とした。

評価試験１−６として、評価試験１−４と同様に試験を行った。ただし、ウエハ保持部材３３の往復移動回数は１０００万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部３４とした。
評価試験１−７として、評価試験１−３と同様の試験を行った。ただし、ウエハ保持部材３３の往復移動回数は１０００万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部３４とした。
評価試験１−８として、評価試験１−５と同様の試験を行った。ただし、ウエハ保持部材３３の往復移動回数は１０００万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部３４とした。

図１９は評価試験１−１〜１−８についての結果を示しており、最も大きな摩耗痕の深さを斜線のグラフで、各摩耗痕の深さの平均値を多数の点を付したグラフで評価試験毎に夫々表している。また、各グラフ上に結果の数値を示しており、この数値の単位はμｍである。評価試験１−１の結果と評価試験１−２の結果とを比べると、評価試験１−２の方が最大摩耗痕深さも、摩耗痕の平均値も小さくなっている。従って、これら評価試験１−１及び１−２の結果から保護膜を成膜することでウエハ保持部材３３の下側側壁部３５の耐摩耗性が向上することが分かる。 また、評価試験１−４では評価試験１−１よりもウエハＷの下側側壁部３５への衝突回数が多いが、最大摩耗痕深さ及び摩耗痕の深さの平均値は評価試験１−４の方が小さかった。このことからも、保護膜４１を成膜することで下側側壁部３５の耐摩耗性が向上することが示されている。

評価試験１−３、１−５の結果から、ウエハ保持部材３３を構成する樹脂及び保護膜の膜厚を変更しても、評価試験１−１よりも耐摩耗性が高くなっていることが分かる。また、評価試験１−６〜１−８について最大摩耗痕深さ及び摩耗痕の深さの平均値が比較的小さく抑えられていることから、裏面支持部３４についても保護膜を形成することが有効であると考えられる。

（評価試験２）
評価試験２−１として、ウエハ保持部材３３にスルホン酸の原液を滴下し、形成された摩耗痕（浸食痕）の深さについて顕微鏡を用いて測定した。ただし、このウエハ保持部材３３には保護膜４１が形成されておらず、また、ＰＥＥＫ樹脂の代わりに評価試験１−１で用いた所定の樹脂により構成されたウエハ保持部材３３を使用した。

評価試験２−２として、実施の形態と同様の各部に保護膜が形成されたウエハ保持部材３３について、その保護膜上に評価試験２−１と同様にスルホン酸の原液を滴下し、形成された摩耗痕について顕微鏡を用いて測定した。ただし、この評価試験２−２で用いた保護膜は、評価試験２−２と同様に単層でＤＬＣからなり、その厚さは１μｍである。ウエハ保持部材３３は評価試験２−１と同様に所定の樹脂により構成されている。

評価試験２−３として、評価試験２−２と同様の試験を行った。この評価試験２−３でもウエハ保持部材に形成された保護膜は単層であり、その厚さは３μｍである。
評価試験２−４として、評価試験２−２と同様の試験を行った。この評価試験２−３でもウエハ保持部材に形成された保護膜は単層であり、その厚さは６μｍである。
評価試験２−５として、既述の実施形態で説明した下層膜４２と上層膜４３とからなる保護膜４１が形成されたウエハ保持部材３３を用いて評価試験２−２と同様の試験を行った。下層膜４２、上層膜４３の厚さは夫々３μｍであり、第１の保護膜を構成する各元素の比率と第２の保護膜を構成する各元素の比率とは互いに異なっている。
評価試験２−６として、評価試験２−２と同様の試験を行った。この評価試験２−３でもウエハ保持部材に形成された保護膜は単層であり、その厚さは６μｍである。

評価試験２−７として、ＰＥＥＫにより構成されたウエハ保持部材３３を用いて評価試験２−２と同様の評価試験を行った。この評価試験２−３でもウエハ保持部材に形成された保護膜は単層であり、その厚さは３μｍである。この評価試験２−７でウエハ保持部材３３に形成された保護膜を構成する各元素の比率は、評価試験２−１〜２−４、２−６の保護膜を構成する各元素の比率と異なっている。

評価試験２−８として、ＰＥＥＫにより構成されたウエハ保持部材３３を用いて評価試験２−２と同様の評価試験を行った。この評価試験２−３でもウエハ保持部材に形成された保護膜は単層であり、その厚さは３μｍである。この評価試験２−８でウエハ保持部材３３に形成された保護膜を構成する各元素の比率は、評価試験２−１〜２−４、２−６の保護膜を構成する各元素の比率と同じである。

評価試験２−９として、ポリイミドにより構成されたウエハ保持部材３３を用いて評価試験２−２と同様の評価試験を行った。この評価試験２−９でもウエハ保持部材に形成された保護膜は単層であり、その厚さは３μｍである。この評価試験２−９でウエハ保持部材３３に形成された保護膜を構成する各元素の比率は、評価試験２−７の保護膜を構成する各元素の比率と同じである
評価試験２−１０として、ポリイミドにより構成されたウエハ保持部材３３を用いて評価試験２−２と同様の評価試験を行った。この評価試験２−１０でもウエハ保持部材に形成された保護膜は単層であり、その厚さは３μｍである。この評価試験２−１０でウエハ保持部材３３に形成された保護膜を構成する各元素の比率は、評価試験２−１〜２−４、２−６の保護膜４１を構成する各元素の比率と同じである。

図２０は評価試験２−１〜２−１０についての結果を示しており、図１９と同様に最も大きな摩耗痕の深さを斜線のグラフで、各摩耗痕の深さの平均値を多数の点を付したグラフで評価試験毎に夫々表している。また、各グラフ上に結果の数値を示しており、この数値の単位はμｍである。最大摩耗痕深さ及び摩耗痕の平均値について、積層された保護膜４１が形成された評価試験２−５は、単層の保護膜が形成された評価試験２−２〜２−４、２−６〜２−１０及び保護膜が形成されていない評価試験２−１に比べて小さかった。従って実施の形態で説明したように保護膜を積層構造にすることが、薬液に対する耐浸食性を向上させるために有効であることが示された。

Ｗ ウエハ
Ａ３ 搬送アーム
２１ 加熱モジュール
３，５ ウエハ搬送部
３２ フレーム部
３３ ウエハ保持部材
３４ 裏面支持部
３５ 下側垂直壁部
３６ 傾斜部
４０ 基材
４１ 保護膜
４２ 下層膜
４３ 上層膜
４５ カーボンファイバ
４６ 金型
５０ インターフェイスアーム

Claims (3)

1. 基板の裏面を支持する裏面支持部を備えた支持部材と、
   この支持部材に設けられ、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する位置規制部と、
   前記位置規制部に囲まれる基板の支持領域の外方から当該支持領域に向かって下降し、基板の周縁部を滑降させて、基板を裏面支持部上にガイドするための傾斜部と、
   前記支持部材を支持する基体と、
   前記基体に対して支持部材を移動させるための駆動機構と、
   を備え、
   前記裏面支持部、前記位置規制部及び前記傾斜部のうち少なくともいずれかは、多数のファイバをその先端がその表面に突出するように保持する基材を備え、
   この基材を被覆する第１の膜と、その第１の膜上に積層された第２の膜とを含む、化学的浸食を防ぐためのダイヤモンドライクカーボンにより構成される保護膜が、前記裏面支持部、前記位置規制部、前記傾斜部のうち少なくともいずれかに前記基材の表面に突出した前記ファイバを被覆して設けられ、
   前記保護膜がその表面に形成された前記基材は、基板の衝突による応力を基板が衝突した位置から分散させるために変形し、前記位置の応力が分散して弱まるとその復元力により元の形状に戻るように構成され、
   前記保護膜は、前記基材に追従して変形するように構成され、
   前記第１の膜を構成する主成分と、前記第２の膜を構成する主成分とが互いに異なり、前記第１の膜を構成する主成分としてフッ素が含まれ、第２の膜を構成する主成分としてシリコンが含まれ、
   前記第１の膜の膜厚は１μｍ〜３μｍであり、前記第２の膜の膜厚は５μｍ〜１０μｍであり、
   基板搬送装置として構成されたことを特徴とする基板支持装置。
2. 前記基材は樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の基板支持装置。
3. 前記保護膜は、前記位置規制部、裏面支持部または傾斜部の摩耗を防ぐことを特徴とする請求項２に記載の基板支持装置。

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