JP7090482B2 - チャック部材及び基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 82
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 42
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 42
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 42
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 17
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- -1 perfluoroalkyl vinyl ether Chemical compound 0.000 claims description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Description
図5を参照して、本発明の実施形態の変形例に係る基板処理装置100を説明する。変形例のコート層A2が突出部20に応じて隆起している点で、変形例は図4を参照して説明した本実施形態と主に異なる。以下、変形例が本実施形態と異なる点を主に説明する。
80 合成樹脂
82 炭素繊維
90 チャック部材
92 スピンベース
100 基板処理装置
A1 本体部
A2 コート層
CF 繊維要素
W 基板
Claims (7)
- 処理液によって処理される基板を保持するチャック部材であって、
炭素繊維と合成樹脂とを含む複合材料によって構成される本体部と、
前記本体部の表面部の少なくとも一部を覆い、素材が合成樹脂であるコート層と
を備え、
前記炭素繊維は、複数の繊維要素を含み、
前記本体部の前記表面部は、前記複合材料の前記合成樹脂が露出した表面と、前記複数の繊維要素のうちの一部の繊維要素が突出した複数の突出部とを有し、
前記コート層は、前記複数の突出部のうちの少なくとも一部の突出部の表面を覆っており、
前記複数の突出部の突出量の平均値と前記コート層の厚みの平均値とが、第1条件を満たすか、又は、前記少なくとも一部の突出部の各々の突出量と前記コート層の厚みとが、第2条件を満たし、
前記第1条件は、前記複数の突出部の突出量の平均値が、5マイクロメートル以上30マイクロメートルよりも小さいこと、かつ、前記コート層の厚みの平均値が、30マイクロメートル以下であることを示し、
前記第2条件は、前記少なくとも一部の突出部の各々の突出量が、5マイクロメートル以上30マイクロメートルよりも小さいこと、かつ、前記コート層の厚みが、30マイクロメートル以下であることを示す、チャック部材。 - 前記複数の突出部の突出量の平均値は、前記コート層の厚みの平均値よりも小さい、請求項1に記載のチャック部材。
- 前記複数の突出部において、前記突出部の先端から前記コート層の表面までの距離の平均値は、前記複数の突出部の突出量の平均値よりも短いか、又は、前記少なくとも一部の突出部の各々の先端から前記コート層の表面までの距離は、前記少なくとも一部の突出部の各々の突出量よりも短い、請求項1又は請求項2に記載のチャック部材。
- 処理液によって処理される基板を保持するチャック部材であって、
炭素繊維と合成樹脂とを含む複合材料によって構成される本体部と、
前記本体部の表面部の少なくとも一部を覆うコート層と
を備え、
前記炭素繊維は、複数の繊維要素を含み、
前記本体部の前記表面部は、前記合成樹脂が露出した表面と、前記複数の繊維要素のうちの一部の繊維要素が突出した複数の突出部とを有し、
前記コート層は、前記複数の突出部のうちの少なくとも一部の突出部の表面を覆っており、
前記コート層のうち前記突出部の表面を覆う部分は、前記コート層のうち前記合成樹脂の表面を覆う部分に対して、前記突出部の表面に沿って隆起している、チャック部材。 - 前記合成樹脂の素材は、テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとの共重合体であり、
前記コート層の素材は、テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとの共重合体である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のチャック部材。 - 処理液によって基板を処理する基板処理装置であって、
回転するスピンベースと、
前記スピンベースに設置され、前記基板を保持する複数のチャック部材と、
前記複数のチャック部材によって保持された前記基板に前記処理液を吐出する処理液吐出部と
を備え、
前記複数のチャック部材のうちの少なくとも1つのチャック部材は、
炭素繊維と合成樹脂とを含む複合材料によって構成される本体部と、
前記本体部の表面部の少なくとも一部を覆い、素材が合成樹脂であるコート層と
を含み、
前記炭素繊維は、複数の繊維要素を含み、
前記本体部の前記表面部は、前記複合材料の前記合成樹脂が露出した表面と、前記複数の繊維要素のうちの一部の繊維要素が突出した複数の突出部とを有し、
前記コート層は、前記複数の突出部のうちの少なくとも一部の突出部の表面を覆っており、
前記複数の突出部の突出量の平均値と前記コート層の厚みの平均値とが、第1条件を満たすか、又は、前記少なくとも一部の突出部の各々の突出量と前記コート層の厚みとが、第2条件を満たし、
前記第1条件は、前記複数の突出部の突出量の平均値が、5マイクロメートル以上30マイクロメートルよりも小さいこと、かつ、前記コート層の厚みの平均値が、30マイクロメートル以下であることを示し、
前記第2条件は、前記少なくとも一部の突出部の各々の突出量が、5マイクロメートル以上30マイクロメートルよりも小さいこと、かつ、前記コート層の厚みが、30マイクロメートル以下であることを示す、基板処理装置。 - 前記処理液は、硫酸過酸化水素水混合液を含む、請求項6に記載の基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018115376A JP7090482B2 (ja) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | チャック部材及び基板処理装置 |
PCT/JP2019/019288 WO2019244520A1 (ja) | 2018-06-18 | 2019-05-15 | チャック部材及び基板処理装置 |
TW108118774A TWI728371B (zh) | 2018-06-18 | 2019-05-30 | 夾頭構件及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018115376A JP7090482B2 (ja) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | チャック部材及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019220528A JP2019220528A (ja) | 2019-12-26 |
JP7090482B2 true JP7090482B2 (ja) | 2022-06-24 |
Family
ID=68983541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018115376A Active JP7090482B2 (ja) | 2018-06-18 | 2018-06-18 | チャック部材及び基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7090482B2 (ja) |
TW (1) | TWI728371B (ja) |
WO (1) | WO2019244520A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100243168A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Limited | Device and method for supporting a substrate |
JP2010239088A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板支持装置及び基板支持方法 |
JP2015170609A (ja) | 2014-03-04 | 2015-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58207651A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Hitachi Ltd | 静電防止型収容治具 |
-
2018
- 2018-06-18 JP JP2018115376A patent/JP7090482B2/ja active Active
-
2019
- 2019-05-15 WO PCT/JP2019/019288 patent/WO2019244520A1/ja active Application Filing
- 2019-05-30 TW TW108118774A patent/TWI728371B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100243168A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Limited | Device and method for supporting a substrate |
JP2010239088A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板支持装置及び基板支持方法 |
JP2015170609A (ja) | 2014-03-04 | 2015-09-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TWI728371B (zh) | 2021-05-21 |
JP2019220528A (ja) | 2019-12-26 |
WO2019244520A1 (ja) | 2019-12-26 |
TW202002159A (zh) | 2020-01-01 |
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