JP2015170609A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の上面からのチャックピンの突出量が大きい場合でも、処理液の衝突により発生するミストの量を低減できる基板処理装置を提供すること【解決手段】基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら回転させるスピンチャックは、基板Ｗの周縁部に押し付けられるチャックピン８を含む。チャックピン８には、少なくとも一部が基板Ｗよりも上方に配置されると共に、チャックピン８の内方から径方向Ｒ１にチャックピン８を見たときに見える入口４５と、入口４５よりも径方向Ｒ１における外方に配置された出口４７とを含むスリット４２が設けられている。【選択図】図４

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１に記載の枚葉式の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に向けて処理液を吐出するノズルとを備えている。スピンチャックは、基板の周囲に配置される複数のチャックピンを含む。スピンチャックは、複数のチャックピンを基板の周縁部に押し付けることにより、基板を水平な姿勢で保持する。

特開２０１３−１８２９５７号公報

回転している基板の上面に供給された処理液は、基板の上面に沿って外方に流れる。チャックピンの上端部は、基板の上面よりも上方に突出している。そのため、基板上の処理液がスピンチャックの上端部に衝突して、処理液のミストが形成される。処理液のミストは、基板に付着して基板を汚染するおそれがある。また、処理液のミストは、ノズルを保持するノズルアームなどの部材に付着して、基板の汚染原因となるパーティクルを発生させるおそれがある。

基板の上面からのチャックピンの突出量を減少させれば、ミストの発生量を低減できると考えられる。しかしながら、基板を確実に把持するために、ある程度の突出量をチャックピンに確保する必要がある。また、基板の確実な把持以外の要因により、チャックピンの突出量が増加する場合もある。たとえば、特許文献１に記載されているように、基板上の液体を赤外線ヒータで加熱する場合には、チャックピンを赤外線から保護するために、カバーをチャックピンに取り付けることがある。この場合、チャックピンの突出量が増加してしまう。

そこで、本発明の目的の一つは、基板の上面からのチャックピンの突出量が大きい場合でも、処理液の衝突により発生するミストの量を低減できる基板処理装置を提供することである。

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板の周縁部に押し付けられるチャックピンを含み、前記チャックピンを用いて基板を水平な姿勢で把持しながら、当該基板の中央部を通る鉛直な基板回転軸線まわりに当該基板を回転させるスピンチャックと、前記スピンチャックに把持されている基板に処理液を供給する処理液供給手段とを含み、少なくとも一部が基板よりも上方に配置されると共に、前記チャックピンの内方から前記基板回転軸線に直交する径方向に前記チャックピンを見たときに見える入口と、前記入口よりも径方向外方に配置された出口とを含むスリットが、前記チャックピンに設けられ、前記入口は、前記チャックピンの内方から前記チャックピンを径方向に見たときに前記基板回転軸線まわりの方向である周方向に延びている、基板処理装置である。

この構成によれば、処理液を案内するスリットが、チャックピンに設けられている。スリットの入口は、チャックピンをその内方から径方向に見たときに見える位置に配置されている。さらに、入口の少なくとも一部は、基板よりも上方に配置される。入口の少なくとも一部は、周方向に延びている。チャックピンに向かって基板上を外方に流れる処理液は、入口からスリットの中に進入し、入口よりも径方向外方に配置された出口からスリットの外に排出される。すなわち、チャックピンに向かって飛散する処理液の一部は、内方または上方に跳ね返らずに、スリットによってチャックピンの周囲に案内される。これにより、チャックピンから跳ね返る液の量を低減できるので、ミストの発生量を低減できる。

請求項２に記載の発明は、前記入口は、前記チャックピンの内方から前記チャックピンを径方向に見たときに周方向に延びると共に、基板上面よりも上方に配置される横開口部を含む、請求項１に記載の基板処理装置である。
基板上の処理液を効率的にスリットの入口に集めることだけを考えれば、入口の開口面積は、大きいほど好ましい。しかしながら、スリットの入口が大きいと、チャックピンの剛性が低下してしまう。

この構成によれば、周方向に長い横開口部が、スリットの入口に設けられている。これにより、チャックピンの剛性の低下を抑えながら、スリットの入口を基板の上面に沿う方向、すなわち、基板上の液体が広がる方向に拡大することができる。したがって、基板上の処理液を効率的にスリットの入口に集めることができ、ミストの発生量を低減できる。
請求項３に記載の発明は、前記入口は、少なくとも一部が基板上面よりも上方に配置される、上下方向に延びる縦開口部を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置である。

この構成によれば、上下方向に長い縦開口部が、スリットの入口に設けられている。これにより、チャックピンの剛性の低下を抑えながら、スリットの入口を上下方向に拡大することができる。したがって、チャックピンに向かって飛散する処理液の幅が上下に広い場合でも、基板上の処理液を効率的にスリットの入口に集めることができ、ミストの発生量を低減できる。

スリットの入口の縦開口部は、その全体が基板よりも上方に配置されてもよいし、その一部だけが基板よりも上方に配置されてもよい。具体的には、請求項４に記載の発明のように、前記縦開口部は、基板上面よりも上方に配置される上端と、基板下面よりも下方に配置される下端とを含んでいてもよい。
この構成によれば、スリットの入口に設けられた縦開口部が、基板よりも上方の位置から基板よりも下方の位置まで上下方向に延びる。したがって、縦開口部の一部は、基板の上面と等しい高さから上方に延びる。そのため、基板の上面近傍を流れる処理液を確実にスリットの入口に集めることができる。これにより、チャックピンから跳ね返る処理液の量を減少させることができるので、ミストの発生量を低減できる。

請求項５に記載の発明は、前記出口の少なくとも一部は、前記入口と径方向に並んでいる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、スリットの入口とスリットの出口とが径方向に並んでいるので、スリットの少なくとも一部は、入口から出口に径方向に水平に延びている。したがって、入口から出口に向かう処理液の流れがスリットの内面に妨げられにくい。これにより、スリット内の処理液を効率的に排出できるので、スリット内への処理液の進入が、スリット内の処理液に妨げられることを抑制または防止できる。

請求項６に記載の発明は、前記入口の少なくとも一部は、平面視で基板に重なるように基板の上方に配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、スリットの入口の少なくとも一部が、基板の上方に配置され、平面視で基板に重なる。言い換えると、入口の少なくとも一部は、基板の周端面よりも内方に配置される。基板上の処理液にスリットの入口を近づけることができるので、基板上の処理液を効率的にスリットの入口に集めることができる。これにより、チャックピンから跳ね返る処理液の量を減少させることができるので、ミストの発生量を低減できる。

請求項７に記載の発明は、前記チャックピンは、基板に接触する導電部を含み、前記導電部は、導電性を有する導電性材料で形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、導電性を有する導電部が、チャックピンに設けられており、この導電部が、支持位置および把持位置の少なくとも一方で基板に接触する。したがって、基板の帯電を抑制または防止できる。

請求項８に記載の発明は、前記導電部は、平面視で基板または前記チャックピンに覆われる、請求項７に記載の基板処理装置である。
導電部は、炭素を含む導電性材料で形成されている。基板上の液体を加熱するための赤外線が基板の上面に照射される場合、黒色の導電部は、赤外線を吸収しやすいので、温度が上昇してしまう。したがって、導電部を基板またはチャックピンで覆うことにより、熱源から導電部を保護できる。これにより、導電部の温度上昇を抑えることができる。

請求項９に記載の発明は、前記チャックピンは、基板の周縁部に押し付けられる基板よりも軟らかい接触部と、前記接触部の径方向外方に配置された前記接触部よりも硬い芯部とを含み、前記接触部および芯部のそれぞれは、導電性を有する導電性材料で形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板に接触する接触部が基板よりも軟らかいので、基板と接触部との接触によって基板が傷つくことを抑制または防止できる。しかも、接触部を径方向外方から支持する芯部が接触部よりも剛性が高いので、チャックピンが基板を把持しているときの接触部の変形を効果的に抑えることができる。さらに、接触部および芯部がいずれも導電性を有しているので、基板の電気を接触部から芯部に逃がすことができる。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられたチャンバーの内部を水平に見た模式図である。 スピンベースおよびこれに関連する構成を示す模式的な平面図である。 図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿うチャックピンの鉛直断面を示す模式図である。 チャックピンを示す模式図である。図４（ａ）は、チャックピンの把持部の平面図である。図４（ｂ）は、チャックピンの把持部をその内方から径方向に見た正面図である。図４（ｃ）は、チャックピンの把持部の左側面図である。 基板の上面に供給された処理液の流れについて説明するための図である。 処理ユニットによって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。 本発明の第２実施形態に係るチャックピンを水平に見た模式図である。 チャックピンの水平断面を示す模式図である。 本発明の第３実施形態に係るチャックピンの鉛直断面を示す模式図である。

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられたチャンバー４の内部を水平に見た模式図である。図２は、スピンベース９およびこれに関連する構成を示す模式的な平面図である。図３は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿うチャックピン８の鉛直断面を示す模式図である。

基板処理装置１は、シリコンウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、処理液で基板Ｗを処理する処理ユニット２と、処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボット（図示せず）と、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。
図１に示すように、各処理ユニット２は、枚葉式のユニットである。各処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持しながら、基板Ｗの中央部を通る鉛直な基板回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに処理液を供給する複数のノズル（第１薬液ノズル１３、第２薬液ノズル１８、およびリンス液ノズル２３）と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを基板Ｗの上方から加熱する加熱装置６と、基板回転軸線Ａ１まわりにスピンチャック５を取り囲む筒状のカップ７とを含む。

図１に示すように、スピンチャック５は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース９と、スピンベース９の上面周縁部から上方に突出する複数のチャックピン８と、複数のチャックピン８に基板Ｗを把持させるチャック開閉機構１０とを含む。スピンチャック５は、さらに、スピンベース９の中央部から基板回転軸線Ａ１に沿って下方に延びるスピン軸１１と、スピン軸１１を回転させることによりスピンベース９およびチャックピン８を基板回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１２とを含む。

図２に示すように、複数のチャックピン８は、間隔を空けて周方向（基板回転軸線Ａ１まわりの方向）に配列されている。チャックピン８は、チャック開閉機構１０によって鉛直なピン回動軸線Ａ２まわりに駆動される土台部３３と、基板Ｗの下面周縁部を支持する支持部３４と、基板Ｗの周縁部に押し付けられる把持部３５とを含む。土台部３３は、スピンベース９の上方に配置されており、把持部３５および支持部３４は、土台部３３の上方に配置されている。支持部３４は、把持部３５の内方（基板回転軸線Ａ１に近づく方向）に配置されている。支持部３４の上面は、把持部３５から斜め下に内方に延びる傾斜面である。

チャックピン８は、把持部３５が基板Ｗの周縁部に押し付けられる閉位置（図２に示す位置）と、把持部３５が基板Ｗの周縁部から離れる開位置との間で、ピン回動軸線Ａ２まわりにスピンベース９に対して回動可能である。図２に示すように、把持部３５および支持部３４は、ピン回動軸線Ａ２の周囲に配置されている。チャックピン８がピン回動軸線Ａ２まわりに回動すると、把持部３５および支持部３４が水平に移動するが、図３では、便宜上、基板Ｗが水平に移動しているように図示されている。

制御装置３は、チャック開閉機構１０を制御することにより、複数のチャックピン８が基板Ｗを把持する閉状態と、複数のチャックピン８による基板Ｗの把持が解除される開状態との間で、複数のチャックピン８の状態を切り替える。基板Ｗがスピンチャック５に搬送されるとき、制御装置３は、チャックピン８を開位置に退避させる。制御装置３は、この状態で、基板Ｗが複数のチャックピン８の上に置かれるように搬送ロボットを制御する。これにより、図３において一点鎖線で示すように、支持部３４の上面が基板Ｗの下面周縁部に接触し、基板Ｗが、スピンベース９の上面から上方に離れた支持位置（図３において一点鎖線で示す位置）で水平な姿勢で支持される。

基板Ｗが複数のチャックピン８に載置された後、制御装置３は、チャックピン８を開位置から閉位置に移動させる。図３に示すように、支持部３４の上面は把持部３５に向かって斜め上に延びているので、チャックピン８が閉位置に向かって移動する過程で、基板Ｗが複数の支持部３４によって徐々に持ち上げられる。さらに、チャックピン８が閉位置に向かって移動する過程で、把持部３５が、基板Ｗの周端面に近づく。これにより、把持部３５が基板Ｗの周縁部に押し付けられ、基板Ｗが、支持位置の上方の把持位置（図３において二点鎖線で示す位置）で水平な姿勢で把持される。

図１に示すように、処理ユニット２は、第１薬液を下向きに吐出する第１薬液ノズル１３と、第１薬液ノズル１３に接続された第１薬液配管１４と、第１薬液配管１４に介装された第１薬液バルブ１５と、第１薬液ノズル１３が先端部に取り付けられた第１薬液アーム１６と、第１薬液アーム１６を移動させることにより、第１薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第１ノズル移動装置１７とを含む。第１薬液の一例は、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）である。

図１に示すように、処理ユニット２は、第２薬液を下向きに吐出する第２薬液ノズル１８と、第２薬液ノズル１８に接続された第２薬液配管１９と、第２薬液配管１９に介装された第２薬液バルブ２０と、第２薬液ノズル１８が先端部に取り付けられた第２薬液アーム２１と、第２薬液アーム２１を移動させることにより、第２薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる第２ノズル移動装置２２とを含む。第２薬液の一例は、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液）である。

図１に示すように、処理ユニット２は、リンス液を下向きに吐出するリンス液ノズル２３と、リンス液ノズル２３に接続されたリンス液配管２４と、リンス液配管２４に介装されたリンス液バルブ２５と、リンス液ノズル２３が先端部に取り付けられたリンス液アーム２６と、リンス液アーム２６を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させるノズル移動装置２７とを含む。リンス液の一例は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied water）である。

図１に示すように、カップ７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（基板回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ７は、スピンベース９を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、処理液は基板Ｗからその周囲に飛散する。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ７の上端部７ａは、スピンベース９よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液やリンス液などの処理液は、カップ７によって受け止められる。そして、カップ７内に集められた処理液は、図示しない回収装置または排液装置に送られる。

図１に示すように、加熱装置６は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上方に配置された赤外線ヒータ２８と、赤外線ヒータ２８が先端部に取り付けられたヒータアーム３１と、ヒータアーム３１を移動させるヒータ移動装置３２とを含む。
図１に示すように、赤外線ヒータ２８は、赤外線を含む光を発する赤外線ランプ２９と、赤外線ランプ２９を収容するランプハウジング３０とを含む。図２に示すように、赤外線ヒータ２８は、平面視で基板Ｗよりも小さい。赤外線ランプ２９およびランプハウジング３０は、ヒータアーム３１に取り付けられている。赤外線ランプ２９およびランプハウジング３０は、ヒータアーム３１と共に移動する。

赤外線ランプ２９は、ハロゲンランプである。赤外線ランプ２９は、フィラメントと、フィラメントを収容する石英管とを含む。赤外線ランプ２９は、カーボンヒータであってもよいし、ハロゲンランプおよびカーボンヒータ以外の発熱体であってもよい。ランプハウジング３０の少なくとも一部は、石英などの光透過性および耐熱性を有する材料で形成されている。赤外線ランプ２９が光を発すると、赤外線ランプ２９からの光が、ランプハウジング３０を透過してランプハウジング３０の外面から放出される。

図１に示すように、ランプハウジング３０は、基板Ｗの上面と平行な底壁を有している。赤外線ランプ２９は、底壁の上方に配置されている。底壁の下面は、基板Ｗの上面と平行でかつ平坦な照射面３０ａを含む。赤外線ヒータ２８が基板Ｗの上方に配置されている状態では、ランプハウジング３０の照射面３０ａが、間隔を空けて基板Ｗの上面に上下方向に対向する。この状態で赤外線ランプ２９が光を発すると、赤外線を含む光が、ランプハウジング３０の照射面３０ａから基板Ｗの上面に向かい、基板Ｗの上面に照射される。照射面３０ａは、たとえば、直径が基板Ｗの半径よりも小さい円形である。照射面３０ａは、円形に限らず、長手方向の長さが基板Ｗの半径以上である矩形状であってもよいし、円形および矩形以外の形状であってもよい。

図１に示すように、ヒータ移動装置３２は、スピンチャック５の周囲で上下方向に延びるヒータ回動軸線Ａ３まわりにヒータアーム３１を回動させることにより、赤外線ヒータ２８を水平に移動させる。図２に示すように、ヒータ移動装置３２は、平面視で基板Ｗの中央部を通る円弧状の軌跡に沿って赤外線ヒータ２８を水平に移動させる。したがって、赤外線ヒータ２８は、スピンチャック５の上方を含む水平面内で移動する。また、ヒータ移動装置３２は、赤外線ヒータ２８を鉛直方向に移動させることにより、照射面３０ａと基板Ｗとの距離を変化させる。

赤外線ヒータ２８からの光は、基板Ｗの上面内の照射位置に照射される。制御装置３は、赤外線ヒータ２８が赤外線を発している状態で、スピンチャック５によって基板Ｗを回転させながら、ヒータ移動装置３２によって赤外線ヒータ２８をヒータ回動軸線Ａ３まわりに回動させる。これにより、基板Ｗの上面が、加熱位置としての照射位置によって走査される。したがって、処理液などの液体が基板Ｗ上に保持されている状態で赤外線ランプ２９が赤外線を発すると、赤外線が基板Ｗ上の液体に吸収され、基板Ｗ上の液体の温度が上昇する。

図４は、チャックピン８を示す模式図である。図４（ａ）は、チャックピン８の把持部３５の平面図である。図４（ｂ）は、チャックピン８の把持部３５をその内方から径方向Ｒ１に見た正面図である。図４（ｃ）は、チャックピン８の把持部３５の左側面図である。
図４（ｃ）に示すように、スピンチャック５の把持部３５は、基板Ｗの上面と平行な上面３７と、上面３７の内縁から下方に延びる内端面３８と、上面３７の外縁から下方に延びる外端面３６と、内向き（図４（ｃ）では、紙面の左側）に開いたＶ字状の鉛直断面を有する収容溝４１を形成する２つの傾斜面（上傾斜面３９および下傾斜面４０）とを含む。２つの傾斜面は、収容溝４１の底４１ａから斜め上に内方に延びる上傾斜面３９と、収容溝４１の底４１ａから斜め下に内方に延びる下傾斜面４０と含む。把持部３５の上面３７および内端面３８は、把持位置（図４（ｃ）において二点鎖線で示す基板Ｗの位置）よりも上方に位置している。

図３に示すように、チャックピン８は、把持部３５を径方向Ｒ１（基板回転軸線Ａ１に直交する方向）に貫通するスリット４２を含む。図４（ｂ）に示すように、チャックピン８をその内方から径方向Ｒ１に見ると、スリット４２は、下向きに開いたＵ字状である。スリット４２は、周方向Ｃ１に水平に延びる水平部４３と、水平部４３の両端部から下方に延びる２つの鉛直部４４とを含む。

図４（ｂ）に示すように、スリット４２の水平部４３は、把持位置にある基板Ｗの上面よりも上方に配置されている。スリット４２の鉛直部４４は、水平部４３から把持位置にある基板Ｗの下面よりも下方の位置まで延びている。図４（ａ）に示すように、水平部４３の内端は、把持部３５の内端面３８で開口しており、水平部４３の外端は、把持部３５の外端面３６で開口している。また、図４（ｃ）に示すように、鉛直部４４の内端は、把持部３５の内端面３８、上傾斜面３９、および下傾斜面４０で開口しており、鉛直部４４の外端は、把持部３５の外端面３６で開口している。

図３に示すように、水平部４３の鉛直断面は、径方向Ｒ１に水平に延びている。同様に、鉛直部４４の水平断面は、径方向Ｒ１に水平に延びている。水平部４３の高さ（鉛直方向の長さ）は、水平部４３の内端から水平部４３の外端まで一定であり、水平部４３の幅（周方向Ｃ１の長さ）は、水平部４３の内端から水平部４３の外端まで一定である。同様に、鉛直部４４の高さは、鉛直部４４の内端から鉛直部４４の外端まで一定であり、鉛直部４４の幅は、鉛直部４４の内端から鉛直部４４の外端まで一定である。

図４（ｃ）に示すように、スリット４２は、水平部４３および鉛直部４４の内端によって形成された入口４５と、水平部４３および鉛直部４４の外端によって形成された出口４７と、把持部３５の内部を通って入口４５から出口４７に径方向Ｒ１に延びる通路４６とを含む。図４（ｂ）に示すように、チャックピン８をその内方から径方向Ｒ１に見ると、スリット４２の入口４５は、共通の部材（チャックピン８）で囲まれている。スリット４２の入口４５は、周方向Ｃ１に延びる横開口部４５ａと、横開口部４５ａの両端部から下方に延びる縦開口部４５ｂとを含む。横開口部４５ａの高さは、縦開口部４５ｂの幅と等しい。横開口部４５ａの高さは、把持位置に位置する基板Ｗの上面から把持部３５の上面３７までの高さの半分以下である。横開口部４５ａの高さは、たとえば、０を超える、０．５ｍｍ未満の大きさである。

チャックピン８は、導電性材料で形成された導電部に相当する。チャックピン８は、基板Ｗよりも軟らかく、かつ耐薬品性および導電性を有する複合材料で形成されている。複合材料の具体例は、樹脂と炭素とを含む材料である。チャックピン８は、樹脂を含む樹脂材料と炭素を含む炭素材料とが交互に積層された積層体であってもよいし、粉末状または粒子状の炭素材料が内部に分散した樹脂部材であってもよい。

チャックピン８に含まれる炭素は、炭素繊維（カーボンファイバー）であってもよいし、炭素の粉末または粒子であってもよい。チャックピン８に含まれる樹脂の具体例は、ＰＦＡ（tetrafluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、ＰＣＴＦＥ（Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene)、ＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene)、ＰＥＥＫ（polyetheretherketone）である。これらの樹脂は、いずれも、基板Ｗよりも軟らかく、かつ耐薬品性を有している。

図５は、基板Ｗの上面に供給された処理液の流れについて説明するための図である。
回転している基板Ｗの上面に供給された処理液は、基板Ｗに対して回転方向の下流側に流れながら、基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。チャックピン８の把持部３５の上端部が、把持位置に位置する基板Ｗの上面よりも上方に配置されているので、基板Ｗ上の処理液は、把持部３５の上端部に向かって外方に流れる。この処理液の一部は、把持部３５の外面で開口するスリット４２の入口４５からチャックピン８の中に入って、スリット４２の出口４７からチャックピン８の外に排出される。したがって、スリット４２が設けられていない場合よりも、処理液がチャックピン８に衝突することにより発生するミストの量が低減される。

図６は、処理ユニット２によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図１を参照する。図６については適宜参照する。
処理ユニット２によって基板Ｗが処理されるときには、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図６のステップＳ１）が行われる。
具体的には、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している搬送ロボットのハンドをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、ハンド上の基板Ｗが複数のチャックピン８の上に置かれるように、搬送ロボットを制御する。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内から退避させる。また、制御装置３は、基板Ｗが複数のチャックピン８の上に置かれた後、チャックピン８を開位置から閉位置に移動させて、複数のチャックピン８に基板Ｗを把持させる。その後、制御装置３は、スピンモータ１２に基板Ｗの回転を開始させる。

次に、第１薬液の一例であるＳＰＭを基板Ｗに供給する第１薬液供給工程（図６のステップＳ２）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第１ノズル移動装置１７を制御することにより、第１薬液ノズル１３を退避位置から処理位置に移動させる。これにより、第１薬液ノズル１３が基板Ｗの上方に配置される。その後、制御装置３は、第１薬液バルブ１５を開いて、室温よりも高温（たとえば、１４０℃）のＳＰＭを回転している基板Ｗの上面に向けて第１薬液ノズル１３に吐出させる。制御装置３は、この状態で第１ノズル移動装置１７を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。

第１薬液ノズル１３から吐出されたＳＰＭは、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、ＳＰＭが基板Ｗの上面全域に供給され、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。これにより、レジスト膜などの異物がＳＰＭによって基板Ｗから除去される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＰＭの着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、ＳＰＭの着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過する。そのため、基板Ｗの上面が均一に処理される。

次に、制御装置３は、スピンモータ１２を制御することにより、基板Ｗの上面全域がＳＰＭの液膜に覆われている状態で、低回転速度（たとえば１〜３０ｒｐｍ）まで基板Ｗの回転速度を低下させる。そのため、基板Ｗ上のＳＰＭに作用する遠心力が弱まり、基板Ｗ上から排出されるＳＰＭの量が減少する。制御装置３は、基板Ｗが低回転速度で回転している状態で、第１薬液バルブ１５を閉じて、第１薬液ノズル１３からのＳＰＭの吐出を停止させる。これにより、基板ＷへのＳＰＭの供給が停止された状態で、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に保持される。制御装置３は、基板ＷへのＳＰＭの供給を停止した後、第１ノズル移動装置１７を制御することにより、第１薬液ノズル１３をスピンチャック５の上方から退避させる。

次に、基板Ｗ上のＳＰＭを加熱する加熱工程（図６のステップＳ３）が行われる。
具体的には、制御装置３は、ヒータ移動装置３２を制御することにより、赤外線ヒータ２８を退避位置から処理位置に移動させる。さらに、制御装置３は、赤外線ヒータ２８が基板Ｗの上方に到達した後もしくはその前に、赤外線ヒータ２８に発光を開始させる。これにより、赤外線ヒータ２８の温度（加熱温度）が、第１薬液（この処理例では、ＳＰＭ）の沸点よりも高い温度まで上昇し、その温度に維持される。制御装置３は、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置が中央部および周縁部の一方から他方に移動するように、ヒータ移動装置３２に赤外線ヒータ２８を水平に移動させる。制御装置３は、赤外線ヒータ２８によるＳＰＭの加熱が所定時間にわたって行われた後、赤外線ヒータ２８を基板Ｗの上方から退避させる。その後、制御装置３は、赤外線ヒータ２８の発光を停止させる。

次に、制御装置３は、スピンモータ１２を制御することにより、基板Ｗへの液体の供給が停止されている状態で、前述の低回転速度よりも大きい回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、基板Ｗ上のＳＰＭに加わる遠心力が増加し、基板Ｗ上のＳＰＭが基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、殆ど全てのＳＰＭが基板Ｗ上から排出される。基板Ｗの周囲に飛散したＳＰＭは、カップ７によって受け止められ、カップ７を介して回収装置または排液装置に案内される。

このように、制御装置３は、基板Ｗを回転させている状態で、基板Ｗの上面に対する赤外線の照射位置を中央部および周縁部の一方から他方に移動させるので、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が均一に加熱される。赤外線ヒータ２８による基板Ｗの加熱温度は、ＳＰＭのその濃度における沸点以上の温度に設定されている。したがって、基板Ｗ上のＳＰＭが、その濃度における沸点まで加熱される。特に、赤外線ヒータ２８による基板Ｗの加熱温度が、ＳＰＭのその濃度における沸点よりも高温に設定されている場合には、基板ＷとＳＰＭとの界面の温度が、沸点よりも高温に維持され、基板Ｗからの異物の除去が促進される。

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第１リンス液供給工程（図６のステップＳ４）が行われる。
具体的には、制御装置３は、ノズル移動装置２７を制御することにより、リンス液ノズル２３を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置３は、リンス液バルブ２５を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２３に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗに残留しているＳＰＭが純水によって洗い流され、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。そして、リンス液バルブ２５が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２５を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、ノズル移動装置２７を制御することにより、リンス液ノズル２３を基板Ｗの上方から退避させる。なお、リンス液ノズル２３から吐出される液体は、純水のみならず、温水やごく少量の薬液を添加した機能水であってもよい。

次に、第２薬液の一例であるＳＣ１を基板Ｗに供給する第２薬液供給工程（図６のステップＳ５）が行われる。
具体的には、制御装置３は、第２ノズル移動装置２２を制御することにより、第２薬液ノズル１８を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置３は、第２薬液バルブ２０を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてＳＣ１を第２薬液ノズル１８に吐出させる。制御装置３は、この状態で第２ノズル移動装置２２を制御することにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。そして、第２薬液バルブ２０が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、第２薬液バルブ２０を閉じてＳＣ１の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、第２ノズル移動装置２２を制御することにより、第２薬液ノズル１８を基板Ｗの上方から退避させる。

第２薬液ノズル１８から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。そのため、基板Ｗ上の純水は、ＳＣ１によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上の純水の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆うＳＣ１の液膜に置換される。さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、ＳＣ１の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査される。そのため、第２薬液ノズル１８から吐出されたＳＣ１が、基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。

次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給する第２リンス液供給工程（図６のステップＳ６）が行われる。
具体的には、制御装置３は、ノズル移動装置２７を制御することにより、リンス液ノズル２３を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、リンス液ノズル２３が基板Ｗの上方に配置された後、リンス液バルブ２５を開いて、回転している基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル２３に純水を吐出させる。これにより、基板Ｗ上のＳＣ１が、純水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。そのため、基板Ｗ上のＳＣ１の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜に置換される。そして、リンス液バルブ２５が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ２５を閉じて純水の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、ノズル移動装置２７を制御することにより、リンス液ノズル２３を基板Ｗの上方から退避させる。

次に、基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図６のステップＳ７）が行われる。
具体的には、制御装置３は、スピンモータ１２によって基板Ｗの回転を加速させて、第１薬液供給工程から第２リンス液供給工程までの回転速度よりも大きい高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１２を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる。

次に、基板Ｗをチャンバー４内から搬出する搬出工程（図６のステップＳ８）が行われる。
具体的には、制御装置３は、チャックピン８を閉位置から開位置に移動させて、スピンチャック５による基板Ｗの把持を解除させる。その後、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避している状態で、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内に進入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットのハンドにスピンチャック５上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットのハンドをチャンバー４内から退避させる。これにより、処理済みの基板Ｗがチャンバー４から搬出される。

以上のように第１実施形態では、処理液を案内するスリット４２が、チャックピン８に設けられている。スリット４２の入口４５は、チャックピン８をその内方から径方向Ｒ１に見たときに見える位置に配置されている。さらに、入口４５の少なくとも一部は、基板Ｗよりも上方に配置される。チャックピン８に向かって基板Ｗ上を外方に流れる処理液は、入口４５からスリット４２の中に進入し、入口４５よりも径方向Ｒ１における外方に配置された出口４７からスリット４２の外に排出される。すなわち、チャックピン８に向かって飛散する処理液の一部は、内方または上方に跳ね返らずに、チャックピン８の内部を通ってチャックピン８の周囲に案内される。これにより、チャックピン８から跳ね返る液の量を低減できるので、ミストの発生量を低減できる。

基板Ｗ上の処理液を効率的にスリット４２の入口４５に集めることだけを考えれば、入口４５の開口面積は、大きいほど好ましい。しかしながら、スリット４２の入口４５が大きいと、チャックピン８の剛性が低下してしまう。
第１実施形態では、周方向Ｃ１に長い横開口部４５ａが、スリット４２の入口４５に設けられているので、チャックピン８の剛性の低下を抑えながら、スリット４２の入口４５を基板Ｗの上面に沿う方向、すなわち、基板Ｗ上の液体が広がる方向に拡大することができる。したがって、基板Ｗ上の処理液を効率的にスリット４２の入口４５に集めることができ、ミストの発生量を低減できる。

また第１実施形態では、上下方向に長い縦開口部４５ｂが、スリット４２の入口４５に設けられているので、チャックピン８の剛性の低下を抑えながら、スリット４２の入口４５を上下方向に拡大することができる。したがって、チャックピン８に向かって飛散する処理液の幅が上下に広い場合でも、基板Ｗ上の処理液を効率的にスリット４２の入口４５に集めることができ、ミストの発生量を低減できる。

さらに、スリット４２の入口４５の縦開口部４５ｂは、基板Ｗよりも上方の位置から基板Ｗよりも下方の位置まで上下方向に延びる。したがって、縦開口部４５ｂの一部は、基板Ｗの上面と等しい高さから上方に延びる。そのため、基板Ｗの上面近傍を流れる処理液を確実にスリット４２の入口４５に集めることができる。これにより、チャックピン８から跳ね返る処理液の量を減少させることができるので、ミストの発生量を低減できる。

また第１実施形態では、スリット４２の入口４５とスリット４２の出口４７とが径方向Ｒ１に並んでいるので、スリット４２の通路４６は、入口４５から出口４７に径方向Ｒ１に水平に延びている。したがって、入口４５から出口４７に向かう処理液の流れがスリット４２の内面に妨げられにくい。これにより、スリット４２内の処理液を効率的に排出できるので、スリット４２内への処理液の進入が、スリット４２内の処理液に妨げられることを抑制または防止できる。

また第１実施形態では、スリット４２の入口４５の一部が、基板Ｗの上方に配置され、平面視で基板Ｗに重なる。言い換えると、入口４５の一部は、基板Ｗの周端面よりも内方に配置される。基板Ｗ上の処理液にスリット４２の入口４５を近づけることができるので、基板Ｗ上の処理液を効率的にスリット４２の入口４５に集めることができる。これにより、チャックピン８から跳ね返る処理液の量を減少させることができるので、ミストの発生量を低減できる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態では、基板の周縁部に押し付けられる把持部と、基板の下面に接触する支持部とが、別々の部材に設けられている。

図７は、本発明の第２実施形態に係るチャックピン２０８を水平に見た模式図である。図８は、チャックピン２０８の水平断面を示す模式図である。以下の図７および図８において、前述の図１〜図６に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
第２実施形態では、支持ピン２３４とチャックピン２０８とを含む保持ピンが、スピンチャック５に複数設けられている（図７では、保持ピンを一つだけ図示している。）。複数の支持ピン２３４は、各支持ピン２３４と基板Ｗの下面周縁部との点接触により基板Ｗを水平な姿勢で支持する。複数のチャックピン２０８は、複数の支持ピン２３４に支持されている基板Ｗの周縁部に押し付けられる。

図２に示す複数のチャックピン８と同様に、保持ピンは、スピンチャック５の周縁部に間隔を空けて周方向（基板回転軸線Ａ１まわりの方向）に配列されている。上述の保持ピンを周方向に複数（少なくとも３以上）備えることにより、基板Ｗが水平な姿勢で把持される。なお、チャックピン２０８の個数と支持ピン２３４の個数には相関関係は無く、お互いに３以上の複数個が周方向にほぼ均等に分散配置されていればよい。

図７に示すように、チャックピン２０８は、ピン回動軸線Ａ２まわりに回動可能な土台部３３と、土台部３３から上方に延びる柱状の把持部２３５とを含む。把持部２３５の鉛直な中心線Ｌ１は、ピン回動軸線Ａ２に対して偏心している。チャックピン２０８は、把持部２３５が基板Ｗの周縁部に押し付けられる閉位置（図７に示す位置）と、把持部２３５が基板Ｗから離れる開位置との間で、ピン回動軸線Ａ２まわりにスピンベース９に対して回動可能である。チャックピン２０８は、基板Ｗよりも軟らかく、かつ耐薬品性および導電性を有する前述の複合材料で形成されている。

図７に示すように、スピンチャック５は、把持部２３５を径方向Ｒ１に貫通するスリット２４２を含む。チャックピン２０８をその内方から径方向Ｒ１に見ると、スリット２４２は、基板Ｗと平行な方向に延びる直線状である。図８に示すように、スリット２４２は、把持部２３５の中心部２３５ａを取り囲む環状の水平断面を有している。スリット２４２は、把持部２３５の外周面で開口する環状開口を含む。スリット２４２の環状開口は、把持部２３５の中心線Ｌ１よりも内方に位置するスリット２４２の入口２４５と、把持部２３５の中心線Ｌ１よりも外方に位置するスリット２４２の出口２４７と形成している。スリット２４２は、スリット２４２の環状開口によって形成された入口２４５および出口２４７と、把持部２３５の内部を通って入口２４５から出口２４７に径方向Ｒ１に延びる通路２４６とを含む。

図８において太線の矢印で示すように、基板Ｗ上を外方に流れる処理液の一部は、スリット２４２の環状開口を通ってチャックピン２０８の中に進入する。チャックピン２０８内に入った処理液は、スリット２４２内を外方に流れ、スリット２４２の環状開口からチャックピン２０８の外に排出される。また、チャックピン２０８内に入った処理液は、把持部２３５の中心部２３５ａに遮られて、２つに枝分かれする。このように、チャックピン２０８に向かって基板Ｗ上を流れる処理液の一部が、チャックピン２０８のスリット２４２によってチャックピン２０８の外方に案内されるので、スリット２４２が設けられていない場合よりも、ミストの量が低減される。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態では、基板に接触する部材と、この部材を保持する部材とが、チャックピンに設けられている。

図９は、本発明の第３実施形態に係るチャックピン３０８の鉛直断面を示す模式図である。以下の図９において、前述の図１〜図８に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図９に示すように、第３実施形態に係るチャックピン３０８は、基板Ｗに接触する接触部材３４９と、接触部材３４９を保持する保持部材３５０と、接触部材３４９および保持部材３５０を覆うピンカバー３４８とを含む。

図９に示すように、接触部材３４９は、支持部３４と、下傾斜面４０とを含む。ピンカバー３４８は、上傾斜面３９と、内端面３８と、上面３７と、外端面３６とを含む。保持部材３５０は、土台部３３と、土台部３３から上方に延びる芯部３５１とを含む。芯部３５１は、上傾斜面３９および下傾斜面４０の外方に配置されている。ピンカバー３４８は、芯部３５１の上方に配置されている。スリット４２は、ピンカバー３４８に設けられている。

接触部材３４９は、基板Ｗよりも軟らかく、かつ耐薬品性および導電性を有する前述の複合材料で形成されている。保持部材３５０は、接触部材３４９よりも硬く、かつ耐薬品性および導電性を有する材料で形成されている。接触部材３４９が炭素とＰＦＡとを含む複合材料で形成されている場合、保持部材３５０は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）等の導電性セラミックで形成されている。保持部材３５０は、炭素の焼結体であってもよいし、ジルコニア（ＺｒＯ_２）等のＳｉＣ以外の導電性セラミックで形成されていてもよい。

ピンカバー３４８は、基板Ｗよりも軟らかく、かつ耐薬品性を有する樹脂材料で形成されている。ピンカバー３４８に含まれる樹脂の具体例は、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ（ethylene tetrafluoroethylene）、ＰＥＥＫである。これらの樹脂は、いずれも、基板Ｗよりも軟らかく、かつ耐薬品性を有している。ピンカバー３４８は、白色（純白および乳白色を含む）のＰＴＦＥで形成されており、白色の外面を有している。接触部材３４９の外面は、黒色の炭素が接触部材３４９に含まれているので、黒色である。

以上のように第３実施形態では、基板Ｗに接触する接触部材３４９およびピンカバー３４８が基板Ｗよりも軟らかいので、基板Ｗが傷つくことを抑制または防止できる。しかも、接触部材３４９およびピンカバー３４８を径方向Ｒ１における外方から支持する保持部材３５０の芯部３５１が接触部材３４９よりも剛性が高いので、チャックピン３０８が基板Ｗを把持しているときの接触部材３４９およびピンカバー３４８の変形を効果的に抑えることができる。さらに、接触部材３４９および保持部材３５０がいずれも導電性を有しているので、基板Ｗの電気を接触部材３４９から保持部材３５０に逃がすことができる。

接触部材３４９および保持部材３５０は、導電性材料で形成された導電部に相当する。導電性材料が炭素を含むため、接触部材３４９および保持部材３５０の外面は、黒みを帯びている。黒色の接触部材３４９および保持部材３５０は、赤外線ヒータ２８（図１参照）からの赤外線を吸収しやすい。複数のチャックピン３０８で基板Ｗが把持されているとき、接触部材３４９および保持部材３５０は、基板Ｗまたはチャックピン３０８で覆われ、平面視で見えない（換言すれば、基板Ｗとピンカバー３４８のみが見える）。したがって、赤外線ヒータ２８から接触部材３４９および保持部材３５０を保護できる。これにより、接触部材３４９および保持部材３５０の温度上昇を抑えることができる。
＜他の実施形態＞
本発明の第１〜第３実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。

たとえば、前述の実施形態では、横開口部４５ａと縦開口部４５ｂとが、スリット４２の入口４５に設けられている場合について説明したが、横開口部４５ａまたは縦開口部４５ｂが省略されてもよい。
また、前述の実施形態では、縦開口部４５ｂの一部だけが、把持位置よりも上方に配置されている場合について説明したが、縦開口部４５ｂの全体が、把持位置よりも上方に配置されていてもよい。

また、前述の実施形態では、スリット４２の水平部４３の高さおよび幅が、水平部４３の内端から水平部４３の外端まで一定である場合について説明したが、水平部４３の高さおよび幅の少なくとも一方は、水平部４３の外端に近づくに従って、段階的または連続的に増加または減少していてもよい。スリット４２の鉛直部４４の高さおよび幅についても同様である。すなわち、スリット４２の入口４５の開口面積は、スリット４２の出口４７の開口面積と等しくてもよいし、スリット４２の出口４７の開口面積より小さいまたは大きくてもよい。

また、前述の実施形態では、スリット４２の入口４５が、鉛直方向または水平方向に延びている場合について説明したが、スリット４２の入口４５の少なくとも一部が、鉛直方向に対して斜めに傾いていてもよい。
また、前述の実施形態では、スリット４２の入口４５とスリット４２の出口４７とが径方向Ｒ１に並んでいる場合について説明したが、チャックピン８をその内方から径方向Ｒ１に見たときに、スリット４２の出口４７の全部または一部が、スリット４２の入口４５に対してずれていてもよい。

また、前述の実施形態では、チャックピン８の把持部３５の上面が水平である場合について説明したが、把持部３５の上面は、水平面に対して斜めに傾いていてもよいし、階段状であってもよい。
また、前述の実施形態では、基板Ｗ上の処理液を加熱する熱源が、赤外線ランプ２９を含む赤外線ヒータ２８である場合について説明したが、通電により発熱する電熱線を含む抵抗ヒータや、室温よりも高温の熱風を吹き出す送風機が、熱源として用いられてもよい。また、熱源が処理ユニット２から省かれてもよい。

また、前述の実施形態では、第１薬液ノズル１３、第２薬液ノズル１８、およびリンス液ノズル２３が、別々のアームに取り付けられている場合について説明したが、第１薬液ノズル１３、第２薬液ノズル１８、およびリンス液ノズル２３のうちの２つ以上が、共通のアームに取り付けられていてもよい。
また、前述の実施形態では、赤外線ヒータ２８がヒータアーム３１に取り付けられている場合について説明したが、赤外線ヒータ２８は、第１薬液ノズル１３、第２薬液ノズル１８、およびリンス液ノズル２３の少なくとも一つを保持するアームに取り付けられていてもよい。

また、前述の実施形態では、薬液がＳＰＭおよびＳＣ１である場合について説明したが、薬液は、ＳＰＭおよびＳＣ１以外の液体であってもよい。たとえば、薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。

また、前述の実施形態では、リンス液が純水である場合について説明したが、リンス液は、純水以外の液体であってもよい。たとえば、リンス液は、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール、）または希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、などであってもよい。
また、前述の実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、多角形の基板を処理する装置であってもよい。

また、前述の全ての実施形態のうちの２つ以上が組み合わされてもよい。

１ ：基板処理装置
５ ：スピンチャック
８ ：チャックピン
１２ ：スピンモータ
１３ ：第１薬液ノズル（処理液供給手段）
１８ ：第２薬液ノズル（処理液供給手段）
２３ ：リンス液ノズル（処理液供給手段）
３５ ：把持部
４２ ：スリット
４３ ：水平部
４４ ：鉛直部
４５ ：入口
４５ａ ：横開口部
４５ｂ ：縦開口部
４６ ：通路
４７ ：出口
２０８ ：チャックピン
２３４ ：支持ピン
２３５ ：把持部
２４２ ：スリット
３０８ ：チャックピン
３４８ ：ピンカバー
３４９ ：接触部材
３５０ ：保持部材
３５１ ：芯部
Ａ１ ：基板回転軸線
Ｃ１ ：周方向
Ｒ１ ：径方向
Ｗ ：基板

Claims (9)

1. 基板の周縁部に押し付けられるチャックピンを含み、前記チャックピンを用いて基板を水平な姿勢で把持しながら、当該基板の中央部を通る鉛直な基板回転軸線まわりに当該基板を回転させるスピンチャックと、
   前記スピンチャックに把持されている基板に処理液を供給する処理液供給手段とを含み、
   少なくとも一部が基板上面よりも上方に配置されると共に、前記チャックピンの内方から前記基板回転軸線に直交する径方向に前記チャックピンを見たときに見える入口と、前記入口よりも径方向外方に配置された出口とを含むスリットが、前記チャックピンに設けられ、前記入口は、前記チャックピンの内方から前記チャックピンを径方向に見たときに前記基板回転軸線まわりの方向である周方向に延びている、基板処理装置。
2. 前記入口は、前記チャックピンの内方から前記チャックピンを径方向に見たときに周方向に延びると共に、基板上面よりも上方に配置される横開口部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記入口は、少なくとも一部が基板上面よりも上方に配置される、上下方向に延びる縦開口部を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記縦開口部は、基板上面よりも上方に配置される上端と、基板下面よりも下方に配置される下端とを含む、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記出口の少なくとも一部は、前記入口と径方向に並んでいる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記入口の少なくとも一部は、平面視で基板に重なるように基板の上方に配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記チャックピンは、基板に接触する導電部を含み、前記導電部は、導電性を有する導電性材料で形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記導電部は、平面視で基板または前記チャックピンに覆われる、請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記チャックピンは、基板の周縁部に押し付けられる基板よりも軟らかい接触部と、前記接触部の径方向外方に配置された前記接触部よりも硬い芯部とを含み、
   前記接触部および芯部のそれぞれは、導電性を有する導電性材料で形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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