CN107527838B - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107527838B CN107527838B CN201710462496.8A CN201710462496A CN107527838B CN 107527838 B CN107527838 B CN 107527838B CN 201710462496 A CN201710462496 A CN 201710462496A CN 107527838 B CN107527838 B CN 107527838B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- insertion hole
- fastening member
- processing apparatus
- conductive member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种基板处理装置,包括:多个夹具构件(13),通过将基板(W)夹持为水平而将基板(W)保持为水平的姿势;支撑构件(59),支撑夹具构件(13);紧固构件(43),将夹具构件(13)紧固在支撑构件(59)上。夹具构件(13)包括:导电性构件(41),包括按压于基板(W)的外周部的基板接触部(71);芯材(40),支撑导电性构件(41),由紧固构件(43)紧固在支撑构件(59)上;以及通电构件(44),形成不通过芯材(40)并从基板接触部(71)向紧固构件(43)延伸的接地路径(95)的一部分,经由接地路径(95)使基板(W)接地。
Description
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置。作为处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中,使用对半导体晶片或液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。在日本国特开2014-241390号公报中公开了一种一张一张进行处理的单张式的基板处理装置。
该基板处理装置具备:旋转卡盘,其一边将基板保持为水平,一边使基板以通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线为中心旋转;喷嘴,其朝向基板的上表面喷出药液或冲洗液等的处理液;以及红外线加热器,其朝向基板的上表面发光。旋转卡盘具备按压在基板的外周部的多个卡盘销。
卡盘销包括具有导电性的导电性构件和覆盖导电性构件的销盖。日本国特开2014-241390号公报的图10所示的导电性构件,由两个构件构成。一个构件为按压在基板的外周部的把持部,另一个构件为保持把持部的保持部。把持部及保持部均具有导电性。保持部与夹具开闭机构的驱动轴连结。
在日本国特开2014-241390号公报中,为防止基板带电,导电性构件的把持部及保持部具有导电性。即,不仅是按压在基板的外周部的把持部,保持把持部的保持部也具有导电性。因此,不能用导电性材料以外的材料形成保持部,因此材料的选择范围变窄。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于,提高用于夹具构件的材料的选择自由度,并防止基板带电。
本发明的一实施方式提供基板处理装置,其中,包括:多个夹具构件,其通过将基板夹持为水平而将上述基板保持为水平的姿势;支撑构件,其支撑上述夹具构件;紧固构件,其将上述夹具构件紧固在上述支撑构件上;以及夹具开闭机构,其在多个上述夹具构件按压于上述基板的外周部的关闭状态,与解除多个上述夹具构件对上述基板的按压的打开状态之间对多个上述夹具构件进行切换,多个上述夹具构件的至少一个包括:导电性构件,其具有导电性,包括按压于上述基板的外周部的基板接触部;芯材,其支撑上述导电性构件,并利用上述紧固构件紧固在上述支撑构件上;以及通电构件,其形成不通过上述芯材并从上述基板接触部向上述紧固构件延伸的接地路径的一部分,经由上述接地路径使上述基板接地。通电构件可以是与紧固构件不同的一个以上的构件,也可以是与紧固构件一体的构件。
根据该结构,夹具构件的芯材由紧固构件紧固在支撑构件上,夹具构件的导电性构件由芯材支撑。当夹具开闭机构将多个夹具构件切换为关闭状态时,导电性构件的基板接触部按压于基板的外周部,从而使基板保持为水平的姿势。此时,基板经由从基板接触部向紧固构件延伸的接地路径接地。由此,能够防止基板带电。而且,夹具构件的通电构件形成绕过芯材的接地路径的一部分,因此芯材无需具有导电性。因此,能够提高芯材的材料的自由度。
在上述实施方式,也可以在上述基板处理装置中增加以下的特征中的至少一个特征。
上述基板处理装置还包括热源,上述热源配置于由多个上述夹具构件保持的上述基板的上方,上述导电性构件包括露出部,在多个上述夹具构件按压上述基板的外周部时,上述露出部在俯视下未被上述基板覆盖,多个上述夹具构件中的至少一个还包括夹具盖,上述夹具盖安装在上述导电性构件上,在俯视下覆盖上述露出部。
根据该结构,导电性构件的一部分即露出部配置于高于基板的位置及基板的外缘的周围的位置中的至少一个位置。因此,露出部在俯视下未被基板覆盖。夹具盖在俯视下覆盖露出部。由此,保护露出部免受热源的影响。而且,露出部以外的导电性构件的一部分在俯视下被基板覆盖。因此,能够保护导电性构件的大部分免受热源的影响。
上述夹具盖在俯视下覆盖上述露出部的整个区域。
根据该结构,导电性构件的露出部的整个区域在俯视下被夹具盖覆盖。因此,保护露出部的整个区域免受热源的影响。如上所述,露出部以外的导电性构件的一部分在俯视下被基板覆盖。因此,能够保护导电性构件的整体免受热源的影响,从而能够防止由加热引起的夹具构件的变形。
上述芯材的软化温度高于上述导电性构件的软化温度。软化温度是指机械强度降低和目视确认变形开始的温度。
根据该结构,芯材整体的软化温度高于导电性构件整体的软化温度,因此能够提高夹具构件整体的耐热性。因此,即使延长热源在基板的上方发热的加热时间,也能够抑制或防止夹具构件的变形。由此,能够提高夹具构件的耐久性,从而能够长期可靠地保持基板。
上述通电构件包括上侧相向部,上述上侧相向部从上述夹具盖的上方与上述夹具盖相向,上述夹具盖包括下侧相向部,上述下侧相向部从上述芯材的下方与上述芯材相向。
根据该结构,通电构件的上侧相向部配置于夹具盖的上方,夹具盖的下侧相向部配置于芯材的下方。夹具盖相对芯材向上方的移动,通过上侧相向部和夹具盖的接触来限制。而且,该移动通过下侧相向部和芯材的接触来限制。因此,即使不使用接合或压入等固定方法将夹具盖固定在芯材上,也能够防止夹具盖浮起。
上述芯材包括:涂敷层,由树脂形成;以及被涂敷构件,由上述涂敷层覆盖外表面整个区域。被涂敷构件可以是一个构件,也可以包括多个构件。
根据该结构,芯材的被涂敷构件的外表面整个区域被芯材的涂敷层覆盖。因此,即使由容易产生颗粒的烧结材料形成被涂敷构件,也能够将颗粒阻挡在芯材的内部。而且,即使由金属形成被涂敷构件,药液等的处理液也不会附着在被涂敷构件上。因此,能够将烧结材料和金属用作被涂敷构件的材料,从而能够提高芯材的材料的自由度。
上述芯材形成有紧固构件插入孔,上述紧固构件插入孔在上下方向上贯通上述芯材,上述通电构件配置于插入上述紧固构件插入孔的上述紧固构件的上方,堵塞上述紧固构件插入孔。
根据该结构,紧固构件插入在上下方向上贯通芯材的紧固构件插入孔。通电构件配置于紧固构件的上方。因此,能够将通电构件配置于紧固构件的附近,能够将通电构件与紧固构件电连接。而且,通电构件堵塞紧固构件插入孔,因此能够保护紧固构件插入孔内的紧固构件免受处理液和处理气体等的处理流体的影响。
上述导电性构件形成有盖插入孔,上述盖插入孔从上述紧固构件插入孔向上方延伸,上述通电构件插入上述紧固构件插入孔及盖插入孔双方。
根据该结构,导电性构件形成有从紧固构件插入孔向上方延伸的盖插入孔。通电构件不仅插入紧固构件插入孔,还插入盖插入孔。因此,能够将通电构件配置于导电性构件的附近,能够将通电构件与导电性构件电连接。
多个上述夹具构件的至少一个还包括环状的密封构件,上述环状的密封构件包围上述紧固构件插入孔的中心线,密闭上述通电构件的周围的间隙。通电构件的周围的间隙可以是通电构件与芯材之间的间隙,也可以是通电构件与导电构件之间的间隙。
根据该结构,不仅芯材的紧固构件插入孔被通电构件堵塞,而且通电构件的周围的间隙还被包围紧固构件插入孔的中心线的环状的密封构件密闭。由此,能够可靠地防止处理液和处理气体等处理流体进入紧固构件插入孔内,从而能够可靠地保护紧固构件插入孔内的紧固构件免受处理流体的影响。
上述通电构件形成有插入孔,上述插入孔向上方凹陷而形成,上述紧固构件包括头部,上述头部插入上述插入孔。
根据该结构,紧固构件的头部插入形成于通电构件的插入孔。头部的外周面与插入孔的内周面接触。由此,能够将紧固构件及通电构件可靠地电连接。
上述通电构件利用设置于上述插入孔的内螺纹和设置于上述头部的外螺纹与上述紧固构件连结。
根据该结构,紧固构件的头部插入形成于通电构件的插入孔,设置于插入孔的内螺纹和设置于头部的外螺纹将通电构件及紧固构件相互连结。因此,能够可靠地维持紧固构件及通电构件接触的状态。
本发明的前述的、或其他目的、特征以及效果,通过参照附图进行的下述的实施方式的说明就更加清楚。
附图说明
图1是沿水平方向观察本发明的一实施方式的基板处理装置具备的腔室的内部的示意图。
图2是旋转基座及与旋转基座关联的结构的示意性的俯视图。
图3是夹具构件的俯视图。
图4是表示沿图3所示的IV-IV线的铅垂剖面的剖面图。
图5是用于说明由基板处理装置执行的基板的处理的一例的工序图。
具体实施方式
图1是沿水平方向观察本发明的一实施方式的基板处理装置1具备的腔室4的内部的示意图。图2是旋转基座12及与旋转基座12关联的结构的示意性的俯视图。
基板处理装置1是对半导体晶片等圆板状的基板W一张一张进行处理的单张式的装置。基板处理装置1包括:处理单元2,其利用处理液或处理气体等的处理流体对基板W进行处理;搬运机械手(未图示),其向处理单元2搬运基板W;以及控制装置3,其对基板处理装置1进行控制。控制装置3是包括存储程序等信息的存储部和基于存储在存储部中的信息对基板处理装置1进行控制的运算部的计算机。
处理单元2包括:箱形的腔室4,其具有内部空间;旋转卡盘5,其一边在腔室4内将一张基板W保持为水平,一边使基板W以通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转;处理液供给装置6,其向由旋转卡盘5保持的基板W供给处理液;加热装置7,其从基板W的上方对由旋转卡盘5保持的基板W进行加热;以及筒状的杯8,其包围旋转卡盘5的周围。
旋转卡盘5包括:圆板状的旋转基座12,其保持为水平的姿势;多个夹具构件13,其从旋转基座12的上表面外周部向上方突出;以及夹具开闭机构14,其使多个夹具构件13开闭。旋转卡盘5还包括:旋转轴15,其从旋转基座12的中央部沿旋转轴线A1向下方延伸;以及旋转马达16,其通过使旋转轴15旋转以使旋转基座12及夹具构件13一起以旋转轴线A1为中心旋转。
旋转基座12具有大于基板W的直径的外径。旋转基座12的中心线配置在旋转轴线A1上。多个夹具构件13在旋转基座12的外周部由旋转基座12保持。基板W在基板W的下表面和旋转基座12的上表面在上下方向上隔开的状态下,由多个夹具构件13把持。该状态下,当旋转马达16使旋转轴15旋转时,基板W与旋转基座12及夹具构件13一起以旋转轴线A1为中心旋转。
如图2所示,多个夹具构件13在周向(围绕旋转轴线A1的方向)上隔开间隔配置。图2是表示在旋转卡盘5上设置有六个夹具构件13的例子。六个夹具构件13由相对旋转基座12能够移动的三个可动夹具13a和在旋转基座12上固定的三个固定夹具13b构成。三个可动夹具13a在三个可动夹具13a之间不夹着固定夹具13b沿周向排列。可动夹具13a的数量可以少于三个,也可以超过三个。多个夹具构件13也可以分别为可动夹具13a。
可动夹具13a在可动夹具13a按压于基板W的外周面的关闭位置(图2所示的位置)与可动夹具13a从基板W的外周面离开的打开位置之间,相对旋转基座12能够以夹具转动轴线A2为中心旋转。固定夹具13b的形状或结构与可动夹具13a相同。可动夹具13a在与可动夹具13a连接的支撑构件59(参照图4)由夹具开闭机构14驱动这点上,与固定夹具13b不同。夹具开闭机构14通过使可动夹具13a移动,在多个夹具构件13按压于基板W的外周部的关闭状态,与解除多个夹具构件13对基板W的按压的打开状态之间对多个夹具构件13进行切换。
如图1所示,处理液供给装置6包括:第一药液喷嘴17,其向基板W的上表面喷出第一药液;第一药液配管18,其与第一药液喷嘴17连接;第一药液阀19,其安装在第一药液配管18上;第一药液臂20,其在顶端上安装有第一药液喷嘴17;以及第一喷嘴移动装置21,其通过移动第一药液臂20,使第一药液的着落位置在基板W的上表面内移动。
当打开第一药液阀19时,从第一药液配管18向第一药液喷嘴17供给的第一药液,从第一药液喷嘴17向下方喷出。当关闭第一药液阀19时,停止从第一药液喷嘴17喷出第一药液。第一喷嘴移动装置21通过移动第一药液喷嘴17,使第一药液的着落位置在基板W的上表面内移动。而且,第一喷嘴移动装置21在从第一药液喷嘴17喷出的第一药液着落基板W的上表面的处理位置与第一药液喷嘴17在俯视下退避至旋转卡盘5的周围的退避位置之间,移动第一药液喷嘴17。
处理液供给装置6包括:第二药液喷嘴22,其向基板W的上表面喷出第二药液;第二药液配管23,其与第二药液喷嘴22连接;第二药液阀24,其安装于第二药液配管23;第二药液臂25,其在顶端上安装有第二药液喷嘴22;以及第二喷嘴移动装置26,其通过移动第二药液臂25,使第二药液的着落位置在基板W的上表面内移动。
当打开第二药液阀24时,从第二药液配管23向第二药液喷嘴22供给的第二药液,从第二药液喷嘴22向下方喷出。当关闭第二药液阀24时,停止从第二药液喷嘴22喷出第二药液。第二喷嘴移动装置26通过移动第二药液喷嘴22,使第二药液的着落位置在基板W的上表面内移动。而且,第二喷嘴移动装置26在从第二药液喷嘴22喷出的第二药液着落基板W的上表面的处理位置与第二药液喷嘴22在俯视下退避至旋转卡盘5的周围的退避位置之间,移动第二药液喷嘴22。
第一药液及第二药液是包括例如硫酸、硝酸、盐酸、氟酸、磷酸、醋酸、氨水、过氧化氢、有机酸(例如,柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如,TMAH:Tetramethylammonium Hydroxide、四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂及防腐蚀剂中的至少一种的液体。第一药液的具体例为SPM(sulfuric peroxide mixture:硫酸与过氧化氢的混合液)、磷酸(浓度为例如80%以上且小于100%的磷酸水溶液)、氟酸(氢氟酸)。第二药液的具体例为SC1(ammonia-hydrogenperoxide mixture:氨水与过氧化氢的混合液)。
处理液供给装置6包括:冲洗液喷嘴27,其向基板W的上表面喷出冲洗液;冲洗液配管28,其与冲洗液喷嘴27连接;冲洗液阀29,其安装在冲洗液配管28上;冲洗液臂30,其在顶端部上安装冲洗液喷嘴27;以及第三喷嘴移动装置31,其通过移动冲洗液臂30,使冲洗液的着落位置在基板W的上表面内移动。
当打开冲洗液阀29时,从冲洗液配管28向冲洗液喷嘴27供给的冲洗液,从冲洗液喷嘴27向下方喷出。当关闭冲洗液阀29时,停止从冲洗液喷嘴27喷出冲洗液。第三喷嘴移动装置31通过移动冲洗液喷嘴27,使冲洗液的着落位置在基板W的上表面内移动。而且,第三喷嘴移动装置31在从冲洗液喷嘴27喷出的冲洗液着落基板W的上表面的处理位置与冲洗液喷嘴27退避至旋转卡盘5的周围的退避位置之间,移动冲洗液喷嘴27。
向冲洗液喷嘴27供给的冲洗液是纯水(去离子水:Deionized water)。向冲洗液喷嘴27供给的冲洗液并不限于纯水,也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、IPA(Isopropyl alcohol:异丙醇)或稀释浓度(例如,10~100ppm左右)的盐酸水等。
杯8包围旋转基座12。当在旋转卡盘5使基板W旋转的状态下向基板W供给处理液时,处理液从基板W向基板W的周围飞散。当向基板W供给处理液时,向上开放的杯8的上端部8a配置在旋转基座12的上方。因此,向基板W的周围排出的药液和冲洗液等的处理液由杯8挡住。并且,由杯8挡住的处理液输送到未图示的回收装置或废液装置。
加热装置7包括:红外线加热器32,其配置于由旋转卡盘5保持的基板W的上方;加热器臂35,其在顶端部安装有红外线加热器32;以及加热器移动装置36,其使加热器臂35移动。
红外线加热器32包括:红外线灯33,其发出包含红外线的光;以及灯外壳34,其容纳红外线灯33。红外线灯33配置在灯外壳34内。灯外壳34在俯视下小于基板W。红外线灯33及灯外壳34安装在加热器臂35上。红外线灯33及灯外壳34与加热器臂35一起移动。
红外线灯33是卤素灯。红外线灯33包括灯丝和容纳灯丝的石英管。红外线灯33可以是碳加热器,也可以是卤素灯及碳加热器以外的发热体。灯外壳34的至少一部分由石英等具有光透过性及耐热性的材料形成。
灯外壳34具有与基板W的上表面平行的底壁。红外线灯33配置于底壁的上方。底壁的下表面包括与基板W的上表面平行且平坦的照射面32a。在红外线加热器32配置于基板W的上方的状态下,照射面32a隔开间隔与基板W的上表面相向。在该状态下红外线灯33发出光时,通过照射面32a的光照射至基板W的上表面。照射面32a例如是直径小于基板W的半径的圆形。照射面32a也可以是圆形以外的形状。
加热器移动装置36将红外线加热器32保持在规定的高度上。加热器移动装置36使加热器臂35以在旋转卡盘5的周围沿上下方向延伸的加热器转动轴线A3为中心转动,使红外线加热器32水平地移动。由此,红外线照射的照射位置(基板W的上表面内的一部分的区域)在基板W的上表面内移动。如图2所示,加热器移动装置36使红外线加热器32沿着在俯视下通过基板W的中心的圆弧状的路径水平地移动。红外线加热器32在包括旋转卡盘5的上方的水平面内移动。另外,加热器移动装置36通过使红外线加热器32向铅垂方向移动,使照射面32a与基板W之间的距离变化。
红外线加热器32的光向基板W的上表面内的照射位置照射。控制装置3在红外线加热器32发出红外线的状态下,一边由旋转卡盘5使基板W旋转,一边由加热器移动装置36使红外线加热器32以加热器转动轴线A3为中心转动。由此,基板W的上表面被作为加热位置的照射位置扫描。因此,包含红外线的光被基板W的上表面吸收,从而辐射热从红外线灯33向基板W传递。当在处理液等液体被保持在基板W上的状态下,红外线灯33发出红外线时,使基板W及处理液被加热,因此基板W及处理液的温度上升。
图3是夹具构件13的俯视图。图4是表示沿图3所示的IV-IV线的铅垂剖面的剖面图。图3表示夹具构件13(可动夹具13a)配置于关闭位置的状态。
如图4所示,夹具构件13包括:芯材40,其由紧固构件43固定在支撑构件59上;导电性构件41,其覆盖芯材40;夹具盖42,其覆盖导电性构件41;以及通电构件44,其与紧固构件43及导电性构件41都接触。
芯材40包括:底座部49,其插入有紧固构件43;以及突出部48,其从底座部49向上方突出。作为构成芯材40的构件包括:主体45,其插入有紧固构件43;垫圈46,其安装在主体45上;以及涂敷层47,其形成芯材40的表层。主体45及垫圈46是由涂敷层47覆盖外表面整个区域的被涂敷构件的一例。
主体45形成有:紧固构件插入孔51,其插入有紧固构件43;以及垫圈插入孔55,其插入有垫圈46。紧固构件插入孔51是在上下方向上贯通主体45的贯通孔。垫圈插入孔55是从主体45的下表面向上方凹陷的凹部。紧固构件插入孔51与垫圈插入孔55为同轴。紧固构件插入孔51在垫圈插入孔55的底面开口。
形成紧固构件插入孔51的主体45的内周面包括:上侧筒状面52,其包围通电构件44;环状面53,其与紧固构件43的凸缘部57接触;以及下侧筒状面54,其在紧固构件43的径向上隔开间隔包围紧固构件43的轴部58。上侧筒状面52、环状面53及下侧筒状面54为同轴。上侧筒状面52的直径大于下侧筒状面54的直径。
导电性构件41包括:内侧包覆部72,其覆盖芯材40的底座部49;以及基板接触部71,其从内侧包覆部72的上表面向上方突出。内侧包覆部72及基板接触部71被夹具盖42覆盖。基板接触部71位于夹具转动轴线A2的周围,不与夹具转动轴线A2相交。内侧包覆部72在俯视下大于基板接触部71。
导电性构件41的内侧包覆部72包括:上壁部74,其配置于芯材40的底座部49的上方;以及筒状的周壁部75,其配置于底座部49的周围;以及筒状突起73,其从上壁部74向上方突出。在上下方向上贯通导电性构件41的盖插入孔76,由筒状突起73和上壁部74形成。通电构件44插入盖插入孔76中。
导电性构件41形成有从上壁部74的下表面向基板接触部71的内部延伸的芯材插入孔77。芯材40的突出部48插入芯材插入孔77。芯材插入孔77可以在基板接触部71的上表面71a开口,也可以在基板接触部71的内部封闭。基板接触部71包围芯材40的突出部48。基板接触部71的上端位于基板W的上表面的上方。
导电性构件41的基板接触部71包括按压于基板W的外周部的把持部78。把持部78包括形成向内侧开口的容纳槽的两个槽内面。两个槽内面包括:上侧槽内面78a,其从容纳槽的底部倾斜向上延伸;以及下侧槽内面78b,其从容纳槽的底部倾斜向下延伸。基板接触部71还包括上侧支撑面79a,上述上侧支撑面79a从下侧槽内面78b的下端向旋转轴线A1(参照图2)的一侧倾斜向下延伸。
基板接触部71的上侧支撑面79a以小于下侧槽内面78b相对水平面的倾斜角度的角度,相对水平面倾斜。如下所述,夹具盖42包括下侧支撑面79b,上述下侧支撑面79b从上侧支撑面79a的下端向旋转轴线A1的一侧倾斜向下延伸。上侧支撑面79a及下侧支撑面79b是在把持部78从基板W离开的状态下支撑基板W的基板支撑部79的一部分。
夹具盖42包括覆盖导电性构件41的内侧包覆部72的外侧包覆部84。外侧包覆部84包括:上壁部85,其配置于内侧包覆部72的上方;以及筒状的周壁部86,其配置于内侧包覆部72的周围。导电性构件41的筒状突起73插入在上下方向上贯通外侧包覆部84的贯通孔。筒状突起73的上端面可以配置在与夹具盖42的上壁部85的上表面相等的高度上,也可以配置在上壁部85的上表面的上方。
如图3所示,夹具盖42的外侧包覆部84包括:圆弧状的凸缘部87,其从周壁部86的下部向外侧突出;钩部88,其从周壁部86的下部向内侧突出。如图4所示,钩部88配置于芯材40及导电性构件41的下方。钩部88是下侧相向部的一例。钩部88的上表面可以与芯材40及导电性构件41的至少一方接触,也可以隔开间隔与芯材40及导电性构件41相向。
夹具盖42包括覆盖柱状的基板接触部71的销包覆部81。销包覆部81包括:上壁部82,其配置于基板接触部71的上方;以及周壁部83,其配置于基板接触部71的周围。销包覆部81还包括下侧支撑面79b,上述下侧支撑面79b从导电性构件41的上侧支撑面79a的下端向旋转轴线A1的一侧倾斜向下延伸。下侧支撑面79b以与上侧支撑面79a相等的角度相对水平面倾斜。
夹具盖42形成有:销插入孔89,其从外侧包覆部84的上壁部85的下表面向上方延伸至销包覆部81的内部;以及露出孔90,其从销插入孔89向内侧延伸至销包覆部81的外表面。基板接触部71插入销插入孔89。基板接触部71的外表面可以与销包覆部81的内表面接触,也可以隔着间隙与销包覆部81的内表面相向。把持部78在销包覆部81的外表面上开口的露出孔90露出。在基板接触部71按压于基板W的外周部时,基板W的一部分配置于露出孔90内。
紧固构件43包括:轴部58,其设置有外螺纹;头部56,其用于安装使紧固构件43旋转的工具;以及凸缘部57,其配置于轴部58与头部56之间。轴部58的外螺纹安装在设置于支撑构件59的内周面的内螺纹上。凸缘部57的下表面向下方按压在芯材40的环状面53上。芯材40的下表面向下方按压在支撑构件59的上端面上。芯材40由凸缘部57和支撑构件59在上下方向上夹持。由此,芯材40固定于支撑构件59。
支撑构件59插入在旋转基座12的外表面上开口的轴插入孔60内。旋转基座12包括:圆板部61,其保持为水平的姿势;以及筒状部62,其从圆板部61向上方突出。轴插入孔60从圆板部61的内部空间向筒状部62的上端面延伸。支撑构件59及筒状部62配置于夹具构件13的下方。夹具开闭机构14使与可动夹具13a连接的支撑构件59以相当于夹具转动轴线A2的铅垂的支撑构件59的中心线为中心转动。由此,可动夹具13a以夹具转动轴线A2为中心转动。
通电构件44包括配置于盖插入孔76的上方的盖部91。盖部91配置于导电性构件41及夹具盖42的上方。基板W配置于盖部91的上方。导电性构件41的筒状突起73配置于盖部91的下方。盖部91的下表面91a的内周部被筒状突起73的上端面按压。盖部91的下表面91a的外周部配置于夹具盖42的上方。盖部91的下表面91a的外周部是上侧相向部的一例。盖部91的下表面91a可以与夹具盖42接触,也可以隔开间隔与夹具盖42相向。
通电构件44还包括插入盖插入孔76及紧固构件插入孔51双方的插入部92。插入部92从盖部91向下方延伸。芯材40的上侧筒状面52在径向上隔开间隔包围插入部92。紧固构件43的头部56插入从插入部92的下表面向上方凹陷的插入孔93。在紧固构件43的头部56上设置的外螺纹,安装在设置于插入孔93的内周面的内螺纹上。由此,通电构件44与紧固构件43接触,并固定于紧固构件43。导电性构件41由盖部91的下表面91a和底座部49的上表面在上下方向上夹持。
通电构件44堵塞盖插入孔76及紧固构件插入孔51。通电构件44的周围的间隙由包围通电构件44的环状的密封构件94密闭。密封构件94例如是非导电性的O环。图4是表示密封构件94被通电构件44在紧固构件43的轴向上按压在芯材40上的例子。密封构件94也可以配置于插入部92的外周面与芯材40的上侧筒状面52之间。
基板W向旋转卡盘5搬运时,在各可动夹具13a配置于打开位置的状态下,未图示的搬运机械手将基板W放置在多个夹具构件13上。由此,如图4中点划线所示,基板支撑部79的下侧支撑面79b与基板W的外周部接触,基板W由多个基板支撑部79支撑。夹具开闭机构14在该状态下使可动夹具13a从打开位置移动至关闭位置。
当夹具开闭机构14使可动夹具13a移动至关闭位置时,由多个基板支撑部79抬起基板W,并且多个把持部78靠近基板W的外周部。该过程中,基板W的外周部通过上侧支撑面79a从下侧支撑面79b向下侧槽内面78b移动。由此,如图4中双点划线所示,基板支撑部79从基板W离开,把持部78的上侧槽内面78a及下侧槽内面78b按压于基板W的外周部。
如图3所示,当基板W由多个夹具构件13把持时,导电性构件41的内侧包覆部72的大部分配置于基板W的下方。同样地,导电性构件41的上侧支撑面79a配置于基板W的下方。因此,即使没有夹具盖42,俯视下内侧包覆部72的大部分和上侧支撑面79a也会被基板W遮盖。
另一方面,内侧包覆部72的其余的部分,俯视下从基板W的外缘(图3中双点划线所示的部分)突出,俯视下位于基板W的外缘的外侧。基板接触部71的上表面71a配置于基板W的上方。外侧包覆部84的其余的部分和基板接触部71的上表面71a在基板W由多个夹具构件13把持时,俯视下包含于没有被基板W覆盖的露出部。
夹具盖42在俯视下,覆盖包覆部72的其余的部分的整个区域和基板接触部71的上表面71a的整个区域。即,夹具盖42在俯视下覆盖露出部的整个区域。因此,即使红外线加热器32(参照图1)发出光,红外线加热器32的光也不会直接照射到导电性构件41。另外,露出部以外的导电性构件41的一部分被基板W覆盖,因此红外线加热器32的光也不会直接照射到该部分。由此,能够保护导电性构件41免受红外线加热器32的影响。
接着,说明构成夹具构件13的各构件的材料和接地路径95。
导电性构件41由具有耐药品性及导电性的材料形成。导电性构件41的材料的具体例是包含树脂和碳的材料。导电性构件41可以是将由树脂形成的树脂构件和由包含碳的碳材料形成的碳构件交替地层叠而成的层叠构件,也可以由分散有碳材料的树脂形成。
包含于导电性构件41的碳,可以是碳纤维(carbon fiber),也可以是碳的粉末或颗粒。包含于导电性构件41的树脂的具体例是PFA(tetrafluoro ethylene–perfluoroalkylvinyl ether copolymer:四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、PCTFE(Poly ChloroTri Furuoro Ethylene:聚三氟氯乙烯)、PTFE(polytetrafluoroethylene:聚四氟乙烯)及PEEK(polyetheretherketone:聚醚醚酮)。
夹具盖42由具有耐药品性的树脂形成。夹具盖42也可以是导电性及非导电性中的任一者。包含于夹具盖42的树脂的具体例是PTFE、ETFE(ethylene tetrafluoroethylene:乙烯四氟乙烯)及PEEK。在本实施方式中,夹具盖42由白色(包含纯白及乳白色)的PTFE形成,具有白色的外表面。如上所述,黑色的碳包含于导电性构件41,因此导电性构件41的外表面是黑色。夹具盖42的外表面的光(可见光线)的反射率高于导电性构件41的外表面的反射率。
芯材40的强度高于导电性构件41的强度,芯材40的软化温度高于导电性构件41的软化温度。芯材40也可以是导电性及非导电性中的任一者。涂敷层47的厚度小(例如,0.5~2mm),因此芯材40的机械性质和软化温度等,与包括主体45及垫圈46的被涂敷构件实质上相同。
主体45及垫圈46均是SiC(碳化硅)的烧结体。SiC是具有导电性的材料。主体45及垫圈46可以是碳的烧结体,也可以由氧化锆等的SiC以外的导电性陶瓷形成。主体45及垫圈46可以是导电性及非导电性中的任一者。对于涂敷层47也同样。涂敷层47由具有耐药品性的材料形成。涂敷层47由例如PFA或PTFE形成。
紧固构件43由具有导电性的材料形成。紧固构件43例如由不锈钢形成。如果能确保导电性,则紧固构件43也可以由不锈钢以外的材料形成。
通电构件44由具有耐药品性及导电性的材料形成。通电构件44的材料的具体例是包含PFA等树脂和碳的材料。导电性构件41可以是将树脂构件和碳构件交替地层叠而成的层叠构件,也可以由分散有碳材料的树脂形成。通电构件44也可以仅由碳材料形成。
导电性构件41、通电构件44及紧固构件43的电阻率低于芯材40及夹具盖42的电阻率。芯材40及夹具盖42均具有非导电性。导电性构件41、通电构件44及紧固构件43均具有导电性。这些构件形成不通过芯材40并从基板接触部71向支撑构件59延伸的接地路径95。在多个夹具构件13把持基板W时,基板W经由接地路径95接地。因此,能够将在搬入的基板W上原来存在的电荷、从带电的处理液向基板W供给的电荷,通过接地路径95从基板W去除。
图5是用于说明由基板处理装置1执行的基板的处理的一例的工序图。以下的各工序由控制装置3控制基板处理装置1来执行。换言之,控制装置3被编程用以执行以下的各工序。
在由处理单元2处理基板W时,进行向腔室4内搬入基板W的搬入工序(图5的步骤S1)。
具体地,控制装置3在所有的喷嘴从旋转卡盘5的上方退避的状态下,使保持基板W的搬运机械手的手部进入腔室4内。然后,控制装置3由搬运机械手将基板W载置在多个夹具构件13上。之后,控制装置3使搬运机械手的手部从腔室4内退避。另外,控制装置3在基板W载置在多个夹具构件13上之后,使可动夹具13a从打开位置向关闭位置移动。之后,控制装置3通过旋转马达16使基板W开始旋转。即使搬入的基板W带电,基板W的电荷也能够通过导电性构件41与基板W接触来去除。
接着,进行向基板W供给第一药液的一例即SPM的第一药液供给工序(图5的步骤S2)。
具体地,控制装置3通过控制第一喷嘴移动装置21,使第一药液喷嘴17从退避位置向处理位置移动。由此,第一药液喷嘴17配置于基板W的上方。之后,控制装置3打开第一药液阀19,将高于室温的高温(例如,140℃)的SPM从第一药液喷嘴17向旋转状态的基板W的上表面喷出。控制装置3在该状态下通过控制第一喷嘴移动装置21,使SPM相对基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动。
从第一药液喷嘴17喷出的SPM着落到基板W的上表面之后,借助离心力沿着基板W的上表面流向外方。因此,SPM被供给至基板W的上表面整个区域,从而覆盖基板W的上表面整个区域的SPM的液膜形成在基板W上。由此,抗蚀剂膜和其残留物等通过SPM从基板W被去除。而且,控制装置3在基板W旋转的状态下,使SPM相对基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动,因此SPM的着落位置通过基板W的上表面整个区域,从而扫描基板W的上表面整个区域。因此,从第一药液喷嘴17喷出的SPM直接喷射到基板W的上表面整个区域,从而基板W的上表面整个区域被均匀地处理。
接着,在停止向基板W供给SPM的状态下,进行将SPM的液膜保持在基板W上的浸泡工序(图5的步骤S3)。
具体地,控制装置3通过控制旋转卡盘5,在基板W的上表面整个区域被SPM的液膜覆盖的状态下,使基板W的旋转速度降低至小于第一药液供给工序中的基板W的旋转速度的低旋转速度(例如1~30rpm)。因此,作用于基板W上的SPM的离心力减弱,从而从基板W上排出的SPM的量减少。控制装置3在基板W以低旋转速度旋转的状态下,关闭第一药液阀19,停止从第一药液喷嘴17喷出SPM。由此,在停止向基板W供给SPM的状态下,将覆盖基板W的上表面整个区域的SPM的液膜保持在基板W上。控制装置3在停止向基板W供给SPM之后,通过控制第一喷嘴移动装置21,使第一药液喷嘴17从旋转卡盘5的上方退避。
接着,加热基板W和基板W上的SPM的加热工序(图5的步骤S4),与浸泡工序并行进行。
具体地,控制装置3使红外线加热器32开始发光。由此,红外线加热器32的温度上升,并维持在该值(加热温度)。加热温度的一例是高于第一药液(在该处理例中为SPM)的沸点的温度。之后,控制装置3通过加热器移动装置36使红外线加热器32从退避位置向处理位置移动。控制装置3在红外线加热器32配置于基板W的上方之后,通过加热器移动装置36使红外线加热器32向水平移动,以使红外线相对基板W的上表面的照射位置从中央部及外周部中的一方向另一方移动。控制装置3通过红外线加热器32加热基板W进行规定时间之后,使红外线加热器32从基板W的上方退避。之后,控制装置3使红外线加热器32停止发光。红外线加热器32的发光及移动可以同时开始,也可以在不同的时期开始。
这样,通过一边使基板W旋转,一边使红外线相对基板W的上表面的照射位置从中央部及外周部中的一方向另一方移动,使基板W均匀地加热。因此,覆盖基板W的上表面整个区域的SPM的液膜也被均匀地加热。红外线加热器32对基板W的加热温度,设定为SPM在该浓度的沸点以上的温度。因此,基板W上的SPM被加热至该浓度的沸点。特别地,在红外线加热器32对基板W的加热温度,设定为高于SPM在该浓度的沸点的高温的情况下,基板W和SPM之间的表面的温度维持在高于沸点的高温,从而促进从基板W去除异物。
接着,进行排出基板W上的SPM的第一药液排出工序(图5的步骤S5)。
具体地,控制装置3通过控制旋转卡盘5,在停止向基板W供给液体的状态下,以大于浸泡工序中的基板W的旋转速度的旋转速度使基板W旋转。由此,比浸泡工序时的离心力大的离心力施加于基板W上的SPM,从而基板W上的SPM被甩向基板W的周围。因此,几乎所有的SPM从基板W上排出。另外,向基板W的周围飞散的SPM,由杯8挡住,经由杯8导向回收装置或排液装置。
接着,进行向基板W供给冲洗液的一例即纯水的第一冲洗液供给工序(图5的步骤S6)。
具体地,控制装置3通过控制第三喷嘴移动装置31,使冲洗液喷嘴27从退避位置向处理位置移动。控制装置3在冲洗液喷嘴27配置于基板W的上方之后,打开冲洗液阀29,从冲洗液喷嘴27向旋转状态的基板W的上表面喷出纯水。由此,形成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水的液膜,残留在基板W上的SPM由纯水冲掉。然后,当从打开冲洗液阀29起经过规定时间时,控制装置3关闭冲洗液阀29停止喷出纯水。之后,控制装置3通过控制第三喷嘴移动装置31,使冲洗液喷嘴27从基板W的上方退避。即使在纯水的供给中基板W带电,基板W的电荷也会经由与基板W接触的导电构件41去除。
接着,进行向基板W供给第二药液的一例即SC1的第二药液供给工序(图5的步骤S7)。
具体地,控制装置3通过控制第二喷嘴移动装置26,使第二药液喷嘴22从退避位置向处理位置移动。控制装置3在第二药液喷嘴22配置于基板W的上方之后,打开第二药液阀24,从第二药液喷嘴22向旋转状态的基板W的上表面喷出SC1。控制装置3在该状态下通过控制第二喷嘴移动装置26,使SC1相对基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动。然后,在从打开第二药液阀24起经过规定时间时,控制装置3关闭第二药液阀24停止喷出SC1。之后,控制装置3通过控制第二喷嘴移动装置26,使第二药液喷嘴22从基板W的上方退避。
从第二药液喷嘴22喷出的SC1着落到基板W的上表面之后,借助离心力沿着基板W的上表面流向外方。因此,基板W上的纯水由SC1冲向外方,从而排出至基板W的周围。由此,基板W上的纯水的液膜被置换成覆盖基板W的上表面整个区域的SC1的液膜。而且,控制装置3在基板W旋转的状态下,使SC1相对基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动,因此SC1的着落位置通过基板W的上表面整个区域,从而扫描基板W的上表面整个区域。因此,从第二药液喷嘴22喷出的SC1直接喷射基板W的上表面整个区域,从而基板W的上表面整个区域被均匀地处理。
接着,进行向基板W供给冲洗液的一例即纯水的第二冲洗液供给工序(图5的步骤S8)。
具体地,控制装置3通过控制第三喷嘴移动装置31,使冲洗液喷嘴27从退避位置向处理位置移动。控制装置3在冲洗液喷嘴27配置于基板W的上方之后,打开冲洗液阀29,从冲洗液喷嘴27向旋转状态的向基板W的上表面喷出纯水。由此,基板W上的SC1由纯水冲向外方,从而排出至基板W的周围。因此,基板W上的SC1的液膜被置换成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水的液膜。然后,在从打开冲洗液阀29起经过规定时间时,控制装置3关闭冲洗液阀29停止喷出纯水。之后,控制装置3通过控制第三喷嘴移动装置31,使冲洗液喷嘴27从基板W的上方退避。
接着,进行干燥基板W的干燥工序(图5的步骤S9)。
具体地,控制装置3使由旋转卡盘5加速旋转基板W,以大于从第一药液供给工序到第二冲洗液供给工序的旋转速度的高旋转速度(例如数千rpm)旋转基板W。由此,大的离心力施加于基板W上的液体,因此附着在基板W上的液体被甩向基板W的周围。这样,液体从基板W上被去除,从而使基板W干燥。然后,在从基板W开始高速旋转起经过规定时间时,控制装置3通过控制旋转马达16,停止由旋转卡盘5旋转基板W。即使在基板W的高速旋转中基板W因空气与基板W之间的摩擦而带电,基板W的电荷也可以经由与基板W接触的导电构件41去除。
接着,进行将基板W从腔室4内搬出的搬出工序(图5的步骤S10)。
具体地,控制装置3使各可动夹具13a从关闭位置向打开位置移动,解除由旋转卡盘5把持基板W。之后,控制装置3在所有的喷嘴从旋转卡盘5的上方退避的状态下,使搬运机械手的手部进入腔室4内。然后,控制装置3使搬运机械手的手部保持旋转卡盘5上的基板W。之后,控制装置3使搬运机械手的手部从腔室4内退避。由此,将处理结束的基板W从腔室4搬出。
如上所述,在本实施方式中,夹具构件13的芯材40由紧固构件43紧固于支撑构件59,夹具构件13的导电性构件41由芯材40支撑。当夹具开闭机构14将多个夹具构件13切换为关闭状态时,导电性构件41的基板接触部71按压于基板W的外周部,从而使基板W保持为水平的姿势。此时,基板W经由从基板接触部71向紧固构件43延伸的接地路径95接地。由此,能够防止基板W带电。而且,夹具构件13的通电构件44形成绕过芯材40的接地路径95的一部分,因此芯材40无需具有导电性。因此,能够提高芯材40的材料的自由度。
在本实施方式中,导电性构件41的一部分即露出部配置于基板W的上方的位置及基板W的外缘的周围的位置中的至少一个位置。因此,露出部在俯视下未被基板W覆盖。夹具盖42在俯视下覆盖露出部。由此,保护露出部免受红外线加热器32的影响。而且,露出部以外的导电性构件41的一部分在俯视下被基板W覆盖。因此,能够保护导电性构件41的大部分免受红外线加热器32的影响。
在本实施方式中,导电性构件41的露出部的整个区域在俯视下被夹具盖42覆盖。因此,保护露出部的整个区域免受红外线加热器32的影响。如上所述,露出部以外的导电性构件41的一部分在俯视下被基板W覆盖。因此,能够保护导电性构件41的整体免受红外线加热器32的影响,从而能够防止因加热引起的夹具构件13的变形。
在本实施方式中,芯材40整体的软化温度高于导电性构件41整体的软化温度,因此能够提高夹具构件13整体的耐热性。因此,即使延长红外线加热器32在基板W的上方发热的加热时间,也能够抑制或防止夹具构件13的变形。由此,能够提高夹具构件13的耐久性,从而能够长期可靠地保持基板W。
在本实施方式中,上侧相向部的一例即通电构件44的下表面91a配置在夹具盖42之上,下侧相向部的一例即夹具盖42的钩部88配置于芯材40之下。夹具盖42相对芯材40向上方的移动,通过上侧相向部和夹具盖42的接触来限制。而且,该移动通过下侧相向部和芯材40的接触来限制。因此,即使不使用接合或压入等固定方法将夹具盖42固定在芯材40上,也能够防止夹具盖42浮起。
在本实施方式中,包括主体45及垫圈46的被涂敷构件的外表面整个区域,被芯材40的涂敷层47覆盖。因此,即使由容易产生颗粒的烧结材料形成被涂敷构件,也能够将颗粒阻挡在芯材40的内部。而且,即使由金属形成被涂敷构件,药液等的处理液也不会附着在被涂敷构件上。因此,能够将烧结材料和金属用作被涂敷构件的材料,从而能够提高芯材40的材料的自由度。
在本实施方式中,紧固构件43插入在上下方向上贯通芯材40的紧固构件插入孔51。通电构件44配置于紧固构件43的上方。因此,能够将通电构件44配置于紧固构件43的附近,能够将通电构件44与紧固构件43电连接。而且,通电构件44堵塞紧固构件插入孔51,因此能够保护紧固构件插入孔51内的紧固构件43免受处理液和处理气体等的处理流体的影响。
在本实施方式中,导电性构件41形成有从紧固构件插入孔51向上方延伸的盖插入孔76。通电构件44不仅插入紧固构件插入孔51,还插入盖插入孔76。因此,能够将通电构件44配置于导电性构件41的附近,能够将通电构件44与导电性构件41电连接。
在本实施方式中,不仅芯材40的紧固构件插入孔51被通电构件44堵塞,而且通电构件44的周围的间隙还被包围紧固构件插入孔51的中心线的环状的密封构件94密闭。由此,能够可靠地防止处理液和处理气体等的处理流体进入紧固构件插入孔51内,从而能够可靠地保护紧固构件插入孔51内的紧固构件43免受处理流体的影响。
在本实施方式中,紧固构件43的头部56插入形成于通电构件44的插入孔93。头部56的外周面与插入孔93的内周面接触。由此,能够将紧固构件43及通电构件44可靠地电连接。
在本实施方式中,紧固构件43的头部56插入形成于通电构件44的插入孔93,设置于插入孔93的内螺纹和设置于头部56的外螺纹将通电构件44及紧固构件43相互连结。因此,能够可靠地维持紧固构件43及通电构件44接触的状态。
其他实施方式
本发明并不限于上述的实施方式的内容,在本发明的范围内能够进行各种变更。
例如,在上述的实施方式中,说明了夹具盖42在俯视下覆盖导电性构件41的露出部的整个区域的情况,但是夹具盖42在俯视下也可以仅覆盖露出部的一部分。也可以省略夹具盖42。
芯材40整体的软化温度可以与导电性构件41整体的软化温度相同,也可以低于导电性构件41整体的软化温度。同样地,芯材40整体的强度可以与导电性构件41整体的强度相同,也可以低于导电性构件41整体的强度。
只要能够防止夹具盖42相对导电性构件41浮起,也可以省略通电构件44的上侧相向部(下表面91a)及夹具盖42的下侧相向部(钩部88)中的至少一方。
说明了芯材40的被涂敷构件的外表面整个区域被涂敷层47覆盖的情况,但是只要由药液引起的腐蚀和由颗粒引起的基板W的污染不成为问题,也可以省略涂敷层47的一部分或全部涂敷层。
说明了设置于紧固构件43的头部56的外螺纹安装在设置于通电构件44的插入孔93的内周面的内螺纹上的情况,但是也可以省略外螺纹及内螺纹。即,只要紧固构件43的头部56插入通电构件44的插入孔93内即可。
说明了将通电构件44的周围的间隙用密封构件94密闭的情况,但是只要能够防止处理流体进入紧固构件插入孔51内,也可以省略密封构件94。
在上述的实施方式中,说明了加热基板W及处理液中的至少一方的热源为包括红外线灯33的红外线加热器32的情况,但是也可以将包括通电发热的电热丝的电阻加热器、喷射高于室温的高温的热风的送风机用作热源。也可以省略热源。
在上述的实施方式中,说明了在红外线加热器32停止发光的状态下,进行干燥工序的情况,但是控制装置3也可以与干燥工序并行地使红外线加热器32加热基板W和基板W上的液体。该情况下,控制装置3可以以相对基板W的上表面的光的照射位置在基板W的上表面内移动的方式使红外线加热器32移动,也可以在红外线加热器32静止的状态下使红外线加热器32发光。在任何情况下,通过加热基板W及液体,来促进液体的蒸发,因此能够缩短到基板W干燥为止的时间。
在上述的实施方式中,说明了第一药液喷嘴17、第二药液喷嘴22及冲洗液喷嘴27安装在不同的臂上的情况,但是第一药液喷嘴17、第二药液喷嘴22及冲洗液喷嘴27中的两个以上,也可以安装在共同的臂上。红外线加热器32也可以安装在保持第一药液喷嘴17、第二药液喷嘴22及冲洗液喷嘴27中的至少一个的臂上。
在上述的实施方式中,说明了进行将SPM的液膜保持在基板W上的浸泡工序和排出基板W上的SPM的第一药液排出工序的情况,但是也可以省略浸泡工序及第一药液排出工序中的一方或双方。在浸泡工序被省略的情况下,使用红外线加热器32加热基板W及液体的加热工序,与第一药液供给工序并行进行。
在上述的实施方式中,说明了可动夹具13a以铅垂的夹具转动轴线A2为中心转动的情况,但是可动夹具13a的移动并不限定于以铅垂线为中心转动,可以以水平线为中心转动,也可以直线移动。
在上述的实施方式中,说明了基板处理装置1为对圆板状的基板W进行处理的装置的情况,但是基板处理装置1可以是对液晶显示装置用基板等的多角形的基板W进行处理的装置。
可以组合上述的所有的结构的2个以上。也可以组合上述的所有的工序的2个以上。
本申请对应于2016年6月20日向日本国特许厅提出的特愿2016-121952号,该申请的全部内容通过引用而编入于此。
虽然详细说明了本发明的实施方式,但是这些仅是用于使本发明的技术的内容更明确的具体例,本发明不被这些具体例限定并解释,本发明的精神及范围仅由权利要求书限定。
Claims (11)
1.一种基板处理装置,其中,
包括:
多个夹具构件,通过将基板夹持为水平而将上述基板保持为水平的姿势;
支撑构件,支撑上述夹具构件;
紧固构件,具有导电性,将上述夹具构件紧固在上述支撑构件上;以及
夹具开闭机构,在多个上述夹具构件按压于上述基板的外周部的关闭状态,与解除多个上述夹具构件对上述基板的按压的打开状态之间对多个上述夹具构件进行切换,
多个上述夹具构件中的至少一个包括:
导电性构件,具有导电性,包括按压于上述基板的外周部的基板接触部;
芯材,电阻率高于所述导电性构件的电阻率,支撑上述导电性构件,并利用上述紧固构件紧固在上述支撑构件上;以及
通电构件,形成不通过上述芯材并从上述基板接触部向上述紧固构件延伸的接地路径的一部分,经由上述接地路径使上述基板接地,
所述导电性构件覆盖所述芯材,
所述通电构件与所述紧固构件以及所述导电性构件都接触。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述基板处理装置还包括热源,上述热源配置于由多个上述夹具构件保持的上述基板的上方,
上述导电性构件包括露出部,在多个上述夹具构件按压于上述基板的外周部时,上述露出部在俯视下未被上述基板覆盖,
多个上述夹具构件中的至少一个还包括夹具盖,上述夹具盖安装在上述导电性构件上,在俯视下覆盖上述露出部。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,
上述夹具盖在俯视下覆盖上述露出部的整个区域。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其中,
上述芯材的软化温度高于上述导电性构件的软化温度。
5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其中,
上述通电构件包括上侧相向部,上述上侧相向部从上述夹具盖的上方与上述夹具盖相向,
上述夹具盖包括下侧相向部,上述下侧相向部从上述芯材的下方与上述芯材相向。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述芯材包括:涂敷层,由树脂形成;以及被涂敷构件,由上述涂敷层覆盖外表面整个区域。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述芯材形成有紧固构件插入孔,上述紧固构件插入孔在上下方向上贯通上述芯材,
上述通电构件配置于插入上述紧固构件插入孔的上述紧固构件的上方,堵塞上述紧固构件插入孔。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
上述导电性构件形成有盖插入孔,上述盖插入孔从上述紧固构件插入孔向上方延伸,
上述通电构件插入上述紧固构件插入孔及盖插入孔双方。
9.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
多个上述夹具构件的至少一个还包括环状的密封构件,上述密封构件包围上述紧固构件插入孔的中心线,密闭上述通电构件的周围的间隙。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其中,
上述通电构件形成有插入孔,上述插入孔向上方凹陷而形成,
上述紧固构件包括头部,上述头部插入上述插入孔。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中,
上述通电构件利用设置于上述插入孔的内螺纹和设置于上述头部的外螺纹与上述紧固构件连结。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-121952 | 2016-06-20 | ||
JP2016121952A JP6691836B2 (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107527838A CN107527838A (zh) | 2017-12-29 |
CN107527838B true CN107527838B (zh) | 2020-11-20 |
Family
ID=60748656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710462496.8A Active CN107527838B (zh) | 2016-06-20 | 2017-06-19 | 基板处理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6691836B2 (zh) |
KR (1) | KR101975102B1 (zh) |
CN (1) | CN107527838B (zh) |
TW (1) | TWI676236B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7020986B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2022-02-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板保持装置 |
JP7324043B2 (ja) * | 2019-05-09 | 2023-08-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7337634B2 (ja) | 2019-09-30 | 2023-09-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN112563185B (zh) * | 2021-02-20 | 2021-06-08 | 北京中硅泰克精密技术有限公司 | 静电卡盘及半导体加工设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100350559C (zh) * | 2003-08-05 | 2007-11-21 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
JP2014130901A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
TW201436092A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Applied Materials Inc | 用於靜電夾盤之修理與翻新的方法及裝置 |
TW201513260A (zh) * | 2013-05-13 | 2015-04-01 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理裝置 |
JP2015211201A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN107240565A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-10-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072559A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007234882A (ja) | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板取り扱い方法 |
US8064185B2 (en) * | 2008-09-05 | 2011-11-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck electrical balancing circuit repair |
KR101592058B1 (ko) * | 2010-06-03 | 2016-02-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 장치 |
KR20120008854A (ko) * | 2010-07-20 | 2012-02-01 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
JP5795917B2 (ja) * | 2010-09-27 | 2015-10-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2012166256A1 (en) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck aln dielectric repair |
KR101196441B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2012-11-01 | 이준호 | 정전 척의 리페어 방법 |
JP5832397B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2015-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5833046B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2015-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置および気流異常検出方法 |
-
2016
- 2016-06-20 JP JP2016121952A patent/JP6691836B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-07 TW TW106118874A patent/TWI676236B/zh active
- 2017-06-16 KR KR1020170076660A patent/KR101975102B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-19 CN CN201710462496.8A patent/CN107527838B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100350559C (zh) * | 2003-08-05 | 2007-11-21 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
JP2014130901A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
TW201436092A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-16 | Applied Materials Inc | 用於靜電夾盤之修理與翻新的方法及裝置 |
TW201513260A (zh) * | 2013-05-13 | 2015-04-01 | Screen Holdings Co Ltd | 基板處理裝置 |
JP2015211201A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN107240565A (zh) * | 2016-03-29 | 2017-10-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170142918A (ko) | 2017-12-28 |
KR101975102B1 (ko) | 2019-05-03 |
TWI676236B (zh) | 2019-11-01 |
CN107527838A (zh) | 2017-12-29 |
JP2017228582A (ja) | 2017-12-28 |
TW201810516A (zh) | 2018-03-16 |
JP6691836B2 (ja) | 2020-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102149067B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN107527838B (zh) | 基板处理装置 | |
TWI652755B (zh) | Substrate processing device | |
KR102113360B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR102088539B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
TW201620039A (zh) | 晶圓狀物件之處理方法及設備 | |
KR102185029B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN107665838B (zh) | 基板处理装置 | |
JP6376778B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6028892B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN108701602B (zh) | 基板处理装置 | |
KR20200111111A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP6008384B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5852927B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2015050352A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2013182958A (ja) | 基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |