TWI652755B - Substrate processing device - Google Patents

Substrate processing device Download PDF

Info

Publication number
TWI652755B
TWI652755B TW106118877A TW106118877A TWI652755B TW I652755 B TWI652755 B TW I652755B TW 106118877 A TW106118877 A TW 106118877A TW 106118877 A TW106118877 A TW 106118877A TW I652755 B TWI652755 B TW I652755B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
chuck
heat generating
processing apparatus
generating member
Prior art date
Application number
TW106118877A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201824426A (zh
Inventor
島井基行
林豊秀
波多野章人
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW201824426A publication Critical patent/TW201824426A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI652755B publication Critical patent/TWI652755B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/02—Induction heating
    • H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
    • H05B6/105—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications using a susceptor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

一種基板處理裝置係具備：旋轉基座，係配置於由複數個夾盤構件所夾持的基板之下方，用以將旋轉馬達之動力傳遞至夾盤構件；以及噴嘴，用以將處理基板的處理流體供給至基板之上表面及下表面之至少一方。基板處理裝置的IH加熱機構係包含有發熱構件、加熱線圈及IH電路，該發熱構件係配置於基板與旋轉基座之間，該加熱線圈係配置於旋轉基座之下方，該IH電路係藉由將電力供給至加熱線圈來產生施加於發熱構件的交變磁場以使發熱構件發熱。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板的基板處理裝置。在處理對象的基板中，例如包含有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的製程中係有時一邊進行基板之旋轉及加熱一邊對基板供給處理流體。
在專利文獻1中已有揭示一種以下的技術：一邊用旋轉驅動機構使保持著基板的旋轉夾盤(spin chuch)旋轉，一邊藉由對設置於旋轉夾盤之內部的發熱板施加交變磁場來使發熱板發熱。基板係由從旋轉夾盤之上表面朝向上方突出的複數個保持銷所保持。旋轉夾盤係配置於由複數個保持銷所保持的基板之下方。基板係藉由設置於旋轉夾盤之內部的發熱板所加熱。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特許2007-335709號公報。
在專利文獻1中係使由複數個保持銷所保持的基板配置於旋轉夾盤之上方，且使加熱基板的發熱板設置於旋轉夾盤之內部。因此，基板與發熱板之間的距離會變長。為此，基板的加熱效率會降低。
於是，本發明的目的之一係在於提高一邊進行基板之旋轉及加熱一邊對基板供給處理流體時的基板之加熱效率。
本發明之一實施形態係提供一種基板處理裝置，具備：複數個夾盤構件，係用配置於基板之周圍的複數個夾持部來水平地包夾前述基板，藉此水平地夾持前述基板；旋轉馬達(spin motor)，用以產生使前述基板繞著通過由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板之中央部的鉛直之旋轉軸線旋轉的動力；旋轉基座(spin base)，係配置於由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板之下方，用以將前述旋轉馬達之動力傳遞至前述複數個夾盤構件；處理流體供給單元，用以將處理由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板的處理流體供給至前述基板之上表面及下表面之至少一方；以及IH(induction heating；感應加熱)加熱機構，係包含有發熱構件、加熱線圈及IH電路，該發熱構件係配置於由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述旋轉基座之間，該加熱線圈係配置於前述旋轉基座之下方，該IH 電路係藉由將電力供給至前述加熱線圈來產生施加於前述發熱構件的交變磁場以使前述發熱構件發熱。
依據該構成，基板能由複數個夾盤構件所夾持。旋轉馬達之動力係能經由位於基板之下方的旋轉基座傳遞至複數個夾盤構件。藉此，基板能繞著旋轉軸線旋轉。IH加熱機構的IH電路係在基板旋轉時將電力供給至加熱線圈。藉此，能產生施加於發熱構件的交變磁場，而發熱構件能發熱。處理基板的處理流體係供給至旋轉中的基板。藉此，可以均一地處理基板。
由於發熱構件係藉由感應加熱所加熱，所以沒有必要將對發熱構件供給電力的配線或連接器連接於發熱構件。為此，基板之轉速不會藉由如此的構造而受到限制。更且，加熱基板的發熱構件係配置於基板與旋轉基座之間，而非配置於旋轉基座之內部。從而，與發熱構件配置於旋轉基座之內部的情況相較，可以縮短基板與發熱構件之間隔，且可以提高基板之加熱效率。
在本實施形態中亦可在前述基板處理裝置中增加以下之至少一個的特徵。
前述加熱線圈與前述旋轉基座之上下方向的間隔係比前述加熱線圈之厚度更窄。前述加熱線圈之厚度係意指往上下方向的前述加熱線圈之長度。
依據該構成，加熱線圈能配置於旋轉基座之附近。換句話說，加熱線圈與旋轉基座之上下方向的間隔係比加熱線圈之厚度更窄。加熱線圈係配置於旋轉基座之下方，發 熱構件係配置於旋轉基座之上方。當使加熱線圈接近旋轉基座時，就能縮短從加熱線圈至發熱構件的距離。藉此，由於施加於發熱構件的交變磁場會變強，所以可以將供給至加熱線圈的電力有效率地轉換成發熱構件的熱。
前述旋轉基座之厚度係比前述加熱線圈之厚度更小。
依據該構成，能減低旋轉基座之厚度。換句話說，旋轉基座之厚度係比加熱線圈之厚度更小。當旋轉基座較厚時，不僅從加熱線圈至發熱構件的距離會增加，施加於發熱構件的交變磁場也會變弱。為此，可以藉由減低旋轉基座之厚度來使發熱構件的溫度有效率地上升。
前述旋轉基座之厚度係意指往上下方向的前述旋轉基座之長度。旋轉基座之厚度係指在發熱構件與加熱線圈之間的區域上的旋轉基座之厚度。在其他區域上的旋轉基座之厚度既可與加熱線圈之厚度相等，又可比加熱線圈之厚度還短或還長。
前述發熱構件係與由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板直接相對向。
依據該構成，在基板與發熱構件之間並未夾設其他的構件，而是發熱構件與基板直接相對向。為此，發熱構件的熱能有效率地傳遞至基板。藉此，可以提高基板之加熱效率。
進一步具備：間隔變更機構，係藉由使前述複數個夾盤構件或前述發熱構件朝向上下方向移動，來變更由前述 複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述發熱構件之上下方向的間隔。
依據該構成，間隔變更機構能使複數個夾盤構件與發熱構件朝向上下方向相對地移動。藉此，能變更由複數個夾盤構件所夾持的基板與發熱構件之上下方向的間隔。從而，可以依需要來變更從發熱構件至基板的距離。
前述基板處理裝置係進一步具備：搬運機器人，係用配置於前述基板之下方的手部一邊支撐前述基板一邊將前述基板搬運至前述複數個夾盤構件；前述間隔變更機構係在退避位置與鄰近位置之間使前述複數個夾盤構件或前述發熱構件朝向上下方向移動，該退避位置係指由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述發熱構件之上下方向的間隔比前述手部之厚度更寬的位置，該鄰近位置係指前述間隔比前述手部之厚度更窄的位置。前述手部之厚度係意指往上下方向的前述手部之長度。
依據該構成，在複數個夾盤構件或發熱構件位於退避位置的退避狀態下，搬運機器人係將支撐於手部上的基板置放於複數個夾盤構件之上。其次，搬運機器人係使手部下降且從基板離開。之後，搬運機器人係使手部從基板與發熱構件之間退避開。在基板從複數個夾盤構件取出時係能在退避狀態下將手部插入於基板與發熱構件之間。之後，搬運機器人係使手部上升。藉此，基板能從複數個夾盤構件離開且支撐於手部。
當從加熱效率之觀點來看時，發熱構件較佳是配置於基板之附近。然而，當發熱構件過於接近基板時，就無法使手部進入基板與發熱構件之間，且無法將基板置放於複數個夾盤構件，或從複數個夾盤構件取出。如前述般，基板之遞送係能在退避狀態下進行。另一方面，基板之加熱係在複數個夾盤構件或發熱構件位於鄰近位置的鄰近狀態下進行。從而，可以不使基板之加熱效率降低地進行基板之遞送。
前述間隔變更機構係使前述複數個夾盤構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動；前述複數個夾盤構件係包含有可動夾盤，該可動夾盤係能夠在壓抵於前述基板之外周部的閉合位置與能解除相對於前述基板之外周部的壓抵的開啟位置之間相對於前述旋轉基座移動。
依據該構成，複數個夾盤構件係包含有能夠在閉合位置與開啟位置之間相對於旋轉基座移動的可動夾盤。基板與發熱構件之上下方向的間隔係能藉由使複數個夾盤構件相對於旋轉基座朝向上下方向移動來變更。從而，可動夾盤不僅能夠在閉合位置與開啟位置之間相對於旋轉基座移動，還能夠相對於旋轉基座朝向上下方向移動。如此，由於沒有必要為了變更基板與發熱構件之上下方向的間隔而使發熱構件朝向上下方向移動，所以可以簡化支撐發熱構件的構造。
前述間隔變更機構係使前述發熱構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動。
依據該構成，基板與發熱構件之上下方向的間隔係能藉由使發熱構件相對於旋轉基座朝向上下方向移動來變更。如此，由於沒有必要為了變更基板與發熱構件之上下方向的間隔而使複數個夾盤構件朝向上下方向移動，所以可以簡化支撐複數個夾盤構件的構造。
前述基板處理裝置係進一步具備：磁屏蔽構件，係包含有包圍前述加熱線圈的筒狀之外壁部以及位於前述加熱線圈之下方的下壁部，用以屏蔽藉由對前述加熱線圈供給電力所產生的交變磁場。
依據該構成，吸收磁性的磁屏蔽構件之外壁部係包圍加熱線圈。更且，吸收磁性的磁屏蔽構件之下壁部係位於加熱線圈之下方。從而，可以抑制或消除波及位於加熱線圈之周圍的構件的交變磁場之影響。同樣地可以抑制或消除波及位於加熱線圈之下方的構件的交變磁場之影響。
前述基板處理裝置係進一步具備：溫度計，用以檢測前述發熱構件之溫度；以及控制裝置，係基於前述溫度計之檢測值來控制前述IH加熱機構。
依據該構成，檢測發熱構件之溫度的溫度計之檢測值係輸入於控制裝置。控制裝置係基於該檢測值來控制供給至加熱線圈的電力。藉此，可以使發熱構件之溫度以較高的精度接近目標溫度。
溫度計較佳是以非接觸於發熱構件的方式來檢測發熱構件之溫度的非接觸式溫度計。如此的溫度計之一例為輻射式溫度計，該輻射式溫度計係藉由檢測從物體所釋放出 的紅外線或可視光線之強度來檢測物體的溫度。
前述處理流體供給單元係包含有：下表面噴嘴，係在俯視觀察下配置於朝向上下方向貫通前述發熱構件的貫通孔內，用以朝向由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板之下表面吐出前述處理流體。
依據該構成，下表面噴嘴能朝向基板之下表面吐出處理流體。下表面噴嘴係在俯視觀察下配置於朝向上下方向貫通發熱構件之中央部的貫通孔內。從而，可以抑制或防止從下表面噴嘴所吐出的處理流體妨礙發熱構件。藉此，可以將處理流體確實地供給至基板之下表面。
只要下表面噴嘴是在俯視觀察下配置於發熱構件之貫通孔內，則吐出處理流體的下表面噴嘴之吐出口既可配置於與發熱構件之上表面相等的高度，又可配置於比發熱構件之上表面更高或更低的位置。
前述複數個夾盤構件係包含有：可動夾盤，係能夠在壓抵於前述基板之外周部的閉合位置與能解除相對於前述基板之外周部的壓抵的開啟位置之間，繞著鉛直之夾盤轉動軸線相對於前述旋轉基座移動。夾盤轉動軸線既可為可動夾盤之中心線，又可為與可動夾盤之中心線不同的直線。
依據該構成，可動夾盤能繞著鉛直之夾盤轉動軸線轉動。在此情況下，與夾盤轉動軸線為水平之直線的情況相較，容易減少可動夾盤所通過的空間之體積。特別是在夾盤轉動軸線一致於可動夾盤之中心線的情況下，可以使通過空間之體積一致或大致一致於可動夾盤之體積。
前述複數個夾盤構件係包含有：可動夾盤，係能夠在壓抵於前述基板之外周部的閉合位置與能解除相對於前述基板之外周部的壓抵的開啟位置之間，繞著水平之夾盤轉動軸線相對於前述旋轉基座移動。
前述基板處理裝置係進一步具備：夾盤開閉機構，係藉由使前述可動夾盤在前述閉合位置與前述開啟位置之間移動，而在前述複數個夾持部壓抵於前述基板之外周部的閉合狀態與能解除相對於前述基板的前述複數個夾持部之壓抵的開啟狀態之間，切換前述複數個夾盤構件；前述夾盤開閉機構係包含有：按壓部，係藉由將前述可動夾盤推向上方或下方來使前述可動夾盤移動至前述開啟位置的方向；前述可動夾盤係包含有藉由前述按壓部所推動的被按壓部。
依據該構成，由於夾盤開閉機構之按壓部係接觸於可動夾盤之被按壓部且推動被按壓部，所以可以使可動夾盤確實地開閉。
前述夾盤開閉機構係進一步包含有：開閉致動器，係在前述按壓部接觸於前述被按壓部的上位置與前述按壓部從前述被按壓部朝向下方離開的下位置之間，使前述按壓部朝向上下方向移動。
依據該構成，當夾盤開閉機構的開閉致動器使按壓部上升至上位置為止時，按壓部就會接觸於可動夾盤之被按 壓部且將被按壓部推向上方。藉此，可動夾盤係配置於開啟位置。之後，當開閉致動器使按壓部從上位置下降時，按壓部就會從被按壓部朝向下方離開，而可動夾盤則返回至閉合位置的方向。藉此，可以使可動夾盤在閉合位置與開啟位置之間移動。
前述基板處理裝置係進一步具備：間隔變更機構，係藉由使前述複數個夾盤構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動，來變更由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述發熱構件之上下方向的間隔；前述按壓部係以位於前述被按壓部之上方的方式連結於前述旋轉基座；前述間隔變更機構係包含有：升降致動器，係在前述被按壓部接觸於前述按壓部的上位置與前述被按壓部從前述按壓部朝向下方離開的下位置之間，使前述複數個夾盤構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動。
依據該構成，當升降致動器使複數個夾盤構件上升至上位置為止時，可動夾盤的被按壓部就會接觸於以連結於旋轉基座的按壓部且推向下方。藉此，可動夾盤係配置於開啟位置。之後，當升降致動器使複數個夾盤構件從上位置下降時被按壓部就會從按壓部朝向下方離開，而可動夾盤則返回至閉合位置的方向。如此，由於使複數個夾盤構件相對於旋轉基座進行升降的升降致動器係兼作使可動夾盤移動的開閉致動器，所以不需要專用的開閉致動器。
本發明中的前述之、或更進一步之其他的目的、特徵及功效係能藉由參照附圖而敘述如下的實施形態之說明中 所明白。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
4a‧‧‧底部
5‧‧‧第一藥液噴嘴
6‧‧‧第一藥液配管
7‧‧‧第一藥液閥
8‧‧‧第一噴嘴移動機構
9‧‧‧第二藥液噴嘴
10‧‧‧第二藥液配管
11‧‧‧第二藥液閥
12‧‧‧第二噴嘴移動機構
13‧‧‧沖洗液噴嘴
14‧‧‧第一沖洗液配管
15‧‧‧第一沖洗液閥
16‧‧‧下表面噴嘴
16a‧‧‧圓板部
16b‧‧‧筒狀部
17‧‧‧第二沖洗液配管
18‧‧‧第二沖洗液閥
19‧‧‧溶劑噴嘴
20‧‧‧溶劑配管
21‧‧‧溶劑閥
22‧‧‧氣體噴嘴
23‧‧‧氣體配管
24‧‧‧氣體閥
25‧‧‧第四噴嘴移動機構
26‧‧‧杯體
27‧‧‧環狀承盤
28‧‧‧防濺罩
28A‧‧‧最上方的防濺罩
28a‧‧‧傾斜部
28b‧‧‧導引部
31‧‧‧旋轉夾盤
32‧‧‧夾盤構件
32a‧‧‧可動夾盤
32b‧‧‧固定夾盤
33‧‧‧旋轉基座
33p‧‧‧貫通部
34‧‧‧夾盤開閉機構
35‧‧‧旋轉軸
36‧‧‧旋轉馬達
36a‧‧‧定子
36b‧‧‧轉子
37‧‧‧夾盤外殼
37a‧‧‧下側筒狀部
37b‧‧‧環狀部
37c‧‧‧上側筒狀部
38‧‧‧夾盤頭
38a‧‧‧夾持部
38b‧‧‧支撐部
39‧‧‧基軸
41‧‧‧環狀密封
42‧‧‧滑動軸承
44‧‧‧滾動軸承
51‧‧‧線圈彈簧
52‧‧‧殼體
53‧‧‧保持部
54‧‧‧保持孔
55‧‧‧隨動磁鐵
56‧‧‧驅動磁鐵
57‧‧‧開閉致動器
61‧‧‧間隔變更機構
62‧‧‧升降構件
62p‧‧‧貫通部
63‧‧‧裙部
64‧‧‧導引構件
64a‧‧‧導引軸
64b‧‧‧導引止動件
65‧‧‧貫通孔
66‧‧‧升降驅動單元
67‧‧‧隨動磁鐵
68‧‧‧驅動磁鐵
69‧‧‧升降致動器
71‧‧‧IH加熱機構
72‧‧‧發熱構件
72a‧‧‧板狀部
72b‧‧‧腳部
72c‧‧‧貫通孔
72p‧‧‧貫通部
73‧‧‧加熱線圈
73I‧‧‧內線圈
73O‧‧‧外線圈
74‧‧‧IH電路
75‧‧‧溫度計
76‧‧‧透明構件
77‧‧‧磁屏蔽構件
77a‧‧‧外壁部
77b‧‧‧下壁部
78‧‧‧支撐構件
281‧‧‧支撐軸
282‧‧‧支撐孔
283‧‧‧內側突出部
284‧‧‧推桿
285‧‧‧環狀密封
384‧‧‧推桿
386‧‧‧外側突出部
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧夾盤轉動軸線
D1‧‧‧從發熱構件至基板之 距離
D2‧‧‧加熱線圈與旋轉基座 之上下方向的間隔
H1‧‧‧手部
R1‧‧‧搬運機器人
RI‧‧‧內側環狀區域
RO‧‧‧外側環狀區域
T1‧‧‧手部之厚度
T2‧‧‧加熱線圈之厚度
T3‧‧‧旋轉基座之厚度
W‧‧‧基板
圖1係水平地觀察本發明之第一實施形態的基板處理裝置中所具備的腔室(chamber)之內部的示意圖。
圖2係顯示沿著圖3所示之II-II線的旋轉夾盤之鉛直剖面的示意圖。
圖3係旋轉夾盤的示意俯視圖。
圖4係顯示沿著圖2所示之IV-IV線的旋轉夾盤之水平剖面的示意圖。
圖5係顯示針對設置於旋轉夾盤的夾盤開閉機構加以說明用的鉛直剖面的示意圖。
圖6A係針對基板之遞送加以說明用的示意圖。
圖6B係針對基板之遞送加以說明用的示意圖。
圖7係顯示針對設置於旋轉夾盤的IH加熱機構加以說明用的鉛直剖面之示意圖。
圖8係針對加熱線圈之配置加以說明用的示意俯視圖。
圖9係針對藉由基板處理裝置所執行的基板之處理之一例加以說明用的工序圖。
圖10A係顯示在圖9所示的基板之處理之一例中對基板供給SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸與過氧化氫水的混合液)之狀態的示意圖。
圖10B係顯示在圖9所示的基板之處理之一例中對基板供給純水之狀態的示意圖。
圖10C係顯示在圖9所示的基板之處理之一例中對基板供給SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture；氨水與過氧化氫水與水的混合液)之狀態的示意圖。
圖10D係顯示在圖9所示的基板之處理之一例中對基板供給IPA(Isopropyl Alcohol；異丙醇)之狀態的示意圖。
圖10E係顯示在圖9所示的基板之處理之一例中從基板去除IPA之狀態的示意圖。
圖10F係顯示在圖9所示的基板之處理之一例中使基板乾燥之狀態的示意圖。
圖11係顯示本發明之第二實施形態之包含有可動夾盤之鉛直剖面的示意圖。
圖12係顯示沿著圖11所示之XII-XII線的水平剖面的示意圖。
圖13係顯示本發明之第三實施形態之包含有可動夾盤的鉛直剖面的示意圖。
圖14係顯示圖13所示之XIV-XIV線的水平剖面的示意圖。
圖15係顯示本發明之第四實施形態的旋轉夾盤之鉛直剖面的示意圖。
[第一實施形態]
圖1係水平地觀察本發明之第一實施形態的基板處理裝置1中所具備的腔室4之內部的示意圖。
基板處理裝置1係指逐片處理半導體晶圓等的圓板狀 之基板W的單片式之裝置。基板處理裝置1係包含有：處理單元2，係用處理液或處理氣體等的處理流體來處理基板W；搬運機器人(robot)R1(參照圖3)，用以將基板W搬運至處理單元2；以及控制裝置3，用以控制基板處理裝置1。控制裝置3係指包含有記憶體(memory)及處理器(processor)的電腦(computer)，該記憶體係記憶程式等的資訊，該處理器係按照記憶於記憶體的資訊來控制基板處理裝置1。
處理單元2係包含有：箱形之腔室4，係具有內部空間；旋轉夾盤31，係使一片的基板W在腔室4內一邊保持於水平，一邊繞著通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1旋轉；複數個噴嘴，用以朝向由旋轉夾盤31所保持的基板W吐出各種的流體；以及筒狀之杯體(cup)26，係包圍旋轉夾盤31之周圍。
複數個噴嘴係包含有朝向基板W之上表面吐出藥液的第一藥液噴嘴5及第二藥液噴嘴9。第一藥液噴嘴5係連接於夾設有第一藥液閥7的第一藥液配管6。同樣地，第二藥液噴嘴9係連接於夾設有第二藥液閥11的第二藥液配管10。當第一藥液閥7開啟時，就能從第一藥液配管6對第一藥液噴嘴5供給藥液且從第一藥液噴嘴5吐出。當第一藥液閥7關閉時，就停止來自第一藥液噴嘴5的藥液之吐出。有關第二藥液噴嘴11亦為同樣。
從第一藥液噴嘴5所吐出的藥液(第一藥液)之具體例為SPM。從第二藥液噴嘴9所吐出的藥液(第二藥液)之具 體例為SC1。第一藥液亦可為磷酸。第一藥液係除了SPM及磷酸以外，亦可為包含有硫酸、硝酸、鹽酸、氟酸、磷酸、醋酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸(citric acid)、草酸鹽(oxalate)等)、有機鹼(alkali)(例如，TMAH：tetramethylammonium hydroxide；氫氧化四甲基銨等)、界面活性劑以及防腐劑之至少一個的液體。有關第二藥液亦為同樣。
第一藥液噴嘴5係連接於使第一藥液噴嘴5移動的第一噴嘴移動機構8。第二藥液噴嘴9係連接於使第二藥液噴嘴9移動的第二噴嘴移動機構12。第一噴嘴移動機構8係使第一藥液噴嘴5在處理位置與待機位置之間移動，該處理位置係指第一藥液著液於基板W之上表面的位置，該待機位置係指第一藥液噴嘴5在俯視觀察下位於杯體26之周圍的位置。更且，第一噴嘴移動機構8係藉由使第一藥液噴嘴5水平地移動來使第一藥液的著液位置在基板W之上表面內移動。有關第二噴嘴移動機構12亦為同樣。
複數個噴嘴係包含有朝向基板W之上表面中央部將沖洗液向下吐出的沖洗液噴嘴13。沖洗液噴嘴13係固定於腔室4。沖洗液噴嘴13亦可連接於使沖洗液噴嘴13移動的第三噴嘴移動機構。沖洗液噴嘴13係連接於夾設有第一沖洗液閥15的第一沖洗液配管14。從沖洗液噴嘴13所吐出的沖洗液之具體例為純水(去離子水)。沖洗液亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如，10ppm至100ppm左右)的鹽酸水等之純水以外的沖洗液。
複數個噴嘴係包含有朝向基板W之下表面中央部將沖洗液向上吐出的下表面噴嘴16。下表面噴嘴16係固定於腔室4。下表面噴嘴16係連接於夾設有第二沖洗液閥18的第二沖洗液配管17。從下表面噴嘴16所吐出的沖洗液之具體例為純水。沖洗液亦可為前述之純水以外的沖洗液。又，從下表面噴嘴16所吐出的液體亦可為沖洗液以外的處理液。
下表面噴嘴16係包含有：圓板部16a，係以旋轉基座33之上表面與基板W之下表面之間的高度來保持於水平；以及筒狀部16b，係從圓板部16a沿著旋轉軸線A1朝向下方延伸。圓板部16a係包圍旋轉軸線A1的圓環狀，且具有比基板W之直徑更小的外徑。筒狀部16b之外徑係比圓板部16a之外徑更小。筒狀部16b係插入於在旋轉基座33之上表面中央部所開設的貫通孔。下表面噴嘴16之吐出口係在圓板部16a之上表面中央部開口。下表面噴嘴16之吐出口係朝向上下方向與基板W之下表面中央部相對向。
複數個噴嘴係包含有：溶劑噴嘴19，係朝向基板W之上表面吐出IPA(液體)；以及氣體噴嘴22，係朝向基板W之上表面吐出氣體。溶劑噴嘴19係連接於夾設有溶劑閥21的溶劑配管20。IPA係沸點比水更低，揮發性比水更高，表面張力比水更小。氣體噴嘴22係連接於夾設有氣體閥24的氣體配管23。從氣體噴嘴22所吐出的氣體之具體例為氮氣。氣體既可為氮氣以外的惰性氣體，又可為惰性氣體以外的氣體。
溶劑噴嘴19係連接於使溶劑噴嘴19在處理位置與待機位置之間移動的第四噴嘴移動機構25。氣體噴嘴22亦連接於第四噴嘴移動機構25。氣體噴嘴22亦可連接於與第四噴嘴移動機構25不同的第五噴嘴移動機構。第四噴嘴移動機構25係使溶劑噴嘴19及氣體噴嘴22在溶劑噴嘴19及氣體噴嘴22已鄰近於基板W之上表面的處理位置與處理位置之上方的待機位置之間進行升降。第四噴嘴移動機構25亦可為使溶劑噴嘴19及氣體噴嘴22水平地移動的機構。
杯體26係包含有：複數個防濺罩28，用以接住從基板W朝向外側排出的液體；以及複數個環狀承盤27，用以接住藉由防濺罩28朝向下方導引的液體。複數個防濺罩28係包圍旋轉夾盤31。防濺罩28係包含有：筒狀之傾斜部28a，係面向旋轉軸線A1而朝向斜上方延伸；以及圓筒狀之導引部28b，係從傾斜部28a之下端部(外端部)朝向下方延伸。傾斜部28a係包含有具有比基板W及旋轉基座33更大之內徑的圓環狀之上端。傾斜部28a之上端係相當於杯體26之上端。複數個導引部28b係分別配置於複數個環狀承盤27之上方。
未圖示的罩升降單元係使防濺罩28在上位置與下位置之間鉛直地升降，該上位置係指傾斜部28a之上端位於比可供由複數個夾盤構件32夾持基板W的夾持位置更上方的位置，該下位置係指傾斜部28a之上端位於比夾持位置更下方的位置。在藥液或沖洗液等的液體供給至基板W 時，防濺罩28係配置於上位置。從基板W朝向外側飛散的液體係在藉由傾斜部28a接住之後，藉由導引部28b集中於環狀承盤27內。控制裝置3係藉由控制罩升降單元來使依供給至基板W的液體之種類所選出的任一個防濺罩28與基板W之外周面相對向。
其次，針對旋轉夾盤31加以說明。
圖2係顯示沿著圖3所示之II-II線的旋轉夾盤31之鉛直剖面的示意圖。圖3係旋轉夾盤31的示意俯視圖。圖4係顯示沿著圖2所示之IV-IV線的旋轉夾盤31之水平剖面的示意圖。圖5係顯示針對設置於旋轉夾盤31的夾盤開閉機構34加以說明用的鉛直剖面的示意圖。在圖4中係用黑色來塗滿驅動磁鐵56及驅動磁鐵68的露出部分。圖5係顯示可動夾盤32a位於開啟位置的狀態。
如圖2所示，旋轉夾盤31係包含有：圓板狀之旋轉基座33，係保持於水平；複數個夾盤構件32，係在旋轉基座33之上方水平地夾持基板W；夾盤開閉機構34，用以使複數個夾盤構件32開閉；以及旋轉馬達36，係藉由使旋轉基座33及夾盤構件32繞著旋轉軸線A1旋轉來使由複數個夾盤構件32所夾持的基板W旋轉。旋轉基座33，例如是具有比基板W之直徑更大之外徑的實心之圓板。
旋轉馬達36為包含有轉子(rotor)36b及定子(stator)36a的伺服馬達(servo motor)。轉子36b係經由從旋轉基座33朝向下方延伸的旋轉軸35連結於旋轉基座33。定子36a係包圍轉子36b。轉子36b及定子36a係配置於夾盤外殼 (chuck housihg)37內。旋轉馬達36及夾盤外殼37係配置於旋轉基座33之下方。夾盤外殼37係包含有：筒狀之下側筒狀部37a，係從腔室4之底部4a朝向上方延伸；環狀部37b，係從下側筒狀部37a之上端部朝向內側延伸；以及上側筒狀部37c，係從環狀部37b之內端朝向上方延伸。
夾盤構件32係從旋轉基座33之上表面朝向上方突出。如圖3所示，複數個夾盤構件32係隔出間隔地配置於旋轉軸線A1之周圍。複數個夾盤構件32係包含有：複數個可動夾盤32a，係能夠相對於後面所述的升降構件62移動；以及複數個固定夾盤32b，係固定於升降構件62。複數個可動夾盤32a係在其等之間不包夾固定夾盤32b地排列於圓周方向。可動夾盤32a係能夠在夾持部38a壓抵於基板W之外周面的閉合位置與夾持部38a從基板W之外周面離開的開啟位置之間，相對於旋轉基座33及升降構件62繞著鉛直之夾盤轉動軸線A2旋轉。
如圖5所示，可動夾盤32a係包含有：夾盤頭(chuck head)38，係接觸於基板W；以及基軸(base shaft)39，係從夾盤頭38朝向下方延伸。有關固定夾盤32b亦為同樣(參照圖6A)。夾盤頭38及基軸39既可為各別的構件，又可為一體的構件。夾盤頭38係包含有：支撐部38b，用以從下方支撐基板W；以及夾持部38a，係壓抵於基板W之外周部。夾持部38a係包含有形成朝向內側所開設的剖面V字狀之收容槽的二個槽內面。支撐部38b係包含有面向旋轉軸線A1而從夾持部38a朝向斜下方延伸的傾斜面。支撐 部38b及夾持部38a係配置於旋轉基座33之上方。夾持部38a係配置於基板W之周圍。支撐部38b係配置於基板W之下方。
基軸39係朝向上下方向延伸的圓柱狀。基軸39係插入於朝向上下方向貫通旋轉基座33的貫通部33p。往貫通部33p的液體之進入係能藉由包圍夾盤構件32的環狀密封41來防止。基軸39係經由已配置於貫通部33p內的滑動軸承42來支撐於旋轉基座33。可動夾盤32a及固定夾盤32b中之任一個的基軸39亦能夠相對於旋轉基座33朝向上下方向移動。固定夾盤32b的基軸39係固定於升降構件62。可動夾盤32a的基軸39係能夠相對於升降構件62而繞著夾盤轉動軸線A2旋轉。
可動夾盤32a的基軸39係插入於朝向上下方向貫通升降構件62的貫通部62p。可動夾盤32a的基軸39係從升降構件62朝向下方突出。可動夾盤32a的基軸39係經由已配置於貫通部62p內的滾動軸承44來支撐於升降構件62。可動夾盤32a係能夠相對於升降構件62而繞著相當於夾盤轉動軸線A2的基軸39之中心線旋轉。使升降構件62朝向上下方向移動之力係能經由滾動軸承44傳遞至可動夾盤32a。可動夾盤32a係與升降構件62一起朝向上下方向移動。
搬運機器人R1係在各個可動夾盤32a位於開啟位置的狀態下將手部H1上的基板W置放於各個夾盤構件32的支撐部38b之上。在此狀態下，當夾盤開閉機構34使各個可 動夾盤32a移動至閉合位置的方向時，就能一邊藉由複數個支撐部38b使基板W往上撐，一邊使複數個夾持部38a接近基板W之外周部。藉此，全部的夾盤構件32之支撐部38b會從基板W離開，且全部的夾盤構件32之夾持部38a會壓抵於基板W之外周部。在此狀態下，當夾盤開閉機構34使各個可動夾盤32a移動至開啟位置的方向時，全部的夾盤構件32之夾持部38a就會從基板W離開，且全部的夾盤構件32之支撐部38b會與基板W之外周部相接觸。
如圖5所示，夾盤開閉機構34係包含有：開啟機構，用以使複數個可動夾盤32a移動至開啟位置的方向；以及閉合機構，用以使複數個可動夾盤32a移動至閉合位置的方向。閉合機構係包含有分別盤繞著於複數個可動夾盤32a的複數個線圈彈簧(coil spring)51。開啟機構係包含有：複數個隨動磁鐵55，係分別固定於複數個可動夾盤32a；以及驅動磁鐵56，係藉由使複數個隨動磁鐵55移動來使複數個可動夾盤32a移動至開啟位置的方向。
線圈彈簧51係盤繞著於可動夾盤32a的基軸39。線圈彈簧51係配置於升降構件62之下方。線圈彈簧51係收容於已安裝於升降構件62的殼體(casing)52。線圈彈簧51的一端部係插入於已固定在升降構件62上的保持部53之插入孔。線圈彈簧51的另一端部係插入於在可動夾盤32a之外周面所開設的保持孔54。線圈彈簧51的一端部係能限制相對於升降構件62的移動。線圈彈簧51的另一端部係 能限制相對於可動夾盤32a的移動。
線圈彈簧51係將可動夾盤32a保持於原點位置。圖5係顯示可動夾盤32a位於開啟位置的狀態。原點位置、開啟位置及閉合位置係指繞著夾盤轉動軸線A2之旋轉角不同的各別之位置。閉合位置係就可動夾盤32a之旋轉方向而言為原點位置及開啟位置之間的位置。當使可動夾盤32a從原點位置轉動至開啟位置時，線圈彈簧51就會彈性變形且產生使可動夾盤32a返回至原點位置的復原力。藉此，能產生使可動夾盤32a移動至閉合位置的方向之力。
複數個隨動磁鐵55係分別配置於複數個殼體52內。驅動磁鐵56係配置於夾盤外殼37內。驅動磁鐵56係藉由殼體52及夾盤外殼37從隨動磁鐵55隔開。驅動磁鐵56係配置於比隨動磁鐵55更內側。驅動磁鐵56係配置於比旋轉馬達36更外側。驅動磁鐵56亦可配置於隨動磁鐵55的正下方。
如圖4所示，驅動磁鐵56係沿著包圍旋轉軸線A1的圓所配置。驅動磁鐵56係在俯視觀察下朝向徑向與任一個隨動磁鐵55相對向。驅動磁鐵56係在俯視觀察下為環狀。驅動磁鐵56既可為連續及於全周的環，又可包含有配置於包圍旋轉軸線A1之圓周上的複數個磁鐵。
如圖2所示，夾盤開閉機構34的開啟機構係除了驅動磁鐵56及隨動磁鐵55以外，還包含有：開閉致動器57，係藉由使驅動磁鐵56移動來變更隨動磁鐵55與驅動磁鐵56之間隔。作用於隨動磁鐵55與驅動磁鐵56之間的磁力 之強度係能按照隨動磁鐵55與驅動磁鐵56之間隔來變更。
開閉致動器57係配置於夾盤外殼37內。開閉致動器57係在上位置(圖2中之二點鏈線所示的位置)與下位置(圖2中之實線所示的位置)之間使驅動磁鐵56朝向上下方向移動。上位置係指作用於驅動磁鐵56及隨動磁鐵55之間的磁力(引力或斥力)高於線圈彈簧51之復原力，且可動夾盤32a配置於開啟位置的位置。下位置係指作用於驅動磁鐵56及隨動磁鐵55之間的磁力(引力或斥力)低於線圈彈簧51之復原力，且可動夾盤32a配置於閉合位置的位置。
開閉致動器57為氣缸。開閉致動器57亦可具備電動馬達以及將電動馬達之旋轉轉換成往上下方向的驅動磁鐵56之移動的滾珠螺桿及滾珠螺帽，來取代氣缸。開閉致動器57係包含有：桿(rod)，係朝向氣缸之軸向延伸；活塞(piston)，係連結於桿；以及筒狀之缸管(cylinder tube)，用以包圍桿及活塞。驅動磁鐵56係連結於氣缸的桿。驅動磁鐵56係與氣缸的桿一起朝向上下方向移動。
如圖2所示，旋轉夾盤31係包含有：間隔變更機構61，係藉由使複數個夾盤構件32相對於旋轉基座33進行升降來變更由複數個夾盤構件32所夾持的基板W與後面所述的發熱構件72之上下方向的間隔。間隔變更機構61係包含有：升降構件62，用以支撐複數個夾盤構件32；複數個導引構件64，用以將升降構件62朝向上下方向導引；以及升降驅動單元66，用以產生使升降構件62朝向上下 方向移動的動力。
升降構件62係包圍旋轉軸線A1的圓環狀。升降構件62係包圍夾盤外殼37。升降構件62係配置於旋轉基座33之下方。升降構件62係由固定於旋轉基座33的筒狀之裙部(skirt)63所包圍。升降構件62係配置於夾盤外殼的環狀部37b之上方。複數個夾盤構件32係從升降構件62之上表面朝向上方突出。當升降構件62朝向上下方向移動時，全部的夾盤構件32就會與升降構件62一起朝向上下方向移動。
如圖4所示，複數個導引構件64係隔出間隔地排列於圓周方向。導引構件64係包含有：導引軸(guide shaft)64a，係朝向上下方向延伸；以及導引止動件(guide stopper)64b，係在俯視觀察下比導引軸64a更大。導引軸64a係插入於朝向上下方向貫通升降構件62的貫通孔65。導引止動件64b係配置於升降構件62之下方。導引止動件64b係在俯視觀察下比升降構件62的貫通孔65更大。
如圖2所示，導引軸64a係從旋轉基座33朝向下方延伸。導引軸64a係固定於旋轉基座33。導引止動件64b係固定於導引軸64a。升降構件62係配置於旋轉基座33與導引止動件64b之間。升降構件62係能夠在下位置與上位置之間相對於旋轉基座33朝向上下方向移動，該下位置係指升降構件62之下表面與導引止動件64b相接觸的位置，該上位置係指升降構件62從導引止動件64b朝向上方離開的位置。
升降驅動單元66，例如是利用磁力來使升降構件62升降的磁力產生單元。磁力產生單元係包含有：隨動磁鐵67，係固定於升降構件62；驅動磁鐵68，係藉由使隨動磁鐵67上升來使升降構件62上升；以及升降致動器69，係藉由使驅動磁鐵68朝向上下方向移動來變更作用於隨動磁鐵67與驅動磁鐵68之間的磁力之強度。
隨動磁鐵67係固定於升降構件62。隨動磁鐵67係與升降構件62一起朝向上下方向移動。隨動磁鐵67係配置於夾盤外殼37之外側。驅動磁鐵68及升降致動器69係配置於夾盤外殼37之中。驅動磁鐵68係藉由夾盤外殼37從隨動磁鐵67隔開。
驅動磁鐵68係配置於比旋轉馬達36更外側。驅動磁鐵68係配置於比隨動磁鐵67更下方。驅動磁鐵68係經由夾盤外殼37朝向上下方向與隨動磁鐵67相對向。驅動磁鐵68係在俯視觀察下重疊於隨動磁鐵67之至少一部分。驅動磁鐵68亦可在俯視觀察下不重疊於隨動磁鐵67。
如圖4所示，隨動磁鐵67及驅動磁鐵68都是沿著包圍旋轉軸線A1的圓所配置。隨動磁鐵67係在俯視觀察下為圓弧狀。驅動磁鐵68係在俯視觀察下為環狀。驅動磁鐵68既可為連續及於全周的環，又可包含有配置於包圍旋轉軸線A1之圓周上的複數個磁鐵。間隔變更機構61的驅動磁鐵68和夾盤開閉機構34的驅動磁鐵56係配置於從旋轉軸線A1起算之距離為不同之各別的位置。
如圖2所示，升降致動器69為氣缸。升降致動器69 亦可具備電動馬達以及將電動馬達之旋轉轉換成往上下方向的驅動磁鐵68之移動的滾珠螺桿及滾珠螺帽，來取代氣缸。升降致動器69係包含有：桿，係朝向氣缸之軸向延伸；活塞，係連結於桿；以及筒狀之缸管，用以包圍桿及活塞。驅動磁鐵68係連結於氣缸的桿。驅動磁鐵68係與氣缸的桿一起朝向上下方向移動。
升降致動器69係在上位置(圖2中之二點鏈線所示的位置)與下位置(圖2中之實線所示的位置)之間使驅動磁鐵68朝向上下方向移動。當驅動磁鐵68上升至上位置的方向時，隨動磁鐵67就藉由作用於隨動磁鐵67與驅動磁鐵68之間的磁力(反作用力)往上撐。伴之，升降構件62會上升。當驅動磁鐵68到達上位置時，升降構件62就會配置於上位置。當驅動磁鐵68從上位置下降至下位置時，各個導引構件64的導引止動件64b就會接觸於升降構件62，而升降構件62會配置於下位置。
全部的夾盤構件32係伴隨升降構件62之升降而在上位置與下位置之間移動。後面所述的發熱構件72係配置於由複數個夾盤構件32之支撐部38b所支撐的基板W之下方。夾盤構件32之上位置係指基板W及發熱構件72相互地離開的退避位置。夾盤構件32之下位置係指基板W及發熱構件72相互地鄰近的鄰近位置。
在複數個夾盤構件32位於與鄰近位置對應的下位置時，距離D1(參照圖7)係比從基板W之下方支撐基板W的搬運機器人R1的手部H1之厚度T1更小，該距離D1係指 從發熱構件72之上表面至由複數個夾盤構件32所夾持的基板W之下表面為止的距離。該距離D1，例如是0.1mm至10mm。為此，此時的搬運機器人R1係無法將基板W置放於複數個夾盤構件32之上，或從複數個夾盤構件32取出基板W。
圖6A至圖6B係針對在旋轉夾盤31與搬運機器人R1之間的基板W之遞送加以說明用的示意圖。
在搬運機器人R1將基板W置放於複數個夾盤構件32之上時，如圖6A所示，升降致動器69係使複數個夾盤構件32位於上位置，開閉致動器57係使可動夾盤32a位於開啟位置。如圖6B所示，在此狀態下，由手部H1所支撐的基板W係能置放於複數個夾盤32的支撐部38b。之後，搬運機器人R1係以機械人H1不接觸於發熱構件72的移動量使手部H1朝向下方移動。藉此，手部H1會從基板W離開。接著，搬運機器人R1係使手部H1從基板W與發熱構件72之間退避開。
開閉致動器57係在搬運機器人R1的手部H1從基板W之下方退避開之後，使可動夾盤32a移動至原點位置的方向。此時，可動夾盤32a係不會到達原點位置而是在做為原點位置之前方位置的閉合位置停止。藉此，可動夾盤32a的夾持部38a能利用線圈彈簧51之復原力壓抵於基板W之外周部。伴之，固定夾盤32b的夾持部38a亦能壓抵於基板W之外周部。藉此，基板W能由複數個夾盤構件32所夾持。
在搬運機器人R1從複數個夾盤構件32取出基板W時，升降致動器69係使複數個夾盤構件32移動至上位置。之後，開閉致動器57係使可動夾盤32a移動至開啟位置。藉此，如圖6B所示，全部的夾盤構件32之夾持部38a會從基板W之外周部離開，而全部的夾盤構件32之支撐部38b會與基板W之外周部相接觸。在此狀態下，搬運機器人R1係將手部H1插入於基板W與發熱構件72之間，且使手部H1朝向上方移動。如圖6A所示，在此過程中，基板W係從全部的夾盤構件32之支撐部38b離開且由搬運機器人R1的手部H1所支撐。
其次，針對從下方加熱基板W的IH加熱機構71加以說明。
圖7係顯示針對設置於旋轉夾盤31的IH加熱機構71加以說明用的鉛直剖面之示意圖。圖8係針對加熱線圈73之配置加以說明用的示意俯視圖。
如圖7所示，旋轉夾盤31係包含有：IH加熱機構71，用以加熱由複數個夾盤構件32所保持的基板W。IH加熱機構71係包含有：發熱構件72，用以加熱基板W；加熱線圈73，係供給有電力；以及IH電路74，係藉由對加熱線圈73供給電力來產生施加於發熱構件72的交變磁場以使發熱構件72發熱。IH加熱機構71係進一步包含有：磁屏蔽構件77，用以保護發熱構件72以外的構件不受交變磁場影響；以及支撐構件78，用以支撐加熱線圈73。
發熱構件72係指伴隨起因於交變磁場的渦電流之產 生而產生焦耳熱的導體。發熱構件72亦被稱為加熱台(susceptor)。發熱構件72之至少表面係由具有耐藥品性的材料所形成。同樣地，旋轉基座33之至少表面係由具有耐藥品性的材料所形成。亦即，與藥液相接觸之全部的部分係由具有耐藥品性的材料所形成。此針對夾盤構件32等之發熱構件72及旋轉基座33以外的構件而言亦為同樣。
發熱構件72既可為一體化後的複數個構件，又可為單一的一體構件。例如，發熱構件72既可包含有碳製的芯材和覆蓋芯材之表面的碳化矽(SiC)製的塗布層，又可由玻璃狀碳(Glassy carbon)所形成。發熱構件72亦可由金屬等之此等以外的材料所形成。又，為了防止交變磁場之影響及於基板W之表面上所形成的元件(device)，亦可用屏蔽磁場的鐵等之軟磁性材料來形成發熱構件72之至少一部分。
發熱構件72係包含有配置於基板W與旋轉基座33之間的板狀部72a。板狀部72a例如是包圍旋轉軸線A1的圓環狀。板狀部72a之厚度(上下方向之長度)係比旋轉基座33之厚度T3更小。板狀部72a之上表面及下表面係與基板W之上表面及下表面平行。板狀部72a之下表面係經由空間平行地與旋轉基座33之上表面相對向。從旋轉基座33之上表面至板狀部72a之下表面為止的距離，既可與從板狀部72a之上表面至基板W之下表面為止的距離D1相等，又可比該距離D1更長或更短。
在複數個夾盤構件32夾持著基板W且位於下位置時， 板狀部72a之上表面係鄰近於基板W之下表面。此時，從板狀部72a之上表面至基板W之下表面為止之上下方向的距離D1係比搬運機器人R1的手部H1之厚度T1更短。另一方面，在複數個夾盤構件32夾持著基板W且位於上位置時，從板狀部72a之上表面至基板W之下表面為止之上下方向的距離D1係比搬運機器人R1的手部H1之厚度T1更長。從而，只要是在複數個夾盤構件32位於上位置時，搬運機器人R1就可以將基板W置放於複數個夾盤構件32，或從複數個夾盤構件32取出基板W。
發熱構件72係包含有從板狀部72a朝向下方延伸的複數個腳部72b。腳部72b亦可為旋轉基座33的一部分。亦即，旋轉基座33亦可包含有：圓板部，係具有比基板W之直徑更大的外徑；以及複數個腳部72b，係從圓板部之水平的上表面朝向上方延伸。腳部72b係從板狀部72a之下表面延伸至旋轉基座33之上表面。板狀部72a係藉由複數個腳部72b所支撐。發熱構件72係固定於旋轉基座33。發熱構件72係與旋轉基座33一起繞著旋轉軸線A1旋轉。
如圖3所示，複數個夾盤構件32係分別插入於發熱構件72之複數個貫通部72p。貫通部72p係朝向上下方向貫通發熱構件72之外周部。貫通部72p既可為在板狀部72a之外周面所開設的缺口，又可為全周已封閉的貫通孔。板狀部72a之外周面係位於比夾盤構件32之內端更外側。板狀部72a之外徑，換句話說發熱構件72之外徑係比旋轉基座33之外徑更小，比基板W之外徑更大。發熱構件72之 外徑既可與基板W之外徑相等，又可比基板W之外徑更小。
如圖7所示，加熱線圈73係配置於支撐構件78與旋轉基座33之間。加熱線圈73係從旋轉基座33之下表面朝向下方離開。加熱線圈73係在俯視觀察下以重疊於發熱構件72的方式所配置。加熱線圈73係從發熱構件72離開，且在物理上並未連接於發熱構件72。加熱線圈73係在徑向隔出間隔地包圍旋轉軸35。複數個夾盤構件32係配置於加熱線圈73之周圍。加熱線圈73係從夾盤構件32朝向徑向離開。加熱線圈73之外端係配置於比旋轉馬達36之外周面更外側。
如圖8所示，加熱線圈73係配置於包圍旋轉軸線A1的環狀區域。圖8係顯示互為獨立的二個加熱線圈73分別配置於二個環狀區域之例。二個加熱線圈73係包含有：內線圈73I，係配置於包圍旋轉軸線A1的內側環狀區域RI；以及外線圈73O，係配置於將內側環狀區域RI包圍成同心圓狀的外側環狀區域RO。二個加熱線圈73係分別連接於二個IH電路74。流動於二個加熱線圈73的交流電流之頻率係能藉由二個IH電路74個別地變更。
發熱構件72係配置於在加熱線圈73之近旁所產生的交變磁場內。流動於加熱線圈73的交流電流之頻率係藉由IH電路74所變更。發熱構件72之溫度係藉由流動於加熱線圈73的交流電流之頻率所變更。IH電路74係由控制裝置3所控制。由於設置有互為獨立的二個加熱線圈73，所 以控制裝置3既可以以發熱構件72之溫度成為均一的方式使發熱構件72發熱，又可以以徑向之溫度梯度產生於發熱構件72的方式使發熱構件72發熱。
發熱構件72之溫度係能藉由溫度計75所檢測。圖8係顯示設置有在從旋轉軸線A1起算之距離為不同的二個位置檢測發熱構件72之溫度的二個溫度計75之例。溫度計75之數目既可為一個，又可為三個以上。溫度計75之檢測值係輸入於控制裝置3。控制裝置3係基於溫度計75之檢測值來控制IH電路74，藉此使發熱構件72之溫度接近目標溫度。藉此，發熱構件72能以高精度維持於目標溫度。
如圖7所示，溫度計75係配置於加熱線圈73之下方。溫度計75係經由加熱線圈73之間隙與旋轉基座33相對向。溫度計75係指藉由檢測從物體所輻射出的紅外線或可視光線之強度來檢測物體之溫度的輻射式溫度計。溫度計75係指以非接觸於發熱構件72的方式來檢測發熱構件72之溫度的非接觸式溫度計。溫度計75係經由已由複數個透明構件76所堵塞後的旋轉基座33之複數個檢測窗來檢測發熱構件72之溫度。檢測窗係朝向上下方向貫通旋轉基座33。透明構件76係由使包含有紅外線之光線穿透的透明之材料所形成。
溫度計75係由支撐構件78所支撐。即便發熱構件72與旋轉基座33一起旋轉，溫度計75仍不會旋轉。另一方面，當旋轉基座33旋轉時，設置於旋轉基座33的複數個 檢測窗亦會旋轉。如圖8所示，旋轉基座33之複數個檢測窗係在包圍旋轉軸線A1的圓周上排列於圓周方向。從而，在旋轉基座33旋轉中的幾乎全部期間，複數個檢測窗中之任一個係與溫度計75相對向。為此，即便是在旋轉基座33旋轉中時，溫度計75仍可以檢測發熱構件72之溫度。
如圖7所示，磁屏蔽構件77係包含有：筒狀之外壁部77a，用以包圍加熱線圈73；以及下壁部77b，係位於加熱線圈73之下方。磁屏蔽構件77係由鐵等的軟磁性材料所形成。下壁部77b係位於上下方向上的加熱線圈73與支撐構件78之間。下壁部77b係包圍旋轉軸線A1的圓環狀。外壁部77a係從下壁部77b之外周部朝向上方延伸。外壁部77a係位於徑向上的加熱線圈73與夾盤構件32之間。位於夾盤構件32等的加熱線圈73之近旁的構件係藉由磁屏蔽構件77來屏蔽交變磁場。
支撐構件78係固定於腔室4的底部4a。圖7係顯示支撐構件78由旋轉馬達36的定子36a所支撐之例。支撐構件78係配置於比旋轉馬達36更上方。支撐構件78係包圍旋轉軸線A1的圓環狀。支撐構件78之外徑係比旋轉馬達36之外徑更大。支撐構件78之外周部係位於夾盤外殼37的上側筒狀部37c之上方。旋轉軸35係插入於朝向上下方向貫通支撐構件78之中央部的貫通孔。支撐構件78係在徑向隔出間隔地包圍旋轉軸35。
當控制裝置3開始對加熱線圈73供給電力時，交變磁場就會在加熱線圈73之近旁產生，而發熱構件72會發熱。 伴之，發熱構件72之溫度會急速地上升且維持於發熱構件72之目標溫度或其附近。藉此，基板W之溫度會急速地上升且維持於基板W之目標溫度或其附近。旋轉馬達36之旋轉係經由旋轉軸35及旋轉基座33傳遞至發熱構件72。從而，在控制裝置3使發熱構件72發熱的時候，當旋轉馬達36旋轉時，發熱構件72就會一邊加熱基板W一邊與基板W一起旋轉。
如前述般，發熱構件72的板狀部72a之厚度T1係比旋轉基座33之厚度T3更小。如此，由於發熱構件72較薄，所以可以減少發熱構件72之體積，且可以減少發熱構件72之熱容量。藉此，可以使發熱構件72立即到達目標溫度。更且，在發熱構件72之至少一部分是由碳等之熱傳導率較大的材料所形成的情況下，可以更進一步縮短發熱構件72到達目標溫度為止的時間。此外，亦可以減低發熱構件72之溫度的不均等。
其次，針對藉由基板處理裝置1所執行的基板W之處理之一例加以說明。
圖9係針對藉由基板處理裝置1所執行的基板W之處理之一例加以說明用的工序圖。圖10A至圖10F係顯示執行圖9所示的基板W之處理之一例中所包含的各個工序時的基板W之狀態的示意圖。以下的各個工序係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1所執行。換言之，控制裝置3係以執行以下之各個工序的方式所編程。
在基板處理裝置1處理基板W時係進行將基板W搬 入於腔室4內的搬入工序(圖9的步驟S1)。
具體而言，在基板W搬入於腔室4內之前，全部的防濺罩28係配置於下位置，而包含有第一藥液噴嘴5的全部可動噴嘴係配置於待機位置。更且，全部的夾盤構件32係配置於上位置，全部的可動夾盤32a係配置於開啟位置。在此狀態下，搬運機器人R1係使手部H1進入腔室4內且將手部H1上的基板W置放於複數個夾盤構件32之上。藉此，基板W能搬入於腔室4內且由複數個夾盤構件32的支撐部38b所支撐。
之後，搬運機器人R1係使手部H1從腔室4之內部退避開。又，開閉致動器57係使全部的可動夾盤32a移動至閉合位置。藉此，基板W能從複數個夾盤構件32的支撐部38b離開且由複數個夾盤構件32的夾持部38a所夾持。之後，升降致動器69係使全部的夾盤構件32移動至下位置。接著，旋轉馬達36開始旋轉。旋轉馬達36之旋轉係經由旋轉基座33及夾盤構件32傳遞至基板W。藉此，基板W能繞著旋轉軸線A1旋轉。
其次，如圖10A所示，同時進行將作為藥液之一例的SPM供給至基板W之上表面的第一藥液供給工序(圖9的步驟S2)以及加熱基板W與基板W上之SPM的第一加熱工序(圖9的步驟S3)。
有關第一藥液供給工序，第一噴嘴移動機構8係使第一藥液噴嘴5從待機位置移動至處理位置，罩升降單元係使其中任一個的防濺罩28與基板W之外周部相對向。之 後，第一藥液閥7開啟且第一藥液噴嘴5開始吐出SPM。第一藥液噴嘴5係將比室溫更高溫(例如，140℃)的SPM朝向旋轉中的基板W之上表面吐出。在此狀態下，第一噴嘴移動機構8係藉由使第一藥液噴嘴5移動來使相對於基板W之上表面的SPM之著液位置在中央部與外周部之間移動。當第一藥液閥7開啟之後經過預定時間時，第一藥液閥7就會關閉且停止SPM之吐出。之後，第一噴嘴移動機構8係使第一藥液噴嘴5退避至待機位置。
從第一藥液噴嘴5所吐出的SPM係在著液於基板W之上表面之後藉由離心力沿著基板W之上表面朝向外側流動。為此，SPM能供給至基板W之上表面全區，而覆蓋基板W之上表面全區的SPM之液膜則能形成於基板W上。藉此，阻劑膜(resist film)等的異物能藉由SPM從基板W去除。更且，由於第一噴嘴移動機構8係在基板W旋轉的狀態下使相對於基板W之上表面的SPM之著液位置在中央部與外周部之間移動，所以SPM之著液位置會通過基板W之上表面全區而能掃描基板W之上表面全區。為此，SPM能直接噴吹至基板W之上表面全區，而基板W之上表面全區能獲得均一處理。
有關第一加熱工序，控制裝置3係開始對加熱線圈73供給電力。只要基板W與基板W上的SPM係能藉由發熱構件72所加熱，則電力供給之開始既可與第一藥液閥7開啟同時，又可在第一藥液閥7開啟之前或之後。當開始對加熱線圈73供給電力時，交變磁場就會在加熱線圈73 之近旁產生，而發熱構件72會發熱。然後，當從電力供給之開始經過預定時間時，就停止對加熱線圈73的電力供給。電力供給之停止既可與第一藥液閥7關閉同時，又可在第一藥液閥7關閉之前或之後。
當開始對加熱線圈73供給電力時，發熱構件72就會立即到達預定的高溫。發熱構件72，例如是維持於比第一藥液(SPM)之沸點更高的高溫。發熱構件72之上表面係從基板W之下表面朝向下方離開，若搬運機器人R1的手部H1越無法進入基板W與發熱構件72之間就會越鄰近於基板W之下表面。更且，基板W之全區或大致全區係在俯視觀察下重疊於發熱構件72。為此，能使基板W與基板W上的SPM均一地加熱且能提高SPM的處理能力。藉此，基板W能藉由SPM而有效率地處理。
其次，如圖10B所示，進行將作為沖洗液之一例的純水供給至基板W之上表面及下表面之雙方的第一沖洗液供給工序(圖9的步驟S4)。
具體而言，第一沖洗液閥15開啟而沖洗液噴嘴13開始純水之吐出。藉此，純水能從沖洗液噴嘴13朝向旋轉中的基板W之上表面中央部吐出。已著液於基板W之上表面的純水係沿著基板W之上表面朝向外側流動。基板W上的SPM係能藉由從沖洗液噴嘴13所吐出的純水來沖走。藉此，形成有覆蓋基板W之上表面全區的純水之液膜。當第一沖洗液閥15開啟之後經過預定時間時，第一沖洗液閥15就會關閉且停止純水之吐出。
另一方面，第二沖洗液閥18開啟而下表面噴嘴16開始純水之吐出。藉此，純水能從下表面噴嘴16朝向旋轉中的基板W之下表面中央部吐出。第二沖洗液閥18既可與第一沖洗液閥15同時開啟，又可在第一沖洗液閥15開啟之前或之後開啟。已著液於基板W之下表面的純水係沿著基板W之下表面朝向外側流動。已附著於基板W之下表面的SPM之霧氣(mist)等係能藉由從下表面噴嘴16所吐出的純水來沖走。當第二沖洗液閥18開啟之後經過預定時間時，第二沖洗液閥18就會關閉且停止純水之吐出。
其次，如圖10C所示，進行將作為藥液之一例的SC1供給至基板W之上表面的第二藥液供給工序(圖9的步驟S5)。
具體而言，第二噴嘴移動機構12係使第二藥液噴嘴9從待機位置移動至處理位置，罩升降單元係使與第一藥液供給工序時不同的防濺罩28與基板W之外周部相對向。之後，第二藥液閥11開啟而第二藥液噴嘴9開始SC1之吐出。在此狀態下，第二噴嘴移動機構12係藉由使第二藥液噴嘴9移動來使相對於基板W之上表面的SC1之著液位置在中央部與外周部之間移動。當第二藥液閥11開啟之後經過預定時間時，第二藥液閥11就會關閉且停止SC1之吐出。之後，第二噴嘴移動機構12係使第二藥液噴嘴9退避至待機位置。
從第二藥液噴嘴9所吐出的SC1係在著液於基板W之上表面之後藉由離心力沿著基板W之上表面朝向外側流 動。為此，SC1能供給至基板W之上表面全區，而覆蓋基板W之上表面全區的SC1之液膜能形成於基板W上。藉此，微粒子等的異物能藉由SC1從基板W去除。更且，由於第二噴嘴移動機構12係在基板W旋轉的狀態下使相對於基板W之上表面的SC1之著液位置在中央部與外周部之間移動，所以SC1之著液位置會通過基板W之上表面全區而能掃描基板W之上表面全區。為此，SC1能直接噴吹至基板W之上表面全區，而基板W之上表面全區能獲得均一處理。
其次，如圖10B所示，進行將作為沖洗液之一例的純水供給至基板W之上表面及下表面之雙方的第二沖洗液供給工序(圖9的步驟S6)。
具體而言，第一沖洗液閥15開啟而沖洗液噴嘴13開始純水之吐出。藉此，純水能從沖洗液噴嘴13朝向旋轉中的基板W之上表面中央部吐出。已著液於基板W之上表面的純水係沿著基板W之上表面朝向外側流動。基板W上的SC1係能藉由從沖洗液噴嘴13所吐出的純水來沖走。藉此，形成有覆蓋基板W之上表面全區的純水之液膜。當第一沖洗液閥15開啟之後經過預定時間時，第一沖洗液閥15就會關閉且停止純水之吐出。
另一方面，第二沖洗液閥18開啟而下表面噴嘴16開始純水之吐出。藉此，純水能從下表面噴嘴16朝向旋轉中的基板W之下表面中央部吐出。第二沖洗液閥18既可與第一沖洗液閥15同時開啟，又可在第一沖洗液閥15開啟 之前或之後開啟。已著液於基板W之下表面的純水係沿著基板W之下表面朝向外側流動。已附著於基板W之下表面的SC1之霧氣等係能藉由從下表面噴嘴16所吐出的純水來沖走。當第二沖洗液閥18開啟之後經過預定時間時，第二沖洗液閥18就會關閉且停止純水之吐出。
其次，如圖10D所示，同時進行將作為有機溶劑之一例的IPA(液體)供給至基板W的溶劑供給工序(圖9的步驟S7)以及加熱基板W上之IPA與基板W的第二加熱工序(圖9的步驟S8)。
有關溶劑供給工序，第四噴嘴移動機構25係使溶劑噴嘴19從待機位置移動至處理位置，罩升降單元係使與第一藥液供給工序及第二藥液供給工序時不同的防濺罩28與基板W之外周部相對向。之後，溶劑閥21開啟而溶劑噴嘴19開始IPA之吐出。藉此，IPA能從溶劑噴嘴19朝向旋轉中的基板W之上表面中央部吐出。已著液於基板W之上表面的IPA係沿著基板W之上表面朝向外側流動。基板W上的純水之液膜係能置換成覆蓋基板W之上表面全區的IPA之液膜。當溶劑閥21開啟之後經過預定時間時，溶劑閥21就會關閉且停止溶劑之吐出。
有關第二加熱工序，控制裝置3係開始對加熱線圈73供給電力。只要基板W與基板W上之IPA係能藉由發熱構件72所加熱，則電力供給之開始就既可與溶劑閥21開啟同時，又可在溶劑閥21開啟之前或之後。當開始對加熱線圈73供給電力時，交變磁場就會在加熱線圈73之近旁 產生且能使發熱構件72發熱。藉此，能開始基板W之加熱。然後，當從電力供給之開始經過預定時間時，就停止對加熱線圈73供給電力。對加熱線圈73供給電力，例如是在後面所述的乾燥工序中繼續直至基板W乾燥為止。
當開始對加熱線圈73供給電力時，發熱構件72就會立即到達預定之高溫。發熱構件72之各部係能維持於IPA之沸點以上的溫度。基板W之溫度係在基板W之上表面全區由IPA之液膜所覆蓋的狀態下到達IPA之沸點以上的值。藉此，IPA會在IPA與基板W之上表面的界面蒸發，且在IPA之液膜與基板W之上表面之間形成有氣體層。此時，由於IPA之液膜係從基板W之上表面浮起，所以作用於基板W上的IPA之液膜的摩擦阻力係越使其為零就越小。為此，IPA之液膜係處於容易沿著基板W之上表面滑動的狀態。IPA之液膜係能在以下所述的IPA去除工序中從基板W去除。
在進行溶劑供給工序之後，如圖10E所示，進行從基板W之上方去除IPA的IPA去除工序(圖9的步驟S9)。
具體而言，氣體噴嘴22係在溶劑供給工序中已配置於處理位置。在此狀態下，氣體閥24開啟而氣體噴嘴22開始氮氣之吐出。氣體噴嘴22係朝向由IPA之液膜所覆蓋的基板W之上表面吐出氮氣。又，旋轉馬達36係使基板W朝向旋轉方向加速且以比IPA供給工序時更大的去除轉速來使基板W旋轉。在氣體噴嘴22吐出氮氣時，只要基板W係以去除轉速旋轉，則基板W之加速既可與氣體閥24 開啟同時，又可在氣體閥24開啟之前或之後。氮氣之吐出係在後面所述的乾燥工序中繼續直至基板W乾燥為止。
氣體噴嘴22係在IPA之液膜與基板W之上表面之間形成有氣體層的狀態下，朝向基板W之上表面內的噴吹位置吐出氮氣。位於噴吹位置的IPA係藉由氮氣之供給朝向其周圍推開。藉此，乾燥區域能形成於噴吹位置。更且，由於被氮氣推開的IPA係從噴吹位置朝向其周圍移動，所以會以氮氣之供給為契機而在IPA之液膜上形成有轉向基板W之外周部的向外之流動。更且，由於基板W會與氮氣之供給同時進行而朝向旋轉方向加速，所以該流動能利用離心力來促進。藉此，基板W上的IPA之液膜就不會分裂成多數的小滴而能以塊狀的狀態從基板W排出。為此，可以將從基板W浮起的IPA之液膜在短時間內從基板W飛快地排除。
其次，如圖10F所示，進行藉由以離心力甩開已附著於基板W的液體來使基板W乾燥的乾燥工序(圖9的步驟S10)。
具體而言，旋轉馬達36係使基板W朝向旋轉方向加速且以比去除轉速更大的高轉速(例如數千rpm)使基板W旋轉。藉此，較大的離心力就會施加於已附著於基板W的液體上，且液體能從基板W朝向其周圍甩開。更且，由於發熱構件72係持續著發熱，所以能促進基板W上的液體之蒸發。同樣地，由於氣體噴嘴22係持續著氮氣之吐出，所以能促進基板W上的液體之蒸發。藉此，基板W會在 短時間內乾燥。當基板W之高速旋轉開始之後經過預定時間時，旋轉馬達36就會停止旋轉。又，停止對加熱線圈73供給電力而氣體閥24會關閉。
其次，進行將基板W從腔室4搬出的搬出工序(圖9的步驟S11)。
具體而言，全部的防濺罩28係配置於下位置，包含有第一藥液噴嘴5的全部可動噴嘴係配置於待機位置。更且，全部的夾盤構件32係配置於上位置，全部的可動夾盤32a係配置於開啟位置。當可動夾盤32a移動至開啟位置時，基板W就從夾盤構件32之夾持部38a離開且由夾盤構件32的支撐部38b所支撐。在此狀態下，搬運機器人R1係使手部H1進入基板W與發熱構件72之間且使手部H1上升。在手部H1上升的過程中，基板W係從全部的夾盤構件32之支撐部38b離開且由搬運機器人R1之手部H1所支撐。之後，搬運機器人R1係一邊用手部H1來支撐基板W一邊使手部H1從腔室4之內部退避開。藉此，基板W能從腔室4搬出。
如以上，在本實施形態中，基板W係由複數個夾盤構件32所夾持。旋轉馬達36之動力係經由位於基板W之下方的旋轉基座33傳遞至複數個夾盤構件32。藉此，基板W會繞著旋轉軸線A1旋轉。IH加熱機構71的IH電路74係在基板W旋轉時對加熱線圈73供給電力。藉此，能產生施加於發熱構件72的交變磁場且使發熱構件72發熱。處理基板W的處理流體係供給至旋轉中的基板W。藉此， 可以均一地處理基板W。
由於發熱構件72係藉由感應加熱所加熱，所以沒有必要將對發熱構件72供給電力的配線或連接器連接於發熱構件72。為此，基板W之轉速不會藉由如此的構造而受到限制。更且，加熱基板W的發熱構件72係配置於基板W與旋轉基座33之間，而非配置於旋轉基座33之內部。從而，與發熱構件72配置於旋轉基座33之內部的情況相較，可以縮短基板W與發熱構件72之間隔，且可以提高基板W之加熱效率。
在本實施形態中，加熱線圈73係配置於旋轉基座33之附近。換句話說，如圖7所示，加熱線圈73與旋轉基座33之上下方向的間隔D2係比加熱線圈73之厚度T2更窄。加熱線圈73係配置於旋轉基座33之下方，發熱構件72係配置於旋轉基座33之上方。當使加熱線圈73接近旋轉基座33時，就能縮短從加熱線圈73至發熱構件72的距離。藉此，由於施加於發熱構件72的交變磁場會變強，所以可以將供給至加熱線圈73的電力有效率地轉換成發熱構件72的熱。
在本實施形態中，能減低旋轉基座33之厚度T3。換句話說，旋轉基座33之厚度T3係比加熱線圈73之厚度T2更小。當旋轉基座33較厚時，不僅從加熱線圈73至發熱構件72的距離會增加，施加於發熱構件72的交變磁場也會變弱。為此，可以藉由減低旋轉基座33之厚度T3來使發熱構件72的溫度有效率地上升。
在本實施形態中，在基板W與發熱構件72之間並未夾設其他的構件，而是發熱構件72與基板W直接相對向。為此，發熱構件72的熱能有效率地傳遞至基板W。藉此，可以提高基板W之加熱效率。
在本實施形態中，間隔變更機構61能使複數個夾盤構件32與發熱構件72朝向上下方向相對地移動。藉此，能變更由複數個夾盤構件32所夾持的基板W與發熱構件72之上下方向的間隔。從而，可以依需要來變更從發熱構件72至基板W的距離。
在本實施形態中，在複數個夾盤構件32位於作為退避位置的上位置的退避狀態下，搬運機器人R1係將支撐於手部H1上的基板W置放於複數個夾盤構件32之上。其次，搬運機器人R1係使手部H1下降且從基板W離開。之後，搬運機器人R1係使手部H1從基板W與發熱構件72之間退避開。在基板W從複數個夾盤構件32取出時係能在退避狀態下將手部H1插入於基板W與發熱構件72之間。之後，搬運機器人R1係使手部H1上升。藉此，基板W能從複數個夾盤構件32離開且支撐於手部H1。
當從加熱效率之觀點來看時，發熱構件72較佳是配置於基板W之附近。然而，當發熱構件72過於接近基板W時，就無法使手部H1進入基板W與發熱構件72之間，且無法將基板W置放於複數個夾盤構件32，或從複數個夾盤構件32取出。如前述般，基板W之遞送係能在退避狀態下進行。另一方面，基板W之加熱係能在複數個夾盤構 件32位於作為鄰近位置的下位置的鄰近狀態下進行。從而，可以不使基板W之加熱效率降低地進行基板W之遞送。
在本實施形態中，複數個夾盤構件32係包含有能夠在閉合位置與開啟位置之間相對於旋轉基座33移動的可動夾盤32a。基板W與發熱構件72之上下方向的間隔係能藉由使複數個夾盤構件32相對於旋轉基座33朝向上下方向移動來變更。從而，可動夾盤32a不僅能夠在閉合位置與開啟位置之間相對於旋轉基座33移動，還能夠相對於旋轉基座33朝向上下方向移動。如此，由於沒有必要為了變更基板W與發熱構件72之上下方向的間隔而使發熱構件72朝向上下方向移動，所以可以簡化支撐發熱構件72的構造。
在本實施形態中，吸收磁性的磁屏蔽構件77之外壁部77a係包圍加熱線圈73。更且，吸收磁性的磁屏蔽構件77之下壁部77b係位於加熱線圈73之下方。從而，可以抑制或消除波及位於加熱線圈73之周圍的構件的交變磁場之影響。同樣地可以抑制或消除波及位於加熱線圈73之下方的構件的交變磁場之影響。
在本實施形態中，檢測發熱構件72之溫度的溫度計75之檢測值係輸入於控制裝置3。控制裝置3係基於該檢測值來控制供給至加熱線圈73的電力。藉此，可以使發熱構件72之溫度以較高的精度接近目標溫度。
在本實施形態中，下表面噴嘴16係能將處理流體朝向基板W之下表面吐出。下表面噴嘴16係在俯視觀察下配 置於朝向上下方向貫通發熱構件72之中央部的貫通孔72c內。從而，可以抑制或防止從下表面噴嘴16所吐出的處理流體妨礙發熱構件72。藉此，可以將處理流體確實地供給至基板W之下表面。
在本實施形態中，可動夾盤32a係繞著鉛直之夾盤轉動軸線A2轉動。在此情況下，與夾盤轉動軸線A2為水平之直線的情況相較，容易減少可動夾盤32a所通過的通過空間之體積。特別是在夾盤轉動軸線A2一致於可動夾盤32a之中心線的情況下，可以使通過空間之體積一致或大致一致於可動夾盤32a之體積。
〔第二實施形態〕
其次，針對本發明之第二實施形態加以說明。相對於第一實施形態的第二實施形態之主要差異點係代替隨動磁鐵55及驅動磁鐵56，在於夾盤開閉機構34設置有將可動夾盤32a推至開啟位置的方向的推桿(pusher)284。
圖11係顯示本發明之第二實施形態之包含有可動夾盤32a的鉛直剖面的示意圖。圖12係顯示沿著圖11所示之XII-XII線的水平剖面的示意俯視圖。在圖11至圖12中，有關與前述之圖1至圖10F所示的各部同等的構成係附記與圖1等相同的參照符號並省略其說明。圖11係顯示可動夾盤32a配置於閉合位置及上位置的狀態。
可動夾盤32a係經由水平延伸的支撐軸281和已插入有支撐軸281的支撐孔282由升降構件62所支撐。支撐軸281係設置於可動夾盤32a，支撐孔282係設置於升降構件 62。支撐軸281亦可設置於升降構件62，支撐孔282亦可設置於可動夾盤32a。
一對支撐軸281係從可動夾盤32a相互地朝向相反的方向延伸。一對支撐軸281係位於同一直線上。支撐軸281係朝向包圍旋轉軸線A1(參照圖2)的圓之切線方向水平地延伸。支撐孔282係從已設置於升降構件的貫通部62p之內面凹陷。一對支撐軸281係分別插入於一對支撐孔282。
可動夾盤32a係能夠繞著相當於支撐軸281之中心線的水平之夾盤轉動軸線A2而相對於升降構件62移動。可動夾盤32a之上端部係伴隨可動夾盤32a繞著夾盤轉動軸線A2轉動而朝向徑向移動。升降構件62的貫通部62p係指從升降構件62之外周面朝向內側延伸的缺口。同樣地，旋轉基座33的貫通部33p係指從旋轉基座33之外周面朝向內側延伸的缺口。貫通部62p及貫通部33p亦可為全周已封閉的貫通孔。
可動夾盤32a係包含有從基軸39朝向內側延伸的內側突出部283。夾盤開閉機構34的線圈彈簧51係配置於內側突出部283之上方。線圈彈簧51的一端部係由固定於升降構件62的保持部53所保持。線圈彈簧51的另一端部係保持於內側突出部283。線圈彈簧51係將可動夾盤32a保持於原點位置。當可動夾盤32a從原點位置轉動至開啟位置的方向(在圖11中為左方)時，線圈彈簧51就會彈性變形且產生使可動夾盤32a返回至原點位置的復原力。藉此，產生使可動夾盤32a移動至閉合位置的方向之力。
夾盤開閉機構34係包含有將複數個可動夾盤32a推向開啟位置的方向的複數個推桿284。推桿284係配置於比內側突出部283更下方。推桿284係插入於貫通夾盤外殼37的貫通孔。推桿284的外周面與貫通孔的內周面之間的間隙係藉由包圍推桿284的環狀之環狀密封285所密閉。推桿284之前端面係配置於夾盤外殼37之外側。推桿284之前端面係朝向上方。圖11係顯示推桿284之前端面為半球狀之例。推桿284之前端面亦可為平面。
複數個推桿284係連接於開閉致動器57。開閉致動器57係使複數個推桿284在上位置與下位置之間朝向上下方向移動。圖11係顯示推桿284配置於下位置的狀態。在旋轉基座33之旋轉角為遞送角度時，複數個推桿284係在俯視觀察下分別重疊於複數個內側突出部283。在此狀態下，當開閉致動器57使推桿284移動至上位置時，推桿284之前端就會碰觸於內側突出部283之下表面，而內側突出部283被推向上方。藉此，可動夾盤32a係轉動致開啟位置的方向且配置於開啟位置。當開閉致動器57使推桿284從上位置朝向下方移動時，推桿284就會從可動夾盤32a離開，且利用線圈彈簧51之復原力使可動夾盤32a轉動至原點位置的方向。
在搬運機器人R1(參照圖3)將基板W置放於複數個夾盤構件32時，升降致動器69(參照圖2)係使全部的夾盤構件32位於上位置。旋轉基座33係配置於旋轉基座33之旋轉角為遞送角度的遞送位置。在此狀態下，開閉致動器57 係使推桿284移動至上位置。藉此，全部的可動夾盤32a係配置於開啟位置。
搬運機器人R1係在全部的夾盤構件32位於上位置且全部的卡動夾盤32a配置於開啟位置的狀態下，將支撐於手部H1上的基板W置放於複數個夾盤構件32的支撐部38b之上。之後，開閉致動器57係使推桿284移動至下位置。可動夾盤32a係在利用線圈彈簧51之復原力返回至原點位置的途中壓抵於基板W之外周部。藉此，可動夾盤32a係配置於開啟位置與原點位置之間的閉合位置，而基板W則由複數個夾盤的夾持部38a所夾持。
如以上，在本實施形態中，當夾盤開閉機構34的開閉致動器57使作為按壓部之一例的推桿284上升至上位置為止時，推桿284就會接觸於作為被按壓部之一例的內側突出部283，且將內側突出部283推向上方。藉此，可動夾盤32a係配置於開啟位置。之後，當開閉致動器57使推桿284從上位置下降時，推桿284就會從內側突出部283朝向下方離開，而可動夾盤32a則返回至閉合位置的方向。藉此，可以使可動夾盤32a在閉合位置與開啟位置之間移動。
〔第三實施形態〕
其次，針對本發明之第三實施形態加以說明。相對於第二實施形態的第三實施形態之主要的差異點係在於升降致動器69兼作開閉致動器57。
圖13係顯示本發明之第3實施形態之包含有可動夾盤 32a的鉛直剖面的示意圖。圖14係顯示沿著圖13所示之XIV-XIV線的水平剖面的示意圖。在圖13至圖14中，有關與前述之圖1至圖12所示的各部同等的構成係附記與圖1等相同的參照符號並省略其說明。圖13係顯示可動夾盤32a配置於閉合位置及下位置的狀態。
如圖13所示，夾盤開閉機構34的推桿384係從旋轉基座33之下表面朝向下方延伸。推桿384係固定於旋轉基座33。推桿384之前端面係朝向下方。推桿384係位於旋轉基座33的貫通部33p之周圍。貫通部33p係全周已封閉的貫通孔。推桿384係位於從基軸39朝向外側延伸的外側突出部386之上方。如圖14所示，即便是在可動夾盤32a位於夾盤轉動軸線A2周圍之任一個位置時，推桿384仍是在俯視觀察下重疊於外側突出部386。複數個推桿384係分別朝向上下方向與複數個外側突出部386相對向。
在搬運機器人R1(參照圖3)將基板W置放於複數個夾盤構件32時，升降致動器69(參照圖2)係使升降構件62及可動夾盤32a上升至上位置為止。在此過程中，可動夾盤32a的外側突出部386係藉由推桿384推向下方，而可動夾盤32a係轉動至開啟位置的方向。當可動夾盤32a到達上位置時，可動夾盤32a係配置於開啟位置。搬運機器人R1係在此狀態下將支撐於手部H1上的基板W置放於複數個夾盤構件32的支撐部38b之上。
在基板W已置放於複數個夾盤構件32之後，升降致動器69係使升降構件62及可動夾盤32a下降至下位置為 止。藉此，外側突出部386係從推桿384朝向下方離開，而可動夾盤32a係利用線圈彈簧51之復原力轉動至原點位置的方向。可動夾盤32a係在返回至原點位置的途中壓抵於基板W之外周部。藉此，可動夾盤32a係配置於開啟位置與原點位置之間的閉合位置，而基板W則由複數個夾盤的夾持部38a所夾持。
如以上，在本實施形態中，當升降致動器69使複數個夾盤構件32上升至上位置為止時，作為被按壓部之一例的外側突出部386就會接觸於作為按壓部之一例的推桿384且推向下方。藉此，可動夾盤32a係配置於開啟位置。之後，當升降致動器69使複數個夾盤構件32從上位置下降時，外側突出部386就會從推桿384朝向下方離開，而可動夾盤32a則返回至閉合位置的方向。如此，由於使複數個夾盤構件32相對於旋轉基座33進行升降的升降致動器69係兼作使可動夾盤32a移動的開閉致動器57(參照圖2)，所以不需要專用的開閉致動器57。
〔第四實施形態〕
其次，針對本發明之第四實施形態加以說明。相對於第一實施形態的第四實施形態之主要的差異點不僅在於複數個夾盤構件32，還在於發熱構降72升降。
圖15係顯示本發明之第四實施形態的旋轉夾盤31之鉛直剖面的示意圖。在圖15中，有關與前述之圖1至圖14所示的各部同等的構成係附記與圖1等相同的參照符號並省略其說明。
可動夾盤32a係保持於旋轉基座33。可動夾盤32a係能夠相對於旋轉基座33繞著夾盤轉動軸線A2轉動，而無法相對於旋轉基座33朝向上下方向移動。收容線圈彈簧51及隨動磁鐵55的殼體52係安裝於旋轉基座33。保持線圈彈簧51之一端部的保持部53係固定於旋轉基座33。雖然未圖示，但是固定夾盤32b(參照圖3)係固定於旋轉基座33。
升降構件62係配置於殼體52之下方。升降構件62之上位置係指從殼體52朝向下方離開的位置。升降構件62係與複數個導引構件64一起升降。導引止動件64b係從升降構件62之上表面朝向上方延伸，導引軸64a係從導引止動件64b朝向上方延伸。導引軸64a係插入於朝向上下方向貫通旋轉基座33的貫通孔。導引止動件64b係配置於旋轉基座33之下方。升降構件62之往相對於旋轉基座33之上方向的移動係藉由導引止動件64b與旋轉基座33之接觸所限制。
發熱構件72係由導引軸64a所支撐。發熱構件72係固定於導引軸64a之上端部。發熱構件72係與升降構件62一起升降。夾設於發熱構件72的板狀部72a與旋轉基座33之間的腳部72b(參照圖2)係從發熱構件72中省略。升降構件62、導引構件64及發熱構件72係能夠相對於旋轉基座33朝向上下方向移動。
發熱構件72係伴隨升降構件62之升降而在上位置(圖15中之二點鏈線所示的位置)與下位置(圖15中之實線所示 的位置)之間朝向上下方向移動。在發熱構件72位於上位置時，距離D1係比搬運機器人R1的手部H1之厚度T1(參照圖7)更短，該距離D1係指從發熱構件72之上表面至由複數個夾盤構件32之夾持部38a所夾持的基板W之下表面為止的距離。與此相反，在發熱構件72位於下位置時，該距離D1係比手部H1之厚度T1更長。
在搬運機器人R1將基板W置放於複數個夾盤構件32之上時，升降致動器69係使發熱構件72位於作為退避位置的下位置。更且，開閉致動器57係使全部的可動夾盤32a位於開啟位置。搬運機器人R1係在此狀態下將支撐於手部H1上的基板W置放於複數個夾盤構件32的支撐部38b之上。之後，開閉致動器57係使全部的可動夾盤32a移動至閉合位置。藉此，基板W能由複數個夾盤構件32的夾持部38a所夾持。升降致動器69係在搬運機器人R1的手部H1已從發熱構件72之上方退避開之後，使發熱構件72移動至作為鄰近位置的上位置。
如以上，在本實施形態中，複數個夾盤構件32係包含有能夠在閉合位置與開啟位置之間相對於旋轉基座33移動的可動夾盤32a。基板W與發熱構件72之上下方向的間隔係能藉由使發熱構件72相對於旋轉基座33朝向下方向移動來變更。如此，由於沒有必要為了變更基板W與發熱構件72之上下方向的間隔而使複數個夾盤構件32朝向上下方向移動，所以可以簡化支撐複數個夾盤構件32的構造。
〔其他的實施形態〕
本發明並非被限定於前述的實施形態之內容，而是能夠進行各種的變更。
例如，加熱線圈73與旋轉基座33之上下方向的間隔D2既可與加熱線圈73之厚度T2相等，又可比加熱線圈73之厚度T2還寬。
旋轉基座33之厚度T3既可與加熱線圈73之厚度T2相等，又可比加熱線圈73之厚度T2還大。
發熱構件72的板狀部72a之厚度既可與旋轉基座33之厚度T3相等，又可比旋轉基座33之厚度T3還大。
發熱構件72亦可與由複數個夾盤構件32所夾持的基板W間接地相對向。亦即，其他的構件亦可配置於發熱構件72與基板W之間。
亦可省略變更基板W與發熱構件72之間隔的間隔變更機構61。亦即，可供由複數個夾盤構件32所夾持的基板W配置的夾持位置與發熱構件72之間隔亦可為固定。
只要夾盤開閉機構34等沒有影響到加熱線圈73以外的構件，亦可省略屏蔽交變磁場的磁屏蔽構件77。
控制裝置3亦可為了使發熱構件72之溫度一致於目標溫度，不參照溫度計75的檢測值，而是變更流動於加熱線圈73的交流電流之指令值。亦即，亦可省略溫度計75。
只要沒有必要對基板W之下表面供給處理流體，亦可省略下表面噴嘴16。在此情況下，亦可省略朝向上下方向貫通發熱構件72之中央部的貫通孔。同樣地，亦可省略朝 向上下方向貫通旋轉基座33之中央部的貫通孔。
夾盤開閉機構34的驅動磁鐵56亦可在俯視觀察下為圓弧狀。在此情況下，可動夾盤32a之開閉係在旋轉基座位於遞送位置(遞送角度)時進行，該遞送位置係指驅動磁鐵56在俯視觀察下亦朝向徑向與任一個隨動磁鐵55相對向的位置。
升降驅動單元66的驅動磁鐵68亦可在俯視觀察下為圓弧狀。在此情況下，升降構件62之升降係在旋轉基座33位於遞送位置(遞送角度)時進行，該遞送位置係指驅動磁鐵68位於隨動磁鐵67之下方的位置。
在前述的基板W之處理之一例中，雖然已針對執行第一加熱工序(圖9的步驟S3)及第二加熱工序(圖9的步驟S8)之雙方的情況加以說明，但是亦可省略第一加熱工序及第二加熱工序之一方。
亦可使用對隨動磁鐵55施加磁場以便使可動夾盤32a移動至閉合位置的方向的閉合用之磁鐵，來取代使可動夾盤32a移動至閉合位置的方向的線圈彈簧51。在此情況下，閉合用之磁鐵係配置於殼體52內。
基板處理裝置1亦可為處理多角形之基板W的裝置。
亦可組合前述之全部的構成之二個以上。
本申請案係對應於2016年9月23日在日本特許廳所提出的特願2016-186148號，本申請案的全部揭示係藉由引用而編入於此。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明，但是此 等只不過是為了明確本發明之技術內容所用的具體例，本發明不應被限定於此等的具體例來解釋，本發明的精神及範圍係僅藉由所附的申請專利範圍所界定。

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：複數個夾盤構件，係用配置於基板之周圍的複數個夾持部來水平地包夾前述基板，藉此水平地夾持前述基板；旋轉馬達，用以產生使前述基板繞著通過由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板之中央部的鉛直之旋轉軸線旋轉的動力；旋轉基座，係配置於由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板之下方，用以將前述旋轉馬達之動力傳遞至前述複數個夾盤構件；處理流體供給單元，用以將處理由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板的處理流體供給至前述基板之上表面及下表面之至少一方；以及感應加熱加熱機構，係包含有發熱構件、加熱線圈及感應加熱電路，前述發熱構件係配置於由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述旋轉基座之間，前述加熱線圈係配置於前述旋轉基座之下方，前述感應加熱電路係藉由將電力供給至前述加熱線圈來產生施加於前述發熱構件的交變磁場以使前述發熱構件發熱。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述加熱線圈與前述旋轉基座之上下方向的間隔係比前述加熱線圈之厚度更窄。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述旋轉基座之厚度係比前述加熱線圈之厚度更小。
  4. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述發熱構件係與由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板直接相對向。
  5. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：間隔變更機構，係藉由使前述複數個夾盤構件或前述發熱構件朝向上下方向移動，來變更由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述發熱構件之上下方向的間隔。
  6. 如請求項5項所記載之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置係進一步具備：搬運機器人，係用配置於前述基板之下方的手部一邊支撐前述基板一邊將前述基板搬運至前述複數個夾盤構件；前述間隔變更機構係在退避位置與鄰近位置之間使前述複數個夾盤構件或前述發熱構件朝向上下方向移動，前述退避位置係指由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述發熱構件之上下方向的間隔比前述手部之厚度更寬的位置，前述鄰近位置係指前述間隔比前述手部之厚度更窄的位置。
  7. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述間隔變更機構係使前述複數個夾盤構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動；前述複數個夾盤構件係包含有可動夾盤，前述可動夾盤係能夠在壓抵於前述基板之外周部的閉合位置與能解除相對於前述基板之外周部的壓抵的開啟位置之間相對於前述旋轉基座移動。
  8. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中前述間隔變更機構係使前述發熱構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動。
  9. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中進一步具備：磁屏蔽構件，係包含有包圍前述加熱線圈的筒狀之外壁部以及位於前述加熱線圈之下方的下壁部，前述磁屏蔽構件係用以屏蔽藉由對前述加熱線圈供給電力所產生的交變磁場。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置係進一步具備：溫度計，用以檢測前述發熱構件之溫度；以及控制裝置，係基於前述溫度計之檢測值來控制前述感應加熱加熱機構。
  11. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述處理流體供給單元係包含有：下表面噴嘴，係在俯視觀察下配置於朝向上下方向貫通前述發熱構件的貫通孔內，用以朝向由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板之下表面吐出前述處理流體。
  12. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述複數個夾盤構件係包含有：可動夾盤，係能夠在壓抵於前述基板之外周部的閉合位置與能解除相對於前述基板之外周部的壓抵的開啟位置之間，繞著鉛直之夾盤轉動軸線相對於前述旋轉基座移動。
  13. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述複數個夾盤構件係包含有：可動夾盤，係能夠在壓抵於前述基板之外周部的閉合位置與能解除相對於前述基板之外周部的壓抵的開啟位置之間，繞著水平之夾盤轉動軸線相對於前述旋轉基座移動。
  14. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置係進一步具備：夾盤開閉機構，係藉由使前述可動夾盤在前述閉合位置與前述開啟位置之間移動，而在前述複數個夾持部壓抵於前述基板之外周部的閉合狀態與能解除相對於前述基板的前述複數個夾持部之壓抵的開啟狀態之間，切換前述複數個夾盤構件；前述夾盤開閉機構係包含有：按壓部，係藉由將前述可動夾盤推向上方或下方來使前述可動夾盤移動至前述開啟位置的方向；前述可動夾盤係包含有藉由前述按壓部所推動的被按壓部。
  15. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述夾盤開閉機構係進一步包含有：開閉致動器，係在前述按壓部接觸於前述被按壓部的上位置與前述按壓部從前述被按壓部朝向下方離開的下位置之間，使前述按壓部朝向上下方向移動。
  16. 如請求項14所記載之基板處理裝置，其中前述基板處理裝置係進一步具備：間隔變更機構，係藉由使前述複數個夾盤構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動，來變更由前述複數個夾盤構件所夾持的前述基板與前述發熱構件之上下方向的間隔；前述按壓部係以位於前述被按壓部之上方的方式連結於前述旋轉基座；前述間隔變更機構係包含有：升降致動器，係在前述被按壓部接觸於前述按壓部的上位置與前述被按壓部從前述按壓部朝向下方離開的下位置之間，使前述複數個夾盤構件相對於前述旋轉基座朝向上下方向移動。
TW106118877A 2016-09-23 2017-06-07 Substrate processing device TWI652755B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016186148A JP6689719B2 (ja) 2016-09-23 2016-09-23 基板処理装置
JP2016-186148 2016-09-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201824426A TW201824426A (zh) 2018-07-01
TWI652755B true TWI652755B (zh) 2019-03-01

Family

ID=61690294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106118877A TWI652755B (zh) 2016-09-23 2017-06-07 Substrate processing device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11410863B2 (zh)
JP (1) JP6689719B2 (zh)
KR (1) KR102186337B1 (zh)
CN (1) CN109690742A (zh)
TW (1) TWI652755B (zh)
WO (1) WO2018055835A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6938248B2 (ja) * 2017-07-04 2021-09-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN111819663A (zh) * 2018-03-06 2020-10-23 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法
TWI771501B (zh) * 2018-09-28 2022-07-21 大陸商盛美半導體設備（上海）股份有限公司 基板清洗裝置
CN111063652B (zh) * 2018-10-16 2022-08-30 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种基板夹持承载台
JP6979935B2 (ja) * 2018-10-24 2021-12-15 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
KR102280033B1 (ko) * 2019-05-29 2021-07-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7057334B2 (ja) * 2019-10-29 2022-04-19 キヤノントッキ株式会社 基板保持ユニット、基板保持部材、基板保持装置、基板処理装置および電子デバイスの製造方法
JP7379141B2 (ja) 2019-12-23 2023-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持装置、基板処理方法
KR20220170007A (ko) 2021-06-22 2022-12-29 곽민준 스핀코터의 핫플레이트 결합 시스템
KR102561219B1 (ko) * 2021-08-24 2023-07-28 (주)디바이스이엔지 기판 처리장치용 기판 지지 조립체
KR20230053155A (ko) 2021-10-14 2023-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102616076B1 (ko) 2023-09-15 2023-12-20 (주)디바이스이엔지 발열부가 장착된 기판 처리장치
KR102665721B1 (ko) 2023-09-15 2024-05-13 (주)디바이스이엔지 발열부가 장착된 기판 처리장치

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3638374B2 (ja) 1996-04-25 2005-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JPH11340236A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Seiko Epson Corp 基板加熱装置
JP2000133626A (ja) 1998-10-26 2000-05-12 Hitachi Ltd 基板洗浄装置
JP2001035800A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Hitachi Ltd 半導体のエピタキシャル成長装置および成長方法
JP2002334922A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体デバイスの製造装置及び半導体デバイスの製造方法
JP4067858B2 (ja) * 2002-04-16 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 Ａｌｄ成膜装置およびａｌｄ成膜方法
JP4288110B2 (ja) 2003-06-17 2009-07-01 三井造船株式会社 半導体製造装置
JP2007042324A (ja) 2005-08-01 2007-02-15 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 誘導加熱方法、及び誘導加熱装置
JP2007335709A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5301505B2 (ja) * 2009-08-27 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2012089537A (ja) 2010-10-15 2012-05-10 Nikon Corp ステージ装置、基板貼り合せ装置、積層半導体装置の製造方法及び積層半導体装置
KR101395222B1 (ko) 2010-12-31 2014-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101882330B1 (ko) * 2011-06-21 2018-07-27 엘지이노텍 주식회사 증착 장치
JP6168273B2 (ja) 2012-10-16 2017-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2014136249A (ja) 2013-01-18 2014-07-28 Mitsubishi Electric Corp はんだ付け装置、半導体装置の製造方法
JP6271304B2 (ja) * 2013-03-29 2018-01-31 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6222817B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6331189B2 (ja) 2014-03-07 2018-05-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6230941B2 (ja) * 2014-03-26 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US9947572B2 (en) 2014-03-26 2018-04-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6461621B2 (ja) * 2015-01-23 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN105826219B (zh) 2015-01-23 2019-01-04 株式会社思可林集团 基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴
JP6795294B2 (ja) 2015-10-07 2020-12-02 フジテック株式会社 乗客コンベア
WO2017204083A1 (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 三益半導体工業株式会社 回転テーブル用ウェーハ加熱保持機構及び方法並びにウェーハ回転保持装置
US11979965B2 (en) * 2017-01-10 2024-05-07 King Abdullah University Of Science And Technology Susceptors for induction heating with thermal uniformity

Also Published As

Publication number Publication date
JP6689719B2 (ja) 2020-04-28
KR102186337B1 (ko) 2020-12-03
WO2018055835A1 (ja) 2018-03-29
TW201824426A (zh) 2018-07-01
CN109690742A (zh) 2019-04-26
JP2018050014A (ja) 2018-03-29
US20190198363A1 (en) 2019-06-27
KR20190034261A (ko) 2019-04-01
US11410863B2 (en) 2022-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI652755B (zh) Substrate processing device
TWI611501B (zh) 基板處理裝置
TWI626701B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI670121B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP7253955B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102301798B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI684221B (zh) 基板處理裝置
TWI676236B (zh) 基板處理裝置
TW201916219A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
CN108666237B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP6376778B2 (ja) 基板処理装置
TW201943009A (zh) 定心裝置、定心方法、基板處理裝置及基板處理方法
TWI659466B (zh) Substrate processing device
TWI652761B (zh) 基板處理裝置
KR102119690B1 (ko) 기판 가열 유닛
TW202310128A (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法