CN109690742A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置具有:旋转基座,配置于多个夹具构件所把持的基板的下方,向夹具构件传递旋转电机的动力;以及喷嘴,向基板的上表面及下表面的至少一方供给处理基板的处理流体。基板处理装置的IH加热机构包括配置于基板与旋转基座之间的发热构件、配置于旋转基座的下方的加热线圈、以及通过对加热线圈供给电力来产生施加于发热构件的交变磁场从而使发热构件发热的IH电路。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种处理基板的基板处理装置。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display;场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置或液晶显示装置等的制造工序中有时一边进行基板的旋转及加热一边向基板供给处理流体。
在专利文献1中公开了一种以下的技术:一边通过旋转驱动机构使保持有基板的旋转夹具旋转,一边通过对设置于旋转夹具的内部的发热板施加交变磁场来使发热板发热。基板由从旋转夹具的上表面向上方突出的多个保持销保持。旋转夹具配置于由多个保持销保持的基板的下方。基板被设置于旋转夹具的内部的发热板加热。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2007-335709号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1中,由多个保持销保持的基板配置于旋转夹具的上方,并且加热基板的发热板设置于旋转夹具的内部。因此,基板与发热板之间的距离变长。因此,基板的加热效率会降低。
于是,本发明的一个目的在于提高一边进行基板的旋转及加热一边向基板供给处理流体时的基板的加热效率。
解决问题的技术方案
本发明的一个实施方式提供一种基板处理装置,具有:多个夹具构件,通过由配置于基板的周围的多个把持部将所述基板夹持为水平,由此将所述基板把持为水平;旋转电机,用以产生使所述基板绕着贯通多个所述夹具构件所把持的所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的动力;旋转基座,配置于多个所述夹具构件所把持的所述基板的下方,向多个所述夹具构件传递所述旋转电机的动力;处理流体供给单元,向所述基板的上表面及下表面的至少一方供给处理多个所述夹具构件所把持的所述基板的处理流体;以及IH(induction heating)加热机构,包括发热构件、加热线圈及IH电路,所述发热构件配置于多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述旋转基座之间,所述加热线圈配置于所述旋转基座的下方,所述IH电路通过对所述加热线圈供给电力来产生施加于所述发热构件的交变磁场从而使所述发热构件发热。
根据该结构,基板被多个夹具构件把持。旋转电机的动力经由位于基板的下方的旋转基座被传递给多个夹具构件。由此,基板绕着旋转轴线旋转。IH加热机构的IH电路在基板旋转时将电力供给至加热线圈。由此,产生施加于发热构件的交变磁场,发热构件发热。处理基板的处理流体是供给至旋转中的基板。由此,能够均匀地处理基板。
由于发热构件通过感应加热被加热,因此无需使对发热构件供给电力的配线或连接器与发热构件连接。因此,基板的转速不被这样的构造限制。此外,加热基板的发热构件配置于基板与旋转基座之间,而非配置于旋转基座的内部。因此,与发热构件配置于旋转基座的内部的情况相比,能够缩短基板与发热构件的间隔,并且能够提高基板的加热效率。
在本实施方式中也可以向所述基板处理装置增加以下的至少一个特征。
所述加热线圈与所述旋转基座在上下方向的间隔小于所述加热线圈的厚度。所述加热线圈的厚度是指所述加热线圈在上下方向的长度。
根据该结构,加热线圈配置于旋转基座的附近。即,加热线圈与旋转基座在上下方向的间隔小于加热线圈的厚度。加热线圈配置于旋转基座的下方,发热构件配置于旋转基座的上方。当使加热线圈接近旋转基座时,缩短了从加热线圈至发热构件的距离。由此,由于施加于发热构件的交变磁场变强,因此能够将供给至加热线圈的电力有效地转换成发热构件的热。
所述旋转基座的厚度小于所述加热线圈的厚度。
根据该结构,减小了旋转基座的厚度。即,旋转基座的厚度是小于加热线圈的厚度。若旋转基座较厚,则不仅从加热线圈至发热构件的距离增加,施加于发热构件的交变磁场也变弱。因此,通过减小旋转基座的厚度,能够使发热构件的温度有效地上升。
所述旋转基座的厚度是指所述旋转基座在上下方向的长度。旋转基座的厚度是指在发热构件与加热线圈之间的区域内的旋转基座的厚度。其他区域内的旋转基座的厚度既可以与加热线圈的厚度相等,也可以大于或小于加热线圈的厚度。
所述发热构件与多个所述夹具构件所把持的所述基板直接相向。
根据该结构,在基板与发热构件之间并未安装其他构件,而是发热构件与基板直接相向。因此,发热构件的热能有效地传递至基板。由此,能够提高基板的加热效率。
述基板处理装置还具有:间隔变更机构,通过使多个所述夹具构件或所述发热构件在上下方向移动,来变更多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述发热构件在上下方向的间隔。
根据该结构,间隔变更机构使多个夹具构件与发热构件在上下方向相对移动。由此,变更多个夹具构件所把持的基板与发热构件在上下方向的间隔。因此,能够根据需要来变更从发热构件至基板的距离。
所述基板处理装置还具有:搬送机械手,一边通过配置于所述基板的下方的手部来支承所述基板,一边将所述基板搬送至多个所述夹具构件,所述间隔变更机构使多个所述夹具构件或所述发热构件在退避位置与接近位置之间在上下方向移动,所述退避位置是多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述发热构件在上下方向的间隔大于所述手部的厚度的位置,所述接近位置是所述间隔小于所述手部的厚度的位置。所述手部的厚度是指所述手部在上下方向的长度。
根据该结构,在多个夹具构件或发热构件位于退避位置的退避状态下,搬送机械手将支承于手部上的基板置放于多个夹具构件上。接着,搬送机械手使手部下降并与基板分离。然后,搬送机械手使手部从基板与发热构件之间退避。在将基板从多个夹具构件取出时,在退避状态下将手部插入基板与发热构件之间。然后,搬送机械手使手部上升。由此,基板与多个夹具构件分离,被手部支承。
根据加热效率的观点,优选,发热构件配置于基板的附近。然而,若发热构件过于接近基板,则无法使手部进入基板与发热构件之间,从而无法将基板置放于多个夹具构件,或从多个夹具构件取出。如上所述,基板的传递在退避状态下进行。另一方面,基板的加热在多个夹具构件或发热构件位于接近位置的接近状态下进行。因此,能够在不使基板的加热效率降低的情况下进行基板的传递。
所述间隔变更机构使多个所述夹具构件相对于所述旋转基座在上下方向移动,多个所述夹具构件包括:可动夹具,能够在压抵于所述基板的外周部的闭位置与解除相对于所述基板的外周部的压抵的开位置之间,相对于所述旋转基座移动。
根据该结构,多个夹具构件包括能够在闭位置与开位置之间相对于旋转基座移动的可动夹具。基板与发热构件在上下方向的间隔通过使多个夹具构件相对于旋转基座在上下方向移动来变更。因此,可动夹具不仅能够在闭位置与开位置之间相对于旋转基座移动,还能够相对于旋转基座在上下方向移动。如此,由于无需为了变更基板与发热构件在上下方向的间隔而使发热构件在上下方向移动,因此能够支承发热构件的构造。
所述间隔变更机构使所述发热构件相对于所述旋转基座在上下方向移动。
根据该结构,基板与发热构件在上下方向的间隔通过使发热构件相对于旋转基座在上下方向移动来变更。如此,由于无需为了变更基板与发热构件在上下方向的间隔而使多个夹具构件在上下方向移动,因此能够简化支承多个夹具构件的构造。
所述基板处理装置是还具有:磁屏蔽构件,包括包围所述加热线圈的筒状的外壁部以及位于所述加热线圈的下方的下壁部,屏蔽通过对所述加热线圈供给电力而产生的交变磁场。
根据该结构,吸收磁的磁屏蔽构件的外壁部是包围加热线圈。此外,吸收磁的磁屏蔽构件的下壁部位于加热线圈的下方。因此,能够抑制或消除交变磁场对位于加热线圈的周围的构件产生的影响。同样地,能够抑制或消除交变磁场对位于加热线圈的下方的构件产生的影响。
所述基板处理装置还具有:温度计,检测所述发热构件的温度;以及控制装置,基于所述温度计的检测值来控制所述IH加热机构。
根据该结构,检测发热构件的温度的温度计的检测值被输入控制装置。控制装置基于该检测值来控制对加热线圈供给的电力。由此,能够使发热构件的温度以较高的精度接近目标温度。
优选温度计是以不与发热构件接触的方式来检测发热构件的温度的非接触式温度计。这种的温度计的一例为通过检测从物体辐射出的红外线或可见光的强度来检测物体的温度的辐射式温度计。
所述流体供给单元包括:下表面喷嘴,在俯视下配置于在上下方向贯通所述发热构件的贯通孔内,向多个所述夹具构件所把持的所述基板的下表面喷出所述处理流体。
根据该结构,下表面喷嘴向基板的下表面喷出处理流体。下表面喷嘴在俯视下配置于在上下方向贯通发热构件的中央部的贯通孔内。因此,能够抑制或防止从下表面喷嘴喷出的处理流体妨碍发热构件。由此,能够将处理流体充分地供给至基板的下表面。
只要下表面喷嘴在俯视下配置于发热构件的贯通孔内,喷出处理流体的下表面喷嘴的喷出口就既可以配置于与发热构件的上表面相等的高度,也可以配置于比发热构件的上表面更高或更低的位置。
多个所述夹具构件包括:可动夹具,能够在压抵于所述基板的外周部的闭位置与解除相对于所述基板的外周部的压抵的开位置之间,绕着铅垂的夹具转动轴线相对于所述旋转基座移动。夹具转动轴线既可以为可动夹具的中心线,也可以为与可动夹具的中心线不同的直线。
根据该结构,可动夹具绕着铅垂的夹具转动轴线转动。在该情况下,与夹具转动轴线为水平的直线的情况相比,容易减少可动夹具所通过的空间的体积。特别是在夹具转动轴线与可动夹具的中心线一致的情况下,能够使通过空间的体积与可动夹具的体积一致或大致一致。
多个所述夹具构件包括:可动夹具,能够在压抵于所述基板的外周部的闭位置与解除相对于所述基板的外周部的压抵的开位置之间,绕着水平的夹具转动轴线相对于所述旋转基座移动。
所述基板处理装置还具有:夹具开闭机构,通过使所述可动夹具在所述闭位置与所述开位置之间移动,从而在多个所述把持部压抵于所述基板的外周部的闭状态与解除多个所述把持部相对于所述基板的压抵的开状态之间,切换多个所述夹具构件,所述夹具开闭机构包括:按压部,通过将所述可动夹具向上方或下方按压,使所述可动夹具移动至所述开位置,所述可动夹具包括被所述按压部按压的被按压部。
根据该结构,由于夹具开闭机构的按压部与可动夹具的被按压部接触并且按压被按压部,因此能够使可动夹具可靠地开闭。
所述夹具开闭机构还包括:开闭致动器,使所述按压部在所述按压部接触于所述被按压部的上位置与所述按压部从所述被按压部向下方分离的下位置之间在上下方向移动。
根据该结构,当夹具开闭机构的开闭致动器使按压部上升至上位置时,按压部与可动夹具的被按压部接触,将被按压部向上方按压。由此,可动夹具配置于开位置。然后,当开闭致动器使按压部从上位置下降时,按压部从被按压部向下方分离,可动夹具返回闭位置。由此,能够使可动夹具在闭位置与开位置之间移动。
所述基板处理装置还具有:间隔变更机构,通过使多个所述夹具构件相对于所述旋转基座在上下方向移动,来变更多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述发热构件在上下方向的间隔,所述按压部以位于所述被按压部的上方的方式与所述旋转基座连结,所述间隔变更机构包括:升降致动器,使多个所述夹具构件在所述被按压部接触于所述按压部的上位置与所述被按压部从所述按压部向下方分离的下位置之间,相对于所述旋转基座在上下方向移动。
根据该结构,当升降致动器使多个夹具构件上升至上位置时,可动夹具的被按压部与连结于旋转基座的按压部接触,被向下方按压。由此,可动夹具配置于开位置。然后,当升降致动器使多个夹具构件从上位置下降时,被按压部从按压部向下方分离,可动夹具返回闭位置。如此,由于使多个夹具构件相对于旋转基座进行升降的升降致动器兼作使可动夹具移动的开闭致动器,因此无需专用的开闭致动器。
本发明中的上述的、或其他的目的、特征及功效通过参照附图而叙述如下的实施方式的说明而变得显而易见。
附图说明
图1是水平地观察本发明的第一实施方式的基板处理装置所具有的腔室的内部的示意图。
图2是示出沿着图3所示的II-II线的旋转夹具的铅垂剖面的示意图。
图3是旋转夹具的示意俯视图。
图4是示出沿着图2所示的IV-IV线的旋转夹具的水平剖面的示意图。
图5是示出用于针对设置于旋转夹具的夹具开闭机构进行说明的铅垂剖面的示意图。
图6A是用于针对基板的传递进行说明的示意图。
图6B是用于针对基板的传递进行说明的示意图。
图7是示出用于针对设置于旋转夹具的IH加热机构进行说明的铅垂剖面的示意图。
图8是用于针对加热线圈的配置进行说明的示意俯视图。
图9是用于针对由基板处理装置执行的基板的处理的一例进行说明的流程图。
图10A是示出在图9所示的基板的处理的一例中向基板供给SPM的状态的示意图。
图10B是示出在图9所示的基板的处理的一例中向基板供给纯水的状态的示意图。
图10C是示出在图9所示的基板的处理的一例中向基板供给SC1的状态的示意图。
图10D是示出在图9所示的基板的处理的一例中向基板供给IPA的状态的示意图。
图10E是示出在图9所示的基板的处理的一例中从基板除去IPA的状态的示意图。
图10F是示出在图9所示的基板的处理的一例中使基板干燥的状态的示意图。
图11是示出本发明的第二实施方式的包括可动夹具的铅垂剖面的示意图。
图12是示出沿着图11所示的XII-XII线的水平剖面的示意图。
图13是示出本发明的第三实施方式的包括可动夹具的铅垂剖面的示意图。
图14是示出图13所示的XIV-XIV线的水平剖面的示意图。
图15是示出本发明的第四实施方式的旋转夹具的铅垂剖面的示意图。
具体实施方式
图1是水平地观察本发明的第一实施方式的基板处理装置1所具有的腔室4的内部的示意图。
基板处理装置1是逐张处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式装置。基板处理装置1包括:处理单元2,用处理液或处理气体等处理流体来处理基板W;搬送机械手R1(参照图3),将基板W搬送至处理单元2;以及控制装置3,控制基板处理装置1。控制装置3是包括存储器及处理器的计算机,该存储器存储程序等信息,该处理器按照存储于存储器的信息来控制基板处理装置1。
处理单元2包括:箱形的腔室4,具有内部空间;旋转夹具31,一边在腔室4内将一张基板W水平地保持,一边使该基板W绕着通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1旋转;多个喷嘴,向旋转夹具31所保持的基板W喷出各种流体;以及筒状的杯部26,包围旋转夹具31的周围。
多个喷嘴包括向基板W的上表面喷出药液的第一药液喷嘴5及第二药液喷嘴9。第一药液喷嘴5与安装有第一药液阀7的第一药液配管6连接。同样地,第二药液喷嘴9与安装有第二药液阀11的第二药液配管10连接。当第一药液阀7打开时,从第一药液配管6向第一药液喷嘴5供给药液,并且从第一药液喷嘴5喷出该药液。当第一药液阀7关闭时,停止从第一药液喷嘴5喷出药液。第二药液喷嘴11也是同样。
从第一药液喷嘴5喷出的药液(第一药液)的具体例为SPM(硫酸与双氧水的混合液)。从第二药液喷嘴9喷出的药液(第二药液)的具体例为SC1(氨水与双氧水与水的混合液)。第一药液也可以为磷酸。除了SPM及磷酸以外,第一药液也可以为含有硫酸、硝酸、盐酸、氟酸、磷酸、醋酸、氨水、双氧水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如,TMAH:四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂以及防腐剂中的至少一种的液体。第二药液也是同样。
第一药液喷嘴5与使第一药液喷嘴5移动的第一喷嘴移动机构8连接。第二药液喷嘴9与使第二药液喷嘴9移动的第二喷嘴移动机构12连接。第一喷嘴移动机构8使第一药液喷嘴5在处理位置与待机位置之间移动,该处理位置是指第一药液着落于基板W的上表面的位置,该待机位置是指在俯视下第一药液喷嘴5位于杯部26的周围的位置。此外,第一喷嘴移动机构8通过使第一药液喷嘴5水平地移动,来使第一药液的着落位置在基板W的上表面内移动。第二喷嘴移动机构12也是同样。
多个喷嘴包括朝向基板W的上表面中央部将冲洗液向下方喷出的冲洗液喷嘴13。冲洗液喷嘴13被固定于腔室4。冲洗液喷嘴13可以与使冲洗液喷嘴13移动的第三喷嘴移动机构连接。冲洗液喷嘴13与安装有第一冲洗液阀15的第一冲洗液配管14连接。从冲洗液喷嘴13喷出的冲洗液的具体例为纯水(去离子水)。冲洗液也可以为碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如,10~100ppm左右)的盐酸水等纯水以外的冲洗液。
多个喷嘴包括朝向基板W的下表面中央部将冲洗液向上喷出的下表面喷嘴16。下表面喷嘴16被固定于腔室4。下表面喷嘴16与安装有第二冲洗液阀18的第二冲洗液配管17连接。从下表面喷嘴16喷出的冲洗液的具体例为纯水。冲洗液也可以为上述纯水以外的冲洗液。此外,从下表面喷嘴16喷出的液体也可以为冲洗液以外的处理液。
下表面喷嘴16包括:圆板部16a,以旋转基座33的上表面与基板W的下表面之间的高度被水平地保持;以及筒状部16b,从圆板部16a沿着旋转轴线A1向下方延伸。圆板部16a是包围旋转轴线A1的圆环状,并且具有比基板W的直径更小的外径。筒状部16b的外径小于圆板部16a的外径。筒状部16b插入在旋转基座33的上表面中央部开口的贯通孔中。下表面喷嘴16的喷出口在圆板部16a的上表面中央部开口。下表面喷嘴16的喷出口在上下方向与基板W的下表面中央部相向。
多个喷嘴包括:溶剂喷嘴19,向基板W的上表面喷出IPA(液体);以及气体喷嘴22,向基板W的上表面喷出气体。溶剂喷嘴19与安装有溶剂阀21的溶剂配管20连接。IPA(异丙醇)的沸点比水低,挥发性比水强,表面张力比水小。气体喷嘴22与安装有气体阀24的气体配管23连接。从气体喷嘴22喷出的气体的具体例为氮气。气体既可以为氮气以外的非活性气体,又可以为非活性气体以外的气体。
溶剂喷嘴19与使溶剂喷嘴19在处理位置与待机位置之间移动的第四喷嘴移动机构25连接。气体喷嘴22也与第四喷嘴移动机构25连接。气体喷嘴22也可以连接于与第四喷嘴移动机构25不同的第五喷嘴移动机构。第四喷嘴移动机构25使溶剂喷嘴19及气体喷嘴22在溶剂喷嘴19及气体喷嘴22接近基板W的上表面的处理位置与处理位置的上方的待机位置之间进行升降。第四喷嘴移动机构25也可以为使溶剂喷嘴19及气体喷嘴22水平地移动的机构。
杯部26包括:多个防溅罩28,接住从基板W向外侧排出的液体;以及多个环状托盘27,接住通过防溅罩28向下方引导的液体。多个防溅罩28包围旋转夹具31。防溅罩28包括:筒状的倾斜部28a,朝向旋转轴线A1而向斜上方延伸;以及圆筒状的引导部28b,从倾斜部28a的下端部(外端部)向下方延伸。倾斜部28a包括具有比基板W及旋转基座33更大的内径的圆环状的上端。倾斜部28a的上端相当于杯部26的上端。多个引导部28b分别配置于多个环状托盘27的上方。
未图示的罩升降单元使防溅罩28在上位置与下位置之间铅垂地升降,该上位置是倾斜部28a的上端位于比多个夹具构件32把持基板W的把持位置更上方的位置,该下位置是倾斜部28a的上端位于比把持位置更下方的位置。在药液或冲洗液等液体被供给给基板W时,防溅罩28配置于上位置。从基板W向外侧飞散的液体在被倾斜部28a接住后,通过引导部28b被收集于环状托盘27内。控制装置3通过控制罩升降单元,来使根据向基板W供给的液体的种类而选出的任一个防溅罩28与基板W的外周面相向。
接着,针对旋转夹具31进行说明。
图2是示出沿着图3所示的II-II线的旋转夹具31的铅垂剖面的示意图。图3是旋转夹具31的示意俯视图。图4是示出沿着图2所示的IV-IV线的旋转夹具31的水平剖面的示意图。图5是示出用于对设置于旋转夹具31的夹具开闭机构34进行说明的铅垂剖面的示意图。图4中用黑色来涂满驱动磁铁56及驱动磁铁68的露出部分。图5示出可动夹具32a位于开位置的状态。
如图2所示,旋转夹具31包括:圆板状的旋转基座33,被水平地保持;多个夹具构件32,在旋转基座33的上方水平地把持基板W;夹具开闭机构34,使多个夹具构件32开闭;以及旋转电机36,通过使旋转基座33及夹具构件32绕着旋转轴线A1旋转,来使多个夹具构件32所把持的基板W旋转。旋转基座33例如是具有比基板W的直径更大的外径的实心圆板。
旋转电机36为包括转子36b及定子36a的伺服电机。转子36b经由从旋转基座33向下方延伸的旋转轴35与旋转基座33连结。定子36a包围转子36b。转子36b及定子36a配置于夹具外壳37内。旋转电机36及夹具外壳37配置于旋转基座33的下方。夹具外壳37包括:筒状的下侧筒状部37a,从腔室4的底部4a向上方延伸;环状部37b,从下侧筒状部37a的上端部向内侧延伸;以及上侧筒状部37c,从环状部37b的内端向上方延伸。
夹具构件32从旋转基座33的上表面向上方突出。如图3所示,多个夹具构件32绕着旋转轴线A1隔开间隔地配置。多个夹具构件32包括:多个可动夹具32a,能够相对于后述的升降构件62移动;以及多个固定夹具32b,固定于升降构件62。多个可动夹具32a在这些夹具之间不包夹固定夹具32b地排列于周向。可动夹具32a能够在把持部38a压抵于基板W的外周面的闭位置与把持部38a从基板W的外周部离开的开位置之间,相对于旋转基座33及升降构件62绕着铅垂的夹具转动轴线A2旋转。
如图5所示,可动夹具32a包括:夹具头38,与基板W接触;以及基轴39,从夹具头38向下方延伸。固定夹具32b也是同样(参照图6A)。夹具头38及基轴39既可以为分开的构件,又可以为一体的构件。夹具头38包括:支承部38b,从下方支承基板W;以及把持部38a,压抵于基板W的外周部。把持部38a包括形成向内侧开口的剖面V字状的容纳槽的两个槽内面。支承部38b包括朝向旋转轴线A1而从把持部38a向斜下方延伸的倾斜面。支承部38b及把持部38a配置于旋转基座33的上方。把持部38a绕着基板W配置。支承部38b配置于基板W的下方。
基轴39是在上下方向延伸的圆柱状。基轴39插入在上下方向贯通旋转基座33的贯通部33p中。能通过包围夹具构件32的环状密封41来防止液体进入贯通部33p。基轴39经由配置于贯通部33p内的滑动轴承42来被旋转基座33支承。可动夹具32a及固定夹具32b中的任一个基轴39也能够相对于旋转基座33在上下方向移动。固定夹具32b的基轴39固定于升降构件62。可动夹具32a的基轴39能够相对于升降构件62绕着夹具转动轴线A2旋转。
可动夹具32a的基轴39插入在上下方向贯通升降构件62的贯通部62p中。可动夹具32a的基轴39从升降构件62向下方突出。可动夹具32a的基轴39经由配置于贯通部62p内的滚动轴承44来被升降构件62支承。可动夹具32a能够相对于升降构件62绕着相当于夹具转动轴线A2的基轴39的中心线旋转。使升降构件62在上下方向移动的力经由滚动轴承44传递给可动夹具32a。可动夹具32a与升降构件62一起向上下方向移动。
在各个可动夹具32a位于开位置的状态下,搬送机械手R1将手部H1上的基板W置放于各个夹具构件32的支承部38b上。在该状态下,当夹具开闭机构34使各个可动夹具32a移动至闭位置时,一边通过多个支承部38b将基板W向上撑,一边使多个把持部38a接近基板W的外周部。由此,全部的夹具构件32的支承部38b从基板W离开,全部的夹具构件32的把持部38a压抵于基板W的外周部。在该状态下,当夹具开闭机构34使各个可动夹具32a移动至开位置时,全部的夹具构件32的把持部38a从基板W离开,全部的夹具构件32的支承部38b与基板W的外周部接触。
如图5所示,夹具开闭机构34包括:打开机构,使多个可动夹具32a向开位置移动;以及闭合机构,使多个可动夹具32a向闭位置移动。闭合机构包括分别盘绕于多个可动夹具32a的多个线圈弹簧51。打开机构包括:多个从动磁铁55,分别固定于多个可动夹具32a;以及驱动磁铁56,通过使多个从动磁铁55移动来使多个可动夹具32a向开位置移动。
线圈弹簧51盘绕于可动夹具32a的基轴39。线圈弹簧51配置于升降构件62的下方。线圈弹簧51被容纳在安装于升降构件62的壳体52内。线圈弹簧51的一端部插入被固定在升降构件62上的保持部53的插入孔中。线圈弹簧51的另一端部插入在可动夹具32a的外周面开口的保持孔54。线圈弹簧51的一端部限制相对于升降构件62的移动。线圈弹簧51的另一端部限制相对于可动夹具32a的移动。
线圈弹簧51将可动夹具32a保持于原点位置。图5示出可动夹具32a位于开位置的状态。原点位置、开位置与闭位置是绕着夹具转动轴线A2的旋转角不同的各个位置。闭位置是在可动夹具32a的旋转方向上原点位置及开位置之间的位置。当使可动夹具32a从原点位置向开位置转动时,线圈弹簧51会发生弹性变形,产生使可动夹具32a返回至原点位置的回复力。由此,产生使可动夹具32a向闭位置移动的力。
多个从动磁铁55分别配置于多个壳体52内。驱动磁铁56配置于夹具外壳37内。驱动磁铁56通过壳体52及夹具外壳37与从动磁铁55隔开。驱动磁铁56配置于从动磁铁55更内侧。驱动磁铁56配置于旋转电机36更外侧。驱动磁铁56也可以配置于从动磁铁55的正下方。
如图4所示,驱动磁铁56沿着包围旋转轴线A1的圆配置。在俯视下,驱动磁铁56与任一个从动磁铁55在径向相向。驱动磁铁56在俯视下为环状。驱动磁铁56既可以为在全周上连续的环,也可以包括在包围旋转轴线A1的圆周上配置的多个磁铁。
如图2所示,除了驱动磁铁56及从动磁铁55以外,夹具开闭机构34的打开机构还包括:开闭致动器57,通过使驱动磁铁56移动来变更从动磁铁55与驱动磁铁56的间隔。作用于从动磁铁55与驱动磁铁56之间的磁力的强度根据从动磁铁55与驱动磁铁56的间隔来变更。
开闭致动器57配置于夹具外壳37内。开闭致动器57使驱动磁铁56在上位置(图2中的双点划线所示的位置)与下位置(图2中的实线所示的位置)之间在上下方向移动。上位置是作用于驱动磁铁56与从动磁铁55之间的磁力(引力或斥力)高于线圈弹簧51的回复力、并且可动夹具32a配置于开位置的位置。下位置是作用于驱动磁铁56与从动磁铁55之间的磁力(引力或斥力)低于线圈弹簧51的回复力、并且可动夹具32a配置于闭位置的位置。
开闭致动器57为气缸。开闭致动器57也可以具有电动机以及将电动机的旋转转换成驱动磁铁56在上下方向的移动的滚珠螺杆及滚珠螺帽,来取代气缸。开闭致动器57包括:杆,在气缸的轴向延伸;活塞,是与杆连结;以及筒状的缸管,包围杆及活塞。驱动磁铁56与气缸的杆连结。驱动磁铁56与气缸的杆一起在上下方向移动。
如图2所示,旋转夹具31包括:间隔变更机构61,通过使多个夹具构件32相对于旋转基座33进行升降,来变更多个夹具构件32所把持的基板W与后述的发热构件72在上下方向的间隔。间隔变更机构61包括:升降构件62,支承多个夹具构件32;多个引导构件64,将升降构件62在上下方向引导;以及升降驱动单元66,产生使升降构件62在上下方向移动的动力。
升降构件62是包围旋转轴线A1的圆环状。升降构件62包围夹具外壳37。升降构件62配置于旋转基座33的下方。升降构件62被在旋转基座33上固定的筒状的裙部63包围。升降构件62配置于夹具外壳的环状部37b的上方。多个夹具构件32从升降构件62的上表面向上方突出。当升降构件62在上下方向移动时,全部的夹具构件32与升降构件62一起在上下方向移动。
如图4所示,多个引导构件64隔出间隔地排列于周向。引导构件64包括:引导轴64a,在上下方向延伸;以及引导止动件64b,在俯视下比引导轴64a更大。引导轴64a插入在上下方向贯通升降构件62的贯通孔65中。引导止动件64b配置于升降构件62的下方。引导止动件64b在俯视下比升降构件62的贯通孔65更大。
如图2所示,引导轴64a从旋转基座33向下方延伸。引导轴64a固定于旋转基座33。引导止动件64b固定于引导轴64a。升降构件62配置于旋转基座33与引导止动件64b之间。升降构件62能够在下位置与上位置之间相对于旋转基座33在上下方向移动,该下位置是升降构件62的下表面与引导止动件64b接触的位置,该上位置是升降构件62在上方离开引导止动件64b的位置。
升降驱动单元66例如是利用磁力来使升降构件62升降的磁力产生单元。磁力产生单元包括:从动磁铁67,固定于升降构件62;驱动磁铁68,通过使从动磁铁67上升来使升降构件62上升;以及升降致动器69,通过使驱动磁铁68在上下方向移动来变更作用于从动磁铁67与驱动磁铁68之间的磁力的强度。
从动磁铁67固定于升降构件62。从动磁铁67与升降构件62一起在上下方向移动。从动磁铁67配置于夹具外壳37的外侧。驱动磁铁68及升降致动器69配置于夹具外壳37中。驱动磁铁68通过夹具外壳37与从动磁铁67隔开。
驱动磁铁68配置于旋转电机36更外侧。驱动磁铁68配置于从动磁铁67更下方。驱动磁铁68经由夹具外壳37在上下方向与从动磁铁67相向。驱动磁铁68在俯视下与从动磁铁67的至少一部分重叠。驱动磁铁68也可以在俯视下不与从动磁铁67重叠。
如图4所示,从动磁铁67及驱动磁铁68均沿着包围旋转轴线A1的圆配置。从动磁铁67在俯视下为圆弧状。驱动磁铁68在俯视下为环状。驱动磁铁68既可以为在全周连续的环,也可以包括在包围旋转轴线A1的圆周上配置的多个磁铁。间隔变更机构61的驱动磁铁68与夹具开闭机构34的驱动磁铁56配置于与旋转轴线A1间的距离不同的分开的位置。
如图2所示,升降致动器69为气缸。升降致动器69也可以具有电动机以及将电动机的旋转转换成驱动磁铁68在上下方向的移动的滚珠螺杆及滚珠螺帽,来取代气缸。升降致动器69包括:杆,在气缸的轴向延伸;活塞,是与杆连结;以及筒状的缸管,包围杆及活塞。驱动磁铁68与气缸的杆连结。驱动磁铁68与气缸的杆一起在上下方向移动。
升降致动器69使驱动磁铁68在上位置(图2中的双点划线所示的位置)与下位置(图2中的实线所示的位置)之间在上下方向移动。当驱动磁铁68向上位置上升时,从动磁铁67通过作用于从动磁铁67与驱动磁铁68之间的磁力(反作用力)被向上撑。于是,升降构件62上升。当驱动磁铁68到达上位置时,升降构件62配置于上位置。当驱动磁铁68从上位置下降至下位置时,各个引导构件64的引导止动件64b与升降构件62接触,升降构件62配置于下位置。
全部的夹具构件32随着升降构件62的升降而在上位置与下位置之间移动。后述的发热构件72配置于多个夹具构件32的支承部38b所支承的基板W的下方。夹具构件32的上位置是基板W与发热构件72相互分离的退避位置。夹具构件32的下位置是基板W与发热构件72相互接近的接近位置。
在多个夹具构件32位于与接近位置对应的下位置时,从发热构件72的上表面至多个夹具构件32所把持的基板W的下表面的距离D1(参照图7)小于从基板W的下方支承该基板W的搬送机械手R1的手部H1的厚度T1。该距离D1例如是0.1~10mm。因此,此时的搬送机械手R1无法将基板W置放于多个夹具构件32上,也无法从多个夹具构件32取出基板W。
图6A~图6B是用于针对在旋转夹具31与搬送机械手R1之间的基板W的传递进行说明的示意图。
如图6A所示,在搬送机械手R1将基板W置放于多个夹具构件32上时,升降致动器69使多个夹具构件32位于上位置,开闭致动器57使可动夹具32a位于开位置。如图6B所示,在该状态下,手部H1所支承的基板W被置放于多个夹具32的支承部38b。然后,搬送机械手R1以手部H1不接触发热构件72的移动量来使手部H1向下方移动。由此,手部H1与基板W分离。接着,搬送机械手R1使手部H1从基板W与发热构件72之间退避。
在搬送机械手R1的手部H1从基板W的下方退避后,开闭致动器57使可动夹具32a向原点位置移动。此时,可动夹具32a不会到达原点位置,而是在原点位置的前方位置即闭位置停止。由此,可动夹具32a的把持部38a通过线圈弹簧51的回复力被压抵于基板W的外周部。于是,固定夹具32b的把持部38a也被压抵于基板W的外周部。由此,基板W被多个夹具构件32把持。
在搬送机械手R1从多个夹具构件32取出基板W时,升降致动器69使多个夹具构件32向上位置移动。然后,开闭致动器57使可动夹具32a向开位置移动。由此,如图6B所示,全部的夹具构件32的把持部38a与基板W的外周部分离,而全部的夹具构件32的支承部38b与基板W的外周部接触。在该状态下,搬送机械手R1将手部H1插入基板W与发热构件72之间,并且使手部H1向上方移动。如图6A所示,在此过程中,基板W与全部的夹具构件32的支承部38b分离并且被搬送机械手R1的手部H1支承。
接着,针对从下方加热基板W的IH加热机构71进行说明。
图7是示出用于针对设置于旋转夹具31的IH加热机构71进行说明的铅垂剖面的示意图。图8是用于针对加热线圈73的配置进行说明的示意俯视图。
如图7所示,旋转夹具31包括:IH加热机构71,加热多个夹具构件32所保持的基板W。IH加热机构71包括:发热构件72,加热基板W;加热线圈73,供给电力;以及IH电路74,通过对加热线圈73供给电力来产生对发热构件72施加的交变磁场从而使发热构件72发热。IH加热机构71还包括:磁屏蔽构件77,保护发热构件72以外的构件不受交变磁场影响;以及支承构件78,支承加热线圈73。
发热构件72是由交变磁场引起的涡流的产生而随之产生焦耳热的导体。发热构件72也被称为加热台。至少发热构件72的表面由具有耐药品性的材料形成。同样地,至少旋转基座33的表面由具有耐药品性的材料形成。即,与药液接触的所有部分由具有耐药品性的材料形成。这一点对于夹具构件32等除了发热构件72及旋转基座33以外的构件而言也是同样。
发热构件72既可以为一体化后的多个构件,也可以为单一的一体构件。例如,发热构件72既可以包括碳制的芯材和覆盖芯材的表面的碳化硅(SiC)制的涂布层,也可以由玻璃状碳(Glassy carbon)形成。发热构件72也可以由金属等上述以外的材料形成。此外,为了防止交变磁场对在基板W的表面上形成的元件产生影响,也可以用屏蔽磁场的铁等软磁性材料来形成发热构件72的至少一部分。
发热构件72包括配置在基板W与旋转基座33之间的板状部72a。板状部72a例如是包围旋转轴线A1的圆环状。板状部72a的厚度(上下方向的长度)小于旋转基座33的厚度T3。板状部72a的上表面及下表面与基板W的上表面及下表面平行。板状部72a的下表面与旋转基座33的上表面隔着空间平行相向。从旋转基座33的上表面至板状部72a的下表面的距离既可以与从板状部72a的上表面至基板W的下表面的距离D1相等,也可以比该距离D1更长或更短。
在多个夹具构件32把持有基板W且位于下位置时,板状部72a的上表面接近基板W的下表面。此时,从板状部72a的上表面至基板W的下表面的上下方向的距离D1比搬送机械手R1的手部H1的厚度T1更短。另一方面,在多个夹具构件32把持有基板W且位于上位置时,从板状部72a的上表面至基板W的下表面的上下方向的距离D1比搬送机械手R1的手部H1的厚度T1更长。因此,只要在多个夹具构件32位于上位置时,搬送机械手R1就可以将基板W置放于多个夹具构件32,或从多个夹具构件32取出基板W。
发热构件72包括从板状部72a向下方延伸的多个脚部72b。脚部72b也可以为旋转基座33的一部分。即,旋转基座33也可以包括:圆板部,具有比基板W的直径更大的外径;以及多个脚部72b,从圆板部的水平的上表面向上方延伸。脚部72b从板状部72a的下表面延伸至旋转基座33的上表面。板状部72a被多个脚部72b支承。发热构件72被固定于旋转基座33。发热构件72与旋转基座33一起绕着旋转轴线A1旋转。
如图3所示,多个夹具构件32分别插入发热构件72的多个贯通部72p中。贯通部72p在上下方向贯通发热构件72的外周部。贯通部72p既可以为在板状部72a的外周面开口的缺口,也可以为全周封闭的贯通孔。板状部72a的外周面位于夹具构件32的内端更外侧。板状部72a的外径,即发热构件72的外径比旋转基座33的外径更小,比基板W的外径更大。发热构件72的外径既可以与基板W的外径相等,也可以比基板W的外径更小。
如图7所示,加热线圈73配置于支承构件78与旋转基座33之间。加热线圈73在下方与旋转基座33的下表面分离。加热线圈73按照在俯视下与发热构件72重叠的方式配置。加热线圈73与发热构件72分离,并且不与发热构件72物理连接。加热线圈73在径向隔出间隔地包围旋转轴35。多个夹具构件32配置于加热线圈73的周围。加热线圈73在径向与夹具构件32分离。加热线圈73的外端配置在旋转电机36的外周面更外侧。
如图8所示,加热线圈73配置于包围旋转轴线A1的环状区域。图8示出了相互独立的两个加热线圈73分别配置于两个环状区域的例子。两个加热线圈73包括:内线圈73I,配置于包围旋转轴线A1的内侧环状区域RI;以及外线圈73O,配置于同心圆状地包括内侧环状区域RI的外侧环状区域RO。两个加热线圈73分别与两个IH电路74连接。流经两个加热线圈73的交流电流的频率通过两个IH电路74各自进行变更。
发热构件72配置于在加热线圈73附近产生的交变磁场内。流经加热线圈73的交流电流的频率通过IH电路74进行变更。发热构件72的温度通过流经加热线圈73的交流电流的频率来变更。IH电路74由控制装置3控制。由于设置有相互独立的两个加热线圈73,因此控制装置3既可以按照发热构件72的温度均匀的方式使发热构件72发热,也可以按照在发热构件72上产生径向温度梯度的方式使发热构件72发热。
发热构件72的温度被温度计75检测。图8示出了设置有在从旋转轴线A1起的距离不同的二个位置上检测发热构件72的温度的两个温度计75的例子。温度计75的数目既可以为一个,也可以为三个以上。温度计75的检测值被输入给控制装置3。控制装置3基于温度计75的检测值来控制IH电路74,由此使发热构件72的温度接近目标温度。由此,能够高精度地将发热构件72维持于目标温度。
如图7所示,温度计75配置于加热线圈73的下方。温度计75隔着加热线圈73的间隙与旋转基座33相向。温度计75是通过检测从物体辐射出的红外线或可见光的强度来检测物体的温度的辐射式温度计。温度计75是以不与发热构件72接触的方式来检测发热构件72的温度的非接触式温度计。温度计75经由被多个透明构件76堵塞的旋转基座33的多个检测窗来检测发热构件72的温度。检测窗在上下方向贯通旋转基座33。透明构件76由使含有红外线的光线穿透的透明材料形成。
温度计75被支承构件78支承。即便发热构件72与旋转基座33一起旋转,温度计75也不会旋转。另一方面,当旋转基座33旋转时,设置于旋转基座33的多个检测窗也会旋转。如图8所示,旋转基座33的多个检测窗在包围旋转轴线A1的圆周上在周向排列。因此,在旋转基座33旋转中的几乎整个期间,多个检测窗中的任一个与温度计75相向。因此,即便在旋转基座33旋转时,温度计75也可以检测发热构件72的温度。
如图7所示,磁屏蔽构件77包括:筒状的外壁部77a,包围加热线圈73;以及下壁部77b,位于加热线圈73的下方。磁屏蔽构件77由铁等软磁性材料形成。下壁部77b位于上下方向上的加热线圈73与支承构件78之间。下壁部77b是包围旋转轴线A1的圆环状。外壁部77a从下壁部77b的外周部向上方延伸。外壁部77a位于径向上的加热线圈73与夹具构件32之间。夹具构件32等的位于加热线圈73附近的构件通过磁屏蔽构件77来屏蔽交变磁场。
支承构件78固定于腔室4的底部4a。图7示出了支承构件78被旋转电机36的定子36a支承的例子。支承构件78配置于旋转电机36更上方。支承构件78是包围旋转轴线A1的圆环状。支承构件78的外径大于旋转电机36的外径。支承构件78的外周部位于夹具外壳37的上侧筒状部37c的上方。旋转轴35插入在上下方向贯通支承构件78的中央部的贯通孔中。支承构件78在径向隔开间隔地包围旋转轴35。
当控制装置3开始对加热线圈73供给电力时,在加热线圈73的附近产生交变磁场,发热构件72发热。于是,发热构件72的温度急速上升,并且维持在发热构件72的目标温度或其附近。由此,基板W的温度急速上升,并且维持在基板W的目标温度或其附近。旋转电机36的旋转经由旋转轴35及旋转基座33被传递给发热构件72。因此,在控制装置3使发热构件72发热时,当旋转电机36旋转时,发热构件72一边加热基板W一边与基板W一起旋转。
如上所述,发热构件72的板状部72a的厚度T1小于旋转基座33的厚度T3更小。如此,由于发热构件72较薄,因此可以减小发热构件72的体积,并且可以减少发热构件72的热容量。由此,可以使发热构件72立即到达目标温度。此外,在发热构件72的至少一部分由碳等热传导率较大的材料形成的情况下,可以进一步缩短发热构件72到达目标温度的时间。此外,也可以减低发热构件72的温度的不均等。
接着,针对由基板处理装置1执行的基板W的处理的一例进行说明。
图9是用于针对由基板处理装置1执行的基板W的处理的一例进行说明的流程图。图10A~图10F是示出在执行图9所示的基板W的处理的一例中所包含的各个工序时的基板W的状态的示意图。以下的各个工序是通过控制装置3控制基板处理装置1来执行的。换言之,控制装置3是以执行以下的各个工序的方式来编程的。
在由基板处理装置1处理基板W时进行将基板W搬入腔室4内的搬入工序(图9的步骤S1)。
具体而言,在将基板W搬入腔室4内之前,全部的防溅罩28配置于下位置,而包括第一药液喷嘴5的全部可动喷嘴是配置于待机位置。此外,全部的夹具构件32配置于上位置,全部的可动夹具32a配置于开位置。在该状态下,搬送机械手R1使手部H1进入腔室4内,将手部H1上的基板W置放于多个夹具构件32上。由此,基板W被搬入于腔室4内,并且被多个夹具构件32的支承部38b支承。
然后,搬送机械手R1使手部H1从腔室4的内部退避。此外,开闭致动器57使全部的可动夹具32a移动至闭位置。由此,基板W与多个夹具构件32的支承部38b分离,而被多个夹具构件32的把持部38a把持。然后,升降致动器69使全部的夹具构件32移动至下位置。接着,旋转电机36开始旋转。旋转电机36的旋转经由旋转基座33及夹具构件32被传递给基板W。由此,基板W绕着旋转轴线A1旋转。
接着,如图10A所示,同时进行向基板W的上表面供给作为药液的一例的SPM的第一药液供给工序(图9的步骤S2)以及加热基板W与基板W上的SPM的第一加热工序(图9的步骤S3)。
第一药液供给工序中,第一喷嘴移动机构8使第一药液喷嘴5从待机位置移动至处理位置,罩升降单元使其中任一个的防溅罩28与基板W的外周部相向。然后,第一药液阀7打开,第一药液喷嘴5开始喷出SPM。第一药液喷嘴5向旋转中的基板W的上表面喷出比室温更高温(例如,140℃)的SPM。在该状态下,第一喷嘴移动机构8通过使第一药液喷嘴5移动,来使SPM着落在基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动。当第一药液阀7打开后经过了规定时间时,第一药液阀7关闭,停止喷出SPM。然后,第一喷嘴移动机构8使第一药液喷嘴5退避至待机位置。
从第一药液喷嘴5所喷出的SPM在着落于基板W的上表面后,通过离心力沿着基板W的上表面向外侧流动。因此,SPM被供给至基板W的整个上表面,在基板W上形成覆盖基板W的整个上表面的SPM的液膜。由此,抗蚀膜等异物被SPM从基板W上除去。此外,由于第一喷嘴移动机构8在基板W旋转的状态下使SPM着落在基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动,因此SPM的着落位置会通过基板W的整个上表面而扫描基板W的整个上表面。因此,SPM被直接喷涂至基板W的整个上表面,基板W的整个上表面被均匀地处理。
第一加热工序中,控制装置3是开始对加热线圈73供给电力。只要基板W与基板W上的SPM被发热构件72加热,电力供给的开始既可以与第一药液阀7打开同时进行,也可以在第一药液阀7打开之前或之后进行。当开始对加热线圈73供给电力时,在加热线圈73附近产生交变磁场,发热构件72发热。然后,当从开始供给电力经过了规定时间时,停止对加热线圈73供给电力。电力供给的停止既可以与第一药液阀7关闭同时进行,也可以在第一药液阀7关闭之前或之后进行。
当开始对加热线圈73供给电力时,发热构件72立即到达规定的高温。发热构件72例如维持在比第一药液(SPM)的沸点更高的高温。虽然发热构件72的上表面与基板W的下表面在下方分离,但按照搬送机械手R1的手部H1无法进入基板W与发热构件72之间的程度使发热构件72的上表面与基板W的下表面接近。此外,整个或几乎整个基板W在俯视下与发热构件72重叠。因此,基板W与基板W上的SPM被均匀地加热,提高了SPM的处理能力。由此,基板W被SPM有效率地处理。
接着,如图10B所示,进行向基板W的上表面及下表面的双方供给作为冲洗液的一例的纯水的第一冲洗液供给工序(图9的步骤S4)。
具体而言,第一冲洗液阀15打开,冲洗液喷嘴13开始喷出纯水。由此,从冲洗液喷嘴13向旋转中的基板W的上表面中央部喷出纯水。着落于基板W的上表面的纯水沿着基板W的上表面向外侧流动。基板W上的SPM被从冲洗液喷嘴13喷出的纯水冲走。由此,形成覆盖基板W的整个上表面的纯水的液膜。当第一冲洗液阀15打开后经过了规定时间时,第一冲洗液阀15关闭,停止喷出纯水。
另一方面,第二冲洗液阀18打开,下表面喷嘴16开始喷出纯水。由此,从下表面喷嘴16向旋转中的基板W的下表面中央部喷出纯水。第二冲洗液阀18既可以与第一冲洗液阀15同时打开,也可以在第一冲洗液阀15打开之前或之后打开。着落于基板W的下表面的纯水沿着基板W的下表面向外侧流动。附着于基板W的下表面的SPM的雾等被从下表面喷嘴16喷出的纯水冲走。当第二冲洗液阀18打开后经过了规定时间时,第二冲洗液阀18关闭,停止喷出纯水。
接着,如图10C所示,进行向基板W的上表面供给作为药液的一例的SC1的第二药液供给工序(图9的步骤S5)。
具体而言,第二喷嘴移动机构12使第二药液喷嘴9从待机位置移动至处理位置,罩升降单元使不同于第一药液供给工序时的防溅罩28与基板W的外周部相向。然后,第二药液阀11打开,第二药液喷嘴9开始喷出SC1。在该状态下,第二喷嘴移动机构12通过使第二药液喷嘴9移动,来使SC1着落在基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动。当第二药液阀11打开后经过了规定时间时,第二药液阀11关闭,停止喷出SC1。然后,第二喷嘴移动机构12使第二药液喷嘴9退避至待机位置。
从第二药液喷嘴9喷出的SC1在着落于基板W的上表面后,通过离心力沿着基板W的上表面向外侧流动。因此,SC1被供给给基板W的整个上表面,在基板W上形成覆盖基板W的整个上表面的SC1的液膜。由此,颗粒等异物被SC1从基板W上除去。此外,由于第二喷嘴移动机构12在基板W旋转的状态下使SC1着落在基板W的上表面的着落位置在中央部与外周部之间移动,因此SC1的着落位置通过基板W的整个上表面,扫描基板W的整个上表面。因此,SC1被直接喷涂至基板W的整个上表面,基板W的整个上表面被均匀地处理。
接着,如图10B所示,进行向基板W的上表面及下表面的双方供给作为冲洗液的一例的纯水的第二冲洗液供给工序(图9的步骤S6)。
具体而言,第一冲洗液阀15打开,冲洗液喷嘴13开始喷出纯水。由此,从冲洗液喷嘴13向旋转中的基板W的上表面中央部喷出纯水。着落于基板W的上表面的纯水沿着基板W的上表面向外侧流动。基板W上的SC1被从冲洗液喷嘴13喷出的纯水冲走。由此,形成覆盖基板W的整个上表面的纯水的液膜。当第一冲洗液阀15打开后经过了规定时间时,第一冲洗液阀15关闭,停止喷出纯水。
另一方面,第二冲洗液阀18打开,下表面喷嘴16开始喷出纯水。由此,从下表面喷嘴16向旋转中的基板W的下表面中央部喷出纯水。第二冲洗液阀18既可以与第一冲洗液阀15同时打开,也可以在第一冲洗液阀15打开之前或之后打开。着落于基板W的下表面的纯水沿着基板W的下表面向外侧流动。附着于基板W的下表面的SC1的雾等被从下表面喷嘴16喷出的纯水冲走。当第二冲洗液阀18打开后经过了规定预定时间时,第二冲洗液阀18关闭,停止喷出纯水。
接着,如图10D所示,同时进行向基板W供给作为有机溶剂的一例的IPA(液体)的溶剂供给工序(图9的步骤S7)以及加热基板W上的IPA与基板W的第二加热工序(图9的步骤S8)。
溶剂供给工序中,第四喷嘴移动机构25使溶剂喷嘴19从待机位置移动至处理位置,罩升降单元使不同于第一药液供给工序及第二药液供给工序时的防溅罩28与基板W的外周部相向。然后,溶剂阀21打开,溶剂喷嘴19开始喷出IPA。由此,从溶剂喷嘴19向旋转中的基板W的上表面中央部喷出IPA。着落于基板W的上表面的IPA沿着基板W的上表面向外侧流动。基板W上的纯水的液膜被置换成覆盖基板W的整个上表面的IPA的液膜。当溶剂阀21打开后经过了规定时间时,溶剂阀21关闭,停止喷出溶剂。
第二加热工序中,控制装置3开始对加热线圈73供给电力。只要基板W与基板W上的IPA被发热构件72加热,电力供给的开始既可以与溶剂阀21打开同时进行,也可以在溶剂阀21打开之前或之后进行。当开始对加热线圈73供给电力时,在加热线圈73的附近产生交变磁场,发热构件72发热。由此,开始加热基板W。然后,当从开始供给电力起经过了规定时间时,停止对加热线圈73供给电力。对加热线圈73供给电力例如持续到在后述的干燥工序中干燥基板W为止。
当开始对加热线圈73供给电力时,发热构件72立即到达规定的高温。发热构件72的各部维持在IPA的沸点以上的温度。基板W的温度在基板W的整个上表面被IPA的液膜覆盖的状态下到达IPA的沸点以上的值。由此,IPA在IPA与基板W的上表面的界面蒸发,在IPA的液膜与基板W的上表面之间形成气体层。此时,由于IPA的液膜从基板W的上表面浮起,因此作用于基板W上的IPA的液膜的摩擦阻力小到可以视为零的程度。因此,IPA的液膜处于容易沿着基板W的上表面滑动的状态。IPA的液膜在以下所述的IPA除去工序中被从基板W上除去。
在进行了溶剂供给工序后,如图10E所示,进行从基板W上除去IPA的IPA除去工序(图9的步骤S9)。
具体而言,气体喷嘴22在溶剂供给工序中已配置于处理位置。在该状态下,气体阀24打开,气体喷嘴22开始喷出氮气。气体喷嘴22向被IPA的液膜覆盖的基板W的上表面喷出氮气。此外,旋转电机36使基板W在旋转方向加速,使基板W以比IPA供给工序时更大的除去转速来旋转。在气体喷嘴22喷出氮气时,只要基板W以除去转速旋转,基板W的加速就既可以与气体阀24打开同时进行,也可以在气体阀24打开之前后之后进行。氮气的喷出持续到在后述的干燥工序中干燥基板W为止。
在IPA的液膜与基板W的上表面之间形成有气体层的状态下,气体喷嘴22向基板W的上表面内的喷涂位置喷出氮气。位于喷涂位置的IPA通过氮气的供给被推向其周围。由此,在喷涂位置形成干燥区域。此外,由于被氮气推开的IPA从喷涂位置向其周围移动,因此从氮气的供给开始,在IPA的液膜上形成朝向基板W的外周部的向外的流动。此外,由于基板W与氮气的供给同时地在旋转方向加速,因此离心力促进了该流动。由此,基板W上的IPA的液膜不会分裂成大量小液滴而能以块状的状态从基板W上被排除。因此,可以将从基板W浮起的IPA的液膜在短时间内从基板W迅速地排除。
接着,如图10F所示,进行通过以离心力甩开附着于基板W的液体来使基板W干燥的干燥工序(图9的步骤S10)。
具体而言,旋转电机36使基板W在旋转方向加速,使基板W以大于除去转速的高转速(例如数千rpm)旋转。由此,较大的离心力施加于附着在基板W的液体上,液体从基板W向其周围甩开。此外,由于发热构件72持续发热,因此促进了基板W上的液体的蒸发。同样地,由于气体喷嘴22持续喷出氮气,因此促进了基板W上的液体的蒸发。由此,基板W会在短时间内干燥。当基板W开始高速旋转后经过了规定时间时,旋转电机36停止旋转。此外,停止对加热线圈73供给电力,并且气体阀24关闭。
接着,进行将基板W从腔室4搬出的搬出工序(图9的步骤S11)。
具体而言,全部的防溅罩28配置于下位置,包括第一药液喷嘴5的全部可动喷嘴配置于待机位置。此外,全部的夹具构件32配置于上位置,全部的可动夹具32a配置于开位置。当可动夹具32a移动至开位置时,基板W与夹具构件32的把持部38a分离,而被夹具构件32的支承部38b支承。在该状态下,搬送机械手R1使手部H1进入基板W与发热构件72之间,并且使手部H1上升。在手部H1上升的过程中,基板W与全部的夹具构件32的支承部38b分离,而被搬送机械手R1的手部H1支承。然后,搬送机械手R1一边用手部H1来支承基板W,一边使手部H1从腔室4的内部退避。由此,将基板W从腔室4搬出。
如上所述,在本实施方式中,基板W被多个夹具构件32把持。旋转电机36的动力经由位于基板W的下方的旋转基座33被传递给多个夹具构件32。由此,基板W绕着旋转轴线A1旋转。IH加热机构71的IH电路74在基板W旋转时对加热线圈73供给电力。由此,产生施加于发热构件72的交变磁场,发热构件72发热。处理基板W的处理流体被供给给旋转中的基板W。由此,能够均匀地处理基板W。
由于发热构件72通过感应加热的方式被加热,因此无需将对发热构件72供给电力的配线或连接器与发热构件72连接。因此,基板W的转速不会被这样的构造限制。此外,加热基板W的发热构件72配置于基板W与旋转基座33之间,而非配置于旋转基座33的内部。因此,与发热构件72配置于旋转基座33的内部的情况相比,可以缩短基板W与发热构件72的间隔,提高基板W的加热效率。
在本实施方式中,加热线圈73配置于旋转基座33的附近。即,如图7所示,加热线圈73与旋转基座33在上下方向的间隔D2小于加热线圈73的厚度T2。加热线圈73配置于旋转基座33的下方,发热构件72配置于旋转基座33的上方。当使加热线圈73接近旋转基座33时,缩短了从加热线圈73至发热构件72的距离。由此,由于对发热构件72施加的交变磁场变强,因此可以将供给至加热线圈73的电力有效地转换成发热构件72的热。
在本实施方式中,减小了旋转基座33的厚度T3。即,旋转基座33的厚度T3小于加热线圈73的厚度T2。若旋转基座33较厚,则不仅从加热线圈73至发热构件72的距离会增加,施加于发热构件72的交变磁场也会变弱。因此,通过减小旋转基座33的厚度T3,能够有效地使发热构件72的温度上升。
在本实施方式中,在基板W与发热构件72之间并未安装其他构件,而是发热构件72与基板W直接相向。因此,发热构件72的热被有效地传递至基板W。由此,能够提高基板W的加热效率。
在本实施方式中,间隔变更机构61使多个夹具构件32与发热构件72在上下方向相对移动。由此,变更多个夹具构件32所把持的基板W与发热构件72在上下方向的间隔。因此,能够根据需要来变更从发热构件72至基板W的距离。
在本实施方式中,在多个夹具构件32位于作为退避位置的上位置的退避状态下,搬送机械手R1将支承于手部H1上的基板W置放于多个夹具构件32上。接着,搬送机械手R1使手部H1下降并与基板W分离。然后,搬送机械手R1使手部H1从基板W与发热构件72之间退避。在将基板W从多个夹具构件32取出时,在退避状态下将手部H1插入于基板W与发热构件72之间。然后,搬送机械手R1使手部H1上升。由此,基板W与多个夹具构件32分离而被手部H1支承。
根据加热效率的观点,优选发热构件72配置于基板W的附近。然而,若发热构件72过于接近基板W,就无法使手部H1进入基板W与发热构件72之间,从而无法将基板W置放于多个夹具构件32,或从多个夹具构件32取出基板W。如上所述,基板W的传递在退避状态下进行。另一方面,基板W的加热在多个夹具构件32位于作为邻近位置的下位置的邻近状态下进行。因此,可以在不使基板W的加热效率降低的情况下进行基板W的传递。
在本实施方式中,多个夹具构件32包括能够在闭位置与开位置之间相对于旋转基座33移动的可动夹具32a。基板W与发热构件72在上下方向的间隔通过使多个夹具构件32相对于旋转基座33在上下方向移动来变更。因此,可动夹具32a不仅能够在闭位置与开位置之间相对于旋转基座33移动,还能够在上下方向相对于旋转基座33移动。如此,由于无需为了变更基板W与发热构件72在上下方向的间隔而使发热构件72在上下方向移动,因此可以简化支承发热构件72的构造。
在本实施方式中,吸收磁的磁屏蔽构件77的外壁部77a包围加热线圈73。此外,吸收磁的磁屏蔽构件77的下壁部77b位于加热线圈73的下方。因此,可以抑制或消除对位于加热线圈73周围的构件产生的交变磁场的影响。同样地,可以抑制或消除对位于加热线圈73下方的构件产生的交变磁场的影响。
在本实施方式中,检测发热构件72的温度的温度计75的检测值被输入控制装置3。控制装置3基于该检测值来控制对加热线圈73供给的电力。由此,能够以较高的精度使发热构件72的温度接近目标温度。
在本实施方式中,下表面喷嘴16向基板W的下表面喷出处理流体。下表面喷嘴16在俯视下配置于在上下方向贯通发热构件72的中央部的贯通孔72c内。因此,可以抑制或防止从下表面喷嘴16喷出的处理流体妨碍发热构件72。由此,可以向基板W的下表面充分供给处理流体。
在本实施方式中,可动夹具32a绕着铅垂的夹具转动轴线A2转动。在该情况下,与夹具转动轴线A2为水平直线的情况相比,容易减小可动夹具32a通过的通过空间的体积。特别是在夹具转动轴线A2与可动夹具32a的中心线一致的情况下,能够使通过空间的体积与可动夹具32a的体积一致或大致一致。
第二实施方式
接着,针对本发明的第二实施方式进行说明。第二实施方式相对于第一实施方式的主要差异点在于,夹具开闭机构34中设置有将可动夹具32a推至开位置的推杆284,来代替从动磁铁55及驱动磁铁56。
图11是示出本发明的第二实施方式的包括可动夹具32a的铅垂剖面的示意图。图12是示出沿着图11所示的XII-XII线的水平剖面的示意图。在图11~图12中,对于与上述的图1~图10F所示的各部同等的构成标记与图1等相同的附图标记并省略其说明。图11示出了可动夹具32a配置于闭位置及上位置的状态。
可动夹具32a通过水平延伸的支承轴281和插入有支承轴281的支承孔282而被升降构件62支承。支承轴281设置于可动夹具32a,支承孔282设置于升降构件62。支承轴281也可以设置于升降构件62,支承孔282也可以设置于可动夹具32a。
一对支承轴281是从可动夹具32a相互向相反的方向延伸。一对支承轴281位于同一直线上。支承轴281在包围旋转轴线A1(参照图2)的圆的切线方向上水平地延伸。支承孔282从设置于升降构件62的贯通部62p的内表面凹陷。一对支承轴281分别插入于一对支承孔282中。
可动夹具32a能够绕着相当于支承轴281的中心线的水平的夹具转动轴线A2而相对于升降构件62移动。可动夹具32a的上端部随着可动夹具32a绕着夹具转动轴线A2的转动而在径向移动。升降构件62的贯通部62p是从升降构件62的外周面向内侧延伸的缺口。同样地,旋转基座33的贯通部33p是从旋转基座33的外周面向内侧延伸的缺口。贯通部62p及贯通部33p也可以为全周封闭的贯通孔。
可动夹具32a包括从基轴39向内侧延伸的内侧突出部283。夹具开闭机构34的线圈弹簧51配置于内侧突出部283的上方。线圈弹簧51的一端部被固定于升降构件62的保持部53保持。线圈弹簧51的另一端部被内侧突出部283保持。线圈弹簧51将可动夹具32a保持于原点位置。当可动夹具32a从原点位置转动至开位置(在图11中为左侧)时,线圈弹簧51发生弹性变形,产生使可动夹具32a返回原点位置的回复力。由此,产生使可动夹具32a移动至闭位置的力。
夹具开闭机构34包括将多个可动夹具32a向开位置按压的多个推杆284。推杆284配置于内侧突出部283更下方。推杆284插入于贯通夹具外壳37的贯通孔中。推杆284的外周面与贯通孔的内周面之间的间隙通过包围推杆284的环状的环状密封285所密闭。推杆284的前端面配置于夹具外壳37的外侧。推杆284的前端面朝向上方。图11示出了推杆284的前端面为半球状的例子。推杆284的前端面也可以为平面。
多个推杆284是连接于开闭致动器57。开闭致动器57使多个推杆284在上位置与下位置之间在上下方向移动。图11示出了推杆284配置于下位置的状态。在旋转基座33的旋转角为传递角度时,多个推杆284在俯视下分别与多个内侧突出部283重叠。在该状态下,当开闭致动器57使推杆284移动至上位置时,推杆284的前端与内侧突出部283的下表面接触,内侧突出部283被向上方按压。由此,可动夹具32a转动至开位置,配置于开位置。当开闭致动器57使推杆284从上位置向下方移动时,推杆284与可动夹具32a分离,通过线圈弹簧51的回复力使可动夹具32a转动至原点位置。
在搬送机械手R1(参照图3)将基板W置放于多个夹具构件32时,升降致动器69(参照图2)使全部的夹具构件32位于上位置。旋转基座33配置于旋转基座33的旋转角为传递角度的传递位置上。在该状态下,开闭致动器57使推杆284移动至上位置。由此,全部的可动夹具32a配置于开位置。
在全部的夹具构件32位于上位置、且全部的可动夹具32a配置于开位置的状态下,搬送机械手R1将支承于手部H1上的基板W置放于多个夹具构件32的支承部38b上。然后,开闭致动器57使推杆284移动至下位置。可动夹具32a在通过线圈弹簧51的回复力返回至原点位置的途中被压抵于基板W的外周部。由此,可动夹具32a配置于开位置与原点位置之间的闭位置,基板W被多个夹具的把持部38a把持。
如上所述,在本实施方式中,当夹具开闭机构34的开闭致动器57使作为按压部的一例的推杆284上升至上位置时,推杆284与作为被按压部的一例的内侧突出部283接触,并且将内侧突出部283向上方按压。由此,可动夹具32a配置于开位置。然后,当开闭致动器57使推杆284从上位置下降时,推杆284从内侧突出部283在下方分离,可动夹具32a返回闭位置。由此,能够使可动夹具32a在闭位置与开位置之间移动。
第三实施方式
接着,针对本发明的第三实施方式进行说明。第三实施方式相对于第二实施方式的主要的差异点是在于升降致动器69兼作开闭致动器57。
图13是示出本发明的第三实施方式的包括可动夹具32a的铅垂剖面的示意图。图14是示出沿着图13所示的XIV-XIV线的水平剖面的示意图。在图13~图14中,对于与上述的图1~图12所示的各部同等的构成标记与图1等相同的附图标记并省略其说明。图13示出了可动夹具32a配置于闭位置及下位置的状态。
如图13所示,夹具开闭机构34的推杆384从旋转基座33的下表面向下方延伸。推杆384固定于旋转基座33。推杆384的前端面朝向下方。推杆384位于旋转基座33的贯通部33p的周围。贯通部33p是全周封闭的贯通孔。推杆384位于从基轴39向外侧延伸的外侧突出部386的上方。如图14所示,即便在可动夹具32a位于夹具转动轴线A2周围的任一位置时,推杆384在俯视下仍与外侧突出部386重叠。多个推杆384分别在上下方向与多个外侧突出部386相向。
在搬送机械手R1(参照图3)将基板W置放于多个夹具构件32时,升降致动器69(参照图2)使升降构件62及可动夹具32a上升至上位置。在此过程中,可动夹具32a的外侧突出部386被推杆384向下方按压,可动夹具32a转动至开位置。当可动夹具32a到达上位置时,可动夹具32a配置于开位置。在该状态下,搬送机械手R1将支承于手部H1上的基板W置放于多个夹具构件32的支承部38b上。
在基板W被置放于多个夹具构件32之后,升降致动器69使升降构件62及可动夹具32a下降至下位置。由此,外侧突出部386与推杆384向下方分离,可动夹具32a通过线圈弹簧51的回复力向原点位置转动。可动夹具32a在返回原点位置的途中被压抵于基板W的外周部。由此,可动夹具32a配置于开位置与原点位置之间的闭位置,基板W被多个夹具的把持部38a把持。
如上所述,在本实施方式中,当升降致动器69使多个夹具构件32上升至上位置时,作为被按压部的一例的外侧突出部386与作为按压部的一例的推杆384接触,被向下方按压。由此,可动夹具32a配置于开位置。然后,当升降致动器69使多个夹具构件32从上位置下降时,外侧突出部386与推杆384向下方分离,可动夹具32a返回闭位置。如此,由于使多个夹具构件32相对于旋转基座33进行升降的升降致动器69兼作使可动夹具32a移动的开闭致动器57(参照图2),因此无需专用的开闭致动器57。
第四实施方式
接着,针对本发明的第四实施方式进行说明。第四实施方式相对于第一实施方式的主要的差异点不仅在于多个夹具构件32,还在于发热构降72进行升降。
图15是示出本发明的第四实施方式的旋转夹具31的铅垂剖面的示意图。在图15中,对于与上述的图1~图14所示的各部同等的构成标记与图1等相同的附图标记并省略其说明。
可动夹具32a被保持于旋转基座33。可动夹具32a能够相对于旋转基座33绕着夹具转动轴线A2转动,而无法相对于旋转基座33在上下方向移动。容纳线圈弹簧51与从动磁铁55的壳体52安装于旋转基座33。保持线圈弹簧51的一端部的保持部53被固定于旋转基座33。未进行图示,固定夹具32b(参照图3)被固定于旋转基座33。
升降构件62配置于壳体52的下方。升降构件62的上位置是与壳体52向下方分离的位置。升降构件62与多个引导构件64一起升降。引导止动件64b从升降构件62的上表面向上方延伸,引导轴64a从引导止动件64b向上方延伸。引导轴64a插入于在上下方向贯通旋转基座33的贯通孔中。引导止动件64b配置于旋转基座33的下方。升降构件62相对于旋转基座33向上方向的移动被引导止动件64b与旋转基座33的接触所限制。
发热构件72被引导轴64a支承。发热构件72被固定于引导轴64a的上端部。发热构件72与升降构件62一起升降。从发热构件72中省略在发热构件72的板状部72a与旋转基座33之间安装的脚部72b(参照图2)。升降构件62、引导构件64及发热构件72能够相对于旋转基座33在上下方向移动。
发热构件72随着升降构件62的升降而在上位置(图15中的双点划线所示的位置)与下位置(图15中的实线所示的位置)之间在上下方向移动。在发热构件72位于上位置时,从发热构件72的上表面至多个夹具构件32的把持部38a所把持的基板W的下表面的距离D1小于搬送机械手R1的手部H1的厚度T1(参照图7)。与此相反,在发热构件72位于下位置时,该距离D1大于手部H1的厚度T1。
在搬送机械手R1将基板W置放于多个夹具构件32上时,升降致动器69使发热构件72位于作为退避位置的下位置。此外,开闭致动器57使全部的可动夹具32a位于开位置。在该状态下,搬送机械手R1将支承于手部H1上的基板W置放于多个夹具构件32的支承部38b上。然后,开闭致动器57使全部的可动夹具32a移动至闭位置。由此,基板W被多个夹具构件32的把持部38a把持。在搬送机械手R1的手部H1从发热构件72的上方退避后,升降致动器69使发热构件72移动至作为接近位置的上位置。
如上所述,在本实施方式中,多个夹具构件32包括能够在闭位置与开位置之间相对于旋转基座33移动的可动夹具32a。基板W与发热构件72在上下方向的间隔通过使发热构件72相对于旋转基座33在下方向移动来变更。如此,由于无需为了变更基板W与发热构件72在上下方向的间隔而使多个夹具构件32在上下方向移动,因此能够简化支承多个夹具构件32的构造。
其他实施方式
本发明并非被限定于上述的实施方式的内容,而是能够进行各种变更。
例如,加热线圈73与旋转基座33在上下方向的间隔D2既可以等于加热线圈73的厚度T2,也可以大于加热线圈73的厚度T2。
旋转基座33的厚度T3既可以等于加热线圈73的厚度T2,也可以大于加热线圈73的厚度T2。
发热构件72的板状部72a的厚度既可以等于旋转基座33的厚度T3,也可以大于旋转基座33的厚度T3。
发热构件72也可以与多个夹具构件32所把持的基板W间接相向。即,其他构件也可以配置于发热构件72与基板W之间。
也可以省略变更基板W与发热构件72的间隔的间隔变更机构61。即,可以多个夹具构件32所把持的基板W配置的把持位置与发热构件72的间隔也可以为固定。
只要夹具开闭机构34等加热线圈73以外的构件不受影响,也可以省略屏蔽交变磁场的磁屏蔽构件77。
为了使发热构件72的温度与目标温度抑制,控制装置3也可以不参照温度计75的检测值,而是变更在加热线圈73流动的交流电流的指令值。即,也可以省略温度计75。
只要无需对基板W的下表面供给处理流体,也可以省略下表面喷嘴16。在该情况下,也可以省略在上下方向贯通发热构件72的中央部的贯通孔。同样地,也可以省略在上下方向贯通旋转基座33的中央部的贯通孔。
夹具开闭机构34的驱动磁铁56也可以在俯视下为圆弧状。在该情况下,可动夹具32a的开闭在旋转基座33位于传递位置(传递角度)时进行,该传递位置是驱动磁铁56在俯视下在径向与任一从动磁铁55均相向的位置。
升降驱动单元66的驱动磁铁68也可以在俯视下为圆弧状。在该情况下,升降构件62的升降在旋转基座33位于传递位置(传递角度)时进行,该传递位置是驱动磁铁68位于从动磁铁67的下方的位置。
在所述的基板W的处理的一例中,针对执行第一加热工序(图9的步骤S3)及第二加热工序(图9的步骤S8)的双方的情况进行了说明,但是也可以省略第一加热工序或第二加热工序。
也可以使用对从动磁铁55施加磁场来使可动夹具32a移动至闭位置的闭合用磁铁,来代替使可动夹具32a移动至闭位置的线圈弹簧51。在该情况下,闭合用磁铁配置于壳体52内。
基板处理装置1也可以为处理多边形基板W的装置。
也可以将上述全部结构的两个以上进行组合。
本申请对应于2016年9月23日向日本专利厅提交的日本特愿2016-186148号,本申请的全部公开通过引用而编入于此。
虽然已针对本发明的实施方式加以详细说明,但是上述仅是为了明确本发明的技术内容所用的具体例,本发明不应被解释为限定于上述具体例,本发明的精神及范围仅通过所附的权利要求书来限定。
附图标记说明
1 基板处理装置
3 控制装置
5 第一药液喷嘴(处理流体供给单元)
9 第二药液喷嘴(处理流体供给单元)
13 冲洗液喷嘴(处理流体供给单元)
16 下表面喷嘴(处理流体供给单元)
19 溶剂喷嘴(处理流体供给单元)
22 气体喷嘴(处理流体供给单元)
32 夹具构件
32a 可动夹具
32b 固定夹具
33 旋转基座
34 夹具开闭机构
35 旋转轴
36 旋转电机
38a 把持部
38b 支承部
51 线圈弹簧
55 从动磁铁
56 驱动磁铁
57 开闭致动器
61 间隔变更机构
62 升降构件
66 升降驱动单元
67 从动磁铁
68 驱动磁铁
69 升降致动器
71 IH加热机构
72 发热构件
72a 板状部
72b 脚部
73 加热线圈
74 IH电路
75 温度计
76 透明构件
77 磁屏蔽构件
77a 外壁部
77b 下壁部
283 内侧突出部(被按压部)
284 推杆(按压部)
384 推杆(按压部)
386 外侧突出部(被按压部)
A1 旋转轴线
A2 夹具转动轴线
D1 从发热构件至基板的距离
D2 加热线圈与旋转基座在上下方向的间隔
H1 手部
R1 搬送机械手
T1 手部的厚度
T2 加热线圈的厚度
T3 旋转基座的厚度
W 基板

Claims (16)

1.一种基板处理装置,具有:
多个夹具构件,通过由配置于基板的周围的多个把持部将所述基板夹持为水平,由此将所述基板把持为水平;
旋转电机,产生使所述基板绕着贯通多个所述夹具构件所把持的所述基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的动力;
旋转基座,配置于多个所述夹具构件所把持的所述基板的下方,向多个所述夹具构件传递所述旋转电机的动力;
处理流体供给单元,向所述基板的上表面及下表面的至少一方供给处理多个所述夹具构件所把持的所述基板的处理流体;以及
IH加热机构,包括发热构件、加热线圈及IH电路,所述发热构件配置于多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述旋转基座之间,所述加热线圈配置于所述旋转基座的下方,所述IH电路通过对所述加热线圈供给电力来产生施加于所述发热构件的交变磁场从而使所述发热构件发热。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述加热线圈与所述旋转基座在上下方向的间隔小于所述加热线圈的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,所述旋转基座的厚度小于所述加热线圈的厚度。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其中,所述发热构件与多个所述夹具构件所把持的所述基板直接相向。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的基板处理装置,其中,所述基板处理装置还具有:间隔变更机构,通过使多个所述夹具构件或所述发热构件在上下方向移动,来变更多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述发热构件在上下方向的间隔。
6.根据权利要求5项所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有:搬送机械手,一边通过配置于所述基板的下方的手部来支承所述基板,一边将所述基板搬送至多个所述夹具构件,
所述间隔变更机构使多个所述夹具构件或所述发热构件在退避位置与接近位置之间在上下方向移动,所述退避位置是多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述发热构件在上下方向的间隔大于所述手部的厚度的位置,所述接近位置是所述间隔小于所述手部的厚度的位置。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置,其中,
所述间隔变更机构使多个所述夹具构件相对于所述旋转基座在上下方向移动,
多个所述夹具构件包括:可动夹具,能够在压抵于所述基板的外周部的闭位置与解除相对于所述基板的外周部的压抵的开位置之间,相对于所述旋转基座移动。
8.根据权利要求5或6所述的基板处理装置,其中,所述间隔变更机构使所述发热构件相对于所述旋转基座在上下方向移动。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的基板处理装置,其中,所述基板处理装置还具有:磁屏蔽构件,包括包围所述加热线圈的筒状的外壁部以及位于所述加热线圈的下方的下壁部,屏蔽通过对所述加热线圈供给电力而产生的交变磁场。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的基板处理装置,其中,所述基板处理装置还具有:温度计,检测所述发热构件的温度;以及控制装置,基于所述温度计的检测值来控制所述IH加热机构。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的基板处理装置,其中,所述流体供给单元包括:下表面喷嘴,在俯视下配置于在上下方向贯通所述发热构件的贯通孔内,向多个所述夹具构件所把持的所述基板的下表面喷出所述处理流体。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的基板处理装置,其中,多个所述夹具构件包括:可动夹具,能够在压抵于所述基板的外周部的闭位置与解除相对于所述基板的外周部的压抵的开位置之间,绕着铅垂的夹具转动轴线相对于所述旋转基座移动。
13.根据权利要求1~11中任一项所述的基板处理装置,其中,多个所述夹具构件包括:可动夹具,能够在压抵于所述基板的外周部的闭位置与解除相对于所述基板的外周部的压抵的开位置之间,绕着水平的夹具转动轴线相对于所述旋转基座移动。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有:夹具开闭机构,通过使所述可动夹具在所述闭位置与所述开位置之间移动,从而在多个所述把持部压抵于所述基板的外周部的闭状态与解除多个所述把持部相对于所述基板的压抵的开状态之间,切换多个所述夹具构件,
所述夹具开闭机构包括:按压部,通过将所述可动夹具向上方或下方按压,使所述可动夹具移动至所述开位置,
所述可动夹具包括被所述按压部按压的被按压部。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其中,所述夹具开闭机构还包括:开闭致动器,使所述按压部在所述按压部接触于所述被按压部的上位置与所述按压部从所述被按压部向下方分离的下位置之间在上下方向移动。
16.根据权利要求14所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还具有:间隔变更机构,通过使多个所述夹具构件相对于所述旋转基座在上下方向移动,来变更多个所述夹具构件所把持的所述基板与所述发热构件在上下方向的间隔,
所述按压部以位于所述被按压部的上方的方式与所述旋转基座连结,
所述间隔变更机构包括:升降致动器,使多个所述夹具构件在所述被按压部接触于所述按压部的上位置与所述被按压部从所述按压部向下方分离的下位置之间,相对于所述旋转基座在上下方向移动。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017996A (zh) * 2019-05-29 2020-12-01 细美事有限公司 基板处理装置和方法
CN112750746A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 佳能特机株式会社 基板保持单元、基板保持构件、基板保持装置及基板处理装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6938248B2 (ja) * 2017-07-04 2021-09-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN111819663A (zh) * 2018-03-06 2020-10-23 东京毅力科创株式会社 液处理装置和液处理方法
TWI771501B (zh) * 2018-09-28 2022-07-21 大陸商盛美半導體設備(上海)股份有限公司 基板清洗裝置
CN111063652B (zh) * 2018-10-16 2022-08-30 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种基板夹持承载台
JP6979935B2 (ja) * 2018-10-24 2021-12-15 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
JP7379141B2 (ja) 2019-12-23 2023-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板保持装置、基板処理方法
KR20220170007A (ko) 2021-06-22 2022-12-29 곽민준 스핀코터의 핫플레이트 결합 시스템
KR102561219B1 (ko) * 2021-08-24 2023-07-28 (주)디바이스이엔지 기판 처리장치용 기판 지지 조립체
KR20230053155A (ko) 2021-10-14 2023-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102616076B1 (ko) 2023-09-15 2023-12-20 (주)디바이스이엔지 발열부가 장착된 기판 처리장치
KR102665721B1 (ko) 2023-09-15 2024-05-13 (주)디바이스이엔지 발열부가 장착된 기판 처리장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201420212A (zh) * 2012-10-16 2014-06-01 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
CN104992911A (zh) * 2013-09-10 2015-10-21 斯克林集团公司 基板处理方法以及基板处理装置
CN105051869A (zh) * 2013-03-29 2015-11-11 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN109155273A (zh) * 2016-05-26 2019-01-04 三益半导体工业株式会社 旋转台用晶片加热保持机构及方法和晶片旋转保持装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3638374B2 (ja) 1996-04-25 2005-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JPH11340236A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Seiko Epson Corp 基板加熱装置
JP2000133626A (ja) 1998-10-26 2000-05-12 Hitachi Ltd 基板洗浄装置
JP2001035800A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Hitachi Ltd 半導体のエピタキシャル成長装置および成長方法
JP2002334922A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体デバイスの製造装置及び半導体デバイスの製造方法
JP4067858B2 (ja) * 2002-04-16 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 Ald成膜装置およびald成膜方法
JP4288110B2 (ja) 2003-06-17 2009-07-01 三井造船株式会社 半導体製造装置
JP2007042324A (ja) 2005-08-01 2007-02-15 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 誘導加熱方法、及び誘導加熱装置
JP2007335709A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5301505B2 (ja) * 2009-08-27 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2012089537A (ja) 2010-10-15 2012-05-10 Nikon Corp ステージ装置、基板貼り合せ装置、積層半導体装置の製造方法及び積層半導体装置
KR101395222B1 (ko) 2010-12-31 2014-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101882330B1 (ko) * 2011-06-21 2018-07-27 엘지이노텍 주식회사 증착 장치
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2014136249A (ja) 2013-01-18 2014-07-28 Mitsubishi Electric Corp はんだ付け装置、半導体装置の製造方法
JP6331189B2 (ja) 2014-03-07 2018-05-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6230941B2 (ja) * 2014-03-26 2017-11-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US9947572B2 (en) 2014-03-26 2018-04-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6461621B2 (ja) * 2015-01-23 2019-01-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN105826219B (zh) 2015-01-23 2019-01-04 株式会社思可林集团 基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴
JP6795294B2 (ja) 2015-10-07 2020-12-02 フジテック株式会社 乗客コンベア
US11979965B2 (en) * 2017-01-10 2024-05-07 King Abdullah University Of Science And Technology Susceptors for induction heating with thermal uniformity

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201420212A (zh) * 2012-10-16 2014-06-01 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
CN105051869A (zh) * 2013-03-29 2015-11-11 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN104992911A (zh) * 2013-09-10 2015-10-21 斯克林集团公司 基板处理方法以及基板处理装置
CN109155273A (zh) * 2016-05-26 2019-01-04 三益半导体工业株式会社 旋转台用晶片加热保持机构及方法和晶片旋转保持装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
潘渊,徐春龙: "《大学物理实验》", 西北工业大学出版社, pages: 228 - 229 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017996A (zh) * 2019-05-29 2020-12-01 细美事有限公司 基板处理装置和方法
CN112750746A (zh) * 2019-10-29 2021-05-04 佳能特机株式会社 基板保持单元、基板保持构件、基板保持装置及基板处理装置
CN112750746B (zh) * 2019-10-29 2024-01-12 佳能特机株式会社 基板保持单元、基板保持构件、基板保持装置及基板处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6689719B2 (ja) 2020-04-28
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