TW201901840A - 基板搬運裝置及方法 - Google Patents

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周友華
莊國勝
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Abstract

基板搬運裝置包括藉由邊緣界定之基板接收區。基板接收區包括平坦表面及複數個接觸結構。複數個接觸結構之至少一個接觸結構位於邊緣處及複數個接觸結構之至少一個接觸結構位於平坦表面上。基板接收區及平坦表面由第一材料組成。複數個接觸結構之每個接觸結構包括不同於第一材料之第二材料,第二材料具有與基板材料之硬度相對應的硬度。

Description

基板搬運裝置及方法
本揭示內容是關於一種搬運裝置及其方法,特別是關於一種具接觸結構之基板搬運裝置及其方法。
在積體電路(integrated circuit;IC)製造過程中,使用製造設備之各零件形成及測試個別IC元件以執行多個操作。IC建於其上之基板在設備之各零件之間及之內移動同時隔開可損壞電路功能之雜質。此種移動經常包括具有在多處接觸基板之裝置的搬運基板。
IC基板之製造日益包括背面操作,其中各材料用以形成底層。這些底層經常接觸基板搬運裝置。
本揭示內容之實施方式是關於一種基板搬運裝置,包含基板接收區,其由邊緣界定。基板接收區包含平坦表面以及複數個接觸結構。上述接觸結構之至少一個接觸結構位於邊緣處及上述接觸結構之至少一個接觸結構位於平坦表面上。上述基板接收區及平坦表面由第一材料組成,以 及上述複數個接觸結構之每個接觸結構包含不同於第一材料之第二材料,第二材料具有與基板材料之硬度相對應的硬度。
100‧‧‧基板搬運裝置
103‧‧‧相對較厚部分
105‧‧‧邊緣
110‧‧‧基板接收區
112‧‧‧上部表面
120A‧‧‧接觸結構
120B‧‧‧接觸結構
120C‧‧‧接觸結構
122A‧‧‧頂表面
122B‧‧‧頂表面
122C‧‧‧側面
130‧‧‧孔
150‧‧‧基板
152‧‧‧側壁
154‧‧‧角落
200‧‧‧基板搬運裝置
202‧‧‧上部表面部分
205‧‧‧主體
210‧‧‧升舉銷
220‧‧‧接觸結構
222‧‧‧頂表面
300A‧‧‧接觸材料表面圖案
300B‧‧‧接觸材料表面圖案
300C‧‧‧接觸材料表面圖案
302A‧‧‧平坦表面
302B‧‧‧平坦表面
302C‧‧‧平坦表面
310‧‧‧脊
320‧‧‧槽
330‧‧‧角錐
400‧‧‧方法
410‧‧‧操作
420‧‧‧操作
430‧‧‧操作
440‧‧‧操作
450‧‧‧操作
460‧‧‧操作
當結合附圖閱讀時,自以下詳細描述很好地理解本揭示案之態樣。應當注意,根據工業中標準實務,各特徵未按比例繪製。事實上,為論述清楚,各特徵之大小可任意地增加或縮小。
第1A圖至第1D圖為根據一些實施例之基板搬運裝置的示圖。
第2A圖至第2B圖為根據一些實施例之基板搬運裝置的示圖。
第3圖為根據一些實施例之接觸材料表面圖案的示圖。
第4圖為根據一些實施例之對準基板接觸材料至基板材料之方法的流程圖。
以下揭示案提供用於實施所提供標的之不同特徵之許多不同實施例或實例。下文描述了元件、數值、操作、材料、佈置等之特定實例以簡化本揭示案。當然,此等僅僅為實例且不意指限制。可設想其他元件、數值、操作、材料、佈置等。舉例而言,在隨後描述中之第一特徵在第二特徵上方或在第二特徵上之形成可包括其中第一及第二特徵形成 為直接接觸之實施例,以及亦可包括額外特徵可形成在第一及第二特徵之間,以使得第一及第二特徵可不直接接觸之實施例。另外,本揭示案在各實例中可重複元件符號及/或字母。此重複為出於簡易及清楚之目的,且本身不指示所論述各實施例及/或配置之間的關係。
另外,空間相對術語,諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及類似者,在此為便於描述可用於描述諸圖中所圖示一個元件或特徵與另一元件(或多個元件)或特徵(或多個特徵)之關係。除圖形中描繪之方向外,空間相對術語意圖是包含裝置在使用或操作中之不同的方向。元件可為不同朝向(旋轉90度或在其他的方向)及在此使用之空間相關的描述詞可因此同樣地解釋。
在各實施例中,基板搬運裝置包括複數個接觸結構。複數個接觸結構之每個接觸結構包括具有與基板材料之硬度相對應之硬度的材料。由於硬度匹配,相比於其中硬度與要接觸之基板材料之硬度不相對應的方法,對基板還是基板搬運裝置之刮傷或其他損壞減少。
第1A圖至第1D圖為根據一些實施例之基板搬運裝置100的圖。第1A圖描繪基板搬運裝置100之俯視圖,及第1B圖至第1D圖描繪根據一些實施例之沿A-A'線段截取之基板搬運裝置100的橫截面視圖。除基板搬運裝置100之外,第1A圖至第1D圖亦描繪基板150。
基板搬運裝置100包括邊緣105、藉由邊緣105界定之基板接收區110、複數個接觸結構120A、120B及 120C(統稱為120)、及孔130。在第1A圖中描繪之實施例中,基板搬運裝置100包括四個接觸結構120A、四個接觸結構120B及單個接觸結構120C。在各實施例中,基板搬運裝置100包括大於或少於四個接觸結構120A。在各實施例中,基板搬運裝置100包括大於或少於四個接觸結構120B。在各實施例中,基板搬運裝置100包括大於單個接觸結構120C。
基板搬運裝置100為一剛性結構,此剛性結構經配置以藉由支撐基板之重量來控制基板之位置。在一些實施例中,基板搬運裝置100經配置以當將基板自第一位置傳遞至第二位置時藉由支撐基板之橫向移動來控制基板之多個位置。
在一些實施例中,基板搬運裝置100為機械臂之機械葉片。在一些實施例中,基板搬運裝置100為在IC製造環境中之製程腔室的元件。在一些實施例中,基板搬運裝置100為測試台之元件。在一些實施例中,基板搬運裝置100為基板載體之複數個基板搬運裝置100的一個基板搬運裝置100。
基板搬運裝置100包括一或多個金屬或具有足以支撐及在一些實施例中傳遞基板之剛性及強度的其他材料。
邊緣105包括基板搬運裝置100之大體上垂直部分,其將基板接收區110與基板搬運裝置100之相對較厚部分103分隔,進而在基板搬運裝置100內界定基板接收區 110。在一些實施例中,邊緣105具有包括除大體上垂直部分外的部分之輪廓。
在第1A圖中描繪之實施例中,在平面圖中邊緣105具有弧形輪廓。在一些實施例中,邊緣105具有直線輪廓。在一些實施例中,邊緣105具有包括多個段之輪廓,及每個段具有在俯視圖中描繪之弧形或直線形狀。在一些實施例中,邊緣105包括多個、非連續段,及每個段具有弧形或直線輪廓。
基板接收區110為相比於形成邊緣之較厚部分藉由邊緣105界定之基板搬運裝置100的相對較薄部分。基板接收區110具有大體上平坦的上部表面112。在一些實施例中,上部表面112垂直於邊緣105。
複數個接觸結構120包括定位在靠近邊緣105之基板接收區110中之接觸結構120A、定位在遠離邊緣105之基板接收區110中之接觸結構120B,及在邊緣105之大體上垂直部分處的接觸結構120C。
每個接觸結構120A包括頂表面122A,每個接觸結構120B包括頂表面122B,及接觸結構120C包括側面122C。在一些實施例中,複數個接觸結構120包括多於一個接觸結構120C,及每個接觸結構120C包括側面122C。
每個接觸結構120A在上部表面112上方延伸,及進而經配置以使得在操作中,頂表面122A接觸基板,例如在基板接收區110中邊緣105附近之位置被支撐之基板150。每個接觸結構120B在上部表面112上方延伸,及進而 經配置以使得在操作中,頂表面122B接觸基板,例如在基板接收區110遠離邊緣105之位置被支撐之基板150。
接觸結構120C自邊緣105橫向延伸,及進而經配置以使得在操作中,側面122C能夠接觸一基板,例如被支撐及在一些實施例中在基板接收區110中沿邊緣105之位置傳遞之基板150。在第1B圖中描繪之實施例中,側面122C為大體上垂直的,進而經配置以使得在操作中側面122C接觸基板150之側壁152。
在第1B圖中描繪之實施例中,接觸結構120C經附接至邊緣105以使得位於邊緣105處並自邊緣105橫向延伸。在一些實施例中,接觸結構120C經附接至上部表面112以使得位於邊緣105並自邊緣105橫向延伸。
在第1C圖中描繪之實施例中,側面122C包括水平部分,進而經配置以使得在操作中側面122C接觸基板150之角落154。
在第1D圖中描繪之實施例中,側面122C包括水平部分,複數個接觸結構120並不包括接觸結構120A,及進而經配置以便在操作中,基板,例如基板150,其藉由沿邊緣105之接觸結構120C及藉由遠離邊緣105之接觸結構120B來支撐。
在第1C圖及第1D圖中描繪之一些實施例中,接觸結構120C經附接至邊緣105以便位於邊緣105處並自邊緣105橫向延伸。在第1C圖及第1D圖中描繪之一些實施 例中,接觸結構120C經附接至上部表面112以便位於邊緣105並自邊緣105橫向延伸。
頂表面122A及頂表面122B及側面122C之每個為具有與例如基板150之基板之材料的硬度相對應的硬度的接觸材料表面。在一些實施例中,接觸材料具有與基板材料之硬度相對應的硬度。在一些實施例中,接觸結構120A、接觸結構120B或接觸結構120C之一或多個僅包括接觸材料。在一些實施例中,接觸結構120A、接觸結構120B或接觸結構120C之一或多個包括除接觸材料外之一或多個材料。
在一些實施例中,接觸或基板材料之一個或兩個包括矽、二氧化矽、氮化矽、碳化矽、金屬、金屬合金、金屬氧化物,或聚合物。
在一些實施例中,根據莫式硬度決定材料硬度。在一些實施例中,具有與基板材料之硬度相對應的硬度之接觸材料基於藉由基板材料之莫氏硬度值決定之一定範圍的值。在一些實施例中,具有與基板材料之硬度相對應的硬度之接觸材料基於具有在基板材料之兩個莫氏硬度值之間之莫氏硬度值的接觸材料。在一些實施例中,具有與基板材料之硬度相對應的硬度之接觸材料基於具有在基板材料之一個莫氏硬度值之內之莫氏硬度值的接觸材料。
在第一非限制實例中,基板材料為具有9.5之莫氏硬度值的氮化矽。在這種情況下,對應於具有在基板值之莫氏硬度值之一個內的莫氏硬度值的接觸材料的範圍為自 8.5至10.5。在此實例中,具有在8.5至10.5之範圍內之莫氏硬度值9.0的氧化鋁接觸材料,將具有與氮化矽硬度相對應之硬度。
在第二非限制實例中,基板材料為具有7.0之莫氏硬度值的二氧化矽。在這種情況下,對應於具有在基板值之莫氏硬度值之兩個內的莫氏硬度值的接觸材料的範圍為自5.0至9.0。在此實例中,具有在5.0至9.0之範圍內之莫氏硬度值9.0的氧化鋁接觸材料,將具有與二氧化矽硬度相對應之硬度。在此實例中,具有在5.0至9.0之範圍內之莫氏硬度值7.0的石英接觸材料,亦將具有與二氧化矽硬度相對應之硬度。
在一些實施例中,頂表面122A、頂表面122B或側面122C之一或多個包括一圖案,例如接觸材料表面圖案300A、300B或300C之一或多個,如下文關於第3圖論述,此等圖案增加頂表面122A、頂表面122B或側面122C之一或多個的靜摩擦係數。在一些實施例中,相比於平坦表面,此圖案將靜摩擦係數增加了2至10倍。
孔130為基板搬運裝置100中之開口,此開口經配置以使得基板搬運裝置100與機械臂或其他控制孔機械耦接。在第1A圖中描繪之實施例中,孔130位於基板接收區110中。在一些實施例中,孔130位於基板搬運裝置100上基板接收區110外部之位置。在一些實施例中,基板搬運裝置100不包括孔130,及基板搬運裝置100另外經配置以與機械臂或其他控制設備機械耦接。
在第1A圖至第1D圖中描繪之實施例中,基板接收區110分叉,及接觸結構120B藉由縫隙而分隔並對齊大體上直線。在一些實施例中,基板接收區110具有Y形狀,及接觸結構120B藉由縫隙分隔並沿對應於例如基板150之基板之周邊的弧形對齊。在一些實施例中,基板接收區110為單端,及接觸結構120B以直線或弧形來排列而無縫隙。
在一些實施例中,複數個接觸結構120包括除接觸結構120A、120B及120C外之接觸結構。在一些實施例中,複數個接觸結構120包括一或多接觸結構(未圖示),此等一或多接觸結構定位在或靠近基板接收區110之中心及經配置以在基板之中心上或附近接觸例如基板150之基板的背面。
藉由包括上文描述之特徵,基板搬運裝置100經配置以使用一接觸材料接觸基板,此接觸材料具有與正接觸之基板材料之硬度相對應的硬度。由於硬度匹配,相比於其中硬度與正接觸之基板材料的硬度不相對應的方法,對基板或基板搬運裝置之刮傷或其他損壞減少。
減少基板損害降低損害基板上之電路或結構之風險。減少基板搬運裝置損害可以增加基板搬運裝置之有效壽命。減少基板及基板搬運裝置損害亦減少自基板及基板搬運裝置表面釋放粒子之風險,其中基板及基板搬運裝置表面會引入能夠損害電路功能之雜質。
在一些實施例中,藉由包括頂表面122A、頂表面122B或側面122C之一或多個,基板搬運裝置100亦能夠 使用一表面接觸基板,此表面具有比不包括增加靜摩擦係數之圖案的表面更高之摩擦係數。所增加之靜摩擦係數減少當支撐及在一些實施例中傳遞基板時滑動之可能性,進而減少來自基板與基板搬運裝置100之間因磨損之刮傷或其他損害的可能性。
第2A圖至第2B圖為根據一些實施例之基板搬運裝置200的圖。第2A圖描繪基板搬運裝置200之俯視圖,及第2B圖描繪沿線B-B'線段截取之基板搬運裝置200的橫截面視圖。除基板搬運裝置200外,第2A圖至第2B圖描繪基板150,如上文關於第1A圖至第1D圖論述。
基板搬運裝置200包含主體205,在主體205內可伸縮之複數個升舉銷210,及對應於複數個升舉銷210之複數個接觸結構220。在一些實施例中,基板搬運裝置200為在IC製造環境中之製程腔室的元件。在一些實施例中,基板搬運裝置200為測試台之元件。
主體205為具有大體上平坦之上部表面或上部表面部分202之碟型物。主體205包括一或多個金屬或具有足以在一或多個IC處理操作期間支撐基板之剛性及強度的其他材料。在一些實施例中,主體205為平臺。在一些實施例中,主體205經配置以旋轉。在一些實施例中,主體205經配置以增加及/或降低主體205之溫度。
複數個升舉銷210經配置以從主體205裝載及卸載基板時藉由相對於上部表面或上部表面部分202升高及降下基板來支撐基板。在一些實施例中,複數個升舉銷 210包括三個升舉銷210。在一些實施例中,複數個升舉銷210包括多於三個升舉銷210。
複數個接觸結構220之每個接觸結構220定位在複數個升舉銷210之對應升舉銷210上,及包括頂表面222。
複數個接觸結構220類似於複數個接觸結構120之接觸結構120A及接觸結構120B,及頂表面222類似於頂表面122A及頂表面122B,如上文關於基板搬運裝置100及第1A圖至第1D圖論述。
藉由包括複數個接觸結構220之特徵,基板搬運裝置200經配置以使用一接觸材料接觸基板,此接觸材料具有與正接觸之基板材料之硬度相對應的硬度。進而基板搬運裝置200能夠提供上文關於基板搬運裝置100論述之優點。
在一些實施例中,藉由包括經圖案化以增加靜摩擦係數之頂表面222,基板搬運裝置200經配置以提供上文關於基板搬運裝置100論述之額外優點。
第3圖為根據一些實施例之接觸材料表面圖案300A、300B及300C的圖。第3圖描繪接觸材料表面圖案300A、300B及300C之每個的俯視圖。接觸材料表面圖案300A、300B及300C之每個可用作頂表面122A、頂表面122B或側面122C之一或多個之接觸材料表面圖案,如上文關於基板搬運裝置100及第1A圖至第1D圖論述。
接觸材料表面圖案300A為包括自平坦表面302A向上延伸之複數個脊310的脊圖案。在一些實施例中,複數個脊310之個別脊彼此平行延伸。
複數個脊310之每個脊在平坦表面302A上方等距延伸。在一些實施例中,複數個脊310在平坦表面302A上方延伸了2微米(μm)至10μm之距離。在一些實施例中,複數個脊310之個別脊分隔5μm至100μm之距離。
接觸材料表面圖案300B為包括自平坦表面302B向下延伸之複數個槽320的槽圖案。在一些實施例中,複數個槽320之個別槽彼此平行延伸。
複數個槽320之每個槽在平坦表面302B下方等距延伸。在一些實施例中,複數個槽320在平坦表面302B下方延伸了2μm至10μm之距離。在一些實施例中,複數個槽320之個別槽分隔5μm至100μm之距離。
接觸材料表面圖案300C為包括自平坦表面302C向上延伸之複數個角錐330的角錐圖案。在一些實施例中,複數個角錐330之個別角錐具有矩形基座。在一些實施例中,複數個角錐330之個別角錐具有圓形基座。
在一些實施例中,複數個角錐330排列在行及列之陣列中。在一些實施例中,複數個角錐330排列在一系列平行線中。在一些實施例中,複數個角錐330排列在一系列相交線中。
複數個角錐330之每個角錐在平坦表面302C上方等距延伸。在一些實施例中,複數個角錐330在平坦表 面302C上方延伸了2μm至10μm之距離。在一些實施例中,複數個角錐330之個別角錐分隔5μm至100μm之距離。
藉由包括複數個脊310、複數個槽320及複數個角錐330,接觸材料表面圖案300A、300B、及300C之每個分別提供相比於大體上平坦的接觸材料表面圖案而言高的靜摩擦係數。
藉由提供相對高的靜摩擦係數,接觸材料表面圖案300A、300B及300C之每個用以提供上文關於頂表面122A、122B及222及側面122C論述之優點。
第4圖為根據一或多個實施例之將基板接觸材料與基板材料匹配之方法400的流程圖。使用諸如上文關於第1A圖至第1D圖及第2A圖至第2B圖分別論述之基板搬運裝置100或200之基板搬運裝置去執行方法400。
其中方法400之操作在第4圖中描繪之序列僅用作說明;方法400之操作能夠以不同於在第4圖中描述之序列執行。在一些實施例中,在第4圖中描繪之操作之外之操作其可在第4圖中描繪之操作前、之間及/或之後被執行。
在操作410處,決定基板材料之硬度。在一些實施例中,決定基板材料之硬度包括決定基板材料之莫氏硬度值。在一些實施例中,決定基板材料之硬度包括在表格、數據庫或其他適當參考文獻中查找硬度值。在一些實施例中,決定基板材料之硬度包括對基板材料執行測試。
在一些實施例中,決定基板材料之硬度包括決定形成基板之材料的硬度。在一些實施例中,決定基板材料之硬度包括決定不同於形成基板之材料的材料硬度。在一些實施例中,決定基板材料之硬度包括決定在基板之背面上沉積之材料層的硬度。
在操作420處,匹配基板接觸材料之硬度至基板材料之硬度。在一些實施例中,匹配基板接觸材料之硬度至基板材料之硬度包括基於莫式礦物硬度值匹配硬度。在一些實施例中,匹配基板接觸材料之硬度至基板材料之硬度為基於藉由基板材料之莫氏硬度值決定之一範圍之值。
在一些實施例中,基於上文關於頂表面122A及頂表面122B及側面122C、及第1A圖至第1D圖論述之莫式硬度刻度值之範圍,匹配基板接觸材料之硬度至基板材料之硬度。
在操作430處,在一些實施例中,將具有與基板材料之硬度相匹配之硬度的基板接觸材料添加至基板搬運裝置。在一些實施例中,添加基板接觸材料包括將複數個接觸結構附接至基板搬運裝置。
在一些實施例中,基板搬運裝置為機械葉片,及添加基板接觸材料包括沿邊緣或在表面上附接基板接觸結構,此邊緣經配置以接觸基板之周邊,此表面經配置以接觸基板之背面。在一些實施例中,基板搬運裝置為基板載體,及添加基板接觸材料包括在經配置以接觸基板之周邊或背面之位置處附接基板接觸結構。
在一些實施例中,基板搬運裝置為基板搬運裝置100,及添加基板接觸材料包括添加複數個接觸結構120,如上文關於第1A圖至第1D圖論述。
在一些實施例中,基板搬運裝置包括升舉銷,及添加基板接觸材料包含將接觸結構附接至升舉銷之頂表面。在一些實施例中,基板搬運裝置為基板搬運裝置200,及添加基板接觸材料包括添加複數個接觸結構220,如上文關於第2A圖至第2B圖論述。
在操作440處,在一些實施例中,基於具有與基板材料之硬度相匹配之硬度的基板接觸材料,自複數個基板搬運裝置選擇基板搬運裝置。在一些實施例中,基板搬運裝置為機械葉片,及選擇基板搬運裝置包括基於基板接觸材料之硬度自複數個機械葉片中選擇機械葉片,此基板接觸材料被包含於在複數個機械葉片之每個機械葉片上的複數個接觸結構中。
在一些實施例中,基板搬運裝置為基板載體,及選擇基板搬運裝置包括基於基板接觸材料之硬度自複數個基板載體選擇基板載體,此基板接觸材料被包含於在複數個基板載體之每個基板載體上的複數個接觸結構中。
在一些實施例中,選擇基板搬運裝置包括自複數個基板搬運裝置100中選擇基板搬運裝置100,如上文關於第1A圖至第1D圖論述。
在一些實施例中,基板搬運裝置包括升舉銷,及選擇基板搬運裝置包括基於基板接觸材料之硬度自複數 個基板搬運裝置選擇基板搬運裝置,此基板接觸材料被包含於在升舉銷上之接觸結構中。在一些實施例中,選擇基板搬運裝置包括自複數個基板搬運裝置200中選擇基板搬運裝置200,如上文關於第2A圖至第2B圖論述。
在操作450處,在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面來增加基板搬運接觸材料之表面的靜摩擦係數。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括使用蝕刻製程。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括使用沉積製程。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括使用雷射紋理製程。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括使用電子束紋理製程。
在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括在基板接觸材料之表面上形成圖案。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括形成脊圖案。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括形成接觸材料表面圖案300A,如上文關於第3圖論述。
在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括形成槽圖案。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括形成接觸材料表面圖案300B,如上文關於第3圖論述。
在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括形成角錐圖案。在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括形成接觸材料表面圖案300C,如上文關於第3圖論述。
在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括改變頂表面122A、頂表面122B或側面122C之一或多個,如上文關於基板搬運裝置100及第1A圖至第1D圖論述。
在一些實施例中,改變基板接觸材料之表面包括改變頂表面222,如上文關於基板搬運裝置200及第2A圖至第2B圖論述。
在操作460處,在一些實施例中,使用基板搬運裝置控制基板之位置。基板搬運裝置包括基板接觸材料,及使用基板搬運裝置控制基板之位置包括將基板材料與基板接觸材料接觸。
在一些實施例中,基板搬運裝置為機械葉片,及使用基板搬運裝置來控制基板之位置包括將基板材料與基板接觸材料接觸,此基板接觸材料被包含於在機械葉片上之接觸結構中。
在一些實施例中,基板搬運裝置為基板載體,及使用基板搬運裝置來控制基板之位置包括將基板材料與基板接觸材料接觸,此基板接觸材料被包含於在基板載體上之接觸結構中。
在一些實施例中,使用基板搬運裝置控制基板之位置包括使用基板搬運裝置100來控制基板之位置,如上文關於第1A圖至第1D圖論述。
在一些實施例中,基板搬運裝置包括升舉銷,及使用基板搬運裝置來控制基板之位置包括將基板材料與 基板接觸材料接觸,此基板接觸材料被包含於在升舉銷之頂表面上的接觸結構中。
在一些實施例中,使用基板搬運裝置控制基板之位置包括使用基板搬運裝置200來控制基板之位置,如上文關於第2A圖至第2B圖論述。
藉由執行方法400之操作,使用一接觸材料接觸基板,此接觸材料具有與正接觸之基板材料之硬度相對應的硬度。由於硬度匹配,相比於其中硬度與正接觸之基板材料之硬度不相對應的方法,對基板或者基板搬運裝置之刮傷或其他損壞減少。執行方法400之操作,進而提供上文關於基板搬運裝置100論述之優點。
在一些實施例中,藉由執行操作450來增加靜摩擦係數,方法400提供上文關於基板搬運裝置100論述之額外優點。
在一些實施例中,基板搬運裝置包括第一材料及藉由邊緣界定之基板接收區。基板接收區包括平坦表面及複數個接觸結構。複數個接觸結構之至少一個接觸結構位於邊緣處及複數個接觸結構之至少一個接觸結構位於平坦表面上。複數個接觸結構之每個接觸結構包含不同於第一材料之第二材料,第二材料具有與基板材料之硬度相對應之硬度。
在一些實施例中,基板搬運裝置包括複數個接觸結構。該複數個接觸結構之至少一個接觸結構包含脊圖案、槽圖案或角錐圖案之一或多個。
在一些實施例中,於基板搬運裝置中,位於平坦表面上之複數個接觸結構之至少一個接觸結構包含在邊緣附近之第一接觸結構及遠離邊緣之第二接觸結構。複數個接觸結構之每個接觸結構包含不同於第一材料之第二材料,第二材料具有與基板材料之硬度相對應之硬度。
在一些實施例中,基板搬運裝置之第二材料,其第二材料包含碳化矽。
在一些實施例中,基板搬運裝置之第二材料,第二材料,其第二材料包含二氧化矽。
在一些實施例中,基板搬運裝置中之邊緣具有弧形輪廓,及位於邊緣處之複數個接觸結構之至少一個接觸結構沿弧形輪廓延伸。
在一些實施例中,基板搬運裝置中之邊緣具有弧形輪廓,及位於邊緣處之複數個接觸結構之至少一個接觸結構包含至少兩個接觸結構。
在一些實施例中,基板搬運裝置為晶圓載體之複數個基板搬運裝置的一個基板搬運裝置。
在一些實施例中,對準基板接觸材料至基板材料之方法包括決定基板材料之硬度、匹配基板接觸材料之硬度至基板材料之硬度,及將基板接觸材料添加至基板搬運裝置。
在一些實施例中,對準基板接觸材料至基板材料之方法包含將基板接觸材料之硬度與基板材料之硬度的 匹配包含選擇具有莫氏硬度刻度值之基板接觸材料,莫式硬度刻度值在藉由基板材料之莫氏硬度刻度值決定之範圍內。
在一些實施例中,添加基板接觸材料之步驟包含將複數個接觸結構附接至基板搬運裝置。
一些實施例中,對準基板接觸材料至基板材料之方法中,基板搬運裝置為機械葉片,及添加基板接觸材料之步驟包含沿邊緣附接基板接觸結構,邊緣經配置以接觸基板之周邊。
一些實施例中,對準基板接觸材料至基板材料之方法包括中,基板搬運裝置包括升舉銷,及添加基板接觸材料之步驟包含將接觸結構附接至升舉銷之頂表面。
一些實施例中,對準基板接觸材料至基板材料之方法中,基板搬運裝置為基板載體。
一些實施例中,對準基板接觸材料至基板材料之方法更進一步包含改變基板接觸材料之表面以增加基板接觸材料之表面之靜摩擦係數。
一些實施例中,改變基板接觸材料之表面之步驟包含形成脊圖案、槽圖案、或角錐圖案之至少一個。
一些實施例中,對準基板接觸材料至基板材料之方法更包含使用基板搬運裝置控制基板之位置,其中基板包含基板材料,及使用基板搬運裝置控制基板之位置之步驟包含將基板材料與基板接觸材料接觸。
在一些實施例中,基板搬運裝置包括主體,在主體內可伸縮之複數個升舉銷,及對應於複數個升舉銷之複數個接觸結構。複數個升舉銷由第一材料組成。
在一些實施例中,複數個接觸結構之每個接觸結構包含不同於第一材料之第二材料,第二材料具有與基板材料之硬度相對應之硬度。
在一些實施例中,基板搬運裝置中,複數個接觸結構之至少一個接觸結構包含脊圖案、槽圖案或角錐圖案之一或多個。
在一些實施例中,基板搬運裝置中,第二材料包含碳化矽。
上文概述若干實施例之特徵,使得熟習此項技術者可更好地理解本揭示案之態樣。熟習此項技術者應瞭解,可輕易使用本揭示案作為設計或修改其他製程及結構的基礎,以便實施本文所介紹之實施例的相同目的及/或實現相同優勢。熟習此項技術者亦應認識到,此類等效結構並未脫離本揭示案之精神及範疇,且可在不脫離本揭示案之精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、替代及更改。

Claims (1)

  1. 一種基板搬運裝置,包含:一基板接收區,其藉由一邊緣界定,該基板接收區包含:一平坦表面;以及複數個接觸結構,該些接觸結構之至少一個接觸結構位於該邊緣處及該些接觸結構之至少一個接觸結構位於該平坦表面上,其中該基板接收區及該平坦表面由一第一材料組成,及該複數個接觸結構之每個接觸結構包含不同於該第一材料之一第二材料,該第二材料具有與一基板材料之一硬度相對應的一硬度。
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