JP2010239087A - 基板支持装置及び基板支持方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の裏面を支持する裏面支持部を備えた支持部材と、この支持部材に設けられ、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する位置規制部と、を備え、前記裏面支持部及び前記位置規制部のうち少なくとも一方は、基材と、この基材を被覆し、その摩耗及び化学的浸食のうち少なくとも一方を防ぐための保護膜と、からなる基板指示装置を構成する。この基板支持装置は、例えば前記支持部材を支持する基体と、前記基体に対して支持部材を移動させるための駆動機構と、をさらに備え、基板搬送装置として構成される。また前記支持部材は、例えば基板を加熱または冷却するための温度調整板として構成される。
【選択図】図6
Description
この支持部材に設けられ、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する位置規制部と、を備え、
前記裏面支持部及び前記位置規制部のうち少なくとも一方は、基材と、この基材を被覆し、その摩耗及び化学的浸食のうち少なくとも一方を防ぐための保護膜と、からなることを特徴とする。
前記支持部材に設けられた位置規制部により、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する工程と、
を備え、
前記裏面支持部及び前記位置規制部のうち少なくとも一方は、基材と、この基材を被覆し、その摩耗及び化学的浸食のうち少なくとも一方を防ぐための保護膜と、からなることを特徴とする。
駆動機構により前記基体に対して支持部材を移動させ、基板を搬送する工程と、を備えていてもよく、あるいは前記支持部材により、基板を加熱または冷却する工程を含んでいてもよい。
前記位置規制部に囲まれる基板の支持領域の外方から当該支持領域に向かって下降する傾斜部により、基板の周縁部を滑降させて、基板を裏面支持部上にガイドする工程が含まれ、
前記保護膜は、前記裏面支持部、前記位置規制部のうち少なくともいずれか一方を被覆する代わりに、前記裏面支持部、前記位置規制部、前記傾斜部のうち少なくともいずれかを被覆するものであってもよい。
評価試験1−1として、図16に示すように4つのウエハ保持部材33を周方向に配置し、その裏面支持部34にウエハWを載置した。各ウエハ保持部材33は不図示の駆動部に接続され、各ウエハ保持部材33の間隔を保ったまま、図中矢印で示すように水平方向に往復移動できるようになっている。また、ウエハ保持部材33の下側側壁部35がウエハWの側面から若干離れるように各ウエハ保持部材33の位置は調整されている。ただし、このウエハ保持部材33には、実施の形態で説明したDLCからなる保護膜41が形成されていない。また、この試験で用いたウエハ保持部材33は、実施の形態で説明したPEEK樹脂の代わりに所定の樹脂により構成されている。前記樹脂中にはカーボンファイバが実施形態と同様に混入されている。ウエハWの載置後、ウエハ保持部材33を20万回往復移動させ、その下側側壁部35にウエハWを衝突させた。その後、下側側壁部35に形成された摩耗痕の深さについて顕微鏡を用いて測定した。
評価試験1−7として、評価試験1−3と同様の試験を行った。ただし、ウエハ保持部材33の往復移動回数は1000万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部34とした。
評価試験1−8として、評価試験1−5と同様の試験を行った。ただし、ウエハ保持部材33の往復移動回数は1000万回とし、摩耗痕の測定箇所は裏面支持部34とした。
評価試験2−1として、ウエハ保持部材33にスルホン酸の原液を滴下し、形成された摩耗痕(浸食痕)の深さについて顕微鏡を用いて測定した。ただし、このウエハ保持部材33には保護膜41が形成されておらず、また、PEEK樹脂の代わりに評価試験1−1で用いた所定の樹脂により構成されたウエハ保持部材33を使用した。
評価試験2−4として、保護膜41の厚さが6μmであるウエハ保持部材33を用いて評価試験2−2と同様の試験を行った。
評価試験2−5として、第1の保護膜と第2の保護膜とが積層されたウエハ保持部材33を用いて評価試験2−2と同様の試験を行った。第1の保護膜、第2の保護膜の厚さは夫々3μmであり、第1の保護膜を構成する各元素の比率と第2の保護膜を構成する各元素の比率とは互いに異なっている。
評価試験2−6として、保護膜41の厚さが8μmであるウエハ保持部材33を用いて評価試験2−2と同様の試験を行った。
評価試験2−8として、PEEKにより構成され、3μmの保護膜41が形成されたウエハ保持部材33を用いて評価試験2−1と同様の評価試験を行った。この保護膜41を構成する元素の比率は、評価試験2−1〜2−4、2−6の保護膜41を構成する各元素の比率と同じである。
評価試験2−10としてポリイミドにより構成され、3μmの保護膜41が形成されたウエハ保持部材33を用いて評価試験2−1と同様の試験を行った。この保護膜41を構成する元素の比率は、評価試験2−1〜2−4、2−6の保護膜41を構成する各元素の比率と同じである。
また、評価試験2−7〜2−10についても最大摩耗痕深さ及び摩耗痕深さの平均値が比較的小さく抑えられていた。従ってこれらの結果からも保護膜41を形成することが耐浸食性を向上させるために有効であると考えられる。
A3 搬送アーム
21 加熱モジュール
3,5 ウエハ搬送部
32 フレーム部
33 ウエハ保持部材
34 裏面支持部
35 下側垂直壁部
36 傾斜部
40 基材
41 保護膜
42 カーボンファイバ
43 金型
50 インターフェイスアーム
Claims (13)
- 基板の裏面を支持する裏面支持部を備えた支持部材と、
この支持部材に設けられ、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する位置規制部と、を備え、
前記裏面支持部及び前記位置規制部のうち少なくとも一方は、基材と、この基材を被覆し、その摩耗及び化学的浸食のうち少なくとも一方を防ぐための保護膜と、からなることを特徴とする基板支持装置。 - 前記支持部材を支持する基体と、前記基体に対して支持部材を移動させるための駆動機構と、を備え、基板搬送装置として構成されたことを特徴とする請求項1記載の基板支持装置。
- 前記支持部材は、基板を加熱または冷却するための温度調整板であることを特徴とする請求項1記載の基板支持装置。
- 前記位置規制部に囲まれる基板の支持領域の外方から当該支持領域に向かって下降し、基板の周縁部を滑降させて、基板を裏面支持部上にガイドするための傾斜部が設けられ、
前記保護膜は、前記裏面支持部、前記位置規制部のうち少なくともいずれか一方を被覆する代わりに、前記裏面支持部、前記位置規制部、前記傾斜部のうち少なくともいずれかを被覆することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板支持装置。 - 前記基材は樹脂からなることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板支持装置。
- 前記基材は、多数のファイバをその先端が当該基材の表面に突出するように保持し、
前記保護膜は、前記基材とファイバとを被覆し、前記位置規制部、裏面支持部または傾斜部の摩耗を防ぐことを特徴とする請求項5に記載の基板支持装置。 - 前記保護膜はダイヤモンドライクカーボンにより構成されることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の基板支持装置。
- 裏面支持部を備えた支持部材により基板の裏面を支持する工程と、
前記支持部材に設けられた位置規制部により、前記裏面支持部に支持された基板の側面を囲み、基板の位置を規制する工程と、
を備え、
前記裏面支持部及び前記位置規制部のうち少なくとも一方は、基材と、この基材を被覆し、その摩耗及び化学的浸食のうち少なくとも一方を防ぐための保護膜と、からなることを特徴とする基板支持方法。 - 基体により前記支持部材を支持する工程と、
駆動機構により前記基体に対して支持部材を移動させ、基板を搬送する工程と、を備えたことを特徴とする請求項8記載の基板支持方法。 - 前記支持部材により、基板を加熱または冷却する工程を含むことを特徴とする請求項8記載の基板支持方法。
- 前記位置規制部に囲まれる基板の支持領域の外方から当該支持領域に向かって下降する傾斜部により、基板の周縁部を滑降させて、基板を裏面支持部上にガイドする工程が含まれ、
前記保護膜は、前記裏面支持部、前記位置規制部のうち少なくともいずれか一方を被覆する代わりに、前記裏面支持部、前記位置規制部、前記傾斜部のうち少なくともいずれかを被覆することを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一つに記載の基板支持方法。 - 前記基材は樹脂からなることを特徴とする請求項8ないし11のいずれか一つに記載の基板支持方法。
- 前記基材は、多数のファイバをその先端が当該基材の表面に突出するように保持し、
前記保護膜は、前記基材とファイバとを被覆し、前記位置規制部、裏面支持部または傾斜部の摩耗を防ぐことを特徴とする請求項12に記載の基板支持方法。
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