JP7029272B2

JP7029272B2 - エッジ領域のインプリントリソグラフィ

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Publication number: JP7029272B2
Application number: JP2017209545A
Authority: JP
Inventors: イェツェンマオ
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Description

本発明は、エッジ領域のインプリントリソグラフィに関する。

ナノ加工は、１００ナノメートル以下のオーダのフィーチャを有する非常に小さな構造の加工を含む。ナノ加工が大きな影響を及ぼした１つの用途は、集積回路のプロセスにある。半導体プロセス業界は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりのために努力し続けているため、ナノ加工がますます重要になる。ナノ加工は、形成された構造の最小フィーチャ寸法の継続的な縮小を可能にしながら、より大きなプロセス制御を提供する。ナノ加工が用いられている開発の他の分野は、バイオテクノロジ、光学技術、メカニカルシステムなどを含む。

ナノ加工は、完全領域（フルフィールド）または部分領域（パーシャルフィールド）のインプリントを含みうる。完全領域は、テンプレートのインプリント領域の全てが基板およびそれに対応する上層の成形可能材料の全体に重なる領域である。部分領域は、テンプレートのインプリント領域の全体ではなく一部のみが、基板または例えば輪郭（丸みを帯びた）エッジを有する基板の一部にわたって基板のエッジ効果が顕著になる基板の一部に重なる領域である。

本明細書に記載される主題の革新的な態様は、モールドを有するインプリントリソグラフィテンプレートを提供する工程であって、前記モールドは、パターンフィーチャを含むパターン面を有する、工程と、エッジ段差層が上に配置された基板を提供する工程であって、前記エッジ段差層は傾斜形状を含む、工程と、前記基板の前記エッジ段差層の上に重合可能材料を堆積する工程と、前記基板の外周に位置する複数のエッジ領域の１以上で、前記重合可能材料を前記インプリントリソグラフィテンプレートの前記モールドに接触させる工程と、前記接触させる工程に基づいて、エッジ領域のパターンを提供するために前記１以上のエッジ領域で前記パターンフィーチャに基づくパターンを形成する工程と、を含み、前記複数のエッジ領域の近傍での前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板との接触は、前記基板の前記エッジ段差層に基づいて防止される、ことの動作を含む方法で具体化されうる。

これらの態様の他の実施形態は、コンピュータ記憶媒体に符号化され、前記方法の前記動作を実行するように構成された、対応するシステム、装置、およびコンピュータプログラムを含む。

これらの実施形態および他の実施形態は、それぞれ、以下の特徴の１以上を任意に含みうる。例えば、前記複数のエッジ領域の近傍での前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板との接触は、前記エッジ段差層の高さに基づいて防止される。前記複数のエッジ領域の近傍での前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板との接触は、前記エッジ段差層の前記傾斜形状に基づいて防止される。前記基板の前記外周における前記テンプレートの湾曲の程度を特定する工程であって、前記エッジ段差層の高さは、前記湾曲の程度に基づいている。前記エッジ段差層の前記高さは、１０ナノメートルから３ミクロンの範囲である。前記基板の前記外周における前記テンプレートの湾曲の程度を特定する工程を含み、前記基板の外周での前記傾斜形状の傾斜は、前記湾曲の程度に基づいている。前記エッジ段差層は、前記基板の前記外周の近傍に配置された流体制御フィーチャを更に含む。前記複数のエッジ領域での前記インプリントリソグラフィテンプレートと前記基板との接触は、ｉ）前記基板の前記エッジ段差層の高さ、およびｉｉ）前記エッジ段差層の前記傾斜形状に基づいて防止される。

本明細書に記載される主題の１以上の実施形態の詳細は、以下の添付図面および説明で示されている。当該主題の他の潜在的な特徴、態様および利点は、説明、図面、および請求項から明らかになるであろう。

図１は、本発明の実施形態によるリソグラフィシステムの簡略側面図を示す。図２は、パターン層が上に配置された、図１に示す基板の簡略側面図を示す。図３は、インプリント領域に関する基板の上面図を示す。図４は、基板およびエッジ段差層の側面図である。図５は、傾斜形状および流体制御フィーチャを含む基板の側面図である。図６は、重合可能材料に接触するテンプレートの側面図である。図７は、基板をパターニングするための典型的なプロセスである。図８は、マルチエッジ基板の側面図である。

この文献は、基板の外周に配置されたエッジ領域の近傍でのインプリントリソグラフィテンプレートと基板との接触を防止する方法およびシステムを記載する。具体的には、インプリントリソグラフィテンプレートはモールドを含み、モールドは、パターンフィーチャを含むパターン面を有する。基板は、その上に配置された、傾斜形状を含むエッジ段差層を有する。重合可能材料は、エッジ段差層の上に堆積される。インプリントリソグラフィテンプレートのモールドは、基板の外周に配置された複数のエッジ領域で重合可能材料に接触する。接触に基づいて、エッジ領域のパターンを提供するためのパターンフィーチャに基づいてエッジ領域にパターンが形成される。エッジ段差層および傾斜形状は、エッジ領域でのインプリントリソグラフィテンプレートと基板との接触を防止する。ある例では、エッジ領域の近傍でのテンプレートと基板との接触が、エッジ段差層に基づいて防止される。ある例では、エッジ領域の近傍でのテンプレートと基板との接触が、ｉ）エッジ段差層の高さ、およびｉｉ）エッジ段差層の傾斜形状に基づいて防止される。

図１は、基板１０２上にレリーフパターンを形成するインプリントリソグラフィシステム１００を示す。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されうる。ある例では、基板チャック１０４は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁気チャックなどを含むことができる。典型的なチャックは、本明細書に引用により組み込まれる米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。基板１０２および基板チャック１０４は、ステージ１０６によって更に支持されうる。ステージ１０６は、ｘ、ｙおよびｚ軸についての運動を提供する。ステージ１０６、基板１０２、および基板チャック１０４は、ベース（不図示）上に位置決めされうる。

インプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２から離間したインプリントリソグラフィテンプレート１０８を更に含む。ある例では、テンプレート１０８は、テンプレート１０８から基板１０２に向かって拡張したメサ１１０（モールド１１０）を含む。ある例では、モールド１１０は、パターン面１１２を含む。テンプレート１０８および／またはモールド１１０は、限定されるものではないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマ、シロキサンポリマ、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマ、金属、硬化サファイアなどを含む材料から形成されうる。図示された例では、パターン面１１２は、離間したリセス部１２４（凹部）および／または突出部１２６（凸部）によって画定された複数のフィーチャを含む。しかしながら、ある例では、他の構成のフィーチャも可能である。パターン面１１２は、基板１０２に形成されるべきパターンの基礎を形成する任意のオリジナルパターンを画定しうる。

テンプレート１０８は、テンプレートチャック１２８に結合されうる。ある例では、テンプレートチャック１２８は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、電磁気チャックなどを含むことができる。典型的なチャックは、本明細書に引用により組み込まれる米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。さらに、テンプレートチャック１２８は、テンプレートチャック１２８および／またはインプリントヘッド１３０がテンプレート１１８の移動を容易にするように構成されうるように、インプリントヘッド１３０に結合されうる。

インプリントリソグラフィシステム１００は、流体吐出システム１３２を更に含みうる。流体吐出システム１３２は、基板１０２上に重合可能材料１３４を堆積させるために用いられうる。重合可能材料１３４は、液滴吐出（ドロップディスペンス）、スピンコーティング、浸漬コーティング（ディップコーティング）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積などの技術を用いて、基板１０２上に配置されうる。ある例では、重合可能材料１３４は、モールド１１０と基板１０２との間に所望の体積が画定される前および／または後に、基板１０２上に配置される。重合可能材料１３４は、本明細書に引用により組み込まれる米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許第８，０７６，３８６号に記載されているようなモノポリマを含みうる。ある例では、重合可能材料１３４は、複数の液滴１３６として基板１０２上に配置される。

図１および図２を参照すると、インプリントリソグラフィシステム１００は、経路１４２に沿ってエネルギ１４０を導くように結合されたエネルギ源１３８を更に含みうる。ある例では、インプリントヘッド１３０およびステージ１０６は、テンプレート１０８および基板１０２を流路１４２で重ねて位置決めするように構成される。インプリントリソグラフィシステム１００は、ステージ１０６、インプリントヘッド１３０、流体吐出システム１３２、および／またはエネルギ源１３８に連通する処理部１４４（プロセッサ）によって統制され、メモリ１４６に記憶されたコンピュータ可読プログラム上で動作しうる。

ある例では、インプリントヘッド１３０、ステージ１０６、またはその両方は、モールド１１０と基板１０２との間の距離を、成型可能材料１３４によって充填されたそれらの間に所望の体積を確定するように変化させる。例えば、インプリントヘッド１３０は、モールド１１０が重合可能材料１３４に接触するようにテンプレート１０８に力を加えうる。所望の体積が重合可能材料１３４で充填された後、エネルギ源１３８は、基板１０２の面１４８とパターン面１１２との形状を一致させて重合可能材料１３４を固化および／または交差結合（クロスリンク）させ、基板１０２上にパターン層１５０を画定する、例えば広帯域紫外線などのエネルギ４０を発出する。ある例では、パターン層１５０は、残膜１５２と、突出部１５４（凸部）およびリセス部１５６（凹部）として示される複数のフィーチャとを含み、突出部１５４は厚さｔ_１を有し、残膜１５２は厚さｔ_２を有する。

上述したシステムおよびプロセスは、本明細書に引用により組み込まれる米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許出願公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許出願公開第２００４／０１８８３８１号、および米国特許出願公開第２００４／０２１１７５４号に参照されるインプリントリソグラフィプロセスおよびシステムにおいて更に実施されてもよい。

図３は、複数の領域を含む、基板１０２と同様の基板３０２の上面図を示す。具体的には、基板３０２は、基板３０２の外周３０４に配置された複数のエッジ領域を含む。図示された例では、基板３０２は、完全インプリント領域（例えば、９０１、９０２、９６３、９６４－完全インプリント領域と総称される）と、部分インプリント領域（例えば、９６５、９６６、９９１、９９２－部分インプリント領域と総称される）とを含む。ある例では、部分インプリント領域は、エッジ領域と呼ばれる。

ある例では、完全インプリント領域は、モールド１１０のパターン面１２２の全体によってインプリント可能な全エリアを含む。ある例では、部分インプリント領域は、一般に、基板３０２の外周３０４の近傍に（例えば、基板のエッジにまたはその近くに）配置され、モールド１１０のパターン面１２２の全体によって同様にインプリント可能な全エリアより小さいインプリント領域を示す。ある例では、部分インプリント領域は、部分領域のエリアに基づく２つのサブカテゴリを含む。例えば、（ｉ）５０％より大きいエリアをカバーする部分インプリント領域（＞５０％部分領域）、および（ｉｉ）５０％より小さい領域をカバーする部分インプリント領域（＜５０％部分領域）。例えば、少なくともインプリント領域９６５～９６９，９７２～９７６，９７９，９８０～９８３および９８６～９９０は、＞５０％部分領域であり、少なくとも９７０，９７１，９７７，９７８，９９１および９９２は、＜５０％部分領域である。

そのため、部分領域のインプリント中、即ち、基板３０２のエッジ領域のパターニング中、エッジ領域の近傍でのテンプレート１０８と基板３０２との接触を防止することが望ましい。具体的には、テンプレート１０８と基板３０２との接触は、部分領域の欠陥転写をもたらす可能性がある。部分領域の欠陥転写は、後続のパターン領域（完全領域または部分領域）へのインプリント欠陥の転写を含む。具体的には、テンプレート１０８を利用する基板３０２の領域の初期のパターニングの間、テンプレート１０８は、基板３０２の一部（例えば、基板３０２の外周３０４の近く）に接触する可能性がある。このような接触の結果として、テンプレート１０８は、小さな（サブミクロンの）粒子汚染物質で損傷を受け、および／または汚染される可能性がある（例えば、基板３０２上に配置された小さな粒子は、テンプレート１０８のフィーチャ内に留まるか、または付着する可能性がある）。そのため、テンプレート１０８による追加領域の後続のパターニング中に、前のパターニングからのテンプレート１０８の欠陥が当該追加領域に転写される可能性がある。例えば、そのような欠陥転写は、テンプレートフィーチャの損傷、および／または粒子汚染物質によって生成された除外区域、および／または粒子汚染物質の追加領域への転写のため、追加領域内の位置の非パターニングまたは誤ったパターニングを含む可能性がある。ある例では、部分領域の欠陥転写は、回復不可能なテンプレートの損傷をもたらす可能性がある。

さらに、部分領域のインプリント中、オーバーレイ性能の向上を容易にするため、低いアライメント制御力（例えば、５ニュートン未満）が望ましい。具体的には、高いアライメント制御力（例えば、５０ニュートンより大きい）を必要とする基板３０２とテンプレート１０８との潜在的な接触中に、摩擦力が生成されうる。そのため、エッジ領域の近傍でのテンプレート１０８と基板３０２との直接の接触（例えば、それらの間に配置されたインプリントレジストなしでの接触）を防止することにより、高いアライメント制御力の適用が防止され、オーバーレイ性能が向上する（例えば、２０ナノメートル未満）。

図４は、図１の面１４８と同様に、基板３０２の面４０５上に配置されたエッジ段差層４０４を有する、シリコンウェハなどの基板３０２を示す。エッジ段差層４０４は、エッジ段差層４０４上に任意の材料（例えば重合可能材料１３２）を配置するために、本技術分野で知られている任意のプロセス方法で生成されうる。ある例では、エッジ段差層４０４は、エッジビーズ除去（化学的および光学的）での材料コーティング、基板３０２のエッジの機械的加工（機械的）、および基板３０２のエッジの化学的エッチングなどの方法を利用して形成される。ある例では、エッジ段差層４０４は、それに関連する高さｈ_０を有する。ある例では、高さｈ_０は、１０ナノメートルより大きい。ある例では、高さｈ_０は、２～３ミクロン未満である。

図５は、傾斜形状５０２を含むエッジ段差層４０４を示す。具体的には、傾斜形状５０２は、エッジ段差層４０４の面５１０（例えば、その上に配置された重合可能材料４０６を有する面）と、エッジ段差層４０４の面５１２（例えば、基板３０２に接触する面）との間の界面である。換言すると、傾斜形状５０２は、エッジ段差層４０４のエッジ領域５１７の形状である。ある例では、傾斜形状５０２を含むエッジ段差層４０４のエッジ領域５１７は、基板３０２の外周３０４に重なっている。ある例では、エッジ段差層４０４は、傾斜形状５０２と基板３０２の面５１２との間に画定されるエッジ面５１５を含む。ある例では、傾斜形状５０２は、エッジ面５１５を含む。

ある例では、傾斜形状５０２の傾斜は、湾曲形状を含むが、直線形状を含む他の形状も可能である。ある例では、傾斜形状５０２の傾斜は、０～１０ｍｒａｄの間の値（例えば、２００ミクロンの距離にわたる２ミクロンの高さ変化）を有することができる。要するに、エッジ段差層４０４の傾斜形状５０２は、エッジ段差層４０４の面５１０とエッジ段差層のエッジ面５１５との間に画定されたギャップ５１２を提供する。ギャップ５１２は、基板３０２の外周におけるテンプレート１０８と基板３０２との間に追加の間隔を提供する。ある例では、ギャップ５１２は、それに関連する高さｈ_００を有する。ある例では、高さｈ_００は、０～２ミクロンの間である。

図６は、基板３０２上の重合可能材料６０６に接触する、図１のテンプレート１０８と同様のテンプレート６１２の、図１のモールド１１０と同様のモールド６１０を示す。具体的には、図３について上述したように、モールド６１０は、基板３０２のエッジ領域の近傍（および／または外周３０４）に配置された、図１の重合可能材料１３６と同様の重合可能材料６０６に接触する。重合可能材料６０６は、エッジ段差層４０４が重合可能材料６０６と基板３０２との間に配置されるように、エッジ段差層４０４上に堆積される。

モールド６１０と重合可能材料６０６との接触の間、エッジ領域の近傍（および／または外周３０４）におけるテンプレート６１２（および／またはモールド６１０）と基板３０２との接触を、防止しないにしても、最小化することが望ましい。具体的には、モールド６１０と重合可能材料６０６との接触の間、テンプレート６１２（および／またはモールド６１０）の湾曲（例えば歪み）が起こりうる。図示された例では、テンプレート６１２の第１領域６１６は、テンプレート６１２の第２領域６１８に対して点６１７の周りに曲げられる。第１領域６１６の湾曲は、テンプレート６１２の他の領域、例えば第２領域６１８と比較して、第１領域６１６を基板３０２（例えば、エッジ領域および／または外周３０４の近傍）のより近くに配置させる任意の種類の湾曲（例えば曲率）を含みうる。ある例では、テンプレート６１２の湾曲は、重合可能材料６０６のパターニング中における基板３０２とテンプレート６１２との間の毛細管力の結果でありうる。他の例では、テンプレート６１２の湾曲は、特定のインプリント用途の要件を満たすためのインプリント制御条件の結果となりうる。そのため、テンプレート６１２の湾曲は、望ましくないテンプレート６１２（例えば、第１領域６１６）と基板３０２（例えば、エッジ領域の近傍および／または外周３０４）との接触を潜在的に生じさせる可能性がある。そのような接触は、上述したように、部分領域の欠陥転写、高いアライメント制御力、および／または劣化したオーバーレイ性能をもたらす可能性がある。ある例では、テンプレート６１２の第１領域６１６は、基板３０２の外周３０４に向かって複数の点の周りに曲げられる。

ある実施では、エッジ段差層４０４は、テンプレート６１２（例えば領域６１６）と基板３０２（例えば、エッジ領域の近傍）とのそのような接触を最小化および／または防止することができる。具体的には、基板３０２の外周３０４の近傍におけるテンプレート６１２の湾曲の程度が特定される。ある例では、テンプレート６１２の湾曲の程度は、角度αとして示す、第１領域６１６の平面６４０と第２領域６１８の平面６４２との間の程度に基づきうる。ある例では、角度αは、０～１００ｓμｒａｄの間にある。ある例では、角度αは、所定の一定の角度である。

そのため、ある例では、図４に示すエッジ段差層４０４の高さｈ_０、および図５に示す傾斜形状５０２の傾斜は、テンプレート６１２の湾曲の程度、例えば角度αの大きさ、エッジ領域の近傍および基板３０２の外周３０４に基づいている。具体的には、エッジ段差層４０４の高さｈ_０、および傾斜形状５０２の傾斜は、テンプレート６１２の第１領域６１６が基板３０２に向かって湾曲したときにテンプレート６１２と基板３０２との接触が防止される（または、ある例では、最小化される）ようなそれぞれの大きさの両方である。即ち、テンプレート６１２の第１領域６１６が基板３０２に向かって湾曲したときに、外周３０４の近傍においてテンプレート６１２と基板３０２との間にギャップ６５０が存在する。ある例では、ギャップ６５０は、特定のインプリント用途に応じて０～数ミクロンの間の値を有することができる。

ある例では、エッジ段差層４０４の高さｈ_０の大きさの予測モデリングは、エッジ段差層４０４のエッジ距離および角度αに基づくことができる。図８は、エッジ段差層８０４ａ，８０４ｂ，８０４ｃ，８０４ｄ（共通にエッジ段差層８０４と呼ばれる）を有するマルチエッジ基板８０２を示す。エッジ段差層８０４は、図４のエッジ段差層４０４と同様である。エッジ段差層８０４ａ，８０４ｂ，８０４ｃ，８０４ｄは、厚さｔ_１，ｔ_２，ｔ_３，ｔ_４にそれぞれに関連付けられる。さらに、エッジ段差層８０４ｂは、エッジ段差層８０４ａのエッジ８０６ａからエッジ段差層８０４ｂのエッジ８０６ｂまでの計測されたエッジ距離ｄ_１に関連付けられる。同様に、エッジ段差層８０４ｃは、エッジ段差層８０４ａのエッジ８０６ａからエッジ段差層８０４ｃのエッジ８０６ｃまで計測されたエッジ距離ｄ_２に関連付けられる。最後に、エッジ段差層８０４ｄは、エッジ段差層８０４ａのエッジ８０６ａからエッジ段差層８０４ｄのエッジ８０６ｄまでの計測されたエッジ距離ｄ_３に関連付けられる。

各エッジ段差層８０４について、高さｈ_ｎは、エッジ段差層８０４のエッジ８０６におけるテンプレート（例えばテンプレート６１２）と各エッジ段差層８０４との接触に関連付けられたパラメータに基づいて決定される。具体的には、各エッジ段差層８０４に関連付けられた高さｈ_ｎは、各エッジ段差距離ｄ_ｎと、特定のエッジ段差層８０４のエッジ８０６での接触をもたらす特定のエッジ段差層８０４についてのテンプレートの湾曲の程度（第１領域６１６の平面６４０と第２領域６１８の平面６４２との間におけるテンプレートの湾曲の程度）に関連付けられた角度α_ｎとに基づいている。そのため、特定のエッジ段差層８０４について、高さｈ_ｎは次のように計算される。

例えば、エッジ段差層８０４ｂについて、高さｈ_１は次のように計算される。

例えば、エッジ段差層８０４ｃについて、高さｈ_２は次のように計算される。

例えば、エッジ段差層８０４ｄについて、高さｈ_３は次のように計算される。

そのため、エッジ段差層４０４のエッジ段差高さｈ_０は、テンプレート（例えばテンプレート６１２）と基板（例えば基板３０２）との接触が防止される（または、ある例では、最小化される）ように決定される。具体的には、エッジ段差高さｈ_０は、エッジ段差層８０４に関連付けられた高さｈ_ｎおよび厚さｔ_ｎに基づいて決定される。そのため、エッジ段差高さｈ_０は次のように決定される。

図示した例では、高さｈ_０は次のように決定される。

ある例では、角度α_ｎの各々は、実質的に同じであり（例えば、α_１＝α_２＝α_３）、所定の定数である。ある実施では、図１および図２について上述したのと同様に、モールド６１０と重合可能材料６０６との接触に基づいて、エッジ領域のパターンを提供する基板３０２のエッジ領域に、モールド６１０のパターンフィーチャ（図１のパターン面１２２のパターンフィーチャと同様）に基づくパターンが形成される。

図５および図６を参照すると、ある更なる実施では、エッジ段差層４０４は、エッジ段差層４０４のエッジ領域５１７の近傍に配置された流体制御フィーチャ（ＦＣＦ）５０４を含む。具体的には、ＦＣＦ５０４は、エッジ段差層４０４上で重合可能材料６０６の流れ（例えば、エッジ面５１５の近傍の数十ミクロン以内）を制御するフィーチャを含む。ある例では、ＦＣＦ５０４の幅ｗは、数ミクロンから数十ミクロンまで変化させることができる。ある例では、ＦＣＦ５０４は、複数の突出部（凸部）およびリセス部（凹部）を含むが、他の種類のフィーチャも可能である。

ある例では、ＦＣＦ５０４は、重合可能材料６０６が基板３０２にエッジ段差層４０４を超えて、例えばエッジ面５１５を超えて拡がらないように、エッジ段差層４０４上における重合可能材料６０６の分布を制御することを助ける。しかしながら、基板３０２の外周３０４の近傍でのテンプレート６１２と基板３０２との接触を最小化するため、重合可能材料６０６は、エッジ段差層４０４のエッジ領域５１７の近傍、例えばエッジ段差層４０４から３００ミクロン未満に配置される。したがって、ＦＣＦ５０４は、ｉ）エッジ段差層４０４を超える重合可能材料６０６の拡がりを防止する一方、ｉｉ）テンプレート６１２（例えば第１領域６１６）と基板３０２（例えばエッジ領域の近傍）との接触を防止するために、この範囲内での重合可能材料６０６の制御を容易にする。ある例では、その範囲は、数十ミクロンから数百ミクロンまで含む。ある実施では、エッジ段差層４０４の高さｈ_１、エッジ段差層４０４の傾斜形状５０２、およびＦＣＦ５０４は、テンプレート６１２（例えば第１領域６１６）と基板３０２（例えばエッジ領域の近傍および／または外周３０２）とのそのような接触を最小化および／または防止する。

図７は、基板をパターニングするための典型的な方法を示す。プロセス７００は、論理フローグラフに配置された参照の動作の集合として示されている。記載された動作の順序は、限定として解釈されることを意図するものではなく、他の順序でおよび／またはプロセスの実行と並行して、記載された任意の数の動作を組み合わせることができる。モールドを有するインプリントリソグラフィテンプレートが提供される（７０２）。例えば、テンプレート６１２が、モールド６１０を有して提供される。ある例では、モールドは、パターンフィーチャを含むパターン面を有する。基板は、その上に配置されたエッジ段差層と、基板の外周に配置された複数のエッジ領域とを有して提供される（７０４）。例えば、基板３０２は、その上に配置されたエッジ段差層４０４と、基板３０２の外周３０４に配置されたエッジとを有して提供される。ある例では、エッジ段差層４０４は傾斜形状５０２を含む。重合可能材料は、基板のエッジ段差層の上に堆積される（７０６）。例えば、重合可能材料６０６は、基板３０２のエッジ段差層４０４の上に堆積される。重合可能材料は、インプリントリソグラフィテンプレートのモールドにエッジ領域で接触される（７０８）。例えば、重合可能材料６０６は、テンプレート６１２のモールド６１０にエッジ領域で接触される。接触に基づいて、エッジ領域のパターンを提供するためにエッジ領域でパターンフィーチャに基づくパターンが形成される（７１０）。ある例では、エッジ領域の近傍でのテンプレート６１２と基板３０２との接触は、基板３０２のエッジ段差層４０４に基づいて防止される。ある例では、エッジ領域の近傍でのテンプレート６１２と基板３０２との接触は、ｉ）エッジ段差層４０４の高さｈ_１、ｉｉ）エッジ段差層４０４の傾斜形状５０２に基づいて防止される。ある例では、エッジ領域の近傍でのテンプレート６１２と基板３０２との接触は、ｉ）エッジ段差層４０４の高さｈ１、ｉｉ）エッジ段差層４０４の傾斜形状５０２、およびｉｉｉ）ＦＣＦ５０４に基づいて防止される。

Claims

エッジ領域のパターニングのインプリントリソグラフィ方法であって、
パターンフィーチャを含むパターン面を有するテンプレートを提供する工程と、
エッジ段差層を有する部分インプリント領域と完全インプリント領域とを有する基板を提供する工程と、
前記部分インプリント領域の前記エッジ段差層の上に重合可能材料の液滴を吐出する吐出工程と、
前記エッジ段差層の上の前記重合可能材料を前記テンプレートの前記パターンフィーチャに接触させる接触工程と、
前記接触工程に基づき、前記パターンフィーチャに基づいて前記エッジ段差層の上にパターンを形成する形成工程と、
を含み、
前記エッジ段差層は、第１エッジを有する第１エッジ段差層と、前記第１エッジ段差層の上に形成され、前記第１エッジから前記基板の内側へ所定の距離離れた第２エッジを有する第２エッジ段差層とを有し、
前記テンプレートと、前記基板および前記エッジ段差層との接触は、前記第１エッジおよび前記第２エッジの高さに基づいて防止される、ことを特徴とする方法。
前記接触工程は、前記基板の外周における前記テンプレートの湾曲の程度を特定する工程を更に含み、前記第１エッジおよび前記第２エッジの前記高さは、前記湾曲の程度に基づいている、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
前記エッジ段差層は、前記基板の外周の近傍に配置された流体制御フィーチャを更に含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
前記接触工程は、前記テンプレートと前記基板との間にギャップが存在するように、前記基板に対して前記テンプレートを位置決めする工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
前記接触工程は、前記テンプレートのパターン面の一部が前記部分インプリント領域の前記エッジ段差層の前記第２エッジを超えて延伸するように、前記基板に対して前記テンプレートを位置決めする工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
前記接触工程は、前記テンプレートの一部が前記第１エッジの上を覆うように、前記基板に対して前記テンプレートを位置決めする工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
前記接触工程は、前記テンプレートの一部が前記第２エッジの上を覆うように、前記基板に対して前記テンプレートを位置決めする工程を含む、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
エッジ領域のパターニングのためのインプリントリソグラフィシステムであって、
パターンフィーチャを含むパターン面を有するテンプレートと、
エッジ段差層を有する部分インプリント領域と完全インプリント領域とを有する基板と、
を用いて、
前記部分インプリント領域の前記エッジ段差層の上に重合可能材料の液滴を吐出する吐出工程と、
前記エッジ段差層の上の前記重合可能材料を前記テンプレートの前記パターンフィーチャに接触させる接触工程と、
前記接触工程に基づき、前記パターンフィーチャに基づいて前記エッジ段差層の上にパターンを形成する形成工程と、
を実行し、
前記エッジ段差層は、第１エッジを有する第１エッジ段差層と、前記第１エッジ段差層の上に形成され、前記第１エッジから前記基板の内側へ所定の距離離れた第２エッジを有する第２エッジ段差層とを有し、
前記テンプレートと、前記基板および前記エッジ段差層との接触は、前記第１エッジおよび前記第２エッジの高さに基づいて防止される、ことを特徴とするシステム。
物品を製造するインプリントリソグラフィ方法であって、
パターンフィーチャを含むパターン面を有するテンプレートを提供する工程と、
エッジ段差層を有する部分インプリント領域と完全インプリント領域とを有する基板を提供する工程と、
前記部分インプリント領域の前記エッジ段差層の上に重合可能材料の液滴を吐出する吐出工程と、
前記エッジ段差層の上の前記重合可能材料を前記テンプレートの前記パターンフィーチャに接触させる接触工程と、
前記パターンフィーチャに基づくパターンを含むポリマ層を形成するように前記重合可能材料を重合させる重合工程と、
前記物品を得るために前記ポリマ層から前記テンプレートを剥離する剥離工程と、
を含み、
前記エッジ段差層は、第１エッジを有する第１エッジ段差層と、前記第１エッジ段差層の上に形成され、前記第１エッジから前記基板の内側へ所定の距離離れた第２エッジを有する第２エッジ段差層とを有し、
前記テンプレートと、前記基板および前記エッジ段差層との接触は、前記第１エッジおよび前記第２エッジの高さに基づいて防止される、ことを特徴とする方法。