JP6701300B2 - ナノインプリントシステムのスループットを改善するためのシステムおよび方法 - Google Patents

Description

本開示は、ナノインプリントシステムのスループットを制御するためのシステムおよび方法に関する。

ナノ加工は、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さい構造の製作を含む。ナノ製造が大きな影響を及ぼした１つの用途は、集積回路の製造である。半導体処理産業は、基板上に形成された単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産収率のために努力し続けている。ナノ加工の改善は、より大きなプロセス制御および／またはスループットの向上をもたらし、同時に形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な低減を可能にする。

今日使用されている例示的なナノ加工技術は、一般に、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれている。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ−ＲＡＭ、Ｆｅ−ＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭ等の集積デバイスの１つ以上の層を製造することを含む。例示的なナノインプリントリソグラフィプロセスは、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号、および米国特許第６，９３６，１９４号のような多くの刊行物に詳細に記載されている。

前述の各特許に開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、成形性材料（重合性材料）層にレリーフパターンを形成すること、そして、レリーフパターンに対応するパターンをその下にある基板の中に及び／又はその上に転写することを記載している。パターニングプロセスは、基板から離間したテンプレートと、テンプレートと基板との間に塗布された成形性液体を使用する。成形性液体は、成形性液体に接触するテンプレートの表面の形状に一致するパターンを有する固体層を形成するように固化される。固化した後、テンプレートは、テンプレートと基板が離間するように、固化された層から分離される。次いで、基板および固化された層は、エッチング処理などの追加の処理を受けて、固化された層のパターンに対応するレリーフイメージを基板に転写する。パターニングされた基板は、例えば、酸化、膜形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形性材料除去、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む、既知のデバイス製造ステップおよびプロセスを受ける。

品質を維持しながらスループットを改善することは、インプリントリソグラフィプロセスの有用性に影響を及ぼす。基板に重合性材料を塗布する液滴分配法を用いる場合、インプリントプロセスサイクルは、（１）基板上に重合性材料の液滴を分配すること、（２）液滴が広がってテンプレートのパターニング面に充填されるようにナノインプリント・テンプレートを液滴と接触させること、（３）重合性材料を固化させること、および、（４）テンプレートを基板から分離すること、からなりうる。このプロセスは、基板表面上にテンプレートパターンのレリーフイメージを有する固化層を残す。このプロセスのスループットを改善するには、これらのプロセスの１つ以上のサイクル時間を短縮する必要がある。

このインプリントリソグラフィプロセスの上記ステップ（２）は、アライメント時間および充填時間によって時間が制限される。充填時間は、重合性材料が広がってテンプレートパターンフィーチャに充填されることに関連する時間である。スループットを改善する１つの方法は、充填時間を短縮することである。充填時間が過度に短くされると、欠陥率が上昇する。必要とされるのは、欠陥率の増加を防止しながら充填時間を短縮する手法である。

米国特許第８，３４９，２４１号明細書 米国特許第８，０６６，９３０号明細書 米国特許第６，９３６，１９４号明細書

少なくとも第１実施形態は、インプリント方法でありうる。前記インプリント方法は、基板に成形性材料を塗布することを含みうる。前記インプリント方法は、前記基板の上の複数の位置で前記成形性材料の上にテンプレートをインプリントすることを含みうる。テンプレート充填期間は、前記成形性材料が前記テンプレートに充填されるために要する時間の期間でありうる。テンプレート充填時間は、前記基板の上の前記複数の位置の間で異なりうる。前記複数の位置の各々のための前記テンプレート充填時間は、前記基板に前記成形性材料を塗布することに先立って決定されうる。アライメント収束期間において、前記テンプレートが前記成形性材料の上にインプリントされる度に、前記テンプレートが前記基板にアライメントされうる。リアルタイムアライメントデータが前記テンプレートと前記基板とのアライメントが特定の限界に収まったことを示している場合に、前記アライメント収束期間が完了したものと決定されうる。前記アライメント収束期間と前記テンプレート充填期間とは重複しうる。前記インプリント方法は、前記アライメント収束期間の完了および前記テンプレート充填期間の終了の双方の後に、前記複数の位置の各々での前記テンプレートの中の前記成形性材料を硬化させる工程を含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面において、前記基板は、ウェハでありうる。

前記第１実施形態の１つの側面において、前記成形性材料を硬化させることは、前記成形性材料を化学線に晒すことを含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面は、前記成形性材料が硬化した後に、前記複数の位置の各々について欠陥密度を決定するために、前記基板の上に前記成形性材料を分析することを更に含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面は、前記複数の位置の中の特定位置についての前記欠陥密度が第１閾値を上回る場合に、前記特定位置における前記テンプレート充填時間を増加させること更に含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面は、前記複数の位置の中の特定位置についての前記欠陥密度が第１閾値を下回る場合に、前記特定位置における前記テンプレート充填時間を減少させることを更に含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面は、前記複数の特定位置についての前記欠陥密度が第１範囲の外側である場合に、前記特定位置における前記テンプレート充填時間を調整することを更に含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面において、前記リアルタイムアライメントデータは、前記特定の限界内の値に収束しうる。

前記第１実施形態の１つの側面において、前記リアルタイムアライメントデータは、３つの方向軸および３つの回転軸の各々の代表値を含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面において、前記リアルタイムアライメントデータは、単一のマグニチュードに減らされうる。

前記第１実施形態の１つの側面は、前記成形性材料が硬化された後に、前記複数の位置の各々について収率を決定するために、前記基板の上の前記成形性材料を解析することを更に含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面は、予測収率および予測スループットの双方の倍数が以前の収率および以前のスループットより大きいように、前記複数の位置の中の特定の位置について前記テンプレート充填時間を調整することを更に含みうる。

前記第１実施形態の１つの側面は、予測収率が以前の収率より大きく、かつ、予測スループットが以前のスループットより大きいように、前記複数の位置の中の特定の位置について前記テンプレート充填時間を調整することを更に含みうる。

少なくとも第２実施形態は、インプリント装置を使って物品を製造する方法でありうる。前記方法は、基板に成形性材料を塗布することを含みうる。前記方法は、前記基板の上の複数の位置で前記成形性材料の上にテンプレートをインプリントすることを含みうる。テンプレート充填期間は、前記成形性材料が前記テンプレートに充填されるために要する時間の期間でありうる。テンプレート充填時間は、前記基板の上の前記複数の位置の間で異なりうる。前記複数の位置の各々のための前記テンプレート充填時間は、前記基板に前記成形性材料を塗布することに先立って決定されうる。アライメント収束期間において、前記テンプレートが前記成形性材料の上にインプリントされる度に、前記テンプレートが前記基板にアライメントされうる。リアルタイムアライメントデータが前記テンプレートと前記基板とのアライメントが特定の限界に収まったことを示している場合に、前記アライメント収束期間が完了したものと決定されうる。前記アライメント収束期間と前記テンプレート充填期間とは重複しうる。前記方法は、前記アライメント収束期間の完了および前記テンプレート充填期間の終了の双方の後に、前記複数の位置の各々での前記テンプレートの中の前記成形性材料を硬化させることを更に含みうる。

少なくとも第３実施形態は、メモリと、インプリント装置に命令を送るように構成されたプロセッサとを備えるインプリント装置コントローラでありうる。前記インプリント装置は、基板に成形性材料を塗布しうる。前記インプリント装置は、前記基板の上の複数の位置で前記成形性材料の上にテンプレートをインプリントしうる。テンプレート充填期間は、前記成形性材料が前記テンプレートに充填されるために要する時間の期間でありうる。テンプレート充填時間は、前記基板の上の前記複数の位置の間で異なりうる。前記複数の位置の各々のための前記テンプレート充填時間は、前記基板に前記成形性材料を塗布することに先立って決定された期間であり、前記メモリに格納されうる。アライメント収束期間において、前記テンプレートが前記成形性材料の上にインプリントされる度に、前記テンプレートが前記基板にアライメントされうる。前記プロセッサによって受信されたリアルタイムアライメントデータが前記テンプレートと前記基板とのアライメントが特定の限界に収まったことを示している場合に、前記アライメント収束期間が完了したものと決定されうる。前記アライメント収束期間と前記テンプレート充填期間とは重複しうる。前記インプリント装置は、前記アライメント収束期間の完了および前記テンプレート充填期間の終了の双方の後に、前記複数の位置の各々での前記テンプレートの中の前記成形性材料を硬化させうる。

少なくとも第４実施形態は、インプリント方法でありうる。前記インプリント方法は、パターニング面を有するテンプレートを準備することを含みうる。前記インプリント方法は、基板を準備することを含みうる。前記インプリント方法は、前記基板の第１フィールドに塗布された成形性材料に前記パターニング面を接触させることを含みうる。前記第１フィールは、前記テンプレートの全パターンを転写するために十分に大きい。前記インプリント豊富は、第１充填期間の終了に応答して、前記第１フィールドに塗布され、前記テンプレートに接触している前記成形性材料を硬化させることを含みうる。前記インプント方法は、前記基板の第２フィールドに塗布された成形性材料に前記パターニング面を接触させることを更に含みうる。前記第２フィールは、前記テンプレートの全パターンを転写するために十分に大きくない。前記インプリント方法は、第２充填期間の終了に応答して、前記第２フィールドに塗布され、前記テンプレートに接触している前記成形性材料を硬化させることを含みうる。前記第１充填期間および前記第２充填期間は、互いに異なる。

前記第４実施形態において、前記第２充填期間は、前記第１充填期間より長い。

本開示のこれらおよび他の目的、特徴および利点は、添付の図面および請求項を参照して、本開示の例示的な実施形態の以下の詳細な説明を読むことによって明らかになるであろう。

基板から離間されたテンプレートおよびモールドを有するナノインプリントリソグラフィシステムの図。 その上に形成された固化パターン層を有する基板の図。 例示的な実施形態において使用され得るようなインプリントプロセスの図。 例示的な実施形態の結果を示す図。 例示的な実施形態で生成されうるような充填時間マップ。 例示的な実施形態で生成されうるような欠陥データの図。 例示的な実施形態において生成されうるようなアライメント誤差データの図。 例示的な実施形態において生成されうるようなアライメント誤差データの図。 例示的な実施形態で使用される歩留まり、スループット、収束およびインプリント制御パラメータに関連する一般的傾向の図。 実施形態の統計的挙動における一般的な傾向を示す確率分布。

本発明の特徴および利点を詳細に理解することができるように、添付の図面に示された実施形態を参照することによって、本発明の実施形態のより詳細な説明を得ることができる。しかし、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示しているだけであり、したがって、本発明は他の同等に有効な実施形態を認めることができるので、その範囲を限定するものとみなすべきではない。

図面を通して、特に言及しない限り、同じ参照番号および文字は、図示の実施形態の同様の特徴、要素、構成要素または部分を示すために使用される。さらに、本開示は、図面を参照して詳細に説明されるが、例示的な例示的実施形態に関連して行われる。添付の特許請求の範囲によって規定される本開示の真の範囲および精神から逸脱することなく、記載された例示的な実施形態に変更および修正を加えることができることを意図する。

欠陥率の増加を防止しながら充填時間を短縮する手法が必要である。

図１は、１つの実施形態が実施されるうるナノインプリントリソグラフィシステム１０の図である。ナノインプリントリソグラフィシステム１０は、基板１２上にレリーフパターンを形成するために使用される。基板１２は、基板チャック１４に結合されうる。基板チャック１４は、真空チャック、ピンタイプ、溝タイプ、静電および／または電磁チャックでありうるが、これに限定されない。

基板１２および基板チャック１４は、位置決めステージ１６によって更に支持されうる。ステージ１６は、ｘ、ｙ、ｚ、θおよびφ軸のうちの１つまたは複数に沿って並進運動および／または回転運動を提供しうる。ステージ１６、基板１２、および基板チャック１４は、ベース（図示せず）上に配置されてもよい。

テンプレート１８は、基板１２から間隔を置いて配置される。テンプレート１８は、基板１２に向かって延びるメサ（モールドとも呼ばれる）２０を有する本体を含みうる。メサ２０は、その上にパターニング面２２を有しうる。あるいは、テンプレート１８は、メサ２０なしで形成されてもよく、その場合、基板１２に面するテンプレートの表面はモールド２０と同等であり、パターニング面２２は、基板１２に面する、テンプレートの表面である。

テンプレート１８および／またはモールド２０は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属および／または硬化サファイア等で形成されうるが、これらに限定されない。パターニング面２２は、複数の離間した凹部２４および／または凸部２６によって画定されるフィーチャを含むが、本発明の実施形態は、このような構成（例えば、平面）に限定されるものではない。パターニング面２２は、基板１２上に形成されるパターンの基礎を形成する任意のオリジナルパターンを画定することができる。

テンプレート１８は、テンプレートチャック２８に結合されうる。テンプレートチャック２８は、真空、ピンタイプ、溝タイプ、静電、電磁、および／または他の同様のチャックタイプでありうるが、これらには限定されない。更に、テンプレートチャック２８は、インプリントヘッド３０に結合され、それは次にブリッジ３６に移動可能に結合されうる。これは、テンプレートチャック２８、インプリントヘッド３０、およびテンプレート１８が少なくともｚ軸方向、あるいは、加えて他の方向にも移動することができるようになされる。

ナノインプリントリソグラフィシステム１０は、流体分配システム３２を更に備えることができる。流体分配システム３２は、基板１２上に成形性材料３４（例えば、重合性材料）を堆積させるために使用されうる。追加の成形性材料３４も、滴下分配、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積などの技術を用いて基板１２上に配置されうる。成形性材料３４は、設計上の考慮に応じて、所望の体積がモールド２２と基板１２との間に画定される前および／または後に、基板１２上に分配されうる。成形性材料３４は、米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許第８，０７６，３８６号に記載されているようなモノマーを含む混合物を含むことができ、これらは、参照により本明細書に組み込まれる。

ナノインプリントリソグラフィシステム１０は、経路４２に沿ってエネルギーを誘導するエネルギー源３８を更に備えうる。インプリントヘッドおよびステージ１６は、テンプレート１８および基板１２を経路４２と重ね合わせて配置するように構成されうる。ナノインプリントリソグラフィシステム１０は、ステージ１６、インプリントヘッド、流体分配システム３２、エネルギー源３８、および／またはカメラ５８と通信するプロセッサ５４（コントローラ）によって制御されてもよく、一時的ではないコンピュータ可読メモリ５６（媒体）に格納されたコンピュータ可読プログラムにおける命令に基づいて動作しうる。プロセッサ５４は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ、および汎用コンピュータのうちの１つまたは複数であってもよいし、またはそれらを含んでもよい。プロセッサ５４は、専用のコントローラであってもよいし、コントローラであるように適合された汎用コンピューティングデバイスであってもよい。一時的ではないコンピュータ可読メモリの例には、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−Ｒａｙ、ハードドライブ、ネットワーク接続型ストレージ（ＮＡＳ）、イントラネット接続されたコンピュータ可読ストレージデバイス、およびインターネット接続されたコンピュータ読取り可能な記憶装置が含まれうるが、これらには限定されない。

インプリントヘッド、ステージ１６、またはその両方は、成形性材料３４が充填される所望の体積を画定するように、モールド２０と基板１２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッドは、モールド２０が成形性材料３４に接触するように、テンプレート１８に力を与えうる。所望の体積に成形性材料３４が充填された後、エネルギー源３８は、エネルギー４０、例えば紫外線を生成し、基板１２の表面４４およびパターニング面２２の形状に一致し、図２に示すように基板１２上にパターン化された層４６を画定する成形性材料３４を固化および／または架橋させる。パターン化された層４６は、凸部５０および凹部５２として示される、残留層４８および複数のフィーチャを含みうる。図２に示すように、凸部５０は、厚さｔ１を有し、残留層は、厚さｔ２を有する。厚さｔ１およびｔ２は、基板１２にわたって変化しうる。

様々な流体分配システムが、液体材料を分配するために様々な技術を採用しうる。インクジェット分配の分野では、例えば、サーマルインクジェット、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）ベースのインク噴射、および圧電インクジェットが、インクを分配するための一般的な技術である。

サーマルインクジェットプロセスでは、プリントカートリッジは、各々がヒーターを含む一連の小さなチャンバからなる。各チャンバから液滴を放出するために、電流のパルスが加熱素子を通過して、チャンバ内のインクの急速な気化を引き起こし、気泡を形成し、大きな圧力上昇を引き起こし、インク滴を紙上に推進させる。

圧電インクジェットプロセスでは、加熱素子の代わりに圧電材料が各ノズルの背後に配置される。電圧が印加されると、圧電材料は形状を変え、流体中に圧力パルスを生成し、ノズルからインクの液滴を押し出す。圧電性（ピエゾとも呼ばれる）インクジェットデバイスは、揮発性成分を必要とせず、残留物の問題が少ないため、サーマルインクジェットよりも幅広い種類のインクを可能にする。ＭＥＭＳベースのインク噴射プロセスは、圧電材料がＭＥＭＳデバイスで置き換えられることを除いて、圧電インクジェットプロセスと実質的に同様である。

ピエゾベースの流体分配システム３２は、ナノインプリントリソグラフィ用途のための成形性材料３４の分配に使用されうる。別の実施形態では、ピエゾベースの流体分配システム３２の代わりに、ＭＥＭＳベースの流体分配システムが使用される。典型的には、これらのシステムで分配される流体の粘度は、５〜３０センチポイズ（ｃＰ）の間で変化しうる。成形性材料を分配することができ、モールドおよび基板によって決定される形状に成形することができるものであれば、他の分配方法（サーマルインクジェットをベースとするものなど）を使用することもできる。

ナノインプリントシステムは、フィールド毎に基板１２上の既存のパターンに対してパターニング面２２を重ね合わせる（オーバーレイ）ために使用されるアライメントシステムを含む。モールド２０および基板１２は、両方とも、２つのパターン間の重ね合わせを識別するためのフィードバック機構として使用されるアライメントマークを含むことができる。成形性材料は、位置合わせプロセスの前に基板上に配置されるので、重ね合わせ（オーバーレイ）プロセスにおいて比較的小さなギャップ（例えば、１ミクロン以下程度）が存在する。したがって、アライメントシステムは、異なる平面からの２つの重ね合わせマークを同じ焦点面上にフォーカスする必要がありうる。そのような要件は、比較的大きい（例えば、１００ｎｍより大きい）フィーチャを有するデバイスにとっては重要ではないかもしれない。しかし、１００ｎｍ未満のクリティカルなフィーチャの場合、２つの重ね合わせマークの画像は、高解像度の重ね合わせアライメントを達成するために、同じ焦点面上またはできるだけ近くで最良にキャプチャされる。

アライメントを行うための１つの方法は、モアレパターンを使用する。同じ平面上にないモアレパターンの２つの層がイメージングシステムで重なり合う。モアレパターンまたは干渉縞は、周期性が異なる２つの周期パターンが重ね合わされた結果である。光干渉は、２つの重なり合うパターンのいずれよりも大きなピッチを有するモアレパターンを生成する。モアレパターンに基づく信号は、２つの周期パターン間の小さなシフトを検出するために使用される。アライメントシステムの焦点深度内でのテンプレートと基板との間のギャップの制御は、２つのモアレパターンの層を同時に取得することを可能にする。

アライメントを行うことは、オーバーレイプロセス中の倍率誤差および歪み誤差を補正することを含みうる。あらゆる位置ずれは、テンプレート１８の位置を調整するために、ピエゾアクチュエータなどの１つ以上のアクチュエータによって補正されうる。代替の実施形態では、アクチュエータは、ピエゾ電気効果、電磁効果、水力効果、空気効果、および容量効果の１つ以上に基づきうるが、これには限定されない。

ナノインプリントリソグラフィプロセスシーケンスは、いくつかのステップから構成され、これらは順次および並列の双方で実行されうる。図３は、一実施形態によるインプリントプロセス３００の図である。インプリントプロセス３００は、インデックスｉおよびｊを１に設定するステップＳ３０２を含みうる。インデックスｉおよびｊは、基板１２上のＮ個のインプリント領域のそれぞれを表す。基板は、Ｎ個のインプリント領域に分割され、それらは、順にテンプレート１８でインプリントされる。インプリントプロセス３００は、ディスペンサ３２をインプリント領域ｉに移動させるステップＳ３０４を含みうる。別の実施形態では、ディスペンサ３２の代わりに基板１２が移動されうる。他の実施形態では、ディスペンサを移動させることは、ディスペンサ３２および／または基板１２を移動させることを含みうる。インプリントプロセス３００は、基板１２の上に成形性材料３４を分配するステップＳ３０６を含みうる。インプリントプロセス３００は、インデックスｉがＮに等しいかどうかをチェックするプロセッサ５４のステップＳ３０８を含みうる。インデックスｉがＮに等しい場合、プロセス３００はステップＳ３１２に進み、ディスペンサ３２は、処理される基板１２上ではもはや使用されない。インデックスｉがＮに等しくない場合、プロセス３００はステップＳ３１０に進み、インデックスｉは１だけインクリメントされ、プロセス３００はステップＳ３０４に戻る。

インプリントプロセス３００は、成形性材料３４がステップＳ３０６においてインプリント領域ｊに分配された後に、テンプレート１８をインプリント領域ｊに移動させるステップＳ３１４を含みうる。インプリントプロセス３００は、テンプレート１８を成形性材料３４と接触させるステップＳ３１６を含むことができる。テンプレート１８が成形性材料３４と接触すると、ステップＳ３１８において、プロセッサ５４は、インプリント領域ｊに関連してメモリ５６に格納されている充填時間Ｔｊと比較するために計時を開始する。充填時間Ｔｊは、テンプレートの凹部および凸部への充填に要する時間の期間を示す、予め計測された時間でありうる。ステップＳ３１８と同時に、ステップＳ３２０も実行されうる。ステップＳ３２０において、テンプレート１８は、基板１２にアライメント（位置合わせ）される。一実施形態では、アライメントプロセスは、テンプレート１８を成形性材料３４と接触させるときであるが、テンプレート１８が成形性材料と接触する前に開始されうる。ステップＳ３２０がいつ完了したかを決定するために、プロセッサ５４が使用されうる。プロセッサ５４は、アライメント許容値の閾値に対するアライメントの測定値をチェックすることによって、この決定を行うことができる。アライメント許容閾値は、１つ以上の特定の限界を含みうる。特定の限界は、前の処理ステップおよび将来の処理ステップ、およびアライメントシステムに固有のプロセスドリフトの関数でありうる。特定の限界は、インプリントプロセスで作成される新しい構造が、基板上の既存の構造および／または基板に追加される将来の構造とアライメントされることを保証する。測定されたアラインメントがアラインメント許容閾値になるか、それよりも良くなると、ステップＳ３２０は終了したと見なすことができる。アライメントの測定は、基板１２とテンプレート１８の両方のアライメントマークの１つまたは複数の重ね合わせを測定すること、および、歪みおよび倍率誤差を補正することを含むことができる。６つの軸（ｘ、ｙ、ｚ、θ、φおよびψ）のすべてにわたってアライメントデータを提供するために、基板アライメントマークおよびテンプレートアライメントマークの単一の重ね合わせが使用されうる。あるいは、複数の重ね合わせが使用されてもよく、各重ね合わせは、６つの軸（ｘ、ｙ、ｚ、θ、φ、およびψ）のうちの１つ以上の位置合わせデータを提供する。

プロセッサ５４は、ステップＳ３１８およびＳ３２０の両方がいつ終了するかを決定することができ、ステップＳ３１８およびＳ３２０の両方が終了した後にのみ、プロセス３００はステップＳ３２４に進む。ステップＳ３２４の間、成形性材料３４が硬化される。成形性材料は、成形性材料３４を重合させて架橋させるプロセスによって硬化されうる。硬化プロセスは、成形性材料３４をエネルギー源３８からの化学線（例えば、ＵＶ光）に晒すことを含みうる。他の実施形態では、硬化プロセスは、加圧、加熱、冷却、放射線などの１つ以上を含むことができる。成形性材料３４が十分に硬化した後、ステップＳ３２６においてテンプレート１８が硬化した成形性材料から分離される。
ステップＳ３２８において、プロセッサ５４は、インデックスｊがＮに等しいかどうかをチェックする。インデックスｊがＮに等しい場合、プロセス３００はステップＳ３３２に進む。インデックスｊがＮに等しくない場合、プロセス３００はステップＳ３３０に進み、インデックスｊがインクリメントされ、プロセスはステップＳ３１４に戻る。ステップＳ３３２において、基板１２上のすべてのインプリント領域がインプリントされているので、プロセスはステップＳ３３４に進み、インプリントツールから基板１２が除去され、新しい基板１２がプロセスを開始する。その後、プロセス３００は、ステップＳ３０２に戻ることができる。

充填時間Ｔｊは、典型的には２つの成分、即ち、１）滴が合体するのに要する時間、および、２）合体した液滴の間に形成された閉じ込められたガスの体積が散逸するのに要する時間、で構成される。所与の目標残留層の厚さｔ２に対して、特定体積の成形性材料が流体分配システム３２から供給されなければならない。小さな液滴体積が使用される場合、液滴は横方向に広がり、液滴が合体し始め、少量のトラップされたガスを液滴の間に残す。トラップされたガスが硬化工程Ｓ３２４の前に散逸しない場合、欠陥が生じる。トラップされたガスは、間隔を置いて配置された凹部２４および／または凸部２６のすべてに成形性材料３４が充填されたときには散逸している。トラップされたガスの量が多いほど、すべての凹部２４および／または凸部２６への充填により長い時間を要する。

成形性材料の充填に関連する欠陥は、離間した凹部２４および／または凸部２６が成形性材料３４によって充填されてない領域として定義される。この欠陥モードは、未充填欠陥と呼ばれうる。未充填欠陥４５８の簡単な例を図４に示す。形成性材料の充填時間は、典型的には、ナノインプリントプロセスにおける所望の最小数の未充填欠陥に達するのに要する時間によって定義される。典型的な値は、平方センチメートル当たり０個から１個までの間の未充填欠陥である。欠陥は、複数のインプリントと複数のウェハにわたって測定され、各インプリントは、静的な充填時間Ｔａで行われた。これらの欠陥測定値は、図９（Ａ）に示すような全欠陥分布９０２によって表される。この欠陥分布は、図９（Ｂ）に示すように、フィールド間で異なりうる。ここで、図９（Ｂ）には、様々なインプリントフィールドの欠陥分布が示されている。欠陥分布は、インプリントフィールド間で異種なものでありうる。本発明者は、図９（Ｃ）に示すように、いくつかのフィールドでは充填時間を充填時間Ｔｂに増加させることが、欠陥分布に重要な影響を及ぼすことを見出した。一方で、図９（Ｄ）に示すように、異なるフィールドについては、充填時間Ｔｂまで充填時間を増加させることが欠陥分布に及ぼす影響は小さい（または影響がない）。本発明者は、各インプリントフィールドについて充填時間を調整すれば、欠陥分布９０２よりも高い収率を得ることができる欠陥分布９０４を達成することができることを見出した。図９（Ｆ）は、欠陥分布９０２、欠陥分布９０４および収率ライン９０６の比較を示している。収率ライン９０６を下回る欠陥密度を有するインプリントは、許容可能であると考えられうる。一方、収率ラインを上回る欠陥密度を有するインプリントは、許容可能ではないと考えられうる。図９（Ａ）−（Ｆ）は、一般的な傾向を説明するものであり、説明目的のものであり、欠陥分布の全体的なふるまいや、パラメータの変化の仕方を代表的に示すものである。インプリントフィールドは、これらの分布を変化させうる。

全体的な欠陥密度を低減することは、収率ライン９０６を上回る欠陥の量を減少させることを意味し、これはまた、図８（Ａ）に示すように収率を増加させる。収率はまた、図８（Ｂ）に示すように、アライメント許容閾値に対して敏感でありうる。アライメント許容閾値が低下すると、収率が増加する。クローズドループアライメントシステムでは、アライメント許容閾値を低下させると、アライメントに要する時間が長くなる。別の実施形態は、固定されたアライメント時間が設定されるオープンループアライメントシステムを含みうる。オープンループアライメントシステムでは、所与のインプリントについて、アライメントは、固定されたアライメント時間の前または後に収束する。図８（Ｄ）は、特定のインプリントが収束したアライメント時間に対する確率を示す図である。その後、インプリントの大部分が収束した固定のアライメント時間８０６が選択されうる。加えて、アライメント時間が増加すると、スループットが低下する。価値を付加するためのインプリントプロセスの能力は、収率とスループットとの両方の倍数の関数である。したがって、インプリントプロセスにとって最も価値のあるアライメント許容閾値のためのスイートスポットがある。

本発明者は、充填時間を増加させると、図８（Ｃ）に示すように全体の欠陥密度が減少することを見出した。本発明者はまた、所与のインプリントフィールドについて、充填時間の所与の増加に対する欠陥密度の改善量が変化することも見出した。図８（Ｃ）は、インプリントフィールド１およびインプリントフィールド２０での充填時間の増加における差異を示している。アライメント時間と同様に、充填時間を長くするとスループットが低下する。既に議論したように、全体の充填時間についてスイートスポットがある。全体の充填時間は、基板上の全てのインプリントの充填時間の合計である。本発明者は、基板上の各インプリントフィールドは、充填時間と欠陥密度との間に他のフィールドとは異なる関係を有することを見出した。インプリントフィールドに依存して、充填時間をアラインメント時間よりも長くすることは、収率への影響が大きいこともあるし、小さいこともある。

最適ではないインプリントプロセスでは、成形性材料の充填時間（Ｓ３１８）は、数秒から数十秒のオーダーを必要とすることがある。アラインメントを実施するのに要する時間（Ｓ３２０）は、充填時間よりも短かった。ステップＳ３２０のアラインメントの実施が充填ステップＳ３１８と並行して起こるプロセスでは、プロセスが充填時間によって制限された。しかし、インプリンティングプロセスは改良されてきて、１秒未満の改善された充填時間が現在は可能である。

ナノインプリントプロセスは、ステップアンドリピート方式で実行される。ステップアンドリピート方式のインプリティングにおいて、ナノインプリントプロセスは、基板１２の全体にわたって広がった複数のインプリントフィールドにおいて実行される。従来技術では、１つの目標は、各インプリントを実行するのに必要な時間を短縮することであり、これは、各インプリントについての充填時間を減少することを含む。加えて要求されることは、基板の全てのインプリントフィールドにインプリントを行うために費やされる総時間、及び／又は、成形性材料３４がボイドを充填し、インプリントフィールド内の気泡が消散するのに費やされる合計時間を短縮することである。アライメント時間及び／又は充填時間を短縮することは、図８（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、スループットを増加させる。図８（Ａ）−（Ｆ）は、一般的な傾向を示し、プロセスパラメータの調整がインプリントプロセスにどのように影響するかを説明するためのものである。

１００ｎｍ未満のフィーチャを有するデバイスは、正しく機能するために、パターンのレベル（上下のパターン）間に厳しい重ね合わせを必要としうる。３００ｍｍ基板の全体にわたる典型的なパターンレイアウトでは、基板全体にパターンを形成するために数十のフィールドが必要とされうる。例えば、図５では、３００ｍｍの基板１２全体を網羅するために、８４個の２６ｍｍ×３３ｍｍのインプリントフィールドのパターンレイアウトが必要である。インプリントフィールドのサイズが縮小されるにつれて、インプリントフィールドの数はそれに応じて増加する。インプリントフィールドの数は数百にも及ぶことがあり、より典型的な値は８４から１５０の範囲にある。

図５に示された全てのインプリントがフルフィールドインプリントというわけではない。インプリントフィールドは正方形または長方形であり、一方、基板は典型的には円形である。したがって、図５に示すように、基板のエッジに重なるインプリントフィールド、または、基板の一部の領域はインプリントされず、これは基板の無駄とみなされ、典型的には回避される。基板全体をインプリントして、その後のプロセスを改善することもできる。フルフィールドインプリントは、パターン全体を転写するのに十分な大きさで、パターン全体がインプリントされるインプリントフィールドとして定義されうる。インプリントされるフィールドの一部は、フルフィールドではなくパーシャルフィールドである。パーシャルフィールドは、テンプレートのパターン全体が基板１２上に転写されることを必要としないインプリントフィールドとして定義されうる。図５に示すように、８４フィールドのうち２６フィールドはパーシャルフィールドである。インプリントされるフィールドの数が減少すると、全フィールドに対するパーシャルフィールドの比が増加する。

パーシャルフィールドは、特に成形性材料の充填時間に関して、追加の課題を提示する。フルフィールドの場合、ナノインプリントシステムは、フィールドの中心で成形性材料充填プロセスを開始させ、成形性材料を半径方向外側に向かって充填させる。対照的に、パーシャルフィールドは、このような方法の充填に常に頼ることはできず、充填時間が長くなりうる。各インプリントフィールドに対する流体充填時間Ｔは、基板１２上の全てのインプリントフィールドを考慮した最長充填時間Ｔｍａｘによって決定される。

典型的な基板１２の充填時間のばらつきが図５に示されている。各フィールドには、１〜８４の番号が付けられている。各フィールドの最大充填時間は、いくつかの基板にわたって測定された。図５では、充填時間の相対量は、凡例５６０において相対的な順序で示されている塗りつぶしパターンによって示されている。図５に示すように、典型的なパーシャルフィールドは、典型的なフルフィールドよりも時間がかかる。各フルフィールド全体の充填時間には、いくらかのばらつきもある。

図６は、成形性材料流体の充填時間が１平方センチメートル当たりの欠陥として測定された未充填欠陥密度の分布に対してどのように影響するかを示す図である。所与の成形性材料の充填時間に対して、いくつかのインプリントフィールド欠陥密度がプロットされている。インプリントフィールドのいくつかはフルインプリントフィールドであり、他のものは基板エッジの近くに位置するフルフィールドであり、他はパーシャルインプリントフィールドである。図６から明らかなように、任意の所定の成形性材料流体の充填時間に対して、ある範囲の未充填欠陥密度が存在する。これは、パーシャルインプリントフィールドと、基板エッジの近くに位置するフルインプリントフィールドの両方を充填するという挑戦によって引き起こされうる。所定の未充填欠陥密度基準を満たすために、成形性材料流体の充填時間Ｔｍａｘが、最も遅い充填インプリントフィールドでさえも所定の未充填欠陥密度基準を確実に満たすように選択される。

フィールドレイアウトに加えて、充填時間は、必ずしもすべてのフィーチャパターンについて同じでなくてもよい。例えば、垂直方向のラインスペースパターンは、一方向に速く充填されるかもしれない。さらに、疎なピラーパターンは充填が遅いかもしれない。離れて配置された成形性材料液滴は、液滴の合体およびトラップされたガスの散逸のためのより長い充填時間を必要とするかもしれない。

スループットを改善することを更に複雑にすることは、アライメントが行われる並列ステップＳ３２０である。アライメントは、基板１２上の１つ以上のアライメントマークをテンプレート１８上の１つ以上のアライメントマークと位置合わせすることを含みうる。アライメント時間は、成形性材料の充填時間と同様に、アライメント信号、例えばモアレ信号を所望の値に収束させるために要する時間として定義される。アライメント収束誤差は、０．１０ナノメートルから３０ナノメートルまでの範囲であり、より典型的な値は０．５から３ナノメートルまでの間である。

アライメント収束時間は、成形性材料の充填時間と同様に、様々な理由により、フィールド毎に異なりうる。そのばらつきの理由の１つは、アライメントマークの近くに位置する別個の関心領域（ＲＯＩ）マークによって典型的に識別されるアライメントマークの領域の検出である。ＲＯＩマーク誤差が大きい場合、アライメントの収束時間が長くなることがある。原則として、テンプレートと基板上の２つのモアレアライメントマーク間のオフセットが大きいほど、アライメント収束時間は長くなる。

本発明者は、パーシャルフィールド、または、基板のエッジに近いフルフィールドに対してアライメント収束が長くなる傾向があることを見出した。アライメント収束の速度に影響を与える可能性のある問題は、システムのモデルとシステムの現実との間の乖離である。例えば、システムのモデルは、テンプレート、基板、およびそれらの動きを制御する装置の数値的または分析的表現でありうる。システムのモデルは、異なるモーター制御に応答して、テンプレートと基板とがどのように相対的に移動するかの推定値を提供しうる。現実を正確に反映するためのシステムのモデルの能力は、テンプレートが基板の中心から遠くなるほど減少しうる。例えば、テンプレートと基板の中心との間の距離が大きくなればなるほど、アライメントマークの初期アライメントがテンプレート１８の基板への相対的な回転（チルトとヨーも含む）におけるあらゆる偏差となる影響が大きくなる。このように、基板１２の中心よりのインプリントフィールドは、小さな回転誤差およびより速いアライメント収束時間を有する傾向があるが、基板のエッジ付近のフルフィールドまたは基板のエッジのパーシャルフィールドは、より大きい回転誤差、より遅いアライメント収束時間を有する。

図７Ａおよび図７Ｂは、時間の関数としてのアライメント誤差を示す多数のインプリントフィールドについてのいくつかの収束曲線の図である。それぞれの場合において、アライメント信号の初期オフセットは各フィールド毎に異なる。各収束曲線の傾きも異なる。各プロットは、異なる時点で所望の収束値ｙ０に達する。

典型的なアライメント収束時間は、０．１０秒から１０秒までの範囲であり、より典型的な値は０．３０秒から２．０秒である。結果として、いくつかのインプリントフィールドは、成形性材料流体の充填と、成形性材料流体の充填時間によって決定されるアライメント収束の両方を達成するのに必要な最小時間を有することが可能である。他の場合では、いくつかのインプリントフィールドは、成形性材料流体の充填とアライメント収束時間によって決定されるアライメント収束の両方を達成するのに必要な最小時間を有することが可能である。

従来技術の方法は、流体充填時間とアライメント収束時間の両方の最大予測値に基づいて時間（Ｔｍａｘ）を選択していた。しかしながら、この方法は、時間Ｔｍａｘの前に成形性材料のＵＶ露出のための準備ができている点で、非効率的である。大きなＴｍａｘを選択すると、インプリンティングプロセスが遅くなり、スループットが低下する。スループットの低下は、デバイスコストやインプリンティング機器の償却に悪影響を及ぼす。

１つの例示的な実施形態では、各インプリントフィールドの充填時間は積極的に測定されず、実験データに基づいて各インプリントフィールド位置またはインプリントフィールド位置のグループに対して設定される。実験データは、以前のインプリントによる欠陥密度が含まれうるが、これには限定されない。欠陥密度は、テストウェハを用いて集められうる。テストウェハは、様々な充填時間でインプリントされうる。

本発明者は、成形性材料流体の充填とアライメント収束の両方に対して必要な最小時間を特定する新しい方法（図３）を特定した。この新しい方法は、最大充填時間に基づく充填時間の悪影響を克服しうる。これは、各フィールドまたはフィールド群の成形性材料流体の充填時間を特徴付けるために使用される先行基板からの情報を収集し、フィールド毎にリアルタイム分析を行うことによってなされうる。

例示的な実施形態では、ナノインプリントシステム１０を使用して複数の異なる充填時間で１つ以上（１，２，４，１０，１００など）の先行基板がパターニングされ、次いで未充填欠陥が検査される。各インプリントフィールドには、欠陥密度基準を満たす最短充填時間が割り当てられる。一実施形態では、４つの異なる充填時間が評価され、別の数の充填時間（例えば、２，５，１０，１２など）も使用されうる。これらの充填時間のマップは、図５に示されているウェハマップの形をとってもよい。

ある実施形態は、成形性材料が硬化された後に、複数の位置のそれぞれの欠陥密度を決定するために、基板上の成形性材料を常時または必要時に分析することを含みうる。一実施形態では、特定の場所の欠陥密度が第１の閾値を上回る場合、複数の位置の中の特定の位置でテンプレート充填時間が増加する。一実施形態では、特定の位置の欠陥密度が第２の閾値を下回る場合、テンプレート充填時間は複数の位置の中の特定の位置で減少する。一実施形態では、特定の位置の欠陥密度が第１の範囲の外側である場合、テンプレート充填時間は複数の位置の中の特定の位置で調整される。

以前のインプリント経験に基づいて、個々のフィールドまたはフィールドのグループごとに異なる成形性材料充填時間が指定されうる。異なる充填時間は、基板の中心からの距離または基板のエッジからの距離に基づいて指定されてもよい。各インプリントフィールドに関連するインプリントフィールド位置および充填時間を列挙するルックアップ・テーブルが生成されてもよい。

ナノインプリントリソグラフィ技術は、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号、および米国特許第６，９３６，１９４号のような例示的なナノインプリント技術に限定されないが、これらはすべて本明細書に参照によって援用される。ＵＶナノインプリントリソグラフィおよび熱ナノインプリントリソグラフィを含む他のナノインプリント技術も一実施形態で使用することができる。
一実施形態では、アライメント収束を達成するために干渉ベースのモアレアライメントシステムを使用されうる。位相格子、明視野、暗視野、回折、軸上および軸外のシステムを含む他のアライメントシステムを用いてアライメント収束を決定することもできる。

未充填欠陥の検出に一般的に使用されるシステムは、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ ２９００シリーズ広帯域プラズマ欠陥検査システムなどの明視野パターン基板検査ツールを含むことができる。他の可能な検査システムには、暗視野光学パターン基板検査システム、レーザ走査パターン化基板検査器、および電子ビームに基づく基板検査システムが含まれる。

一実施形態によって製造されうる物品は、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、又は、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ−ＲＡＭ、Ｆｅ−ＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭなど他のメモリデバイスなどのシリコン基板上に作製された集積デバイスを含みうるが、これには限定されない。

基板材料は、シリコン、ガラス、溶融シリカ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＰ、サファイア、ＡｌＴｉＣ、ならびに当該技術分野において周知の他の基板を含みうるが、これらには限定されない。これらの基板上に製造されたデバイスには、パターンドメディア、電界効果トランジスタデバイス、ヘテロ構造電界効果トランジスタ、発光ダイオード、ハードドライブ産業用のリード／ライトヘッドなどが含まれる。

様々な態様のさらなる改変および代替実施形態は、この説明を考慮して当業者には明らかであろう。したがって、この説明は、例示的なものとして解釈されるべきである。本明細書に示され記述された形態は、実施形態の例として解釈されるべきであることを理解されたい。本明細書に図示および説明したものの代わりに要素および材料を使用してもよく、部品およびプロセスを逆にしてもよく、特定の特徴を独立して利用してもよく、全て本明細書の恩恵を受けて当業者に明らかである。

Claims (8)

1. インプリント方法であって、
   基板に成形性材料を塗布する工程と、
   前記基板の上の複数の位置で前記成形性材料の上にテンプレートをインプリントする工程と、を含み、
   ここで、テンプレート充填期間は、前記成形性材料が前記テンプレートに充填されるために要する時間の期間であり、テンプレート充填時間は、前記基板の上の前記複数の位置の間で異なり、
   前記複数の位置の各々のための前記テンプレート充填時間は、前記基板に前記成形性材料を塗布することに先立って決定された期間であり、
   アライメント収束期間において、前記テンプレートが前記成形性材料の上にインプリントされる度に、前記テンプレートが前記基板にアライメントされ、
   リアルタイムアライメントデータが前記テンプレートと前記基板とのアライメントが許容される特定の限界に収まったことを示している場合に、前記アライメント収束期間が完了したものと決定され、
   前記アライメント収束期間と前記テンプレート充填期間とは重複していて、
   前記インプリント方法は、
   前記アライメント収束期間の完了および前記テンプレート充填期間の終了の双方の後に、前記複数の位置の各々での前記テンプレートの中の前記成形性材料を硬化させる工程と、
   前記成形性材料が硬化した後に、前記複数の位置の各々について欠陥密度を決定するために、前記基板の上の前記成形性材料を分析する工程と、
   前記複数の位置の中の特定位置についての前記欠陥密度が閾値を下回る場合に、前記特定位置における前記テンプレート充填時間を減少させる工程と、を含む、
   ことを特徴とするインプリント方法。
2. 前記基板は、ウェハである、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記成形性材料を硬化させることは、前記成形性材料を化学線に晒すことを含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
4. 前記リアルタイムアライメントデータは、前記特定の限界内の値に収束する、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
5. 前記リアルタイムアライメントデータは、単一のマグニチュードに減らされる、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
6. 前記成形性材料が硬化された後に、前記複数の位置の各々について収率を決定するために、前記基板の上の前記成形性材料を解析する工程を更に含む、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
7. インプリント装置を使って物品を製造する方法であって、
   基板に成形性材料を塗布する工程と、
   前記基板の上の複数の位置で前記成形性材料の上にテンプレートをインプリントする工程と、を含み、
   ここで、テンプレート充填期間は、前記成形性材料が前記テンプレートに充填されるために要する時間の期間であり、テンプレート充填時間は、前記基板の上の前記複数の位置の間で異なり、
   前記複数の位置の各々のための前記テンプレート充填時間は、前記基板に前記成形性材料を塗布することに先立って決定された期間であり、
   アライメント収束期間において、前記テンプレートが前記成形性材料の上にインプリントされる度に、前記テンプレートが前記基板にアライメントされ、
   リアルタイムアライメントデータが前記テンプレートと前記基板とのアライメントが特定の界に収まったことを示している場合に、前記アライメント収束期間が完了したものと決定され、
   前記アライメント収束期間と前記テンプレート充填期間とは重複していて、
   前記方法は、
   前記アライメント収束期間の完了および前記テンプレート充填期間の終了の双方の後に、前記複数の位置の各々での前記テンプレートの中の前記成形性材料を硬化させる工程と、
   前記成形性材料が硬化した後に、前記複数の位置の各々について欠陥密度を決定するために、前記基板の上の前記成形性材料を分析する工程と、
   前記複数の位置の中の特定位置についての前記欠陥密度が閾値を下回る場合に、前記特定位置における前記テンプレート充填時間を減少させる工程と、を含む、
   ことを特徴とする方法。
8. インプリント装置コントローラであって、
   プログラムを格納したメモリと、
   前記プログラムに従って動作し、インプリント装置に命令を送るように構成されたプロセッサと、を備え、
   前記プロセッサは、前記命令によって、前記インプリント装置に、
   基板に成形性材料を塗布させ、
   前記基板の上の複数の位置で前記成形性材料の上にテンプレートをインプリントさせ、
   ここで、テンプレート充填期間は、前記成形性材料が前記テンプレートに充填されるために要する時間の期間であり、テンプレート充填時間は、前記基板の上の前記複数の位置の間で異なり、
   前記複数の位置の各々のための前記テンプレート充填時間は、前記基板に前記成形性材料を塗布することに先立って決定された期間であり、前記メモリに格納され、
   アライメント収束期間において、前記テンプレートが前記成形性材料の上にインプリントされる度に、前記テンプレートが前記基板にアライメントされ、
   前記プロセッサによって受信されたリアルタイムアライメントデータが前記テンプレートと前記基板とのアライメントが特定の限界に収まったことを示している場合に、前記アライメント収束期間が完了したものと決定され、
   前記アライメント収束期間と前記テンプレート充填期間とは重複していて、
   前記プロセッサは、前記命令によって、前記インプリント装置に、
   前記アライメント収束期間の完了および前記テンプレート充填期間の終了の双方の後に、前記複数の位置の各々での前記テンプレートの中の前記成形性材料を硬化させる工程と、
   前記成形性材料が硬化した後に、前記複数の位置の各々について欠陥密度を決定するために、前記基板の上の前記成形性材料を分析する工程と、
   前記複数の位置の中の特定位置についての前記欠陥密度が閾値を下回る場合に、前記特定位置における前記テンプレート充填時間を減少させる工程と、を実行させる、
   ことを特徴とするインプリント装置コントローラ。