KR102210834B1 - 기판으로부터 나노임프린트 템플릿을 분리하는 방법 - Google Patents

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Abstract

최종 분리 점(LPOS) 결함을 포함하는 분리 결함을 최소화하는 기판 상의 고체화 패턴 층으로부터의 나노임프린트 템플릿의 분리를 위한 방법 및 장치. 상기 방법은, 템플릿 및 기판에 인가되는 장력을 생성하기 위해서 템플릿 및 기판을 서로에 대해 이동시키는 단계; 상기 템플릿 및 상기 기판에 인가된 장력을 측정하는 단계; 상기 인가된 장력의 양을 감소시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하는 단계; 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 상기 결정된 양의 압력을 인가함으로써 상기 템플릿 또는 상기 기판에 인가된 장력을 감소시키는 단계; 및 그 후 상기 템플릿이 상기 고체화 패턴 층으로부터 완전히 분리될 때까지 상기 단계를 한 번 이상 반복하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 장치는 이러한 방법을 달성하도록 구성될 수 있다. 상기 방법 및 장치는 예를 들어 템플릿 복제 프로세스에 유리하게 인가될 수 있다.

Description

기판으로부터 나노임프린트 템플릿을 분리하는 방법{METHOD FOR SEPARATING A NANOIMPRINT TEMPLATE FROM A SUBSTRATE}
나노제조는 대략 100 나노미터 이하의 특징부를 갖는 매우 작은 구조물의 제조를 포함한다. 나노제조가 상당한 효과가 있는 일 용례는 집적 회로의 처리이다. 반도체 처리 산업은 기판에 형성된 단위 면적당 회로를 증가시키면서도 더 큰 생산 수율을 위해 지속적으로 노력해오고 있으며, 따라서 나노제조는 점점 더 중요해지고 있다. 나노제조는 형성된 구조물의 최소 특징부 치수의 지속적인 감소를 허용하면서 더 큰 프로세스 제어를 제공한다.
오늘날 사용되는 예시적인 나노제조 기술은 일반적으로 나노임프린트 리소그래피라 지칭한다. 나노임프린트 리소그래피는 예를 들어 CMOS 로직, 마이크로프로세서, NAND 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리, DRAM 메모리, 또는 MRAM, 3D 크로스-포인트 메모리, Re-RAM, Fe-RAM, STT-RAM 등의 다른 메모리 디바이스 같은 집적 디바이스의 층을 제작하는 것을 포함하는 다양한 용례에 유용하다. 예를 들어, i-선, DUV, ArF, ArF 침지 등과 같은 투영 광학계에 의존하는 다른 리소그래픽 프로세스와 달리, 나노임프린트 리소그래피는 임프린트 템플릿(또는 마스크)에 제공된 릴리프 이미지(relief image)에 성형가능 레지스트 재료를 충전하여 기판에 패턴을 적용한 후 예를 들어 UV 광을 UV 경화성 형태의 레지스트 재료에 인가함으로써 재료를 고체로 변환한다. 이 방법은 최종 패턴이 더 이상 광원의 파장 및 레지스트 재료에 투영된 에어리얼 이미지(aerial image)에 의존하지 않기 때문에 다른 리소그래픽 방법에 비해 우수한 해상도를 가능하게 하는 장점을 갖는다. 고체화 후에, 템플릿은 고체화된 패턴화된 레지스트 재료로부터 분리된다. 그러나, 템플릿 분리 자체는 일반적으로 분리 결함이라 지칭되는 패턴 결함의 원인일 수 있다. 이는 예를 들어 붕괴된 특징부 또는 기판으로부터 멀어지는 방향으로 찢기는 특징부의 형태를 취할 수 있다. 결과적으로, 나노임프린트 리소그래피 프로세스의 분리 결함의 원인을 최소화하는 시스템 및 방법에 대한 필요성이 지속된다.
본 명세서에 기재된 주제의 혁신적인 양태는, (a) 템플릿 및 기판에 인가되는 장력을 생성하기 위해 템플릿 및 기판을 서로에 대해 이동시키는 단계; (b) 템플릿 및 기판에 인가된 장력을 측정하는 단계; (c) 인가된 장력의 양을 감소시키기 위해서 템플릿 및 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하는 단계; (d) 템플릿 및 기판의 후면측에 상기 결정된 양의 압력을 인가함으로써 템플릿 또는 기판에 인가되는 장력을 감소시키는 단계; 및 (e) 템플릿이 고체화 패턴 층으로부터 완전히 분리될 때까지 한번 이상 (a) 내지 (d)의 단계를 반복하는 단계의 작용을 포함하는, 고체화 패턴 층으로부터 나노임프린트 템플릿을 분리하는 방법으로 구현될 수 있다. 이들 양태의 다른 실시예는 상기 방법의 작용을 실행하도록 구성되는 대응하는 시스템 및 장치와, 이러한 방법의 사용을 통해 생산되는 제조 물품을 포함한다.
이들 및 다른 실시예는 이하의 특징 중 하나 이상을 각각 선택적으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 인가된 장력은 템플릿 또는 기판의 굽힘을 유발하고, 이러한 굽힘은 추가로 템플릿 또는 기판에 저장 에너지를 생성한다. 템플릿 또는 기판 후면측에 대한 인가 압력은 다시 저장 에너지를 상쇄한다. 템플릿 또는 기판 후면측에 대한 인가 압력은 결국 장력을 0 이하로 감소시킨다. 인가된 장력은 분리의 전체 동안 낮은데, 예를 들어 인가된 장력은 6 N을 초과하지 않는다. 후면측에 인가된 압력(back pressure)은 템플릿이 완전히 분리된 후에 제거된다. 템플릿은 마스터 템플릿이며 기판은 복제 템플릿 기판이다. 마스터 템플릿 및 복제 기판은 중심부가 제거된 후면측 영역을 갖거나, 동일한 두께 치수를 갖거나, 또는 동일한 재료로 형성된다.
본 명세서에 기재된 주제의 혁신적인 양태는 또한 템플릿을 보유지지하도록 구성된 템플릿 척 또는 보유지지부; 기판을 보유지지하도록 구성된 기판 척 또는 보유지지부; 상기 템플릿 및 상기 기판의 서로에 대한 위치를 조정하도록 구성된 액추에이터 시스템; 상기 기판에 형성된 고체화 패턴 층으로부터의 상기 템플릿의 분리 동안 상기 템플릿 및 상기 기판에 인가된 장력의 양을 검출하도록 구성된 힘 검출 시스템; 상기 템플릿, 상기 기판, 또는 양자 모두에 후면 압력을 인가하도록 구성된 압력 시스템; 및 상기 힘 검출 시스템 및 상기 압력 시스템과 통신하는 제어기를 포함하는 장치로 구현될 수 있다. 상기 제어기는 상기 템플릿 및 상기 기판에 인가된 검출된 장력의 양에 기초하여, 상기 인가된 장력의 양을 감소시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하며, 상기 후면 압력 시스템이 상기 템플릿에 인가된 장력을 감소시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판에 상기 결정된 후면 압력의 양을 인가하도록 상기 후면 압력 시스템에 신호를 제공하도록 구성된다. 이들 양태의 다른 실시예는 상기 장치에 의해 실행되는 대응하는 방법을 포함한다.
이들 및 다른 실시예는 이하의 특징 중 하나 이상을 각각 선택적으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어기는 상기 템플릿이 상기 고체화 패턴 층으로부터 완전히 분리될 때까지 상기 결정 및 제공 단계를 반복하도록 더 구성된다. 제어기는, 상기 인가된 장력에 의해 유발되는 상기 템플릿 또는 상기 기판의 굽힘에 의해 생성되는 상기 템플릿 및 상기 기판의 저장 에너지를 상쇄시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하도록 더 구성된다. 제어기는 상기 인가된 장력을 0 이하로 감소시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하도록 더 구성된다. 템플릿은 마스터 템플릿이며 기판은 복제 템플릿 기판이다. 마스터 템플릿 및 복제 기판은 중심부가 제거된 후면측 영역을 갖거나, 동일한 두께 치수를 갖거나, 또는 동일한 재료로 형성된다.
본 명세서에 기재된 주제의 특정 구현은 이하의 장점: 즉, 방지되지 않는 경우에는 템플릿 복제 프로세스 같은 나노임프린트 프로세스에서의 최종 분리 점(LPOS) 결함을 포함하는 분리 결함을 최소화하는 것 중 하나 이상을 실현하도록 구현될 수 있다.
본 명세서에 기재된 주제의 하나 이상의 실시예에 대한 상세사항을 첨부된 도면 및 이하의 설명에서 기재한다. 주제의 다른 잠재적인 특징, 양태 및 장점은 상세한 설명, 도면 및 청구항으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 특징 및 장점이 상세하게 이해될 수 있도록, 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고하여 본 발명의 실시예에 대한 더 구체적인 설명을 한다. 그러나, 첨부된 도면은 단지 전형적인 실시예를 도시하는 것이며, 따라서 그 범위를 제한하는 것으로 고려되지 않으며, 본 발명에 대해 다른 동등한 효과가 있는 실시예가 허용될 수 있다.
도 1은 기판으로부터 이격된 몰드와 템플릿을 갖는 나노임프린트 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 도시한다.
도 2는 그 위에 고체화된 패턴 층을 갖는 도 1에 도시된 기판의 단순화된 도면을 도시한다.
도 3a 내지 도 3e는 기판 그 위에 형성된 패턴 층으로부터 템플릿이 분리될 때의 분리 전면의 단순화된 도면을 도시한다.
도 4a는 도 3a 내지 도 3e에 도시된 분리 동안의 시간 함수로서의 템플릿과 기판에 인가된 장력의 도표를 도시한다. 도 4b는 도 3a 내지 도 3e에 나타낸 분리 동안의 분리 가속의 도표를 도시한다.
도 5a 내지 도 5d는 분리 결함의 단순화된 도면을 도시한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 템플릿-기판 분리 장치의 단순화된 도면을 도시한다.
도 7a 내지 도 7b는 도 6의 장치의 동작의 단순화된 도면을 도시한다.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 실시예에 따른 기판으로부터 템플릿이 분리됨에 따른 분리 전면의 단순화된 도면을 도시한다.
도 9a는 도 8a 내지 도 8f에 도시된 분리 동안의 시간 함수로서의 템플릿 및 기판에 인가된 장력의 도표를 도시한다. 도 9b는 도 8a 내지 도 8f에 나타낸 분리 동안의 분리 가속의 도표를 도시한다.
나노임프린트 리소그래피 프로세스의 분리 결함의 원인을 최소화하는 장치, 시스템 및 방법이 여기서 더 상세화된다. 이러한 장치, 시스템 및 방법은 특히 제거되지 않는 경우에는 적어도 이른바 최종 분리 점(또는 "LPOS") 결함의 감소를 달성할 수 있다.
특히 도 1을 참조하면, 기판(12)에 릴리프 패턴(relief pattern)을 형성하기 위해 사용되는 예시적인 나노임프린트 리소그래피 시스템(10)이 도시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수 있다. 도시된 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은 이것으로 제한되는 것은 아니지만 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기식, 전자석식, 및/또는 기타 등등을 포함하는 임의의 척일 수 있다. 예시적인 척이 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 번호 6,873,087에 기재되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 추가로 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y 및 z 축을 따른 병진 및/또는 회전 운동을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12), 및 기판 척(14)은 또한 기부(도시되지 않음)에 위치될 수 있다.
기판(12)으로부터 템플릿(18)이 이격되어 있다. 템플릿(18)은 제1 측부 및 제2 측부를 갖는 몸체를 포함할 수 있으며, 일 측부는 그로부터 기판(12)을 향해 연장되는 메사(mesa)(20)를 갖는다. 메사(20)는 그 위에 패턴화 표면(22)을 가질 수 있다. 또한, 메사(20)는 몰드(20)라 지칭될 수 있다. 대안적으로, 템플릿(18)은 메사(20)가 없는 상태로 형성될 수 있다.
템플릿(18) 및/또는 몰드(20)는 이것으로 제한되는 것은 아니지만 용융-실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속, 경화 사파이어 및/또는 기타 등등을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이, 패턴화 표면(22)은 복수의 이격된 홈(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 형성된 특징부를 포함하지만, 본 발명의 실시예는 이러한 구성으로 한정되지 않는다(예를 들어, 평면). 패턴화 표면(22)은 기판(12)에 형성되는 패턴의 기초를 형성하는 임의의 원판 패턴을 형성할 수 있다.
템플릿(18)은 척(28)에 결합될 수 있다. 척(28)은 이것으로 한정되는 것은 아니지만 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기식, 전자석식, 및/또는 다른 유사한 척 타입으로서 구성될 수 있다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합될 수 있고 결국 브리지(36)에 이동가능하게 결합될 수 있으며, 따라서 척(28), 임프린트 헤드(30) 및 템플릿(18)은 적어도 z축 방향으로 이동가능하다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(10)은 유체 분배 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 유체 분배 시스템(32)은 기판(12)에 성형가능한 재료(34)(예를 들어, 중합성 재료)를 퇴적시키기 위해 사용될 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 액적 분배, 스핀-코팅, 딥 코팅, 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 박막 퇴적, 후막 퇴적 및/또는 기타 등등과 같은 기술을 사용하여 기판(12)에 위치될 수 있다. 성형가능한 재료(34)는 설계 고려사항에 따라 몰드(22)와 기판(12) 사이에 원하는 용적이 형성되기 전 및/또는 후에 기판(12)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 성형가능한 재료(34)는 양자 모두 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 번호 7,157,036 및 미국 특허 번호 8,076,386에 기재된 바와 같은 단량체 혼합물을 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 나노임프린트 리소그래피 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 보내는 에너지원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 템플릿(18) 및 기판(12)을 경로(42)와 중첩되는 상태로 위치키도록 구성될 수 있다. 카메라(58)는 마찬가지로 경로(42)와 중첩하는 상태로 위치될 수 있다. 나노임프린트 리소그래피 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 공급원(38), 및/또는 카메라(58)와 통신하며 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 동작할 수 있는 프로세서(54)에 의해 조절될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16) 중 어느 하나, 또는 양자 모두는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변화시켜 그들 사이에 성형가능한 재료(34)로 충전되는 용적을 형성한다. 예를 들어, 임프린트 헤드(30)는 몰드(20)가 성형가능한 재료(34)와 접촉하도록 템플릿(18)에 힘을 가할 수 있다. 원하는 용적이 성형가능한 재료(34)로 충전된 후에, 공급원(38)은 에너지(40), 예를 들어 자외 방사선을 발생시켜 성형가능한 재료(34)가 고체화되고 그리고/또는 교차결합되어 기판(12)의 표면(44) 및 패턴화 표면(22)의 형상에 정합되게 하여 기판(12)에 패턴 층(46)을 형성시킨다. 패턴 층(46)은 잔류 층(48) 및 돌출부(50) 및 오목부(52)로서 도시된 복수의 특징부를 포함할 수 있으며, 돌출부(50)는 두께(t1)를 갖고 잔류 층은 두께(t2)를 갖는다.
상술한 시스템 및 프로세스는 모두 그 전체가 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 번호 6,932,934, 미국 특허 번호 7,077,992, 미국 특허 번호 7,179,396, 및 미국 특허 번호 7,396,475에서 언급되는 임프린트 리소그래피 프로세스 및 시스템에서 추가로 채용될 수 있다.
설명된 바와 같이, 임프린트 리소그래피는 마스크 또는 템플릿과 웨이퍼 상의 성형가능한 레지스트 재료의 직접적인 접촉을 필요로 한다. 이러한 접촉으로 인해, 마스크의 사용수명이 제한될 것이라는 것을 기술자는 일반적으로 인식할 것이다. 결과적으로, 제한된 템플릿 수명을 고려하여 전략이 구성되었다. 우선, 마스터 마스크가 제작된다. 이는 전형적으로 용융 실리카 같은 템플릿 기판에 적층된 전자 빔 레지스트에 패턴을 형성하기 위해 전자 빔(e-빔) 기입 툴을 사용하여 행해진다. 패턴은 후속하여 현상되고 결과적인 패턴은 그 후 에칭되며 마스터 템플릿을 형성하도록 템플릿 기판에 전사된다. 클리닝 및 검사 단계 및 임의의 원치않는 결함을 제거하기 위한 임의의 수리 후에, 결함이 없거나 결함이 거의 없는 마스터 템플릿이 생성된다.
그러나, 마스터 템플릿은 전형적으로 장치 웨이퍼에 패턴을 형성하는데 사용되지 않는다. 대신에, 이후에 전술한 바와 같은 장치 웨이퍼에 패턴을 형성하기 위해 사용되는 다수의 복제 템플릿을 생성하기 위해 복제 프로세스가 채용된다.
복제 프로세스는 또한 전형적으로 나노임프린트 리소그래피의 사용을 수반한다. 이 프로세스에서, 마스터 템플릿은 복제 템플릿 기판(또는 "블랭크")의 표면에 퇴적된 성형가능한 레지스트 재료에 패턴을 전사하기 위해 사용된다. 레지스트 재료는 마스터 템플릿의 패턴에 대해 반대 패턴을 갖는 고체층을 형성하도록 고체화된다. 기판 및 고체화된 층은 그 후 전술한 바와 같이 고체화된 층의 패턴에 대응하는 릴리프 이미지를 기판에 전사하기 위해 에칭 프로세스 같은 추가적인 프로세스를 받으며, 이에 따라 마스터 템플릿의 패턴의 반대 패턴을 갖는 복제 템플릿을 형성한다. 이러한 복제 템플릿은 이후 생산 목적을 위해 사용될 수 있다.
복제 프로세스에서는 결함 발생이 절대 최소로 유지되는 것이 중요하기 때문에, 최종 복제 템플릿 또한 결함이 없거나 결함의 거의 없다. 복제 프로세스 동안의 결함은 다수의 원인으로부터 발생할 수 있다. 한가지 이러한 결함 원인은 성형가능한 재료가 고체화된 후에 복제 템플릿 기판으로부터의 마스터 템플릿의 분리 동안 발생한다. 이러한 결함을 일반적으로 분리 결함이라 지칭하며 붕괴된 특징부 또는 마스터 또는 복제 템플릿의 표면으로부터 멀어지는 방향으로 찢기는 특징부의 형태를 취할 수 있다. 결과적으로, 분리 결함의 원인을 최소화하는 시스템 및 프로세스를 개발하는 것이 유리하다.
분리 결함을 감소시키는 한가지 일반적인 접근법은 템플릿의 측방 변형을 분리가 진행됨에 따라 기판의 측방 변형에 일치시키는 것이다. 이렇게 하는 방법은 예를 들어 본원에 그 전체가 참조로 통합되는 미국 특허 번호 8,968,620에 기재되어 있다. 이러한 방법은 템플릿이 템플릿의 주변으로부터 안쪽으로 분리됨에 따라 분리 결함을 낮추는데 효과적이지만, 이러한 방법은 최종 분리 점(LPOS) 동안 발생하는 열악하게 제어된 분리 조건으로 인해 발생할 수 있는 분리 결함을 경감하는데 항상 완전히 충분하지는 않다. 이는 템플릿의 분리는 일반적으로 분리가 진행됨에 따라 템플릿과 기판 사이에 분리 각도를 발생시키고 그것을 유지하는 것을 필요로 하기 때문이다. 이는 전형적으로 이러한 분리 각도를 성립하고 유지시키기 위해서 템플릿 또는 기판(또는 양자 모두)에서 굽힘을 생성하는데 충분한 템플릿 또는 기판(또는 양자 모두)에 대한 장력의 인가에 의해 달성된다. 그러나, 이러한 굽힘은 템플릿 및 기판에 탄성식으로 저장된 또는 잠재적인 에너지를 부여한다. 분리가 계속됨에 따라, 추가적인 장력이 부여되어 템플릿 및 기판 굽힘을 증가시킨다. 결과적으로, 기판 및 템플릿 내의 저장 에너지는 템플릿 및 기판을 함께 유지시키는 표면 부착 및 마찰 력이 인가된 장력에 의해 극복되는 점까지 계속 성장한다. 이 점에서, 템플릿 및 기판의 저장 에너지는 방출되어 템플릿 및 기판을 그들의 굽혀지지 않은 상태로의 복귀를 강제하는 운동 에너지로 변환되며, 결과적으로 LPOS 분리 결함에 대해 특히 취약한 가속된 및 제어되지 않은 분리 프로세스를 초래한다.
이런 조건하의 이러한 제어되지 않은 분리에 대한 순서에 대해서 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 더 예시한다. 더 구체적으로는, 도 3a 내지 도 3e는 방금 설명된 바와 같은 기판으로부터의 템플릿의 제어되지 않은 분리 동안 취해진 이미지의 단순화된 예시(301 내지 305)를 각각 나타낸다. 접촉 영역(312)은 템플릿 및 기판이 여전히 접촉하고 있는 영역을 나타낸다. 분리 영역(314)은 분리가 이미 발생한 템플릿의 영역을 나타낸다. 접촉선(316)은 접촉 영역(312)과 분리된 영역(314) 사이의 경계선을 나타낸다. 이와 같이, 접촉선(316)은 분리가 템플릿의 주변으로부터 그 중심까지 진행됨에 따라 분리 전면을 표시하는 것으로도 고려될 수 있다. 도 3a는 분리의 개시 후 13초에서 취해진 이미지(301)를 도시한다. 도 3b, 도 3c 및 도 3d는 대략 13초 간격으로 취해진 후속 이미지(302, 303, 및 304)를 도시한다. 인식될 수 있는 바와 같이, 분리 전면이 불균일하게 이동하는 경우에도, 즉 분리가 반경방향 균일성이 결여된 경우에도, 이미지(301 내지 304)로부터 발생하는 분리는 어느 정도 제어된다. 그러나 최종 이미지(305)(도 3e)는 이미지(304)(도 3d) 후 단지 1초 후에 포착된 것이다. 앞선 이미지(304)에서, 접촉 영역(312)은 초기 접촉 영역의 거의 50%이며, 이미지(305)에서 접촉 영역은 0으로 감소된다. 따라서, 단지 1초 만에, 결과적인 잠재적인 에너지의 축적량이 운동 에너지로 급격하게 변환되고, 템플릿의 갑작스러운 제어되지 않은 분리가 발생한다(도 3d 내지 도 3e).
이런 갑작스러운 제어되지 않은 분리 프로세스의 격렬함이 도 4a 및 도 4b에 더 도시되어 있다. 도 4a의 도표(400)는 전체 분리 프로세스에 대한 시간의 함수로서의 부착 및 마찰 력을 극복하기 위해 부여되는 인가된 장력의 예를 표시한다. 분리에 대한 전형적인 시간 스케일은 1초 내지 10분의 범위일 수 있으며, 30초 내지 120초가 더 전형적인 프로세스이다. 도표(400)에서, 장력(N)은 저장 에너지 축적량이 운동 에너지로 변환되는 마지막 순간까지 대략 30 N의 최대력으로 시간에 걸쳐 계속해서 형성된다. 여기서, 힘은 0으로 급격하게 저하되며, 매우 갑작스럽고 제어되지 않은 최종 분리가 템플릿과 기판 사이에서 발생한다. 이런 갑작스러운 분리 효과는 도 4b의 도표(402)에 관하여 마찬가지로 시각화된다. 도표(402)는 시스템(100) 같은 시스템을 사용하여 분리가 실행될 때 템플릿과 기판 사이의 접촉 반경(mm)의 함수로서의 임프린트 헤드(30)의 이동(㎛)의 상방 증가를 표시한다. 이러한 시스템에서, 분리를 위한 인가 장력은 임프린트 헤드(30)의 상방 이동에 의해 인가될 수 있다. 임프린트 헤드(30)가 초기에 상방으로 이동함에 따라, 접촉 반경은 점진적으로 그리고 상당히 선형적으로 감소한다. 그러나, 순서의 끝(404)에서, 임프린트 헤드의 비교적 작은 상방 운동은 앞서 설명된 현상을 유발하고, 저장된 잠재적인 에너지의 운동 에너지로의 결과적인 변환은 접촉 반경으로서의 급격한 그리고 제어되지 않은 최종 분리가 최종 분리 점(LPOS)에서 0으로 급격하게 가속되게 한다.
앞서 관찰된 바와 같이, 최종 분리 점(LPOS)에서의 이런 급격한 가속은 분리 결함을 유발할 수 있다. 결함 메커니즘은 도 5a 내지 도 5d를 참조하여 추가로 이해될 수 있다. 도 5a는 기판(12)에 형성된 패턴 층(46)과 접촉하는 템플릿(18)의 일 부분을 도시한다. 패턴 층(46)은 템플릿(18)의 대응하는 오목부(24) 내에 형성된 특징부(50)(높이(hO) 및 폭(wO)을 가짐)를 포함한다. 분리력(F)이 인가됨에 따라, 도 5b에 도시된 바와 같이, 특징부(50)의 기부(560)에서 템플릿(18)의 분리가 시작된다. 앞서 설명된 급격한 가속화된 조건하에서, 이는 특징부(50)의 기부(560)가 기부(560) 부근의 템플릿 오목부(24)의 측부로부터 멀어지는 방향으로 축소됨에 따라서도 특징부(50)의 연신을 유발한다. 이러한 연신의 결과가 도 5c에 나타나 있으며, 여기서 특징부(50)는 원래의 특징부 치수보다 더 얇고 길다(즉, wE<wO 및 hE> hO). 이런 효과 단독은 LPOS 영역에 걸친 특징부 임계 치수(CD)를 변경시킬 수 있고, 이러한 CD 변화 단독은 후속 처리시에 장치 결함을 발생시킬 수 있다. 더 나쁜 상태로는, 이러한 연신은 더 조밀한 특징부가 다른 것 위로 완전히 붕괴되게 할 수 있어, 최종 패턴을 사용불능 상태로 만든다. 극한의 경우, 도 5d에 나타낸 바와 같이, 패턴 특징부(50)가 패턴 층(46)으로부터 멀어지는 방향으로 완전히 잘릴 때까지 연신이 진행되고, 결과적으로 패턴에서의 특징부 부족 및 템플릿(18)에서의 결과적인 막힘 결함(즉, 오목부(24)가 잘린 특징부(50)에 의해 막힌 상태로 유지되는 것)을 초래한다. 최종 결과는 LPOS에서 다양한 원치않는 결함이 발생하는 것이다. 템플릿 복제 프로세스의 경우에, 다수의 결함 또는 하나의 매우 큰 결함이 복제 템플릿에 남아 있는 경우 이는 결과적인 복제 템플릿이 장치 제작에 적절하지 않은 상태가 되게 한다.
이제 도 6으로 돌아가면, 분리 동안 템플릿 또는 기판에 부여된 저장 에너지를 제거하거나 적어도 최소화할 수 있으며 이에 따라 제거되지 않는 경우에는 LPOS 결함을 감소시킬 수 있는 예시적인 장치(600)가 나타나 있다. 시스템(600)은 특히 템플릿 복제를 위해 설계되며 마스터 템플릿(620)을 유지하도록 구성되는 마스터 척(610)을 포함한다. 척(610)은 압력 시스템(650)과 유체 소통하는 가스 포트(612 및 614)를 통합하며 추가로 척 표면(619)으로부터 연장되는 밀봉 착좌부(sealing land)(616 및 618)를 포함한다. 마스터 템플릿(620)은 압력 시스템(650)에 의해 포트(612)를 통해 진공 압력을 마스터 템플릿(620)의 주변 후면측(629)에 인가함으로써 척(610)의 밀봉 착좌부(616 및 618)에 대해 능동적으로 보유지지된다. 더 구체적으로는, 착좌부(616 및 618)에 대한 마스터 템플릿(620)의 위치설정은, 포트(612)와 유체 소통하며 따라서 척(610)에 대해 템플릿(620)을 척킹하기 위해 압력 시스템(650)에 의해 진공이 인가될 수 있는, 척 표면(619), 착좌부(616 및 618), 및 템플릿 주변 후면측(629)에 의해 형성되는 챔버(652)를 생성한다. 템플릿(620)이 이렇게 유지되는 경우, 마스터 템플릿(620)의 내부 후면측(622)은 마찬가지로 압력 시스템(650)에 의해 포트(614)를 통해 정압 또는 진공 압력하에 배치될 수 있다. 즉, 마스터 템플릿(620)이 이렇게 유지되는 상태에서, 척 표면(619), 밀봉 착좌부(618), 및 템플릿(620)의 안쪽 후면측(622)에 의해 형성되는 챔버(654)가 형성된다. 챔버(654)는 포트(614)를 통해 압력 시스템(650)과 유체 소통한다. 복제 척(630)은 유사하게 복제 기판(640)을 유지하도록 구성되며 마찬가지로 분리 압력 시스템(660)과 유체 소통하는 가스 포트(632 및 634)를 통합한다. 복제 척(630)은 마찬가지로 그 표면(639)으로부터 연장되는 밀봉 착좌부(636 및 638)를 더 포함하고, 복제 기판(640)이 착좌부(636 및 638)에 대해 위치되는 상태에서 척 표면(639), 착좌부(636 및 638), 및 기판 주변 후면측(649)에 의해 형성되는 챔버(662)가 형성된다. 챔버(662)는 포트(632)와 유체 소통하며, 따라서 이 포트를 통해서 진공이 복제 기판(640)을 척(630)에 대해 척킹하도록 압력 시스템(660)에 의해 인가될 수 있다. 복제 기판(640)이 이렇게 유지되는 상태에서, 마스터 템플릿(640)의 내부 후면측(662)은 역시 압력 시스템(660)에 의해 포트(634)를 통해 정압 또는 진공 압력하에 배치될 수 있다. 즉, 복제 기판(640)이 이렇게 유지되는 상태에서, 척 표면(639), 밀봉 착좌부(638), 및 기판(640)의 안쪽 후면측(642)에 의해 형성되는 챔버(664)가 형성되며, 챔버(664)는 압력 시스템(660)과 유체 소통한다. 압력 시스템(650 및 660)은 각각 템플릿(620) 및 기판(640)의 후면측(622 및 624)에 인가되는 압력의 양을 감시하기 위해서 각각 챔버(654 및 664)에 또는 그 부근에 위치되는 압력 센서(도시되지 않음)를 더 포함한다.
일부 실시예에서, 마스터 템플릿(620) 및 복제 기판(640) 양자 모두는 종래의 6in×6in×0.25in 블랭크 용융 실리카 플레이트로서 시작된다. 템플릿(620)의 패턴화된 영역(624)은 반도체 산업 표준인 26mm × 33mm일 수 있다. 복제 패턴이 발생되는 복제 기판(640)의 메사(644)는 마찬가지로 26mm × 33m일 수 있다. 추가적인 예에서, 템플릿(620) 및 기판(640)은 템플릿 및 기판 또는 양자 모두의 내부 두께가 1.1mm의 두께로 설정되도록 중심부가 제거된 중심 64mm 후면측 영역을 가질 수 있다.
장치(600)는 분리 프로세스 동안 인가되는 분리력을 검출 및 측정하기 위한 힘 검출 시스템(670)을 더 포함한다. 일부 예에서, 척(610)은 시스템(100)의 임프린트 헤드(30) 같은 임프린트 헤드에 연결될 수 있고, 따라서 척(630) 및 유지된 기판(640)에 대한 척(610) 및 유지된 템플릿(620)의 이동을 유발한다. 이러한 상대적인 이동은 결국 분리를 위해 템플릿 및 기판에 장력을 부여한다. 이러한 예에서, 임프린트 헤드 이동은 인가된 장력이 음성 코일 전류를 감시함으로써 분리 동안 임의의 점에서 측정될 수 있도록(즉, 인가된 힘은 음성 코일 전류에 비례한다) 음성 코일 액추에이터에 의해 제어될 수 있다. 실시간 감시를 허용하는 다른 알려진 힘 검출기 및 힘 검출기 시스템이 마찬가지로 구현될 수 있다. 제어기(680)는 압력 시스템(650 및 660) 및 힘 검출 시스템(670)과 통신한다. 일반적으로, 제어기(680)는 힘 검출 시스템(670)으로부터 입력을 수신하고, 이하에서 더 상세화되는 바와 같이 템플릿(620) 또는 기판(640)의 내부 후면측에 적절한 양의 정압 또는 진공 압력을 가하기 위해서 압력 시스템(650 및/또는 660)에 적절한 신호를 제공한다.
도 7a 내지 도 7b는 분리 프로세스에서의 장치(600)의 사용을 도시한다. 장력(F)이 복제 기판(640)으로부터의 템플릿(620)의 분리를 개시하기 위해서 척(610 또는 630)(또는 양자 모두)에 인가된다(도 7a). 예를 들어, 장치(600)가 시스템(100) 같은 시스템에 통합되는 경우, 장력(F)이 임프린트 헤드(30)의 상방 운동을 통해 유발될 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 이러한 장력의 인가는 템플릿(620) 및 기판(640)에 있어서의 저장 에너지(E)의 축적을 초래하며, 이는 분리가 진행됨에 따라 운동 에너지로 변환될 때 LPOS 결함을 초래할 수 있다. 이런 작용에 의해 유발되는 저장 에너지를 완화시키기 위해서, 장력이 힘 검출 시스템(670)에 의해 간격을 두고 검출 및 측정되며, 이러한 인가력의 양은 힘 검출 시스템(670)에 의해 이러한 간격으로 제어기(680)에 전달된다. 이런 입력에 기초하여, 제어기(680)는, 템플릿(620) 및 기판(640)의 축적된 저장 에너지를 상쇄하기 위해서 각각 템플릿(620) 및 기판(640)의 후면측(622 및 642)에 인가될 적절한 양의 후면 압력을 결정하며, 그 후 압력 시스템(650 및 660)에 이러한 압력을 가하도록 신호전송한다. 이러한 결정된 후면 압력의 인가 시, 템플릿(620) 및 기판(640)은 후면측에 인가된 압력이 저장된 축적 에너지를 상쇄함에 따라 안정화되어, 템플릿 또는 기판 굽힘이 이제 정적 상태가 된다(도 7b). 동시에, 템플릿(620) 및 기판(640)의 이러한 축적된 저장 에너지의 상쇄는 분리 프로세스를 계속하기 위해서 필요한 장력의 양을 감소시킨다. 즉, 템플릿(620) 및 기판(640)이 후면측에 인가된 압력에 의해 안정화되는 상태에서는, 추가적인 분리는 더 작은 인가 장력에서 진행될 수 있다. 따라서, 분리 프로세스는 반복적으로 그리고 더 낮은 전체적 인가 장력 수준에서 계속된다. 즉, 장력이 다시 인가되고, 힘이 다시 측정되며, 템플릿 및 기판이 템플릿에서의 플레이트 굽힘 에너지를 보상하도록 다시 균형잡힐 때까지 적절한 후면 압력이 다시 템플릿 및 기판에 인가된다. 상기 프로세스는 템플릿과 기판 사이의 완전한 분리가 달성될 때까지 반복된다. 그 결과는, 전체 분리 프로세스에서의 임의의 지점 동안의 분리의 속도가 전체 프로세스에 걸쳐 낮은 장력, 즉 10 N 미만 또는 6 N 미만 또는 3 N 미만에서 잘 제어되고 실행된다는 것이다. 일부 예에서, 낮은 장력은 적어도 6 N 미만이다. 이와 같이, 최종 분리 속도는 필요에 따라 유지되거나, 낮아지거나, 정지되거나, 가속되며, LPOS 결함은 완전히 제거되지 않는 경우 적어도 최소화된다. 일단 최종 분리가 달성되면, 템플릿(620) 및 기판(640)의 후면측(622 및 642)에 대해 인가되는 후면 압력은 제거되며, 기판(640)은 패턴 특징부를 메사(644)에 전사하도록 추가적인 처리를 겪을 수 있으며, 따라서 기판은 복제 템플릿으로서 사용될 수 있다.
이 분리 제어를 도 8a 내지 도 8f를 참조하여 더 설명한다. 도 8a 내지 도 8f는 상기 방식을 사용하여 기판(640)으로부터의 템플릿(620)의 분리 동안 취해진 이미지의 단순화된 예시이다. 도 3a 내지 도 3e와 마찬가지로, 접촉 영역(812)은 템플릿 및 기판이 여전히 접촉하고 있는 영역을 나타내며, 분리된 영역(814)은 분리가 이미 발생된 템플릿의 영역을 나타낸다. 접촉선(816)은 접촉 영역(812)과 분리된 영역(814) 사이의 경계선을 나타낸다. 도 8a 내지 도 8f는 대략 13초 간격으로 취해진 연속하는 분리 이미지(801, 802, 803 및 804)를 나타낸다. 접촉 영역(812)이 감소하여도, LPOS 결함을 유발하는 분리의 갑작스러운 가속은 없다. 오히려, 분리는 제어된 분리 반경으로 원활하게 계속된다. 최종 분리(도 8f)의 1초 이내에 포착된 도시된 최종 접촉 이미지(도 8e)에 대해서도, 대략 단지 3 mm2의 접촉 면적에 대해서도 템플릿 및 기판은 양호한 접촉을 유지한다.
이 분리 제어가 작용되는 방식의 두 개의 예가 도 9a 및 도 9b에 더 도시되어 있다. 도 9a는 전체 분리 프로세스 동안의 시간 함수로서의 인가된 장력을 표시한다. 도 5a 내지 도 5b에서와 같이, 분리를 위한 인가된 장력이 임프린트 헤드(30)의 상방 이동에 의해 부여되는 시스템(100) 같은 시스템을 사용하여 분리가 실행된다. 역시, 분리에 대한 전형적인 시간 스케일은 1초 내지 10분의 범위일 수 있으며, 30초 내지 120초가 더 전형적인 프로세스이다. 도 9b는 접촉 반경의 함수로서의 임프린트 헤드의 이동의 상방 증가를 표시한다. 도 9a의 실선 곡선(902)은 두 개의 템플릿이 먼저 분리를 시작함에 따라 일부 잔류력이 존재하는 조건을 도시한다. 앞서 설명된 바와 같이, 후면 압력은 분리 프로세스 동안 반복적으로 조정되고, 따라서 접촉 반경의 함수로서의 임프린트 헤드의 상방 이동의 경사는 도 9b의 실선 곡선(906)에 의해 나타낸 바와 같이 분리 프로세스의 종료를 향해 일정해진다. 제2 예에서, 도 9a의 점선 곡선(904)에 의해 나타낸 바와 같이, 압력이 장력을 과잉보상하도록 인가되고, 분리 프로세스가 계속됨에 따라 후면 압력이 다시 반복적으로 조정되므로 접촉 반경의 함수로서의 임프린트 헤드의 상방 이동의 기울기는 도 9b의 점선 곡선(908)에 의해 나타낸 바와 같이 분리가 종료될 때까지(즉, 위치 910) 전체 분리 프로세스를 통해 본질적으로 일정하게 유지된다.
상술한 바와 같이, 일부 예에서, 마스터 템플릿 및 복제 기판의 재료, 두께 및 중심부 제거 직경은 동일할 수 있다. 그러나, 이는 필요 조건이 아닌데, 굽힘 또는 편향은 후면측에 인가된 압력, 및 중심부 제거 편향 영역의 반경 및 두께의 함수이기 때문이다. 예를 들어, 템플릿 또는 복제물의 중심부 제거 영역 중 하나가 65 mm의 직경으로부터 60 mm의 직경까지 감소된 경우, 후면측에 인가된 압력이 양자 모두에 대해 동일하게 유지되는 것을 상정하면 템플릿 또는 복제물 두께는 동일한 굽힘 또는 편향에 대해 0.97 mm로 감소될 필요가 있다. 마스터 템플릿 및 복제 기판에 인가된 두 개의 후면 압력도 동일해야 하는 것은 아니다. 일례로서, 중심부 제거 영역이 양자 모두 64 mm의 직경으로 설정되고, 두께가 마스터 템플릿에 대해 1.1 mm로 설정되고 복제 기판에 대해 1.0 mm로 설정되는 경우, 복제 기판에 인가된 압력보다 약 21 퍼센트 더 큰 마스터 템플릿에 인가된 압력이 동일한 굽힘 또는 편향을 달성할 것이다. 또한, 압력에 있어서의 이러한 차이는 시스템의 저장 에너지를 최소화하기 위해 허용가능하지만, 후면 압력이 템플릿 또는 복제물을 제자리에 척킹하기 위해 사용되는 진공력에 영향을 주기 시작하는 지점까지 결코 후면 압력을 증가시킬 수 없다는 것을 유의하는 것이 중요하다. 일반적으로, 진공 압력은 대략 80 kPa이다. 따라서, 2의 안전 계수를 적용하면 템플릿 중 임의의 것에 대한 인가 압력은 약 40 kPa로 제한될 것이다.
또한, 상기 예는 1.1 mm의 중심부 영역 두께를 기재하지만, 실제 두께는 0.100 mm 내지 2.0 mm일 수 있다. 부가적으로, 마스터 템플릿 및 복제 기판에 상이한 재료가 사용될 수도 있다. 일례로서, 마스터 템플릿은 용융 실리카로부터 제작될 수 있고, 복제 기판은 실리콘으로부터 제작될 수 있다. 또한 압력을 동일하도록 설정하고 중심부 제거 영역이 32 mm의 동일한 두께를 갖도록 설정하면, 용융 실리카 템플릿이 1.1 mm의 두께를 갖는 경우, 실리콘 템플릿을 위한 요구되는 계산된 두께는 대략 0.73 mm이다. 다른 가능한 템플릿 재료는 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속 경화 사파이어, 및/또는 기타 등등을 포함한다.
또한, 상기 논의는 복제 기판으로부터의 마스터 템플릿의 제어된 분리에 우선적으로 중점을 두지만, 설명된 방법은 디바이스 제조를 위한 나노임프린트 프로세스 또는 다른 프로세스에서의 임의의 템플릿 및 기판의 분리에 적용될 수도 있다는 것을 유의해야 한다. 적절한 기판 재료는 용융 실리카, 실리콘, GaAs, GaN, InP, 사파이어, 및 본 기술분야에 알려진 다른 기판을 포함할 수 있다. 디바이스 기판에 형성될 패턴을 제공하는 템플릿은 용융 실리카 이외의 재료일 수 있다. 열 나노임프린트 리소그래피는 일례로서 나노임프린트 레지스트를 경화시키기 위해서 열 프로세스를 사용한다. 열 나노임프린트 리소그래피에서 사용되는 전형적인 템플릿 재료는 실리콘이다. 추가적인 가능한 템플릿 재료는 폴리머 및 플라스틱을 포함한다. 폴리머 및 플라스틱의 경우에 대해서, 영률은 실리콘 또는 용융 실리카 중 어느 것의 영률보다 훨씬 낮기 때문에, 두께는 1.1 mm보다 훨씬 더 클 수 있고, 최소 5 내지 6 mm에 도달할 수 있다. 기판 및 템플릿은 또한 플레이트 구성에서 6in × 6 in로 국한되지 않는다. 실리콘 기판은 일례로서 종종 둥글고, 50 mm 내지 450 mm의 범위의 직경을 가지며 일반적으로 웨이퍼라 지칭된다. 웨이퍼 형태를 취할 수 있는 다른 기판은 용융 실리카, 실리콘, GaAs, GaN, InP, 사파이어, 및 본 기술분야에 알려진 다른 기판을 포함한다. 이들 동일한 기판도 플레이트 형상일 수 있고, 상이한 x 및 y 치수 및 상이한 두께를 가질 수 있다.
본 설명의 관점에서 다양한 양태의 추가적인 변형 및 대안적인 실시예가 통상의 기술자에게 명확할 것이다. 따라서, 이 설명은 단지 예시로서 해석되어야 한다. 본원에 도시되고 설명된 형태는 실시예의 예로서 간주되는 것으로 이해해야 한다. 요소 및 재료는 본원에 도시되고 설명된 것에 대해 대체될 수 있고, 부품 및 프로세스는 반대로 될 수 있으며, 일부 특징은 독립적으로 이용될 수 있으며, 이들 모두는 본 설명의 도움을 받은 후에 통상의 기술자에게 명확할 것이다.

Claims (13)

  1. 기판에 형성된 고체화 패턴 층으로부터 나노임프린트 템플릿을 분리하는 방법이며, 상기 방법은,
    (a) 템플릿 및 기판에 인가되는 장력을 생성하기 위해 템플릿 및 기판을 서로에 대해 이동시키는 단계;
    (b) 템플릿 및 기판에 인가된 장력을 측정하는 단계;
    (c) 접촉 영역과 분리된 영역 사이의 경계의 접촉 반경의 함수로서의 상기 기판에 대한 상기 템플릿의 이동의 기울기가 제어되도록 인가된 장력의 양을 감소시키기 위해서 템플릿 및 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하는 단계;
    (d) 템플릿 및 기판의 후면측에 상기 결정된 양의 압력을 인가함으로써 템플릿 또는 기판에 인가되는 장력을 감소시키는 단계; 및
    (e) 템플릿이 고체화 패턴 층으로부터 완전히 분리될 때까지 한번 이상 (a) 내지 (d)의 단계를 반복하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 템플릿 또는 기판에 상기 장력을 인가하는 것은 상기 템플릿 또는 상기 기판의 굽힘을 유발하며, 이러한 굽힘은 상기 템플릿 또는 상기 기판에 저장 에너지를 생성하는, 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 템플릿 또는 상기 기판의 후면측에 압력을 인가하는 것은 상기 저장 에너지를 상쇄시키는, 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 상기 결정된 양의 압력을 인가함으로써 상기 템플릿 또는 상기 기판에 인가된 상기 장력을 감소시키는 단계는 상기 장력을 0 이하로 감소시키는, 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 인가된 장력의 양은 상기 분리의 전체 동안 6 N를 초과하지 않는, 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 템플릿이 상기 고체화 패턴 층으로부터 완전히 분리된 후에 상기 후면측에 인가된 압력을 제거하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  7. 장치이며,
    템플릿을 보유지지하도록 구성된 템플릿 척 또는 보유지지부;
    기판을 보유지지하도록 구성된 기판 척 또는 보유지지부;
    상기 템플릿 및 상기 기판의 서로에 대한 위치를 조정하도록 구성된 액추에이터 시스템;
    상기 기판에 형성된 고체화 패턴 층으로부터의 상기 템플릿의 분리 동안 상기 템플릿 및 상기 기판에 인가된 장력의 양을 검출하도록 구성된 힘 검출 시스템;
    상기 템플릿, 상기 기판, 또는 양자 모두에 후면 압력을 인가하도록 구성된 압력 시스템; 및
    상기 힘 검출 시스템 및 상기 압력 시스템과 통신하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는,
    상기 템플릿 및 상기 기판에 인가된 검출된 장력의 양에 기초하여, 접촉 영역과 분리된 영역 사이의 경계의 접촉 반경의 함수로서의 상기 기판에 대한 상기 템플릿의 이동의 기울기가 제어되도록 상기 인가된 장력의 양을 감소시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하며,
    상기 압력 시스템이 상기 템플릿에 인가된 장력을 감소시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판에 상기 결정된 후면 압력의 양을 인가하도록 상기 압력 시스템에 신호를 제공하도록 구성되는, 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제어기는 상기 템플릿이 상기 고체화 패턴 층으로부터 완전히 분리될 때까지 상기 압력의 양을 결정하는 것 및 상기 압력 시스템에 상기 신호를 제공하는 것을 반복하도록 추가로 구성되는, 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제어기는 상기 인가된 장력에 의해 유발되는 상기 템플릿 또는 상기 기판의 굽힘에 의해 생성되는 상기 템플릿 및 상기 기판의 저장 에너지를 상쇄시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하도록 추가로 구성되는, 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제어기는 상기 인가된 장력을 0 이하로 감소시키기 위해서 상기 템플릿 및 상기 기판의 후면측에 인가될 압력의 양을 결정하도록 추가로 구성되는, 장치.
  11. 물품 제조 방법이며, 상기 방법은,
    제1항의 방법에 따라 기판에 형성된 고체화 패턴 층으로부터 나노임프린트 템플릿을 분리하는 단계; 및
    상기 물품을 수득하기 위해서 상기 기판에 상기 고체화 패턴 층의 패턴을 전사하는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 물품은 복제 템플릿인, 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 복제 템플릿은 중심부가 제거된 후면측 영역을 갖는, 방법.
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