KR102379626B1 - 차광 재료를 구비한 나노임프린트 템플릿 및 제작 방법 - Google Patents

차광 재료를 구비한 나노임프린트 템플릿 및 제작 방법 Download PDF

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Abstract

나노임프린트 리소그래피 템플릿, 나노임프린트 리소그래피 템플릿의 제작 방법, 및 나노임프린트 리소그래피 템플릿을 사용하여 물품을 제조하는 방법. 템플릿은 제1 및 제2 대향면을 갖는 본체를 포함하며, 상기 제2 대향면은 그로부터 연장되는 메사를 갖고, 메사는 측벽 및 표면을 갖는다. 리세스 선반부가 메사 표면의 주변부 주위에 연장되고, 차광 재료는 차광 재료가 메사 표면에 의해 형성된 평면을 넘어 연장되지 않는 두께로 적어도 리세스 선반부 상에 위치된다.

Description

차광 재료를 구비한 나노임프린트 템플릿 및 제작 방법{NANOIMPRINT TEMPLATE WITH LIGHT BLOCKING MATERIAL AND METHOD OF FABRICATION}
본 개시내용은 나노임프린트 시스템에 있어서의 압출 결함을 제한하는 시스템 및 방법에 관한 것이다.
나노-제작은 100 나노미터 이하 정도의 피처(feature)를 갖는 매우 작은 구조체의 제작을 포함한다. 나노-제작이 상당한 영향을 미치는 한가지 용례는 집적 회로의 처리에 있다. 반도체 처리 산업은 기판 상에 형성된 단위 면적당의 회로를 증가시키면서 더 큰 생산 수율을 위해 계속해서 노력하고 있으며, 따라서 나노-제작은 점차 중요해지고 있다. 나노-제작은 형성된 구조체의 최소 피처 치수의 지속적인 감소를 허용하면서 더 큰 프로세스 제어를 제공한다.
오늘날 사용되는 예시적인 나노-제작 기술은 일반적으로 나노임프린트 리소그래피로서 지칭된다. 나노임프린트 리소그래피는, 예를 들어 CMOS 로직, 마이크로 프로세서, NAND 플래시 메모리, NOR 플래시 메모리, DRAM 메모리, 또는 MRAM, 3D 크로스-포인트 메모리, Re-RAM, Fe-RAM, STT-RAM 등과 같은 다른 메모리 디바이스 같은 집적 디바이스의 층의 제작을 포함하는 다양한 용례에서 유용하다. 예시적인 나노임프린트 리소그래피 프로세스가 모두 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 제8,349,241호, 미국 특허 제8,066,930호, 및 미국 특허 제6,936,194호 같은 다수의 공보에 상세하게 기재되어 있다.
상술한 미국 특허 각각에 개시된 나노임프린트 리소그래피 기술은, 성형가능(중합가능) 층에의 릴리프 패턴의 형성 및 릴리프 패턴에 대응하는 패턴의 하부 기판으로의 전사를 포함한다. 기판은 패터닝 프로세스를 용이하게 하기 위한 원하는 위치결정을 얻기 위해서 운동 스테이지에 결합될 수 있다. 패터닝 프로세스는 기판으로부터 이격된 템플릿 및 템플릿과 기판 사이에 도포된 성형가능 액체를 사용한다. 성형가능 액체는 성형가능 액체에 접촉하는 템플릿의 표면의 형상에 합치하는 패턴을 갖는 고체층을 형성하도록 응고된다. 응고 후에, 템플릿은 템플릿과 기판이 이격되도록 단단한 층으로부터 분리된다. 기판 및 응고층은 그 후 에칭 프로세스 같은 추가적인 프로세스를 받아서, 응고층의 패턴에 대응하는 릴리프 이미지를 기판에 전사한다. 패터닝된 기판은 추가로 예를 들어, 산화, 성막, 퇴적, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이싱, 본딩, 및 패키징 등을 포함하는 디바이스 제작을 위한 공지의 단계 및 프로세스를 받을 수 있다.
이러한 임프린트 리소그래피 기술이 특히 높은 처리량 조건하에서 실시될 때, 성형가능 액체가 의도된 패터닝 영역을 넘어 압출되는 경향이 있을 수 있다. 이러한 압출된 액체는, 경화되면, 후속 임프린트 리소그래피 프로세스에 소정의 결함을 일으킬 수 있다. 그러므로, 이러한 압출된 경화 재료의 형성을 최소화할 필요가 계속된다.
일 양태에서, 제1 및 제2 대향면을 갖는 본체를 포함하는 나노임프린트 리소그래피 템플릿이 제공되며, 제2 대향면은 그로부터 연장되는 메사를 갖고, 메사는 측벽 및 표면을 갖는다. 리세스 선반부가 메사 표면의 주변부 주위에 연장되고, 차광 재료가 메사 표면에 의해 형성된 평면을 넘어 연장되지 않도록 차광 재료가 적어도 리세스 선반부 상에 소정의 두께로 위치된다.
일 실시형태에서, 차광 재료는 크롬, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 또는 탄탈륨이다.
다른 실시형태에서, 리세스 선반부는 20 nm 내지 1 mm의 깊이를 갖는다.
특정 실시형태에서, 리세스 선반부는 20 nm 내지 20 mm의 거리만큼 메사로부터 연장된다.
추가적인 실시형태에서, 차광 재료는 메사 측벽의 적어도 일부에 위치된다.
다른 실시형태에서, 차광 재료는 템플릿 본체의 제2 면의 적어도 일부에 위치된다.
또 다른 실시형태에서, 리세스 선반부는 제1 리세스 선반부를 형성하고, 또한 템플릿은 제1 리세스 선반부를 둘러싸는 적어도 하나의 제2 리세스 선반부를 포함한다.
추가적인 실시형태에서, 차광 재료는 메사 표면을 넘어 연장되지 않는 두께로 제2 리세스 선반부에 위치된다.
다른 특정 실시형태에서, 템플릿은 차광 재료에 걸쳐 위치되는 보호 코팅층을 포함한다.
다른 양태에서, 나노임프린트 리소그래피 템플릿을 제작하는 방법이 제공된다. 상기 방법은, (i) 제1 및 제2 대향면을 갖는 본체를 갖는 나노임프린트 템플릿 기판을 제공하는 단계로서, 상기 제2 대향면은 그로부터 연장되는 메사를 갖고, 상기 메사는 측벽 및 표면을 가지며, 상기 표면은 주변부 영역에 의해 둘러싸이는 내부 영역을 갖는, 나노임프린트 템플릿 기판을 제공하는 단계; (ii) 상기 메사 표면의 상기 내부 영역에 마스크층을 형성하는 단계; (iii) 상기 마스크층을 에칭 마스크로서 사용하여 상기 메사 표면의 상기 주변부 영역 안으로 리세스 선반부를 에칭하는 단계; (iv) 상기 리세스 선반부의 깊이 이하의 두께로 적어도 상기 리세스 선반부에 차광 재료를 퇴적시키는 단계; 및 (v) 상기 차광 재료가 상기 메사 표면의 나머지 내부 영역의 상기 표면에 의해 형성되는 평면을 넘어 연장되지 않도록 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.
일 실시형태에서, 퇴적된 차광 재료는 크롬, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 또는 탄탈륨이다.
특정 실시형태에서, 차광 재료는 전자 빔 증발, 열 증발, 스퍼터링 또는 이온 빔 퇴적을 이용하여 퇴적된다.
다른 실시형태에서, 차광 재료는 메사 측벽의 적어도 일부에 위치된다.
또 다른 실시형태에서, 차광 재료는 템플릿 본체의 제2 면의 적어도 일부에 위치된다.
추가의 실시형태에서, 에칭 단계는 리세스 선반부가 제1 리세스 영역 및 제2 리세스 영역을 포함하도록 2회 이상의 에칭을 실행하는 단계를 더 포함한다.
다른 실시형태에서, 2회의 에칭 중 제1 에칭은 습식 에칭이며, 2회의 에칭 중 제2 에칭은 건식 에칭이다.
추가적인 실시형태에서, 마스크층은 상이한 재료의 2개 이상의 막을 포함한다.
또 다른 실시형태에서, 보호 코팅이 차광 재료에 걸쳐 적용된다.
다른 양태에서, 물품을 제조하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, (i) 기판 상에 성형가능 재료를 위치시키는 단계; (ii) 상기 성형가능 재료를 임프린트 템플릿에 접촉시키는 단계로서, 상기 임프린트 템플릿은, 제1 및 제2 대향면을 갖는 본체로서, 상기 제2 대향면은 그로부터 연장되는 메사를 갖고, 상기 메사는 측벽 및 표면을 갖는, 본체; 상기 메사 표면의 주변부 주위에 연장되는 리세스 선반부; 및 차광 재료가 상기 메사 표면에 의해 형성되는 평면을 넘어 연장되지 않는 두께로 적어도 상기 리세스 선반부에 위치되는 차광 재료를 갖는, 접촉 단계; 및 (iii) 활성 에너지를 상기 성형가능 재료에 인가하는 단계를 포함한다.
일 실시형태에서, 차광 재료는 인가된 활성 에너지를 성형가능 재료의 경화를 개시시키는 선량 미만의 선량으로 차단한다.
본 명세서에 기재된 주제의 1개 이상의 실시형태의 상세를 첨부의 도면 및 이하의 상세한 설명에서 설명한다. 주제의 다른 잠재적인 특징, 양태 및 장점은 상세한 설명, 도면 및 청구항으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 특징 및 장점이 상세하게 이해될 수 있도록, 본 발명의 실시형태에 대한 더 구체적인 설명을 첨부된 도면에 도시된 실시형태를 참고하여 행할 수 있다. 그러나, 첨부된 도면은 단지 본 발명의 적형적인 실시형태를 예시할 뿐이며, 따라서 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 고려되지 않고, 본 발명에 대해 다른 동일하게 효과적인 실시형태를 허용할 수 있다.
도 1은 기판으로부터 이격된 몰드와 템플릿을 갖는 나노임프린트 리소그래피 시스템의 간략화된 측면도를 도시한다.
도 2는 응고된 패터닝 층이 형성된 도 1에 도시된 기판의 간략화된 도면을 도시한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시형태에 따른 템플릿의 사시도, 상면도 및 단면도를 도시한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 템플릿의 사시도, 상면도 및 단면도를 도시한다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시형태에 따른 템플릿를 제작하는 프로세스를 도시한다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 템플릿의 사시도, 상면도 및 단면도를 도시한다.
도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 추가의 실시형태에 따른 템플릿을 제작하는 프로세스를 도시한다.
도면, 특히 도 1을 참조하면, 기판(12) 상에 릴리프 패턴을 형성하기 위해서 사용되는 템플릿(18)을 갖는 나노임프린트 리소그래피 시스템(10)이 도시되어 있다. 기판(12)은 기판 척(14)에 결합될 수 있다. 도시된 바와 같이, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은 진공식, 핀-타입, 홈-타입, 정전식, 전자기식, 및/또는 기타를 포함하지만 이것으로 제한되지 않는 임의의 척일 수 있다. 예시적인 척이 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 제6,873,087호에 기재되어 있다.
기판(12) 및 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y 및 z축을 따라 병진 및/또는 회전 운동을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12) 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시되지 않음)에 위치될 수 있다.
템플릿(18)이 기판(12)으로부터 이격되어 있다. 템플릿(18)은 제1 면 및 제2 면을 갖는 본체를 포함할 수 있으며, 하나의 면은 그로부터 기판(12)을 향해서 연장되는 메사(20)를 갖는다. 메사(20)는 그 위에 패터닝 표면(22)을 가질 수 있다. 또한, 메사(20)를 몰드(20)라 칭할 수 있다. 혹은, 템플릿(18)은 메사(20) 없이 형성될 수 있다.
템플릿(18) 및/또는 몰드(20)는 융합된-실리카, 석영, 실리콘, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산염 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 경화 사파이어, 및/또는 기타를 포함하지만 이것으로 제한되지는 않는 재료로 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이, 패터닝 표면(22)은 복수의 이격된 오목부(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 형성되는 피처를 포함하지만, 본 발명의 실시형태는 이러한 구성으로 제한되지 않는다(예를 들어, 평평한 표면). 패터닝 표면(22)은 기판(12)에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 임의의 원본 패턴을 형성할 수 있다.
템플릿(18)은 척(28)에 결합될 수 있다. 척(28)은 진공식, 핀-타입, 홈-타입, 정전식, 전자기식, 및/또는 다른 유사한 척 타입으로서 구성될 수 있지만, 이것으로 제한되는 것은 아니다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합될 수 있고, 임프린트 헤드(30)는 다시 브리지(36)에 이동가능하게 결합될 수 있으며, 그래서 척(28), 임프린트 헤드(30) 및 템플릿(18)은 적어도 z축 방향으로 이동가능하다.
나노임프린트 리소그래피 시스템(10)은 유체 분배 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 유체 분배 시스템(32)은 성형가능 재료(34)(예를 들어, 중합가능 재료)를 기판(12) 상에 퇴적시키기 위해서 사용될 수 있다. 성형가능 재료(34)는, 액적 분배, 스핀-코팅, 딥 코팅, 화학적 기상 증착(CVD), 물리적 기상 증착(PVD), 박막 증착, 후막 증착 및/또는 기타와 같은 기술을 사용하여 기판(12) 상에 위치될 수 있다. 성형가능 재료(34)는, 설계 고려사항에 따라 몰드(22)와 기판(12) 사이에 원하는 체적이 형성되기 전 및/또는 후에 기판(12) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 성형가능 재료(34)는, 양자 모두 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 제7,157,036호 및 미국 특허 제8,076,386호에 기재된 바와 같은 단량체 혼합물을 포함할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 나노임프린트 리소그래피 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 지향시키는 에너지원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30) 및 스테이지(16)는 템플릿(18)과 기판(12)을 경로(42)와 중첩하는 상태로 위치시키도록 구성될 수 있다. 마찬가지로 카메라(58)는 경로(42)와 중첩하는 상태로 위치될 수 있다. 나노임프린트 리소그래피 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 분배 시스템(32), 공급원(38) 및/또는 카메라(58)와 통신하는 프로세서(54)에 의해 조절될 수 있으며, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램에서 작동할 수 있다.
임프린트 헤드(30)와 스테이지(16) 중 어느 하나 또는 그 양자 모두는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변화시켜 그들 사이에 성형가능 재료(34)로 충전되는 원하는 체적을 형성한다. 예를 들어, 임프린트 헤드(30)는 몰드(20)가 성형가능 재료(34)와 접촉하도록 템플릿(18)에 힘을 가할 수 있다. 원하는 체적이 성형가능 재료(34)로 충전된 후에, 공급원(38)은 에너지(40), 예를 들어 자외선을 생성하고, 성형가능 재료(34)가 응고 및/또는 교차결합되게 하여 기판(12) 및 패터닝 표면(22)의 표면(44)의 형상에 합치되게 하며, 기판(12) 상에 패터닝된 층(46)을 형성한다. 패터닝된 층(46)은 잔류층(48), 및 돌출부(50) 및 오목부(52)로서 도시된 복수의 피처를 포함할 수 있으며, 돌출부(50)는 두께(t1)를 갖고 잔류층은 두께(t2)를 갖는다.
상술한 시스템 및 프로세스는 추가로 모두 전문이 본원에 참조로 통합되는 미국 특허 제6,932,934호, 미국 특허 제7,077,992호, 미국 특허 제7,179,396호, 및 미국 특허 제7,396,475호에 언급된 임프린트 리소그래피 프로세스 및 시스템에서 채용될 수 있다.
도 1을 다시 참고하면, 템플릿(18)의 주요 특징은 패터닝 표면(22)을 포함하는 메사(20)이다. 메사(20)는 5 미크론 내지 500 미크론, 더 전형적인 값으로는 10 내지 50 미크론의 어딘가의 두께 범위에서 나머지 템플릿 표면으로부터 연장될 수 있다. 메사(20)는 몇 개의 목적을 위해 작용할 수 있다. 첫 번째로, 메사는 실리콘 반도체 웨이퍼 같은 기판 상에 임프린트될 패턴의 영역을 형성한다. 두 번째로, 메사 높이(또는 두께)는 템플릿의 나머지 부분이 임프린트 프로세스 동안 임프린트되는 기판의 임의의 부분과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 템플릿과, 성형가능 재료(34)가 분배된 곳 외측의 기판 표면 사이의 임의의 접촉은 기판에 대한 결함 및/또는 템플릿에 대한 손상 위험으로 이어진다.
그러나, 이러한 템플릿이 특히 높은 처리량 조건하에서 사용될 때, 메사 표면의 경계를 넘어 연장(또는 압출)되는 성형가능 재료로서 형성된 압출물을 형성하는 경향이 있을 수 있다. 이러한 압출된 재료는 메사 측벽에 축적될 수 있고 후속하여 화학 방사선(예를 들어, 자외선)에 노출 시에 응고될 수 있다. 성형가능 재료의 경화 후 기판으로부터의 템플릿이 분리되는 동안, 압출된 경화 재료는 기판 상에 남아, 후속 기판 처리에 부정적인 영향을 주는 결함을 일으킬 수 있다. 압출된 경화 재료는 또한 메사 측벽에 부착되어 남을 수 있고, 임프린트 프로세스가 필드-바이-필드 기반으로 반복됨에 따라, 추가적인 경화된 압출 재료가 메사 측벽에 축적될 수 있다. 결국, 축적된 재료는 메사 측벽으로부터 떨어져 나가고 기판 표면에 퇴적되어, 기판에 대해 결함을 일으킬 수 있다. 이러한 기판 상의 압출된 재료의 원치않는 퇴적은 단일 임프린트 단계 후에 또는 반복된 단계 후에 발생할 수 있다.
경화된 압출 재료 축적이 경화된 압출 재료가 메사 표면에 의해 형성되는 평면을 넘어 연장되는 정도까지 메사 측벽에 대해 증대될 수 있는 것에 의해 다른 고장 메커니즘이 발생할 수 있다. 이는 그 후 후속하는 임프린트 단계에서 기판에 대한 템플릿의 위치결정을 방해한다. 이러한 경우에, 성형가능 재료의 확산 및 충전은 부정적 영향을 받고, 미충전 결함 또는 바람직하지 않은 잔류층 두께 변동 같은 결함이 발생할 수 있다.
결과적으로, 기판에 대한 경화된 압출 재료의 퇴적 및/또는 메사 측벽에 대한 경화된 압출 재료의 축적을 방지하거나 적어도 최소화할 수 있는 프로세스를 개발하는 것이 유리하다. 이러한 한가지 접근법은, 임의의 압출된 재료가 경화 광 에너지에 노출되지 않도록 템플릿의 전방 표면과 측벽에 차광 코팅을 적용하는 것을 수반한다. 이는, 예를 들어 패터닝 영역을 보호하도록 메사 표면에 포토마스크를 적용하고, 그 후 가려지지 않은 메사 측벽 및 템플릿 전방 표면에 차광 재료를 적용함으로써 행해질 수 있다. 마스크는 그 후 예를 들어 "리프트 오프(lift off)" 방법을 이용하여 제거될 수 있다. 혹은, 마스크는 초기 템플릿 형성 동안 적용될 수 있다. 예를 들어, 포토마스크는 원하는 메사 영역에서 템플릿 기판에 적용될 수 있으며, 그 후 습식 에칭을 행하여 메사 자체를 형성한다. 그 후 다시, 마스크를 제거하기 전에, 가려지지 않은 템플릿 표면과 메사 측벽에 차광 재료가 코팅될 수 있으며, 그 후 리프트 오프 프로세스를 행한다.
이러한 접근법의 단점은 두 가지이다. 첫 번째로, 이전에 형성된 메사에 대한 포토 마스크의 적용은 부정확하다. 즉, 종래의 기술을 사용하면, 포토마스크는 기껏해야 1 미크론(+/- 1μm) 정밀도 내에서 메사에 위치될 수 있다. 따라서 마스크가 메사 에지에도 정확하게 위치되지 않으면, 메사 표면 자체에 차광 재료가 퇴적되어, 결과적인 템플릿의 유용성에 영향을 줄 수 있다. 더 구체적으로는, 차광 재료가 메사 표면의 나머지 부분에 퇴적되고 상방으로 연장되면, 결과적인 템플릿이 나노임프린트 프로세스 동안 사용될 때 잔류층 두께의 제어가 손상된다. 나노임프린트 프로세스 후의 균일한 패턴 전사를 보장하기 위해 잔류층 두께는 주의 깊게 선택되므로, 메사 표면 위의 단지 수 나노미터의 재료의 연장도 문제를 야기한다. 또한, 퇴적된 차광 재료 자체는 사용 중에 메사 표면으로부터 떨어져 나갈 가능성이 있어, 기판에 원치 않는 결함을 유발한다. 초기 메사 형성 동안 메사 영역을 가리는 접근법은 상기 문제를 해결할 수 있지만, 결국 다른 문제를 일으킨다. 즉, 이 제2 접근법은 차광 재료가 메사 표면에 퇴적될 수 없도록 메사 표면이 충분히 가려진 상태를 유지하는 것을 보장하지만, 습식 에칭 단계는 포토마스크 아래에 언더컷을 형성한다. 이 언더컷에 의해, 형성된 메사 측벽에 충분한 양의 차광 재료를 도포하여 경화 광을 적절하게 차단하는 것이 어려워진다. 습식 에칭을 건식 에칭 단계로 대체하는 것은 언더컷 형성을 감소시킬 수 있지만, 결국 유사한 문제를 격게된다. 즉, 직접적인 에칭에서도, 메사 표면에 인접하게 그리고 메사 표면 위에 원치않는 재료 증대가 일어나지 않게 하면서도 적절한 측벽 커버지리를 제공하도록 차광 재료 퇴적 프로세스를 정밀하게 제어하는 것은 어렵다.
그러므로, 메사 측벽에 또는 메사 측벽 부근에 충분한 두께의 차광 재료를 제공하면서도 이러한 재료가 메사 표면에 축적되거나 메사 표면을 넘어 연장되지 않는 임프린트 템플릿 및 임프린트 템플릿을 형성하는 방법이 필요하다. 이를 위해, 본원에서는 이러한 필요를 충족하며, 다른 장점 중에서도 사용 시에 메사 측벽에 대한 경화된 압출 레지스트의 축적을 방지하거나 적어도 최소화하는 템플릿 및 템플릿을 형성하는 방법이 제공된다.
도 3a 내지 도 3c는 제1 실시형태를 나타낸다. 템플릿(300)은 대향하는 제1(또는 후방) 면(302) 및 제2(또는 전방) 면(304)을 갖는 템플릿 본체(301)를 포함한다. 메사(305)는 전방면(304)으로부터 연장되며 메사 표면(308)에서 종료되며, 메사 표면(308)과 전방면(304) 사이에 측벽(306)이 형성된다. 템플릿(300)은 메사 표면(308)의 주변부 주위에서 그리고 메사 표면 아래 소정 깊이에서 연장되는 리세스 선반부(310)를 더 포함한다. 차광 재료(312)는 메사 표면(308)에 의해 형성되는 평면(309) 이하로 연장되는 두께로 선반부(310)를 덮는데, 그렇지 않을 경우 예를 들어 잔류층 두께 균일성 등을 포함하는 임프린트 프로세스의 다른 양태를 방해한다. 여기서, 리세스 선반부(310) 및 대응하는 차광 재료(312)의 주변부 폭은 메사 표면(308)을 넘어 압출되는 성형가능 재료의 경화를 최소화하기에 충분하도록 구성된다. 예를 들어, 반도체 산업에서, 단일 필드 임프린트를 위한 표준 면적은 전형적으로 26 mm × 33 mm(x 및 y 방향 각각에서) 정도이다. 이러한 경우에, 메사 표면(308)은 이에 대응하여 크기결정될 수 있으며, 리세스 선반부(310) 및 대응하는 차광 재료(312)의 주변부 폭은 예를 들어 20 nm 내지 20 mm, 또는 10 nm 내지 10 mm, 또는 1 미크론 내지 1 밀리미터의 범위이다. 소정의 용례에서, 폭은 100 내지 1000 μm일 수 있다. 변형에서, 메사 측벽(306) 및 선택적으로는 전방 표면(304)에 추가적인 차광 재료가 도포될 수 있다.
제2 실시형태가 도 4a 내지 도 4c에 도시되어 있다. 템플릿(300)과 마찬가지로, 템플릿(400)은 유사하게 대향하는 후방면(402) 및 전방면(404)을 갖는 템플릿 본체(401)를 포함하며, 메사(405)는 전방면(404)으로부터 연장되고 메사 표면(408)에서 종료되며, 측벽(406)이 메사 표면(408)과 전방 표면(404) 사이에 형성된다. 템플릿(400)은 메사 표면(408)의 주변부 주위 및 메사 표면 아래 소정 깊이에서 연장되는 리세스 선반부(410)를 더 포함한다. 여기서, 차광 재료(412)가 전방면(404), 측벽(406), 및 리세스 선반부(410)를 덮는다. 또한, 차광 재료(412)는, 메사 표면(408)에 의해 형성되는 평면(409) 이하까지 연장될 수 있는 두께일 수 있다. 또한, 리세스 선반부(410)의 제공은, 차광 재료(412)가 메사 측벽(406)과 주위의 메사 표면(408)의 양자 모두에 적절한 작업 두께로 제공될 수 있게 하여, 차광 재료가 메사 표면(408)에 의해 형성되는 평면(409)을 넘어 연장되지 않는 상태에서 압출된 임프린트재의 경화를 최소화하도록 한다. 또한, 측벽(406)에 대한 차광 재료(412)의 제공은 도 3a 내지 도 3c의 템플릿(300)의 리세스 선반부(310)에 비해 상대적으로 좁은 리세스 선반부(410)의 폭을 허용할 수 있으면서도, 여전히 원하는 전체적인 차광 효과를 달성할 수 있게 한다. 소정의 용례에서, 폭은 1 내지 5 μm일 수 있다. 이는, 소정의 스텝 앤드 리피트 임프린트 프로세스에서 템플릿의 리세스 선반부가 인접하는 이전에 임프린트된 필드의 피처에 접촉하고 잠재적으로는 이를 손상시킬 위험을 회피하는데 유리할 수 있다.
도 5a 내지 도 5e로 가면, 템플릿(400)을 형성하는 방법이 도시된다. 제1 단계에서, 제1 및 제2 대향면(402, 404)을 갖는 템플릿 기판(401)이 제공되며, 메사(405)가 면(404)으로부터 연장되어 메사 표면(407)에서 종료된다. 메사 표면(407)은, 그 표면적이 최종적인 결과적 템플릿의 원하는 메사 표면적보다 크도록 구성된다. 예를 들어, 26 mm × 33 mm 필드 크기에 대해, 메사 표면(407)은 26 mm × 33 mm의 최종적인 원하는 메사 표면 크기보다 20 nm 내지 20 mm, 또는 10 nm 내지 10 mm, 또는 1 미크론 내지 1 밀리미터만큼 더 크게 형성될 수 있다. 메사 표면(407)에는 차광 재료를 추가하기 전에 메사 표면에 이미 형성된 원하는 디바이스 패턴 피처가 제공될 수 있거나, 혹은 이러한 피처는 나중에 메사 표면에 패터닝될 수 있다.
다음으로, 도 5b에 더 도시된 바와 같이, 그 후에 메사 표면(407)에 마스크층(500)이 형성되고, 메사 표면의 노출된 외측 영역에 의해 둘러싸이는 보호된 내부 영역을 남긴다. 이는 다양한 리소그래피 방법에 의해 달성될 수 있다. 일례로서, 마스킹 재료, 예를 들어 포토레지스트가 메사 표면 상에 퇴적되고, 그 후 레지스트는 최종적인 원하는 메사 표면 크기의 근사 치수를 갖는 패턴으로 노광된다. 이러한 포토레지스트는 예를 들어 스핀-온(spin-on) 또는 모세관 코팅 프로세스에 의해 적용될 수 있고, 그 후 용매를 제거하기 위해 베이킹될 수 있다. 그 후 최종적인 원하는 메사 표면적 크기가 예를 들어 레이저 스캐닝 노광 도구를 사용하여 레지스트에서 노광된다. 노광 후에, 레지스트는 최종적인 원하는 메사 크기를 형성하도록 현상된다. 원하는 메사 표면적 크기를 형성하는 다른 방법은 접촉 또는 근접 정렬기, 전자 빔 노광 시스템, 또는 나노임프린트 시스템의 사용을 포함할 수 있다. 유용한 레지스트 재료는 포지티브 톤(positive tone)(레지스트가 노광되는 레지스트 현상 프로세스 동안 레지스트가 제거됨) 및 네거티브 톤(negative tone)(레지스트가 노광되는 레지스트 현상 프로세스 동안 레지스트가 남아 있음)의 양자 모두일 수 있다. 레지스트층의 두께는 20nm 내지 20 미크론의 범위, 더 전형적으로는 100 nm 내지 5 미크론의 범위일 수 있다.
부가적으로, 마스킹층(500)은 하나 이상의 재료를 포함하는 적층체로서 형성될 수 있다. 예를 들어, 다중 재료가 수직 또는 언더컷 프로파일 중 하나를 형성하기 위해 채용될 수 있다. 이러한 프로파일은 나중에 도포되는 차광 재료가 마스킹층(500)의 면 에지를 덮고 이후의 리프트-오프 단계를 방해하는 것을 회피하는데 유리하다. 2개 이상의 재료가 원하는 재료 프로파일을 달성하기 위해 레지스트 적층체로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 하나의 이러한 레지스트 적층체는 폴리디메틸글루타르이미드(polydimethylglutarimide)(PMGI)의 저부층, 얇은 산화물, 질화물 또는 금속 막의 중간층, 및 이미징 레지스트(imaging resist)의 상부층을 포함할 수 있다. 이미징 레지스트는 중간층으로의 패턴 전사를 위한 에칭 마스크로서 사용될 수 있고, 그 후 중간층은 저부 PMGI 층을 에칭하기 위한 경질 마스크로서 작용할 수 있다. 언더컷은 상승된 압력에서의 건식 에칭 프로세스 또는 습식 에칭제 중 하나의 이용에 의한 PMGI 층 안으로의 최종 에칭으로 달성될 수 있다.
도 5c로 가면, 마스크층(500)은 그 후 메사(405)의 노출된 주변부 영역 안으로의 에칭을 위한 에칭 마스크로서 사용되며, 이에 의해 원래의 메사 표면(407)의 주변부 주위에 연장되는 리세스 단차부 또는 선반부(410)를 형성하고, 최종 메사 표면 영역(408)을 얻는다. 예를 들어, 반응 이온 에칭 같은 건식 에칭이 리세스 선반부(410)를 형성하기 위해 사용된다. 반응 이온 에칭 프로세스는 전형적으로 이방성이므로, 수직, 거의 수직, 또는 역행 측벽을 형성한다. 유도 결합 플라즈마 에칭 및 전자 사이클로트론 공명 에칭 같은 다른 건식 반응 에칭 프로세스도 채용될 수 있다. 에칭제로서 사용될 수 있는 가스는 CHF3, CF4, C4F8, SF6, 같은 가스뿐만 아니라 이들 가스의 조합물 같은 가스를 포함하는 플루오린을 포함한다. 산소, 질소, 아르곤 및 헬륨 같은 에칭 보조 가스도 플루오린 기반 화학물질과 조합될 수 있다. 혹은, 습식 에칭이 리세스 선반부(410)를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 습식 에칭은 전형적으로 등방성이지만, 에칭되는 템플릿 기판 재료의 양이 요구되는 최소량의 차광 재료의 퇴적을 여전히 제공할만큼 충분히 작은 경우, 습식 에칭이 그 비지향성에도 불구하고 적절한 접근법으로서 사용될 수 있다. 용융 실리카 템플릿 재료를 위한 전형적인 습식 에칭제는 BOE(buffered oxide etch)이다.
리세스 선반부(410)의 깊이는 이상적으로는 적어도 원하는 임프린트 용례에 적용되는 경화 광의 전부 또는 대부분을 실질적으로 차단하는데 필요한 차광 재료의 두께만큼의 깊이이다. 그러나, 임의의 임프린트 레지스트 재료는 임의의 그 레지스트가 경화되기 전에 필요한 노광 선량 임계치를 갖기 때문에, 차광은 100%일 필요는 없다. 즉, 성형가능 재료의 경화를 개시시키는 선량 미만의 선량으로 이어질 수 있는 효과적인 차광이 존재할 수 있다. 일례로서, 레지스트는 경화를 개시시키기 위한 요구 노광 선량의 20% 초과를 필요로 할 수 있다. 결과적으로, 이러한 시나리오에 있어서의 효과적인 차광 재료의 양은 들어오는 광의 적어도 80%를 차단하는, 즉 경화의 개시를 회피하는데 충분한 양일 것이다. 일례로서, 크롬이 화학 차광 재료로서 사용되는 경우, 대부분의 용례에서 나노임프린트 시스템의 화학 광을 효과적으로 차단하거나 반사하기 위해 20 nm의 적은 양이 사용될 수 있다. 그러므로, 리세스 선반부의 깊이의 범위는 20 nm 내지 1 mm, 더 전형적으로는 25 nm 내지 10 미크론의 범위일 수 있다.
도 5d를 참고하면, 차광 재료(412)는 그 후 마스크층(500), 리세스 선반부(410), 측벽(406), 및 선택적으로는 전방면(404)의 상부에 퇴적된다. 소정의 용례에서, 차광 재료는 리세스 선반부(410)와 측벽(406)의 양자 모두에 균일한 두께의 차광 재료를 달성하도록 균일 퇴적 방법을 사용하여 퇴적될 수 있다. 예시적인 차광 재료는 크롬, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐, 탄탈륨 등을 포함한다. 선택된 재료는 성형가능 재료의 경화를 회피하기 위해서 충분한 양의 광을 흡수 또는 반사하는 적절한 두께로 도포된다. 차광 재료는 또한 예를 들어 금속 산화물 또는 실리콘 이산화물의 교번 층 같은 다층일 수 있다. 유용한 금속 산화물은 티타늄 이산화물 및 탄탈륨 산화물을 포함한다. 부가적으로, 차광 재료의 특성은 성형된 템플릿을 정기적으로 클리닝하기 위해 행해지는 습식 클리닝으로부터 차광층을 보호하기 위해 사용되는 추가적인 박막의 퇴적을 통해 향상될 수 있다. 이러한 보호제 막의 일례는 실리콘 이산화물이다.
최종 단계에서, 도 5e에 도시된 바와 같이, 마스크층(500)은 예를 들어 마스크 재료를 용해하기 위한 리프트-오프 프로세스를 이용하여 제거되며, 이에 의해 리세스 선반부(410) 상의 차광 재료(412)는 메사 표면(408)에 의해 형성되는 평면(409) 아래에 또는 그와 동일한 높이로 남게 된다. 남아 있는 차광 재료(412)는 측벽(406) 및 전방면(404)에 남는다. 리프트-오프 단계는 전형적으로 용매로서의 아세톤을 사용하여 달성될 수 있지만, 다른 용매가 가능하다. 포지티브 레지스트가 사용되는 경우, 레지스트는 또한 화학 광원에 노광될 수 있고 그 후 테트라메틸 암모늄 히드록시드(TMAH) 같은 기재에 의해 용해될 수 있다. PMGI가 사용되는 경우, 레지스트는 1-메틸-2-피롤리디논(NMP) 또는 다른 강한 용매를 사용하여 용해될 수 있다.
도 4a 내지 도 4c를 다시 참고하면, 차광 재료(412)는 메사(405)로부터 템플릿의 에지로 연장된다는 것을 알 수 있다. 다른 변형에서, 차광 재료(412)는 경화 광이 압출된 재료에 도달하여 압출된 재료를 경화시킬 것으로 예상되는 영역만으로 제한될 수 있다. 그러므로, 차광 재료는 메사 에지로부터 10 미크론에서 템플릿 에지에 이르기까지, 더 전형적으로는 메사 에지로부터 1 mm에서 템플릿의 에지의 10 mm 이내의 범위로 템플릿 메사로부터 연장될 수 있다.
본 발명에 따른 템플릿의 제3 실시형태가 도 6a 내지 도 6c에 도시되어 있다. 여기서, 템플릿(600) 또한 대향하는 후방면(602) 및 전방면(604)을 갖는 템플릿 본체(601)를 포함한다. 메사(605)는 전방면(604)으로부터 연장되고, 메사 표면(608)에서 종료되며, 메사 표면(608)과 전방면(604) 사이에 측벽(606)이 형성된다. 템플릿(600)은 메사 표면(608) 아래의 깊이에서 주변부 주위에 연장되는 제1 리세스 선반부(610)를 더 포함하며, 제2 리세스 선반부(618)가 훨씬 더 낮은 깊이에서 제1 리세스 선반부(610)를 둘러싼다. 차광 재료(612, 620, 614)는 제1 리세스 선반부(610), 제2 리세스 선반부(618), 및 전방면(604)에 각각 위치된다. 또한, 차광 재료(612)는, 메사 표면(608)에 의해 형성되는 평면(609) 이하까지 연장될 수 있는 두께일 수 있다. 여기서, 제2 리세스 선반부(618)의 추가는 측벽(606)에 차광 재료를 제공할 필요성을 제거할 수 있다. 즉, 제2 리세스 선반부(618) 및 대응하는 차광 재료(620)는 활성 에너지가 압출된 성형가능 재료를 경화시키는 것을 효과적으로 차단하는 충분한 폭을 갖는다. 동시에, 제2 리세스 선반부는 메사 표면(608)에 대해 더 큰 깊이에 위치되기 때문에, 사용시에 인접하는 이전에 임프린트된 필드의 피처에 접촉하여 그것을 잠재적으로 손상시킬 위험이 없다. 소정의 용례에서, 제1 리세스 선반부(610)의 폭은 1 내지 5 μm일 수 있으며, 제2 리세스 선반부(618)의 폭은 100 내지 1000 μm일 수 있다. 제1 및 제2 리세스 선반부(610 및 618)의 깊이는 20 nm 내지 1 mm의 범위, 더 전형적으로는 25 nm 내지 10 미크론의 범위일 수 있다. 이하에서 더 상세화되는 바와 같이, 제작을 위해서는, 제2 리세스 선반부(618)는 제1 리세스 선반부(610)보다 더 좁은 깊이를 갖는 것이 바람직하다.
도 7a 내지 도 7f로 가면, 템플릿(600)의 제작 방법과 유사한 템플릿의 제작 방법이 도시된다. 도 7a를 참조하면, 제1 단계에서, 후방면(702), 및 마스크층(730)에 의해 보호되는 영역(720)을 포함하는 대향면(703)을 갖는 템플릿 기판(701)이 제공된다. 도 7b에서, 마스크층(730) 아래에 언더컷을 형성하기 위해서 보호 마스크로서의 마스크층(730)을 사용하여 습식 에칭 단계가 행해진다. 이 단계에 의해 메사(705)가 연장되는 전방면(704)이 얻어지고, 메사(705)는 제1 메사 표면(722)에서 종료된다. 또한, 제1 메사 표면(722)은 그 표면적이 결과적인 템플릿의 원하는 최종 메사 표면보다 크도록 구성된다. 그 후, 역시 예를 들어 포토리소그래피 단계 및 후속하는 제2 습식 에칭을 이용하여 제1 메사 표면(722) 상에 제2 마스크층(732)이 형성된다(도 7c). 이는 결과적인 제2 메사 표면(724)을 둘러싸는 리세스 선반부(708)의 형성으로 이어지고, 유사하게 이전의 제1 메사 표면(722)에 비해 표면적이 감소된 제2 메사 표면(724)으로 이어진다. 선반부(708)와 전방면(704) 사이에 측벽(706)이 형성된다. 그 후, 역시 예를 들어 포토리소그래피 단계, 및 후속하는 본 경우에 있어서는 예를 들어 건식 에칭을 이용하여 제2 메사 표면(724) 상에 제3 마스크층(734)이 형성된다(도 7d). 이는 결과적인 제3 메사 표면(726)을 둘러싸는 선반부(710)의 형성으로 이어진다. 선반부(710)는 결국 이전에 형성된 선반부(708)에 의해 둘러싸인다. 결과적인 제3 메사 표면(726)은 마찬가지로 이전의 제2 메사 표면(724)에 비해 표면적이 더 감소되고, 이제는 결과적인 템플릿에 대한 원하는 최종 표면적이 된다. 다음 단계(도 7e)에서, 차광 재료가 마스크층(734) 및 선반부(710 및 708)에 지향성으로 도포되어, 차광 재료(712, 714 및 716)가 각각 마스크층(734), 리세스 선반부(710) 및 리세스 선반부(708) 상에 퇴적된다. 차광 재료는 지향성 퇴적 기술을 사용하여 퇴적될 수 있다. 즉, 퇴적된 재료는 마스크층(734)의 표면에 수직으로(및 하부 메사 표면(408)에 마찬가지로 수직으로) 퇴적된다. 예시적인 지향성 퇴적 방법은 전자 빔 퇴적, 열 증발, 시준 스퍼터링, 및 이온 빔 퇴적을 포함한다. 이어서, 리프트-오프 프로세스를 사용하여 마스크층(734)을 용해시켜, 최종 템플릿(700)을 얻는다(도 7f). 따라서, 템플릿(700)은 최종 메사 표면(726)에 의해 형성되는 평면(709) 이하의 높이인 리세스 선반부(710)에 위치되는 차단 재료(714)와 주위의 선반부(708)에 위치되는 차광 재료(716)를 갖는다. 차광 재료가 지향성으로 도포될 때, 차광 재료(716)의 상부가 리세스 선반부(710)의 높이 이상에 위치되도록, 리세스 선반부(708)는 리세스 선반부(710) 및 나중에 도포되는 차광 재료의 두께에 비해 더 좁은 깊이를 갖고, 그래서 리세스 선반부(710 및 708)의 양자 모두에 걸쳐 연장되는 연속적인 차광 재료의 연장부가 존재하게 되는 것이 유리하다. 차광 재료(712)가 선택적으로 전방 표면(704)에 위치될 수 있다.
다양한 양태의 추가적인 변형 및 대안적인 실시형태는 본 상세한 설명의 견지에서 통상의 기술자에게 분명할 것이다. 따라서, 본 상세한 설명은 단지 예시로서 고려된다. 본원에 도시되고 설명된 형태는 실시형태의 예로서 간주되는 것으로 이해해야 한다. 본원에 도시되고 기재된 요소 및 재료는 대체될 수 있고, 부품 및 프로세스는 역전될 수 있으며, 소정의 특징은 독립적으로 이용될 수 있으며, 이들 모두는 본 상세한 설명의 이익을 얻은 후에 통상의 기술자에게 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 나노임프린트 템플릿이며,
    제1 면 및 제2 면을 갖는 본체로서, 상기 제2 면은 그로부터 연장되는 메사를 갖는 본체;
    측면 및 표면을 갖는 상기 메사;
    상기 메사 표면의 주변부 주위에 연장되는 리세스 선반부;
    상기 메사 표면에 의해 형성되는 평면을 넘지 않도록 상기 리세스 선반부에 배치되는 제1 차광 재료; 및
    상기 메사의 상기 측면의 적어도 일부에 배치되는 제2 차광 재료
    를 포함하는 나노임프린트 템플릿.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 차광 재료 및 상기 제2 차광 재료는 크롬, 몰리브덴 실리사이드, 텅스텐 또는 탄탈륨인 나노임프린트 템플릿.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리세스 선반부는 20 nm 내지 1 mm의 깊이를 갖는 나노임프린트 템플릿.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리세스 선반부는 20 nm 내지 20 mm의 거리만큼 상기 메사로부터 연장되는 나노임프린트 템플릿.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2 차광 재료는 상기 제1 차광 재료와 연속되는 나노임프린트 템플릿.
  6. 제1항에 있어서, 상기 메사를 둘러싸는 상기 본체의 상기 제2 면의 부분의 적어도 일부에 배치되는 제3 차광 재료를 더 포함하는 나노임프린트 템플릿.
  7. 나노임프린트 템플릿이며,
    제1 면 및 제2 면을 갖는 본체로서, 상기 제2 면은 상기 제2 면으로부터 연장되는 메사를 갖고, 상기 메사는 측면 및 표면을 갖는, 본체;
    상기 메사 표면의 주변부 주위에 연장되는 리세스 선반부; 및
    상기 메사 표면에 의해 형성되는 평면을 넘어 연장되지 않는 두께로 적어도 상기 리세스 선반부에 위치되는 차광 재료를 포함하고,
    상기 리세스 선반부는 제1 리세스 선반부를 형성하며, 상기 제1 리세스 선반부를 둘러싸는 적어도 제2 리세스 선반부를 더 포함하는 나노임프린트 템플릿.
  8. 제7항에 있어서, 상기 메사 표면을 넘어 연장되지 않는 두께로 상기 제2 리세스 선반부에 위치되는 차광 재료를 더 포함하는 나노임프린트 템플릿.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 차광 재료에 걸쳐 위치되는 보호 코팅층을 더 포함하는 나노임프린트 템플릿.
  10. 나노임프린트 템플릿을 제작하는 방법이며, 상기 방법은,
    제1 면 및 제2 면을 갖는 본체를 갖는 나노임프린트 템플릿 기판을 제공하는 단계로서, 상기 제2 면은 그로부터 연장되는 메사를 갖고, 상기 메사는 측면 및 표면을 가지며, 상기 표면은 주변부 영역에 의해 둘러싸이는 내부 영역을 갖는, 나노임프린트 템플릿 기판을 제공하는 단계;
    상기 메사 표면의 상기 내부 영역에 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 마스크층을 에칭 마스크로서 사용하여 상기 메사 표면의 상기 주변부 영역 안으로 리세스 선반부를 에칭하는 단계;
    상기 리세스 선반부의 깊이 이하의 두께로 적어도 상기 리세스 선반부에 차광 재료를 퇴적시키는 단계; 및
    상기 차광 재료가 상기 메사 표면의 나머지 내부 영역의 상기 표면에 의해 형성되는 평면을 넘어 연장되지 않도록 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하는 나노임프린트 템플릿을 제작하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 에칭하는 단계는, 리세스 선반부가 제1 리세스 영역 및 제2 리세스 영역을 포함하도록 2회 이상의 에칭을 행하는 단계를 더 포함하는 나노임프린트 템플릿을 제작하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 2회 이상의 에칭 중 제1 에칭은 습식 에칭이며, 상기 2회 이상의 에칭 중 제2 에칭은 건식 에칭인 나노임프린트 템플릿을 제작하는 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 마스크층은 상이한 재료의 2개 이상의 막을 포함하는 나노임프린트 템플릿을 제작하는 방법.
  14. 물품을 제조하는 방법이며, 상기 방법은,
    기판 상에 성형가능 재료를 위치시키는 단계;
    상기 성형가능 재료를 임프린트 템플릿에 접촉시키는 단계로서, 상기 임프린트 템플릿은,
    제1 면 및 제2 면을 갖는 본체로서, 상기 제2 면은 그로부터 연장되는 메사를 갖고, 상기 메사는 측면 및 표면을 갖는, 본체;
    상기 메사 표면의 주변부 주위에 연장되는 리세스 선반부;
    상기 메사 표면에 의해 형성되는 평면을 넘지 않도록 상기 리세스 선반부에 배치되는 제1 차광 재료; 및
    상기 메사의 상기 측면의 적어도 일부에 배치되는 제2 차광 재료를 갖는,
    접촉시키는 단계; 및
    활성 에너지를 상기 성형가능 재료에 인가하는 단계를 포함하는 물품을 제조하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 차광 재료 및 상기 제2 차광 재료는 상기 인가된 활성 에너지를 상기 성형가능 재료의 경화를 개시시키는 선량 미만의 선량으로 차단하는 물품을 제조하는 방법.
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