KR20120125473A - 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형 - Google Patents

고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형 Download PDF

Info

Publication number
KR20120125473A
KR20120125473A KR1020127019419A KR20127019419A KR20120125473A KR 20120125473 A KR20120125473 A KR 20120125473A KR 1020127019419 A KR1020127019419 A KR 1020127019419A KR 20127019419 A KR20127019419 A KR 20127019419A KR 20120125473 A KR20120125473 A KR 20120125473A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
alignment
region
high contrast
mold
Prior art date
Application number
KR1020127019419A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101772993B1 (ko
Inventor
코스타 셀리니디스
Original Assignee
몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 filed Critical 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Publication of KR20120125473A publication Critical patent/KR20120125473A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101772993B1 publication Critical patent/KR101772993B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/887—Nanoimprint lithography, i.e. nanostamp

Abstract

고 콘트라스트 재료를 갖는 정렬 마크를 갖는 주형의 형성을 위한 시스템 및 방법이 기술된다. 고 콘트라스트 재료는 정렬 마크의 오목부 내에 위치될 수 있다.

Description

고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형{TEMPLATES HAVING HIGH CONTRAST ALIGNMENT MARKS}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2010년 2월 5일 출원된 미국 가출원 제61/301,895호의 우선권을 주장하며, 이것은 모두 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
나노-제작은 100 나노미터 이하 정도의 특징부를 가진 초소형 구조의 제작을 포함한다. 나노-제작이 상당한 영향을 미치는 한 용도는 집적회로 가공 분야이다. 반도체 가공 산업은 생산성을 높이기 위해 계속 박차를 가하고 있는 한편, 기판 위에 형성되는 단위 면적당 회로의 수는 증가하고 있다. 따라서, 나노-제작은 점점 중요해지고 있다. 나노-제작은 형성된 구조의 최소 특징부 치수를 계속 줄이면서 동시에 더 큰 공정 제어를 제공한다. 나노-제작이 사용되었던 다른 개발 분야들은 생물공학, 광학기술, 기계시스템 등을 포함한다.
요즘 사용되고 있는 예시적 나노-제작 기술은 통상 임프린트 리소그래피라고 불린다. 예시적 임프린트 리소그래피 공정은 미국 특허공개 제2004/0065976호, 미국 특허공개 제2004/0065252호 및 미국 특허 제6,936,194호와 같은 많은 공보들에 상세히 기술되어 있으며, 이들은 모두 본원에 참고자료로 포함된다.
상기 언급된 미국 특허공개 및 특허의 각각에 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 성형성(중합성) 층에 릴리프 패턴을 형성하는 것과 릴리프 패턴에 대응하는 패턴을 하부 기판에 전사하는 것을 포함한다. 기판은 모션 스테이지에 결합되어, 원하는 위치를 얻음으로써 패턴형성 공정을 용이하게 할 수 있다. 패턴형성 공정은 기판과 이격되어 있는 주형 및 주형과 기판 사이에 적용되는 성형성 액체를 사용한다. 성형성 액체는 고화되어서 이 성형성 액체와 접촉하는 주형의 표면의 형상과 일치하는 패턴을 가진 단단한 층을 형성한다. 고화 후, 주형은 단단한 층으로부터 분리되어 주형과 기판이 이격된다. 다음에, 기판과 고화된 층에 추가의 공정을 행하여 고화된 층에 있는 패턴에 대응하는 릴리프 이미지를 기판에 전사한다.
고 콘트라스트 재료를 갖는 정렬 마크를 갖는 주형 및 기판, 그리고 이러한 주형을 패턴형성 및 사용하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다.
한 양태에서, 임프린트 나노리소그래피 기판이 패턴형성된다. 돌출부 및 오목부가 기판의 정렬 영역 및 특징부 영역에 형성되고, 고 콘트라스트 재료가 적어도 정렬 영역에 걸쳐 부착된다. 다음에 정렬 및 특징부 영역 상에 층이 형성된다. 그 다음, 형성된 층의 일부는 형성된 층의 나머지 부분이 정렬 영역의 오목부에만 남아 있도록 정렬 영역으로부터 제거된다. 마찬가지로, 고 콘트라스트 재료의 일부는 고 콘트라스트 재료의 나머지 부분이 정렬 영역의 오목부에만 남아 있도록 정렬 영역으로부터 제거된다. 그 다음 정렬 영역의 오목부에서 형성된 층의 나머지 부분을 제거하여 정렬 영역의 오목부에 남아 있는 고 콘트라스트 재료를 노출시킨다.
다른 양태에서, 고 콘트라스트 재료는 특징부 영역 및/또는 형성된 층 상에 부착될 수 있거나 또는 고 콘트라스트 재료는 특징부 영역으로부터 제거될 수 있다. 또 다른 양태에서, 형성된 층은 정렬 영역에 걸쳐 제 1 두께 및 특징부 영역에 걸쳐 제 2 두께를 가질 수 있고, 제 1 두께는 제 2 두께보다 더 크다.
더 이상의 양태에서, 형성된 층은 기판 상에 중합성 재료를 디스펜스하고, 중합성 재료를 임프린트 주형과 접촉시키고, 중합성 재료를 고화시킴으로써 형성될 수 있다. 다른 양태에서, 임프린트 주형은 정렬 영역과 겹쳐서 주형의 그 영역에서 투명할 수 있고 특징부 영역과 겹쳐서 주형의 그 영역에서 실질적으로 불투명할 수 있어서, 중합성 재료를 조사하는 것이 정렬 영역 상의 중합성 재료를 고화하나 중합성 재료는 정렬 영역에서 중합되지 않거나 단지 부분적으로 중합되어, 따라서 그것의 나중 제거를 쉽게 하도록 한다. 더욱 다른 양태에서, 형성된 층은 스핀-온 공정을 사용하여 형성될 수 있다.
다른 양태에서, 형성된 층은 패턴형성된다. 더욱 다른 양태에서, 형성된 층은 다른 에칭 속도를 갖는 적어도 두개의 다른 층들로 만들어질 수 있다.
다른 양태에서, 층들 중 하나는 평탄화된 층인 반면에, 또 다른 층은 패턴형성된 층이다. 더 이상의 양태에서, 다른 층들 사이에 하드 마스크가 배치될 수 있다.
더 이상의 양태에서, 본체와 본체의 한 측면 상에 위치된 패턴형성된 표면을 갖는 몰드를 갖는 임프린트 주형이 제공된다. 몰드는 특징부 영역과 정렬 마크를 갖는 패턴형성된 표면을 가지며, 정렬 마크는 특징부 영역의 외부에 있다. 정렬 마크는 복수의 돌출부 및 오목부를 포함하고 고 콘트라스트 재료는 오목부에만 위치된다.
한 양태에서, 주형의 고 콘트라스트 재료는 주형 본체와는 다른 굴절률을 갖는다. 다른 양태에서, 보호층은 오목부 내에 고 콘트라스트 재료에 걸쳐 위치된다.
여기 기술된 양태 및 실시는 상기한 것 이외의 방식으로 조합될 수도 있다. 다른 양태, 특징, 및 이점들은 이하의 상세한 설명, 도면 및 특허청구범위로부터 명백할 것이다.
본 발명의 특징 및 이점들이 상세히 이해될 수 있도록, 본 발명의 구체예의 더 구체적인 설명은 첨부된 도면에 예시된 구체예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부된 도면은 본 발명의 전형적인 구체예를 예시할 뿐이며, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 생각되어서는 안 되고, 본 발명은 다른 동등하게 유효한 구체예들에 대해서도 인정될 수 있다는 것에 유념해야 한다.
도 1은 리소그래피 시스템의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 2는 패턴형성된 층이 위에 있는, 도 1에 예시된 기판의 단순화된 측면도를 예시한다.
도 3a-3i는 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형의 예시적 형성방법을 예시한다.
도 4a-4b는 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형의 또 다른 예시적 형성방법을 예시한다.
도 5a-5d는 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형의 또 다른 예시적 형성방법을 예시한다.
도 6a-6e는 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형의 또 다른 예시적 형성방법을 예시한다.
도 7은 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형의 형성을 위한 패턴형성된 층의 적어도 일부의 에칭 속도를 변경시키는 방법을 예시한다.
도 8은 도 3 내지 7의 방법에 따라 형성된 주형의 예시적 사용을 예시한다.
도 9a-9b는 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형의 또 다른 예시적 형성방법을 예시한다.
도면, 특히 도 1을 보면, 기판(12) 위에 릴리프 패턴을 형성하는데 사용되는 리소그래피 시스템(10)이 예시된다. 기판(12)은 기판 척(14)과 결합될 수 있다. 예시된 대로, 기판 척(14)은 진공 척이다. 그러나, 기판 척(14)은, 제한되는 것은 아니지만, 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기, 전자기 및/또는 기타 등등을 포함하는 어떤 척일 수 있다. 예시적인 척들이 미국특허 제6,873,087호에 기재되어 있고, 이것은 본원에 참고자료로 포함된다.
기판(12)과 기판 척(14)은 스테이지(16)에 의해서 더 지지될 수 있다. 스테이지(16)는 x, y 및 z 축을 따라 병진 및/또는 회전 모션을 제공할 수 있다. 스테이지(16), 기판(12) 및 기판 척(14)은 또한 베이스(도시않음) 위에 위치될 수 있다.
주형(18)이 기판(12)으로부터 이격되어 있다. 주형(18)은 제 1 측면과 제 2 측면을 갖는 본체를 포함할 수 있으며, 한 측면은 거기서부터 기판(12)을 향해 연장되는 메사(20)를 갖는다. 메사(20)는 그 위에 패턴형성 표면(22)을 갖는다. 메사(20)는 또한 몰드(20)라고도 할 수 있다. 또는 달리, 주형(18)은 메사(20) 없이 형성될 수 있다.
주형(18) 및/또는 몰드(20)는, 제한되는 것은 아니지만, 용융-실리카, 석영, 규소, 유기 중합체, 실록산 중합체, 붕규산 유리, 플루오로카본 중합체, 금속, 강화 사파이어 및/또는 기타 등등을 포함하는 재료로 형성될 수 있다. 예시된 대로, 패턴형성 표면(22)은 복수의 이격된 홈(24) 및/또는 돌출부(26)에 의해 한정된 특징부를 포함하지만, 본 발명의 구체예는 이러한 구성형태(예를 들어, 평면 표면)에 제한되지는 않는다. 패턴형성 표면(22)은 기판(12) 위에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 어떤 원 패턴을 한정할 수 있다.
주형(18)은 척(28)에 결합될 수 있다. 척(28)은, 제한되는 것은 아니지만, 진공, 핀-타입, 홈-타입, 정전기, 전자기 및/또는 다른 유사한 척 타입으로 구성될 수 있다. 예시적인 척들은 미국특허 제6,873,087호에 더 기술되어 있으며, 이것은 본원에 참고자료로 포함된다. 또한, 척(28)은 임프린트 헤드(30)에 결합될 수 있으며, 이로써 척(28) 및/또는 임프린트 헤드(30)가 주형(18)의 움직임을 용이하게 하도록 구성될 수 있다.
시스템(10)은 유체 디스펜스 시스템(32)을 더 포함할 수 있다. 유체 디스펜스 시스템(32)을 사용하여 기판(12) 위에 성형성 재료(34)(예를 들어, 중합성 재료)를 부착할 수 있다. 성형성 재료(34)는 드롭 디스펜스, 스핀코팅, 딥코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD), 박막부착, 후막부착 및/또는 기타 등등과 같은 기술을 사용하여 기판(12) 위에 위치될 수 있다. 성형성 재료(34)는 설계 고려사항에 따라서 몰드(22)와 기판(12) 사이에 소정의 부피가 한정되기 전에 및/또는 한정된 이후에 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 성형성 재료(34)는 바이오-도메인, 태양전지 산업, 배터리 산업 및/또는 기능성 나노입자가 필요한 다른 산업들에서 용도를 가진 기능성 나노입자일 수 있다. 예를 들어, 성형성 재료(34)는 미국특허 제7,157,036호 및 미국 특허공개 제2005/0187339호에 기술된 모노머 혼합물을 포함할 수 있으며, 이들은 모두 본원에 참고자료로 포함된다. 또는 달리, 성형성 재료(34)는, 제한되는 것은 아니지만, 생물재료(예를 들어, PEG), 태양전지 재료(예를 들어, N-타입, P-타입 재료) 및/또는 기타 등등을 포함할 수 있다.
도 1 및 2를 보면, 시스템(10)은 경로(42)를 따라 에너지(40)를 보내도록 결합된 에너지원(38)을 더 포함할 수 있다. 임프린트 헤드(30)와 스테이지(16)는 주형(18)과 기판(12)이 경로(42)와 겹쳐져 위치되도록 구성될 수 있다. 시스템(10)은 스테이지(16), 임프린트 헤드(30), 유체 디스펜스 시스템(32) 및/또는 에너지원(38)과 통신하는 프로세서(54)에 의해서 조절될 수 있으며, 메모리(56)에 저장된 컴퓨터 판독가능한 프로그램으로 작동될 수 있다.
임프린트 헤드(30), 스테이지(16) 중 어느 하나, 또는 둘 모두는 몰드(20)와 기판(12) 사이의 거리를 변화시켜서 이들 사이에 소정의 부피를 한정할 수 있으며, 이 부피가 성형성 재료(34)로 채워진다. 예를 들어, 임프린트 헤드(30)가 주형(18)에 힘을 적용하여 몰드(20)가 성형성 재료(34)와 접촉될 수 있다. 소정의 부피가 성형성 재료(34)로 채워진 후, 에너지원(38)이 에너지(40), 예를 들어 자외선을 생성해서 성형성 재료(34)를 기판(12)의 표면(44) 및 패턴형성 표면(22)의 모양과 일치시켜 고화 및/또는 가교결합시키고, 이로써 기판(12) 위에 패턴형성된 층(46)이 한정된다. 패턴형성된 층(46)은 돌출부(50)와 홈(52)으로서 도시된 복수의 특징부 및 잔류 층(48)을 포함할 수 있으며, 돌출부(50)는 두께 t1을 갖고, 잔류 층은 두께 t2를 갖는다.
전술한 시스템 및 공정은 미국특허 제6,932,934호, 미국특허 제7,077,992호, 미국특허 제7,179,396호 및 미국특허 제7,396,475호에 언급된 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에도 또한 사용될 수 있으며, 이들은 모두 그 전체가 본원에 참고자료로 포함된다.
정렬 마크는 기판 상의 정밀한 위치에 패턴 전사를 용이하게 하기 위해 성형성 재료(34)를 임프린팅하기에 앞서 주형(18) 및 기판(12)을 정렬하는데 도움을 줄 수 있다. 패턴 전사의 용이성에 도움을 줄 수 있는 예시적 정렬 시스템 및 공정은 또한 미국 특허 제7,837,907호, 미국 특허 제7,780,893호, 미국 특허 제7,281,921호, 미국 출원 제11/373,533호, 미국 특허 제7,136,150호, 미국 특허 제7,070,405호, 및 미국 특허 제6,916,584호에 기술되어 있고; 이것들은 모두 여기에 그 전체가 참고자료로 포함된다. 일반적으로, 종래 기술 내에서, 이들 정렬 마크는 용융 실리카에 에칭될 수 있고, 매질은 성형성 재료(34)와 유사한 굴절률을 갖는다. 이런 이유로, 정렬 마크는 가시적이기 위해 성형성 재료(34)로부터 분리되어 남아있어야 한다. 예를 들면, 여기에 참고자료로 포함되는 미국 특허 제7,309,225호에 더 기술되는 바와 같이, 성형성 재료(34)로부터 정렬 마크를 분리하기 위해 트렌치가 사용될 수도 있다. 그러나, 트렌치를 위해 필요한 최소량의 공간은 일반적으로 전형적인 반도체 스크라이브 면적보다 더 크다. 예를 들면, 트렌치의 폭 더하기 정렬 마크와 간섭을 제거하는데 필요한 에지 사이의 최소 거리는 전형적인 스크라이브 면적보다 더 많은 공간을 요한다.
추가로, 이러한 트렌치의 제공은 균일성 및 지속적 특징부 밀도가 중대한 속성일 수 있는 화학적-기계적 평탄화(CMP) 및/또는 에칭 공정과 같은 일부 공정들에 유해할 수 있는 기판(12) 상의 큰 개방 공간들을 가져올 수 있다. 트렌치 영역은 또한 결함에 주된 장소이다.
이러한 트렌치 또는 큰 개방 공간들에 대한 필요를 경감하기 위해, 정렬 마크는 고 콘트라스트 재료로 형성될 수 있다. 정렬 마크를 형성하기 위해 사용된 고 콘트라스트 재료는 성형성 재료(34)와 다른 굴절률을 가질 수 있다. 이런 이유로, 이들 정렬 마크는 정렬 공정을 위해 성형성 재료(34)의 존재하에 가시적일 수 있다.
고 콘트라스트 정렬 마크는 주형(18)의 주 특징부와 같은 단계에서 패턴형성될 수 있다. 같은 단계에서 패턴형성함으로써, 패턴 배치 오차는 최소화될 수 있다. 이들 정렬 마크는 일반적으로 기판(12)에 형성된 주 특징부와 실질적으로 같은 깊이로 에칭된다.
여기에 참고자료로 포함되는 미국 특허 공개 제2010/0092599호에 기술된 바와 같이, 고 콘트라스트 마크의 어떤 제작 방법은 주 패턴과 실질적으로 같은 단계의 동안에 패턴형성되어야만 한다. 주 패턴은 고 콘트라스트 정렬 마크를 위해 요구된 필름으로 패턴 전사하는 것이 매우 어려운 5 내지 32nm 범위의 특징부를 포함할 수 있다. 또한, 고 콘트라스트 정렬 마크를 형성하기에 가장 적합한 하드 마스크의 조성 및 두께는 주 특징부를 형성하기 위해 필요한 하드 마스크의 조성 및 두께와 다를 수 있다.
도3a-3i는 정렬 마크를 갖는 주형을 고 콘트라스트 재료로 형성하는 예시적 방법을 예시한다. 예시된 방법은 정렬 마크의 기판(12) 상의 형성을 보여주지만, 형성된 기판은 그 다음 그 자체가 주형으로서 유용할 것이라는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 기판(58) 상에서 정렬 마크(60)와 특징부(24a 및 26a)의 패턴형성은 단일 단계로 수행될 수 있다. 그러나, 고 콘트라스트 재료(HCM)는 별도의 층(62)으로서 제공될 수도 있다. 이것은 HCM 층이 재료 또는 조성 제한 또는 패턴형성된 층의 요건에 의해 구속받을 필요가 없기 때문에 유리하다. HCM 층(62)은 특징부(24a 및 26a)의 주 패턴 위에 등사(conformal) 부착으로서 제공될 수 있다. 정렬 마크(60)는 제 2 리소그래피 단계에 의해 차폐될 수 있다. 이 제 2 리소그래피 단계는 정렬 마크(60)의 선택적 피복률을 제공할 수도 있어서, 제거 공정 후, 정렬 마크(60)의 단지 오목부가 HCM을 포함할 수 있다.
도3a를 참고하면, 기판(58)은 그 위에 얇은 하드 마스크(68) 및 제 1 패턴 형성된 층(46a)을 형성할 수도 있다. 제 1 패턴 형성된 층(46a)은 제 1 리소그래피 공정으로 형성된 특징부(24a 및 26a) 및 정렬 마크(60)를 포함할 수 있다. 이 리소그래피 공정은 예를 들어서, 도 1 및 2와 관련하여 기술된 시스템(10) 및 공정들을 사용하는, 전자빔 임프린팅, 광학 리소그래피, 레이저 리소그래피, 나노임프린트 리소그래피, 등을 포함하나, 이에 제한되지 않는 어떤 패턴형성 방법도 이용할 수 있다. 정렬 마크(60) 및 특징부(24a 및 26a)는 같은 두께 t1을 가질 수 있다.
특징부(24a 및 26a) 및 정렬 마크(60)의 형성은 기판(58)의 부분들을 정렬 영역(64) 및 주 특징부 영역(66)으로 구분할 수 있는데, 정렬 영역(64)은 정렬 마크(60)를 포함하고 주 특징부 영역(66)은 주 패턴의 특징부(24a 및 26a)을 포함한다. 도 3b를 참고하면, 특징부(24a 및 26a) 및 정렬 마크(60)는 기판(58)에 에칭된다. 특징부(24a 및 26a) 및 정렬 마크(60)의 에칭은 업계에서 알려진 여러가지 드라이에칭 공정들로 달성될 수 있다.
도3c를 참고하면, HCM 층(62)은 정렬 영역(64)의 적어도 일부 및/또는 주 특징부 영역(66)의 적어도 일부 위에 부착될 수 있다. HCM 층(62)은 탄탈, 텅스텐, 탄화규소, 비정질 규소, 크롬, 질화크롬, 몰리브덴, 몰리브덴 규소화물, 티타늄, 질화티타늄, 등을 포함하나, 이들에 제한되지 않는 재료로 형성될 수 있다. HCM 층(62)은 대략 2 nm 내지 50 nm 범위의 두께를 가질 수 있다.
HCM 층(62)의 부착은 등사이거나 또는 지향적(directional)일 수 있다. 예를 들면, 한 구체예에서, HCM 층(62)은 도 3c-1에 예시된 바와 같이, 정렬 마크(60)의 오목부 내에 지향적으로 부착될 수 있다. 또 다른 구체예에서, HCM 층(62)은 도 3c에 예시된 바와 같이, 전체 정렬 영역(64) 및 전체 주 특징부 영역(66) 위에 등사 부착될 수 있다.
한 구체예에서, HCM 층(62)은 주 특징부 영역(66)을 포함하는 전체 패턴형성된 영역 위에 부착될 수 있고 후속 단계에서 선택적으로 제거된다. 이러한 선택적 제거는 주 특징부 영역(66) 내의 특징부의 치수에 실질적으로 영향을 미치지 않고 제공될 수 있다. 크게 선택적인 에칭 공정이 사용될 수 있다. 예를 들면, XeF2 기체가 사용될 수 있는데 그것은 일반적으로 용융 실리카 패턴에 궁극적으로 변화를 주지 않고 용융 실리카 표면으로부터 비정질-Si, Ta, TaN, MoSi, MO, 및 W의 제거에 효과적이기 때문이다. 또한, RIE Cl2 또는 O2 기재의 드라이에칭 공정들은 용융 실리카 표면으로부터 Cr, CrN, 및 CrO을 제거할 때 양호한 선택성을 나타내었기 때문에 그것들이 사용될 수 있다. 게다가, 습식 에칭 공정은 Cr7s Chrome 스트리퍼와 같은 용융 실리카로부터 선택적으로 HCM을 제거하기 위해 사용될 수 있다.
도 3d-3i는 전체 정렬 영역(64) 및 전체 주 특징부 영역(66) 위에 HCM 층(62)의 등사 부착에 관련된 공정을 또한 예시한다. 공정은 또한 도 3c-1에 묘사된 바와 같이, 정렬 영역(64) 위에 지향적으로 부착되고 주 특징부 위에 부착되지 않는 HCM 층에 따를 수 있음이 인식될 것이다.
도 3d에 예시된 바와 같이, 층(46b)은 도 1 및 2와 관련하여 기술된 시스템(10) 및 공정들을 사용하여 전체 정렬 영역(64) 및 주 특징부 영역(66) 상에 형성될 수 있다. 층(46b)은 정렬 영역(64) 및 주 특징부 영역(66)의 특징부들을 채운다. 예를 들면, 층(46b)은 정렬 마크(60)의 오목부를 채운다. 층(46b)은 정렬 영역(64) 위에 제 1 두께 t3 및 주 특징부 영역(66) 위에 제 2 두께 t4를 가질 수 있다. 제 1 두께 t3는 제 2 두께 t4보다 더 크거나 실질적으로 더 커서 정렬 마크(60) 위에 위치된 성형성 재료의 하나 이상의 블록 영역(70)을 형성한다. 예를 들면, 정렬 영역(63)에서 층(46b)의 제 1 두께 t3는 대략 50 내지 300nm의 범위이고, 주 특징부 영역(66)에서 층(46b)의 두께 t4는 블록 영역(70)을 형성하는 대략 0 내지 100nm의 범위일 수 있다(t4의 두께는 실질적으로 제로일 수 있는데, 도 1에 나타낸 유체 디스펜스 시스템(32)이 정렬 영역(64))의 위치를 타겟할 수 있기 때문이다). 대안으로는, 다른 리소그래피 방법이 층(46b) 및 블록 영역(70)을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 층(46b)은 도4a에 예시된 바와 같이, 정렬 영역(64) 및 주 특징부 영역(66) 위에 스핀 코팅함으로써 적용된 평탄화 레지스트일 수 있다. 블록 영역(70)은 도 4b에 예시된 바와 같이, 주 특징부 영역으로부터 전적으로 층(46b)을 제거하기 위해 표준 리소그래피 가공처리에 의해 형성될 수 있다. 정렬 영역을 덮는 레지스트는 다음에 에칭에 의해 부분적으로 제거될 수 있고, 고 콘트라스트 재료(HCM)는 앞서 기술된 바와 같이, 정렬 영역의 오목부를 제외하고 실질적으로 제거될 수 있다.
어떤 경우에는, 주 특징부 영역을 더 선택적인 에칭 공정을 갖는 재료(90)로 채우는 것이 유리할 수도 있고 도 5a 내지 5d에 나타낸 바와 같이 쉽게 제거될 수 있다. 이것이 유리할 때의 예는 주 특징부 영역에서의 재료가 정렬 영역과 비교하여 주 특징부 영역에서의 상당히 더 높은 애스펙트 비로 인해 제거하기가 더 어려운 경우이다. 이 경우에, 재료(90)의 제 1 층은 주 특징부에 적용되고 제 2 재료(46c)는 정렬 영역을 덮도록 패턴형성된다. 제 1 재료는 다음에 정렬 영역 위의 제 2 층이 소모되기 전에 완전히 주 특징부 영역으로부터 제거된다. 제 1 및 제 2 재료의 제거는 단지 정렬 영역의 오목부들이 도 3h와 유사하게 보호될 때까지 계속될 수 있다.
도 6a-6e는 정렬 영역 위에 더욱더 보호를 추가하기 위해 가능한 또 다른 방법을 나타낸다. 이 경우에 정렬 영역은 패턴형성된 재료(46c) 및 일시적 하드 마스크(100)에 의해 보호된다. 주 특징부 영역을 덮는 재료(90)는 다음에 정렬 영역 위의 충분한 보호와 함께 완전히 제거된다. 그 다음, 일시적 하드 마스크는 제거되어야 하고 정렬 마크를 덮는 재료는 도 3f-3i와 유사하게 가공처리될 수 있다.
일반적으로, 도 5a 및 5b, 또한 도 4a 및 4b에 제공된 방법은 스핀-온 레지스트, 베이크, 및 현상 공정을 특징짓는다. 층(46c)은 실질적으로 균일한 두께를 갖는 층(46c) 내에서 정렬 영역(64) 및 패턴형성된 영역(66)에 적용될 수 있다. 블록 영역(70)은 층(46c)의 부분들의 후속 제거에 의해 형성될 수 있다. 블록 영역(70)은 임프린팅, 접촉 프린팅, 근접 프린팅, 환원 프린팅, 레이저 쓰기, e-빔 쓰기, 등을 포함하나 이에 제한되지 않는 다른 기술들에 의해 형성될 수 있다는 것을 주목해야 한다.
블록 영역(70)은 층(46c)의 부분들의 후속 제거의 동안에 정렬 마크(60)의 추가 차폐를 제공할 수 있다. 예를 들면, 제 2 리소그래피 공정의 동안에 도 3e-3g에서 층(46b)의 단계식 제거(예를 들면, 데스컴 에칭)에서 예시된 바와 같이 정렬 마크(60)의 선택적 피복률을 제공한다. 선택적 피복률은 정렬 마크(60)의 오목부 내에 잔류 재료 층(72)을 가져올 수도 있다. 잔류 재료 층(72)에 의해 차단되지 않은 HCM 층(62)의 부분들은 그 다음 도 3h에 예시된 바와 같이 스트립핑될 수도 있다. 추가로, 잔류 재료 층(72)은 제거되어, 도 3i에 예시된 바와 같이 정렬 마크(60)의 오목부 내에만 단지 위치된 HCM 층(62)을 갖는 정렬 마크(60)를 형성할 수도 있다. 정렬 마크(60) 및 특징부(24a 및 26a)는 같은 두께 t1을 가질 수도 있다.
도 3i의 기판(58)은 임프린팅을 위한 주형으로서 사용될 수 있다. 도 8은 단지 정렬 마크의 오목부에 HCM 층(62)을 함유하는 정렬 마크(60)를 갖는 몰드(18a)를 갖는 주형을 사용하는 예시적 임프린팅 공정을 예시한다. 임프린팅 공정은 도 1 및 2와 관련하여 기술된 공정들과 유사할 수 있다. 성형성 재료(34)는 몰드(18a)와 기판(12) 간의 갭을 채운다. HCM 층(62)은 기판 정렬 마크(80)를 사용하여 주형(18a)을 기판(12)과 정렬하는 데에 있어서 정렬 마크(60)에 관해 가시성을 제공한다.
오목부 내에 위치된 HCM 층(62)을 갖는 정렬 마크(60)는 도 1 및 2와 관련하여 기술된 바와 같이 임프린팅 동안에 성형성 재료(34) 내에 매입된 정렬 마크(60)로도 정렬을 수행하기에 충분한 가시성을 제공할 수 있다. 이런 이유로, 정렬 마크(60)는 예를 들어서 트렌치 또는 다른 큰 개구부를 통해서와 같이, 성형성 재료(34)로부터 분리되는 것이 필요하지 않을 수도 있다. 이러한 유체 장벽 특징의 제거는 전체 임프린트 스크라이브 폭을 실질적으로 감소시키고, 현존하는 반도체 가공처리로 통합을 위한 융통성을 제공하며, CMP 및 에칭 균일성에 관한 문제를 감소시킬 수 있고, 및/또는 기타등등이다. 또한, HCM 층이 정렬 마크의 표면에서 또는 돌출부 상에서 층으로서 존재하기 보다 정렬 마크의 오목부 내에 있기 때문에, HCM 층은 임프린팅 동안에 주형과 기판 사이의 소정의 간격 또는 갭을 손상하지 않는다. 이것은 최소한의 잔류층 두께를 가지고 패턴을 임프린팅하는 것을 허용한다. 그리고 앞서 언급한 바와 같이, HCM 층은 주 패턴으로 패턴형성되는 것을 필요로 하지 않기 때문에, HCM의 조성은 주 패턴 재료의 필요한 성능 특성에 의해 제한받을 필요가 없다.
주형(18a)의 유용 수명을 연장시키기 위해, 주형을 임프린팅에 사용할 때, 또는 클리닝을 시킬 때, 등을 위해 HCM 층이 열화되는 것으로부터 보호하기 위해 오목부 내의 HCM 층 위에 보호층이 더 형성될 수 있다. 보호층은 SiO2, SiN2, 또는 Al2O3, 또는 기타와 같은 산화물 또는 질화물 층으로 형성될 수 있고, 또는 비정질 Si 또는 SiC, 또는 기타로 형성될 수 있다. 보호층은 도 9a에 묘사된 바와 같이, 층(46)을 형성하기에 앞서, HCM 층(62) 위에 형성될 수 있고, 그 다음 후속 가공처리를 통해 부분적으로 제거되어 잔류 보호층 재료가 도 9b에 나타낸 바와 같이 정렬 마크의 오목부에서만 존재하게 된다.
도 5a-5d는 정렬 마크(60)의 오목부 내에 HCM 층(62)을 형성하는 또 다른 방법을 예시한다. 일반적으로, 평탄화 층(90)은 정렬 영역(64) 및 주 특징부 영역(66) 상에 위치될 수 있다. 평탄화 층(90)은 임프린트 리소그래피 공정, 스핀-온 공정, 또는 기타를 사용하여 위치시킬 수 있다. 평탄화 층(90)은 제 1 에칭 속도를 가질 수 있다. 패턴형성된 층(46c)은 도 1 내지 3과 관련하여 기술된 기술 및 시스템을 사용하여 평탄화 층(90) 상에 위치될 수 있다. 패턴형성된 층(46c)은 제 2 에칭 속도를 가질 수 있다. 평탄화 층(90)의 제 1 에칭 속도는 패턴형성된 층(46c)의 제 2 에칭 속도보다 더 높을 수 있고, 이런 이유로, 선택적 에칭이 각 재료에 대해 제공될 수 있다. 예를 들면, 유기 재료(예를 들면, m BARC, PBS 레지스트), 등이다. 예를 들면, 가교결합된 폴리머와 비교하여 2 내지 10배 더 높은 에칭 속도를 제공하는 재료가 사용될 수도 있다.
도 6a-6e는 정렬 마크(60)의 오목부 내에 HCM 층(62)을 형성하는 또 다른 방법을 예시한다. 도 5a-5d와 유사하게, 평탄화 층(90)은 제 1 에칭 속도를 가질 수 있고 패턴형성된 층(46c)은 제 2 에칭 속도를 가질 수 있다. 평탄화 층(90)과 패턴형성된 층(46c) 사이에 하드 마스크 층(100)이 있을 수 있다. 일반적으로, 하드 마스크 층(100)은 패턴형성된 층(46c) 및/또는 평탄화 층(90)의 제거의 동안에 정렬 영역(64)의 차폐를 제공할 수 있다.
도 7은 선택적 에칭 속도를 갖는 층(46d)을 제공하는 또 다른 예시적 방법을 예시한다. 일반적으로, 임프린트 마스크(120)가 층(46d)의 일부를 부분적으로 노출시키기 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 임프린트 마스크(120)는 층(46d)의 주 특징부 영역(66)을 부분적으로 노출시키기 위해 사용되어 주 특징부 영역(66) 에서의 층(46d)이 정렬 영역(64)에서의 층(46d)과 비교하여 높은 에칭 속도를 나타낸다. 임프린트 마스크(120)의 제 1 측면은 다른 위치들에서는 투명하게 남아 있으면서 조도 감소층(122)이 있는 위치에서는 마스크를 실질적으로 불투명하게 만드는 조도 감소층(122)을 포함할 수 있다. 조도 감소층(122)은 주 특징부 영역(66)의 길이 범위이어서 층(46d)이 에너지에 노출될 때, 조도 감소층(122)은 주 특징부 영역(66) 내의 층(46d)의 노출을 감소시키고, 층(46d)이 복사선에 노출될 때 정렬 마크(60) 내에서 고화하게 되나 층(46d)은 실질적으로는 고화하지 않게 된다. 선택적인 조도 감소는 따라서 주 특징부 영역(66)의 에칭 속도를 증가시킬 수 있다. 여기 기술된 것들과 같은 제거 기술이 이어서 사용되어 오목부 내에 HCM 층(62)을 갖는 정렬 마크(60)를 제공한다.
여러가지 양태들의 더욱 변형 및 대안의 구체예들이 본 명세서에 비추어 당업자들에게 명백하다. 따라서, 이 설명은 예시로서만 해석되어야 한다. 여기에 나타내고 기술된 형태들은 구체예들의 예로서 취해져야 하는 것으로 이해해야 한다. 요소들 및 재료는 여기서 예시되고 기술된 것들을 대체할 수 있고, 부품 및 공정들이 역으로 될 수도 있고, 어떤 특징들은 독립적으로 이용될 수 있으며, 모두 본 명세서의 이익을 갖게 된 후 당업자에게 명백할 것이다. 다음의 특허청구범위에 기술된 개념과 범위로부터 벗어나지 않고 여기서 기술된 요소들에 변화를 가할 수 있다.

Claims (21)

  1. (a) 복수의 돌출부 및 오목부를 기판의 정렬 영역 및 특징부 영역에 형성하는 단계;
    (b) 고 콘트라스트 재료를 정렬 영역 상에 부착하는 단계;
    (c) 정렬 및 특징부 영역 상에 층을 형성하는 단계;
    (d) 형성된 층의 일부를 형성된 층의 나머지 부분이 정렬 영역의 오목부에만 남아 있도록 정렬 영역으로부터 제거하는 단계;
    (e) 고 콘트라스트 재료의 일부를 고 콘트라스트 재료의 나머지 부분이 정렬 영역의 오목부에만 남아 있도록 정렬 영역으로부터 제거하는 단계; 및
    (g) 정렬 영역의 오목부의 형성된 층의 나머지 부분을 제거하여 정렬 영역의 오목부에 남아 있는 고 콘트라스트 재료를 노출시키는 단계를 포함하는, 임프린트 나노리소그래피 기판의 패턴형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 고 콘트라스트 재료를 특징부 영역 상에 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 형성된 층을 특징부 영역으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 형성된 층은 정렬 영역에 걸쳐 제 1 두께 및 특징부 영역에 걸쳐 제 2 두께를 가질 수 있고, 제 1 두께는 제 2 두께보다 더 큰 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 고 콘트라스트 재료를 특징부 영역으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 형성된 층은 기판 상에 중합성 재료를 디스펜스하고, 중합성 재료를 임프린트 주형과 접촉시키고, 중합성 재료를 고화시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 형성된 층은 스핀-온 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 형성된 층은 패턴형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 형성된 층은 다른 에칭 속도를 갖는 적어도 두개의 다른 층들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 다른 층들 중 하나는 평탄화된 층이고 두 다른 층들 중 또 다른 층은 패턴형성된 층인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 다른 층들의 적어도 둘 사이에 배치된 하드 마스크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 다른 층들 중 하나는 평탄화된 층이고 두 다른 층들 중 또 다른 층은 패턴형성된 층인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. (a) 복수의 돌출부 및 오목부를 기판의 정렬 영역 및 특징부 영역에 형성하는 단계;
    (b) 고 콘트라스트 재료를 정렬 영역 상에 부착하는 단계;
    (c) 중합성 재료를 기판 상에 디스펜스하고, 중합성 재료를 정렬 및 특징부 영역과 겹쳐서 임프린트 주형과 접촉시키되, 임프린트 주형은 정렬 영역과 겹쳐서 주형의 그 영역에서 투명하고 특징부 영역과 겹쳐서 주형의 그 영역에서 실질적으로 불투명하며, 정렬 영역 상에 중합성 재료를 고화시키기 위해 중합성 재료를 조사함으로써 정렬 영역 상에 층을 형성하는 단계;
    (d) 형성된 층의 일부를 형성된 층의 나머지 부분이 정렬 영역의 오목부에만 남아 있도록 정렬 영역으로부터 제거하는 단계;
    (e) 고 콘트라스트 재료의 일부를 고 콘트라스트 재료의 나머지 부분이 정렬 영역의 오목부에만 남아 있도록 정렬 영역으로부터 제거하는 단계; 및
    (g) 정렬 영역의 오목부의 형성된 층의 나머지 부분을 제거하여 정렬 영역의 오목부에 남아 있는 고 콘트라스트 재료를 노출시키는 단계를 포함하는, 임프린트 나노리소그래피 기판의 패턴형성 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 고 콘트라스트 재료를 특징부 영역 상에 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 특징부 영역으로부터 고 콘트라스트 재료를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 형성된 층은 다른 에칭 속도를 갖는 적어도 두개의 다른 층들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 다른 층들의 적어도 둘 사이에 하드 마스크를 추가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 1 측면 및 제 2 측면을 가진 본체;
    제 1 패턴을 한정하는 특징부 영역을 갖는 패턴형성된 표면을 갖는, 본체의 제 1 측면에 위치된 몰드;
    정렬 마크의 오목부에만 위치된 고 콘트라스트 재료를 갖고, 복수의 돌출부 및 오목부로 형성된, 특징부 영역의 외부의 패턴형성된 표면에서 형성된 정렬 마크를 포함하는, 기판 상에 위치된 성형성 재료를 패턴형성하기 위한 임프린트 주형.
  19. 제 18 항에 있어서, 고 콘트라스트 재료는 주형 본체와는 다른 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 주형.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 오목부 내에 고 콘트라스트 재료 위에 위치된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주형.
  21. 제 20 항에 있어서, 보호층은 SiO2, 비정질 Si, SiN2, Al2O3, 및 SiC로 구성되는 군으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 주형.
KR1020127019419A 2010-02-05 2011-02-04 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형 KR101772993B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30189510P 2010-02-05 2010-02-05
US61/301,895 2010-02-05
PCT/US2011/023792 WO2011097514A2 (en) 2010-02-05 2011-02-04 Templates having high contrast alignment marks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120125473A true KR20120125473A (ko) 2012-11-15
KR101772993B1 KR101772993B1 (ko) 2017-08-31

Family

ID=44343828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127019419A KR101772993B1 (ko) 2010-02-05 2011-02-04 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8961852B2 (ko)
JP (1) JP5769734B2 (ko)
KR (1) KR101772993B1 (ko)
TW (1) TWI577533B (ko)
WO (1) WO2011097514A2 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2618978B1 (en) * 2010-09-24 2016-11-09 Canon Nanotechnologies, Inc. High contrast alignment marks through multiple stage imprinting
US8967992B2 (en) 2011-04-25 2015-03-03 Canon Nanotechnologies, Inc. Optically absorptive material for alignment marks
JP5831012B2 (ja) * 2011-07-27 2015-12-09 大日本印刷株式会社 インプリント用位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレートおよびその製造方法
JP5651573B2 (ja) * 2011-11-18 2015-01-14 株式会社東芝 テンプレート処理方法
KR101856231B1 (ko) 2011-12-19 2018-05-10 엘지이노텍 주식회사 나노패턴을 구비한 투명기판 및 그 제조방법
WO2013111631A1 (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 旭硝子株式会社 ナノインプリントモールド用ブランク、ナノインプリントモールドおよびそれらの製造方法
JP2014011254A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Dainippon Printing Co Ltd 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法
JP2014049658A (ja) * 2012-08-31 2014-03-17 Toshiba Corp パターン形成方法及びテンプレート
JP6278383B2 (ja) * 2013-10-24 2018-02-14 国立研究開発法人産業技術総合研究所 高コントラスト位置合わせマークを備えたモールドの製造方法
JP6417728B2 (ja) * 2014-06-09 2018-11-07 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法
JP6394112B2 (ja) * 2014-06-26 2018-09-26 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法およびテンプレート
JP6394114B2 (ja) * 2014-06-27 2018-09-26 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法およびテンプレート
JP6560490B2 (ja) * 2014-12-10 2019-08-14 キヤノン株式会社 顕微鏡システム
JP6965557B2 (ja) * 2016-04-28 2021-11-10 大日本印刷株式会社 インプリント用テンプレート及びインプリント用テンプレートの製造方法
US11131922B2 (en) 2016-06-06 2021-09-28 Canon Kabushiki Kaisha Imprint lithography template, system, and method of imprinting
KR102547143B1 (ko) * 2016-09-27 2023-06-23 일루미나, 인코포레이티드 임프린팅된 기판
JP6308281B2 (ja) * 2016-10-21 2018-04-11 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法
JP6692311B2 (ja) * 2017-03-14 2020-05-13 キオクシア株式会社 テンプレート
US11126083B2 (en) * 2018-01-24 2021-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Superstrate and a method of using the same
JP2018133591A (ja) * 2018-05-18 2018-08-23 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法
JP6607293B2 (ja) * 2018-08-28 2019-11-20 大日本印刷株式会社 テンプレート
JP2020035924A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 キオクシア株式会社 原版
JP2019009469A (ja) * 2018-10-09 2019-01-17 大日本印刷株式会社 部材
JP6642689B2 (ja) * 2018-12-04 2020-02-12 大日本印刷株式会社 インプリント用テンプレート及びインプリント方法
JP6835167B2 (ja) * 2019-08-28 2021-02-24 大日本印刷株式会社 テンプレートの製造方法
JP7336373B2 (ja) 2019-12-10 2023-08-31 キヤノン株式会社 型を製造する方法、型、インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP7374826B2 (ja) 2020-03-19 2023-11-07 キオクシア株式会社 テンプレートの製造方法
JP2021150481A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 キオクシア株式会社 テンプレート、テンプレートの製造方法、および半導体装置の製造方法
KR102379451B1 (ko) * 2021-04-27 2022-03-28 창원대학교 산학협력단 대면적 패턴 제작용 몰드, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 성형 방법

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60111425A (ja) 1983-11-22 1985-06-17 Toshiba Corp 位置合わせ用マ−クの形成方法
US5477058A (en) 1994-11-09 1995-12-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Attenuated phase-shifting mask with opaque reticle alignment marks
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
EP1303792B1 (en) 2000-07-16 2012-10-03 Board Of Regents, The University Of Texas System High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography
EP1352295B1 (en) 2000-10-12 2015-12-23 Board of Regents, The University of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
US20050064344A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 University Of Texas System Board Of Regents Imprint lithography templates having alignment marks
DE10307518B4 (de) 2002-02-22 2011-04-14 Hoya Corp. Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US7027156B2 (en) 2002-08-01 2006-04-11 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US6916584B2 (en) 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US7070405B2 (en) 2002-08-01 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Alignment systems for imprint lithography
US6936194B2 (en) 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US20040065252A1 (en) 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US8349241B2 (en) 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US7179396B2 (en) 2003-03-25 2007-02-20 Molecular Imprints, Inc. Positive tone bi-layer imprint lithography method
US7396475B2 (en) 2003-04-25 2008-07-08 Molecular Imprints, Inc. Method of forming stepped structures employing imprint lithography
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7136150B2 (en) 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
EP1526411A1 (en) 2003-10-24 2005-04-27 Obducat AB Apparatus and method for aligning surface
US7130049B2 (en) 2003-12-24 2006-10-31 Asml Netherlands B.V. Method of measurement, method for providing alignment marks, and device manufacturing method
US8076386B2 (en) 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
JP4573873B2 (ja) 2004-06-03 2010-11-04 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム マイクロリソグラフィにおけるアラインメントとオーバーレイを改善するシステムおよび方法
US7785526B2 (en) 2004-07-20 2010-08-31 Molecular Imprints, Inc. Imprint alignment method, system, and template
US7309225B2 (en) 2004-08-13 2007-12-18 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template
US7630067B2 (en) 2004-11-30 2009-12-08 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices
JP4330168B2 (ja) * 2005-09-06 2009-09-16 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、及びチップの製造方法
TW200801794A (en) 2006-04-03 2008-01-01 Molecular Imprints Inc Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and a plurality of alignment marks
US7547398B2 (en) 2006-04-18 2009-06-16 Molecular Imprints, Inc. Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features
US8012395B2 (en) 2006-04-18 2011-09-06 Molecular Imprints, Inc. Template having alignment marks formed of contrast material
US7780431B2 (en) 2006-09-14 2010-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanoimprint molds and methods of forming the same
US7837907B2 (en) 2007-07-20 2010-11-23 Molecular Imprints, Inc. Alignment system and method for a substrate in a nano-imprint process
US20090148032A1 (en) 2007-12-05 2009-06-11 Molecular Imprints, Inc. Alignment Using Moire Patterns
JP2009298041A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Toshiba Corp テンプレート及びパターン形成方法
US20100092599A1 (en) 2008-10-10 2010-04-15 Molecular Imprints, Inc. Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography
US9625811B2 (en) * 2009-12-18 2017-04-18 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography

Also Published As

Publication number Publication date
TW201134646A (en) 2011-10-16
KR101772993B1 (ko) 2017-08-31
WO2011097514A2 (en) 2011-08-11
TWI577533B (zh) 2017-04-11
WO2011097514A3 (en) 2011-10-13
JP2013519236A (ja) 2013-05-23
US20110192302A1 (en) 2011-08-11
JP5769734B2 (ja) 2015-08-26
US8961852B2 (en) 2015-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101772993B1 (ko) 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형
US8012395B2 (en) Template having alignment marks formed of contrast material
JP5188192B2 (ja) モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法
US8012394B2 (en) Template pattern density doubling
KR101114172B1 (ko) 몰드 및 반도체 제조 방법
JP2009182075A (ja) インプリントによる構造体の製造方法
JP7222606B2 (ja) エッチングマスク構造を形成するための方法
KR102379626B1 (ko) 차광 재료를 구비한 나노임프린트 템플릿 및 제작 방법
KR102445641B1 (ko) 수퍼스트레이트 및 수퍼스트레이트의 사용 방법
KR101861644B1 (ko) 다단계 임프린팅을 통한 고콘트라스트 정렬 마크
KR102046933B1 (ko) 비-볼록 형상의 나노구조의 패터닝
JP5728478B2 (ja) 隣接するフィールドのアラインメント方法
US7060625B2 (en) Imprint stamp
KR20150100610A (ko) 나노임프린트 몰드의 제조 방법
JP6972581B2 (ja) インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法
JP6394112B2 (ja) テンプレートの製造方法およびテンプレート
US20230205080A1 (en) Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article
JP6607293B2 (ja) テンプレート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant