KR102379451B1 - 대면적 패턴 제작용 몰드, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 성형 방법 - Google Patents

대면적 패턴 제작용 몰드, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 성형 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대면적의 패턴을 제작 시 정렬 마크를 사용하지 않고 미세 패턴 간 정밀 정렬을 수행하기 위한 것으로, 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드는 마스터 기판에 패턴을 복제하는 영역인 제1 영역과, 상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지며, 제1 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역인 제2 영역과, 상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지고 상기 이전 패턴 영역과 결합되며, 상기 제1 방향의 수직 방향인 제2 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역인 제3 영역을 포함한다.
한편, 본 발명은 2020년도 교육부의 재원으로 한국연구재단의 지원을 받아 수행된 지자체-대학 협력기반 지역혁신 사업의 결과로서 "연구과제명: R2R장비 및 Mesoporous Silica Nanoparticle을 이용한 5G급 모바일 회로용 저유전율 필름 코팅기술 개발(과제고유번호: 2020-0257, 연구기간: 2020.05.01. ~ 2021.12.31.)"를 통해 창원대학교 산학협력단(주관연구기관)에 의해 개발된 기술에 관한 것이다.

Description

대면적 패턴 제작용 몰드, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 성형 방법{MOLD FOR MANUFACTURING LARGE AREA PATTERN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE SAME}
본 발명은 대면적 패턴 제작용 몰드, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 성형 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 임프린트 공정에서 반복되는 패턴 영역을 서로 겹쳐 다음 패턴 영역에 패턴이 복제되도록 정렬시켜 연속적으로 대면적의 패턴 복제에 사용되는 대면적 패턴 제작용 몰드, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 성형 방법에 관한 것이다.
나노 임프린트 리소그래피는 패턴 몰드와 기판을 직접 접촉시킨 상태에서 열이나 UV 등을 가하여 몰드의 형성을 기판 쪽으로 찍어내는 공정으로, 기존의 리소그래피 방법들의 문제점으로 지적된 높은 공정 단가, 광원 회절에 의한 분해능의 한계, 긴 공정시간 등을 보완한 방법이다. 나노 임프린트 리소그래피는 열 경화식, UV 경화식으로 크게 두 가지 방식으로 구분될 수 있다. 공정에 사용되는 액상의 고분자는 단위체(Monomer)와 소중합체(Oligomer)로 이루어져 있으며 중합반응(Polymerization)을 위해 첨가되는 개시제(Initiator)가 열에 반응하는지, UV 광에 반응하는지에 따라 나뉘게 된다.
한편, 대면적의 패턴을 제작하는 대표적인 기술로 스텝 앤 리핏 UV 나노 임프린트 리소그래피가 공개되어 있다. 도 1을 참조하면, 이는 패턴 몰드 상에 식각되어 있는 정렬 마크(M)를 일치시켜 패턴을 정밀 정렬하고, 쉐도우 마스크를 활용하여 경화하고자 하는 영역만 연속적으로 패턴을 형성하는 기술이다. 여기서, 기판(S)을 이송시기키 위한 롤투롤(Roll to Roll) 시스템과 패턴 정렬 영상을 촬영하기 위한 비전 정렬 시스템이 도입될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 정렬 마크(M)는 패턴(P)과 구분하기 위해 보통 원형과 십자가 형상을 사용하며, 패턴 크기 보다 크게 식각하여 사용한다. 패턴의 정밀 정렬 공정은 원형과 십자가의 중심점을 맞추는 방법으로 수행된다.
그런데, 상술한 정렬 공정은 정렬 마크를 계속 필요로 하게 된다. 따라서 연속적인 패터닝을 할 때 정렬 마크도 연속적으로 생성되어야 하므로 최종적으로 제작된 대면적의 패턴에는 도 1에 도시된 바와 같은 정렬 마크가 일정한 주기로 남게 된다. 또한, 상술한 바와 같이 정렬 마크는 패턴 보다 크다. 따라서, 대면적의 패턴에 있어 정렬 마크는 연속적으로 발생되는 결함으로 간주될 수 있다.
한편, 본 발명은 2020년도 교육부의 재원으로 한국연구재단의 지원을 받아 수행된 지자체-대학 협력기반 지역혁신 사업의 결과로서 "연구과제명: R2R장비 및 Mesoporous Silica Nanoparticle을 이용한 5G급 모바일 회로용 저유전율 필름 코팅기술 개발(과제고유번호: 2020-0257, 연구기간: 2020.05.01. ~ 2021.12.31.)"를 통해 창원대학교 산학협력단(주관연구기관)에 의해 개발된 기술에 관한 것이다.
본 발명의 과제는 상술한 종래 기술이 가진 문제를 해결하기 위해 고안된 것으로, 대면적의 패턴을 제작 시 정렬 마크를 사용하지 않고 미세 패턴 간 정밀 정렬을 수행할 수 있는 새로운 형태의 발명을 제시하고자 한다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드는, 연속적인 임프린트 공정을 통해 미세 패턴을 정렬시켜 대면적화 하는 대면적 패턴 제작용 몰드에 있어서, 마스터 기판에 패턴을 복제하는 영역인 제1 영역과, 상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지며, 제1 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역인 제2 영역과, 상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지고 상기 이전 패턴 영역과 결합되며, 상기 제1 방향의 수직 방향인 제2 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역인 제3 영역을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 영역의 제1 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제2 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같은 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제3 영역의 제2 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제3 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같은 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 제2 영역 또는 제3 영역의 패턴 형상은 상기 이전 패턴 영역의 형상과 역상 관계인 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역 내지 제3 영역의 패턴 형상은 음각의 격벽 구조가 배열된 형상인 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역 내지 제3 영역의 패턴 형상은 다각형의 격벽 구조가 배열된 형상인 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역 내지 제3 영역을 제외한 나머지 영역으로 UV광을 차단하는 영역인 제4 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제4 영역은 크롬으로 증착되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법은, 몰드용 기판에 제1 영역 내지 제3 영역을 제외한 나머지 영역에 UV광 차단물질을 증착하는 단계; 상기 UV광 차단물질이 증착된 몰드용 기판의 일면에 레진을 도포하는 단계; 상기 레진이 도포된 몰드용 기판의 일면에 마스터 몰드를 가압하는 단계; 상기 몰드용 기판에 UV광을 조사하여 레진을 경화시키는 단계; 및 상기 마스터 몰드를 제거하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 제1 영역은 마스터 기판에 패턴을 복제하는 영역이고, 제2 영역 또는 제3 영역은 상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역과 결합되어 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역인 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 제1 방향을 따라 상기 제2 영역의 일측에 제1 영역이 위치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 제1 방향의 수직 방향인 제2 방향을 따라 상기 제3 영역의 일측에 제1 영역이 위치하는 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 마스터 몰드의 가압에 의해 상기 제1 내지 제3 영역에는 음각의 패턴 형상이 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 몰드용 기판에 레진이 도포되기 전 상기 UV광 차단물질이 증착된 몰드용 기판의 일면에 열 경화 표면 처리하는 단계;를 더 포함한다.
여기서, 상기 UV광 차단물질은 크롬인 것을 특징으로 한다.
또한, 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역 내지 제3 영역에 패턴이 형성된 후 이형 처리하는 단계;를 더 포함한다.
한편, 본 발명에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용한 성형 방법은, 몰드용 기판에 형성된 패턴 복제 영역인 제1 영역을 이용하여 마스터 기판에 패턴을 복제하는 단계; 및 상기 몰드용 기판에 형성된 패턴 정렬 영역인 제2 영역을 상기 마스터 기판에 형성된 이전 패턴 영역에 겹쳐 제1 영역을 상기 마스터 기판의 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 제1 영역과 제2 영역은 수평 방향인 제1 방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 영역의 일측 끝단과 상기 이전 패턴 영역의 일측 끝단이 서로 일치되도록 겹치는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용한 성형 방법은, 몰드용 기판에 형성된 패턴 복제 영역인 제1 영역을 이용하여 마스터 기판에 패턴을 복제하는 단계; 및 상기 몰드용 기판에 형성된 패턴 정렬 영역인 제3 영역을 상기 마스터 기판에 형성된 이전 패턴 영역에 겹쳐 제1 영역을 상기 마스터 기판의 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 제1 영역과 제3 영역은 수직 방향인 제2 방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제3 영역의 일측 끝단과 상기 이전 패턴 영역의 일측 끝단이 서로 일치되도록 겹치는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 몰드용 기판에 형성된 패턴 자체가 정렬 마크의 기능을 수행하므로 정렬 마크의 사용 없이 패턴간 정렬이 정밀하게 수행될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 몰드용 기판을 이용하여 수평 방향인 제1 방향과 수직 방향인 제2 방향 모두 마스터 기판에 패턴 복제가 가능한 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 몰드용 기판의 패턴 정렬 영역인 제2 영역 또는 제3 영역의 일측 끝단과 마스터 기판에 형성된 이전 패턴 영역의 일측 끝단을 맞추어 겹칠 수 있으므로 제1 영역을 마스터 기판의 다음 패턴 영역에 정렬하는 것이 용이하다.
도 1은 종래 임프린트 공정에 의해 제작된 대면적 패턴에 정렬마크가 나타난 상태를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 영역 내지 제3 영역에 형성된 패턴 형상을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드의 제작 순서를 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 공정을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용하여 마스터 기판 상에 제1 방향으로 패턴을 복제하는 과정을 나타낸 도면.
도 7은 도 6에 도시된 마스터 기판 상에 패턴이 복제된 A 영역을 확대한 도면.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용하여 마스터 기판 상에 제2 방향으로 패턴을 복제하는 과정을 나타낸 도면.
도 9는 도 8에 도시된 마스터 기판 상에 복제된 패턴 형상과 몰드용 기판의 제3 영역이 겹쳐져 있는 B 영역을 확대한 도면.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 바람직한 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 성형 방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 동일한 구성에 대해서는 동일부호를 사용하며, 반복되는 설명, 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
< 대면적 패턴 제작용 몰드 >
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 나타낸 도면이다.
본 발명에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드는 일명 스탬프라고도 하는데, 마스터 기판(10)(도 6 및 도 8 참조)에 대면적의 패턴을 연속적으로 복제하기 위해 사용되는 몰드이다. 일반적으로, 스텝 앤 리핏 나노 임프린트 공정에서는 패턴 정렬을 위해 정렬 마크가 사용되는데, 본 발명에서는 패턴 자체가 정렬 마크로 사용되므로 정렬 마크가 필요 없다. 이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 제작용 몰드의 구체적인 구성을 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드는 일면에 제1 영역(110) 내지 제4 영역(140)이 형성된 몰드용 기판(100)을 포함한다.
몰드용 기판(100)은 석영, 글래스 등과 같이 자외선(UV광)이 투과할 수 있고 소정의 압력을 견딜 수 있는 재료로 구성되나, 재질에는 한정이 없다. 본 발명의 일 실시예에서는 몰드용 기판(100)이 글래스로 구성된다.
제1 영역(110)은 마스터 기판(10)에 패턴을 복제하려는 영역이다. 즉, 제1 영역에 의해 마스터 기판(10)에 패턴이 복제된다. 마스터 기판(10)에 복제하려는 패턴이 형성되려면 제1 영역(110)에 형성된 패턴 형상은 마스터 기판(10)의 패턴 형상과 역상으로 형성되어야 한다. 제1 영역(110)의 구체적인 패턴 형상 및 제조 방법에 대해서는 후술하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 영역(110)은 가로 길이(a) 및 세로 길이(b)를 갖는 4개의 모서리를 갖는 사각형으로 구성된 영역이다. 제1 영역(110)의 모서리는 제1 방향으로 형성된 제1-1 내측 모서리(111) 및 제1-2 외측 모서리(112)와, 제2 방향으로 형성된 제1-3 내측 모서리(113) 및 제1-4 외측 모서리(114)로 구성된다. 제2 방향은 제1 방향의 수직 방향이다. 한편, 내측 및 외측 방향은 몰드용 기판(100)을 기준으로 구분되는 방향으로, 예를 들어, 내측 모서리는 외측 모서리 보다 몰드용 기판(100)의 안쪽에 위치하는 모서리이다. 또한, 제1 방향 및 제2 방향은 임프린트 공정에서 몰드용 기판(100)이 이동하는 방향을 기준으로 구분되는 방향이다. 본 발명의 일 실시예에서는 제1 방향을 우측 방향으로 하고 제2 방향을 하측 방향으로 하였으나, 구분 방향은 다양하게 설정될 수 있다. 한편, 제1 영역(110)의 가로 길이(a) 및 세로 길이(b)는 서로 같거나 다르게 설정될 수 있다.
제2 영역(120)은 패턴 정렬을 위한 영역이다. 구체적으로, 제2 영역(120)은 마스터 기판(10)에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹침으로써 마스터 기판(10)에 복제할 다음 패턴 영역을 제1 방향으로 정렬하기 위한 영역이다. 여기서 마스터 기판(10) 상의 다음 패턴 영역과 대응되는 영역이 몰드용 기판(100)의 제1 영역(110)이다.
마스터 기판(10)에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 결합되기 위해서는 제2 영역(120)에 형성된 패턴 형상은 마스터 기판(10)의 이전 패턴 영역의 형상과 역상으로 형성되어야 한다. 제2 영역(120)의 구체적인 패턴 형상 및 제조 방법에 대해서는 후술하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에서 제2 영역(120)은 제1 영역(110)의 일측에 위치한다. 이때, 제1 방향을 따라 제2 영역(120)과 제1 영역(110)이 나란히 배치된다. 도 2에는 제2 영역(120)이 제1 영역(110)의 좌측에 위치한 예가 도시되어 있다. 다만, 상술한 바와 같이, 제1 방향이 바뀌면 제1 영역(110)과 제2 영역(120)의 위치도 변할 수 있다. 제2 영역(120)은 4개의 모서리를 갖는 사각형으로 구성된 영역이다. 제2 영역(120)의 크기는 제한이 없으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 영역(120)의 크기는 제1 영역(110)의 크기 보다 작다. 제2 영역(120)의 모서리는 제1 방향으로 형성된 제2-1 내측 모서리(121)와 제2-2 외측 모서리(122)를 포함한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서 제2-2 외측 모서리(122)부터 제1-1 내측 모서리(111)까지의 길이(a)는 제1 영역(110)의 제1-1 내측 모서리(111)부터 제1-2 외측 모서리(112)까지의 길이(a)와 같게 형성된다. 이는 제2 영역(120)을 마스터 기판(10)의 이전 패턴 영역의 일측 끝단 모서리와 결합시켜 제1 영역(110)을 마스터 기판(10)의 다음 패턴 영역에 위치하도록 기준을 잡기가 용이하기 때문이다.
다만, 본 발명의 다른 실시예에서 제2-1 외측 모서리(122)와 제1-1 내측 모서리(111) 간의 거리는 다양하게 설정될 수 있다.
제3 영역(130)은 제2 영역(120)의 기능과 마찬가지로 패턴 정렬을 위한 영역이다. 구체적으로, 제3 영역(130)은 마스터 기판(10)에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹침으로써 마스터 기판(10)에 복제할 다음 패턴 영역을 제2 방향으로 정렬하기 위한 영역이다. 여기서 마스터 기판(10) 상의 다음 패턴 영역과 대응되는 영역이 몰드용 기판(100)의 제1 영역(110)이다.
마스터 기판(10)에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 결합되기 위해서는 제3 영역(130)에 형성된 패턴 형상은 마스터 기판(10)의 이전 패턴 영역의 형상과 역상으로 형성되어야 한다. 제3 영역(130)의 구체적인 패턴 형상 및 제조 방법에 대해서는 후술하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에서 제3 영역(130)은 제1 영역(110)의 타측에 위치한다. 이때, 제2 방향을 따라 제3 영역(130)과 제1 영역(110)이 나란히 배치된다. 도 2에는 제3 영역(130)이 제1 영역(110)의 상측에 위치한 예가 도시되어 있다. 다만, 상술한 바와 같이, 제2 방향이 바뀌면 제1 영역(110)과 제3 영역(130)의 위치도 변할 수 있다. 제3 영역(130)은 4개의 모서리를 갖는 사각형으로 구성된 영역이다. 제3 영역(130)의 크기는 제한이 없으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 제3 영역(130)의 크기는 제1 영역(110)의 크기 보다 작다. 제3 영역(130)의 모서리는 제2 방향으로 형성된 제3-1 내측 모서리(131)와 제3-2 외측 모서리(132)를 포함한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서 제3-2 외측 모서리(132)부터 제1-3 내측 모서리(113)까지의 길이(b)는 제1 영역(110)의 제1-3 내측 모서리(113)부터 제1-4 외측 모서리(114)까지의 길이(b)와 같게 형성된다. 이는 제3 영역(130)을 마스터 기판(10)의 이전 패턴 영역의 일측 끝단 모서리와 결합시켜 제1 영역(110)을 마스터 기판(10)의 다음 패턴 영역에 위치하도록 기준을 잡기가 용이하기 때문이다.
다만, 본 발명의 다른 실시예에서 제3-2 외측 모서리(132)와 제1-3 내측 모서리(113) 간의 거리는 다양하게 설정될 수 있다.
제4 영역(140)은 몰드용 기판(100)의 제1 영역(110) 내지 제3 영역(140)을 제외한 나머지 영역이다. 제4 영역(140)은 UV광이 투과하지 못하도록 UV광 차단물질이 형성된다. 본 발명의 일 실시예에서 UV광 차단물질은 크롬(141)이 사용된다. 다만, UV광을 차단할 수 있다면 크롬(141)외 다양한 물질이 사용될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 영역 내지 제3 영역에 형성된 패턴 형상을 나타낸 도면이다.
도 3에는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 영역(110) 내지 제3 영역(130)에 형성된 패턴 형상이 도시되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 각 영역(110, 120, 130)에 형성된 패턴 형상은 육각의 격벽 구조가 음각 형태로 구성되어 일정하게 배열되어 있다. 각 영역(110, 120, 130)이 이러한 형태의 패턴 형상으로 구성되면, 제1 영역(110)에 의해 마스터 기판(10)에는 양각으로 육각의 격벽 구조가 배열된 패턴이 형성되고, 제2 영역(120) 및 제3 영역(130)은 마스터 기판(10)에 형성된 양각의 육각 격벽 구조의 배열과 겹쳐질 수 있다.
다만, 본 발명의 다른 실시예에서 각 영역(110, 120, 130)에 형성된 패턴 형상은 다양한 패턴 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 패턴 형상은 다각형의 격벽 구조 또는 필라 구조가 배열된 형태일 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면 몰드용 기판(100)에는 패턴 복제와 패턴 정렬을 위해 세 개의 영역(110, 120, 130)이 사용되나, 본 발명의 다른 실시예에서는 두 개의 영역이 사용될 수 있다. 즉 제1 영역(110)은 패턴 복제 영역으로 사용되고, 제2 영역(120) 또는 제3 영역(130) 중 어느 하나만 사용될 수도 있다.
< 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법 >
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드의 제작 순서를 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 공정을 나타낸 도면이다.
한편, 도 5에는 몰드용 기판(100)의 제1 영역(110)과 제3 영역(130)이 나타난 단면을 중심으로 도시되어 있다. 따라서, 제2 영역(120)은 도 5에 도시되어 있지 않으나 제1 영역(110)의 일측에 형성되어 있음은 본 명세서를 통해 충분히 예측될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드의 제작 방법은, 증착 단계, 레진 도포 단계, 가압 단계, 레진 경화 단계 및 디몰딩 단계를 포함한다. 본 명세서에서 기술된 대면적 패턴 제작용 몰드의 제작 방법은 개략적인 단계만 소개된 것으로 나노 임프린트 공정에 필요한 자세한 공정은 일반적인 기술이므로 생략한다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법을 설명한다.
우선, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 글래스(101) 즉, 몰드용 기판(100)의 일면 중 제1 영역(110) 내지 제3 영역(130)을 제외한 나머지 영역(140)에 UV광 차단물질을 증착시킨다. 이는 도 4의 증착 단계에 해당된다. 상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서 UV광 차단물질로 크롬이 사용된다. UV광 차단물질이 증착되면 증착된 면에 일정한 온도 및 시간 조건 하에서 열 경화 표면 처리가 수행된다.
다음으로, UV광 차단물질이 증착된 몰드용 기판(100)의 일면에 레진을 도포한다. 이는 도 4의 레진 도포 단계에 해당된다. 레진 도포는 스핀 코팅, 디스펜싱, 디핑 등 다양한 방법이 사용될 수 있다.
다음으로, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 레진이 도포된 몰드용 기판(100)의 일면에 마스터 몰드(105)를 가압한다. 이는 도 4에서 가압 단계에 해당된다. 마스터 몰드(105)는 마스터 기판(10)에 복제하고자 하는 패턴 형상을 갖는 몰드이다.
다음으로, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이, 몰드용 기판(100)의 타면에 UV광을 조사하여 레진을 경화시킨다. 이는 도 4에서 레진 경화 단계에 해당된다.
다음으로, 도 5의 (d)에 도시된 바와 같이, 레진 경화가 끝나면 마스터 몰드(105)를 제거한다. 이는 도 4의 디몰딩 단계에 해당된다.
디몰딩 단계가 끝나면 제1 영역(110) 내지 제3 영역(130)에 형성된 패턴과 마스터 기판(10)과의 간섭을 방지하고, 패턴 제작용 몰드로 사용하기 위해 이형 처리 단계가 수행된다.
< 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용한 패턴 성형 방법 >
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용하여 마스터 기판 상에 제1 방향으로 패턴을 복제하는 과정을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6에 도시된 마스터 기판 상에 패턴이 복제된 A 영역을 확대한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용하여 마스터 기판 상에 제2 방향으로 패턴을 복제하는 과정을 나타낸 도면이며, 도 9는 도 8에 도시된 마스터 기판 상에 복제된 패턴 형상과 몰드용 기판의 제3 영역이 겹쳐져 있는 B 영역을 확대한 도면이다.
이하, 도 6 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용한 성형 방법을 설명한다.
도 6은 마스터 기판(10)에 제1 방향으로 패턴을 복제하는 과정을 나타낸다. 도 6의 (a)는 패턴 제작용 몰드에 의해 마스터 기판(10)의 A 영역에 패턴이 형성된 상태를 나타낸다. 즉, 마스터 기판(10)의 A 영역에 UV광 경화성 레진을 도포한 후 몰드용 기판(100)의 제1 영역(110)이 A 영역에 위치시켜 가압한 후 UV광을 조사하여 레진을 경화시키면 A 영역에 패턴이 형성된다. 이때, 크롬이 증착된 면에는 UV광이 차단됨은 물론이다. 다만, 마스터 기판(10)에 패턴을 복제하는 공정은 일반적인 나노 임프린트 공정이 사용되므로 자세한 내용은 생략한다.
상술한 바와 같이, 마스터 기판(10)에 나타난 패턴은 몰드용 기판(100)의 제1 영역(110)에 의해 복제된 패턴이다. 구체적으로 마스터 기판(10)에 나타난 패턴 형상은 도 7에 도시되어 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, A 영역에 형성된 패턴 형상은 양각의 육각 격벽 구조가 배열된 형상이다.
다음으로, A 영역(이전 패턴 영역)의 다음 영역에 A 영역의 패턴과 같은 패턴을 형성하기 위해 몰드용 기판(100)을 제1 방향(도 6에서 우측 방향)으로 이동시킨다. 이때, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 영역(120)의 일측 끝단(도 6에 도시된 제2 영역의 좌측 끝단)과 이전 패턴 영역의 일측 끝단(도 6에 도시된 이전 패턴 영역의 좌측 끝단)이 일치되도록 제2 영역(120)과 이전 패턴 영역을 겹친다. 그러면 제1 영역(110)은 제1 방향을 따라 마스터 기판(10)의 다음 패턴 영역에 위치하게 된다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2-2 외측 모서리(122)부터 제1-1 내측 모서리(111)까지의 길이(a)는 제1 영역(110)의 제1-1 내측 모서리(111)부터 제1-2 외측 모서리(112)까지의 길이(a)와 같게 형성되므로, 이전 패턴 영역과 다음 패턴 영역이 오차 없이 정렬될 수 있다. 이후, 제1 영역(110)이 위차한 다음 패턴 영역은 나노 임프린트 공정에 의해 패턴이 복제된다.
상술한 과정을 반복하면, 몰드용 기판(100)을 이용하여 제1 방향을 따라 마스터 기판(10)에 패턴 복제가 수행될 수 있고, 제2 영역(120) 자체가 패턴 정렬에 사용되므로 정렬 마크가 필요없다.
도 8은 마스터 기판(10)에 제2 방향으로 패턴을 복제하는 과정을 나타낸다. 도 8에는 마스터 기판(10)에 제1 방향으로 이전 패턴 영역들이 형성되어 있고, 가장 좌측에 위치한 이전 패턴 영역을 기준으로 하측 방향으로 패턴을 복제하는 과정이 도시되어 있다.
이전 패턴 영역의 다음 영역에 이전 패턴 영역의 패턴과 같은 패턴을 형성하기 위해 몰드용 기판(100)을 제2 방향(도 8에서 하측 방향)으로 이동시킨다. 도 8에 도시된 바와 같이 제3 영역(130)의 일측 끝단(도 8에 도시된 제3 영역의 상측 끝단)과 이전 패턴 영역의 일측 끝단(도 8에 도시된 이전 패턴 영역의 상측 끝단)이 일치되도록 제3 영역(130)과 이전 패턴 영역을 겹친다. 그러면 제1 영역(110)은 제2 방향을 따라 마스터 기판(10)의 다음 패턴 영역에 위치하게 된다. 한편, 도 9에는 제3 영역(130)과 이전 패턴 영역이 겹쳐진 B 영역이 도시되어 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, B 영역에 형성된 패턴 형상은 육각의 격벽 구조가 배열된 형상들이 서로 겹쳐져서 도시되어 있다.
한편, 도 6에서 제2 영역(120)과 이전 패턴 영역이 겹쳐진 형상은 도 9에 도시된 형상이 참조될 수 있다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이, 제3-2 외측 모서리(132)부터 제1-3 내측 모서리(113)까지의 길이(b)는 제1 영역(110)의 제1-3 내측 모서리(113)부터 제1-4 외측 모서리(114)까지의 길이(b)와 같게 형성되므로, 이전 패턴 영역과 다음 패턴 영역이 오차 없이 정렬될 수 있다. 이후, 제1 영역(110)이 위치한 다음 패턴 영역은 나노 임프린트 공정에 의해 패턴이 복제된다.
상술한 과정을 반복하면, 몰드용 기판(100)을 이용하여 제2 방향을 따라 마스터 기판(10)에 패턴 복제가 수행될 수 있고, 제3 영역(130) 자체가 패턴 정렬에 사용되므로 정렬 마크가 필요없다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10 : 마스터 기판 100 : 몰드용 기판
101 : 글래스 104 : 레진
105 : 마스터 몰드 107 : UV광
110 : 제1 영역 120 : 제2 영역
130 : 제3 영역 140 : 제4 영역
141 : 크롬

Claims (21)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 연속적인 임프린트 공정을 통해 미세 패턴을 정렬시켜 대면적화 하는 대면적 패턴 제작용 몰드에 있어서,
    마스터 기판에 패턴을 복제하는 영역인 제1 영역과,
    상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지며, 제1 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역인 제2 영역과,
    상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지고 상기 이전 패턴 영역과 결합되며, 상기 제1 방향의 수직 방향인 제2 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역인 제3 영역을 포함하고,
    상기 제2 영역 및 제3 영역 중 적어도 어느 하나가 상기 이전 패턴 영역과 겹쳐지면, 상기 다음 패턴 영역은 상기 이전 패턴 영역과의 경계에서 연속적인 패턴이 나타나도록 제1 내지 제3 영역 간 거리가 설정되고,
    상기 제1 내지 제3 영역은 각각 일정 거리 이격되어 별도의 독립 영역으로 형성되고,
    상기 제1 및 제2 영역의 제1 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제2 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같고,
    상기 제1 및 제3 영역의 제2 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제3 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같은 것을 특징으로 하는,
    대면적 패턴 제작용 몰드.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 영역 또는 제3 영역의 패턴 형상은 상기 이전 패턴 영역의 형상과 역상 관계인 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 영역 내지 제3 영역의 패턴 형상은 음각의 격벽 구조가 배열된 형상인 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 영역 내지 제3 영역의 패턴 형상은 다각형의 격벽 구조가 배열된 형상인 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 영역 내지 제3 영역을 제외한 나머지 영역으로 UV광을 차단하는 영역인 제4 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제4 영역은 크롬으로 증착되는 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드.
  11. 몰드용 기판에 제1 영역 내지 제3 영역을 제외한 나머지 영역에 UV광 차단물질을 증착하는 단계;
    상기 UV광 차단물질이 증착된 몰드용 기판의 일면에 레진을 도포하는 단계;
    상기 레진이 도포된 몰드용 기판의 일면에 마스터 몰드를 가압하는 단계;
    상기 몰드용 기판에 UV광을 조사하여 레진을 경화시키는 단계; 및
    상기 마스터 몰드를 제거하는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 영역은 마스터 기판에 패턴을 복제하는 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지고 제1 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역이며, 상기 제3 영역은 상기 마스터 기판에 복제된 이전 패턴 영역의 형상과 겹쳐지는 형상을 가지고 상기 제1 방향의 수직 방향인 제2 방향을 따라 상기 제1 영역을 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 영역이며,
    상기 제2 영역 및 제3 영역 중 적어도 어느 하나가 상기 이전 패턴 영역과 겹쳐지면, 상기 다음 패턴 영역은 상기 이전 패턴 영역과의 경계에서 연속적인 패턴이 나타나도록 제1 내지 제3 영역 간 거리가 설정되고,
    상기 제1 내지 제3 영역은 각각 일정 거리 이격되어 별도의 독립 영역으로 형성되고,
    상기 제1 및 제2 영역의 제1 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제2 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같고,
    상기 제1 및 제3 영역의 제2 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제3 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같은 것을 특징으로 하는,
    대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    제1 방향을 따라 상기 제2 영역의 일측에 제1 영역이 위치하는 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1 방향의 수직 방향인 제2 방향을 따라 상기 제3 영역의 일측에 제1 영역이 위치하는 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 마스터 몰드의 가압에 의해 상기 제1 내지 제3 영역에는 음각의 패턴 형상이 형성되는 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 몰드용 기판에 레진이 도포되기 전 상기 UV광 차단물질이 증착된 몰드용 기판의 일면에 열 경화 표면 처리하는 단계;를 더 포함하는 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 UV광 차단물질은 크롬인 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 영역 내지 제3 영역에 패턴이 형성된 후 이형 처리하는 단계;를 더 포함하는 대면적 패턴 제작용 몰드의 제조 방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 몰드용 기판에 형성된 패턴 복제 영역인 제1 영역을 이용하여 마스터 기판에 패턴을 복제하는 단계;
    상기 몰드용 기판에 형성된 패턴 정렬 영역인 제2 영역을 상기 마스터 기판에 형성된 이전 패턴 영역에 겹쳐 제1 영역을 상기 마스터 기판의 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 단계;
    상기 몰드용 기판에 형성된 패턴 정렬 영역인 제3 영역을 상기 마스터 기판에 형성된 이전 패턴 영역에 겹쳐 제1 영역을 상기 마스터 기판의 다음 패턴 영역에 위치하도록 정렬시키는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 영역과 제2 영역은 수평 방향인 제1 방향을 따라 형성되고, 상기 제1 영역과 제3 영역은 수직 방향인 제2 방향을 따라 형성되며,
    상기 제2 영역 및 제3 영역 중 적어도 어느 하나가 상기 이전 패턴 영역과 겹쳐지면, 상기 다음 패턴 영역은 상기 이전 패턴 영역과의 경계에서 연속적인 패턴이 나타나도록 제1 내지 제3 영역 간 거리가 설정되고,
    상기 제1 내지 제3 영역은 각각 일정 거리 이격되어 별도의 독립 영역으로 형성되고,
    상기 제1 및 제2 영역의 제1 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제2 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같고,
    상기 제1 및 제3 영역의 제2 방향으로 배치된 모서리를 기준으로, 상기 제1 영역의 내측 모서리부터 상기 제3 영역의 외측 모서리까지의 길이는 상기 제1 영역의 내외측 모서리 간 길이와 같은 것을 특징으로 하는,
    대면적 패턴 제작용 몰드를 이용한 패턴 성형 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 제3 영역의 일측 끝단과 상기 이전 패턴 영역의 일측 끝단이 서로 일치되도록 겹치는 것을 특징으로 하는 대면적 패턴 제작용 몰드를 이용한 패턴 성형 방법.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100884811B1 (ko) * 2007-09-07 2009-02-20 한국기계연구원 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
JP2009177146A (ja) * 2007-12-26 2009-08-06 Canon Inc インプリントによる基板の加工方法
KR20100056483A (ko) * 2007-08-03 2010-05-27 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법 및 기판 가공 방법
KR101772993B1 (ko) * 2010-02-05 2017-08-31 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형
KR20190123643A (ko) * 2018-04-24 2019-11-01 주식회사 엠씨넷 심라인 제어가 우수한 대면적 복제몰드의 제조방법 및 이로부터 제조된 대면적 복제몰드
KR102239538B1 (ko) * 2016-11-30 2021-04-14 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법, 임프린트 장치, 형, 및 물품 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100056483A (ko) * 2007-08-03 2010-05-27 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법 및 기판 가공 방법
KR100884811B1 (ko) * 2007-09-07 2009-02-20 한국기계연구원 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
JP2009177146A (ja) * 2007-12-26 2009-08-06 Canon Inc インプリントによる基板の加工方法
KR101772993B1 (ko) * 2010-02-05 2017-08-31 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 고 콘트라스트 정렬 마크를 갖는 주형
KR102239538B1 (ko) * 2016-11-30 2021-04-14 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 방법, 임프린트 장치, 형, 및 물품 제조 방법
KR20190123643A (ko) * 2018-04-24 2019-11-01 주식회사 엠씨넷 심라인 제어가 우수한 대면적 복제몰드의 제조방법 및 이로부터 제조된 대면적 복제몰드

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