KR20000035503A - 극소형 패턴 복제방법 - Google Patents

극소형 패턴 복제방법 Download PDF

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알프레드 엘. 미첼슨
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Abstract

본 발명은 극소형 패턴의 복제방법에 관한 것으로, 실린더형 롤러의 외표면에 패턴을 형성하는 단계, 패턴이 복제될 표면을 제공하는 단계 및 상기 실린더형 롤러로부터 극소형 패턴을 상기 표면에 전달하여 상기 표면상에 적어도 하나의 패턴의 복제를 제공하는 단계로 구성된다. 상기 롤러는 외표면에 패턴을 포함하도록 채용되며, 상기 패턴을 기판에 전달하게 된다. 최종 생산품은 격자 편광자가 될 수 있다.

Description

극소형 패턴 복제방법{REPLICATING A NANOSCALE PATTERN}
본 발명은 몰드로부터 기판상에 극소패턴을 복제하는 방법과, 이에 따라 생성된 자외선 및 가시광용 편광자에 관한 것이다.
몰드, 예를 들면 금속 몰드에 함몰부 및/또는 돌출부로 이루어진 패턴을 형성하는 것은 일반적이다. 이때, 상기 몰드는 상기 몰드패턴을 재생산하기 위하여 압축 또는 인쇄기술에 따라 사용된다. 그러나, 이러한 공정에 의해 얻어지는 해상도는 통상적으로 수 미크론에 한정된다.
따라서, 초소형의 패턴을 형성하는데는 석판인쇄술이 사용되었다. 이 기술은 집적회로 및 다른 반도체 장치의 생산에 사용되었다. 그러나, 이 기술은 복잡하고, 고가의 설비를 필요로 하는 경향이 있다. 이러한 문제점은 극소형의 패턴을 형성할 경우 더 심하다.
따라서, 크기가 나노미터인 임프린트(imprint) 패턴을 제조하기 위하여 나노임프린트 석판인쇄술이 발전하게 되었다. 이 기술은 수 나노미터의 패턴을 몰드에 제작하여야 한다. 상기 몰드는 금속 또는 절연체 같은 강성물질일 수 있다. 상기 몰드의 패턴은 전자빔 또는 X선 석판인쇄로 제작될 수 있다. 그 다음, 상기 기술에 따라 음화 또는 원하는 패턴이 에칭에 의해 생성된다.
상기 기술은 개별적 인쇄기술이 채용될 수 있는 작은 표면을 가진 물체에서 잘 이루어진다. 그러나, 크고 반복적인 패턴을 넓은 표면에 정확하게 인쇄하는 것이 바람직하다. 이는 다수개의 소품으로 분할되는 대형 시트 또는 디스플레이 패널과 같이 단일품일 수 있다. 하나의 잠재적 응용분야는 편광자, 특히 자외선 및 가시광용 격자 편광자이다. 또 다른 응용분야는 생화학 분석공정에 사용되는 구조물의 제조이다.
본 발명의 목적은 몰드 인쇄로 나노미터 크기의 패턴을 제조하는 개선된 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 디스플래이 패널과 같이 큰 표면에 정밀한 나노미터 크기의 패턴을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 큰 표면에 다수개의 동일한 나노미터 크기의 패턴을 형성하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 몰드 인쇄로 나노미터 크기의 패턴을 제조하기 위한 단순하고 저렴한 압연장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 개선된 자외선 또는 가시광용 격자 편광자를 제공하는 것이다.
부분적으로, 본 발명은 원형 롤러의 표면에 극소형 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴이 복제될 기판 표면을 제공하는 단계 및 상기 기판 표면에 극소형 패턴을 전달하여 복제하는 단계로 이루어진 극소형 패턴 복제 방법에 관한 것이다.
본 발명은 극소형 패턴을 기판에 복제하기 위한 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 실린더형 표면에 극소형 패턴을 가진 실린더형 롤러로 구성된다.
또한, 본 발명은 실린더형 롤러로부터 기판에 전달되는 극소형 패턴에 길고 평행한 금속선을 가진 기판으로 구성된 격자 편광자에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따라 제조된 격자 편광자의 사시도이고,
도 2a 내지 도 2e는 도 1의 편광자를 제조하기 위해 극소형 패넌을 복제하는 방법을 나타낸 공정도이며,
도 3a 내지 도 3f, 도 4a 내지 도 4f, 도 5a 내지 도 5d 및 도 6a 내지 도 6d는 롤러 또는 드럼과 같은 실린더형 부재를 채용한 일련의 단계와 변형된 복제 방법을 각각 도시한 것이다.
본 발명은 개선된 격자형 편광자의 제조를 위해 안출된 것이다. 특히, 자외선 및 가시광용 광범위 편광자에 대한 요구를 충족시키기 위한 것이다. 한정되는 것은 아니지만, 즉각적인 응용은 텔레비전 투사에 사용되는 LCD 장치의 패널에 일치하는 크기의 가시광 편광자이다.
이러한 투사에 채용된 고강도 광원으로 인하여 상기 패널에 높은 에너지 부하가 걸린다. 이는 상기 편광자가 투명한 무기 물질, 특히 유리를 포함해야함을 의미한다. 이러한 요구를 충족시키기 위해 개발된 편광자가 와이어 격자 편광자로 알려진 격자형 편광자이다. 이러한 편광자를 제조하기 위하여 다양한 물질과 기술이 제안되었다. 그러나, 이들은 높은 제작비로 곤란을 겪었다. 또한, 이들은 편광자가 유효한 파장 대역의 폭과 같은 특성에 있어서 제한적이었다.
도 1은 10으로 표시된 전형적인 격자 편광자의 사시도이다. 편광자(10)는 적당한 유리로 제조된 기판(12)으로 구성된다. 길고 평행한 반사성 금속선(14)이 상기 기판(12)상에 형성된다. 상기 선(14)으로 특히 적당한 금속은 알루미늄이다. 입사광의 평행 및 수직 전기장의 투과에 대한 편광자 성능을 결정하기 위해 채용될 수 있는 다수개의 수학적 모델과 수학적 표현이 있다. 상기 수학적 표현은 금속선의 주기 변수(폭과 간격), 상기 투명기판의 굴절률 및 주요 광파장을 이용한다. 수학적 표현을 이용함으로써, 소정 광 주파대에서 적절한 편광자 성능을 제공하는 편광자를 설계할 수 있다.
본 발명은 400 내지 700㎚ 가시광 주파대에서 양호한 콘트라스트 비와 양호한 투과성을 가진 편광자에 관한 것이다. 이러한 편광자에 필요한 금속선의 주기를 결정하기 위해 특수한 수학적 표현을 이용하여 계산이 이루어진다. 상기 편광자의 콘트라스트비에 대한 선 주기의 영향력이 1.52인 기판 굴절률과 함께 400㎚ 및 700㎚인 파장에서 결정된다. 더 짧은 선 주기에서 높은 콘트라스트비가 얻어진다. 예를 들어, 선 주기가 50㎚일때, 편광자는 400㎚ 파장에서 83:1의 이론 콘트라스트비를 갖는다. 700㎚ 파장에서 이론 콘트라스트비는 256:1이다. 상기 주기에 대한 편광자 투과성의 비교는 가장 높은 투과가 더 짧은 선 주기에서 얻어짐을 나타낸다. 400㎚와 700㎚ 파장에서 이론 투과계수는 각각 0.954와 0.966이다.
단일 편광자에 있어서 이들 콘트라스트비는 그다지 높지 않다. 그러나, 2개의 유사한 편광자를 직렬로 배치함으로써, 상기 콘트라스트비는 배가되고, 400 및 700㎚에서 이론 콘트라스트비는 각각 6889:1 및 65,536:1이 될 것이다. 직렬인 2개의 편광자의 이론 투과계수는 0.912가 된다. 이러한 성능특성을 가진 가시광 편광자는 매우 양호한 것으로 여겨진다. 굴절률이 낮은 유리를 이용하거나 기판에 금속선을 형성하기에 앞서 굴절률이 낮은 피막(예를 들어, 마그네슘 플루오르화물)으로 유리를 코팅함으로써 이러한 성능은 향상될 수 있다.
주기가 50㎚인 격자 편광자를 제조하려는 도전은 나노미터 크기의 금속 와이어 또는 "선"과, 선사이 간격을 창출하였다. 주기가 50㎚인 편광자에 있어서, 상기 선폭과 간격은 각각 25㎚가 된다. 종래의 사진석판인쇄술은 500㎚정도로 작은 형태에 국한되었다. 전자빔 석판인쇄술은 수십 나노미터 범위의 형태를 생성할 수 있다. 그러나, 이 방법은 매우 고가이며 저속이다.
나노미터크기의 형태를 생성하는 새로운 방법이 개발되었는데, 이는 10㎚ 정도로 작은 형태를 생성할 수 있다. 이 방법은 임프린트 석판인쇄술로 불리운다. 상기 임프린트 석판인쇄술은 설계된 나노미터크기의 패턴화된 구조의 몰드를 이용한다. 이 몰드는 금속 또는 절연체로 제조될 수 있다. 상기 몰드의 패턴 구조는, 일련의 평행 선 또는 채널을 생성하기 위한 에칭과 함께, 전자빔 석파인쇄술 또는 x선 석판인쇄술로 제조될 수 있다.
이러한 방식으로 생성된 극소형 패턴을 가진 몰드는 몰드의 극소형 패턴을 복제하기 위해 가변형 물질과 함께 다양한 방식으로 채용될 수 있다. 상기 가변형 물질은 평평한 기판 또는 패턴 몰드에 코팅 또는 필름으로 칠해지는 유기 중합체일 수 있다.
도 2는 몰드로부터 극소형 패턴을 금속에 복제하기 위한 전형적인 공정을 나타낸 공정도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 먼저, 평평한 유리 기판(20)이 스핀 코팅 또는 딥 코팅에 의해 중합체 박막(21)으로 코팅된다. 전술한 바와 같이 준비된 극소형 몰드(22)가 중합체 박막(21)에 압축되어 도 2b에 도시된 바와 같은 두께 콘트라스트를 가진 패턴화된 중합체(23)를 생성하게 된다. 몰딩과정에서, 몰드(22)의 채널을 완전히 채우도록 하기 위하여 중합체(21)의 흐름을 돕기 위해 가열이 필요할 수 있다. 바람직하게, 중합체 박막(21)은 낮은 유리 전이온도를 가진 열가소성 물질이다. 상기 몰드(22)는 분리 특성을 향상하기 위하여 몰드에 적층된 표면 에너지가 낮은 코팅(미도시)을 가질 수 있다.
상기 몰드(22)가 패턴화된 중합체(23)의 표면으로부터 분리된 후, 상기 표면은 도 2c에 도시된 바와 같이 이방성 이온 에칭처리된다. 중합체 패턴(23)의 골(troughs)에서 상기 유리 기판은 에칭에 의해 노출되며, 이는 그 부분에서 상기 중합체 코팅이 훨씬 얇기 때문이다. 따라서, 이격된 중합체 그리드(24)를 생성하게 된다.
에칭 후, 도 2d에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 또는 증착으로 이격된 중합체 그리드(24) 사이의 채널에 알루미늄 금속이 적층된다. 상기 중합체 그리드 위의 어느 정도까지 얇은 알루미늄 층이 적층될 수 있다. 이는 통상 리프트 오프(lift-off)로 불리우는 공정에 의해 제거된다. 도 2e는 중합체 그리드(24)의 제거와 알루미늄 금속의 리프트 오프에 관한 것이다. 중합체 그리드(24)는 화학용제를 이용하여 제거된다. 이는 유리 기판(20)상에 적당한 폭으로 이격된 평행한 알루미늄 금속 선(26)을 남긴다.
전술한 도 2a 내지 도 2e에 도시된 방법은 단일 패턴으로 충분한 작은 면적의 편광자에 효과적이다. 그러나, 패턴이 반복되어야 하는 큰 면적에 있어서는 덜 효과적이다. 반복적인 작업은 시간을 낭비할 수 있다. 또한, 넓은 면적에 정밀한 성형이 필요하다면, 상기 공정은 만족스럽지 못할 수 있다.
이러한 상황을 피하기 위하여, 본 발명은 패턴화된 실린더형 롤러 또는 드럼을 이용한 복제공정을 안출하였다.
도 3a 내지 도 3f는 30으로 표시된 실린더형 인쇄 드럼을 이용한 복제공정을 도시한 공정도이다. 인쇄 드럼(30)의 표면은 분리 피막(31)으로 먼저 코팅된다. 그 다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 얇은 중합체 레지스트(32)층이 분리 피막(31) 위에 형성된다. 그 후, 상기 드럼(30)은 패턴 몰드(33)에 압축되어 회전함으로써, 도 3b에 도시된 바와 같이, 중합체 레지스트(32)에 두께 콘트라스트 패턴(34)을 생성하게 된다. 상기 두께 콘트라스트 패턴(34)는 인쇄 드럼(30)상의 중합체 필름(32)에 생성된다. 그 후, 상기 중합체 필름(32)의 패턴층은 도 3c에 도시된 바와 같이 유리 기판(35)으로 옮겨진다. 상기 몰드(33)와 인쇄 드럼(30) 모두의 분리 피막의 표면 에너지를 적절하게 설정함으로써, 서로 다른 표면사이에서의 패턴화된 중합체 필름(32)의 전달이 용이하게 실시될 수 있다.
그 다음, 도 3d에 도시된 바와 같이, 중합체 그리드 구조(36)가 유리 기판(35)에 생성되도록 중합체 필름(32)의 얇은 부위를 제거하기 위하여 이방성 이온 에칭이 사용된다. 그 후, 도 3e에 도시된 바와 같이, 알루미늄 금속(37)이 적당량 적층되어 교차 채널(38)을 채우게 된다. 그 다음, 상기 중합체 그리드 구조(36) 및 그 구조 위의 알루미늄은 도 2e를 참조하여 전술한 바와 같이 제거된다. 이는 도 3f에 도시된 바와 같이, 기판(35)의 표면상에 적절한 폭으로 분리된 평행한 알루미늄 선(39)을 남기게 된다.
도 4a 내지 도 4f는 실린더형 인쇄 드럼(40)을 이용한 교번 복제공정을 도시한 공정도이다. 이 공정은 도 4a에 도시된 바와 같이 강성 유리 몰드(42)에 자외선 경화 중합체(41)층을 형성하여 상기 중합체를 패턴화하게 된다. 그 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 드럼(40)이 몰드(42)에 압축되어 회전하게 된다. 이와 동시에, 자외선 광(43)이 몰드(42)의 배면(44)으로부터 조사되어 패턴화된 중합체(41)를 경화 및 응고시키게 된다. 상기 몰드(42)로부터 인쇄 드럼(40)의 표면이 분리될 때, 엠보싱된 중합체 패턴(41)이 인쇄 드럼(40)에 옮겨져 드럼(40) 외부에 몰드(45)를 효과적으로 생성하게 된다. 이와 같이 패턴화된 몰드 중합체(45)는 직접 또는 그 위에 분리 피막을 적층하여 사용될 수 있다. 그 후, 유리 기판(46)이 중합체로 코팅된다. 엠보싱된 중합체 몰드(45)와 함께 상기 인쇄 드럼(40)이 압축되어 회전함으로써, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 유리 기판(46)에 패턴화된 중합체 층(47)을 형성하게 된다. 그 후, 패턴화된 중합체 층(47)은 패턴 채널에서 얇은 중합체 부위를 제거할만큼 충분히 에칭되어 도 4d에 도시된 바와 같이 중합체 그리드(48)를 남기게 된다. 그 후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 도 3에서 상술한 것과 동일하게 알루미늄이 적층된다. 상기 중합체 위의 모든 알루미늄과 중합체는 전술한 바와 같이 제거된다. 이는 도 4f에 도시된 바와 같이 유리 기판(45)상에 평행한 알루미늄 선(49)을 남기게 된다.
극소형 패턴을 복제하기 위한 또다른 변형 방법은 실린더형 인쇄 롤을 이용한 것으로, 도 5a 내지 도 5b에 도시된 공정도에 도시되어 있다.
이 공정은 도 4a 내지 도 4f에 도시된 바와 같이 생성된 패턴화된 인쇄 드럼(40)(45)을 이용한다. 먼저, (두께가 100㎚ 정도인) 얇은 중합체 레지스트(50)층이 유리 기판(51)에 형성된다. 그 후, 드럼(40)(45)이 상기 중합체 레지스트에 접촉하며 회전하게 된다. 드럼(40)(45)상의 돌출된 팁이 중합체 레지스트(50)의 일부를 픽업(pick up)함으로써 중합체 패턴(52)을 생성하게 된다. 그 후, 상기 드럼(40)(45)은 제 2 유리 기판에서 회전하여 도 5b에 도시된 바와 같이 중합체 패턴(52)을 상기 유리 기판(53)상에 옮기게 된다. 그 후, 전술한 바와 같이 알루미늄 금속이 중합체 패턴(52)을 덮을만큼 충분한 양으로 적층되어, 도 5c에 도시된 바와 같이, 교차 채널을 채우게 된다. 상기 중합체 패턴(52) 위의 알루미늄과 중합체 패턴은 앞에서 언급한 바와 같이 리프트 오프와 화학적으로 각각 제거된다. 이는 도 5d에 도시된 바와 같이, 평행하게 이격된 선(54)을 남기게 된다.
극소형 패턴을 복제하기 위한 또다른 공정은 실린더형 인쇄 롤을 이용한 것으로, 도 6a 내지 도 6b에 도시된 공정도에 도시되어 있다.
이 공정은 전술한 바와 같이 형성된 패턴화된 인쇄 드럼(40)(45)을 이용한다. 도 6a에 도시된 바와 같이, 먼저, 유리 기판(60)이 얇은 알루미늄(61)층으로 코팅된다. Zonyl RP(듀퐁사)와 같은 얇은 플루오르 계면활성제(62) 또는 알칸에치오레이트(HS(CH2)nR)층이 상기 인쇄 드럼(40)상의 패턴에 칠해진다. 상기 인쇄 드럼(40)은 알루미늄 층(61)에 압축되어, 도 6B에 도시된 바와 같이 알루미늄 표면에 유기 코팅 패턴(62)을 옮기게 된다. 이와 같이 패턴이 코팅된 표면은 반응 이온 염소 에칭가스에 노출됨으로써, 유기 피막으로 보호되지 않은 알루미늄을 에칭으로 제거하게 된다. 이는 그 아래의 유리 기판(60)을 노출시키게 된다. 상기 유기 피막에 의해 보호된 알루미늄은 존속되어 도 6c에 도시된 바와 같이 유기물로 코팅된 금속 그리드 구조를 형성하게 된다. 도 6d는 유기 피막을 제거하기 위한 산소 플라즈마의 사용에 관한 것이다. 이는 유리 기판(60)의 표면에 평행하게 이격된 알루미늄 선(64)을 남기게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 극소형 패턴 복제방법은 단순하며, 저렴한 설비를 이용하여 나노미터 단위의 극소형 패턴을 용이하게 복제할 수 있고, 디스플래이 패널과 같이 큰 표면에 정밀한 나노미터 크기의 패턴을 제조할 수 있으며, 큰 표면에 다수개의 동일한 나노미터 크기의 패턴을 형성할 수 있고, 개선된 자외선 또는 가시광용 격자 편광자를 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 실린더형 롤러의 외표면에 패턴을 형성하는 단계, 상기 패턴이 복제될 표면을 제공하는 단계 및 상기 표면상에 적어도 하나의 패턴을 복제하기 위하여 상기 실린더형 롤러로부터 상기 극소형 패턴을 상기 표면에 옮기는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 극소형 패턴 복제방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 실린더형 롤러의 표면, 극소형 몰드 또는 평평한 기판 표면상에 가변형 피막을 형성하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 극소형 패턴 복제방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 기판상에 형성되거나 기판으로 옮겨지는 극소형 패턴을 가변형 물질로 형성하는 단계와, 상기 패턴의 이격된 채널들을 채우기에 충분한 양의 금속을 상기 패턴에 적층하여 상기 패턴 성분위에 얇은 침투성 필름을 형성하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 극소형 패턴 복제방법.
  4. 기판상에 극소형 패턴을 복제하기 위한 실린더형 롤러에 있어서, 상기 롤러는 외표면에 패턴을 포함하고, 상기 패턴을 기판에 전달하도록 채용된 것을 특징으로 하는 실린더형 롤러.
  5. 실린더형 롤러상에 형성되어 실린더형 롤러로부터 옮겨지는 극소형 패턴으로 길고 평행한 이격된 금속선을 가진 기판으로 구성된 것을 특징으로 하는 격자 편광자.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100631016B1 (ko) * 2004-04-30 2006-10-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식에 의한 패턴 형성시 사용되는 인쇄롤의 제조방법및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR100724480B1 (ko) * 2004-06-02 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴형성을 위한 인쇄장치 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR20110032261A (ko) * 2009-09-22 2011-03-30 삼성전자주식회사 인쇄롤 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR101385086B1 (ko) * 2010-05-04 2014-04-14 유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드 전기 전도성 패턴을 가진 미세 구조 표면을 제조하는 방법
KR101414449B1 (ko) * 2013-01-15 2014-07-04 (주)피엔티 미세 패턴 인쇄 방법

Families Citing this family (200)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997007429A1 (en) * 1995-08-18 1997-02-27 President And Fellows Of Harvard College Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces
US5844259A (en) * 1996-03-19 1998-12-01 International Rectifier Corporation Vertical conduction MOS controlled thyristor with increased IGBT area and current limiting
EP2045334A1 (en) 1998-06-24 2009-04-08 Illumina, Inc. Decoding of array sensors with microspheres
DE10025694C2 (de) * 2000-05-24 2003-06-05 Zeiss Carl Verwendung eines Beugungsgitters
US7108681B2 (en) * 2000-10-16 2006-09-19 Corium International, Inc. Microstructures for delivering a composition cutaneously to skin
US7828827B2 (en) 2002-05-24 2010-11-09 Corium International, Inc. Method of exfoliation of skin using closely-packed microstructures
US6422528B1 (en) * 2001-01-17 2002-07-23 Sandia National Laboratories Sacrificial plastic mold with electroplatable base
US6663820B2 (en) * 2001-03-14 2003-12-16 The Procter & Gamble Company Method of manufacturing microneedle structures using soft lithography and photolithography
US6661952B2 (en) * 2001-05-04 2003-12-09 Ut Battelle, Llc Sub-wavelength efficient polarization filter (SWEP filter)
US6784991B2 (en) * 2001-06-18 2004-08-31 Therma-Wave, Inc. Diffractive optical elements and grid polarizers in focusing spectroscopic ellipsometers
US6813077B2 (en) * 2001-06-19 2004-11-02 Corning Incorporated Method for fabricating an integrated optical isolator and a novel wire grid structure
US20030070569A1 (en) * 2001-10-11 2003-04-17 Colin Bulthaup Micro-stencil
US6936181B2 (en) * 2001-10-11 2005-08-30 Kovio, Inc. Methods for patterning using liquid embossing
KR20050035134A (ko) * 2001-10-11 2005-04-15 브레우어 사이언스 인코포레이션 비점착성 몰드를 이용한 패턴 구조의 재현
US20030187495A1 (en) * 2002-04-01 2003-10-02 Cully Edward H. Endoluminal devices, embolic filters, methods of manufacture and use
US20070059497A1 (en) * 2002-05-08 2007-03-15 Xudong Huang Reversal imprint technique
US6849558B2 (en) * 2002-05-22 2005-02-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Replication and transfer of microstructures and nanostructures
JP3821069B2 (ja) 2002-08-01 2006-09-13 株式会社日立製作所 転写パターンによる構造体の形成方法
US6957608B1 (en) * 2002-08-02 2005-10-25 Kovio, Inc. Contact print methods
KR20050032114A (ko) * 2002-08-06 2005-04-06 아베시아 리미티드 유기 전기 소자
US6911385B1 (en) * 2002-08-22 2005-06-28 Kovio, Inc. Interface layer for the fabrication of electronic devices
US6887792B2 (en) * 2002-09-17 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Embossed mask lithography
US6867132B2 (en) * 2002-09-17 2005-03-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Large line conductive pads for interconnection of stackable circuitry
WO2004027472A1 (ja) * 2002-09-20 2004-04-01 Toppan Printing Co., Ltd. 光導波路及びその製造方法
US6762094B2 (en) * 2002-09-27 2004-07-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanometer-scale semiconductor devices and method of making
US6743740B2 (en) * 2002-10-18 2004-06-01 Intel Corporation Using sonic energy in connection with laser-assisted direct imprinting
US20040250683A1 (en) * 2002-10-18 2004-12-16 Innovative Construction And Building Materials, Llc Advanced filtration devices and methods
US7376291B1 (en) * 2002-11-06 2008-05-20 Finisar Corporation Free space optical isolator with stacked parallel polarizers
TWI243288B (en) * 2002-11-26 2005-11-11 Asml Netherlands Bv Method of fabricating an optical element, lithographic apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP2004177806A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Alps Electric Co Ltd 反射防止構造および照明装置と液晶表示装置並びに反射防止膜成型用金型
US20040174596A1 (en) * 2003-03-05 2004-09-09 Ricoh Optical Industries Co., Ltd. Polarization optical device and manufacturing method therefor
US20040202865A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Andrew Homola Release coating for stamper
US6926921B2 (en) * 2003-05-05 2005-08-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprint lithography for superconductor devices
TWI223725B (en) * 2003-06-10 2004-11-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Polarizer manufacturing method
JP2005008909A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Canon Inc 構造体の製造方法
US20050160934A1 (en) 2004-01-23 2005-07-28 Molecular Imprints, Inc. Materials and methods for imprint lithography
US7157036B2 (en) * 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7307118B2 (en) * 2004-11-24 2007-12-11 Molecular Imprints, Inc. Composition to reduce adhesion between a conformable region and a mold
US20060108710A1 (en) * 2004-11-24 2006-05-25 Molecular Imprints, Inc. Method to reduce adhesion between a conformable region and a mold
KR100508337B1 (ko) * 2003-06-27 2005-08-17 한국과학기술원 나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법
US20060003097A1 (en) * 2003-08-06 2006-01-05 Andres Ronald P Fabrication of nanoparticle arrays
WO2005019503A2 (en) * 2003-08-19 2005-03-03 Nanoopto Corporation Sub-micron-scale patterning method and system
JP4386413B2 (ja) * 2003-08-25 2009-12-16 株式会社エンプラス ワイヤーグリッド偏光子の製造方法
FR2859797B1 (fr) * 2003-09-17 2007-10-05 Commissariat Energie Atomique Procede de micro-lithographie utilisant un masque a surface courbe
US20070034909A1 (en) * 2003-09-22 2007-02-15 James Stasiak Nanometer-scale semiconductor devices and method of making
ATE551383T1 (de) 2003-09-23 2012-04-15 Univ North Carolina Photohärtbare perfluorpolyether zur verwendung als neue werkstoffe in mikrofluidischen vorrichtungen
DE10346124B4 (de) 2003-10-01 2005-12-01 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Werkzeug und Verfahren zum Erzeugen einer mikrostrukturierten Oberfläche und Verwendung eines Werkzeuges sowie damit erzeugter Gegenstand
GB2406543B (en) * 2003-10-04 2006-06-07 Agilent Technologies Inc A method for fabricating masters for imprint lithography and related imprint process
TWI240990B (en) * 2003-10-21 2005-10-01 Ind Tech Res Inst Preparation method of micromachined capacitive ultrasonic transducer by the imprinting technique
KR100609167B1 (ko) * 2003-10-21 2006-08-02 엘지전자 주식회사 선격자 편광판 제조 방법
EP1542074A1 (en) * 2003-12-11 2005-06-15 Heptagon OY Manufacturing a replication tool, sub-master or replica
US9040090B2 (en) * 2003-12-19 2015-05-26 The University Of North Carolina At Chapel Hill Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof
CA2549341C (en) 2003-12-19 2014-06-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods for fabricating isolated micro- and nano- structures using soft or imprint lithography
JP2005202104A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Nikon Corp 偏光化素子の製造方法、偏光化素子、および画像投影装置の製造方法、並びに画像投影装置
US9307648B2 (en) 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
US9039401B2 (en) * 2006-02-27 2015-05-26 Microcontinuum, Inc. Formation of pattern replicating tools
US7034332B2 (en) * 2004-01-27 2006-04-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanometer-scale memory device utilizing self-aligned rectifying elements and method of making
JP2007527784A (ja) * 2004-02-13 2007-10-04 ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル マイクロ流体デバイスを作製するための官能性材料及び新規方法
US7730834B2 (en) * 2004-03-04 2010-06-08 Asml Netherlands B.V. Printing apparatus and device manufacturing method
JP5085317B2 (ja) * 2004-03-24 2012-11-28 コリウム インターナショナル， インコーポレイテッド 経皮送達デバイス
US7304719B2 (en) * 2004-03-31 2007-12-04 Asml Holding N.V. Patterned grid element polarizer
US20050275944A1 (en) 2004-06-11 2005-12-15 Wang Jian J Optical films and methods of making the same
US7670758B2 (en) * 2004-04-15 2010-03-02 Api Nanofabrication And Research Corporation Optical films and methods of making the same
KR100606441B1 (ko) * 2004-04-30 2006-08-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 클리체 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR100631017B1 (ko) * 2004-04-30 2006-10-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식을 이용한 패턴 형성방법
GB2413895A (en) 2004-05-07 2005-11-09 Seiko Epson Corp Patterning substrates by ink-jet or pad printing
US8025831B2 (en) * 2004-05-24 2011-09-27 Agency For Science, Technology And Research Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures
TWI243796B (en) * 2004-06-08 2005-11-21 Ind Tech Res Inst Device of nano-structure imprint for pattern transfer and method of the same
JP2006003447A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Sony Corp 偏光分離素子及びその製造方法
US7141275B2 (en) * 2004-06-16 2006-11-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imprinting lithography using the liquid/solid transition of metals and their alloys
US20060001969A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-05 Nanoopto Corporation Gratings, related optical devices and systems, and methods of making such gratings
ATE509298T1 (de) * 2004-09-15 2011-05-15 Agency Science Tech & Res Bedruckter polymer-träger
US20060056024A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Ahn Seh W Wire grid polarizer and manufacturing method thereof
SG147418A1 (en) 2004-09-21 2008-11-28 Molecular Imprints Inc Method of forming an in-situ recessed structure
EP1650587A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-26 Light Impressions International Limited Form birefringent grating structure, viewer, anticounterfeit security device and method for making the same
TWI248859B (en) * 2004-11-24 2006-02-11 Ind Tech Res Inst Manufacture of mold core used in nanoimprint
KR20070091314A (ko) * 2004-11-30 2007-09-10 아구라 테크놀로지스, 인코포레이티드 대규모 와이어 그리드 편광기들에 대한 응용 및 제조기술들
US7619816B2 (en) * 2004-12-15 2009-11-17 Api Nanofabrication And Research Corp. Structures for polarization and beam control
US20060127830A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Xuegong Deng Structures for polarization and beam control
US20100297027A1 (en) * 2004-12-20 2010-11-25 Nanolnk, Inc. Overt authentication features for compositions and objects and methods of fabrication and verification thereof
US7676088B2 (en) * 2004-12-23 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7686970B2 (en) * 2004-12-30 2010-03-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7490547B2 (en) * 2004-12-30 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144814A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060144274A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7354698B2 (en) * 2005-01-07 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
KR100656999B1 (ko) * 2005-01-19 2006-12-13 엘지전자 주식회사 선 격자 편광필름 및 선 격자 편광필름의 격자제조용 몰드제작방법
EP1853967A4 (en) * 2005-02-03 2009-11-11 Univ North Carolina LOW-VOLTAGE SURFACE-VOLTAGE POLYMER MATERIAL FOR USE IN LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICES
US7922474B2 (en) * 2005-02-17 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7277619B2 (en) * 2005-03-04 2007-10-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nano-imprinted photonic crystal waveguide
US7523701B2 (en) * 2005-03-07 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography method and apparatus
US7611348B2 (en) * 2005-04-19 2009-11-03 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7762186B2 (en) * 2005-04-19 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7442029B2 (en) * 2005-05-16 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7708924B2 (en) * 2005-07-21 2010-05-04 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7692771B2 (en) * 2005-05-27 2010-04-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060267231A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7418902B2 (en) * 2005-05-31 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography including alignment
US7377764B2 (en) * 2005-06-13 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
WO2007001977A2 (en) * 2005-06-20 2007-01-04 Microcontinuum, Inc. Systems and methods for roll-to-roll patterning
DE102005063524B4 (de) * 2005-07-08 2011-01-27 Grau, Günter, Dr. Vorrichtung zur Messung und Erzeugung der Polarisation von Licht
US20070023976A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20090304992A1 (en) * 2005-08-08 2009-12-10 Desimone Joseph M Micro and Nano-Structure Metrology
EP2537657A3 (en) 2005-08-09 2016-05-04 The University of North Carolina At Chapel Hill Methods and materials for fabricating microfluidic devices
JP4849354B2 (ja) * 2005-08-17 2012-01-11 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノインプリント方法及び装置
JP4844729B2 (ja) * 2005-08-17 2011-12-28 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノインプリント方法及び装置
US8142703B2 (en) 2005-10-05 2012-03-27 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography method
US20070183035A1 (en) * 2005-10-31 2007-08-09 Koji Asakawa Short-wavelength polarizing elements and the manufacture and use thereof
US7878791B2 (en) * 2005-11-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US8011915B2 (en) 2005-11-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070165308A1 (en) * 2005-12-15 2007-07-19 Jian Wang Optical retarders and methods of making the same
US20070139771A1 (en) * 2005-12-15 2007-06-21 Jian Wang Optical retarders and methods of making the same
US7517211B2 (en) * 2005-12-21 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20070138699A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
DE102006004644B4 (de) * 2006-01-31 2007-12-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Werkzeug und Verfahren zum Erzeugen einer Schicht mit mikrostrukturierter Außenfläche auf einer Substratoberfläche
US20070217008A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Wang Jian J Polarizer films and methods of making the same
EP1999513A4 (en) * 2006-03-28 2010-03-10 Lg Chemical Ltd METHOD FOR FORMING NANOSTRUCTURE AND SUBSTRATE WITH STRUCTURE MADE USING THE PROCESS
KR100871059B1 (ko) 2006-03-28 2008-11-27 주식회사 엘지화학 나노 패턴 형성 방법 및 이에 의하여 형성된 패턴을 갖는기판
JP2007279458A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Miraial Kk サブ波長格子光学素子
JP5182644B2 (ja) * 2006-04-07 2013-04-17 旭硝子株式会社 ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法
TWI322927B (en) * 2006-05-24 2010-04-01 Ind Tech Res Inst Roller module for microstructure thin film imprint
US20080181958A1 (en) * 2006-06-19 2008-07-31 Rothrock Ginger D Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials
US8015939B2 (en) * 2006-06-30 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Imprintable medium dispenser
US8318253B2 (en) * 2006-06-30 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2008070448A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Fujifilm Corp 光学素子とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置
KR100789185B1 (ko) 2006-09-15 2008-01-02 한국기계연구원 레이저를 이용한 회절격자 금형제작방법
US20080110557A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-15 Molecular Imprints, Inc. Methods and Compositions for Providing Preferential Adhesion and Release of Adjacent Surfaces
JP2008126370A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Nano Craft Technologies Co ３次元マイクロ構造体、その製造方法、及びその製造装置
KR101196231B1 (ko) 2006-12-19 2012-11-05 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자의 제조방법
KR101442290B1 (ko) * 2007-01-11 2014-09-19 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 웨브 종방향 위치 센서
WO2008091602A2 (en) 2007-01-22 2008-07-31 Corium International, Inc. Applicators for microneedle arrays
WO2008096335A2 (en) * 2007-02-07 2008-08-14 Yeda Research And Development Co. Ltd. Producing an array of nanoscale structures on a substrate surface via a self-assembled template
US8940117B2 (en) 2007-02-27 2015-01-27 Microcontinuum, Inc. Methods and systems for forming flexible multilayer structures
TWI316466B (en) * 2007-03-09 2009-11-01 Ind Tech Res Inst Mold structure and the manufacturing method thereof
KR100837339B1 (ko) 2007-03-13 2008-06-12 한국기계연구원 탄성중합체 스탬프를 이용한 롤 프린트 방식의 미세접촉인쇄장치
US20100151031A1 (en) * 2007-03-23 2010-06-17 Desimone Joseph M Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response
WO2008130587A2 (en) 2007-04-16 2008-10-30 Corium International, Inc. Solvent-cast microneedle arrays containing active
JP4999556B2 (ja) * 2007-05-31 2012-08-15 リコー光学株式会社 表面に微細凹凸形状をもつ光学素子の製造方法
KR101493115B1 (ko) * 2007-06-19 2015-02-12 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 웨브의 위치를 나타내는 시스템 및 방법
CN101688794B (zh) * 2007-06-19 2012-12-12 3M创新有限公司 用于制造位移刻度尺的系统和方法
EP2165162A2 (en) * 2007-06-19 2010-03-24 3M Innovative Properties Company Total internal reflection displacement scale
US20090004231A1 (en) * 2007-06-30 2009-01-01 Popp Shane M Pharmaceutical dosage forms fabricated with nanomaterials for quality monitoring
US20100136233A1 (en) * 2007-08-02 2010-06-03 Little Michael J Oblique vacuum deposition for roll-roll coating of wire grid polarizer lines oriented in a down-web direction
US20090038636A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Asml Netherlands B.V. Cleaning method
US7854877B2 (en) 2007-08-14 2010-12-21 Asml Netherlands B.V. Lithography meandering order
US8144309B2 (en) 2007-09-05 2012-03-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
WO2009048607A1 (en) 2007-10-10 2009-04-16 Corium International, Inc. Vaccine delivery via microneedle arrays
JP5178132B2 (ja) * 2007-10-11 2013-04-10 キヤノン株式会社 画像処理システム並びに画像処理方法
FR2922330A1 (fr) * 2007-10-15 2009-04-17 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un masque pour la lithographie haute resolution
JP2009222853A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Fujitsu Ltd 偏光光学素子およびその製造方法
KR101512876B1 (ko) * 2008-08-27 2015-04-16 에이엠오 게엠베하 개선된 나노임프린트 방법
US20100109195A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Molecular Imprints, Inc. Release agent partition control in imprint lithography
CN102300802A (zh) * 2008-12-17 2011-12-28 3M创新有限公司 柔性基底上导电纳米结构的制造
WO2010080378A1 (en) 2008-12-19 2010-07-15 3M Innovative Properties Company Method and system for fabricating nanostructure mass replication tool
US8847185B2 (en) 2008-12-29 2014-09-30 3M Innovative Properties Company Phase-locked web position signal using web fiducials
BRPI0918692A2 (pt) 2008-12-30 2015-12-01 3M Innovative Properties Co aparelho e método para a produção de fiduciais sobre um substrato
US9062219B2 (en) * 2009-01-21 2015-06-23 Xerox Corporation Superhydrophobic nano-fabrics and coatings
US9217968B2 (en) 2009-01-21 2015-12-22 Xerox Corporation Fuser topcoats comprising superhydrophobic nano-fabric coatings
EP2429627B1 (en) * 2009-04-24 2017-06-14 Corium International, Inc. Methods for manufacturing microprojection arrays
US20120055013A1 (en) * 2010-07-13 2012-03-08 Féinics AmaTech Nominee Limited Forming microstructures and antennas for transponders
KR101274715B1 (ko) * 2009-12-22 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US9329544B2 (en) * 2010-01-25 2016-05-03 Xerox Corporation Polymer-based long life fusers and their methods of making
US9471019B2 (en) * 2010-01-25 2016-10-18 Xerox Corporation Polymer-based long life fusers
CA2798145C (en) 2010-05-04 2022-10-18 Corium International, Inc. Method and device for transdermal delivery of parathyroid hormone using a microprojection array
JP2014501934A (ja) * 2010-08-23 2014-01-23 ローイス インコーポレイテッド 近接場リソグラフィのためのマスク及びその製造方法
CN102375333A (zh) * 2010-08-24 2012-03-14 华锦光电科技股份有限公司 纹路结构、具有纹路的滚轮及其形成方法
US8845912B2 (en) 2010-11-22 2014-09-30 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for forming semi-transparent patterning masks
KR101894325B1 (ko) * 2010-12-20 2018-09-04 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조 장치 및 방법
JP5345127B2 (ja) * 2010-12-24 2013-11-20 富士フイルム株式会社 光学素子とその製造方法、液晶装置、及び投射型表示装置
KR20130057261A (ko) * 2011-11-23 2013-05-31 한국전자통신연구원 나노 와이어 그리드 편광자의 제조 방법
TW201325884A (zh) * 2011-12-29 2013-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 光學薄膜壓印滾輪及該滾輪之製作方法
US9780335B2 (en) 2012-07-20 2017-10-03 3M Innovative Properties Company Structured lamination transfer films and methods
CN104583822B (zh) * 2012-08-29 2017-12-12 Lg化学株式会社 偏振光分离元件的制造方法以及偏振光分离元件
MX2015008157A (es) 2012-12-21 2016-02-22 Corium Int Inc Microarreglo para la entrega de agente terapeutico y metodos de uso.
US10040018B2 (en) 2013-01-09 2018-08-07 Imagine Tf, Llc Fluid filters and methods of use
ES2921481T3 (es) 2013-03-12 2022-08-26 Corium Inc Aplicadores para microproyecciones
CN103149615A (zh) * 2013-03-14 2013-06-12 上海交通大学 一种多层金属光栅的制备方法
AU2014233695A1 (en) 2013-03-15 2015-10-01 Corium International, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent and methods of use
CA2903583C (en) 2013-03-15 2021-12-28 Corium International, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
US10195409B2 (en) 2013-03-15 2019-02-05 Corium International, Inc. Multiple impact microprojection applicators and methods of use
US10384045B2 (en) 2013-03-15 2019-08-20 Corium, Inc. Microarray with polymer-free microstructures, methods of making, and methods of use
CN104133263A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 罗伯特·彼得科维奇 偏光片的制备方法
CN104133264A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 罗伯特·彼得科维奇 制备偏光片的方法
US9589797B2 (en) 2013-05-17 2017-03-07 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices
US9246134B2 (en) 2014-01-20 2016-01-26 3M Innovative Properties Company Lamination transfer films for forming articles with engineered voids
US9861920B1 (en) 2015-05-01 2018-01-09 Imagine Tf, Llc Three dimensional nanometer filters and methods of use
US10730047B2 (en) 2014-06-24 2020-08-04 Imagine Tf, Llc Micro-channel fluid filters and methods of use
EP3188714A1 (en) 2014-09-04 2017-07-12 Corium International, Inc. Microstructure array, methods of making, and methods of use
US10124275B2 (en) 2014-09-05 2018-11-13 Imagine Tf, Llc Microstructure separation filters
WO2016125996A1 (ko) * 2015-02-04 2016-08-11 한국과학기술원 매크로 프리패턴을 이용한 편광 패널의 제조방법
US10758849B2 (en) 2015-02-18 2020-09-01 Imagine Tf, Llc Three dimensional filter devices and apparatuses
US10857093B2 (en) 2015-06-29 2020-12-08 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
US10118842B2 (en) 2015-07-09 2018-11-06 Imagine Tf, Llc Deionizing fluid filter devices and methods of use
US10479046B2 (en) 2015-08-19 2019-11-19 Imagine Tf, Llc Absorbent microstructure arrays and methods of use
JP6661454B2 (ja) * 2016-04-21 2020-03-11 株式会社東海理化電機製作所 表示装置、表示板の製造方法
JP7053587B2 (ja) 2016-09-27 2022-04-12 イラミーナ インコーポレーテッド インプリント基板
CN106547044B (zh) * 2017-01-24 2019-03-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种偏光片的加工设备及制造方法
CN107203017A (zh) * 2017-07-06 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 纳米线栅偏光片的制作方法
US20190011770A1 (en) * 2017-07-06 2019-01-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method of manufacturing nanowire grid polarizer
CN109613799A (zh) * 2019-01-29 2019-04-12 京东方科技集团股份有限公司 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB260669A (en) * 1925-08-04 1926-11-04 Frank Twyman Improvements in and connected with the manufacture of articles having surfaces capable of producing diffraction colour effects
US4514479A (en) * 1980-07-01 1985-04-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of making near infrared polarizers
AU8282691A (en) * 1990-07-20 1992-02-18 McGrew, Steven P. Embossing tool
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
DE69405451T2 (de) * 1993-03-16 1998-03-12 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines strukturierten Reliefbildes aus vernetztem Photoresist auf einer flachen Substratoberfläche
US5512131A (en) * 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US5772905A (en) 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
JPH1096808A (ja) 1996-09-24 1998-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細パタン形成法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100631016B1 (ko) * 2004-04-30 2006-10-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식에 의한 패턴 형성시 사용되는 인쇄롤의 제조방법및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR100724480B1 (ko) * 2004-06-02 2007-06-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 패턴형성을 위한 인쇄장치 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR20110032261A (ko) * 2009-09-22 2011-03-30 삼성전자주식회사 인쇄롤 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR101385086B1 (ko) * 2010-05-04 2014-04-14 유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드 전기 전도성 패턴을 가진 미세 구조 표면을 제조하는 방법
KR101414449B1 (ko) * 2013-01-15 2014-07-04 (주)피엔티 미세 패턴 인쇄 방법

Also Published As

Publication number Publication date
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