CN109613799A - 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅 - Google Patents
纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109613799A CN109613799A CN201910085631.0A CN201910085631A CN109613799A CN 109613799 A CN109613799 A CN 109613799A CN 201910085631 A CN201910085631 A CN 201910085631A CN 109613799 A CN109613799 A CN 109613799A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- nano
- pattern
- splicing
- joining method
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅，涉及纳米压印技术领域，所述纳米图案的拼接方法包括：初始压印步骤：在衬底基板的拼接区域内形成压印胶层；采用纳米压印母板对所述压印胶层进行纳米压印，形成纳米图案；超疏水处理步骤：对所述纳米图案进行超疏水表面处理；压印胶形成步骤：在所述衬底基板上形成另一压印胶层，所述另一压印胶层覆盖与所述拼接区域邻接的另一拼接区域和部分所述纳米图案；压印图案形成步骤：采用所述纳米压印母板对所述另一压印胶层进行纳米压印，形成新纳米图案；去除步骤：去除所述纳米图案上的所述新纳米图案。从而，本发明能消除拼接重叠区域高段差的问题，解决目前重叠区域高段差导致的剥落问题。
Description
技术领域
本发明涉及纳米压印技术领域，尤其涉及一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅。
背景技术
纳米压印技术已达到5纳米(nm)以下的分辨率水平，其具有高分辨率、高产量、高保真度及成本低等优点，在显示、传感器及医疗健康等领域具有十分广泛的应用。
目前，纳米压印母板采用电子束光刻(Electron Beam Lithography，EBL)加工而成，但是EBL具有其固有的缺点：设备昂贵，并且加工速度较慢，要制作大面积的纳米压印母板，成本较高。例如图形面积为1*1mm，结构尺寸为nm级别的纳米压印母板，通常需要几小时扫描时间，并售价非常昂贵。对于大面积的纳米压印母板，通常采用重叠式拼接方式，请参考图1，为了提高拼接精度，需要在纳米图案的拼接位置处形成重叠区域(overlap)11，因而造成较高的拼接段差12，导致出现剥落(Peeling)现象。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅，用于解决采用重叠式拼接方式进行纳米图案拼接时，纳米图案的拼接位置处形成的重叠区域具有高段差，导致出现剥落现象的问题。
为解决上述技术问题，第一方面，本发明提供一种纳米图案的拼接方法，包括：
初始压印步骤：在衬底基板的拼接区域内形成压印胶层；采用纳米压印母板对所述压印胶层进行纳米压印，形成纳米图案；
超疏水处理步骤：对所述纳米图案进行超疏水表面处理；
压印胶形成步骤：在所述衬底基板上形成另一压印胶层，所述另一压印胶层覆盖与所述拼接区域邻接的另一拼接区域和部分所述纳米图案；
压印图案形成步骤：采用所述纳米压印母板对所述另一压印胶层进行纳米压印，形成新纳米图案；
去除步骤：去除所述纳米图案上的所述新纳米图案。
优选的，所述超疏水处理步骤包括：
采用纳米二氧化钛乙醇溶液对所述纳米图案的表面进行处理。
优选的，所述去除步骤包括：
采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除。
优选的，所述超声波的频率大于20kHz，且小于或等于40kHz。
优选的，所述采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除的步骤包括：
在温度为35℃～50℃的环境中，采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除。
优选的，所述去除步骤之后还包括：
拼接步骤：重复执行所述超疏水处理步骤、所述压印胶形成步骤、所述压印图案形成步骤和所述去除步骤，形成拼接纳米图案。
第二方面，本发明还提供一种纳米压印板的制作方法，包括采用上述的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案的步骤；
所述拼接步骤之后还包括：
以所述拼接纳米图案为硬掩膜，对所述拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成所述膜层的纳米图案。
第三方面，本发明还提供一种光栅的制作方法，包括采用上述的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案的步骤；
所述拼接步骤之后还包括：
以所述拼接纳米图案为硬掩膜，对所述拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成所述膜层的纳米图案。
第四方面，本发明还提供一种纳米压印板，采用上述的纳米压印板的制作方法制作而成。
第五方面，本发明还提供一种光栅，采用上述的光栅的制作方法制作而成。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
通过对采用纳米压印工艺形成的纳米图案进行超疏水表面处理，使得再次压印过程中，压印胶与上一次形成的纳米图案的表面的附着力很低，纳米图案的拼接位置处形成的重叠区域很容易被除去，消除了拼接重叠区域高段差的问题，从而解决了目前重叠区域高段差导致的剥落问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中拼接纳米图案的结构示意图；
图2为本发明实施例一的纳米图案的拼接方法的流程示意图；
图3-10为本发明具体应用场景的制作拼接纳米图案的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图2，图2是本发明实施例一的纳米图案的拼接方法的流程示意图，该拼接方法包括：
步骤21(即初始压印步骤)：在衬底基板的拼接区域内形成压印胶层；采用纳米压印母板对所述压印胶层进行纳米压印，形成纳米图案；
步骤22(即超疏水处理步骤)：对所述纳米图案进行超疏水表面处理；
步骤23(即压印胶形成步骤)：在所述衬底基板上形成另一压印胶层，所述另一压印胶层覆盖与所述拼接区域邻接的另一拼接区域和部分所述纳米图案；
步骤24(即压印图案形成步骤)：采用所述纳米压印母板对所述另一压印胶层进行纳米压印，形成新纳米图案；
步骤25(即去除步骤)：去除所述纳米图案上的所述新纳米图案。
本发明实施例中，通过对采用纳米压印工艺形成的纳米图案进行超疏水表面处理，使得再次压印过程中，压印胶与上一次形成的纳米图案的表面的附着力很低，纳米图案的拼接位置处形成的重叠区域很容易被除去，消除了拼接重叠区域高段差的问题，从而解决了目前重叠区域高段差导致的剥落问题。
在本发明的一些优选实施例中，所述超疏水处理步骤包括：
采用纳米二氧化钛(TiO2)乙醇溶液对所述纳米图案的表面进行处理。
也就是说，采用低表面能纳米二氧化钛乙醇溶液对纳米图案的表面进行超疏水处理。超疏水处理后，纳米图案的表面的表面能特别低，从而压印胶在经过超疏水处理后的纳米图案的表面的附着力较低，纳米图案的拼接位置处形成的重叠区域易被去除，消除了拼接重叠区域高段差的问题。
在本发明的一些优选实施例中，所述去除步骤包括：
采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除。
具体而言，压印胶在经过超疏水处理后的纳米图案的表面的附着力较低，通过超声波的方式，能够有效地将纳米图案上的新纳米图案去除。
优选的，所述超声波的频率大于20kHz，且小于或等于40kHz。
即，采用40kHz以下的低频超声波，去除纳米图案上的新纳米图案的效果更佳。
优选的，所述采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除的步骤包括：
在温度为35℃～50℃的环境中，采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除。
上述实施例中，第一次纳米压印形成的纳米图案和第二次纳米压印形成的新纳米图案拼接形成拼接纳米图案，即执行一次重叠式拼接过程。
当然，在本发明的其他一些优选实施例中，可以执行多次重叠式拼接过程，形成大尺寸的拼接纳米图案。
具体的，所述去除步骤之后还包括：
拼接步骤：重复执行所述超疏水处理步骤、所述压印胶形成步骤、所述压印图案形成步骤和所述去除步骤，形成拼接纳米图案。
也就是说，通过重复执行超疏水处理步骤、压印胶形成步骤、压印图案形成步骤和去除步骤，即多次进行重叠式拼接，能够制作出大尺寸的拼接纳米图案，不仅能解决重叠区域高段差导致的剥落问题，且成本低廉。
以图3-10为示例，对本发明一具体应用场景的纳米图案的拼接方法进行详细解释。
步骤3.1：在衬底基板31的拼接区域32内形成压印胶层321；
可以在衬底基板31的拼接区域32内涂覆(Coating)纳米压印胶层321，采用的涂覆方式可以为喷墨打印(Ink Jet Print，IJP)方式或者狭缝式涂布机(Slot die)精确涂胶方式。涂敷的压印胶层321的厚度可以为3～4微米(um)。
压印胶层321可以包括单体、预聚物、光引发剂及其他添加剂，其主体树脂可以为丙烯酸酯类树脂、环氧树脂等。
步骤3.2：采用纳米压印母板(图未示)对压印胶层321进行纳米压印，形成纳米图案41；
可以采用纳米压印母板对压印胶层321进行纳米压印、固化脱模，形成纳米图案41，如图4所示。
步骤3.3：对纳米图案41进行超疏水表面处理；
可以采用低表面能纳米二氧化钛乙醇溶液对纳米图案41的表面进行处理，以降低压印胶与纳米图案41之间的附着力，超疏水处理后的纳米图案41如图5所示。
步骤3.4：在衬底基板31上形成另一压印胶层331，该另一压印胶层331覆盖与拼接区域32邻接的另一拼接区域33和部分纳米图案41；
可以与步骤3.1中涂覆压印胶层321的方式、材料相同，在衬底基板31上涂覆另一压印胶层331，如图6所示。
步骤3.5：采用纳米压印母板71对另一压印胶层331进行纳米压印，形成新纳米图案81；
纳米压印母板71可以与步骤3.2中采用的纳米压印母板相同，对另一压印胶层331进行纳米压印，如图7所示。压印结束后，固化脱模后形成的新纳米图案81如图8所示。
步骤3.6：去除纳米图案41上的新纳米图案81；
由于步骤3.3中对纳米图案41进行超疏水表面处理，压印重叠区域82中的压印胶与纳米图案41的表面的附着力很低，可以在温度为35℃～50℃的环境中，采用频率大于20kHz，且小于或等于40kHz的低频超声波，将纳米图案41上的新纳米图案81去除(即去除压印重叠区域82的压印胶)，如图9所示，消除了拼接重叠区域高段差的问题。
步骤3.7：对新纳米图案81进行超疏水表面处理。
可以采用低表面能纳米二氧化钛乙醇溶液对新纳米图案81进行超疏水表面处理，处理后的新纳米图案81如图10所示。通过对新纳米图案81进行超疏水表面处理，准备进行下一轮压印，能够形成大尺寸的拼接纳米图案，不仅能解决重叠区域高段差导致的剥落问题，且成本低廉。
基于同样的发明构思，本发明实施例二还提供一种纳米压印板的制作方法，包括采用本发明实施例一的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案的步骤；
所述拼接步骤之后还包括：
以所述拼接纳米图案为硬掩膜，对所述拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成所述膜层的纳米图案。
也就是说，先采用上述实施例一的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案，再以拼接纳米图案为硬掩膜，对拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成膜层的纳米图案，制得纳米压印板。
基于同样的发明构思，本发明实施例三还提供一种光栅的制作方法，包括采用本发明实施例一的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案的步骤；
所述拼接步骤之后还包括：
以所述拼接纳米图案为硬掩膜，对所述拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成所述膜层的纳米图案。
也就是说，先采用上述实施例一的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案，再以拼接纳米图案为硬掩膜，对拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成膜层的纳米图案，制得光栅。
基于同样的发明构思，本发明实施例四还提供一种纳米压印板，采用本发明实施例二的纳米压印板的制作方法制作而成。
基于同样的发明构思，本发明实施例五还提供一种光栅，采用本发明实施例三的光栅的制作方法制作而成。
通过上述方式，本发明能够消除拼接重叠区域高段差的问题，从而解决目前重叠区域高段差导致的剥落问题。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种纳米图案的拼接方法，其特征在于，包括：
初始压印步骤：在衬底基板的拼接区域内形成压印胶层；采用纳米压印母板对所述压印胶层进行纳米压印，形成纳米图案；
超疏水处理步骤：对所述纳米图案进行超疏水表面处理；
压印胶形成步骤：在所述衬底基板上形成另一压印胶层，所述另一压印胶层覆盖与所述拼接区域邻接的另一拼接区域和部分所述纳米图案；
压印图案形成步骤：采用所述纳米压印母板对所述另一压印胶层进行纳米压印，形成新纳米图案；
去除步骤：去除所述纳米图案上的所述新纳米图案。
2.如权利要求1所述的纳米图案的拼接方法，其特征在于，所述超疏水处理步骤包括：
采用纳米二氧化钛乙醇溶液对所述纳米图案的表面进行处理。
3.如权利要求1所述的纳米图案的拼接方法，其特征在于，所述去除步骤包括：
采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除。
4.权利要求3所述的纳米图案的拼接方法，其特征在于，所述超声波的频率大于20kHz，且小于或等于40kHz。
5.权利要求3所述的纳米图案的拼接方法，其特征在于，所述采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除的步骤包括：
在温度为35℃～50℃的环境中，采用超声波将所述纳米图案上的新纳米图案去除。
6.如权利要求1所述的纳米图案的拼接方法，其特征在于，所述去除步骤之后还包括：
拼接步骤：重复执行所述超疏水处理步骤、所述压印胶形成步骤、所述压印图案形成步骤和所述去除步骤，形成拼接纳米图案。
7.一种纳米压印板的制作方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-6中任一项所述的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案的步骤；
所述拼接步骤之后还包括：
以所述拼接纳米图案为硬掩膜，对所述拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成所述膜层的纳米图案。
8.一种光栅的制作方法，其特征在于，包括采用如权利要求1-5中任一项所述的纳米图案的拼接方法形成拼接纳米图案的步骤；
所述拼接步骤之后还包括：
以所述拼接纳米图案为硬掩膜，对所述拼接纳米图案下方的膜层进行刻蚀，形成所述膜层的纳米图案。
9.一种纳米压印板，其特征在于，采用如权利要求7所述的纳米压印板的制作方法制作而成。
10.一种光栅，其特征在于，采用如权利要求8所述的光栅的制作方法制作而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910085631.0A CN109613799A (zh) | 2019-01-29 | 2019-01-29 | 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910085631.0A CN109613799A (zh) | 2019-01-29 | 2019-01-29 | 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109613799A true CN109613799A (zh) | 2019-04-12 |
Family
ID=66021078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910085631.0A Pending CN109613799A (zh) | 2019-01-29 | 2019-01-29 | 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109613799A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110824835A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接式纳米压印模板、其拼接缝的修复方法及其制作方法 |
| WO2020103717A1 (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接式压印模板的制备方法和母模板 |
| CN111694214A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 纳米图案的拼接方法和拼接设备 |
| WO2022067613A1 (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 镭亚电子(苏州)有限公司 | 印制模板及其制造方法 |
| CN114660720A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-24 | Oppo广东移动通信有限公司 | 光波导母版的制备方法、光波导及增强现实设备 |
| CN115981097A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-18 | 苏州光越微纳科技有限公司 | 一种连续拼版式的纳米压印方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259926A (en) * | 1991-09-24 | 1993-11-09 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a thin-film pattern on a substrate |
| EP1003078A3 (en) * | 1998-11-17 | 2001-11-07 | Corning Incorporated | Replicating a nanoscale pattern |
| CN106433364A (zh) * | 2016-09-22 | 2017-02-22 | 南开大学 | 一种基于水性乳液的超疏水涂料及其制备方法和应用 |
| CN108873607A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种纳米压印模板及其制作方法 |
| CN109188863A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 膜层图案化的方法 |
-
2019
- 2019-01-29 CN CN201910085631.0A patent/CN109613799A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259926A (en) * | 1991-09-24 | 1993-11-09 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing a thin-film pattern on a substrate |
| EP1003078A3 (en) * | 1998-11-17 | 2001-11-07 | Corning Incorporated | Replicating a nanoscale pattern |
| CN106433364A (zh) * | 2016-09-22 | 2017-02-22 | 南开大学 | 一种基于水性乳液的超疏水涂料及其制备方法和应用 |
| CN108873607A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种纳米压印模板及其制作方法 |
| CN109188863A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 膜层图案化的方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020103717A1 (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接式压印模板的制备方法和母模板 |
| CN110824835A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接式纳米压印模板、其拼接缝的修复方法及其制作方法 |
| CN110824835B (zh) * | 2019-11-26 | 2023-05-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接式纳米压印模板、其拼接缝的修复方法及其制作方法 |
| CN111694214A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 纳米图案的拼接方法和拼接设备 |
| WO2022067613A1 (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 镭亚电子(苏州)有限公司 | 印制模板及其制造方法 |
| CN114660720A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-06-24 | Oppo广东移动通信有限公司 | 光波导母版的制备方法、光波导及增强现实设备 |
| CN115981097A (zh) * | 2022-12-30 | 2023-04-18 | 苏州光越微纳科技有限公司 | 一种连续拼版式的纳米压印方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109613799A (zh) | 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅 | |
| CN103782365B (zh) | 掩模版吸盘洁净器及掩模版吸盘清洁方法 | |
| WO2013137226A1 (ja) | 感光性フィルム、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置 | |
| CN108287383B (zh) | 一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置 | |
| CN103097953A (zh) | 近场平版印刷掩模及其制造 | |
| CN107121890A (zh) | 一种纳米压印模板及其制备方法 | |
| JP5865208B2 (ja) | モールドの製造方法 | |
| JP2014096593A (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法。 | |
| JP6418891B2 (ja) | スクリーンマスク、スクリーンマスクの製造方法 | |
| JP5225237B2 (ja) | 樹脂凸版印刷版およびその製造方法 | |
| CN105911628B (zh) | 一种线栅偏振器结构、显示基板母板及制作方法 | |
| Hwang et al. | Fabrication of roll imprint stamp for continuous UV roll imprinting process | |
| TW526148B (en) | Photo definable polyimide film used as an embossing surface | |
| JP4588041B2 (ja) | 樹脂モールドを利用した印刷版の製造方法 | |
| JPH04176691A (ja) | 鏡面ブランケット及びその製造方法 | |
| CN108681138A (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板 | |
| US5260173A (en) | Process for laminated electromagnetic radiation imaged polymerized material with a integral membrane | |
| CN105644133B (zh) | 用于胶印的移印版及其制备方法 | |
| JP2011056839A (ja) | 除去版洗浄方法、除去版洗浄用基板、インキの回収方法、インキの再生方法、及び除去版洗浄装置 | |
| JP4117943B2 (ja) | クッション性を有する印刷版の製造方法 | |
| JPH04239684A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2012148406A (ja) | コンクリート表面凝結遅延剤を用いた化粧コンクリート形成技術に関し、コンクリート表面凝結遅延剤をインキ素材として用いて、フィルム等シートに印刷する工法。 | |
| JP2010231127A (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法 | |
| JPH04331181A (ja) | 凹版印刷法 | |
| TWI249658B (en) | Deep-notch impressed master plate and its manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |