WO2020103717A1 - 拼接式压印模板的制备方法和母模板 - Google Patents

拼接式压印模板的制备方法和母模板

Info

Publication number
WO2020103717A1
WO2020103717A1 PCT/CN2019/117133 CN2019117133W WO2020103717A1 WO 2020103717 A1 WO2020103717 A1 WO 2020103717A1 CN 2019117133 W CN2019117133 W CN 2019117133W WO 2020103717 A1 WO2020103717 A1 WO 2020103717A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
template
splicing
embossed
glue
sacrificial layer
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/117133
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
谭伟
郭康
谷新
张笑
Original Assignee
京东方科技集团股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京东方科技集团股份有限公司 filed Critical 京东方科技集团股份有限公司
Priority to US16/954,626 priority Critical patent/US20200361123A1/en
Publication of WO2020103717A1 publication Critical patent/WO2020103717A1/zh

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • B29C2033/3871Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts the models being organic material, e.g. living or dead bodies or parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
    • B29C2033/426Stampers

Definitions

  • the present disclosure aims to solve at least one of the technical problems existing in the related art, and proposes a method for preparing a splicing imprint template and a master template.
  • an embodiment of the present disclosure provides a method for preparing a spliced imprint template, wherein the spliced imprint template includes: a first splicing area and a second splicing area adjacent to each other, the preparation method
  • the method includes: forming a first splicing imprint pattern in the first splicing area on the base substrate; forming a sacrificial layer on a surface of the first splicing imprint pattern facing away from the base substrate, the sacrifice The layer covers at least a part of the area within the first splicing area and close to the second splicing area, and the sacrificial layer, the first splicing imprint pattern and the second splicing imprint pattern to be formed subsequently are configured as: Under a specific film removal process, the sacrificial layer is removed, while the first splicing embossing pattern and the second splicing embossing pattern remain; formed in the second splicing area on the base
  • the sacrificial layer covers the entire first splicing area.
  • the step of removing the sacrificial layer by the specific film removal process further includes: drying the imprint template.
  • the predetermined master template includes: a first embossed structure and a second embossed structure connected to each other;
  • the first embossed structure includes: a support layer and an embossed graphic layer, the embossed graphic The layer is located on the first surface of the support layer and protrudes from the first surface;
  • the second embossed structure extends from the support layer in a direction parallel to the first surface, and the second pressure
  • the imprint structure is located on the side of the plane where the first surface is facing away from the imprint graphic layer, so that there is a distance between the surface of the second imprint structure near the imprint graphic layer and the support surface;
  • the step of patterning the second template glue located in the second splicing area using a predetermined master template includes: aligning the predetermined master template with the second template glue, wherein the first An orthographic projection of the imprint structure on the base substrate covers the second splicing area, an orthographic projection of the second imprint structure on the base substrate falls into the sacrificial layer on the base substrate In
  • the first imprint structure faces toward the second imprint structure
  • the side surface is located on the same plane as the side surface of the first splicing embossed graphic facing the second splicing area.
  • the imprint surface of the second imprint structure is flat.
  • the first embossing structure and the second embossing structure are integrally formed.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a first splicing embossed pattern formed in a first splicing area in this disclosure
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a master template provided by an embodiment of the present disclosure.
  • first, second, etc. may be used herein to describe various elements, these elements should not be limited to these terms. These terms are only used to distinguish one element from another. Therefore, without departing from the teachings of the present disclosure, the first element, first component, or first component discussed below may be referred to as the second element, second component, or second component.
  • the conventional preparation method can solve the problem of the continuity of the embossed splicing pattern, it can be seen from FIG. 1 that the thickness of the embossed splicing pattern formed later is significantly larger than the thickness of the embossed splicing pattern 1 formed adjacent thereto and formed first.
  • the two imprint stitching patterns have a large stitch segment difference H, which will seriously affect the stamping effect of the stamp template.
  • the present disclosure provides an imprint template, a preparation method thereof, and a master template.
  • Step S101 Form a first splicing imprint pattern 8 in the first splicing area on the base substrate.
  • Step S102 Form a sacrificial layer on a surface of the first splicing imprinted pattern facing away from the base substrate.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the present disclosure when a sacrificial layer is formed on a first splicing imprint pattern.
  • a sacrificial layer 9 is formed on the first splicing embossed pattern 8, and the sacrificial layer 9 covers at least a portion of the first splicing area and close to the second splicing area (predetermined overflow area 4).
  • the predetermined glue overflow area 4 is a side surface of the first splicing imprint pattern 8 facing away from the base substrate 5 and close to the second splicing area 7.
  • the sacrificial layer 9 completely covers the side surface of the first splicing embossed pattern 8 facing away from the base substrate 5, and the specific beneficial effects will be described later. It should be noted that FIG. 3 only exemplarily shows a case where the sacrificial layer 9 completely covers the surface of the first splicing imprint pattern 8 facing away from the base substrate 5.
  • Step S103 forming a second template glue in the second splicing area on the base substrate.
  • Step S104 Pattern the second template glue using a predetermined mother template (second mother template).
  • FIG. 6a is a schematic cross-sectional view when patterning the second template glue. As shown in FIG. 6a, the second template glue 10 is imprinted using a predetermined master template 3a to pattern the second template glue 10.
  • the overflowed second template glue may exceed the predetermined glue overflow area 4.
  • the sacrificial layer is provided only in the predetermined glue overflow area 4, the second template glue overflowing outside the predetermined glue overflow area 4 will directly contact the imprint surface of the first splicing imprint pattern 8.
  • the sacrificial layer 9 completely covers the side surface of the first splicing imprint pattern 8 facing away from the base substrate 5, that is, the sacrificial layer 9 covers the entire first splicing area. Therefore, contact between the second template glue 10 and the imprinted surface of the first spliced imprinted pattern 8 during the imprinting process can be completely avoided.
  • the present disclosure provides another technical means for patterning the second template glue 10.
  • FIG. 6b is another schematic cross-sectional view when patterning the second template glue.
  • the predetermined master template 3b includes: a first embossing structure 12 and a second embossing structure 13 connected to each other.
  • the specific process of patterning the second template glue 10 using the predetermined master template 3b shown in FIG. 6b is as follows: First, the predetermined master template 3b is directly opposed to the second template glue 10, in which the first imprint structure 12 The orthographic projection on the base substrate 5 covers the second splicing area 7, and the orthographic projection of the second embossing structure 13 on the base substrate 5 falls within the orthographic projection of the sacrificial layer on the base substrate (ie, at least covers the predetermined glue overflow area) 4); Then, the second template glue 10 is embossed with a predetermined master template 3b to pattern the second template glue 10 located in the second splicing area 7. Since the side of the predetermined master template 3b is no longer in contact with the second template glue 10, there is no problem that the predetermined master template 3b is inclined during the imprinting process.
  • Step S105 Curing the second template glue and demolding.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a first splicing embossed pattern and a second splicing embossed pattern obtained by removing a sacrificial layer through a specific film removal process.
  • the sacrificial layer 9 is removed through a film removal process
  • the second stencil 10 on the side of the sacrificial layer 9 facing away from the base substrate 1 will be synchronously peeled off, and the second stencil 10 on the second splicing area 7 Constitute the second splicing embossed pattern 11.
  • step S106 in order to ensure that the second stencil 10 on the side of the sacrificial layer 9 facing away from the base substrate 1 can smoothly fall off following the removal of the sacrificial layer 9, after step S104, it should be ensured
  • the amount of glue connected between the second stencil 10 on the side of the sacrificial layer 9 facing away from the base substrate 1 and the second stencil 10 on the second splicing area 7 is small (after curing, even if there is A small amount of glue connects the second template glue 10 located in the predetermined overflow area 4 and the second template glue 10 located in the second splicing area 7, but after the sacrificial layer is removed, the small amount of connection glue will break).
  • step S104 the amount of glue connecting the second stencil 10 on the side of the sacrificial layer 9 facing away from the base substrate 1 and the second stencil 10 on the second splicing area 7 can be detected If the amount of glue is large, the part of the glue can be removed by a plasma etching process after the end of step S105, so that the second template glue 10 on the side of the sacrificial layer 9 facing away from the base substrate 1 and the second The second stencil glue 10 in the splicing area 7 is separated, so that after the sacrificial layer 9 is removed, the second stencil glue 10 on the side of the sacrificial layer 9 facing away from the base substrate 1 can be smoothly peeled off.
  • the material of the sacrificial layer 9 is a degradable material, and in step S106, the sacrificial layer 9 may be degraded by a degradation process.
  • the degradable material includes degradable imprinting glue
  • the degradable imprinting glue includes ketal or acetal groups. After the degradable imprinting glue is cured, the ketal or acetal of the crosslinking group is cross-linked.
  • the functional group is unstable under weakly acidic conditions.
  • the number of stitching regions in the stitching imprint template is greater than or equal to 2, where when the number of stitching regions is equal to 2, the above steps S101 to S106 need only be performed once; when the stitching regions When the number is greater than 2, by repeating some or all of steps S101 to S106 above, any two adjacent splicing areas (one of which is the first splicing area and the other is the second splicing area ) A first splicing embossing pattern and a second splicing embossing pattern are formed respectively. Therefore, on the prepared splicing and imprinting template, there is no segment difference between splicing and imprinting graphics in any two adjacent splicing areas.
  • Embodiments of the present disclosure provide a splicing imprint template.
  • the splicing imprint template can be prepared by using the preparation method provided in the foregoing embodiment. For a detailed description, refer to the foregoing.
  • the master template includes: a first imprint structure 12 and a second imprint structure 13 connected to each other; a first imprint structure 12 includes: a support layer 12a and an imprinted graphic layer 12b.
  • the imprinted graphic layer 12b is located on the first surface of the support layer (the lower surface of the support layer 12a in FIG. 9 is shown by the dashed line 14 in FIG.
  • the second embossed structure 13 extends from the support layer in a direction parallel to the first surface, and the second embossed structure 13 is located on the side of the plane where the first surface is facing away from the embossed graphic layer 12b, so that the first There is a distance between the surface of the second imprint structure 13 close to the imprinted pattern layer 12b (the lower surface of the second imprint structure 13 in FIG. 9) and the first surface. Due to the existence of this distance, during the imprinting process, an accommodating portion capable of accommodating the overflow glue is formed between the lower surface of the second imprinting structure 13 and the first surface 14 to avoid the formation of an intermediate step difference during imprinting.
  • the master template provided in this embodiment can be used to imprint and pattern the second template glue in the foregoing embodiment.
  • imprinting process please refer to the foregoing description of FIG. 6b.
  • the imprinting surface of the second imprinting structure can be designed as a flat surface, which can facilitate the preparation of the master template.
  • the first embossing structure and the second embossing structure are integrally formed.
  • a glass substrate can be directly etched one or more times to obtain a first embossed structure and a second embossed structure.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

一种拼接式压印模板的制备方法,拼接式压印模板包括:彼此相邻的第一拼接区域(6)和第二拼接区域(7),制备方法包括:在衬底基板(5)上的第一拼接区域(6)内形成第一拼接压印图形(8);在第一拼接压印图形(8)背向衬底基板(5)的一侧表面形成牺牲层(9);在衬底基板(5)上的第二拼接区域(7)内形成第二模板胶(10);采用预定母模板(3a,3b)对位于第二拼接区域(7)内的第二模板胶(10)进行图案化;对第二模板胶(10)进行固化和脱模;通过特定除膜工艺去除牺牲层(9)。还提供了一种拼接式压印模板和母模板(3a,3b)。

Description

拼接式压印模板的制备方法和母模板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年11月19日提交的发明名称为“拼接式压印模板及其制备方法和母模板”的中国专利申请NO.201811376982.9的优先权,其所公开的内容以引用的方式合并于此。
技术领域
本公开涉及纳米压印技术领域,特别涉及拼接式压印模板的制备方法和母模板。
背景技术
在制备大尺寸压印模板时,需要采用拼接压印用子图形的方式来形成压印用图形层。拼接方式包括:分离式拼接方式和重叠式拼接方式。其中,当采用分离式拼接方式时得到的压印用图形层具有较宽的拼接缝,当采用重叠式拼接方式时在溢胶区域(Overlap)具有较高的拼接段差。
由此可见,现有的拼接方式制备出的压印用图形层存在明显不良。
发明内容
本公开旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一,提出了一种拼接式压印模板的制备方法和母模板。
第一方面,本公开实施例提供了一种拼接式压印模板的制备方法,其中,所述拼接式压印模板包括:彼此相邻的第一拼接区域和第二拼接区域,所述制备方法包括:在衬底基板上的所述第一拼接区域内形成第一拼接压印图形;在所述第一拼接压印图形背向所述衬底基板的一侧表面形成牺牲层,所述牺牲层至少覆盖所述第一拼接区域内 且靠近所述第二拼接区域的部分区域,所述牺牲层、所述第一拼接压印图形和后续待形成的第二拼接压印图形被配置为:在特定除膜工艺下,所述牺牲层被去除,而所述第一拼接压印图形和所述第二拼接压印图形保留;在所述衬底基板上的所述第二拼接区域内形成第二模板胶;采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化;对所述第二模板胶进行固化和脱模;通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层。
在一些实施例中,所述牺牲层覆盖整个所述第一拼接区域。
在一些实施例中,所述牺牲层的材料包括:可降解材料;所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤包括:通过降解工艺将所述牺牲层降解。
在一些实施例中,所述可降解材料包括:可降解型压印胶。
在一些实施例中,所述牺牲层的材料包括:水溶性材料;所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤包括:通过水溶剂溶解所述牺牲层。
在一些实施例中,所述水溶性材料包括:聚乙烯醇树脂和聚己内酯树脂中的至少一种。
在一些实施例中,所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤之后还包括:对所述压印模板进行干燥处理。
在一些实施例中,所述预定母模板包括:彼此相连的第一压印结构和第二压印结构;所述第一压印结构包括:支撑层和压印图形层,所述压印图形层位于所述支撑层的第一表面并从所述第一表面突出;所述第二压印结构从所述支撑层沿平行于所述第一表面的方向延伸出,且所述第二压印结构位于所述第一表面所在平面背向所述压印图形层的一侧,使得所述第二压印结构靠近所述压印图形层的表面与所述支撑面之间存在一距离;所述采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的步骤包括:将所述预定母模板与所述第二模板胶正对,其中所述第一压印结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二拼接区域,所述第二压印结构在所述衬底基板上的正投影落入所述牺牲层在所述衬底基板上的正投影内;利用所述预 定母模板对所述第二模板进行压印,以对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化。
在一些实施例中,在采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的过程中,所述第一压印结构朝向所述第二压印结构的侧面,与所述第一拼接压印图形朝向所述第二拼接区域的侧面位于同一平面上。
第二方面,本公开实施例还提供了一种母模板,其中,包括:彼此相连的第一压印结构和第二压印结构;所述第一压印结构包括:支撑层和压印图形层,所述压印图形层位于所述支撑层的第一表面并从所述第一表面突出;以及,所述第二压印结构从所述支撑层沿平行于所述第一表面的方向延伸出,且所述第二压印结构位于所述第一表面所在平面背向所述压印图形层的一侧,使得所述第二压印结构靠近所述压印图形层的表面与所述第一表面之间存在一距离。
在一些实施例中,所述第二压印结构的压印表面为平面。
在一些实施例中,所述第一压印结构和第二压印结构一体成型。
附图说明
图1为相关技术中采用重叠式拼接方式制备压印模板时的截面示意图;
图2为本公开中在彼此相邻的两个拼接区域中分别形成对应的拼接压印图形的制备方法流程图;
图3为本公开中在第一拼接区域内形成第一拼接压印图形时的截面示意图;
图4为本公开中在第一拼接压印图形上形成牺牲层时的截面示意图;
图5为本公开中在第二拼接区域内形成第二模板胶时的截面示意图;
图6a为对第二模板胶进行图案化时的截面示意图;
图6b为对第二模板胶进行图案化时的截面示意图;
图7为预定母模板与第二模板胶分离时的截面示意图;
图8为通过特定除膜工艺去除牺牲层后得到第一拼接压印图形和第二拼接压印图形的截面示意图;
图9为本公开实施例提供的一种母模板的截面示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案,下面结合附图对本公开提供的拼接式压印模板及其制备方法和母模板进行详细描述。
在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例,但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之,提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整,并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。
本文所使用的术语仅用于描述特定实施例,且不意欲限制本公开。如本文所使用的,单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式,除非上下文另外清楚指出。还将理解的是,当本说明书中使用术语“包括”和/或“由……制成”时,指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。
将理解的是,虽然本文可以使用术语第一、第二等来描述各种元件,但这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。因此,在不背离本公开的指教的情况下,下文讨论的第一元件、第一组件或第一部件可称为第二元件、第二组件或第二部件。
本文所述实施例可借助本公开的理想示意图而参考平面图和/或截面图进行描述。因此,可根据制造技术和/或容限来修改示例图示。因此,实施例不限于附图中所示的实施例,而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此,附图中例示的区具有示意性属性,并且图中所示区的形状例示了元件的区的具体形状,但并不旨在是限制性的。
除非另外限定,否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本领域普通技术人员通常理解的含义相同。还将理解,诸如那些在常用字典中限定的那些术语应当被解释为具有与其在相关技术以及本公开的背景下的含义一致的含义,且将不解释为具有理想化或过度形式上的含义,除非本文明确如此限定。
图1为相关技术中采用重叠式拼接方式制备压印模板时的截面示意图。如图1所示,其中在彼此相邻的两个拼接区域内分别依次形成压印拼接图形的过程大致如下。首先,在其中一个拼接区域内形成一个压印拼接图形1;然后,在另一拼接区域内各位置均匀涂布模板胶2;接着,使用一个母模板3来对模板胶2进行图案化。
其中,在利用母模板3对模板胶2进行图案化的过程中,不可避免的会发生溢胶,部分模板胶溢出至压印拼接图形1的表面,压印拼接图形1上对应预定溢胶区域4的部分被覆盖。为保证相邻两个拼接区域内的两个压印拼接图形的连续性,位于预定溢胶区域4内的模板胶2也需要进行图案化。为保障预定溢胶区域4内的模板胶2能够被图案化,则需要使得模板胶2的涂布厚度较大,以保证溢出至预定溢胶区域4的模板胶可被图案化。
常规的制备方法虽能解决压印拼接图形的连续性的问题,但是通过附图1可见,后形成的压印拼接图形的厚度明显大于与其相邻且先形成的压印拼接图形1的厚度。两个压印拼接图形存在较大的拼接段差H,该拼接段差H会严重影响压印模板的压印效果。
为解决上述技术问题,本公开提供了一种压印模板及其制备方法和母模板。
本公开实施例提供的一种拼接式压印模板的制备方法,该拼接式压印模板包括彼此相邻的第一拼接区域和第二拼接区域,第一拼接区域内形成有的第一拼接压印图形,第二拼接区域内形成有的第二拼接压印图形。
图2为本公开中在彼此相邻的两个拼接区域内分别形成对应的拼接压印图形的制备方法流程图。如图2所示,在相邻的第一拼接区域内和第二拼接区域内分别形成第一拼接压印图形和第二拼接压印 图形的步骤具体包括:
步骤S101、在衬底基板上的第一拼接区域内形成第一拼接压印图形8。
图3为本公开中在第一拼接区域内形成第一拼接压印图形时的截面示意图。如图3所示,首先,在衬底基板5上的第一拼接区域6中涂布第一模板胶,第一模板胶包含单体、预聚物、光引发剂及其他添加剂,其主体树脂为丙烯酸酯类树脂、环氧树脂等,涂布厚度为3um~4um,涂布方式包括但不限于旋转涂布(Spin Coating)、夹缝式涂布(Slot Coating)、喷墨打印(Inkjet printing)、夹缝式挤压型涂布(Slot-Die Coating)。然后,利用第一母模板(未示出)对模板胶进行压印,并对图案化的第一模板胶进行固化、脱模,以得到第一拼接压印图形8。固化工艺包括但不限于热固化和光照固化。需要说明的是,上述第一母模板为针对制备第一拼接压印图形8所预先提供的模板,其具体结构不作限定。
通过上述工艺制备出的第一拼接压印图形8不具备水溶性和可降解性。
步骤S102、在第一拼接压印图形背向衬底基板的一侧表面形成牺牲层。
图4为本公开中在第一拼接压印图形上形成牺牲层时的截面示意图。如图4所示,在第一拼接压印图形8上形成牺牲层9,该牺牲层9至少覆盖第一拼接区域内且靠近第二拼接区域的部分区域(预定溢胶区域4)。该预定溢胶区域4是第一拼接压印图形8背向衬底基板5的一侧表面且靠近第二拼接区域7。
在本公开中,位于第一拼接区域内预定溢胶区域4是根据压印第二模板胶的预先实验的溢胶情况所设定的区域。本公开的技术方案对预定溢胶区域4的具体形状、尺寸不作限定。
优选地,牺牲层9完全覆盖第一拼接压印图形8背向衬底基板5的一侧表面,具体有益效果将在后续描述。需要说明的是,附图3中仅示例性给出了牺牲层9完全覆盖第一拼接压印图形8背向衬底基板5的一侧表面的情况。
在本公开中,牺牲层9、第一拼接压印图形8和后续待形成的第二拼接压印图形被配置为:在特定除膜工艺下,牺牲层9被去除,而第一拼接压印图形8和第二拼接压印图形保留。
作为一种可选实施方案,牺牲层的材料包括:可降解材料;进一步地,可降解材料包括:可降解型压印胶。进一步可选地,可降解型压印胶包括可降解树脂。
作为另一种可选实施方案,牺牲层的材料包括:水溶性材料;进一步地,水溶性材料包括:聚乙烯醇树脂和聚己内酯树脂中的至少一种。
步骤S103、在衬底基板上的第二拼接区域内形成第二模板胶。
图5为本公开中在第二拼接区域内形成第二模板胶时的截面示意图。如图5所示,通过涂布工艺在第二拼接区域7精准涂布第二模板胶10;第二模板胶10包含单体、预聚物、光引发剂及其他添加剂,其主体树脂为丙烯酸酯类树脂、环氧树脂等,涂布厚度为5um~6um,涂布方式包括但不限于旋转涂布、夹缝式涂布、喷墨打印、夹缝式挤压型涂布。
在本公开中,第一模板胶和第二模板胶10的材料可以相同,也可以不同。另外,在第二拼接区域7内涂布的第二模板胶10的厚度可以与和第一拼接区域6内涂布的第一模板胶的厚度相同,也可以不同。当然,为尽可能的缩小甚至消除第一拼接压印图形8与后续所形成的第二拼接压印图形之间的段差,第二模板胶的涂布厚度与第一模板胶的涂布厚度相同。
步骤S104、采用预定母模板(第二母模板)对第二模板胶进行图案化。
图6a为对第二模板胶进行图案化时的一种截面示意图。如图6a所示,使用预定母模板3a对第二模板胶10进行压印,以对第二模板胶10进行图案化。
作为一种可选方案,在图6a中,预定母模板3a与第二拼接区域7正对,以对第二拼接区域7内的第二模板胶10进行图案化。在该压印过程中,部分第二模板胶10会溢出至第一拼接区域6。
需要说明的是,在实际生产工艺过程中,由于一些偶然因素会导致溢出的第二模板胶超出预定溢胶区域4。此时,若仅在预定溢胶区域4设置牺牲层,则溢出至预定溢胶区域4之外的第二模板胶会直接与第一拼接压印图形8的压印面接触。为克服上述问题,本公开中优选牺牲层9完全覆盖第一拼接压印图形8背向衬底基板5的一侧表面,即牺牲层9覆盖整个所述第一拼接区域。因此,可完全避免压印过程中第二模板胶10与第一拼接压印图形8的压印面相接触。
当利用图6a中所示预定母模板3a对第二模板胶10进行压印时,位于预定溢胶区域4的第二模板胶10会对预定母模板3a的靠近第一拼接区域6的侧面产生一个作用力,导致预定母模板在压印过程中发生倾斜,从而影响位于第二拼接区域7内的第二模板胶10的压印效果。
为解决上述问题,本公开提供了另一种对第二模板胶10进行图案化的技术手段。
图6b为对第二模板胶进行图案化时的另一种截面示意图。如图6b和图9所示,所示预定母模板3b包括:彼此相连的第一压印结构12和第二压印结构13,第一压印结构12包括:支撑层12a和压印图形层12b,压印图形层位于支撑层的第一表面并从第一表面突出;第二压印结构13从支撑层沿平行于所述第一表面的方向延伸出,且第一压印结构位于第一表面所在平面背向压印图形层的一侧,使得第二压印结构13靠近压印图形层12b的表面与支撑面12a之间存在一距离。以上距离使得部分第二模板胶能够顺利溢出至牺牲层背向衬底基板的一侧。与图6a中所示不同的是,图6b中溢出至预定溢胶区域4内的第二模板胶10也被预定母模板3b压印。
采用图6b中所示预定母模板3b对第二模板胶10进行图案化的具体过程如下:首先,将预定母模板3b与第二模板胶10正对,其中,第一压印结构12在衬底基板5上的正投影覆盖第二拼接区域7,第二压印结构13在衬底基板5上的正投影落入牺牲层在衬底基板上的正投影内(即至少覆盖预定溢胶区域4);然后,利用预定母模板3b对第二模板胶10进行压印,以对位于第二拼接区域7内的第二模板 胶10进行图案化。由于预定母模板3b的侧面不再与第二模板胶10接触,因而在压印过程中不会出现预定母模板3b倾斜的问题。
需要说明的是,由于位于预定溢胶区域4内的第二模板胶10在后续工艺中会被去除,因此位于预定溢胶区域4内的第二模板胶10在步骤S104中是否被压印、是否被图案化,本公开的技术方案不作限定。在本公开中仅需保证仅需保证位于第二拼接区域7内的第二模板胶10被压印、图案化即可。在此不限定预定母模板的结构,其用于图案化的结构可以与第一母模板的用于图案化的结构相同,也可以不同。
步骤S105、对第二模板胶进行固化,并进行脱模。
图7为预定母模板与第二模板胶分离时的截面示意图。如图7所示,可通过热固化工艺或光照固化工艺以对第二模板胶10进行固化,待固化工艺完成后,利用脱模工艺将预定母模板与第二模板胶10分离。
步骤S106、通过特定除膜工艺去除牺牲层,使位于牺牲层背向衬底基板的一侧的第二模板胶脱落,并使位于第二拼接区域的第二模板胶构成第二拼接压印图形。
图8为通过特定除膜工艺去除牺牲层后得到第一拼接压印图形和第二拼接压印图形的截面示意图。如图8所示,通过除膜工艺将牺牲层9去除,位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10会同步脱落,位于第二拼接区域7的第二模板胶10构成第二拼接压印图形11。
需要说明的是,在步骤S106中,为保证位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10能够跟随牺牲层9的去除而顺利脱落,则在步骤S104结束后,应保证位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10和位于第二拼接区域7的第二模板胶10二者之间所连接的胶量较小(在完成固化后,即便存在少量胶连接位于预定溢胶区域4内的第二模板胶10和位于第二拼接区域7的第二模板胶10,但在牺牲层被去除后,该少量连接胶会折断)。
优选地,在步骤S104结束后位于牺牲层9背向衬底基板1一侧 的第二模板胶10与位于第二拼接区域7的第二模板胶10,两者完全分离,即连接位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10和位于第二拼接区域7的第二模板胶10的胶量为0。作为一种可选实现方案,当采用图6b中所示预定母模板来对第二模板胶进行压印时,在压印过程中,预定母模板内第一压印结构朝向第二压印结构的侧面,与第一拼接压印图形朝向第二拼接区域的侧面,该两个侧面位于同一平面上。此时,在压印结束后,可实现位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10与位于第二拼接区域7的第二模板胶10,两者完全分离。
在实际生产中,在步骤S104结束后,可对连接位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10和位于第二拼接区域7的第二模板胶10的胶量进行检测,若胶量较大,则可在步骤S105结束之后通过等离子体刻蚀工艺将该部分胶去除,以使得位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10与位于第二拼接区域7的第二模板胶10分离,以便于在牺牲层9被去除后,使位于牺牲层9背向衬底基板1一侧的第二模板胶10能顺利脱落。
作为一种可选方案,牺牲层9的材料为可降解材料,在步骤S106中可通过降解工艺将牺牲层9降解。例如,可降解材料包括可降解型压印胶,可降解型压印胶中包括有缩酮或缩醛基团,在可降解型压印胶固化后,交联基团的缩酮或缩醛官能团在弱酸性条件下不稳定。在步骤S106中,可将压印模板至于弱酸环境(例如,浸泡于弱酸溶液内)中,交联基团在弱酸条件下发生水解,交联键断裂,将不溶的网状结构变为可溶的线性结构,从而可以达到降解的目的。
作为另一种可选方案,牺牲层9的材料为水溶性材料,在步骤S106中可通过水溶剂将牺牲层9溶解。
通过上述步骤S101~步骤S106所制备出的第一拼接压印图形8和第二拼接压印图形11之间不存在段差。
在利用降解工艺降解牺牲层9或利用水溶剂溶解牺牲层9之后,第一拼接压印图形8、第二拼接压印图形11、衬底基板5等结构的表面会遗留部分水。为避免遗留的水对后续工艺造成影响,本实施例中 优选地,在去除牺牲层9之后,对压印模板进行干燥处理;例如,利用氮气吹扫压印模板的表面。
需要说明的是,本公开中拼接式压印模板中拼接区域的数量大于或等于2个,其中当拼接区域的数量等于2个时,则仅需执行一次上述步骤S101~步骤S106;当拼接区域的数量大于2个时,通过重复执行上述步骤S101~步骤S106中的部分步骤或全部步骤,以在任意相邻的两个拼接区域(其中一个作为第一拼接区域,另一个作为第二拼接区域)内分别形成第一拼接压印图形和第二拼接压印图形。因此在所制备出的拼接压印模板上,任意相邻的两个拼接区域内的拼接压印图形之间均不存在段差。
本公开实施例提供了一种拼接式压印模板,该拼接式压印模板可采用前述实施例所提供的制备方法进行制备,具体描述可参见前述内容。
图9为本公开实施例提供的一种母模板的截面示意图,如图9所示,该母模板包括:彼此相连的第一压印结构12和第二压印结构13;第一压印结构12包括:支撑层12a和压印图形层12b,压印图形层12b位于支撑层的第一表面(图9中支撑层12a的下表面,在图9中由虚线14示出)并从我第一表面突出;第二压印结构13从支撑层沿平行于第一表面的方向延伸出,且第二压印结构13位于第一表面所在平面背向压印图形层12b的一侧,使得第二压印结构13靠近压印图形层12b的表面(图9中第二压印结构13的下表面)与第一表面之间存在一距离。由于该距离的存在,使得在压印过程中,第二压印结构13的下表面与第一表面14之间形成能够容纳溢胶的容纳部,避免压印过种中段差的形成。
本实施例所提供的母模板可用于在前述实施例中对第二模板胶进行压印、图案化。具体压印过程可参见前述对图6b的描述内容。
考虑到溢出至预定溢胶区域内的第二模板胶不用被图形化,因此第二压印结构的印压表面可设计为平面,此时可便于母模板的制备。
可选地,第一压印结构和第二压印结构一体成型。作为母模板 的一种制备方法,可直接对一个玻璃基板进行一次或多次刻蚀,以得到第一压印结构和第二压印结构。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式,然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本公开的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (12)

  1. 一种拼接式压印模板的制备方法,其中,所述拼接式压印模板包括:彼此相邻的第一拼接区域和第二拼接区域,所述制备方法包括:
    在衬底基板上的所述第一拼接区域内形成第一拼接压印图形;
    在所述第一拼接压印图形背向所述衬底基板的一侧表面形成牺牲层,所述牺牲层至少覆盖所述第一拼接区域内且靠近所述第二拼接区域的部分区域,所述牺牲层、所述第一拼接压印图形和后续待形成的第二拼接压印图形被配置为:在特定除膜工艺下,所述牺牲层被去除,而所述第一拼接压印图形和所述第二拼接压印图形保留;
    在所述衬底基板上的所述第二拼接区域内形成第二模板胶;
    采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化;
    对所述第二模板胶进行固化和脱模;
    通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层。
  2. 根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述牺牲层覆盖整个所述第一拼接区域。
  3. 根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述牺牲层的材料包括:可降解材料;
    所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤包括:通过降解工艺将所述牺牲层降解。
  4. 根据权利要求3所述的制备方法,其中,所述可降解材料包括:可降解型压印胶。
  5. 根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述牺牲层的材料包括:水溶性材料;
    所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤包括:通过水溶剂溶解所述牺牲层。
  6. 根据权利要求5所述的制备方法,其中,所述水溶性材料包括:聚乙烯醇树脂和聚己内酯树脂中的至少一种。
  7. 根据权利要求3-6中任一所述的制备方法,其中,所述通过所述特定除膜工艺去除所述牺牲层的步骤之后还包括:
    对所述压印模板进行干燥处理。
  8. 根据权利要求1所述的制备方法,其中,所述预定母模板包括:彼此相连的第一压印结构和第二压印结构;所述第一压印结构包括:支撑层和压印图形层,所述压印图形层位于所述支撑层的第一表面并从所述第一表面突出;所述第二压印结构从所述支撑层沿平行于所述第一表面的方向延伸出,且所述第二压印结构位于所述第一表面所在平面背向所述压印图形层的一侧,使得所述第二压印结构靠近所述压印图形层的表面与所述支撑面之间存在一距离;
    所述采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的步骤包括:
    将所述预定母模板与所述第二模板胶正对,其中所述第一压印结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二拼接区域,所述第二压印结构在所述衬底基板上的正投影落入所述牺牲层在所述衬底基板上的正投影内;
    利用所述预定母模板对所述第二模板进行压印,以对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化。
  9. 根据权利要求8所述的制备方法,其中,在采用预定母模板对位于所述第二拼接区域内的所述第二模板胶进行图案化的过程中,所述第一压印结构朝向所述第二压印结构的侧面,与所述第一拼接压印图形朝向所述第二拼接区域的侧面位于同一平面上。
  10. 一种母模板,其中,包括:彼此相连的第一压印结构和第二压印结构;
    所述第一压印结构包括:支撑层和压印图形层,所述压印图形层位于所述支撑层的第一表面并从所述第一表面突出;以及,所述第二压印结构从所述支撑层沿平行于所述第一表面的方向延伸出,且所述第二压印结构位于所述第一表面所在平面背向所述压印图形层的一侧,使得所述第二压印结构靠近所述压印图形层的表面与所述第一表面之间存在一距离。
  11. 根据权利要求10所述的母模板,其中,所述第二压印结构的压印表面为平面。
  12. 根据权利要求10或11所述的母模板,其中,所述第一压印结构和第二压印结构一体成型。
PCT/CN2019/117133 2018-11-19 2019-11-11 拼接式压印模板的制备方法和母模板 WO2020103717A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/954,626 US20200361123A1 (en) 2018-11-19 2019-11-11 Preparation method of splicing imprint template and cavity template

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811376982.9A CN109240041B (zh) 2018-11-19 2018-11-19 拼接式压印模板及其制备方法和母模板
CN201811376982.9 2018-11-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020103717A1 true WO2020103717A1 (zh) 2020-05-28

Family

ID=65075960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/117133 WO2020103717A1 (zh) 2018-11-19 2019-11-11 拼接式压印模板的制备方法和母模板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200361123A1 (zh)
CN (1) CN109240041B (zh)
WO (1) WO2020103717A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109240041B (zh) * 2018-11-19 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 拼接式压印模板及其制备方法和母模板
CN110824835B (zh) * 2019-11-26 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 拼接式纳米压印模板、其拼接缝的修复方法及其制作方法
CN111624851A (zh) * 2020-06-16 2020-09-04 京东方科技集团股份有限公司 压印模板及其制备方法
WO2022067613A1 (zh) * 2020-09-30 2022-04-07 镭亚电子(苏州)有限公司 印制模板及其制造方法
CN112731763A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 嘉兴驭光光电科技有限公司 一种微纳光学器件制造方法
CN114851684B (zh) * 2021-02-03 2024-03-19 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 一种具有双重防伪效果的模具及其制作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1698181A (zh) * 2003-06-20 2005-11-16 松下电器产业株式会社 图案形成方法及半导体器件的制造方法
US20060144275A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20160288373A1 (en) * 2015-04-06 2016-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Imprint lithography method, method for manufacturing master template using the method, and master template manufactured by the method
US20180088461A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing imprint master template
CN109188863A (zh) * 2018-11-05 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 膜层图案化的方法
CN109240041A (zh) * 2018-11-19 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 拼接式压印模板及其制备方法和母模板
CN109613799A (zh) * 2019-01-29 2019-04-12 京东方科技集团股份有限公司 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5274128B2 (ja) * 2007-08-03 2013-08-28 キヤノン株式会社 インプリント方法および基板の加工方法
KR101555230B1 (ko) * 2009-01-29 2015-09-24 삼성전자주식회사 나노임프린트 리소그래피를 이용한 미세 패턴의 형성 방법
KR102332038B1 (ko) * 2015-04-10 2021-11-30 삼성디스플레이 주식회사 임프린트 리소그래피 방법, 이를 이용한 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 임프린트 리소그래피용 마스터 템플릿
CN105911815B (zh) * 2016-05-24 2019-07-05 京东方科技集团股份有限公司 纳米压印模板的制作系统及方法
JP6957281B2 (ja) * 2017-09-12 2021-11-02 キオクシア株式会社 テンプレートの作製方法、および半導体装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1698181A (zh) * 2003-06-20 2005-11-16 松下电器产业株式会社 图案形成方法及半导体器件的制造方法
US20060144275A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20160288373A1 (en) * 2015-04-06 2016-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Imprint lithography method, method for manufacturing master template using the method, and master template manufactured by the method
US20180088461A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing imprint master template
CN109188863A (zh) * 2018-11-05 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 膜层图案化的方法
CN109240041A (zh) * 2018-11-19 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 拼接式压印模板及其制备方法和母模板
CN109613799A (zh) * 2019-01-29 2019-04-12 京东方科技集团股份有限公司 纳米图案的拼接方法、纳米压印板及光栅

Also Published As

Publication number Publication date
CN109240041A (zh) 2019-01-18
US20200361123A1 (en) 2020-11-19
CN109240041B (zh) 2020-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020103717A1 (zh) 拼接式压印模板的制备方法和母模板
US8331022B2 (en) Reflective screen, projection system, front projection television, and reflective screen manufacturing method
US7955545B2 (en) Nano-imprinting process
US20140017614A1 (en) Method of forming large-area masters for replication of transfer lithography templates
CN102360092B (zh) 光学元件及其制造方法
TW201140650A (en) Pattern formation method
WO2015010605A1 (zh) 利用剥离-粘贴法在光纤端面制作金属微纳米结构的方法
KR20120069796A (ko) 패턴필름 및 그 제조방법
JP6979952B2 (ja) 積層レンズ構造体、カメラモジュール、及び積層レンズ構造体の製造方法
US8277717B2 (en) Nano imprinting method and apparatus
KR20150126218A (ko) 마스터 몰드 제조 방법
US20090184441A1 (en) Microstructure roller, microstructure fabrication method, tool for fabricating a microstructure roller
US11173649B1 (en) Reducing adhesive failure during nanoimprint lithography demolding
WO2023035305A1 (zh) Micro LED器件及其制备方法
CN109445247B (zh) 压印模板及其制备方法和压印方法
CN111694214A (zh) 纳米图案的拼接方法和拼接设备
US11613065B2 (en) Imprint method using a soluble mold and its related imprint system
JP2005019535A (ja) 電子デバイス及びその製造方法
CN111240151B (zh) 模板转印方法
CN1302930C (zh) 喷墨头组件及其制造方法
CN113490883A (zh) 大面积无缝母板和压印印模制造方法
JP2015223770A (ja) テンプレートの異物除去方法、テンプレートの製造方法、および異物除去用基板
KR101250384B1 (ko) 곡률패턴을 구비한 금형 및 그 제조방법,금형을 이용해 제조되는 광학시트
US11934097B2 (en) Imprinting method using a solvent to remove a mold and the related imprinting system
JP7193177B2 (ja) 離型安定性を向上させるインプリント方法及び関連するインプリントシステム

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19886691

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19886691

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19886691

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

32PN Ep: public notification in the ep bulletin as address of the adressee cannot be established

Free format text: NOTING OF LOSS OF RIGHTS PURSUANT TO RULE 112(1) EPC (EPO FORM 1205A DATED 24.01.2022)

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19886691

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1