CN105911815B - 纳米压印模板的制作系统及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种纳米压印模板制作系统及方法，系统包括：压印基板和多个待拼接的纳米压印模板单元；每个待拼接的纳米压印模板单元上均设置有若干个第一对位标记；压印基板上设置有依次邻接的多个对位区域，每个对位区域中设置有用于与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第二对位标记；每个待拼接的纳米压印模板单元用于根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在压印基板上对应的对位区域，以形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。本发明能够满足目前对大尺寸以及高质量的纳米压印模板的需求。

Description

纳米压印模板的制作系统及方法
技术领域
本发明涉及纳米压印技术领域，具体涉及一种纳米压印模板的制作系统及方法。
背景技术
为追求更小特征尺寸，避免光学光刻瓶颈，纳米压印工艺最先被美国明尼苏达大学提出，属于下一代光刻技术，是一种低成本、高效率的纳米级图案转移技术。
研究表明，纳米压印模板上的最小特征尺寸可以达到10nm。然而目前的纳米压印模板都是小尺寸模板，而对于大尺寸的显示产品，若采用小尺寸的纳米压印模板进行压印制作，不但工艺难度大，效率低，而且制作得到的大尺寸显示产品的质量难以保障。
由于纳米压印模版采用电子束刻蚀技术制作而成，故无法制作出大尺寸的纳米压印模版，因而大大限制了纳米压印模板的使用。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种纳米压印模板的制作系统及方法，能够满足目前对大尺寸以及高质量的纳米压印模板的需求。
为解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种纳米压印模板制作系统，包括：
压印基板和多个待拼接的纳米压印模板单元；
每个待拼接的纳米压印模板单元上均设置有若干个第一对位标记；
相应地，所述压印基板上设置有依次邻接的多个对位区域，每个对位区域对应一个所述待拼接的纳米压印模板单元；每个对位区域中设置有用于与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第二对位标记；
其中，每个待拼接的纳米压印模板单元用于根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，以形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
优选地，若所述待拼接的纳米压印模板单元为矩形的待拼接的纳米压印模板单元，则所述待拼接的纳米压印模板单元上设置的若干个第一对位标记包括：
设置在所述待拼接的纳米压印模板单元的四个顶点处的对位标记。
优选地，所述待拼接的纳米压印模板单元上设置的若干个第一对位标记包括：
设置在所述待拼接的纳米压印模板单元中与目标显示基板的非显示区域对应的位置范围内的若干个对位标记；
所述目标显示基板为使用所述由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板进行压印工艺得到的显示基板。
优选地，所述待拼接的纳米压印模板单元上设置的若干个第一对位标记包括：
所述待拼接的纳米压印模板单元上的压印图案中的部分压印图案。
优选地，所述第二对位标记设置在所述压印基板远离所述待拼接的纳米压印模板单元的一侧。
优选地，所述待拼接的纳米压印模板单元为由碳素钢板、碳化硅板或金属镍板制成的待拼接的纳米压印模板单元。
优选地，所述系统还包括：第一复制单元；
所述第一复制单元，用于将每个待拼接的纳米压印模板单元作为母版，分别复制得到对应的柔性材料压印模板单元；其中，每个复制得到的柔性材料压印模板单元中形成有与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第三对位标记；
相应地，每个复制得到的柔性材料压印模板单元用于根据形成在柔性材料压印模板单元上的第三对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，以形成由多个柔性材料压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
优选地，所述柔性材料压印模板单元包括：聚二甲基硅氧烷压印模板单元和/或含氟聚合物压印模板单元。
优选地，所述系统还包括：第二复制单元；
所述第二复制单元，用于将拼接得到的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板。
优选地，所述柔性材料压印模板包括：聚二甲基硅氧烷压印模板和/或含氟聚合物压印模板。
第二方面，本发明还提供了一种基于上面所述纳米压印模板制作系统的纳米压印模板制作方法，包括：
将每个待拼接的纳米压印模板单元根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
优选地，在将每个待拼接的纳米压印模板单元根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域之前，所述方法还包括：
利用第一复制单元将每个待拼接的纳米压印模板单元分别复制成对应的柔性材料压印模板单元；其中，每个复制得到的柔性材料压印模板单元中形成有与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第三对位标记；
将每个复制得到的柔性材料压印模板单元按照形成在柔性材料压印模板单元上的第三对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，形成由多个柔性材料压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
优选地，所述柔性材料压印模板单元包括：聚二甲基硅氧烷压印模板单元和/或含氟聚合物压印模板单元。
优选地，在形成拼接得到的纳米压印模板之后，所述方法还包括：
利用第二复制单元将拼接得到的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板。
优选地，所述柔性材料压印模板包括：聚二甲基硅氧烷压印模板和/或含氟聚合物压印模板。
由上述技术方案可知，在本发明提供的纳米压印模板的制作系统中，待拼接的纳米压印模板单元上设置有第一对位标记，压印基板上设置有与每个待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第二对位标记，从而可以根据待拼接的纳米压印模板单元上设置的第一对位标记和压印基板上设置的第二对位标记进行光学对位，进而由多个尺寸较小的待拼接的纳米压印模板单元拼接得到尺寸较大的纳米压印模板。从上面记载的方案可知，采用本发明提供的纳米压印模板的制作系统不但可以得到尺寸较大的纳米压印模板，并且由于采用光学对位的拼接方式，使得拼接精度高，拼接平整度好，从而可以满足目前对纳米压印模板的大尺寸以及高质量的要求。最后，可以利用拼接得到的大尺寸的纳米压印模板进行大面积的纳米压印，从而可以提高生产效率、降低生产成本，并可以应对大尺寸的显示产品的制作。
附图说明
为了更清楚地说明本实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实施例一提供的待拼接的纳米压印模板单元的示意图；
图2是本实施例一提供的压印基板的示意图；
图3是本实施例一提供的由多个待拼接的纳米压印模板单元和压印基板形成纳米压印模板的示意图；
图4是本实施例四提供的纳米压印模板制作方法的流程图；
图5是本实施例四提供的第一种纳米压印模板制作方法的工艺流程图；
图6是本实施例四提供的第二种纳米压印模板制作方法的工艺流程图；
图7是本实施例四提供的第三种纳米压印模板制作方法的工艺流程图；
图8是本实施例四提供的第四种纳米压印模板制作方法的工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面将通过实施一至实施四具体介绍本发明提供的纳米压印模板制作系统及方法。另外，本发明中提到的“多个”是指“两个及两个以上”。
实施例一
本发明实施例一提供了一种纳米压印模板制作系统，参见图1和图2，该系统包括：多个如图1所示的待拼接的纳米压印模板单元C以及一个如图2所示的压印基板A。
其中，参见图1，每个待拼接的纳米压印模板单元C上均设置有若干个第一对位标记10；优选地，待拼接的纳米压印模板单元C为由碳素钢板、碳化硅板或金属镍板制成的纳米压印模板单元。
相应地，参见图2，压印基板A上设置有依次邻接的多个对位区域(如图2虚线框所示的区域，一个虚线框为一个对位区域)，每个对位区域对应一个所述待拼接的纳米压印模板单元；每个对位区域中设置有用于与对应的待拼接的纳米压印模板单元C上的第一对位标记10一一对应的第二对位标记20。优选地，压印基板A为硬度较好的玻璃基板。
其中，第一对位标记10和第二对位标记20的图案可以相同也可以不同。在本实施例中，第一对位标记10和第二对位标记20的图案不同，参见图1和图2，第一对位标记10是十字形图案，第二对位标记20是正方形图案。本实施例为了方便区分两种对位标记，故采用了两种不同的图案进行展示。在实际应用中，根据需要，两种图案可以相同也可以不同。例如，第一对位标记10和第二对位标记20可以均为三角形图案，或均为十字形、正方形图案等。优选地，第一对位标记10和第二对位标记20的大小以能被光学对位设备检测到为准，且第一对位标记10和第二对位标记20的图案应具有对应的光学对位基准点。比如，对于图1和图2所示的例子来说，第一对位标记10是十字形图案，第二对位标记20是正方形图案，第一对位标记10和第二对位标记20的光学对位基准点为十字形图案的中心点以及正方形图案的中心点。
参见图3，每个待拼接的纳米压印模板单元C用于根据设置在待拼接的纳米压印模板单元C上的第一对位标记10以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记20贴附在所述压印基板A上对应的对位区域，以形成由多个待拼接的纳米压印模板单元C拼接得到的纳米压印模板A1。其中，在将每个待拼接的纳米压印模板单元C贴附在压印基板A上对应的对位区域时，可以采用光学对位的方式进行贴附。
其中图3中的纳米压印模板A2是纳米压印模板A1去除对位标记后样子，这里去除对位标记不是指真正的去除，而是为了清楚地展示本实施例拼接后得到的纳米压印模板的样子而省略未画。
在本实施例中，压印基板A上的对位区域只是为了方便表述而虚拟出的对位区域。实际上，压印基板A上只需要设置与每个待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记10一一对应的第二对位标记20方便光学对位即可。当然，若不考虑工序麻烦的问题，在压印基板A上实际设置对位区域也是可以的，而且还会对本发明的实施提供方便。
在本实施例中，待拼接的纳米压印模板单元C上的第一对位标记可以有如下几种设置形式：
①若待拼接的纳米压印模板单元C为矩形的待拼接的纳米压印模板单元，则纳米压印模板单元C上的第一对位标记可以为：设置在待拼接的纳米压印模板单元C的四个顶点处的对位标记。
对于图1所示的待拼接的纳米压印模板单元C，其上的第一对位标记10位于该纳米压印模板单元C的四个顶点处。其中，对位标记一般是在形成待拼接的纳米压印模板单元C本身的纳米图案时采用同一道曝光刻蚀等工艺一起形成的，当然也可以采用额外工序单独形成对位标记。
本实施例将对位标记设置在四个顶点处的位置，不会影响待拼接的纳米压印模板单元C本身的纳米的图案，即不会对纳米压印模板单元C的正常使用造成影响。可以设想，若对位标记设置在纳米压印模板单元C的中央位置，那么将很有可能破坏或影响纳米压印模板单元C本身自带的图案。另外，将对位标记设置在纳米压印模板单元C的四个顶点处，也便于在进行对位时，准确控制对位的精度，从而不易出现对位误差。当然，由于3个点可以唯一地确定位置关系，所以也可以在纳米压印模板单元C上的任意三个顶点处设置对位标记。
此外，对于其他形状的待拼接的纳米压印模板单元C，可以根据实际情况，将若干个第一对位标记设置在待拼接的纳米压印模板单元C上能保证对位精度且不影响待拼接的纳米压印模板单元C本身图案的若干位置。例如，对于形状为三角形的待拼接的纳米压印模板单元C，可以在待拼接的纳米压印模板单元C的三个顶点处设置对位标记10。
②待拼接的纳米压印模板单元C上的第一对位标记可以为：设置在待拼接的纳米压印模板单元C中与目标显示基板的非显示区域对应的位置范围内的若干个对位标记；
所述目标显示基板为使用所述由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板进行压印工艺得到的显示基板。
由于有些对位标记的设置位置可能会对应目标显示基板的显示区域或可视区域，从而这些对位标记将会影响目标显示基板的正常显示。为了解决该问题，优选地，待拼接的纳米压印模板单元C上的第一对位标记设置在待拼接的纳米压印模板单元C中与目标显示基板的非显示区域对应的位置范围内，这样将不会对目标显示基板的正常显示造成影响。
③待拼接的纳米压印模板单元C上的第一对位标记可以为：待拼接的纳米压印模板单元C上的压印图案中的部分压印图案。
可以理解的是，在待拼接的纳米压印模板单元C上形成第一对位标记不但需要耗费时间和工序，而且由于第一对位标记设置位置的问题，形成的第一对位标记很容易发生影响目标显示基板正常显示的情况。为了解决该问题，优选地，可以将待拼接的纳米压印模板单元C上的压印图案中的部分压印图案设置为第一对位标记，这样不但省去了形成第一对位标记的过程，而且由于第一对位标记为待拼接的纳米压印模板单元C的压印图案本身的一部分，因此也不会出现影响目标显示基板正常显示的问题。
在本实施例中，为了不影响最终拼接得到的纳米压印模板的平整性，优选地，所述第二对位标记设置在所述压印基板远离所述待拼接的纳米压印模板单元的一侧。
从上面描述可知，在本实施例提供的纳米压印模板的制作系统中，待拼接的纳米压印模板单元上设置有第一对位标记，压印基板上设置有与每个待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第二对位标记，从而可以根据待拼接的纳米压印模板单元上设置的第一对位标记和压印基板上设置的第二对位标记进行光学对位，进而由多个尺寸较小的待拼接的纳米压印模板单元拼接得到尺寸较大的纳米压印模板。从上面记载的方案可知，采用本实施例提供的纳米压印模板的制作系统不但可以得到尺寸较大的纳米压印模板，并且由于采用光学对位的拼接方式，使得拼接精度高，拼接平整度好，从而可以满足目前对纳米压印模板的大尺寸以及高质量的要求。最后，可以利用拼接得到的大尺寸的纳米压印模板进行大面积的纳米压印，从而可以提高生产效率、降低生产成本，并可以应对大尺寸的显示产品的制作。
实施例二
在上述实施例一的基础之上，本实施例二提供的纳米压印模板制作系统还包括：第一复制单元；
在本实施例中，第一复制单元，用于将每个待拼接的纳米压印模板单元作为母版，分别复制得到对应的柔性材料压印模板单元；其中，复制手段可以为浇铸等工艺；
其中，每个复制得到的柔性材料压印模板单元中形成有与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第三对位标记；这里，第三对位标记是和第一对位标记形状和位置一模一样的标记；
相应地，每个复制得到的柔性材料压印模板单元用于根据形成在柔性材料压印模板单元上的第三对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记，按照光学对位的方式贴附在所述压印基板上对应的对位区域，以形成由多个柔性材料压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
优选地，所述柔性材料压印模板单元包括：聚二甲基硅氧烷压印模板单元和/或含氟聚合物压印模板单元。
其中，聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，简称PDMS)，也称为二甲基硅油，是一种疏水类的有机硅物料。PDMS为一种柔性材料，其对压印胶的兼容性较好，且价格相对于碳素钢、碳化硅或金属镍来说便宜很多。
其中，含氟聚合物也为一种柔性材料，且价格相对于碳素钢、碳化硅或金属镍来说也较为便宜。其对压印胶的兼容性不如PDMS好。其中含氟聚合物又包括全氟聚醚，乙烯-四氟乙烯共聚物，硫醇-烯全氟聚合物等几种具体的聚合物类型。
综合聚二甲基硅氧烷和含氟聚合物的各项性能，优选地使用聚二甲基硅氧烷材料较为理想。
例如，第一复制单元可以以待拼接的纳米压印模板单元作为母版，采用浇铸的方式复制得到聚二甲基硅氧烷PDMS压印模板单元，其中复制得到的聚二甲基硅氧烷PDMS压印模板单元中形成有与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第三对位标记；相应的，可以将复制得到的聚二甲基硅氧烷PDMS压印模板单元根据形成在聚二甲基硅氧烷PDMS压印模板单元上的第三对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记，按照光学对位的方式贴附在所述压印基板上对应的对位区域，以形成由多个聚二甲基硅氧烷PDMS压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
本实施例这样处理的好处有以下几点：
第一，在采用多个柔性材料压印模板单元拼接形成纳米压印模板时，即便两个压印模板单元之间的拼接不是那么完美(比如存在极微小的重叠区域)，那么相对于采用刚性材料如碳素钢板、碳化硅板或金属镍板制成的待拼接的纳米压印模板单元来说，由柔性材料制成的柔性压印模板单元更容易实现交叠区域的平整性。
第二，聚二甲基硅氧烷PDMS或含氟聚合物相对于碳素钢板、碳化硅板或金属镍板来说，价格便宜很多，因此在工业生产过程中，若需要大量的大尺寸的纳米压印模板，那么将采用碳素钢板、碳化硅板或金属镍板制成的纳米压印模板单元复制为PDMS压印模板单元或含氟聚合物压印模板单元，进而使用复制得到的PDMS压印模板单元或含氟聚合物压印模板单元进行对位拼接形成大尺寸的纳米压印模板，将会节省很多成本。
实施例三
在上述实施例一或实施例二的基础之上，本实施例提供的纳米压印模板制作系统还包括：第二复制单元；所述第二复制单元，用于将拼接得到的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板。
优选地，所述柔性材料压印模板包括：聚二甲基硅氧烷压印模板和/或含氟聚合物压印模板。
其中，聚二甲基硅氧烷PDMS为柔性材料，价格相对于碳素钢、碳化硅或金属镍来说便宜很多。
其中，含氟聚合物也为一种柔性材料，且价格相对于碳素钢、碳化硅或金属镍来说也较为便宜。且其表面能较低，容易脱模，对于压印后期的脱膜工艺较为有益，因此优选含氟聚合物压印模板。其中含氟聚合物又包括全氟聚醚，乙烯-四氟乙烯共聚物，硫醇-烯全氟聚合物等几种具体的聚合物类型。
本实施例这样处理具有如下好处：
第一，由于压印工艺的损耗比较严重，这样对大面积的纳米压印模板的损耗将会很严重，而大面积的纳米压印模板的制作成本又较高，若直接采用拼接得到的大面积的纳米压印模板进行压印工艺，如果发生损坏，将导致整个压印成本过高。而本实施例将拼接得到的大面积的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板，然后使用复制得到的多个柔性材料压印模板进行后续压印工艺，则不会损坏母版，而且由于复制得到的柔性材料压印模板的成本较低(复制工艺相对于拼接工艺来说成本低很多；而且一般的柔性材料相对于碳素钢、碳化硅或金属镍来说也很便宜)，因此大大降低了纳米压印成本。
第二，在采用复制得到的柔性材料压印模板进行后续压印工艺时，假设原母版(即拼接得到的大面积纳米压印模板)中的两个压印模板单元之间的拼接不是那么完美(比如存在极微小的重叠区域)，但由于复制得到的为柔性材料压印模板，因此更容易在轻压下实现拼接交叠区域的平整性。
第三，采用聚二甲基硅氧烷PDMS压印模板和/或含氟聚合物压印模板进行压印，使得压印后期的脱膜工艺比较容易操作。
这里，需要说明的是，在本发明提供的纳米压印模板制作系统中，第一复制单元和第二复制单元可以同时存在，也可以只包含两者之一，即可以只包括第一复制单元或只包括第二复制单元。
实施例四
本实施例四提供了一种基于上面任一实施例所述的纳米压印模板制作系统的纳米压印模板制作方法，参见图4，该方法包括如下步骤：
步骤101：将每个待拼接的纳米压印模板单元根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。其中，在将每个待拼接的纳米压印模板单元C贴附在压印基板A上对应的对位区域时，可以采用光学对位的方式进行贴附。
其中，在进行对位拼接工艺之前，还需要形成多个带有第一对位标记位的待拼接的纳米压印模板单元以及一个带有第二对位标记的压印基板。
由于待拼接的纳米压印模板单元为小尺寸的纳米压印模板，其可以采用现有技术中常用电子束刻蚀技术制作而成，因此此处不再详述。具体可参见图5所示的步骤，图5中的待拼接的纳米压印模板单元是以镍模板单元为例，其形成过程如下：先沉积Cr金属旋涂光刻胶，再进行E-Beam曝光和RIE刻蚀，最后将Cr金属湿刻去除，并复制为镍模板单元。而压印基板可采用硬度较好的玻璃基板。其中，第一对位标记和第二对位标记的形成方式可参见上面实施例的记载。由于第一对位标记和第二对位标记较小，因此未在图5中示出。
在本实施例中，所述待拼接的纳米压印模板单元以镍模板单元为例进行介绍。所述镍模板单元的具体制作过程以及由多个镍模板单元通过对位拼接方式形成大尺寸纳米压印模板的工艺过程可参见图5所示。
在上述图5记载的纳米压印模板制作方法的基础之上，下面结合图6给出一种更为优选的纳米压印模板制作方法。其中，图6中柔性材料压印模板单元以PDMS压印模板单元为例。
具体地，参见图6，在上述步骤101将每个待拼接的纳米压印模板单元根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域之前，所述纳米压印模板制作方法还包括：
步骤100：利用第一复制单元将每个待拼接的纳米压印模板单元分别复制成对应的柔性材料压印模板单元；其中，每个复制得到的柔性材料压印模板单元中形成有与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第三对位标记；
相应地，上述步骤101变为：将每个复制得到的柔性材料压印模板单元按照形成在柔性材料压印模板单元上的第三对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，形成由多个柔性材料压印模板单元拼接得到的大尺寸的纳米压印模板。在得到大尺寸的纳米压印模板之后，可以利用该大尺寸的纳米压印模板进行大面积的纳米压印，进而可以提高生产效率、降低生产成本，并且可以应对大尺寸的显示产品的制作。
优选地，在将每个柔性材料压印模板单元贴附在压印基板A上对应的对位区域时，可以采用光学对位的方式进行贴附。
优选地，所述柔性材料压印模板单元包括：聚二甲基硅氧烷压印模板PDMS单元和/或含氟聚合物压印模板单元。
对比图5、参见图6可以看出，在图6所述的工艺过程中，采用电子束刻蚀工艺形成待拼接的纳米压印模板单元如镍模板单元之后，并没有直接将得到的镍模板单元进行对位拼接形成大面积的纳米压印模板，而是先将镍模板单元采用浇铸工艺复制得到PDMS压印模板单元，然后再由PDMS压印模板单元进行对位拼接，进而得到由多个PDMS压印模板单元拼接得到的大尺寸的纳米压印模板。
本实施例增加上述步骤100有以下好处：
第一，在采用多个柔性材料压印模板单元拼接形成纳米压印模板时，即便两个压印模板单元之间的拼接不是那么完美(比如存在极微小的重叠区域)，那么相对于采用刚性材料如碳素钢板、碳化硅板或金属镍板制成的待拼接的纳米压印模板单元来说，由柔性材料制成的柔性压印模板单元更容易实现交叠区域的平整性。
第二，聚二甲基硅氧烷PDMS或含氟聚合物相对于碳素钢板、碳化硅板或金属镍板来说，价格便宜很多，因此在工业生产过程中，若需要大量的大尺寸的纳米压印模板，那么将采用碳素钢板、碳化硅板或金属镍板制成的纳米压印模板单元复制为PDMS压印模板单元或含氟聚合物压印模板单元，进而使用复制得到的PDMS压印模板单元或含氟聚合物压印模板单元进行对位拼接形成大尺寸的纳米压印模板，将会节省很多成本。
在上述图5和图6记载的纳米压印模板制作方法的基础之上，下面结合图7和图8给出另一种更为优选的纳米压印模板制作方法。
具体地，参见图7和图8，在上述步骤101形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板或形成由多个柔性材料压印模板单元拼接得到的纳米压印模板之后，所述方法还包括：
步骤102：利用第二复制单元将拼接得到的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板。
优选地，所述柔性材料压印模板包括：聚二甲基硅氧烷压印模板和/或含氟聚合物压印模板。
其中，图7对应于由多个待拼接的纳米压印模板单元直接拼接得到的纳米压印模板的后续复制过程。图8对应于由多个柔性材料(PDMS)压印模板单元拼接得到的纳米压印模板的后续复制过程。
参见图7和图8，将通过光学对位拼接工艺得到大面积或大尺寸的纳米压印模板之后，对大面积或大尺寸的纳米压印模板进行复制，得到柔性材料压印模板，如PDMS压印模板，然后采用复制得到的PDMS压印模板进行大面积的压印工艺。
本实施例增加上述步骤102有以下好处：
第一，由于压印工艺的损耗比较严重，这样对大面积的纳米压印模板的损耗将会很严重，而大面积的纳米压印模板的制作成本又较高，若直接采用拼接得到的大面积的纳米压印模板进行压印工艺，如果发生损坏，将导致整个压印成本过高。而本实施例将拼接得到的大面积的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板，然后使用复制得到的多个柔性材料压印模板进行后续压印工艺，则不会损坏母版，而且由于复制得到的柔性材料压印模板的成本较低(复制工艺相对于拼接工艺来说成本低很多；而且一般的柔性材料相对于碳素钢、碳化硅或金属镍来说也很便宜)，因此大大降低了纳米压印成本。
第二，在采用复制得到的柔性材料压印模板进行后续压印工艺时，假设原母版(即拼接得到的大面积纳米压印模板)中的两个压印模板单元之间的拼接不是那么完美(比如存在极微小的重叠区域)，但由于复制得到的为柔性材料压印模板，因此更容易在轻压下实现拼接交叠区域的平整性。
第三，采用聚二甲基硅氧烷PDMS压印模板和/或含氟聚合物压印模板进行压印，使得压印后期的脱膜工艺比较容易操作。
从上面描述可知，在本实施例中，根据设置在每个待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的与第一对位标记一一对应的第二对位标记，依次将每个待拼接的纳米压印模板单元贴附在所述压印基板的对应区域上，形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。由于待拼接的纳米压印模板单元都是小尺寸纳米压印模板，而由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板为大尺寸纳米压印模板，从而可以利用得到的大尺寸的纳米压印模板进行大面积的纳米压印，进而可以提高生产效率、降低生产成本，并且可以应对大尺寸的显示产品的制作。
以上实施例仅用于说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (15)

1.一种纳米压印模板制作系统，其包括压印基板和多个待拼接的纳米压印模板单元，其特征在于：
每个待拼接的纳米压印模板单元上均设置有若干个第一对位标记；
相应地，所述压印基板上设置有依次邻接的多个对位区域，每个对位区域对应一个所述待拼接的纳米压印模板单元；每个对位区域中设置有用于与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第二对位标记；
其中，每个待拼接的纳米压印模板单元用于根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，以形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，若所述待拼接的纳米压印模板单元为矩形的待拼接的纳米压印模板单元，则所述待拼接的纳米压印模板单元上设置的若干个第一对位标记包括：
设置在所述待拼接的纳米压印模板单元的四个顶点处的对位标记。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述待拼接的纳米压印模板单元上设置的若干个第一对位标记包括：
设置在所述待拼接的纳米压印模板单元中与目标显示基板的非显示区域对应的位置范围内的若干个对位标记；
所述目标显示基板为使用所述由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板进行压印工艺得到的显示基板。
4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述待拼接的纳米压印模板单元上设置的若干个第一对位标记包括：
所述待拼接的纳米压印模板单元上的压印图案中的部分压印图案。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的系统，其特征在于，所述第二对位标记设置在所述压印基板远离所述待拼接的纳米压印模板单元的一侧。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的系统，其特征在于，所述待拼接的纳米压印模板单元为由碳素钢板、碳化硅板或金属镍板制成的待拼接的纳米压印模板单元。
7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：第一复制单元；
所述第一复制单元，用于将每个待拼接的纳米压印模板单元作为母版，分别复制得到对应的柔性材料压印模板单元；其中，每个复制得到的柔性材料压印模板单元中形成有与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第三对位标记；
相应地，每个复制得到的柔性材料压印模板单元用于根据形成在柔性材料压印模板单元上的第三对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记，按照光学对位的方式贴附在所述压印基板上对应的对位区域，以形成由多个柔性材料压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述柔性材料压印模板单元包括：聚二甲基硅氧烷压印模板单元和/或含氟聚合物压印模板单元。
9.根据权利要求1或7或8所述的系统，其特征在于，所述系统还包括：第二复制单元；
所述第二复制单元，用于将拼接得到的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板。
10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述柔性材料压印模板包括：聚二甲基硅氧烷压印模板和/或含氟聚合物压印模板。
11.一种基于如权利要求1～10中任一项所述纳米压印模板制作系统的纳米压印模板制作方法，其特征在于，包括：
将每个待拼接的纳米压印模板单元根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，形成由多个待拼接的纳米压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在将每个待拼接的纳米压印模板单元根据设置在待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域之前，所述方法还包括：
利用第一复制单元将每个待拼接的纳米压印模板单元分别复制成对应的柔性材料压印模板单元；其中，每个复制得到的柔性材料压印模板单元中形成有与对应的待拼接的纳米压印模板单元上的第一对位标记一一对应的第三对位标记；
将每个复制得到的柔性材料压印模板单元按照形成在柔性材料压印模板单元上的第三对位标记以及设置在对应的对位区域中的第二对位标记贴附在所述压印基板上对应的对位区域，形成由多个柔性材料压印模板单元拼接得到的纳米压印模板。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述柔性材料压印模板单元包括：聚二甲基硅氧烷压印模板单元和/或含氟聚合物压印模板单元。
14.根据权利要求11或12或13所述的方法，其特征在于，在形成拼接得到的纳米压印模板之后，所述方法还包括：
利用第二复制单元将拼接得到的纳米压印模板作为母版，复制得到多个柔性材料压印模板。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述柔性材料压印模板包括：聚二甲基硅氧烷压印模板和/或含氟聚合物压印模板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107121890A (zh) * 2017-07-04 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米压印模板及其制备方法
CN108873607A (zh) * 2018-07-26 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米压印模板及其制作方法
CN109186762B (zh) * 2018-09-30 2023-09-01 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种确定编码图像数据区域的方法及编码模板
CN109240041B (zh) * 2018-11-19 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 拼接式压印模板及其制备方法和母模板
CN109683445A (zh) * 2019-01-10 2019-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法
CN112285820B (zh) * 2019-07-25 2023-06-27 苏州维旺科技有限公司 非常规导光板模仁及其制作方法以及应用
CN112346298A (zh) * 2019-08-06 2021-02-09 上海量子绘景电子股份有限公司 一种大尺寸压印模具及其制备方法
EP4042243B1 (en) 2019-10-09 2023-06-07 Morphotonics Holding B.V. Tiled flexible stamp
US20230280649A1 (en) 2020-07-31 2023-09-07 Morphotonics Holding B.V. Welding method for creating an upscaled master
IL300041A (en) 2020-07-31 2023-03-01 Morphotonics Holding B V Assembly for duplicating flexible seals from a master
WO2022067613A1 (zh) * 2020-09-30 2022-04-07 镭亚电子(苏州)有限公司 印制模板及其制造方法
CN112731763A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 嘉兴驭光光电科技有限公司 一种微纳光学器件制造方法
CN114660720A (zh) * 2022-03-31 2022-06-24 Oppo广东移动通信有限公司 光波导母版的制备方法、光波导及增强现实设备
CN117115359B (zh) * 2023-10-17 2024-02-02 国网江西省电力有限公司信息通信分公司 一种基于深度图融合的多视图电网三维空间数据重建方法
CN117173071B (zh) * 2023-11-02 2024-01-30 青岛天仁微纳科技有限责任公司 一种纳米压印模具的图像拼接方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101446759A (zh) * 2008-12-24 2009-06-03 武汉光迅科技股份有限公司 纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板
CN202257025U (zh) * 2011-08-26 2012-05-30 华中科技大学 紫外纳米压印软模版固定及对准组件
CN102955357A (zh) * 2012-11-20 2013-03-06 苏州光舵微纳科技有限公司 纳米压印复合模板及其制备方法
CN103576447A (zh) * 2013-11-05 2014-02-12 无锡英普林纳米科技有限公司 一种含氟聚合物紫外纳米压印模板及其制备方法
CN103981544A (zh) * 2014-05-22 2014-08-13 山西南洋包装材料有限公司 一种表面具光学微结构集合体的圆环形金属模具带的无缝拼接方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE549294T1 (de) * 2005-12-09 2012-03-15 Obducat Ab Vorrichtung und verfahren zum transfer von mustern mit zwischenstempel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101446759A (zh) * 2008-12-24 2009-06-03 武汉光迅科技股份有限公司 纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板
CN202257025U (zh) * 2011-08-26 2012-05-30 华中科技大学 紫外纳米压印软模版固定及对准组件
CN102955357A (zh) * 2012-11-20 2013-03-06 苏州光舵微纳科技有限公司 纳米压印复合模板及其制备方法
CN103576447A (zh) * 2013-11-05 2014-02-12 无锡英普林纳米科技有限公司 一种含氟聚合物紫外纳米压印模板及其制备方法
CN103981544A (zh) * 2014-05-22 2014-08-13 山西南洋包装材料有限公司 一种表面具光学微结构集合体的圆环形金属模具带的无缝拼接方法

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