CN111240151B - 模板转印方法 - Google Patents
模板转印方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111240151B CN111240151B CN202010124706.4A CN202010124706A CN111240151B CN 111240151 B CN111240151 B CN 111240151B CN 202010124706 A CN202010124706 A CN 202010124706A CN 111240151 B CN111240151 B CN 111240151B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- template
- transferred
- transfer
- master
- solid material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- AMTWCFIAVKBGOD-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;methoxy-dimethyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound O=[Si]=O.CO[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C AMTWCFIAVKBGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940083037 simethicone Drugs 0.000 claims description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229940008099 dimethicone Drugs 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
本发明公开一种模板转印方法，包括：提供承载件，承载件包括基板以及与基板的周侧相连的挡板，基板和挡板围成容置槽；将母模板置于容置槽内，母模板的转印面贴合基板，转印面包括具有预设图形的主区域和围绕主区域的次区域；向容置槽内注入液态材料，对液态材料固化处理以形成固态材料；去掉承载件，并去除转印面上的固态材料，得到待转印模板；在待转印模板具有预设图形的一面形成软模板，移除待转印模板，得到软模板。本发明将母模板处理为待转印模板，待转印模板克服母模板的次区域的缺陷结构，使用待转印模板转印出的软模板，能有效提高压印质量。
Description
技术领域
本发明一般涉及压印技术，具体涉及一种模板转印方法。
背景技术
纳米压印技术(NIL)是一种新型的微纳加工技术，通过机械转移的手段，达到了超高的分辨率，有望在未来取代传统光刻技术，成为微电子、材料领域的重要加工手段。
目前，由于显示基板逐渐从小尺寸向大尺寸发展，与之对应的就需要大尺寸的纳米压印模板。而现有纳米压印模板的制作是通过电铸或电子束直写技术完成，耗时较长，一般制作的纳米压印模板都是小尺寸的，难以直接制作大尺寸纳米压印模板，对于大尺寸纳米压印模板，目前通过小尺寸(例如8in)纳米压印模板多次压印的图案拼接而成，其中小尺寸纳米压印模板为硅片翻印出的软模板。
在翻印过程中，由于激光切割技术和硅片倒角的原因，会在硅片周围产生段差，使翻印的软模板上面存在倒刺缺陷，影响压印质量。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种模板转印方法。
本发明提供一种模板转印方法，包括：
提供承载件，所述承载件包括基板以及与所述基板的周侧相连的挡板，所述基板和所述挡板围成容置槽；
将母模板置于所述容置槽内，所述母模板的转印面贴合所述基板，所述转印面包括具有预设图形的主区域和围绕所述主区域的次区域；
向所述容置槽内注入液态材料，对所述液态材料固化处理以形成固态材料；
去掉所述承载件，并去除所述转印面上的固态材料，得到待转印模板；
在所述待转印模板具有预设图形的一面形成软模板，移除所述待转印模板，得到所述软模板。
优选的，所述次区域的边缘具有倒角结构；
所述待转印模板包括所述母模板以及与所述倒角结构相配合的固态材料，所述待转印模板包括与所述转印面相对的背面，所述待转印面模板的侧面与所述转印面、所述背面相垂直。
优选的，所述挡板超出所述基板的高度大于等于所述母模板的厚度。
优选的，所述去除所述转印面上的固态材料包括：采用等离子刻蚀工艺，去除所述转印面上的固态材料。
优选的，所述液态材料包括聚酰亚胺溶液或二甲基硅油。
优选的，所述在所述待转印模板具有预设图形的一面形成软模板包括：
在所述待转印模板具有预设图形的一面涂覆待压印胶层；
压印并固化所述待压印胶层以形成所述软模板。
优选的，所述待压印胶层的材质为硅胶材料或树脂材料。
优选的，将所述母模板放置到所述容置槽内之前，在所述母模板的转印面上形成保护层；
在去除所述转印面上的固态材料之后，去除所述保护层。
优选的，所述保护层包括防粘胶涂层或可溶解的树脂层。
优选的，所述基板和所述挡板可拆卸连接。
与现有技术相比，本发明实施例提供的模板转印方法，将母模板处理为待转印模板，待转印模板克服母模板的次区域的缺陷结构，例如通过固态材料配合次区域边缘的倒角结构，使用待转印模板转印出的软模板，能有效提高压印质量。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为现有的母模板的结构示意图；；
图2为现有技术转印的软模板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的模板转印方法的流程示意图；
图4至图7为本发明实施例提供的制备软模板的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
参照图1示例的母模板，母模板1的上侧为转印面2，母模板1的下侧为与转印面相对的背面，转印面2包括具有预设图形的主区域3和围绕主区域的次区域4，次区域4具有缺陷结构，例如次区域的边缘具有倒角结构5。
现有技术利用图1所示的母模板翻印出如图2所示的软模板，作为小尺寸纳米压印模板。由于母模板的转印面的边缘具有倒角结构，该软模板除了包括具有与预设图形互补的图案，还包括与倒角结构5对应的倒刺结构6，如此会影响压印质量。
本发明中提及的次区域的缺陷结构是相对于转印出的软模板而言的，缺陷结构会使得软模板表面除包括与预设图形互补的图案外，还存在其他不平整的结构，影响压印质量。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种模板转印方法，用于制备软模板，作为小尺寸纳米压印模板。
参照图3，本发明的实施例提供的模板转印方法包括如下步骤：
步骤S201，提供承载件，承载件包括基板以及与基板的周侧相连的挡板，基板和挡板围成容置槽；
步骤S202，将母模板置于容置槽内，母模板的转印面贴合基板；
步骤S203，向容置槽内注入液态材料，对液态材料固化处理以形成固态材料；
步骤S204，去掉承载件，并去除转印面上的固态材料，得到待转印模板；
步骤S205，在待转印模板具有预设图形的一面形成软模板，移除待转印模板，得到软模板。
具体的，首先实施步骤S201，提供具有容置槽的承载件10，该承载件10包括基板11和挡板12，接着通过步骤S202将母模板置于容置槽内，参照图4，母模板1的转印面2贴合基板11。
其中，挡板12超出基板11的高度大于等于母模板1的厚度，便于后续向容置槽内注入液态材料的时候，液态材料能够完全包覆母模板的侧面。
参照图5，实施步骤S203，向容置槽内注入液态材料，对液态材料固化处理以形成固态材料13。其中，液态材料包括聚酰亚胺溶液或二甲基硅油，例如聚酰亚胺溶液经固化形成聚酰亚胺凝胶，或二甲基硅油经固化形成固态的聚二甲基硅氧烷。固态材料至少包覆母模板的侧面，与转印面的次区域的缺陷结构形成配合，使得转印出的软模板仅具有与预设图形互补的图案。
参照图6，实施步骤S204，去掉承载件10，并去除转印面上的固态材料，得到待转印模板14。该实施例中通过去除转印面上的固态材料，确保转印面的光滑平整且主区域的预设图形完全露出。
结合图1，例如母模板的转印面的次区域的边缘具有倒角结构，待转印模板14包括母模板以及与倒角结构相配合的固态材料，待转印模板包括与转印面相对的背面，待转印面模板的侧面与转印面、背面相垂直，即待转印模板14的边缘规则，在转印软模板时能有效避免倒角结构引起的倒刺缺陷。
该实施例中，采用等离子刻蚀工艺去除转印面上的固态材料。例如采用氧离子刻蚀工艺，刻蚀速率高、均匀性好、选择性好，能够快速、均匀、准确地去除转印面上的固态材料。
然后实施步骤S205，在待转印模板具有预设图形的一面形成软模板，移除待转印模板，得到如图7所示的软模板。
进一步地，在待转印模板具有预设图形的一面形成软模板包括：
在待转印模板具有预设图形的一面涂覆待压印胶层；
压印并固化待压印胶层以形成软模板。
其中，待压印胶层的材质为硅胶材料或树脂材料。也即，软模板采用硅胶材料或树脂材料制备，通过压印待压印胶层，然后热固化处理，形成软模板。软模板具有与预设图形互补的图案，软模板与母模板的次区域相对应的部分平整。
进一步地，该实施例在将母模板放置到容置槽的内部之前，在母模板的转印面上形成保护层；
在去除转印面上的固态材料之后，去除保护层。
在上述模板转印方法中，在形成待转印模板之前，需要通过等离子刻蚀工艺去除转印面上的固态材料，为了避免在等离子刻蚀过程中对母模板造成损伤，在将母模板放置到容置槽的内部之前，在母模板的转印面上形成保护层。保护层包括防粘胶涂层，这样在去除保护层时可以直接揭除保护层，操作方便；或者，保护层包括可溶解的树脂层，树脂层可以为水溶性的树脂材料，如PVA(聚乙烯醇)，也可以为常用能够溶解于有机溶剂的树脂材料，这样在去除保护层时只需溶解该保护层，不需要其他机械等方式的操作，能够避免损伤母模板的预设图形。
进一步地，基板11和挡板12可拆卸连接。例如通过卡箍将挡板箍在基板的周侧。在去除承载件时，先取下挡板，再去掉基板，操作简单，避免损坏与倒角配合的固态材料。
通过上述模板转印方法制成的软模板，作为小尺寸纳米压印模板，有效克服母模板的缺陷结构(例如倒角结构)引起的不平整的问题，后续可在玻璃基板上涂覆胶层，利用软模板压印出多个与预设图形对应的图案，拼接成质量良好的拼接模板，作为大尺寸纳米压印模板使用，具有良好的压印质量。
本发明中“上侧”、“下侧”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (9)
1.一种模板转印方法，其特征在于，包括：
提供承载件，所述承载件包括基板以及与所述基板的周侧相连的挡板，所述基板和所述挡板围成容置槽；
将母模板置于所述容置槽内，所述母模板的转印面贴合所述基板，所述转印面包括具有预设图形的主区域和围绕所述主区域的次区域；
向所述容置槽内注入液态材料，对所述液态材料固化处理以形成固态材料；
去掉所述承载件，并去除所述转印面上的固态材料，得到待转印模板；
在所述待转印模板具有预设图形的一面形成软模板，移除所述待转印模板，得到所述软模板；
其中，所述挡板超出所述基板的高度大于等于所述母模板的厚度。
2.根据权利要求1所述的模板转印方法，其特征在于，所述次区域的边缘具有倒角结构；
所述待转印模板包括所述母模板以及与所述倒角结构相配合的固态材料，所述待转印模板包括与所述转印面相对的背面，所述待转印模板的侧面与所述转印面、所述背面相垂直。
3.根据权利要求1所述的模板转印方法，其特征在于，所述去除所述转印面上的固态材料包括：采用等离子刻蚀工艺，去除所述转印面上的固态材料。
4.根据权利要求1所述的模板转印方法，其特征在于，所述液态材料包括聚酰亚胺溶液或二甲基硅油。
5.根据权利要求1所述的模板转印方法，其特征在于，所述在所述待转印模板具有预设图形的一面形成软模板包括：
在所述待转印模板具有预设图形的一面涂覆待压印胶层；
压印并固化所述待压印胶层以形成所述软模板。
6.根据权利要求5所述的模板转印方法，其特征在于，所述待压印胶层的材质为硅胶材料或树脂材料。
7.根据权利要求1-6任一项所述的模板转印方法，其特征在于，将所述母模板放置到所述容置槽内之前，在所述母模板的转印面上形成保护层；
在去除所述转印面上的固态材料之后，去除所述保护层。
8.根据权利要求7所述的模板转印方法，其特征在于，所述保护层包括防粘胶涂层或可溶解的树脂层。
9.根据权利要求1所述的模板转印方法，其特征在于，所述基板和所述挡板可拆卸连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010124706.4A CN111240151B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 模板转印方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010124706.4A CN111240151B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 模板转印方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111240151A CN111240151A (zh) | 2020-06-05 |
| CN111240151B true CN111240151B (zh) | 2024-04-09 |
Family
ID=70873303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010124706.4A Active CN111240151B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 模板转印方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111240151B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113075858A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-06 | 歌尔股份有限公司 | 中间转印模板的处理方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999729A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子回路基板の実装方法 |
| JPS60174615A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注型方法 |
| TW200639577A (en) * | 2005-02-04 | 2006-11-16 | Molecular Imprints Inc | Imprint lithography template and method to facilitate control of liquid movement |
| CN102610497A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-07-25 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 晶圆表面修复方法 |
| TW201332735A (zh) * | 2012-02-01 | 2013-08-16 | Chung-Wei Lee | 軟質彈性體壓印模仁的製造方法 |
| CN109212898A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种纳米压印模板及其制作方法 |
| JP2019165152A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | エイブリック株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4939134B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-05-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | インプリント装置およびインプリント方法 |
-
2020
- 2020-02-27 CN CN202010124706.4A patent/CN111240151B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5999729A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子回路基板の実装方法 |
| JPS60174615A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注型方法 |
| TW200639577A (en) * | 2005-02-04 | 2006-11-16 | Molecular Imprints Inc | Imprint lithography template and method to facilitate control of liquid movement |
| TW201332735A (zh) * | 2012-02-01 | 2013-08-16 | Chung-Wei Lee | 軟質彈性體壓印模仁的製造方法 |
| CN102610497A (zh) * | 2012-04-09 | 2012-07-25 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 晶圆表面修复方法 |
| JP2019165152A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | エイブリック株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置の製造方法 |
| CN109212898A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-01-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种纳米压印模板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111240151A (zh) | 2020-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101622818B1 (ko) | 나노임프린팅 방법 및 나노임프린팅 방법을 실행하기 위한 나노임프린팅 장치 | |
| TW201236854A (en) | Mold, imprint method, and method of manufacturing article | |
| JP2007001289A (ja) | ソフトモールドの製造方法 | |
| JP5982996B2 (ja) | 異物除去方法 | |
| US20180141366A1 (en) | Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp imprinting method and imprinted article | |
| Shen et al. | Double transfer UV-curing nanoimprint lithography | |
| CN111240151B (zh) | 模板转印方法 | |
| JP2009190300A (ja) | インプリント法 | |
| TWI772789B (zh) | 用於凸印一奈米結構之方法及裝置 | |
| US20060105571A1 (en) | Pneumatic method and apparatus for nano imprint lithography | |
| KR20170031710A (ko) | 스텝 앤드 리피트식 임프린트 장치 및 방법 | |
| US11613065B2 (en) | Imprint method using a soluble mold and its related imprint system | |
| KR20160011578A (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법 | |
| CN109070441A (zh) | 复制原盘、复制原盘的制造方法、物品和被形成体的制造方法 | |
| JP2021057361A (ja) | 欠陥修正方法およびテンプレートの製造方法 | |
| JP6076946B2 (ja) | ローラーインプリント用モールドとインプリント方法およびワイヤーグリッド偏光子とその製造方法 | |
| JP2005308901A (ja) | ペリクルフレーム及びそれを用いたフォトリソグラフィー用ペリクル | |
| CN109407464A (zh) | 一种纳米压印模板及其制作方法和紫外纳米压印方法 | |
| JP6446836B2 (ja) | テンプレートの異物除去方法、およびテンプレートの製造方法 | |
| JP2593995B2 (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| KR101551772B1 (ko) | Scil 공정용 레플리카 스탬프 및 이의 제조방법 | |
| JP7193177B2 (ja) | 離型安定性を向上させるインプリント方法及び関連するインプリントシステム | |
| US20230220534A1 (en) | Mask-integrated frame and method of manufacturing the same | |
| CN218298763U (zh) | 一种微纳结构的拼版结构 | |
| JP5636734B2 (ja) | ナノプリント方法、ナノプリント装置およびスタンパの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |