KR100407602B1 - 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents

디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100407602B1
KR100407602B1 KR10-2001-0020541A KR20010020541A KR100407602B1 KR 100407602 B1 KR100407602 B1 KR 100407602B1 KR 20010020541 A KR20010020541 A KR 20010020541A KR 100407602 B1 KR100407602 B1 KR 100407602B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
mold
substrate
forming
polymer
Prior art date
Application number
KR10-2001-0020541A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020080780A (ko
Inventor
이홍희
김연상
Original Assignee
주식회사 미뉴타텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 미뉴타텍 filed Critical 주식회사 미뉴타텍
Priority to KR10-2001-0020541A priority Critical patent/KR100407602B1/ko
Publication of KR20020080780A publication Critical patent/KR20020080780A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100407602B1 publication Critical patent/KR100407602B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

본 발명은 고분자 물질의 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 박막의 미세 패턴을 형성할 수 있도록 한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 종래의 미세 접촉 프린팅 방법 및 각인 방법과는 달리, 디웨팅(dewetting) 성질이 있는 고분자 물질을 기판 상에 형성하고, 임의의 패턴을 갖는 주형을 소정의 압력으로 기판 상에 가압 접촉한 후 소정의 온도 범위에서 열처리를 수행함으로써, 고분자 물질의 디웨팅(dewetting) 현상을 유발시켜 기판 상에 목표로 하는 고분자의 미세 패턴을 고 정밀하게 형성할 수 있는 것이다.

Description

디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법{METHOD FOR FORMING A MICRO-PATTERN BY USING A DEWETTING PHENOMENON}
본 발명은 기판(예를 들면, 실리콘 기판, 세라믹 기판, 금속층, 고분자층 등) 상에 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 집적 회로, 전자 소자, 광소자, 자기 소자, SAW(Surface Acoustic Wave) 필터, OLED(organic light-emitting diode) 등의 제조 공정 시에 주형(mold)을 이용하여 기판 상에 초 미세 패턴(1㎛ 이하 ∼ 수㎚)을 형성하는 데 적합한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
잘 알려진 바와 같이, 반도체, 전자, 광전, 자기, 표시 소자 등을 제조할 때 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 공정을 수행하게 되는 데, 이와 같이 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 대표적인 기법으로는 빛을 이용하여 미세 패턴을 형성하는 포토리쏘그라피(photolithography) 방법이 있다.
상기한 포토리쏘그라피 방법은 빛에 대한 반응성을 갖는 고분자 물질(예를 들면, 포토레지스트 등)을 패터닝하고자 하는 물질이 적층(또는 증착)된 기판 상에 도포하고, 목표로 하는 임의의 패턴으로 설계된 레티클을 통해 고분자 물질 상에빛을 투과시켜 노광하며, 현상 공정을 통해 노광된 고분자 물질을 제거함으로써, 패터닝하고자 하는 물질 위에 목표로 하는 패턴을 갖는 패턴 마스크(또는 식각 마스크)를 형성한다. 이후에, 패턴 마스크를 이용하는 식각 공정을 수행함으로써, 기판 상에 적층된 물질을 원하는 패턴으로 패터닝한다.
한편, 상기한 바와 같은 포토리쏘그라피 방법은 회로 선폭(또는 패턴 선폭)이 노광 공정에 사용되는 빛의 파장에 의해 결정된다. 따라서, 현재의 기술수준을 고려할 때 포토리쏘그라피 공정을 이용하여 기판 상에 초미세 패턴, 예를 들면 선폭이 100㎚ 이하인 초미세 패턴을 형성하는 것이 매우 어려운 실정이다.
특히, 유기 디스플레이 소자의 경우, 발광용 유기물층 위에 금속 등의 박막을 직접 증착할 경우 약간의 에너지에도 유기물 층이 손상을 입을 수 있기 때문에 포토리쏘그라피 방법으로 유기물층 상에 미세 패턴을 형성할 때에는 공정 분위기에 대한 세심한 주의와 노력을 할 필요가 있다. 그러나, 이러한 주의와 노력에도 불구하고 현실적으로 포토리쏘그라피 공정에 기인하는 유기물 층의 손상으로 인해 유기 디스플레이 소자의 생산 수율이 저하되는 것을 피할 수가 없었다.
최근 들어, 선폭이 100㎚ 이하인 초미세 패턴을 형성하는 새로운 기법에 대한 연구 개발이 도처에서 활발하게 진행되고 있는데, 이러한 새로운 기법으로는 미세 접촉 프린팅(micro-contact printing) 방법과 각인(imprinting) 방법이 있다.
상기한 방법 중 미세 접촉 프린팅 방법은 고분자 주형(mold)을 기판 상에 각인시켜 원하는 형상의 패턴을 얻는 방식, 즉 원하는 모양의 형상(또는 패턴)을 갖는 고분자 주형(예를 들면, PDMS 주형)을 기판 상에 접촉시켜 표면 상태를 변화시키고, 이를 통해 원하는 부분만을 남기고 식각하거나 선택적으로 증착하는 방법이다.
그러나, 상술한 바와 같은 종래의 미세 접촉 프린팅 방법은 특별한 외력을 가하지 않는다는 장점을 갖는 반면에 표면을 깎아내지 않는 이상 변형된 표면 상태가 영구적으로 유지된다는 단점을 갖는다.
한편, 각인 방법은 원하는 형상(패턴)을 가지고 있는 경도가 큰 주형을 물리적인 힘으로 가압하여 고분자 위에 미세 패턴을 형성하고, 예를 들면 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching) 등의 방법을 이용하여 이를 기판에 전송하는 방법이다.
그러나, 상기한 각인 방법은 가압할 때 높은 압력을 이용하기 때문에 고분자 박막 및 기판이 변형되거나 파손되는 현상이 야기된다는 치명적인 단점을 갖는다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고분자 물질의 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 박막의 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 고분자 물질의 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 순차 노출 방식으로 박막의 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 고분자 물질의 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 임의의 패턴이 형성된 기판 상에 박막의 미세 패턴을 형성할 수 있는 미세 패턴형성 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 형태에 따른 본 발명은, 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 양각 부분과 음각 부분으로 된 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 준비하는 과정; 상기 기판 상에 소정 두께의 고분자 물질을 형성하는 과정; 상기 고분자 물질에 상기 주형의 패턴 형성 면을 가압 접촉시키고 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 각 주형 패턴의 상부에 대면하는 기판의 상부를 선택적으로 노출시키는 과정; 및 상기 주형을 탈거하여 상기 기판의 상부 일부를 선택적으로 노출시키는 고분자 미세 패턴을 완성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 다른 형태에 따른 본 발명은, 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 양각 부분과 음각 부분으로 된 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 준비하는 과정; 상기 기판 상에 소정 두께의 박막 물질을 형성하는 과정; 상기 박막 물질의 상부에 소정 두께의 고분자 물질을 형성하는 과정; 상기 고분자 물질에 상기 주형의 패턴 형성 면을 가압 접촉시시키고 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 각 주형 패턴의 상부에 대면하는 상기 박막 물질의 상부를 선택적으로 노출시키는 과정; 상기 주형을 탈거하여 상기 박막 물질의 상부 일부를 선택적으로 노출시키는 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정; 상기 주형을 탈거한 후 상기 고분자 미세 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 수행하여 상기 박막 물질의 일부를 선택적으로 제거하는 과정; 및 상기 기판 상에 형성된 고분자 미세 패턴을 제거하여 상기 기판 상에 목표로 하는 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 또 다른 형태에 따른 본 발명은, 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 양각 부분과 음각 부분으로 된 임의의 패턴 구조를 가지며, 각 주형 패턴의 높이가 적어도 다른 두 종류인 주형을 준비하는 과정; 상기 기판 상에 소정 두께의 고분자 물질을 형성하는 과정; 상기 고분자 물질에 상기 주형의 패턴 형성 면을 가압 접촉시킨 후 열처리 공정을 수행하여 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 높이가 상대적으로 높은 주형 패턴에 대면하는 상기 기판의 상부를 선택적으로 일차 노출시키는 과정; 상기 주형을 탈거하여 일차의 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정; 증착 또는 식각 공정을 수행하여 상기 일차 노출된 기판 상에 일차의 박막 패턴을 형성하는 과정; 소정 조건 하의 열처리 공정을 수행하여 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 높이가 상대적으로 낮은 주형 패턴에 대면했던 상기 기판의 다른 일부를 선택적으로 이차 노출시킴으로써 이차의 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정; 및 증착 또는 식각 공정을 수행하여 상기 이차 노출된 기판 상에 이차의 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 또 다른 형태에 따른 본 발명은, 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 식각 공정을 수행하여 상기 기판에 양각 및 음각 부분을 갖는 패턴 구조를 형성하는 과정; 상기 패턴 구조를 매립시키는 형태로 상기 기판 상에 디웨팅 성질을 갖는 고분자 물질을 형성하는 과정; 용매 흡수력을 갖는 평행 판을 상기 고분자 물질에 가압 접촉시키고 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 상기 패턴 구조의 양각 부분을 선택적으로 노출시키는 과정; 및 상기 평행 판을 탈거하여 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.
도 1a 내지 1e는 본 발명의 일 실시 예에 따라 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 고분자의 미세 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도,
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판 상에 형성된 고분자의 미세 패턴을 이용하는 증착 공정을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도,
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판 상에 형성된 고분자의 미세 패턴을 이용하는 식각 공정을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도,
도 4a 내지 4d는 본 발명에 따른 일 실시 예의 변형 실시 예에 따라 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 순차 노출 방식으로 고분자의 미세 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도,
도 5a 내지 5e는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 고분자의 미세 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
102, 402, 502 : 기판 103, 202 : 박막 패턴
104, 404, 504 : 고분자의 미세 패턴 106, 406 : 주형
506 : 평행 판
본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 핵심 기술사상은, 종래의 미세 접촉 프린팅 방법 및 각인 방법과는 달리, 디웨팅(dewetting) 성질이 있는 고분자 물질(예를 들면, 톨루엔으로 녹여 만든 폴리스티렌 고분자 물질)을 기판 상에 형성하고, 임의의 패턴(예를 들면, 날카로운 모서리를 갖는 삼각뿔 형상의 패턴 등)을 갖는 고분자 주형(예를 들면, PDMS 주형, SiO2등과 같은 무기물 주형 등)을 소정의 압력으로 기판 상에 가압 접촉한 후 소정의 온도 범위에서 열처리를 수행함으로써, 고분자 물질의디웨팅(dewetting) 현상을 유발시켜 기판 상에 목표로 하는 고분자의 미세 패턴을 형성한다는 것으로, 이러한 기술적 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따라 기판 상에 형성한 고분자의 미세 패턴을 이용하는 증착 또는 식각 공정을 수행함으로써 기판 상에 원하는 박막의 미세 패턴을 형성할 수 있다. 여기에서, 디웨팅(dewetting) 현상이라 함은 디웨팅(dewetting) 성질이 있는 고분자 물질을 기판 상에 형성한 후 임의의 패턴을 갖는 주형을 가압 접촉하면 고분자 물질이 주형의 형상(패턴)을 따라서 디웨팅되는 것을 말한다.
더욱이, 본 발명은 임의의 패턴이 형성된 기판 상에 스핀 코팅 등의 방법으로 디웨팅(dewetting) 성질이 있는 고분자 물질을 형성한 후 용매 흡수력을 갖는 평행 판을 소정의 압력으로 기판 상에 가압한 후 소정의 온도 범위에서 열처리를 수행함으로써, 고분자 물질의 디웨팅(dewetting) 현상을 유발시켜 임의의 패턴이 형성된 기판 상에 목표로 하는 고분자의 미세 패턴을 형성할 수 있다.
[실시 예1]
도 1a 내지 1e는 본 발명의 일 실시 예에 따라 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 고분자의 미세 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도이다.
도 1a를 참조하면, 스핀 코딩 공정을 수행하여 기판(102), 예를 들면 실리콘 기판 상에 고분자 물질(104')(예를 들면, 대략 1 - 10wt%의 농도로 톨루엔을 녹여 만든 폴리스티렌 고분자 물질)을 소정 두께만큼 형성한다. 여기에서, 고분자물질(104')은 유동성의 확보를 위해 솔벤트 등을 함유할 수 있다.
이어서, 일 예로서 도 1b에 도시된 바와 같이, 날카로운 모서리를 갖는 삼각뿔 형상의 패턴이 형성된 주형(106)을 준비하여 소정의 압력으로 가압함으로써, 일 예로서 도 1c에 도시된 바와 같이, 삼각뿔 형상의 모서리를 고분자 물질(104') 속으로 침투시켜 삼각뿔 형상의 모서리를 기판(102) 상부에 근접시킨다. 이때, 사용되는 주형(106)으로는, 예를 들면 PDMS 주형 또는 SiO2등과 같은 무기물 주형 등을 사용할 수 있으며, 주형을 가압하면, 삼각뿔 형상의 모서리 부분에 대면하는 접촉 계면에서 고분자 물질(104')의 디웨팅 현상이 일어나게 됨으로써 고분자 물질(104')이 주형의 패턴을 따라 패터닝된다.
또한, 본 실시 예에서는 고분자 물질(104')의 패터닝 속도가 보다 가속될 수 있도록 열처리를 수행, 예를 들면 대략 150℃의 온도에서 대략 1시간 동안 열처리 공정을 수행하며, 이러한 열처리 공정에 의해, 일 예로서 도 1d에 도시된 바와 같이, 삼각뿔 형상 모서리의 계면에 근접한 고분자 물질이 점진적으로 수축되어 간격이 벌어지게 된다. 즉, 기판(102)의 상부 일부(즉, 패턴 삼각뿔 형상의 모서리 부분이 맞닿는 부분)가 부분적으로 노출된다. 고분자 물질의 수축은 열처리 공정이 진행됨에 따라 점진적으로 진행되며, 이러한 고분자 물질의 점진적인 수축에 의해 기판(102) 표면의 노출 크기가 점진적으로 커지게 된다.
따라서, 본 실시 예에 따르면, 열처리 공정의 조건(온도, 시간 등)을 달리함으로써 고분자 미세 패턴의 간격을 조절, 즉 고분자 미세 패턴의 크기를 조절할 수있다.
이어서, 열처리 공정을 완료한 후에 주형(106)을 탈거하면, 일 예로서 도 1e에 도시된 바와 같이, 기판(102) 상에 목표로 하는 고분자의 미세 패턴(104)이 형성된다.
한편, 본 실시 예에서는 주형(106)을 고분자 물질(104')에 가압 접촉한 상태에서 열처리 공정을 수행하는 것으로 하여 설명하였으나 본 실시 예가 반드시 이에 국한되는 것은 아니며 가압 접촉한 후에 주형(106)을 떼어낸 상태에서 열처리 공정을 수행할 수도 있으며, 이와 같이 하더라도 동일한 결과를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같은 일련의 과정을 통해 기판(102) 상에 형성된 고분자의 미세 패턴(104)은, 성장 방지층 또는 식각 마스크로 이용됨으로써, 후속하는 공정, 예를 들면 증착 공정, 식각 공정을 등을 통해 기판(102) 상에 박막의 미세 패턴을 형성하는데 이용될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시 예1에 따라 기판 상에 형성된 고분자의 미세 패턴을 이용하는 증착 공정을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도이다.
도 2a를 참조하면, 증착 공정을 수행함으로써 본 발명의 실시 예1에 따라 고분자의 미세 패턴(104)이 형성된 기판(102) 상에 박막 물질(202')을 형성한다. 이때, 본 실시 예에서는 박막 물질(202')이 기판(102)의 노출 부분과 고분자의 미세 패턴(104) 상부에 모두 형성되는 것으로 하여 도시 및 기술하였으나, 반드시 이와 같이 되는 것은 아니며, 박막 물질의 종류에 따라서는 고분자 미세 패턴(104)이 성장 억제층으로 작용함으로써 기판(102)의 노출 부분에만 박막 물질(202')이 형성될 수도 있다.
다음에, 톨루엔 등의 용매를 이용하여 고분자 미세 패턴(104)을 제거함으로써, 일 예로서 도 2b에 도시된 바와 같이, 기판(102) 상에 원하는 형상의 박막 패턴(202)을 형성한다. 여기에서, 박막 패턴은, 예를 들면 전도체, 절연체, 반도체, 유기물 박막 등이 될 수 있다.
즉, 본 발명의 실시 예1에 따라 기판 상에 형성된 고분자 미세 패턴을 박막 물질의 성장 방지층으로 이용하는 증착 공정을 통해 기판 상에 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시 예에 따라 기판 상에 형성된 고분자의 미세 패턴을 이용하는 식각 공정을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도이다.
도 3a를 참조하면, 기판(102) 상에 고분자 미세 패턴(104)을 형성하기 전에 먼저 박막 물질(103')을 기판(102) 상에 형성하며, 그런 후에 본 발명의 실시 예1에 따라 박막 물질(103')의 상부에 고분자 미세 패턴(104)을 형성한다.
다음에, 박막 물질(103')의 상부에 형성된 고분자의 미세 패턴(104)을 식각 마스크로 이용하는 식각 공정을 수행하여 박막 물질(103')의 일부를 선택적으로 제거함으로써, 일 예로서 도 3b에 되시된 바와 같이, 기판(102)의 상부 일부를 선택적으로 노출시킨다.
이어서, 톨루엔 등의 용매를 이용하여 고분자 미세 패턴(104)을 제거함으로써, 일 예로서 도 3c에 도시된 바와 같이, 기판(102) 상에 원하는 형상의 박막 패턴(103)을 형성한다.
즉, 본 발명의 실시 예1에 따라 기판 상의 박막 물질에 형성된 고분자 미세 패턴을 박막 물질의 식각 방지층(식각 마스크)으로 이용하는 식각 공정을 통해 기판 상에 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있다.
[변형 실시 예]
본 변형 실시 예는 디웨팅 성질을 갖는 고분자 물질의 디웨팅 현상을 이용하고, 또한 디웨팅 현상을 유발시킬 수 있는 패턴(예를 들면, 날카로운 모서리를 갖는 삼각뿔 형상의 패턴 등)이 형성된 주형을 이용한다는 측면에서 볼 때는 전술한 실시 예1과 동일하다. 단지 차이점이 있다면, 주형의 패턴 면에 형성되는 각 패턴(예를 들면, 삼각뿔 등)의 높이가 다르다는 점이다.
즉, 본 변형 실시 예는, 원하는 패턴의 모두를 동시에 형성(즉, 기판 일부의 선택적 동시 노출)하는 전술한 실시 예1과는 달리, 기판의 일부를 선택적으로 순차 노출시키는 기법이다. 이를 위하여, 본 변형 실시 예에서는 서로 다른 높이를 각각 갖는 삼각뿔 형상의 패턴이 형성된 주형을 이용한다.
도 4a 내지 4d는 전술한 실시 예1의 변형 실시 예에 따라 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 순차 노출 방식으로 고분자의 미세 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도이다.
도 4a를 참조하면, 기판(402) 상에 고분자 물질(404')에 형성한 후에, 날카로운 모서리를 가지며 그 높이가 서로 다른 삼각뿔 형상의 패턴이 형성된주형(406)을 준비하여 소정의 압력으로 가압함으로써, 일 예로서 도 4b에 도시된 바와 같이, 삼각뿔 형상의 모서리를 고분자 물질(404') 속으로 침투시킨다. 여기에서, 기판(402) 상에 형성된 고분자 물질(404')은 유동성의 확보를 위해 솔벤트 등을 함유할 수 있다.
이때, 높이가 상대적으로 높은 삼각뿔(406a) 형상의 모서리는 고분자 물질(404')에 상대적으로 많이 침투하여 기판(402)의 표면에 근접하는 형태가 되고, 높이가 상대적으로 낮은 삼각뿔(406b) 형상의 모서리는 고분자 물질(404')에는 침투되지만 기판(402)의 상부에는 근접하지 않는 형태로 된다.
다음에, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로, 소정의 조건 하에서 열처리 공정을 수행함으로써 디웨팅 현상을 촉진시켜 일부의 패턴을 형성, 즉 높이가 상대적으로 높은 삼각뿔 형상의 모서리가 근접한 기판(402)의 상부 일부를 선택적으로 노출시킨다.
이어서, 열처리 공정을 완료한 후에 주형(406)을 탈거하면, 일 예로서 도 4c에 도시된 바와 같이, 기판(402) 상에 목표로 하는 일차의 고분자 미세 패턴(404"), 즉 기판 노출 영역(404a)과 미 노출 영역(404b)을 갖는 일차의 고분자 미세 패턴이 형성된다. 즉, 높이가 상대적으로 높은 삼각뿔 형상의 모서리가 근접한 기판(402)의 상부 일부를 선택적으로 노출되는 일차의 고분자 미세 패턴(404")이 형성된다.
따라서, 본 변형 실시 예에 따라 기판(402) 상에 형성된 일차의 고분자 미세 패턴(404")을 이용하는 증착 공정 또는 식각 공정을 수행함으로써 원하는 형상의일차 박막 패턴을 형성할 수 있다.
한편, 본 실시 예에서는 주형(406)을 고분자 물질(404')에 가압 접촉한 상태에서 열처리 공정을 수행하는 것으로 하여 설명하였으나 본 실시 예가 반드시 이에 국한되는 것은 아니며 가압 접촉한 후에 주형(406)을 떼어낸 상태에서 열처리 공정을 수행할 수도 있으며, 이와 같이 하더라도 동일한 결과를 얻을 수 있다.
다음에, 일차의 박막 패턴을 형성한 후에 다시 소정 조건의 열처리 공정을 수행하면, 높이가 상대적으로 낮은 삼각뿔(406b) 형상에 의해 기판 미 노출 영역(404b)에서 디웨팅 현상이 유발됨으로써, 일 예로서 도 4d에 도시된 바와 같이, 이차의 고분자 미세 패턴(404)이 형성된다.
따라서, 본 변형 실시 예에 따라 기판(402) 상에 형성된 이차의 고분자 미세 패턴(404)을 이용하는 증착 공정 또는 식각 공정을 수행함으로써 원하는 형상의 이차 박막 패턴을 형성할 수 있다.
즉, 본 변형 실시 예에서는, 예를 들면 두 층에 서로 다른 물질(박막 패턴)을 형성하거나, 한 층을 식각하여 원하는 박막 패턴을 형성한 후에 다른 층에 다른 박막 패턴을 증착하거나, 한 부분에는 두 개의 박막 패턴을 형성하고 다른 부분에는 하나의 박막 패턴만을 형성하는 등의 방법으로 다양한 응용이 가능하기 때문에, 전술한 실시 예1에 비해, 반도체 소자의 제조 공정을 더욱 간소화할 수 있다.
한편, 본 변형 실시 예에서는 높이가 서로 다른 두 종류의 주형 패턴을 일 예로서 하여 설명하였으나 본 발명이 반드시 이에 국한되는 것은 아니며, 필요 또는 용도에 따라 세 종류, 네 종류 등으로 주형 패턴의 높이를 설정할 수도 있다.
[실시 예2]
도 5a 내지 5e는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 디웨팅(dewetting) 현상을 이용하여 기판 상에 고분자의 미세 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도이다.
도 5a를 참조하면, 반도체 소자의 제조 공정에서 이용되는 다양한 방법(예를 들면, 포토리쏘그라피 공정 등)을 이용하여 기판(502)의 상부 일부를 선택적으로 식각함으로써 기판(502) 상에 임의의 패턴을 형성한다.
다음에, 스핀 코팅 등의 공정을 수행하여, 일 예로서 도 5b에 도시된 바와 같이, 임의의 패턴이 형성된 기판(502) 상에 디웨팅 성질을 갖는 고분자 물질(504')을 형성한다.
이어서, 일 예로서 도 5c에 도시된 바와 같이, 용매 흡수력을 갖는 평탄한 판(506)을 준비하여 소정의 압력으로 고분자 물질(504')에 가압하면 고분자 물질(504')에 함유된 용매의 일부가 평행 판(506)에 흡수됨으로써 평행 판(506)의 하부와 기판 패턴의 상부 면(표면)이 근접하는 형태로 되며, 이후 후 소정의 조건 하에서 열처리 공정을 수행함으로써, 고분자 물질(504')의 디웨팅 현상을 촉진시킨다.
따라서, 기판 패턴의 상부(삼각뿔 형상의 모서리, 사각 형상의 상부 등)에 있는 고분자 물질(504')들에서 디웨팅 현상이 유발됨으로써, 일 예로서 도 5d에 도시된 바와 같이, 패턴의 상부의 일부가 노출된다. 즉, 기판 패턴의 상부에 있는 고분자 물질들이 점진적으로 수축되어 각 패턴의 상부가 선택적으로 노출됨으로써 고분자 물질이 패터닝된다.
이때, 전술한 실시 예1에서와 마찬가지로, 열처리 조건(온도 및 시간)을 달리함으로써, 패턴의 크기(또는 패턴의 간격)를 조절할 수 있다.
다음에, 열처리 공정을 완료한 후에 평행 판(506)을 떼어냄으로써, 임의의 패턴이 형성된 기판(502) 상에 박막 패턴(504)이 형성된다.
한편, 본 실시 예에서는 평행 판(506)을 고분자 물질(504')에 가압 접촉한 상태에서 열처리 공정을 수행하는 것으로 하여 설명하였으나 본 실시 예가 반드시 이에 국한되는 것은 아니며 가압 접촉한 후에 평행 판(506)을 떼어낸 상태에서 열처리 공정을 수행할 수도 있으며, 이와 같이 하더라도 동일한 결과를 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 종래의 미세 접촉 프린팅 방법 및 각인 방법과는 달리, 디웨팅(dewetting) 성질이 있는 고분자 물질을 기판 상에 형성하고, 임의의 패턴을 갖는 PDMS 주형 또는 SiO2등의 무기물 주형을 소정의 압력으로 기판 상에 가압 접촉한 후 소정의 온도 범위에서 열처리를 수행함으로써, 고분자 물질의 디웨팅(dewetting) 현상을 유발시켜 기판 상에 목표로 하는 고분자의 미세 패턴을 고 정밀하게 형성할 수 있으며, 이와 같이 형성된 고분자 미세 패턴을 이용하는 증착 또는 식각 공정을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성할 수 있다.

Claims (23)

  1. 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    양각 부분과 음각 부분으로 된 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 준비하는 과정;
    상기 기판 상에 소정 두께의 고분자 물질을 형성하는 과정;
    상기 고분자 물질에 상기 주형의 패턴 형성 면을 가압 접촉시키고 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 각 주형 패턴의 상부에 대면하는 기판의 상부를 선택적으로 노출시키는 과정; 및
    상기 주형을 탈거하여 상기 기판의 상부 일부를 선택적으로 노출시키는 고분자 미세 패턴을 완성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 주형을 가압 접촉시킨 후 소정의 공정 조건 하에서 열처리 공정을 수행하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 열처리 공정의 조건을 변경함으로써, 상기 고분자 미세 패턴의 크기를 조절 가능한 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을이용한 미세 패턴 형성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 고분자 물질은, 디웨팅 성질을 갖는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 주형의 각 패턴은 상부가 뾰족한 형상으로 된 패턴인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 주형은, 고분자 주형인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 주형은, 무기물 주형인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법은:
    상기 고분자 미세 패턴 사이에서 노출된 상기 기판 상에 소정 두께의 박막 물질을 형성하는 과정; 및
    상기 고분자 미세 패턴을 제거하여 상기 기판 상에 목표로 하는 박막 패턴을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 고분자 미세 패턴은, 용매를 사용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 박막 패턴은, 전도체, 절연체, 반도체, 유기물 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  11. 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    양각 부분과 음각 부분으로 된 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 준비하는 과정;
    상기 기판 상에 소정 두께의 박막 물질을 형성하는 과정;
    상기 박막 물질의 상부에 소정 두께의 고분자 물질을 형성하는 과정;
    상기 고분자 물질에 상기 주형의 패턴 형성 면을 가압 접촉시키고 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 각 주형 패턴의 상부에 대면하는 상기 박막 물질의 상부를 선택적으로 노출시키는 과정;
    상기 주형을 탈거하여 상기 박막 물질의 상부 일부를 선택적으로 노출시키는 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정;
    상기 주형을 탈거한 후 상기 고분자 미세 패턴을 식각 마스크로 하는 식각 공정을 수행하여 상기 박막 물질의 일부를 선택적으로 제거하는 과정; 및
    상기 기판 상에 형성된 고분자 미세 패턴을 제거하여 상기 기판 상에 목표로 하는 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 주형을 가압 접촉시킨 후 소정의 공정 조건 하에서 열처리 공정을 수행하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 열처리 공정의 조건을 변경함으로써, 상기 고분자 미세 패턴의 크기를 조절 가능한 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 고분자 물질은, 디웨팅 성질을 갖는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 주형의 각 패턴은 상부가 뾰족한 형상으로 된 패턴인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 주형은, 고분자 주형인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 주형은, 무기물 주형인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  18. 제 11 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 미세 패턴은, 용매를 사용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 박막 패턴은, 전도체, 절연체, 반도체, 유기물 박막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  20. 임의의 패턴 구조를 갖는 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    양각 부분과 음각 부분으로 된 임의의 패턴 구조를 가지며, 각 주형 패턴의 높이가 적어도 다른 두 종류인 주형을 준비하는 과정;
    상기 기판 상에 소정 두께의 고분자 물질을 형성하는 과정;
    상기 고분자 물질에 상기 주형의 패턴 형성 면을 가압 접촉시킨 후 열처리 공정을 수행하여 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 높이가 상대적으로 높은 주형 패턴에 대면하는 상기 기판의 상부를 선택적으로 일차 노출시키는과정;
    상기 주형을 탈거하여 일차의 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정;
    증착 또는 식각 공정을 수행하여 상기 일차 노출된 기판 상에 일차의 박막 패턴을 형성하는 과정;
    소정 조건 하의 열처리 공정을 수행하여 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 높이가 상대적으로 낮은 주형 패턴에 대면했던 상기 기판의 다른 일부를 선택적으로 이차 노출시킴으로써 이차의 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정; 및
    증착 또는 식각 공정을 수행하여 상기 이차 노출된 기판 상에 이차의 박막 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  21. 주형을 이용하여 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성하는 방법에 있어서,
    식각 공정을 수행하여 상기 기판에 양각 및 음각 부분을 갖는 패턴 구조를 형성하는 과정;
    상기 패턴 구조를 매립시키는 형태로 상기 기판 상에 디웨팅 성질을 갖는 고분자 물질을 형성하는 과정;
    용매 흡수력을 갖는 평행 판을 상기 고분자 물질에 가압 접촉시키고 상기 고분자 물질의 디웨팅 현상을 유발시킴으로써 상기 패턴 구조의 양각 부분을 선택적으로 노출시키는 과정; 및
    상기 평행 판을 탈거하여 고분자 미세 패턴을 형성하는 과정으로 이루어진 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 평행 판을 가압 접촉시킨 후 소정의 공정 조건 하에서 열처리 공정을 수행하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 방법은, 상기 열처리 공정의 조건을 변경함으로써, 상기 고분자 미세 패턴의 크기를 조절 가능한 것을 특징으로 하는 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
KR10-2001-0020541A 2001-04-17 2001-04-17 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법 KR100407602B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0020541A KR100407602B1 (ko) 2001-04-17 2001-04-17 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0020541A KR100407602B1 (ko) 2001-04-17 2001-04-17 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020080780A KR20020080780A (ko) 2002-10-26
KR100407602B1 true KR100407602B1 (ko) 2003-12-01

Family

ID=27701413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0020541A KR100407602B1 (ko) 2001-04-17 2001-04-17 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100407602B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100491244B1 (ko) * 2001-09-25 2005-05-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 박막형성장치 및 박막형성방법
KR100610231B1 (ko) 2004-02-25 2006-08-08 주식회사 미뉴타텍 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4018892B2 (ja) * 2001-10-03 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100492851B1 (ko) * 2002-09-26 2005-06-02 주식회사 미뉴타텍 좌굴 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법
KR100509520B1 (ko) * 2002-11-11 2005-08-22 차국헌 다층 박막의 미세 패터닝 방법 및 이 방법에 의해 제조된패턴된 다층 박막
KR20040042070A (ko) * 2002-11-12 2004-05-20 조수제 감광성유리의 미세가공 방법
KR100598178B1 (ko) * 2004-07-21 2006-07-10 주식회사 하이닉스반도체 임프린트 리소그래피용 몰드 제조 장치 및 그 방법
KR100577973B1 (ko) * 2004-08-17 2006-05-11 주식회사 미뉴타텍 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법
KR101192758B1 (ko) * 2005-06-30 2012-10-18 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법
KR100797007B1 (ko) * 2006-08-04 2008-01-22 연세대학교 산학협력단 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의마이크로/나노 패턴화 방법
KR100807471B1 (ko) * 2006-11-29 2008-02-25 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조방법
US20080241563A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Khamvong Thammasouk Polymer substrate for electronic components
WO2013162309A1 (ko) * 2012-04-25 2013-10-31 그래핀스퀘어 주식회사 핫엠보싱 임프린팅을 이용한 그래핀의 패터닝 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
JPH11316452A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Ebara Corp 光転写用複製マスク及びその製造方法
KR20010038423A (ko) * 1999-10-25 2001-05-15 정덕영 미세 접촉 인쇄법과 선택적 화학 기상 증착법을 이용한 산화티타늄 박막의 형상화 방법
JP2002184719A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
KR20020055469A (ko) * 2000-12-28 2002-07-09 백승준 박막 전이 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
JPH11316452A (ja) * 1998-04-30 1999-11-16 Ebara Corp 光転写用複製マスク及びその製造方法
KR20010038423A (ko) * 1999-10-25 2001-05-15 정덕영 미세 접촉 인쇄법과 선택적 화학 기상 증착법을 이용한 산화티타늄 박막의 형상화 방법
JP2002184719A (ja) * 2000-12-19 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
KR20020055469A (ko) * 2000-12-28 2002-07-09 백승준 박막 전이 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100491244B1 (ko) * 2001-09-25 2005-05-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 박막형성장치 및 박막형성방법
KR100610231B1 (ko) 2004-02-25 2006-08-08 주식회사 미뉴타텍 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020080780A (ko) 2002-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100566700B1 (ko) 반도체 공정에서 포토레지스트 패턴 형성 방법,포토레지스트 패턴 형성용 템플레이트 및 이의 제조 방법.
KR100407602B1 (ko) 디웨팅 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법
US8828871B2 (en) Method for forming pattern and mask pattern, and method for manufacturing semiconductor device
TWI279830B (en) Compliant template for UV imprinting
US8703406B2 (en) Method of forming large-area masters for replication of transfer lithography templates
US20030062334A1 (en) Method for forming a micro-pattern on a substrate by using capillary force
KR101137845B1 (ko) 소프트 몰드의 제조방법
CN100515794C (zh) 印版及其制造方法
KR100843552B1 (ko) 나노 임프린트 공정을 이용한 나노 전극선 제조 방법
US20050159019A1 (en) Method for manufacturing large area stamp for nanoimprint lithography
KR101541814B1 (ko) 나노 임프린트 리소그래피 방법
KR20100008619A (ko) 리소그래피 마스크 제조방법 및 이를 이용한 미세패턴형성방법
JP6205825B2 (ja) レプリカテンプレートの製造方法、レプリカテンプレート、レプリカテンプレートを用いたウエハの製造方法、およびマスターテンプレートの製造方法
KR101064900B1 (ko) 패턴 형성방법
KR100930177B1 (ko) 나노 임프린트용 스탬프 제조 방법
KR100918850B1 (ko) 나노 임프린트 리소그래피와 리프트 오프 공정을 이용한나노 패턴 형성 방법
KR100601263B1 (ko) 급속 가열 나노 몰딩을 이용한 미세 패턴 형성 방법
KR20010093616A (ko) 모세관 효과를 이용한 미세 패턴 형성 방법
CN116300304A (zh) 一种适用于uv-nil技术的掩模板、及其制备方法和应用
US20040063334A1 (en) Method for forming a mask pattern
KR100492851B1 (ko) 좌굴 현상을 이용한 미세 패턴 형성 방법
KR100407601B1 (ko) 열처리 및 모세관 현상을 이용한 열경화성 고분자박막상의 미세 패턴 형성 방법
KR20020045769A (ko) 반도체 소자용 미세 패턴 형성 방법
CN108550527A (zh) 一种图形化方法
CN111204704B (zh) 一种台阶结构的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121119

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131118

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141118

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee