KR100577973B1 - 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 메니스커스(meniscus) 형태를 갖는 고분자 패턴과 고분자 박리 현상을 이용하는 간단한 공정을 통해, 듀티비(duty ratio)에 무관하게 기판 상에 고분자 미세 패턴을 형성할 수 있도록 한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 몰드와 고온, 고압의 공정 조건을 이용하거나 혹은 고분자 탄성체의 일종인 PDMS의 가압 접촉을 이용하거나 혹은 모세관 현상과 연성 성형을 이용하여 고분자 용액의 농도를 조절하는 종래 방식과는 달리, 메니스커스 형태를 갖는 1차 고분자 패턴을 기판 상에 형성 또는 접착하고, 1차 고분자와 반응하지 않으면서 유리 전이 온도가 1차 고분자보다 적어도 낮은 2차 고분자를 1차 고분자 패턴이 형성된 기판 상에 코팅하며, 외부 에너지를 인가하여 1차 고분자 패턴 사이의 간격에 있는 2차 고분자와 1차 고분자 패턴 상에 형성된 2차 고분자를 물리적으로 분리시키고, 1차 고분자 패턴과 그 위에 형성된 2차 고분자를 제거하는 방식을 통해 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 종래 방식에서의 까다로운 공정 조건과 대면적 적용시에 나타나는 비균일성과 잔사의 문제를 확실하게 해결할 수 있어, 디스플레이 및 각종 전자 회로 패턴의 대형화 및 미세화를 효과적으로 실현할 수 있는 것이다.

Description

디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법{METHOD FOR FORMING A MICRO-PATTERN BY USING A DEWETTING}

도 1a 내지 도1f는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 디웨팅을 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도,

도 2a 내지 2c는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 기판 상에 형성된 미세 패턴을 이용하는 감쇄적 방법을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도,

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따라 기판 상에 미세 패턴을 형성할 때 사용되는 메니스커스를 갖는 몰드를 기판 상에 안착시킨 상태의 평면도,

도 4a 내지 4d는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 원판 몰드 및 디웨팅을 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도,

도 5a 내지 5f는 본 발명에 따라 디웨팅을 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성한 실험 결과를 순서적으로 보여주는 실험 결과 사진 및 단차 분석도,

도 6a 내지 6d는 본 발명에 따라 기판 상에 형성한 미세 패턴을 이용하여 기판 상에 박막 패턴을 형성한 실험 결과를 순서적으로 보여주는 실험 결과 사진 및 단차 분석도.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞

102, 302 : 기판 104 : 1차 고분자 패턴

106 : 몰드 108 : 2차 고분자 패턴

304 : 원판 몰드 304a : 몰드 지지대

304b : 패턴 306 : 고분자 패턴

본 발명은 기판(예를 들면, 유리, PET 필름, 금속 코팅된 유리, 웨이퍼 등) 상에 미세 패턴을 형성하는 기법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 집적 회로, 전자 소자, 광소자, 자기 소자, 표시 소자 등의 기판 상에 튜티비가 1.0 이하로 낮은 미세 패턴(1㎛ 이하 ∼ 수㎚ 등)을 형성하는데 적합한 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

근래 들어, 전자 산업이 급속도로 발전하면서 반도체, 전자, 광전, 자기, 표시 소자, 미세 전자기계 소자 등이 소형화, 경량화, 및 박막화가 세계적으로 더욱 진행되고 있는 추세인데, 기존의 노광을 이용하는 전통적인 포토리소그라피(photolithography) 방법으로는 광원 파장의 한계, 고가의 장비 및 복잡한 공정 등으로 인해 집적도와 비용 경쟁력 등에서 한계를 가질 수밖에 없었다.

즉, 상기한 포토리소그라피 방법은 빛에 대한 반응성을 갖는 고분자 물질(예를 들면, 포토레지스트 등)을 패터닝하고자 하는 물질이 적층(또는 증착)된 기판 상에 도포하고, 목표로 하는 임의의 패턴으로 설계된 레티클을 통해 고분자 물질 상에 빛을 투과시켜 노광하며, 현상 공정을 통해 노광된 고분자 물질을 제거함으로써, 패터닝하고자 하는 물질 위에 목표로 하는 패턴을 갖는 패턴 마스크(또는 식각 마스크)를 형성한다. 이후에, 패턴 마스크를 이용하는 식각 공정을 수행함으로써, 기판 상에 적층된 물질을 원하는 패턴으로 패터닝한다.

한편, 상기한 바와 같은 포토리소그라피 방법은 회로 선폭(또는 패턴 선폭)이 노광 공정에 사용되는 빛의 파장에 의해 결정된다. 따라서, 현재의 기술수준을 고려할 때 포토리소그라피 공정을 이용하여 기판 상에 미세 패턴, 예를 들면 선폭이 100㎚ 이하인 초미세 패턴을 형성하는 것이 매우 어려운 실정이다.

또한, 종래의 포토리소그라피 방법은 기판 상에 미세 패턴을 형성하기 위해서는 여러 단계의 공정, 예를 들면 기판 세정, 기판 표면 처리, 감광성 고분자 코팅, 저온 열처리, 노광, 현상, 고온 열처리, 세정 등의 공정들을 수행해야만 하기 때문에 제조 시간이 길고 복잡하다는 문제가 있을 뿐만 아니라 고가의 노광 장비를 사용해야 하는 문제가 있으며, 이러한 문제들은 결국 제조 원가의 상승과 생산성의 저하를 유발시키는 요인으로 작용하고 있다.

최근 들어, 상기한 종래 포토리소그라피 방법의 한계를 극복할 수 있는 새로운 패턴 형성 방법(비전통적 방법에 의한 리소그라피 방법)들에 대한 연구 개발이 도처에서 활발하게 진행되고 있는데, 고가의 노광 장비를 이용하지 않으면서 짧은 공정 시간으로 미세 패턴을 형성할 수 있는 비전통적 방법에 의한 리소그라피 방법 으로는 나노 임프린트 리소그라피(nano-imprint lithography) 방법과 연성 리소그라피(soft-lithography) 방법이 있다.

상기한 비전통적 방법에 의한 리소그라피 방법 중 하나인 종래의 나노 임프린트 리소그라피 방법은 수십 내지 수백 ㎚의 패턴 크기를 갖는 원판 몰드를 폴리에스티렌과 같은 열가소성 고분자 박막이 코팅된 기판에 직접 접촉시키고, 물리적인 힘을 가하여 눌러, 원판 몰드의 패턴을 그대로 고분자 박막 층에 전사시키는 방식으로 기판 상에 수십 내지 수백 ㎚ 크기의 미세 패턴을 형성하는 방법이다.

그러나, 종래의 나노 임프린트 리소그라피 방법은 기술적 우수성에도 불구하고 높은 공정 압력, 까다로운 공정 조건, 단위 반복 공정의 곤란성 등으로 인해 직접적인 산업기술로의 적용에 기술적 한계를 가질 수밖에 없었다.

보다 상세하게, 종래의 나노 임프린트 리소그라피 방법은 높은 공정 압력을 이용하기 때문에 주형 및 기판이 변형되거나 파손되는 등의 단점을 가지며, 또한 고온으로 가열된 고분자 물질의 유동성을 이용하여 패터닝을 하기 때문에 크기가 큰 패턴의 경우에는 완벽한 패터닝에 많은 시간이 소요된다는 단점을 갖는다.

또한, 종래의 나노 임프린트 리소그라피 방법은 주형의 돌출부위(양각 패턴)에 의해 눌려진 부분의 고분자 물질이 완전히 제거되지 않고 잔류하기 때문에 추가적인 공정, 즉 플라즈마 식각 공정 등을 더 필요로 하는 문제가 있으며, 이러한 공정 추가의 문제는 결국 경제성의 저하와 함께 미세 패턴의 변형 가능성을 상존하게 하는 문제점을 야기시킨다.

한편, 비전통적 방법에 의한 리소그라피 방법 중 하나인 종래의 연성 리소그라피 방법은 PDMS(polydimethylsiloxane) 등과 같은 탄성체 고분자를 몰드로 이용하여 기판 상에 패턴을 제작하는 기법인 것으로, 기존의 포토리소그라피 공정에서 는 불가능했었던 공정의 단순화 및 신속성을 실현할 수 있으며, 또한 비평탄 기판 위에서의 패턴 형성이나 특이 물질을 사용한 패턴 형성에도 적용이 가능하기 때문에 기존의 포토리소그라피 공정에서는 불가능한 영역으로의 활용 가능성이 크다는 장점을 갖는 반면에, 까다로운 공정 조건, 대면적 적용에서의 비균일성과 잔사(residual) 등의 문제로 인해 일부 국한된 부분에서의 적용만이 현실적으로 가능한 실정, 즉 적용 확장에 큰 제약이 따르게 되는 근본적인 문제점을 갖는다.

다른 한편, 상술한 바와 같은 종래의 방법들은 패터닝 후에 패턴 간격에 잔여 고분자들이 남게 되는데, 이를 제거하기 위해서는 초고진공 상태에서 플라즈마를 이용하는 반응성 이온 식각 등의 금속 패터닝 공정을 실시해야만 하는 문제가 있다. 특히, 듀티비(duty ratio : 단위 패턴 폭 또는 단위 패턴 간격)가 1.0 이하로 낮은 패턴일 경우, 연성 리소그라피의 일종인 모세관 형성법과 연성 성형 방법을 사용하더라도 기판과 고분자간 상호 작용 등으로 인해 패턴 간격에 잔여 고분자가 존재하게 된다. 따라서, 이러한 문제는 결국 실용화에 있어서 제조 비용을 증가시키는 주요한 요인으로 작용하게 되는 문제를 유발한다.

또한, 상술한 바와 같은 종래의 방법들은, 작은 압력에 의해서도 패턴의 균일도와 수율이 민감하게 결정되기 때문에, 대면적화와 실용화에 있어서 기술적인 어려움을 가질 수밖에 없다.

예를 들어, 미합중국 하버드(havard) 대학의 Whitesides 교수진에 의해 개발된 연성 리소그라피 법은 PDMS(polydimethylsiloxane)와 같은 탄성체 고분자를 이용하여 패턴을 제작하는 기술로서, 전통적인 광 리스그라피 공정에서 불가능했던 공정의 단순화 및 신속성을 구현하였으며, 곡면 기판 위에 패턴 형성을 가능하게 하여 기존의 노광 공정에서는 불가능한 영역에의 활용 가능성을 보여주었다(Angew. Chem. Int. Ed. 1998, 37, 550).

그러나, 이러한 방법은, 앞에서 이미 기술한 바와 같이, 패턴 형성 후에 패턴 간격에 잔여 고분자가 존재하기 때문에 반응성 이온 식각 공정을 통해 잔여 고분자를 제거한 후에 금속 패터닝을 실시해야만 하는 문제를 가질 수밖에 없다.

또한, 본 발명의 발명자 중의 한 사람인 대한민국 서울대학교의 이홍희 교수진에서는, 모세관 형성법과 연성 성형 방법을 이용하는 기법을 통해 고분자 용액의 농도를 조절함으로써, 패턴 간격에 잔여 고분자가 존재하지 않도록 하는 기법을 보여주었다(Adv. Mater. 2001, 13, 1386, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1011).

그러나, 이러한 방법은, 앞에서 이미 기술한 바와 같이, 패턴 간격이 상대적으로 넓은 저 듀티비(low duty ratio)의 패턴인 경우에는, 기판과 고분자의 상호 작용 등에 의해, 패턴 간격에 여전히 잔여 고분자가 잔존하게 되는 문제가 있으며, 또한 작은 압력에도 패턴의 균일도와 수율이 민감하게 반응하므로, 비대칭 패턴으로 인해 대면적화에 한계를 가질 수밖에 없었다.

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 메니스커스(meniscus) 형태를 갖는 고분자 패턴과 고분자 박리 현상을 이용하는 간단한 공정을 통해, 듀티비(duty ratio : 단위 패턴 폭/단위 패턴 간격)에 무관하게 기판 상에 고분자 미세 패턴을 형성할 수 있는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제 공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 메니스커스(meniscus) 형태를 갖는 고분자 패턴을 이용함으로써, 기판 상에 형성된 미세 패턴 간격에서 잔여 고분자가 발생하는 것을 방지할 수 있는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 일 형태에 따른 본 발명은, 기판 상에 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 미세 패턴을 형성하는 방법으로서, 상기 기판 상에 메니스커스 형태를 갖는 1차 미세 패턴을 형성하는 제 1 과정과, 상기 기판의 전면에 상기 2차 미세 패턴 물질을 소정 두께만큼 도포하는 제 2 과정과, 상기 1차 미세 패턴 상에 도포된 상기 2차 미세 패턴 물질과 패턴 사이의 간격에 도포된 상기 2차 미세 패턴 물질을 분리시키는 제 3 과정과, 상기 1차 미세 패턴과 그 위에 형성된 2차 미세 패턴 물질을 선택적으로 제거함으로써, 상기 기판 상에 목표로 하는 2차 미세 패턴을 형성하는 제 4 과정을 포함하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.

상기 목적을 달성하기 위한 다른 형태에 따른 본 발명은, 기판 상에 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 미세 패턴을 형성하는 방법으로서, 메니스커스 형태의 다수의 패턴을 갖는 원판 몰드를 상기 기판 상의 목표 위치에 안착시키는 과정과, 상기 기판의 전면에 미세 패턴 물질을 소정 두께만큼 도포하는 과정과, 상기 각 패턴 상에 도포된 상기 미세 패턴 물질과 상기 각 패턴 사이의 간격에 도포된 상기 미세 패턴 물질을 분리시키는 과정과, 상기 원판 몰드를 상기 기판으로부터 탈거함으로써, 상기 기판 상에 목표로 하는 상기 미세 패턴을 형성하는 과정을 포함하는 디웨 팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법을 제공한다.

본 발명의 상기 및 기타 목적과 여러 가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 하기에 기술되는 본 발명의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.

먼저, 본 발명의 핵심 기술사상은, 몰드와 고온, 고압의 공정 조건을 이용(나노 임프린트 리소그라피 방법)하거나 혹은 고분자 탄성체의 일종인 PDMS의 가압 접촉을 이용(연성 리소그라피 방법)하거나 혹은 모세관 현상과 연성 성형을 이용하여 고분자 용액의 농도를 조절하는 전술한 종래 방식과는 달리, 메니스커스(meniscus) 형태를 갖는 1차 고분자 패턴을 기판 상에 형성 또는 접착하고, 1차 고분자와 반응하지 않으면서 유리 전이 온도가 1차 고분자보다 적어도 낮은 2차 고분자를 1차 고분자 패턴이 형성(또는 적층)된 기판 상에 코팅하며, 외부 에너지를 인가하여 1차 고분자 패턴 사이의 간격에 있는 2차 고분자와 1차 고분자 패턴 상에 형성된 2차 고분자를 물리적으로 분리(디웨팅)시키고, 1차 고분자 패턴과 그 위에 형성된 2차 고분자를 제거(용해 등)함으로써, 기판 상에 목표로 하는 고분자의 미세 패턴을 형성한다는 것으로, 이러한 기술적 사상을 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다.

여기에서, 메니스커스 형상은 초승달 모양과 같이 양쪽 모서리가 올라가는 형상(피크 형상)을 갖는데, 이로 인해 양쪽 모서리 부분에서는 상대적으로 얇은 2차 고분자가 코딩되며, 그 결과 외부 에너지(예컨대, 열, 빛, 전자기장, 용매 분사 등)가 가해질 때 양쪽 모서리 부분에서부터 디웨팅 현상이 유발됨으로써, 1차 고분자 패턴 사이의 간격에 있는 2차 고분자(즉, 기판 상에 직접 코딩된 고분자)와 1차 고분자 패턴 상에 형성된 2차 고분자가 물리적으로 분리(디웨팅)된다.

도 1a 내지 도1f는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 디웨팅을 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.

도 1a를 참조하면, 스핀 코팅 등의 방법을 이용하여 기판(102) 상에 1차 고분자 물질(104a), 예를 들면 폴리비닐페놀(poly 4-vinylphenol)을 메탄올 혹은 이소프로필알콜(isopropylacohol)에 10-20wt% 비율로 용해한 고분자액을 기판(102) 상에 형성한다.

상기한 바와 같이, 기판(102) 상에 1차 고분자 물질(104a)을 형성한 후에, 임의의 패턴을 갖는 PDMS 등의 몰드(또는 연성 몰드)(106)의 패턴 면을 1차 고분자 물질(104a)이 형성된 기판(102) 상에 밀착 접촉시킨다. 이와 같이, 몰드(106)를 기판(102) 상에 밀착 접촉시키면, 일 예로서 도 1b에 도시된 바와 같이, 모세관 형성법 또는 연성 성형 방법 등에서처럼 모세관력(capillary force : 1차 고분자 물질(104a)의 일부(즉, 몰드의 양각 부분에 맞닿는 위치에 있는 1차 고분자 물질)가 몰드(106)의 빈 공간(음각 부분)으로 빨려 들어가는 모세관 현상)에 의해 패턴의 양각 부분에 당접하는 1차 고분자 물질(104a)이 몰드(106)의 음각 부분으로 이송됨으로써, 몰드(106)의 음각 부분에서 메니스커스 형태를 갖는 패턴으로 1차 고분자 물 질(104a)이 패터닝된다. 이때, 연성 성형 방법을 이용할 경우, 용매의 선택은 휘발성이 크면서도 PDMS 등과 같은 연성 몰드를 팽윤(swelling)시키지 않는 용매이어야 한다. 상기한 바와 같은 방법들은 형성하고자 하는 미세 패턴의 폭에 비해 미세 패턴의 간격이 작은, 즉 높은 듀티비를 갖는 경우(몰드와 기판이 접촉하는 면적이 작은 경우) 미세 패턴 간격의 표면(즉, 기판의 상부 일부)을 쉽게 드러낼 수 있는 방법이다.

그런 후, 기판(102)으로부터 몰드(106)를 떼어내면, 일 예로서 도 1c에 도시된 바와 같이, 기판(102) 상에 메니스커스 형태를 갖는 1차 고분자 패턴(104)이 형성된다. 도 1c에 있어서, 참조번호 104b는 양쪽 모서리가 올라가는 패턴의 피크 형상을 나타낸다.

다음에, 스핀 코팅 등의 공정을 수행함으로써, 일 예로서 도 1d에 도시된 바와 같이, 1차 고분자 패턴(104)이 형성된 기판(102) 상에 1차 고분자 물질에 비해 상대적으로 낮은 유리 전이 온도(glass transition temperature)를 갖는 2차 고분자 물질(108a, 108b)을 코팅한다. 여기에서, 사이클로헥산(cyclohexane)에 1-10wt% 비율로 폴리스티렌(polystyrene)을 녹인 용액을 사용할 수 있다. 이때, 사용되는 용매는 1차 고분자 패턴(104)과 반응하거나 혹은 1차 고분자 패턴(104)을 용해시키지 않아야 한다. 또한, 고분자의 점도가 낮아야 하는데, 이것은 점도가 높을 경우 후속하는 공정에서의 고분자 디웨팅시 고분자의 이동도가 떨어져 디웨팅을 위한 공정 시간이 길어지기 때문이다.

여기에서, 2차 고분자 물질(108a, 108b)로서는, 예를 들면 우레탄기, 에폭시 기, 폴리에스터기, 실리콘기, 플루오르기 등의 다양한 관능기를 가지고 있으며, 자외선 조사에 의한 경화가 가능하도록 단관능부터 다관능의 불포화 이중 결합을 갖고, 알칼리 현상이 가능한 아크릴 구조의 올리고머 및 그 혼합 용액을 사용할 수도 있다.

또한, 2차 고분자 물질(108a, 108b)의 코팅은, 예를 들면 500-4000rpm의 속도와 10-30초 동안의 공정 시간으로 수행할 수 있는데, 고분자 용액의 농도와 스핀 코팅의 조건에 따라 2차 고분자 물질의 두께를 필요로 하는 목표 두께로 조절할 수 있다. 이어서, 스핀 코팅을 실시한 후 오븐 등을 이용하여 유리 전이 온도 이하에서 열처리 공정을 수행함으로써, 잔여 용매를 제거한다.

따라서, 상술한 바와 같은 일련의 공정을 통해, 패턴 사이의 간격(즉, 기판(102)의 노출 영역)과 1차 고분자 패턴(104) 상에 2차 고분자 물질(108a, 108b)이 형성되는데, 이때 메니스커스 형태의 양쪽 모서리에 형성된 피크 형상(104b)에는 튀어나온 구조 특성 때문에 상대적으로 더 얇은 2차 고분자 물질이 코팅된다.

이어서, 2차 고분자 물질(108a, 108b)이 코팅된 기판(102)을 전열기 등에 올려놓고 2차 고분자 물질의 유리 전이 온도보다 대략 10-20℃ 정도 높은 온도 조건에서 적정 시간동안 가열시키면, 2차 고분자 물질(108a, 108b)이 디웨팅된다. 이때, 디웨팅의 초기 단계에서는 메니스커스의 피크 형상을 중심으로 시작하여 2차 고분자 물질이 디웨팅되어 패턴 간격과 메니스커스 바닥으로 이동하는데, 이것은 2차 고분자 물질이 상대적으로 얇은 메니스커스의 피크 형상(104b) 부분이 고분자 디웨팅 현상에서 핵(unclei) 역할을 하여 쉽게 디웨팅되기 때문이다.

따라서, 본 발명에서는 이러한 원리를 통해 1차 고분자 패턴(104) 위에서만 선택적으로 디웨팅을 유도할 수 있다. 즉, 디웨팅 현상이 진행되면서 1차 고분자 패턴(104)의 일부가 점차 드러나게 됨으로써, 일 예로서 도 1e에 도시된 바와 같이, 메니스커스 바닥에 디웨팅된 2차 고분자 물질(108b)이 작은 방울 형태로 모이게 되며, 이를 통해 1차 고분자 패턴(104) 상에 있는 2차 고분자 물질(108b)과 패턴 사이의 간격에 있는 2차 고분자 물질(108a)이 물리적으로 분리된다.

이때, 디웨팅을 위한 열처리 공정 시간이 길어지면 패턴 간격 내에서 2차 고분자 물질의 스피노달(spinodal) 디웨팅 현상이 일어나 규칙적으로 끊기게 되기 때문에 적정 시간 동안 가열해 줄 필요가 있다. 또한, 디웨팅 처리를 위한 온도가 지나치게 높으면 빠른 박리 속도로 인해 적정 시간을 찾기가 어려워지므로, 이러한 점을 고려하여 온도 및 시간 조건과 설정할 필요가 있다.

또한, 2차 고분자 물질(108a, 108b)의 두께 조건도 매우 중요한데, 이것은 두께가 너무 얇을 경우 패턴 사이의 간격에 채워진 고분자의 단차가 작아, 후속하는 금속 패터닝(고분자 패턴을 식각 장벽층으로 이용하는 금속 패터닝)시에 충분한 에칭 레지스트(etching resist) 역할을 하기 어려우며, 두께가 너무 두꺼울 경우 디웨팅 현상이 잘 일어나지 않거나 혹은 여러 단위의 패턴 위에 걸쳐서 디웨팅된 2차 고분자 물질이 크게 남게 되어 수율이 떨어질 수 있기 때문이다.

이때, 우레탄기, 에폭시기, 폴리에스터기, 실리콘기, 플루오르기 등의 다양한 관능기를 가지고 있으며, 자외선 조사에 의한 경화가 가능하도록 단관능부터 다관능의 불포화 이중 결합을 갖고, 알칼리 현상이 가능한 아크릴 구조의 올리고머 및 그 혼합 용액을 2차 고분자 물질(108a, 108b)로 사용할 경우에는 자외선 경화 공정이 추가될 수 있음은 물론이다.

다음에, 2차 고분자 물질(108a, 108b)을 디웨팅시킨 후 기판(102)을 상온에서 냉각(자연 냉각)시키고, 이후 1차 고분자 패턴(104)의 용매를 이용하여 고 듀티비의 1차 고분자 패턴을 선택적으로 제거하는데, 이와 같이 용매를 이용하여 1차 고분자 패턴(104)을 제거할 때 패턴의 상부에 있던 2차 고분자 물질(108b)도 함께 제거(리프트 오프)됨으로써, 일 예로서 도 1f에 도시된 바와 같이, 기판(102) 상에 목표로 하는 패턴을 갖는 저 듀티비의 2차 고분자 패턴(108)을 형성하며, 마지막으로 1차 고분자 패턴(108)과 기판(102)과의 접착력 강화를 위해 유리 전이 온도보다 낮은 온도 조건에서 어닐링(annealing) 공정을 수행함으로서, 최종적인 2차 고분자 패턴(108)의 제조를 완성한다.

한편, 본 실시 예에서는 몰드로서 PDMS를 이용하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, PDMS 이외에도 아크릴, 에폭시, 우레탄, 불소 수지 등의 고분자 혹은 무기물 혹은 금속 몰드를 이용할 수 있음은 물론이다.

또한, 본 실시 예에서는 1차 및 2차 고분자를 이용하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 1차 고분자 물질이 아닌 무기물(예컨대, SiO2, Si 등) 혹은 금속(예컨대, Al, Cr 등)을 이용하고, 또한 2차 고분자 물질이 아닌 이종의 융용된 무기물 혹은 금속을 이용할 수 있음은 물론이다. 물론, 고분자가 아닌 무기물이나 금속을 이용하더라도, 상술한 고분자를 이용 한 실시 예에서와 마찬가지로, 1차 및 2차 물질이 서로 다른 유리 전이 온도를 가지며, 각각 서로 반응하거나 용해되지 않아야 하는 조건은 충족되어야 할 것이다.

더욱이, 본 실시 예에서는 디웨팅을 위한 외부 에너지로서 열을 이용하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 빛, 전자기장, 용매 분사 등을 외부 에너지원으로 사용할 수 있음은 물론이다.

다른 한편, 본 발명에 따라 기판 상에 형성된 미세 패턴(예를 들면, 2차 고분자 패턴)을 이용하는 감쇄적 방법(박막 물질 식각 방법)을 통해 기판 상에 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있는데, 이러한 박막패턴 형성 기법에 대하여 설명한다.

도 2a 내지 2c는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따라 기판 상에 형성된 미세 패턴을 이용하는 감쇄적 방법을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성하는 주요 과정을 도시한 공정 순서도이다.

먼저, 감쇄적 방법으로 기판 상에 박막 패턴을 형성하기 위해서는 본 발명의 방법에 따라 기판 상에 미세 패턴(고분자 패턴)을 형성하기 전에 패턴 형성하고자 하는 박막 물질(예를 들면, 금속 물질 등)을 기판 상에 먼저 형성해야 한다.

따라서, 기판(202) 상에 박막 물질(204a)을 형성한 상태에서 본 발명의 방법에 따라 고분자 패턴(206)을 형성하게 되면, 그 형상은, 일 예로서 도 2a에 도시된 바와 같이 된다.

다음에, 박막 물질(204a) 상에 형성된 고분자 패턴(206)을 식각 마스크로 이용하는 식각 공정을 수행하여, 일 예로서 도 2b에 도시된 바와 같이, 박막 물질 (204a)의 일부를 선택적으로 제거함으로써, 기판(202)의 상부 일부를 선택적으로 노출시킨다.

이어서, 용매 등을 이용하여 박막 물질(204a) 상에 잔류하는 고분자 패턴(206)을 제거한 후 질소 등을 불어넣어 건조시킴으로써, 일 예로서 도 2c에 도시된 바와 같이, 기판(202) 상에 원하는 박막 패턴, 예를 들면 전도체, 절연체, 반도체, 유기물 등의 박막 패턴(204)을 완성한다.

따라서, 본 발명에 따라 기판 상에 형성한 미세 패턴을 이용하는 간단한 공정의 감쇄적 방법(박막 물질 식각 방법)을 통해 기판 상에 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있다.

한편, 본 발명의 발명자들은 본 발명에 따라 메니스커스 형상 및 디웨팅 기법을 이용하여 기판 상에 고분자 패턴을 형성하고, 이와 같이 형성된 고분자 미세 패턴을 이용하여 기판 상에 박막 패턴을 형성하는 실험을 수행하였으며, 그 실험 결과는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같다.

도 5a는 모세관력을 이용하여 고 듀티비를 갖는 1차 고분자 패턴, 즉 선 모양의 고분자 패턴을 기판 상에 형성한 상태에서 광학 현미경으로 촬상한 사진이고, 도 5b는 1차 고분자 패턴이 형성된 기판 상에 2차 고분자 패턴 물질을 코팅한 상태를 광학 현미경으로 촬상한 사진이며, 도 5c는 디웨팅을 이용하여 1차 고분자 패턴 상에 형성된 2차 고분자 패턴 물질과 패턴 사이의 간격에 형성된 2차 고분자 패턴 물질을 물리적으로 분리(박리)시킨 상태를 광학 현미경으로 촬상한 사진이다.

또한, 도 5d는 1차 고분자 패턴을 용해하여 1차 고분자 패턴과 그 위에 형성 된 2차 고분자 패턴 물질을 제거함으로써 저 듀티비를 갖는 2차 고분자 패턴을 기판 상에 형성한 상태를 광학 현미경으로 촬상한 사진이고, 도 5e는 기판 상에 형성된 저 듀티비를 갖는 2차 고분자 패턴을 원자 현미경으로 촬상한 사진이며, 도 5f는 원자 현미경을 이용하여 저 듀티비를 갖는 2차 고분자 패턴의 단차를 분석한 도면이다.

따라서, 본 발명의 발명자들은 이러한 실험을 통해 몰드를 이용하여 기판 상에 메니스커스 형태를 갖는 1차 고분자 패턴을 형성할 수 있고, 메니스커스 형태와 디웨팅을 이용하여 1차 고분자 패턴이 형성되지 않은 기판 영역에 저 듀티비의 2차 고분자 패턴을 형성할 수 있음을 분명하게 알 수 있었다.

다음에, 도 6a는 모세관력, 메니스커스 형태 및 디웨팅을 이용하여 기판 상에 고분자 박스 패턴을 형성한 상태를 광학 현미경으로 촬상한 사진이고, 도 6b는 기판 상에 형성된 고분자 박스 패턴을 원자 현미경으로 촬상한 사진이며, 도 6c는 고분자 박스 패턴을 이용하여 하부의 금속(크롬)을 식각(패터닝)한 후 고분자 박스 패턴을 제거함으로써, 기판 상에 박막 패턴을 형성한 상태를 원자 현미경으로 촬상한 사진이고, 도 6d는 원자 현미경을 이용하여 박막 패턴의 단차를 분석한 도면이다.

따라서, 본 발명의 발명자들은 이러한 실험을 통해 본 발명에 따라 기판 상에 형성한 고분자 패턴을 이용하는 간단한 감쇄적 방법을 통해 기판 상에 박막 패턴을 형성할 수 있음을 분명하게 알 수 있었다.

다음에, 첨부된 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 대하여 설명한다.

도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따라 기판 상에 미세 패턴을 형성할 때 사용되는 메니스커스를 갖는 몰드를 기판 상에 안착시킨 상태의 평면도이고, 도 4a 내지 4d는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 디웨팅을 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도이다.

도 3을 참조하면, 본 실시 예에 따른 미세 패턴 형성 방법은, 기판 상에 1차 고분자 물질을 도포한 후 임의의 패턴을 갖는 몰드 및 모세관력을 이용하는 1차의 고분자 물질 패터닝을 통해 1차 고분자 패턴을 형성하고, 이후에 1차 고분자 패턴을 이용하는 리프트오프 방식을 통해 기판(302) 상에 목표로 하는 2차 고분자 패턴을 형성하는 전술한 실시 예와는 달리, 1차 고분자 패턴을 형성함이 없이 메니스커스 형태를 갖는 패턴이 틀 형태로 제작된 원판 몰드(304)를 이용하여 바로 목표로 하는 고분자 패턴을 기판(302) 상에 형성한다는 점에 있어서 차이점을 갖는다. 여기에서, 원판 몰드(304)는 몰드의 외곽 부분을 둘러싸는 형태로 된 몰드 지지대(304a)와 메니스커스 형태를 갖는 다수의 패턴(304b)으로 구성되어 있다.

즉, 본 실시 예에서는 메니스커스 형태의 패턴(304b)이 형성된 원판 몰드(304)를 기판(302) 상의 목표 위치에 안착시킨 상태에서 고분자 패턴 물질을 도포한 후 원판 몰드(304)를 탈거(분리)하는 방식으로 기판(302) 상에 목표로 하는 고분자 패턴(즉, 미세 패턴)을 형성한다.

도 4a 내지 4d는 본 발명의 다른 실시 예에 따라 원판 몰드 및 디웨팅을 이용하여 기판 상에 미세 패턴을 형성하는 과정을 도시한 공정 순서도로서, 도 3의 A-A'선을 따라 취한 단면에서의 공정 순서도이다.

도 4a를 참조하면, 기판(30)의 상부 표면(즉, 고분자 패턴(미세 패턴)을 형성하고자 하는 표면)을 깨끗하게 세정한 상태에서, 메니스커스 형태를 갖는 다수의 패턴(304b)이 형성된 원판 몰드(304)를 기판(302) 상의 목표 위치에 안착시킨다. 여기에서, 원판 몰드(304)로는, 예를 들면 고분자 몰드를 사용할 수 있다.

이어서, 스핀 코팅 등의 공정을 수행함으로써, 일 예로서 도 4b에 도시된 바와 같이, 원판 몰드(304)가 안착된 기판(302) 전면에 원판 몰드의 재질에 비해 상대적으로 낮은 유리 전이 온도(glass transition temperature)를 갖는 고분자 물질(306a, 306b)을 코팅한다.

여기에서, 고분자 물질(306a, 306b)로서는, 전술한 실시 예에서와 마찬가지로, 예를 들면 우레탄기, 에폭시기, 폴리에스터기, 실리콘기, 플루오르기 등의 다양한 관능기를 가지고 있으며, 자외선 조사에 의한 경화가 가능하도록 단관능부터 다관능의 불포화 이중 결합을 갖고, 알칼리 현상이 가능한 아크릴 구조의 올리고머 및 그 혼합 용액을 사용할 수도 있다. 이때, 고분자 용액의 농도와 스핀 코팅의 조건에 따라 고분자 물질의 두께를 필요로 하는 목표 두께로 조절할 수 있으며, 스핀 코팅을 실시한 후 오븐 등을 이용하여 유리 전이 온도 이하에서 열처리 공정을 수행함으로써, 잔여 용매를 제거한다.

따라서, 상술한 바와 같은 일련의 공정을 통해, 패턴(304b) 사이의 간격(즉, 기판(302)의 노출 영역)과 패턴(304b) 상에 고분자 물질(306a, 306b)이 형성되는데, 이때 메니스커스 형태의 양쪽 모서리에 형성된 피크 형상(304b1)에는 튀어나온 구조 특성 때문에 상대적으로 더 얇은 고분자 물질이 코팅된다.

이어서, 고분자 물질(306a, 306b)이 코팅된 기판(302)을 전열기 등에 올려놓고 고분자 물질의 유리 전이 온도보다 대략 10-20℃ 정도 높은 온도 조건에서 적정 시간동안 가열시키면, 고분자 물질(306a, 306b)이 디웨팅된다. 이때, 디웨팅의 초기 단계에서는 메니스커스의 피크 형상을 중심으로 시작하여 고분자 물질이 디웨팅되어 패턴 간격과 메니스커스 바닥으로 이동하는데, 이것은 고분자 물질이 상대적으로 얇은 메니스커스의 피크 형상(304b1) 부분이 고분자 디웨팅 현상에서 핵(unclei) 역할을 하여 쉽게 디웨팅되기 때문이다.

따라서, 본 발명에서는 이러한 원리를 통해 메니스커스 형태를 갖는 패턴(304b) 위에서만 선택적으로 디웨팅을 유도할 수 있다. 즉, 디웨팅 현상이 진행되면서 패턴(304b) 일부가 점차 드러나게 됨으로써, 일 예로서 도 4c에 도시된 바와 같이, 메니스커스 바닥에 디웨팅된 고분자 물질(306b)이 작은 방울 형태로 모이게 되며, 이를 통해 패턴(304b) 상에 있는 고분자 물질(306b)과 패턴 사이의 간격에 있는 고분자 물질(306a)이 물리적으로 분리된다.

이때, 디웨팅을 위한 열처리 공정 시간이 길어지면 패턴 간격 내에서 고분자 물질의 스피노달(spinodal) 디웨팅 현상이 일어나 규칙적으로 끊기게 되기 때문에 적정 시간 동안 가열해 줄 필요가 있다. 또한, 디웨팅 처리를 위한 온도가 지나치게 높으면 빠른 박리 속도로 인해 적정 시간을 찾기가 어려워지므로, 이러한 점을 고려하여 온도 및 시간 조건과 설정할 필요가 있다.

또한, 고분자 물질(306a, 306b)의 두께 조건도 매우 중요한데, 이것은 두께 가 너무 얇을 경우 패턴 사이의 간격에 채워진 고분자의 단차가 작아, 후속하는 금속 패터닝(고분자 패턴을 식각 장벽층으로 이용하는 금속 패터닝)시에 충분한 에칭 레지스트(etching resist) 역할을 하기 어려우며, 두께가 너무 두꺼울 경우 디웨팅 현상이 잘 일어나지 않거나 혹은 여러 단위의 패턴 위에 걸쳐서 디웨팅된 고분자 물질이 크게 남게 되어 수율이 떨어질 수 있기 때문이다.

이때, 우레탄기, 에폭시기, 폴리에스터기, 실리콘기, 플루오르기 등의 다양한 관능기를 가지고 있으며, 자외선 조사에 의한 경화가 가능하도록 단관능부터 다관능의 불포화 이중 결합을 갖고, 알칼리 현상이 가능한 아크릴 구조의 올리고머 및 그 혼합 용액을 고분자 물질(306a, 306b)로 사용할 경우에는 자외선 경화 공정이 추가될 수 있음은 물론이다.

다음에, 고분자 물질(306a, 306b)을 디웨팅시킨 후 기판(302)을 상온에서 냉각(자연 냉각)시킨 후 기판(302)으로부터 원판 몰드(304)를 탈거(분리)함으로써, 일 예로서 도 4d에 도시된 바와 같이, 기판(302) 상에 목표로 하는 패턴을 갖는 고분자 패턴(306)을 형성하며, 마지막으로 고분자 패턴(306)과 기판(302)과의 접착력 강화를 위해 유리 전이 온도보다 낮은 온도 조건에서 어닐링(annealing) 공정을 수행함으로서, 최종적인 고분자 패턴(306)의 제조를 완성한다.

한편, 본 실시 예에서는 고분자 물질을 이용하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 전술한 실시 예에서와 마찬가지로, 고분자 물질이 아닌 무기물(예컨대, SiO2, Si 등) 혹은 금속(예컨대, Al, Cr 등) 등을 이용할 수 있음은 물론이다.

또한, 본 실시 예에서는 디웨팅을 위한 외부 에너지로서 열을 이용하는 것으로 하여 설명하였으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 전술한 실시 예에서와 마찬가지로, 빛, 전자기장 등을 외부 에너지원으로 사용할 수 있음은 물론이다.

더욱이, 본 실시 예에 따른 미세 패턴 방법은, 전술한 실시 예에서와 마찬가지로, 기판 상에 형성된 미세 패턴(예를 들면, 고분자 패턴)을 이용하는 감쇄적 방법(박막 물질 식각 방법)을 통해 기판 상에 원하는 형상의 박막 패턴을 형성할 수 있음은 물론이다.

따라서, 본 실시 예에 따른 미세 패턴 방법은, 전술한 실시 예에서와 동일한 결과(효과)를 얻을 수 있으며, 특히 2차 고분자 패턴의 형성을 위한 1차 고분자 패턴(메니스커스 형태를 갖는 고분자 패턴)을 기판 상에 직접 형성하고 이를 이용하여 2차 고분자 패턴을 형성한 후에 리프트오프 방식으로 1차 고분자 패턴을 제거하는 전술한 실시 예와는 달리, 메니스커스 형태를 갖는 패턴들이 형성된 원판 몰드를 기판 상에 안착한 상태에서 고분자 물질을 도포 및 패터닝한 후 원판 몰드를 들어내는 방식으로 목표로 하는 미세 패턴을 형성하기 때문에, 전술한 실시 예에 비해 보다 제조 공정을 실현할 수 있는 또 다른 장점을 갖는다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 몰드와 고온, 고압의 공정 조건을 이용하거나 혹은 고분자 탄성체의 일종인 PDMS의 가압 접촉을 이용하거나 혹은 모세관 현상과 연성 성형을 이용하여 고분자 용액의 농도를 조절하는 전술한 종래 방 식과는 달리, 메니스커스(meniscus) 형태를 갖는 1차 고분자 패턴을 기판 상에 형성 또는 접착하고, 1차 고분자와 반응하지 않으면서 유리 전이 온도가 1차 고분자보다 적어도 낮은 2차 고분자를 1차 고분자 패턴이 형성(또는 적층)된 기판 상에 코팅하며, 외부 에너지를 인가하여 1차 고분자 패턴 사이의 간격에 있는 2차 고분자와 1차 고분자 패턴 상에 형성된 2차 고분자를 물리적으로 분리(디웨팅)시키고, 1차 고분자 패턴과 그 위에 형성된 2차 고분자를 제거하는 방식을 통해 기판 상에 목표로 하는 미세 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 종래 방식에서의 까다로운 공정 조건과 대면적 적용시에 나타나는 비균일성과 잔사의 문제를 확실하게 해결할 수 있어, 디스플레이 및 각종 전자 회로 패턴의 대형화 및 미세화를 효과적으로 실현할 수 있다.

Claims (17)

1. 기판 상에 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 미세 패턴을 형성하는 방법으로서,

   상기 기판 상에 메니스커스 형태를 갖는 1차 미세 패턴을 형성하는 제 1 과정과,

   상기 기판의 전면에 상기 2차 미세 패턴 물질을 소정 두께만큼 도포하는 제 2 과정과,

   상기 1차 미세 패턴 상에 도포된 상기 2차 미세 패턴 물질과 패턴 사이의 간격에 도포된 상기 2차 미세 패턴 물질을 분리시키는 제 3 과정과,

   상기 1차 미세 패턴과 그 위에 형성된 2차 미세 패턴 물질을 선택적으로 제거함으로써, 상기 기판 상에 목표로 하는 2차 미세 패턴을 형성하는 제 4 과정

   을 포함하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 과정은,

   상기 기판 상에 1차 미세 패턴 물질을 도포하는 제 11 과정과,

   임의의 패턴이 형성된 몰드의 패턴면을 상기 1차 미세 패턴 물질에 밀착 접촉시켜 모세관력을 유발시킴으로써, 상기 패턴면의 양각 부분에 당접하는 상기 1차 미세 패턴 물질을 상기 패턴면의 음각 부분으로 이송시켜 상기 기판의 상부 일부를 선택적으로 노출시키는 제 12 과정과,

   상기 몰드를 상기 기판으로부터 분리시킴으로써, 상기 기판 상에 상기 1차 미세 패턴을 형성하는 제 13 과정

   을 포함하는 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 1차 및 2차 미세 패턴은, 고분자, 무기물, 금속 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 몰드는, 고분자 몰드, 무기물 몰드, 금속 몰드 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 고분자 몰드는, PDMS, 아크릴, 에폭시, 우레탄, 불소 수지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 2차 미세 패턴 물질은, 우레탄기, 에폭시기, 폴리에스터기, 실리콘기, 플루오르기 등의 다양한 관능기를 가지고 있으며, 자외선 조사에 의한 경화가 가능 하도록 단관능부터 다관능의 불포화 이중 결합을 갖고, 알칼리 현상이 가능한 아크릴 구조의 올리고머 및 그 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 2차 미세 패턴 물질은, 상기 1차 미세 패턴의 유리 전이 온도보다 적어도 낮은 유리 전이 온도를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   상기 제 3 과정은, 외부 에너지를 이용하여 상기 메니스커스의 양쪽 모서리의 피크 형상을 시작점으로 상기 2차 미세 패턴 물질을 디웨팅시키는 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 외부 에너지는, 열, 빛, 전자기장, 용매 분사 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

    상기 1차 미세 패턴과 그 위에 형성된 2차 미세 패턴 물질은, 리프트오프 방 식으로 제거되는 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
11. 제 8 항에 있어서,

    상기 1차 미세 패턴은, 용매를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
12. 기판 상에 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 미세 패턴을 형성하는 방법으로서,

    메니스커스 형태의 다수의 패턴을 갖는 원판 몰드를 상기 기판 상의 목표 위치에 안착시키는 과정과,

    상기 기판의 전면에 미세 패턴 물질을 소정 두께만큼 도포하는 과정과,

    상기 각 패턴 상에 도포된 상기 미세 패턴 물질과 상기 각 패턴 사이의 간격에 도포된 상기 미세 패턴 물질을 분리시키는 과정과,

    상기 원판 몰드를 상기 기판으로부터 탈거함으로써, 상기 기판 상에 목표로 하는 상기 미세 패턴을 형성하는 과정

    을 포함하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 미세 패턴은, 고분자, 무기물, 금속 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
14. 제 12 항에 있어서,

    상기 미세 패턴 물질은, 우레탄기, 에폭시기, 폴리에스터기, 실리콘기, 플루오르기 등의 다양한 관능기를 가지고 있으며, 자외선 조사에 의한 경화가 가능하도록 단관능부터 다관능의 불포화 이중 결합을 갖고, 알칼리 현상이 가능한 아크릴 구조의 올리고머 및 그 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
15. 제 12 항에 있어서,

    상기 미세 패턴 물질은, 상기 원판 몰드의 유리 전이 온도보다 적어도 낮은 유리 전이 온도를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
16. 제 12 항에 있어서,

    상기 미세 패턴 물질은, 외부 에너지에 의해 상기 메니스커스의 양쪽 모서리의 피크 형상을 시작점으로부터 디웨팅되는 것을 특징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
17. 제 16 항에 있어서,

    상기 외부 에너지는, 열, 빛, 전자기장, 용매 분사 중 어느 하나인 것을 특 징으로 하는 디웨팅을 이용한 미세 패턴 형성 방법.

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