JP5728478B2 - 隣接するフィールドのアラインメント方法 - Google Patents
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Description
本出願は、2009年8月4日に出願された米国仮特許出願番号61/231,182、および、2010年7月29日に出願された米国特許出願番号12/846,211の優先権を主張するものであり、本願はこれら米国出願の優先権主張に基づく出願である。
合衆国政府は、本発明のペイドアップ・ライセンスを有し、米国標準技術局(NIST)先端技術プログラム(ATP)助成金交付70NANB4H3012の条項によって規定される通り、合理的な条件で他者にライセンスを与えることを特許権者に要請する権利を、限られた条件の下で有する。
Claims (14)
- 基板の第1のフィールドに対応するパターン化表面部分を有するインプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、前記基板の第1のフィールド内に配置された重合性材料の第1の部分にインプリントするステップと、
前記基板の第1のフィールド上で、第1のパターン層を形成する重合性材料の前記第1の部分から、前記テンプレートを切り離すステップと、
第2のフィールドに対応するテンプレートのパターン化表面部分を用いて、前記テンプレートを、前記第1のフィールドと第2のフィールドにオーバラップさせるステップと、
前記テンプレートを用いて、前記基板の前記第2のフィールド内に配置された重合性材料の第2の部分にインプリントするステップと、
前記基板の第2のフィールド上で、第2のパターン層を形成する重合性材料の前記第2の部分から、前記テンプレートを切り離すステップと、
から構成され、前記テンプレートがオーバラップした前記第1のパターン層のオーバラップ部が、前記重合性材料の第2の部分を制限し、この第2の部分が前記第1のパターン層のエッジから露出しないようにしたことを特徴とする、隣接したフィールドのアラインメント方法。 - 前記第1のパターン層は第1の残留層を含み、前記第2のパターン層は第2の残留層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の残留層と前記第2の残留層の厚さは、略同等である、請求項2に記載の方法。
- 重合性材料の前記第1の部分の体積は、前記第1の残留層の厚さを最小化するように決定される、請求項2または3に記載の方法。
- 前記第1の残留層の厚さは約25nm未満である、請求項2ないし4のいずれか1つに記載の方法。
- 前記基板の前記第1のフィールドに重合性材料の前記第1の部分を塗布するための滴下パターンを決定することと、
前記滴下パターンの液滴を、前記滴下パターンの中心に向かってオフセットさせるように、前記滴下パターンを調整することであって、そのオフセットの距離により前記滴下パターンのエッジにおいて液滴が排除される境界を設定することと、
前記調整した滴下パターンを用いて、前記基板の前記第1のフィールドに重合性材料を塗布することと、をさらに含む、請求項2ないし5のいずれか1つに記載の方法。 - 前記テンプレートのフィーチャを前記第1の残留層の所要の厚さと関連付けて、インプリントの際に前記テンプレートと前記基板との間の容量が十分な量で満たされるように、前記基板に塗布される重合性材料の液滴を前記テンプレートのフィーチャの位置に空間的に相関させることにより、前記第1の部分のための前記滴下パターンが決定される、請求項6に記載の方法。
- 前記距離は、前記滴下パターンのすべてのエッジにおいて略同等である、請求項6または7に記載の方法。
- 前記距離は、前記滴下パターンの少なくとも1つのエッジにおいて異なる、請求項6または7に記載の方法。
- 前記距離は、先にインプリントされるフィールドが配置されることがわかっている前記滴下パターンのエッジでは、より大きい、請求項6、7、9のいずれか1つに記載の方法。
- フィールドのエッジが、先にインプリントされるフィールドに接する回数が2回を超えないように、ステッピング・パターンを用いて複数のフィールドにインプリントすることをさらに含む、請求項1ないし10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記ステッピング・パターンは、らせん状のパターンで進行する、請求項11に記載の方法。
- 前記隣接するフィールドは、該フィールドのインプリントの際に重合性材料の封じ込めを提供する、請求項11または12に記載の方法。
- テンプレートはパターン化表面部分に近接する少なくとも1つの略平面状の部分を含む前記請求項1〜13のいずれか1つの方法。
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