JP2013501375A - 隣接するフィールドのアラインメント方法 - Google Patents

Abstract

基板の隣接するフィールドにインプリントする方法について記載する。一般に、インプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、基板の第１のフィールドにインプリントすることができる。つぎに、基板の第２のフィールドにインプリントする際に、テンプレートの一部が基板の第１のフィールドにオーバラップするように、テンプレートを配置することができる。
【選択図】図３

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２００９年８月４日に出願された米国仮特許出願番号６１／２３１，１８２、および、２０１０年７月２９日に出願された米国特許出願番号１２／８４６，２１１の優先権を主張するものであり、本願はこれら米国出願の優先権主張に基づく出願である。

連邦政府の支援による研究または開発に関する声明
合衆国政府は、本発明のペイドアップ・ライセンスを有し、米国標準技術局（ＮＩＳＴ）先端技術プログラム（ＡＴＰ）助成金交付７０ＮＡＮＢ４Ｈ３０１２の条項によって規定される通り、合理的な条件で他者にライセンスを与えることを特許権者に要請する権利を、限られた条件の下で有する。

ナノ・ファブリケーションは、１００ナノメートル程度あるいはさらに小さいフィーチャを有する非常に小さな構造の作製を伴う。ナノ・ファブリケーションが大きく影響している適用例の１つは集積回路の加工である。半導体加工産業では、基板上に形成する単位面積当たりの回路数を増やしながら、より高い作製歩留まりを得るための努力が続けられており、このため、ナノ・ファブリケーションがますます重要になっている。ナノ・ファブリケーションは、より優れたプロセス制御を可能にすると同時に、形成される構造の最小フィーチャ寸法のさらなる縮小を可能にする。ナノ・ファブリケーションが採用されている他の開発分野として、バイオテクノロジー、光技術、機械系などが挙げられる。

現在用いられているナノ・ファブリケーション技術の典型例は、一般にインプリント・リソグラフィと呼ばれるものである。典型例となるインプリント・リソグラフィ・プロセスは、米国特許出願公開第２００４／００６５９７６号、米国特許出願公開第２００４／００６５２５２号、米国特許第６９３６１９４号など多くの刊行物に詳細に記載されており、これらの文献はすべて参照により本明細書に組み込まれる。

前述の米国特許出願公開および特許でそれぞれ開示されているインプリント・リソグラフィ技術は、成形可能な（重合性）層にレリーフ・パターンを形成し、そのレリーフ・パターンに対応するパターンを下にある基板に転写することを伴うものである。基板を運動ステージに結合して所望の位置決めを達成することで、パターン形成プロセスを円滑に進めることができる。パターン形成プロセスでは、基板から離間して配置されるテンプレートと、テンプレートと基板との間に塗布される成形可能な液体とを使用する。成形可能な液体を固化させて、成形可能な液体と接触するテンプレートの表面形状に従ったパターンを有する剛体層を形成する。この固化の後、テンプレートを剛体層から切り離して、テンプレートと基板を離間させる。そして、これらの基板と固化層にさらなる処理を施すことで、固化層内のパターンに対応するレリーフ像を基板に転写させる。

本発明をより詳しく理解することができるように、本発明の実施形態について、添付の図面に示す実施形態を参照して説明を行う。しかし、留意すべきことは、添付の図面は、発明の典型的な実施形態を示すものにすぎず、従って、その範囲を限定するものとみなされるべきではないということである。

図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ・システムの簡略化した側面図である。 図２は、パターン層がその上に配置された、図１に示す基板の簡略化した側面図である。 図３は、テンプレート、および、はみ出し部がその上に形成された基板の簡略化した側面図である。 図４は、はみ出し部を最小化および／または防止するように、複数のフィールドにインプリントする方法のフローチャートを示している。 図５は、はみ出し部を最小化および／または防止するために、インプリント領域の少なくとも１つのエッジから重合性材料を後退させる方法のフローチャートを示している。 図６は、インプリント領域のエッジから後退した重合性材料を有する基板の上面図である。 図７は、ステッピング・パターンの一実施形態を示している。 図８は、インプリントの際に、パターン形成されたフィールドの少なくとも一部にオーバラップするテンプレートの簡略化した側面図である。 図９は、オーバラップ・インプリントを用いてフィールドにインプリントする方法のフローチャートを示している。

図面、特に図１を参照すると、レリーフ・パターンを基板１２に形成するために用いられるリソグラフィ・システム１０を示している。基板１２は、基板チャック１４に結合してもよい。図示の例では、基板チャック１４は真空チャックである。しかしながら、基板チャック１４は、どのようなチャックであってもよく、真空、ピン型、溝型、静電、電磁、および／またはこれに類するタイプのものとすることができるが、これらに限定されない。典型例となるチャックは、米国特許第６８７３０８７号に記載されており、この文献は参照により本明細書に組み込まれる。

基板１２および基板チャック１４は、さらにステージ１６により支持されていてもよい。ステージ１６は、ｘ、ｙ、ｚ軸に沿った運動を提供することができる。ステージ１６、基板１２、および基板チャック１４は、また、ベース（図示せず）の上に配置されていてもよい。

基板１２から離間して、テンプレート１８が配置されている。テンプレート１８は、そこから基板１２に向かって延出するメサ２０を含んでよく、このメサ２０は、その上にパターン形成面２２を有している。さらに、メサ２０は、モールド２０と呼ばれることもある。あるいは、テンプレート１８は、メサ２０なしで形成してもよい。

テンプレート１８および／またはモールド２０は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイア、および／またはこれに類する材料で形成することができるが、これらに限定されるものではない。図示したように、パターン形成面２２は、複数の離間した凹部２４および／または凸部２６により規定されるフィーチャを備えているが、本発明の実施形態はこのような構成に限定されるものではない。パターン形成面２２は、基板１２上に形成されるパターンの基礎となる任意の独自のパターンを規定することができる。

テンプレート１８は、チャック２８に結合することができる。チャック２８は、真空、ピン型、溝型、静電、電磁、および／またはこれに類するタイプのチャックとして構成してもよいが、これらに限定されない。典型例となるチャックは、米国特許第６８７３０８７号にさらに詳しく記載されており、この文献は参照により本明細書に組み込まれる。さらに、チャック２８をインプリント・ヘッド３０に結合して、テンプレート１８の移動が容易になるようにチャック２８および／またはインプリント・ヘッド３０を構成してもよい。

システム１０は、さらに液体塗布システム３２を備えてよい。液体塗布システム３２を用いて、基板１２上に重合性材料３４を堆積させてよい。重合性材料３４は、滴下塗布、回転塗布、浸漬塗布、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積、および／またはこれに類する技法を用いて基板１２上に配置してよい。重合性材料３４は、設計考慮事項に応じて、モールド２０と基板１２との間に所望の容量が画定される前および／または後に、基板１２上に配置してよい。重合性材料３４は、米国特許第７１５７０３６号および米国特許出願公開第２００５／０１８７３３９号に記載されているように、単量体混合物を含んでよく、これらの文献はどちらも参照により本明細書に組み込まれる。

図１および２を参照すると、システム１０は、さらに、パス４２に沿ってエネルギー４０を注ぎ込むように接続されたエネルギー源３８を備えてよい。インプリント・ヘッド３０およびステージ１６は、テンプレート１８および基板１２をパス４２に重ね合わせて位置決めするように構成してよい。システム１０は、ステージ１６、インプリント・ヘッド３０、液体塗布システム３２、および／またはエネルギー源３８と通信するプロセッサ５４により制御してよく、メモリ５６に記憶されているコンピュータ読み取り可能なプログラムに基づいて動作することができる。

インプリント・ヘッド３０とステージ１６のどちらか、あるいは両方によって、モールド２０と基板１２との間の距離を変更し、これにより、それらの間で重合性材料３４が充填される所望の容量を画定する。例えば、インプリント・ヘッド３０は、テンプレート１８に力を加えて、モールド２０を重合性材料３４に接触させることができる。所望の容量が重合性材料３４で満たされた後に、エネルギー源３８により例えば紫外線放射であるエネルギー４０を生成して、これにより、基板１２の表面４４およびパターン形成面２２の形状に合わせて重合性材料３４を固化および／または架橋させ、基板１２上にパターン層４６を規定する。パターン層４６は、残留層４８と、凸部５０および凹部５２として示す複数のフィーチャとを含んでよく、凸部５０は厚さｔ₁を有し、残留層は厚さｔ₂を有している。

上記のシステムおよびプロセスは、さらに、米国特許第６９３２９３４号、米国特許出願公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許出願公開第２００４／０１８８３８１号、米国特許出願公開第２００４／０２１１７５４号に記載のインプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステムにおいて採用することができ、これらの文献はそれぞれ参照により本明細書に組み込まれる。

図３を参照すると、インプリントの際には、重合性材料３４の液滴が、基板１２上の所望のインプリント領域内で、テンプレート１８のフィーチャ２４および２６とメサ２０のエッジとの間の容量を満たす。しかしながら、重合性材料３４は、基板１２上のこの所望のインプリント領域から流れ出て、図３に示すように、基板１２上ではみ出し部６０ａを形成することがある。例えば、基板１２上のはみ出し部６０ａは、フィールドＡおよび／またはフィールドＣのインプリントの際に形成されることがある。

フィールドＡおよび／またはフィールドＣのインプリントの際にも、テンプレート１８上にはみ出し部６０ｂが形成されることがある。はみ出し部６０ａおよび／または６０ｂは、フィールドＢのインプリントによる形成を阻害することがある。例えば、はみ出し部６０ａは、基板１２上で、フィールドＡの残留層４８ａの厚さｔ_2aおよび／またはフィールドＣの残留層４８ｃの厚さｔ_2cを超える高さの凹凸を形成することがある。この場合、はみ出し部６０は、テンプレート１８が基板１２から適切な距離に達することを阻むことにより、フィールド（フィールドＢ）のインプリントによる形成を阻害することがある。

先行技術において、基板１２のインプリント・フィールドは、テンプレート１８のインプリント領域が先行のインプリント・フィールドにオーバラップしないように、区切られている。しかしながら、このプロセスによると、特にフィールド間のスペースがはみ出し部６０ａおよび／または６０ｂを収容するための場所として提供される場合に、残留層４８に不連続性を有するパターン層４６が形成されることがある。ＣＭＯＳ処理（例えば、エッチング、化学機械研磨（ＣＭＰ）など）では、一般に、残留層４８は、フィールド間にそのような不連続性はなく、略一定の平均厚さｔ₂を有している。さらに、基板１２の表面全体が貴重なリアルエステートを提供しており、これは、無駄を避けるためには最大化されるべきものである。インプリント・フィールドをオーバラップしないように区切ることによって、この貴重なリアルエステートを無駄にすることがある。

図４〜７は、はみ出し部６０を最小化および／または防止することができるいくつかの処理方法を説明および図示している。また、これらの方法は、基板１２上の接したフィールドにインプリントするために提供することができる。注目すべきことは、これらの方法は、はみ出し部６０を最小化および／または防止するために、単独で、あるいは組み合わせて用いてもよいということである。

図４は、はみ出し部６０ａおよび／または６０ｂを最小化および／または防止するように複数のフィールドにインプリントする方法１００のフローチャートを示している。一般に、残留層４８の厚さｔ₂を最小化することで、基板上での重合性材料３４の総量を最小限に抑え得、これにより、はみ出し部６０ａおよび／または６０ｂの出現を最小限に抑え得る。ステップ１０２では、基板１２の第１のフィールド（フィールドＡ）の残留層４８ａの厚さｔ_2aを（例えば、約２５ｎｍ未満に）最小化するように、重合性材料３４の第１の量Ｖ₁を決定してよい。ステップ１０４では、重合性材料３４の第１の量Ｖ₁を、基板１２上で第１のフィールド（フィールドＡ）に堆積させてよい。ステップ１０６では、テンプレート１８を重合性材料３４に接触させてよい。ステップ１０８では、重合性材料３４を固化させてよい。ステップ１１０では、テンプレート１８を重合性材料３４から切り離してよく、これにより、第１のフィールド（フィールドＡ）に第１のパターン層４８ａを提供する。ステップ１１２では、基板１２の第２のフィールド（フィールドＢ）の残留層４８ｂの厚さｔ_2bを（例えば、約２５ｎｍ未満に）最小化するように、重合性材料３４の第２の量Ｖ₂を決定してよい。第２のフィールド（フィールドＢ）は、第１のフィールド（フィールドＡ）に隣接し、接していてよい。第２の量Ｖ₂は、第１の量Ｖ₁と略同等であってよい。あるいは、第２の量Ｖ₂は、第１の量Ｖ₁と異なっていてもよい。例えば、基板上での材料の堆積が、第１のフィールド（フィールドＡ）と第２のフィールド（フィールドＢ）で略同時に行われる場合、第１のフィールド（フィールドＡ）は第２のフィールド（フィールドＢ）より先にインプリントしてよいので、重合性材料の蒸発を考慮して、第２の量Ｖ₂を多くしてよい。

ステップ１１４では、重合性材料３４の第２の量Ｖ₂を、基板１２上で第２のフィールド（フィールドＢ）に堆積させてよい。ステップ１１６では、テンプレート１８を重合性材料３４に接触させてよい。ステップ１１８では、重合性材料３４を固化させてよい。ステップ１２０では、テンプレート１８を重合性材料３４から切り離してよく、これにより、第２のフィールド（フィールドＢ）に第２のパターン層４８ｂを形成する。第２のフィールド（フィールドＢ）における第２のパターン層４８ｂは、第１のフィールド（フィールドＡ）における第１のパターン層４８ａの残留層４８ａと略同様の残留層４８ｂを有してよい。

図５は、はみ出し部６０ａおよび／または６０ｂを制限および／または排除する別の方法を示している。具体的には、フローチャート２００は、はみ出し部６０ａおよび／または６０ｂを最小化および／または防止するために、インプリント領域の少なくとも１つのエッジから重合性材料３４を後退させる方法を示している。ステップ２０２では、フィールド上に重合性材料３４を塗布するための滴下パターンを決定してよい。例えば、テンプレート１８のフィーチャ２４および／または２６を、残留層４８ａの所要の体積および／または厚さと関連付けて、インプリントの際にテンプレート１８と基板１２との間の容量が十分な量で満たされるように、液滴をテンプレート１８のフィーチャ２４および／または２６の位置に空間的に相関させることにより、滴下パターンを決定してよい。フィーチャ２４および／または２６との相関により滴下パターンを決定する典型例となる技法は、少なくとも米国特許出願番号１１／１４３，０９２、米国特許出願番号１２／１７０，２２９、米国特許出願番号１２／２６２，６６９に見ることができ、これらの文献はすべて、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

ステップ２０４では、滴下パターンのエッジにおける（例えば、パターン層４８ａのエッジおよび／またはインプリント領域のエッジに位置する）液滴を、滴下パターンの中心Ｃに向かって（例えば、フィールドＡの中心に向かって）オフセットさせるように、滴下パターンを調整してよい。例えば、インプリントの際に、重合性材料３４がメサ２０から流れ出る機会が生じないうちに、フィーチャ２４および２６と、テンプレート１８と基板１２との間の容積が満たされるように、液滴をフィールドＡの中心Ｃに向かってオフセットさせてよい。

図６は、液滴をフィールドＡの中心Ｃに向かって距離ｄだけオフセットさせる一例を示している。距離ｄは、フィールドのエッジ６４について設定された境界としてよい。例えば、距離ｄは、約２００μｍで、フィールドのエッジ６４について設定された境界とすることができる。通常、距離ｄは、インプリント・フィールドのすべてのエッジ６４で略同等であるが、注目すべきは、設計考慮事項に応じて、インプリント・フィールドの１つまたは複数のエッジ６４で距離ｄが異なっていてもよいということである。例えば、距離ｄは、平行なエッジについては同等としてよい。さらに、先行の接しているインプリント・フィールド、および／またはテンプレート１８のフィーチャ２４および／または２６の分布に基づいて、距離ｄの大きさを変更することができる。例えば、あるフィールドの、先にインプリントされるフィールドに隣接する側のエッジ６４における距離を、そのフィールドの他のエッジ６４よりも大きい距離とすることができる。オフセットは、フィールドの各エッジ６４で略同等の設定であってもよく、あるいはフィールドの各エッジ６４でオフセット距離ｄが異なるような設定であってもよい。一例では、滴下パターンの調整において、インプリントの形成に要する液滴数を減らすのではなく、単に液滴をフィールドの中心に向かってオフセットさせるだけでもよい。

ステップ２０６では、調整した滴下パターンに基づいて、重合性材料３４を基板１２上に堆積させてよい。ステップ２０８では、テンプレート１８と基板１２との間の距離を最小化してよく、このとき、調整した滴下パターンに従ってインプリント領域の境界に配置された液滴からの重合性材料３４が、モールド２０のエッジに達する。ステップ２１０では、重合性材料３４を固化させてよい。ステップ２１２では、基板１２のフィールドＡにおいてパターン層４８ａを形成している固化された重合性材料３４から、テンプレート１８を切り離してよい。ステップ２１４では、基板１２のフィールドＢについて、上記の各ステップを繰り返してよい。フィールドＢとフィールドＡの残留層４８は、略同等な厚さｔ₂を有してよい。

図７を参照すると、フィールドの各エッジ６４が、先にインプリントされるフィールドに接する回数が等しくなるように、ステッピング・パターン４００を用いて最適化してよい。ステッピング・パターン４００を提供することにより、図１および２で説明および図示したように、インプリントの際に重合性材料３４がモールド２０からはみ出て堆積することを、最小限に抑え得る。ステッピング・パターン４００は、一般的には、インプリントの際にフィールドの各エッジ６４が、先にインプリントされるフィールドのエッジ６４と接するように、基板１２上のフィールドのインプリントの順序を取り決めている。先にインプリントされる方側のエッジ６４は、図７では暗色の長方形で示している。先にインプリントされるフィールド側のエッジ６４は、重合性材料３４のための境界を含むように、あるいは設けるように用いてよく、これにより、重合性材料３４がモールド２０からはみ出て堆積することが最小限に抑えられる。

図７は、基板１２の各フィールドがインプリントの順番で表される正方形として描かれた、ステッピング・パターン４００を示している。このステッピング・パターン４００では、最初のフィールド（参照番号１）が基板１２の中央でインプリントされ、続く各フィールド（参照番号２，３，４，５．．．３４）が、基板１２のエッジ６６に向かってらせん状にインプリントされる。らせん状のインプリント・パターンを用いることにより、フィールドの各エッジ６４は、（暗色の長方形で示す）少なくとも１つの先にインプリントされたフィールドに、インプリントされるそのフィールドのエッジ６４で接してよい。先にインプリントされるフィールドに隣接するエッジ６４を、暗色の長方形で示している。このようなエッジ６４は、インプリントされるこのフィールドに対して、重合性材料３４の封じ込めを提供することができる。例えば、フィールド６のインプリントの際には、先にインプリントされたフィールド１の側の１つのエッジ６４と、先にインプリントされたフィールド４の側の1つのエッジ６４によって、重合性材料３４の封じ込めを提供することができる。

図３、８、および９を参照して、オーバラップ・インプリント法５００を用いて、重合性材料３４を既にインプリントされたフィールドのエッジ間に閉じ込めてよく、また、はみ出し部６０ａおよび６０ｂを最小化および／または防止してよい。図８および９を参照して、ステップ５０２では、図１および２に関するシステムとプロセスを用いて、フィールドＡにインプリントすることで、残留層４８ａを有するパターン層４６ａを形成してよい。オプションとして、フィールドＣにインプリントすることで、残留層４８ｃを有するパターン層４６ｃを形成してよい。ステップ５０４では、テンプレート１８の少なくとも一部１９ａを、フィールドＡのパターン層４６ａの少なくとも一部に重ねるようにして、テンプレート１８をフィールドＢに重ね合わせて配置してよい。テンプレート１８は、第１の側７０と第２の側７２とを含んでよい。第１の側７０は、図１に関連して述べたように、フィーチャ２４および２６を有してよい。パターン層４６ａにオーバラップするテンプレート１８の部分１９ａは、略平面状であって、フィーチャ２４および２６に隣接して配置されてよい。一般的に、（図１および２に関して詳しく述べた）インプリント・プロセスにおいて、テンプレート１８のフィーチャ２４および２６が重合性材料３４に接触するときに、部分１９ａは、先にインプリントされた隣接するフィールドのパターン層４６（例えば、フィールドＡのパターン層４６ａ）からわずかな距離離れた位置にある。この距離によって、先にインプリントされたパターン層４６に部分１９ａが接触することなく、テンプレート１８のフィーチャ２４および２６は重合性材料３４に接触してよい。

図８に示すように、テンプレート１８の部分１９ａは、パターン層４６ａ上に、距離ｄ₂だけ延出（つまり、オーバラップ）してよい。一般的に、部分１９ａは、パターン層４６ａの残留層４８ａ上に延出してよい。この部分１９ａのオーバラップにおいて、残留層４８ａが比較的厚い場合は、これにより隣接するフィールドのインプリントが阻害される恐れがあるので、残留層４８ａの厚さが問題となる。一例では、隣接するフィールドに配置された重合性材料３４とテンプレート１８との間の接触を阻害することなく、隣接するフィールドのインプリントを可能にするため、残留層４８ａの厚さは５μｍ未満とされる。

オプションとして、同時に、テンプレート１８の部分１９ｂが別の隣接するフィールド（例えば、パターン層４６ｃ）上に距離ｄ₃だけ延出してよい。距離ｄ₂とｄ₃は、略同等であっても、異なっていてもよい。ステップ５０６では、基板１２上のフィールドＢの領域に重合性材料３４を堆積させる、あるいは塗布してよい。ステップ５０８では、図１および２のシステムとプロセスを用いて、フィールドＢにインプリントしてよい。

再び図３を参照すると、注目すべきことは、インプリント・プロセスにおけるガス流を最小限に抑えることで、はみ出し部６０ａおよび／または６０ｂの形成を最小化および／または防止し得るということである。モールドおよび／またはテンプレート１８に重合性材料３４が堆積することは、はみ出し部６０の形成の一因となり得る。この場合、ガス流を調節することにより、蒸気からの重合性材料３４を最小限に抑え得る。モールド２０（例えば、モールド２０の壁）における重合性材料３４の堆積を最小限とすることにより、はみ出し部６０ａおよび／または６０ｂを最小化および／または防止し得る。

Claims (20)

1. インプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、基板の第１のフィールド内に配置された重合性材料の第１の部分にインプリントするステップと、
   第１のパターン層を形成する重合性材料の前記第１の部分から、前記テンプレートを切り離すステップと、
   前記テンプレートを、前記第１のフィールドの一部と第２のフィールドの一部にオーバラップさせるステップと、
   前記テンプレートを用いて、前記基板の前記第２のフィールド内に配置された重合性材料の第２の部分にインプリントするステップと、
   第２のパターン層を形成する重合性材料の前記第２の部分から、前記テンプレートを切り離すステップと、を含むことを特徴とする隣接するフィールドのアラインメント方法。
2. 前記第１のパターン層は第１の残留層を含み、前記第２のパターン層は第２の残留層を含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の残留層と前記第２の残留層の厚さは、略同等である、請求項２に記載の方法。
4. 重合性材料の前記第１の部分の体積は、前記第１の残留層の厚さを最小化するように決定される、請求項２または３に記載の方法。
5. 前記第１の残留層の厚さは約２５ｎｍ未満である、請求項２ないし４のいずれか１つに記載の方法。
6. 前記基板の前記第１のフィールドに重合性材料の前記第１の部分を塗布するための滴下パターンを決定することと、
   前記滴下パターンの液滴を、前記滴下パターンの中心に向かってオフセットさせるように、前記滴下パターンを調整することであって、そのオフセットの距離により前記滴下パターンのエッジにおいて液滴が排除される境界を設定することと、
   前記調整した滴下パターンを用いて、前記基板の前記第１のフィールドに重合性材料を塗布することと、をさらに含む、請求項２ないし５のいずれか１つに記載の方法。
7. 前記テンプレートのフィーチャを前記第１の残留層の所要の厚さと関連付けて、インプリントの際に前記テンプレートと前記基板との間の容量が十分な量で満たされるように、前記基板に塗布される重合性材料の液滴を前記テンプレートのフィーチャの位置に空間的に相関させることにより、前記第１の部分のための前記滴下パターンが決定される、請求項６に記載の方法。
8. 前記距離は、前記滴下パターンのすべてのエッジにおいて略同等である、請求項６または７に記載の方法。
9. 前記距離は、前記滴下パターンの少なくとも１つのエッジにおいて異なる、請求項６または７に記載の方法。
10. 前記距離は、先にインプリントされるフィールドが配置されることがわかっている前記滴下パターンのエッジでは、より大きい、請求項６、７、９のいずれか１つに記載の方法。
11. フィールドのエッジが、先にインプリントされるフィールドに接する回数が等しくなるように、ステッピング・パターンを用いて複数のフィールドにインプリントすることをさらに含む、請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の方法。
12. 前記ステッピング・パターンは、らせん状のパターンで進行する、請求項１１に記載の方法。
13. 前記隣接するフィールドは、該フィールドのインプリントの際に重合性材料の封じ込めを提供する、請求項１１または１２に記載の方法。
14. 第１の側と第２の側とを有し、前記第１の側は複数のフィーチャとこれらのフィーチャに隣接する少なくとも１つの略平面状の部分とを備える、インプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、第１のフィールドにインプリントすることにより、第１の残留層を有する第１のパターン層を形成するステップと、
    前記第１の側のフィーチャが第２のフィールドに重なり、前記平面状部分が前記第１のパターン層に重なるように、前記インプリント・リソグラフィ・テンプレートを配置するステップと、
    前記第２のフィールドにインプリントすることにより、第２の残留層を有する第２のパターン層を形成するステップと、を含むことを特徴とするアラインメント方法。
15. 前記第１の残留層の厚さは、前記第２の残留層の厚さと略同等である、請求項１４に記載の方法。
16. 前記第１の残留層の厚さは約５μｍ未満である、請求項１４または１５に記載の方法。
17. 前記インプリント・リソグラフィ・テンプレートの第２の平面状部分が、第３のパターン層に重なる、請求項１４ないし１６のいずれか１つに記載の方法。
18. 前記第２のフィールドのインプリントの際に、前記平面状部分は、前記第１の残留層から距離をおいて、前記第１のフィールドと重なる、請求項１４ないし１７のいずれか１つに記載の方法。
19. インプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いてパターン層を形成する方法であって、前記方法は；
    前記インプリント・リソグラフィ・テンプレートを、基板の第１のフィールドに堆積された重合性材料の上方に配置するステップと、
    前記テンプレートが前記重合性材料に接触するように、前記テンプレートと前記基板との間の距離を縮めるステップと、
    前記重合性材料を固化させるステップと、
    第１のパターン層を形成する前記重合性材料から前記テンプレートを切り離すステップと、
    前記インプリント・リソグラフィ・テンプレートを、前記第１のパターン層、および前記基板の第２のフィールドに堆積された重合性材料の上方に配置するステップと、
    前記テンプレートが前記第２のフィールドに配置された前記重合性材料に接触するように、前記テンプレートと前記基板との間の距離を縮めるステップと、
    前記重合性材料を固化させるステップと、
    第２のパターン層を形成する前記重合性材料から前記テンプレートを切り離すステップと、を含むことを特徴とするパターン層を形成する方法。
20. 前記第１および第２パターン層の残留層の厚さは、略同等である、請求項１９に記載の方法。

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