JP5651573B2 - テンプレート処理方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態に係るテンプレート処理方法が適用されるテンプレート1の一例を模式的に示す図である。本実施形態では、テンプレート1は、光インプリント法に使用されるものとして説明する。
周知のインプリント装置を用いて、ダミー基板(例えばウェハ)10上に、インプリントレジストである液状の光硬化性樹脂11(第3の材料)を例えばインクジョット方式の塗布装置を用いて滴下する。なお、以下の図において、必要な場合を除いて、テンプレート1は簡略化して示してある。
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート1のアライメントマークを液状の光硬化性樹脂11に接触させ、毛細管現象によってアライメントマークの凹部内に液状の光硬化性樹脂11が浸透するように一定時間保持する。
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート1の裏面(主面と反対側の面)から光12を照射して、光硬化性樹脂11を硬化する。
周知のインプリント装置を用いて、硬化した光硬化性樹脂(被覆部材)11からテンプレート1を離す(離型)。その結果、テンプレート1は、アライメントマークが被覆部材11で被覆された状態となる。
図1に示したメインパターン3上の汚染物を除去するために、酸素ガス13を用いてテンプレート1を洗浄する。アライメントマークは被覆部材11で被覆されているので、酸素ガス13によるアライメントマークの劣化(例えば、形状変化)は抑制される。アライメントマークの劣化が抑制されることにより、アライメント信号強度の変化が抑制され、もって、位置合わせの精度の低下を抑制できるようになる。
引き続き、例えば、酸素ガス13を用いた処理(樹脂除去処理)を行うことにより、上記被覆部材を除去し、アライメントマーク5を露出させる。
図6の洗浄の工程で生じてテンプレート1上に残留した物質(残留物)を、ウエット処理により除去する。上記残留物は、例えば、汚染物である光硬化性樹脂を酸素ガスで除去したときに生じた炭化物である。ウエット処理は、酸を含む薬液を用いたウエット処理であり、より具体的には、例えば、硫酸を含む薬液を用いたウエット処理である。
図10−図14は、本発明の第2の実施形態に係るテンプレート処理方法を説明するための断面図である。なお、以下の図において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
周知のインプリント装置を用いて、ダミー基板10上に、液状の光硬化性樹脂11(11a,11b)を滴下し、その後、ダミー基板10とテンプレート1との位置合わせを行う。
周知のインプリント装置を用いて、液状の光硬化性樹脂11にテンプレート1のアライメントマークを接触させ、アライメントマークの凹部内を液状の光硬化性樹脂11で充填する。
周知のインプリント装置を用いて、テンプレート1を介して光硬化性樹脂11に光12を照射して光硬化性樹脂11を硬化する。
周知のインプリント装置を用いて、硬化した光硬化性樹脂(被覆部材)11からテンプレート1を離す(離型)。その結果、テンプレート1は、アライメントマークおよびダミーパターンが被覆部材11で被覆された状態となる。
酸素ガス13を用いてテンプレート1を洗浄する。このとき、第1の実施形態と同様に、アライメントマークは被覆部材11で被覆されているので、アライメントマークの劣化および位置合わせの精度の低下は抑制される。
第1および第2の実施形態では、被覆部材の材料(第3の材料)として光硬化性樹脂(インプリトレジスト)を用いたが、本実施形態では、光硬化性樹脂よりも洗浄耐性が高い材料を用いる。この種の材料としては、例えば、通常のインプリトプロセスで使用される離型剤があげられる。
Claims (12)
- 主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第1のパターンと、前記第1のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第2のパターンとを具備し、かつ、前記第1のパターンは第1の材料を含み、前記第2のパターンは前記第1の材料とは異なる第2の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法であって、
前記第1および第2の材料とは異なる第3の材料を含む被覆部材で前記第2のパターンを被覆する工程と、
前記被覆部材で前記第2のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、
前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第2のパターンを露出させる工程とを具備してなり、
前記第1のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第2のパターンは、アライメントマークであり、
前記第2のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて、前記第3の材料を基板上に供給する工程と、前記インプリント装置を用いて、前記第2のパターンを前記第3の材料に接触させる工程とを含み、
前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いることを特徴とするテンプレート処理方法。 - 主面を有する基板と、前記主面上に形成され、凹部を含む第1のパターンと、前記第1のパターンとは異なる位置に前記主面上に形成され、凹部を含む第2のパターンとを具備し、かつ、前記第1のパターンは第1の材料を含み、前記第2のパターンは前記第1の材料とは異なる第2の材料を含むテンプレートを処理するためのテンプレート処理方法であって、
前記第1および第2の材料とは異なる第3の材料を含む被覆部材で前記第2のパターンを被覆する工程と、
前記被覆部材で前記第2のパターンを被覆した状態で、前記テンプレートを洗浄する工程と、
前記テンプレートを洗浄する工程の後に、前記被覆部材を除去して前記第2のパターンを露出させる工程と
を具備してなることを特徴とするテンプレート処理方法。 - 前記第1のパターンは、被加工基板上に転写するべきデバイスパターンに対応するパターンであり、前記第2のパターンは、アライメントマークであることを特徴とする請求項2に記載のテンプレート処理方法。
- 前記テンプレートを洗浄する工程は、酸素ガス、または、酸を含む薬液を用いることを特徴とする請求項2または3に記載のテンプレート処理方法。
- 前記第2のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、インプリント装置を用いて行うことを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載のテンプレート処理方法。
- 前記第2のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、
前記インプリント装置を用いて、前記第3の材料を基板上に供給する工程と、
前記インプリント装置を用いて、前記第2のパターンを前記第3の材料に接触させる工程と
を含むことを特徴する請求項5に記載のテンプレート処理方法。 - 前記第2のパターンを前記第3の材料に接触させる工程において、前記第1のパターンを前記基板に接触させないことを特徴とする請求項6に記載のテンプレート処理方法。
- 前記基板上に供給する前記第3の材料の量、および、前記テンプレートと前記基板との間の距離の少なくとも一方を制御することにより、前記第1のパターンを前記第3の材料に接触させないことを特徴とする請求項7に記載のテンプレート処理方法。
- 前記テンプレートは、前記第2のパターンに隣りに形成され、凹部を含む第3のパターンをさらに具備し、
前記第2のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、
前記インプリント装置を用いて、前記第3の材料を前記基板上に供給する工程と、
前記インプリント装置を用いて、前記第1のパターンを前記基板および前記第3の材料を接触させずに、前記第2のパターンおよび前記第3のパターンを前記第3の材料に接触させる工程と
を含むことを特徴する請求項8に記載のテンプレート処理方法。 - 前記第3の材料は、インプリントレジストであることを特徴する請求項5ないし8のいずれか1項に記載のテンプレート処理方法。
- 前記第2のパターンを前記被覆部材で被覆する工程は、テンプレート洗浄装置を用いて行うことを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載のテンプレート処理方法。
- 前記第3の材料は、インプリントレジストよりも高い洗浄耐性を有する材料であることを特徴する請求項11に記載のテンプレート処理方法。
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