JP4695679B2 - テンプレートの洗浄方法及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態に係る光ナノインプリント装置及びその装置を用いた光ナノインプリント法によるパターン形成方法を、それぞれ図1及び図2を参照して説明する。
本実施形態に係るテンプレートの洗浄方法は、第一の実施形態に係る洗浄方法において用いた洗浄剤である酸素水にかえて、オゾンと二酸化炭素が含有された過酸化水素を溶質とする水溶液または有機物を用いたテンプレートの洗浄方法である。その他はほぼ同様であるので、一部の工程については詳細説明を省略する。
本実施形態に係るテンプレートの洗浄方法は、第一の実施形態に係る洗浄方法において用いた洗浄剤である酸素水にかえて、洗浄剤として二酸化炭素が溶解しているイソプロピルアルコールを用いた洗浄方法である。その他は、ほぼ同様であるので、詳細説明を省略する。
本実施形態に係るテンプレート洗浄方法は、テンプレートのパターン面に生じたレジスト残渣を効果的に除去する洗浄方法である。本実施形態に係る洗浄方法と第一の実施形態に係る洗浄方法との主要な違いは、テンプレートへの洗浄剤の供給方法である。従って以下では、図6を参照して、本実施形態に係るテンプレートへの洗浄剤の供給方法について主に説明する。図6は、本実施形態に係る洗浄方法の工程断面図である。
110 被処理基板
112 インプリント用レジスト
113 インプリントレジストパターン
120 テンプレート
124 テンプレートに残留したレジスト
402、502 洗浄剤
Claims (5)
- 凹凸を有するパターン面を備えたテンプレートを保持する工程と、
前記テンプレートのパターン面に付着した異物を含む領域に洗浄剤を供給する洗浄剤供給工程と、
前記テンプレートの前記パターン面と反対側の面から放射光を照射し、前記放射光により前記洗浄剤を光励起してラジカルを生じさせる洗浄剤励起工程と、
前記異物と前記ラジカルとを反応させて前記異物の少なくとも一部を親水化する異物親水化工程と、
前記親水化工程後、前記異物を前記テンプレートから除去する異物除去工程と、
を具備したことを特徴とするテンプレートの洗浄方法。 - 前記ラジカルを生じる洗浄剤が、水、水を溶媒とする水溶液、または過酸化水素を溶質とする水溶液のいずれかであることを特徴とする請求項1記載のテンプレートの洗浄方法。
- 前記洗浄剤に、溶質として酸素またはオゾンが含まれることを特徴とする請求項2記載のテンプレートの洗浄方法。
- 前記光励起した酸素またはオゾンを用いて前記親水化した異物を分解する工程を具備したことを特徴とする請求項3記載のテンプレートの洗浄方法。
- 被処理基板上にインプリント材料を塗布する工程と、
請求項1乃至4のいずれか一項記載のテンプレートの洗浄方法によりテンプレートを洗浄する工程と、
洗浄した前記テンプレートのパターン面を前記インプリント材料に接触させる工程と、
前記テンプレートを前記インプリント材料に接触させた状態で前記インプリント材料を硬化する工程と、
前記インプリント材料から前記テンプレートを離型する工程と、
を具備したパターン形成方法。
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