KR20070026687A - 기판을 세정 및 에칭하는 시스템 및 방법 - Google Patents

기판을 세정 및 에칭하는 시스템 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070026687A
KR20070026687A KR1020067027743A KR20067027743A KR20070026687A KR 20070026687 A KR20070026687 A KR 20070026687A KR 1020067027743 A KR1020067027743 A KR 1020067027743A KR 20067027743 A KR20067027743 A KR 20067027743A KR 20070026687 A KR20070026687 A KR 20070026687A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
solution
light
reactive species
layer
Prior art date
Application number
KR1020067027743A
Other languages
English (en)
Inventor
미하일 코로릭
존 엠 보이드
카트리나 미하일리치
마이클 라브킨
프레드 씨 리데커
라리오스 존 엠 드
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20070026687A publication Critical patent/KR20070026687A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

일 실시형태는 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 그 방법은 기판 표면에 용액을 도포하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 반응종은 광과 같은 에너지를 용액에 적용함으로써 용액의 해리에 의해 생성된다. 기판상의 제 1 물질은 반응하고, 반응한 제 1 물질은 제거된다. 또한, 기판을 처리하는 시스템을 설명한다.
기판 세정, 반응종, 에칭, 마스크층

Description

기판을 세정 및 에칭하는 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD OF CLEANING AND ETCHING A SUBSTRATE}
본 발명의 배경기술
1. 본 발명의 기술분야
본 발명은 일반적으로 반도체 기판의 세정에 관한 것으로, 더 상세하게는, 반도체 기판의 표면에 산화 용액을 도포하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.
2. 종래 기술의 설명
반도체 디바이스의 제조는 수많은 처리 동작을 포함한다. 이들 동작은, 예를 들어, 불순물 주입, 게이트 산화물 발생, 금속간 산화물 증착, 금속화 증착, 포토리소그래피 패터닝, 에칭 동작, 화학기계 폴리싱 (CMP) 등을 포함한다. 이들 동작은 입자 및 잔류물을 발생시키기 때문에, 웨이퍼 표면을 세정하여, 부착된 입자 및 흡수된 혼합물 (예를 들어, 유기 및 금속) 과 같은 오염물을 웨이퍼의 표면으로부터 제거할 필요가 있다. 이러한 오염물은 집적 회로 디바이스의 성능에 해로운 영향을 갖기 때문에, 오염물은 웨이퍼 표면에서 제거되어야 한다.
수많은 구성의 세정 처리 툴이 구현되었다. 이러한 양면 도구는 한 쌍의 대칭 브러시를 포함하는 브러시 스크러빙 툴이다. 도 1a 및 1b는 종래기술의 두 타입인 2 면 웨이퍼 스크러버를 도시한다. 도 1a 는 수평 배향의 종래 웨이퍼 스크러버 (100) 를 도시한다. 도 1b 는 수직 배향의 종래 웨이퍼 스크러버 (100') 를 도시한다. 도 1a 및 1b 모두는 대응하는 브러시 (104a 및 104b) 가 각각 탑재된 한 쌍의 브러시 코어 (102a 및 102b) 를 포함한다. 도시된 바와 같이, 각각의 브러시 (104a 및 104b) 의 외부표면은 각각 수많은 노듈 (nodule; 105a 및 105b) 로 커버된다. 그러나, 또한 브러시 (104a, 104b) 는 실질적으로 평활한 (즉, 상당한 노듈 (105a, 105b) 이 없는) 표면을 가질 수 있다. 두 배향으로, 대칭 브러시 (104a 및 104b) 가 108a 및 108b의 대응하는 회전 방향으로 회전하면서 웨이퍼 (106) 가 스크럽된다.
도시된 바와 같이, 브러시 코어 (102a 및 102b) 의 물리적 구성이 일치한다. 유사하게, 브러시 (104a 및 104b) 의 외부표면은 동일한 재료로 구성됨으로써, 웨이퍼와의 동일한 표면 접촉 면적뿐만 아니라, 동일한 밀도 및 압축률을 가진다. 따라서, 종래 기술의 웨이퍼 스크러버의 양 구성에서, 브러시 (104a 및 104b) 가 동일한 힘으로 웨이퍼 (106) 의 전후면에 각각 적용되면서, 동일한 양의 압력이 각각의 접촉 면적에 적용된다. 결과적으로, 종래 기술의 웨이퍼 스크러버에서, 웨이퍼의 오직 전면만이 활성 컴포넌트를 포함하더라도, 웨이퍼의 전후면은 동일하게 처치된다.
또한, 세정 화학제 (110) 는 브러시 (104a 및 104b) 가 회전되면서 첨가된다. 세정 화학제 (110) 는 노즐 또는 드립 아울렛 (112) 을 통해 또는 브러시 (104a 및 104b) 내부로부터 제공될 수 있다. 세정 화학제 (110) 는 웨이퍼 (W) 의 표면상의 오염물을 격퇴 및 희석하는데 조력한다. 또한, 세정 화학제 (110) 는 웨이퍼로부터 격퇴 및 희석된 오염물을 운반할 수 있다. 세정 화학제 (110) 는 DI 물 또는 염소화 또는 플로오르화 화학제와 같은 더 반응적인 화학제, 하나 이상의 산성 용액, 또는 하나 이상의 알칼리 용액일 수 있다. 선택된 세정 화학제는 제거 목표의 오염물에 의존한다. 예를 들어, 목표 오염물이 유기 오염물이면, 황산과 과산화수소의 혼합물 (이후 "SPM"이라 칭함) 세정 화학제가 통상적으로 이용된다. 또한, 세정 화학제 (110) 및/또는 웨이퍼는 세정하는데 조력하기 위해 가열될 수 있다.
유기 오염물은 매우 흔하여, 각 웨이퍼는 거의 항상 유기 오염물을 제거하기 위해 세정이 요청된다. 결과적으로, SPM은 매우 자주 이용된다. 불행하게도, SPM은 비쌀 수 있고, 당연한 SPM의 반응 성질을 다루기는 어렵다. 또한, 폐기물 스트림/부산물 (즉, 제거된 오염물이 함유된 사용된 SPM) 은 중화하고 안전하게 처분하는데 비쌀 수 있다. 앞서 말한 바를 고려하면, 웨이퍼에서 유기 오염물을 세정하는 동시에 비용도 최소화하고, 문제점 및 폐기물 스트림/부산물을 다룰 수 있는 개선된 세정 화학제의 필요가 있다.
본 발명의 개요
대체로 말하면, 본 발명은 산화 용액을 반도체 기판의 표면에 도포하는 방법 및 시스템을 제공함으로써 이들 필요를 충족한다. 본 발명은 프로세스, 장치, 시스템, 컴퓨터 판독가능 미디어, 또는 디바이스를 포함하는 수많은 방법으로 구현될 수 있다. 이하, 본 발명의 수개의 발명 실시형태를 설명한다.
일 실시형태는 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 그 방법은 용액을 기판의 표면에 도포하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 반응종은 용액의 해리에 의해 생성될 수 있다. 기판상의 제 1 물질이 반응하고, 반응한 제 1 물질은 제거될 수 있다. 그 용액은 H2O2 또는 H2O로 구성된 그룹 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 산화 라디칼은 O3, O2, OH, O 또는 OOH로 구성된 그룹 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
반응종은 광을 용액에 적용함으로써 용액의 해리에 의해 생성될 수 있다. 그 광은 자외선일 수 있다. 그 광은 용액이 기판의 표면과 접촉하기 전에 용액에 적용될 수 있다. 그 광은 용액이 기판의 표면과 접촉하는 시간의 적어도 일부 동안 용액에 적용될 수 있다.
그 광은 약 300 nm 이하의 파장을 가질 수 있다. 그 광은 약 180 nm 내지 약 220 nm의 파장을 가질 수 있다. 그 광은 시준 (collimate) 될 수 있다. 그 광은 펄스화될 수 있다. 광에 노출된 제 1 물질의 실질적으로 오직 일부만이 산화된다.
용액을 기판의 표면에 도포하는 단계는 반응종의 재결합 길이 미만의 두께를 가진 기판의 표면상에 용액의 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 용액은 적어도 10 퍼센트 농도의 H2O2를 포함할 수 있다.
제 1 물질은 유기 물질일 수 있다. 제 1 물질은 마스크층의 패턴을 통해 노출될 수 있다.
용액을 기판의 표면에 도포하는 단계는 동적 유체 메니스커스를 통해 용액을 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 그 방법은 기판의 표면을 린스하는 단 계를 포함할 수 있다.
다른 실시형태는 기판을 처리하는 시스템을 제공한다. 그 시스템은 기판 지지대, 그에 의해 지지되는 기판 및 기판 표면상에서 지지되는 용액층을 포함한다. 또한, 그 시스템은 반응종을 생성하기 위해 용액을 해리시킬 수 있는 에너지 소스를 포함한다.
에너지 소스는 광 소스일 수 있다. 그 에너지 소스는 UV 광 소스일 수 있다. 그 에너지 소스는 인클로저 (enclosure) 에 포함될 수 있다. 그 에너지 소스는 근접 (proximity) 헤드에 포함될 수 있고, 용액 층은 동적 유체 메니스커스 내의 기판 표면상에서 지지될 수 있다.
또 다른 실시형태는 기판의 유기층을 에칭하는 시스템을 제공하고, 기판 지지대, 및 그에 의해 지지되고, 패터닝된 마스크층이 유기층 상에 형성된 기판을 포함한다. 유기층의 제 1 부분은 마스크층의 패턴의 제 1 부분만큼 노출된다. 용액 층은 기판의 상부 표면상에 지지된다. 하나 이상의 반응종을 생성하기 위해 용액을 해리시킬 수 있는 광 소스가 시스템에 포함된다.
본 발명의 다른 양태 및 장점은, 첨부 도면과 관련하여, 본 발명의 원리를 예시하는 방법으로 설명한 다음의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명은 첨부도면과 관련하여 다음의 상세한 설명에 의해 용이하게 이해될 것이다.
도면의 간단한 설명
도 1a 는 수평 배향의 종래 웨이퍼 스크러버를 도시한다.
도 1b 는 수직 배향의 종래 웨이퍼 스크러버를 도시한다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 세정하는 시스템의 측면도를 도시한다.
도 3 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 산화 라디칼이 발생된 용액의 깊이에 대한 산화 라디칼의 농도의 그래프이다.
도 4a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 과산화수소 및 UV 광에 노출되어 에칭된 기판의 일부를 도시한다.
도 4b 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 영역의 스캔에 관한 그래프이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판을 도시한다.
도 6 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판 표면의 상류에 산화 라디칼을 발생시키는 시스템의 상세도이다.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판 표면의 상류에 산화 라디칼을 발생시키는 시스템의 다이어그램이다.
도 8 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 동적 유체 메니스커스를 지지하는 근접 헤드의 다이어그램이다.
도 9 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 처리하는 산화 라디칼을 발생시키는 방법 동작의 플로우차트이다.
예시적인 실시형태의 상세한 설명
이하, 산화 용액을 반도체 기판의 표면에 도포하는 수개의 예시적인 실시형태를 설명한다. 당업자에게는, 본 발명이 여기에 개시된 특정 설명의 전부 또 는 일부가 없어도 실행될 수도 있다는 것은 명백할 것이다.
SPM (즉, 황산과 과산화수소 혼합물) 은 유기 오염물을 산화시킴으로써 기판 표면의 유기 오염물을 세정한다. 또한, SPM은 유기 물질을 산화시킴으로써 유기 물질 층을 제거하는데 이용될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 과산화수소 (H202) 및 선택된 파장 및 강도의 광의 조합을 이용하여 기판 표면상에 물질을 반응 (예를 들어, 물질을 산화 또는 다른 방법으로는 반응) 시키는 시스템 및 방법을 제공한다. 예를 들어, 과산화수소 및 선택된 파장 및 강도의 광은 유기 잔류물 또는 폴리머 필름 (예를 들어, 포토레지스트) 을 제거하는데 이용될 수 있다. 선택된 파장 및 강도의 광은 과산화수소를 2 개의 하이드록실 라디칼로 해리한다. 또한, 하이드록실 라디칼은 과산화수소 부산물 (예를 들어, 하이드로페록시 라디칼, 산소 원자 및 오존) 을 형성할 수 있다. 이후, 하이드록실 라디칼 및 과산화수소 부산물은 산화 라디칼로 지칭된다. 산화 라디칼은 유기 물질과 매우 반응적이어서, 유기 물질을 용이하게 산화시켜 CO 및 다른 유기 부산물 (예를 들어, CO2 및 HHCO 등) 을 형성할 수 있다. 그러면, CO 및 다른 유기 부산물은 기판 표면이 린스되는 것과 같이 더 용이하게 제거될 수 있다.
광의 선택된 파장은 자외선 (UV) 광 스펙트럼 내 (즉, 약 180 nm 내지 약 300 nm의 파장) 일 수 있다. UV 광은 과산화수소를 관통하기 때문에, 과산화수소는 UV 광을 흡수하여, 산화 라디칼을 형성한다. 그러나, UV 광은 과산화수소 에 의해 완전히 흡수되기 전에 과산화수소의 비교적 작은 깊이 (예를 들어, 약 3 mm) 를 관통할 수 있을 뿐이다. 따라서, 과산화수소의 비교적 얇은 막 (즉, 약 2 mm 미만) 이 기판 표면상에 형성되면, 산화 라디칼은 기판 표면상의 임의의 유기 물질과 반응하도록 기판 표면상에 형성될 수 있다.
일 실시형태에서, 과산화수소의 비교적 얇은 막이 기판을 스핀함으로써 기판 표면상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판은 약 200 rpm보다 크게 스핀될 수 있다. 기판의 회전 속도가 증가하면서, 기판 표면상에 형성된 과산화수소 막의 깊이는 감소된다.
일단 원하는 깊이의 과산화수소 막이 기판의 표면상에 형성되면, UV 광 소스 (예를 들어, 레이저, 펄스 램프, 블랭킷, 시준된 광 소스 등) 는 과산화수소 막에 적용될 수 있다. 결과적으로, 산화 라디칼은 기판 표면상에 형성되고, 존재할 수도 있는 임의의 유기 물질과 반응한다.
일 실시형태에서, 과산화수소와 UV 광의 조합은 이방성에 가까운, 습식 에칭 프로세스를 수행하는데 이용될 수 있다. 통상적인 습식 에칭 프로세스는 본질적으로 등방성이다. 예를 들어, 에칭될 폴리머 층이 유기층 (예를 들어, 포토레지스트) 을 커버하는 불투명 마스크층 (예를 들어, 적용된 타입의 에너지를 충분히 차단하기에 적절한 하드 마스크 또는 다른 불투명 마스크층) 을 포함한다. 불투명 마스크층은 종래의 패터닝 프로세스로 패터닝된다. 일단 불투명 마스크층이 패터닝되면, 원하는 과산화물 막이 형성될 수 있다. 과산화물 막의 두께는 깊이 1 마이크론 내지 약 100 마이크론일 수 있다. 일단 원하는 과산화물 막이 형성되면, 광 (예를 들어, UV 광) 이 적용될 수 있다. UV 광은 산화 라디칼이 노출된 기판의 표면상에 형성되게 하고, 패터닝된 불투명 마스크층에 의해 보호되지 않는 유기층의 유기 물질과 반응하게 한다. 산화 라디칼이 UV 광 및 과산화수소의 반응에 의해 형성되면서, 신속한 라디칼 재결합 레이트 및 기판 표면으로의 반응물의 확산 경로 길이로 인해, UV 광이 충돌하는 영역에만 에칭이 일반적으로 형성된다.
도 2 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 세정하는 시스템 (200) 의 측면도를 도시한다. 그 시스템 (200) 은 기판 (208) 을 지지하는 기판 지지대 (202) 를 포함한다. 기판 지지 액추에이터 (203) 는 기판 지지대 (202) 및 기판 (208) 을 수직 방향 (204) 으로 이동시킬 수 있고, 또한, 방향 206과 같이 기판 (208) 을 회전시킬 수 있다.
기판 (208) 은 수개의 층 (210, 212) 을 포함한다. 처리 용액 (222)(예를 들어, 물 및/또는 과산화 수소 또는 그 조합) 의 퍼들 (puddle) 이 기판 (208) 의 상부 표면 (208A) 상에 형성된다. 분배 노즐 (224) 은 소스 (226) 로부터의 용액 (222) 을 상부 표면 (208A) 으로 분배할 수 있다.
에너지 소스 (230) 는 기판 (208) 의 상부 표면 (208A) 방향으로 배향된다. 그 에너지 소스 (230) 는, 용액 (222) 을 해리하여 하나 이상의 반응종 (예를 들어, 하나 이상의 산소 라이칼 종) 을 생성하기에 충분한 에너지 소스의 다른 소스 또는 광 소스를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 에너지 소스 (230) 는 에너지 소스로부터 에너지 (232)(즉, 광) 가 발산되도록 배향되고, 상부 표면 (208A) 에 실질적으로 수직한 방향 234로 발산된다. 광 (232) 이 상부 표면 (208A) 에 실질적으로 수직한 방향 234로 발산되게 도시된 반면, 결과물인 반응종이 반응하길 원하는 유기 물질을 접촉하도록 형성되게 광은 임의의 방향으로 향할 수 있다. 광 소스 (230) 는 연속적인 D2 램프 (즉, 약 180 nm 내지 약 220 nm), 펄스화 (예를 들어, 약 80 ㎐의 펄스 레이트로 약 5 마이크로초 펄스) 된 제논 램프 (즉, 약 240 내지 약 300 nm 파장) 일 수 있다. 선택된 광 소스는 원하는 반응성에 의존한다. 예를 들어, 제 1 유기 물질은 180 nm 범위로 UV에 의해 발생된 더 많은 산화 라디칼과 반응할 수도 있다. 다른 방법으로는, 제 2 유기 물질은 300 nm 범위로 UV에 의해 발생된 산화 라디칼과 더 용이하게 반응할 수도 있다.
사용된 광 소스 (230) 의 정밀한 강도는 원하는 결과에 의존한다. 예를 들어, 광 소스 (230) 의 강도가 증가할수록, 발생된 산화 라디칼의 반응성이 또한 증가한다. 따라서, 비교적 소수의 유기 잔류물을 신속하게 제거하기 위해, 낮은 강도가 선택될 수도 있다. 반대로, 유기 물질 층을 통해 에칭하기 위해, 강도가 상당히 증가할 수도 있다. 또한, 어떤 유기 물질은, 비교적 높은 피크 강도 (즉, 전력) 지만 그 외의 시간은 비교적 낮은 평균 강도로 펄스화되는 펄스 광 소스와 더 바람직한 방법으로 반응할 수도 있다. 예를 들어, 제 1 유기 물질은, 80 ㎐의 펄스 레이트로 펄스당 20~40 mJ에서 5 마이크로초 펄스로 펄스화되는 광 소스 (230) 에 의해 발생되는 산화 라디칼과 바람직한 방법 (예를 들어, 적시의 반응 레이트, 예상가능, 제어가능 등) 으로 반응할 수도 있다. 반대로, 광 소 스 (230) 가 3 와트의 연속적인 강도로 동작하면, 제 1 유기 물질은 바람직하게 (예를 들어, 반응 레이트가 펄스 광 소스와 비교하여 감소되게) 반응하지 않을 수도 있다.
또한, 기판 (208) 을 세정하는 시스템 (200) 은 인클로저 (240) 내에 인클로즈될 수 있다. 인클로저 (240) 는 임의의 타입의 적절한 인클로저일 수 있다. 예를 들어, 온도, 압력 또는 환경적 인자 (예를 들어, 분위기, 퍼징 가스 또는 유체 흐름 레이트 등) 와 같은 변수는 세정 프로세서 동안 제어될 수도 있다. 인클로저 (242) 는 원하는 인자의 제어를 제공하는데 적절한 임의의 타입의 인클로저일 수 있다.
또한, 제어 시스템 (242) 이 포함된다. 그 제어 시스템 (242) 은 과산화수소 소스 (226), 기판 지지 액추에이터 (203), 및 광 소스 (230) 에 결합되어, 과산화수소 소스, 기판 지지 액추에이터 및 광 소스의 동작 파라미터를 제어한다. 또한, 제어 시스템 (242) 은, 세정 프로세스 동안에 제어되는 것이 바람직할 수도 있는 온도, 압력 또는 다른 환경적 인자 (예를 들어, 분위기, 퍼징 가스 또는 유체 흐름 레이트 등) 와 같은 변수를 제어할 수 있다.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 따른, 반응종 (예를 들어, 산화 라디칼) 이 발생되는 용액 (222) 의 깊이에 대한 반응종의 농도에 관한 그래프 (300) 이다. 광이 용액 (222) 을 관통하면서, 광의 강도는 용액 (222) 의 흡수 레이트에 따라 감소된다. 광의 강도가 감소될수록, 반응종의 농도는 대응하여 감소된다. 결과적으로, 용액 (222) 의 표면 부근에서, 광의 강도는 가장 최고가 되고, 따 라서, 반응종의 대응하는 농도도 가장 최고가 된다.
반응종의 농도는 기판 표면 (208A) 상의 유기 물질의 반응성 또는 산화 레이트를 적어도 부분적으로 결정한다. 따라서, A의 선택된 농도가 기판 표면 (208A) 에서 원하는 반응성을 달성하도록 요청되면, 용액 (222) 은 기판 표면 (208A) 에 대해 약 깊이 d보다 크지 않은 깊이를 가질 수 있다.
예를 들어, 용액 (222) 이 실질적으로 UV 투명 유체 (예를 들어, 물) 에서 희석되는 농도 70 %의 과산화물을 함유하면, UV 흡수 레이트는 100 cm-1 이어서, UV 광은 약 0.01 cm를 투과할 수 있다.
용액 (222) 의 깊이로, 또한, 용액의 농도는 대응하는 반응성을 선택하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 용액 (222) 은, UV 광 또는 다른 적용가능한 에너지 타입에 실질적으로 투명한 물과 같은 유체에서 1 내지 70% 희석도의 과산화수소일 수 있다.
또한, 반응종은 충분한 강도로 약 180 nm보다 더 짧은 파장을 가진 깊은 UV 광에서 H2O (즉, 0%의 과산화수소 농도) 로부터 발생할 수 있다. 또한, 인클로저 (240) 의 가스 환경은 대기환경일 수 있다. 예를 들어, 실질적으로 순수 질소 분위기는 UV 광 강도의 손실을 최소화하는데 이용될 수 있다. 다른 가스는 아르곤 또는 다른 희 가스 (noble gas) 와 같은 임의의 불활성 가스를 포함한다.
또한, 용액 (222) 의 온도는 대응하는 반응성을 선택하도록 조정될 수 있다. 그 온도는 섭씨 약 0 내지 약 180 도일 수 있다.
도 4a 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 과산화수소 및 UV 광에의 노출에 의해 에칭된 기판 (208) 의 부분 (402) 을 도시한다. 부분 (402) 은 폭이 약 40 mm이다. 기판 (208) 은 약 3200 옹스트롬 두께인 표면층을 가진다. 도 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 영역 (402) 의 스캔에 관한 그래프 (450) 이다. 그래프 (450) 에 도시된 바와 같이, 표면층은 약 3200 옹스트롬의 두께를 가진다. 그 부분의 중앙 방향으로, 표면층은 약 1900 옹스트롬의 두께로 에칭된다. 평균적으로, 표면층의 두께는 약 800 옹스트롬만큼 감소 (예를 들어, 에칭) 된다.
도 5 는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 (208) 을 도시한다. 기판 (208) 은 기판 상부에 형성된 유기층 (504) 을 포함한다. 패터닝된 마스크층 (502) 은 유기층 (504) 상에 형성된다. 마스크층 (502) 은 광의 송신, 또는 반응종을 생성하는데 이용될 수도 있는 적어도 그러한 파장의 광을 차단하는 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 패터닝된 마스크층 (502) 은 아래에 놓인 유기층 (504) 보다 실질적으로 반응종에 덜 반응적이다 (예를 들어, 반응종은 마스크층 (502) 에 선택적일 수 있다). 용액 (222) 은 패터닝된 마스크층 (502) 의 표면상에서 지지된다. 패터닝된 마스크층 (502) 은 아래에 놓인 유기층 (504) 이 노출되는 개구 (508) 를 포함한다.
광 소스 (230) 는 광 (232) 이 용액 (222) 을 통해 마스크층 (502) 의 표면상을 지향하게 한다. 반응종 (512) 은 별 형상으로 나타낸다. 광 (232) 이 용액과 접촉하는 부분에서만 반응종 (512) 이 용액 (222) 내에서 발생된다. 도 시된 바와 같이, 반응종 (512) 의 농도는 용액 (222) 의 표면 부근에서 매우 높다. 반대로, 반응종 (512) 의 농도는 용액 (222) 의 깊이가 (예를 들어, 유기층 (504) 으로 에칭되는 피처 (514) 의 하부 부근에서) 증가하면서 감소된다.
광 (232) 이 용액과 접촉하는 부분에서만 반응종 (512) 이 용액 (222) 내에서 발생되기 때문에, 산화 라디칼은 실질적으로 영역 (510) 에 존재하지 않는다. 결과적으로, 유기층 (504) 의 에칭은 일반적으로 광 소스 (230) 와 직접적인 "시선"에 있는 유기층의 부분에 제한된다. 반응종 (512) 이 영역 (510) 에서 발생되지 않는 동안, 비교적 낮은 농도의 반응종은 낮은 농도의 반응종이 재결합할 때까지 직광의 외부에 존재한다. 이 거리를 재결합 길이라 지칭하고, 또한, 반응종이 광 (232) 과의 직접적인 상호 작용으로부터 지속되는 거리로 정의된다. 결과적으로, 유기층의 에칭은 실질적으로 이방성이다. 이는, 종래 기술에서 발생할 수도 있는 감소된 언더컷에서의 상당한 이익인 이방성 습식 에칭 프로세스를 제공할 수 있다.
몇몇 디바이스 및 프로세스는 광 또는 다른 에너지 소스의 파장에의 노출을 용이하게 견딜 수 없다. 예를 들어, UV 광은 부식을 촉진하거나 다른 방법에 의하는 것과 같이 일정 구조를 손상시킬 수 있다. 따라서, 기판 (208) 의 표면 (208A) 을 UV 광에 노출하는 것은 바람직하지 않을 수도 있다. 도 6 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판 표면의 상류에서 반응종을 발생시키는 시스템 (600) 의 상세도이다. 그 시스템 (600) 은 광 소스 인클로저 (610) 내에 인클로즈된 광 소스 (230) 를 포함한다. 광 소스 인클로저 (610) 는 UV가 표면 (208A) 상에서 충돌하는 것을 차단하는 배플 (612) 을 포함한다. 동작중에, 광 (232) 은 광 (232) 에 노출되는 동안에 제 1 농도로 용액 (222) 에서 반응종 (614)(예를 들어, 산화 라디칼) 을 발생시킨다. 상술한 바와 같이, 광 (232) 의 외부에서, 산화 라디칼의 농도는 신속하게 손실된다. 그러나, 제 1 농도가 충분히 높게 농축되면, 산화 라디칼 (614) 이 배플 (612) 을 관통하는 경우에 산화 라디칼의 제 2 농도로 표면 (208A) 에 도달한다. 산화 라디칼의 제 2 농도는 표면 (208A) 상의 유기 물질을 산화하는데 충분하다.
도 7 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판 표면 (208A) 의 상류에 반응종을 발생시키는 시스템 (700) 의 다이어그램이다. 그 시스템 (700) 은 광 소스 (230') 가 표면 (208A) 에 실질적으로 평행하게 배향되는 광 소스 인클로저 (610) 를 포함한다. 따라서, 광 (232') 은 표면 (208A) 에 실질적으로 평행하게 적용된다. 배플 (612') 은 확실하게 광 (232') 이 표면 (208A) 에 도달하는 것을 차단하게 한다.
도 8 은 본 발명의 일 실시형태에 따른, 동적 유체 메니스커스를 지지하는 근접 헤드 (810) 의 다이어그램이다. 근접 헤드 (810) 는 광 소스 인클로저 (610) 를 포함할 수 있다. 반응종 (614) 은 광 소스 인클로저 (610) 에서 발생된다. 반응종 (614) 을 포함하는 용액은 동적 유체 메니스커스 (812) 를 통해 표면에 수송된다. 근접 헤드 (810) 는 동적 유체 메니스커스 (812) 를 지지한다. 용액은 용액 소스 (820) 에 의해 근접 헤드 (810) 에 제공된다. 또한, 제 2 용액 (예를 들어, IPA) 은 제 2 용액 소스 (824) 로부터 제공될 수 있다. 용액 및 제 2 용액 중 하나 또는 둘 다는 실질적으로 불활성 가스 (예를 들어, 질소, 아르곤 등) 에 의해 적어도 부분적으로 근접헤드에 수송될 수 있다. 진공 소스 (232) 는 진공 소스 (822) 로부터 근접 헤드 (810) 에 적용된다. 근접 헤드 (810) 에 포함된 광 소스 인클로저 (610) 는 배플 (612) 을 포함하거나 포함하지 않을 수도 있다. 광 소스 인클로저 (610) 가 배플을 포함하지 않으면, 상술한 바와 같이, 반응종은 기판의 표면에서 발생될 수 있다.
도 9 는 본 발명의 일 실시형태에 따른, 기판을 처리하는 산화 라디칼을 발생시키는 방법 동작 (900) 의 플로우차트이다. 동작 905에서, 기판이 처리를 위해 수신된다. 동작 910에서, 용액은 기판 표면에 도포된다. 용액은 물, 과산화수소 또는 물과 과산화수소의 혼합물, 또는 반응종이 여기에 설명된 대로 발생될 수 있는 다른 용액일 수 있다.
동작 915에서, 반응종이 용액에서 발생된다. 원하는 파장 및 강도의 광으로 용액을 조명하는 동작은 반응종을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 산화 라디칼은 물, 과산화수소 또는 그 조합을 함유하는 용액으로부터 발생될 수 있다.
동작 920에서, 반응종은 원하는 양의 유기 물질이 반응될 때까지 기판 표면에 도포된다. 반응종은 (예를 들어, 도 2 내지 5에 상술한 바와 같이) 기판 표면에서 또는 (예를 들어, 도 6 내지 8에 상술한 바와 같이) 기판 표면의 "상류에서" 발생될 수 있다. 기판의 표면 상에서, 반응종은 유기 물질 (예를 들어, 유기층 또는 유기 잔류물) 의 적어도 일부분과 용이하게 반응한다.
옵션인 동작 925에서, 반응종의 발생은 정지될 수 있고, 그 표면은 임의의 반응한 유기 물질을 제거하도록 린스될 수 있다. 이후, 방법 동작은 종료할 수 있다.
상기의 실시형태에 의해, 본 발명은 컴퓨터 시스템에 저장된 데이터를 포함하는 다양한 컴퓨터-구현 동작을 채용할 수도 있다. 이들 동작은 물리양의 물리적인 조정이 요청된다. 보통, 필수적이지 않더라도, 이들 양은 저장, 이전, 결합, 비교 및 달리 조정될 수 있는 전기 또는 자기 신호의 형태를 취한다. 또한, 수행되는 조정은 생성, 식별, 결정 또는 비교와 같은 용어로 지칭된다.
본 발명의 부분을 형성하는 여기에 설명된 임의의 동작은 유용한 기계 동작이다. 또한, 본 발명은 이들 동작을 수행하는 디바이스 또는 장치에 관련된다. 그 장치는 요청되는 목적을 위해 특별히 구성될 수도 있거나, 컴퓨터에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화 또는 설정되는 범용 컴퓨터일 수도 있다. 특히, 다양한 범용 기계가 여기의 교시에 따라 기록된 컴퓨터 프로그램으로 이용될 수도 있거나, 요청된 동작을 수행하는데 더욱 전문화된 장치를 구성하는 것이 더 편리할 수도 있다.
또한, 본 발명은 컴퓨터 판독가능 매체상의 컴퓨터 판독가능 코드로서 수록될 수 있다. 컴퓨터 판독가능 매체는 이후에 컴퓨터 시스템에 의해 판독될 수 있는 데이터를 저장할 수 있는 임의의 데이터 저장 디바이스이다. 컴퓨터 판독가능 매체의 예는 하드 드라이브, 네트워크 부착 저장 (NAS), 판독전용 메모리, 랜덤-액세스 메모리, CD-ROM, CD-R, CD-RW, 마그네틱 테이프, 및 다른 광학 및 비광 학 데이터 저장 디바이스를 포함한다. 또한, 컴퓨터 판독가능 매체는 네트워크 결합 컴퓨터 시스템을 통해 분배되어, 컴퓨터 판독가능 코드가 분배된 방식으로 저장 및 실행되게 한다.
상기 도면의 동작에 의해 나타낸 지시는 도시된 순서로 수행될 것이 요청되지 않고, 동작에 의해 나타낸 모든 처리는 본 발명을 실행하는데 필요하지 않을 수도 있다. 또한, 임의의 상기 도면에 설명된 프로세스는 RAM, ROM, 또는 하드 디스크 드라이브 중 임의의 하나 또는 그 조합에 저장된 소프트웨어 내에서 구현될 수 있다.
전술한 발명이 이해의 명확화의 목적을 위해 상세히 설명되었더라도, 일정 변경 및 수정은 첨부된 청구항의 범위 내에서 실행될 수 있다. 따라서, 본 실시형태는 예시적으로 간주되고, 제한적이지 않으며, 본 발명은 여기에 주어진 상세한 설명에 제한되지 않고, 본 첨부된 청구항의 범위 및 동등물 내에서 변경될 수도 있다.

Claims (23)

  1. 기판의 표면상에 용액을 도포하는 단계로서, 하나 이상의 반응종이 상기 용액에 광을 적용함으로써 상기 용액의 해리에 의해 생성되는, 상기 도포 단계;
    상기 기판상에서 제 1 물질을 반응시키는 단계; 및
    상기 기판으로부터 상기 반응한 제 1 물질을 제거하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 H2O2 또는 H2O로 구성된 그룹 중 하나 이상을 포함하는, 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응종은 O3, O2, OH, O 또는 OOH로 구성된 그룹 중 하나 이상을 포함하는, 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 자외선인, 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은, 상기 용액이 상기 기판의 표면에 접촉하기 전에 상기 용액에 적용되는, 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은, 상기 용액이 상기 기판의 표면에 접촉하는 시간의 적어도 일부 동안 상기 용액에 적용되는, 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 약 300 nm 이하의 파장을 가진, 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 약 180 nm 내지 약 220 nm의 파장을 가진, 기판 처리 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 시준되는, 기판 처리 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 펄스화되는, 기판 처리 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 광에 노출되는 상기 제 1 물질의 실질적으로 일부만이 반응하는, 기판 처리 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 표면에 상기 용액을 도포하는 단계는, 상기 반응종의 재결합 길이 보다 더 얇은 두께를 가진 상기 기판의 표면상에 상기 용액의 층을 형성하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 10 퍼센트 농도의 H2O2를 포함하는, 기판 처리 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 물질은 유기 물질인, 기판 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 물질은 마스크층에서 패턴을 통해 노출되는, 기판 처리 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 표면에 상기 용액을 도포하는 단계는 동적 유체 메니스커스를 통해 상기 용액을 도포하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 표면을 린스하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  18. 기판을 지지하는 기판 지지대;
    상기 기판의 표면상에 지지되는 용액층; 및
    반응종을 생성하기 위해 상기 용액을 해리시킬 수 있는 에너지 소스를 포함하는, 기판 처리 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 에너지 소스는 광 소스인, 기판 처리 시스템.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 에너지 소스는 UV 광 소스인, 기판 처리 시스템.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 에너지 소스는 인클로저에 포함된, 기판 처리 시스템.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 에너지 소스는 근접 헤드에 포함되며,
    상기 용액층은 동적 유체 메니스커스 내의 상기 기판의 표면상에 지지되는, 기판 처리 시스템.
  23. 기판의 유기층을 에칭하는 시스템으로서,
    기판을 지지하는 기판 지지대로서, 상기 기판은 패터닝된 마스크층이 유기층 상에 형성되게 하고, 상기 유기층의 제 1 부분은 상기 마스크층에서 상기 패턴의 제 1 부분에 의해 노출되는, 상기 기판 지지대;
    상기 기판의 상부 표면상에 지지되는 용액층; 및
    하나 이상의 반응종을 생성하기 위해 상기 용액을 해리시킬 수 있는 광 소스를 포함하는, 에칭 시스템.
KR1020067027743A 2004-06-28 2005-06-23 기판을 세정 및 에칭하는 시스템 및 방법 KR20070026687A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88000704A 2004-06-28 2004-06-28
US10/880,007 2004-06-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070026687A true KR20070026687A (ko) 2007-03-08

Family

ID=35786645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067027743A KR20070026687A (ko) 2004-06-28 2005-06-23 기판을 세정 및 에칭하는 시스템 및 방법

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1782461A4 (ko)
JP (1) JP2008504714A (ko)
KR (1) KR20070026687A (ko)
CN (1) CN101006571A (ko)
TW (1) TWI271793B (ko)
WO (1) WO2006012174A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140022653A (ko) * 2012-08-14 2014-02-25 주식회사 동진쎄미켐 광분해 고도산화공정을 이용한 금속막의 연마 장치 및 방법
KR20160084449A (ko) * 2013-11-11 2016-07-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 자외선 처리를 이용하여 금속 하드마스크의 제거를 강화시키는 시스템 및 방법
KR20160086375A (ko) * 2013-11-11 2016-07-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 후 폴리머의 제거 및 하드마스크 제거의 향상을 위한 방법 및 하드웨어

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010236088A (ja) * 2009-03-09 2010-10-21 Hitachi High-Technologies Corp マスク部材のクリーニング装置及びクリーニング方法並びに有機ｅｌディスプレイ
US20130068264A1 (en) * 2011-09-21 2013-03-21 Nanya Technology Corporation Wafer scrubber apparatus
US10867815B2 (en) 2018-09-04 2020-12-15 Tokyo Electron Limited Photonically tuned etchant reactivity for wet etching
US10896824B2 (en) * 2018-12-14 2021-01-19 Tokyo Electron Limited Roughness reduction methods for materials using illuminated etch solutions

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5512123A (en) * 1992-05-19 1996-04-30 Maxwell Laboratories Method for using pulsed optical energy to increase the bondability of a surface
US5782986A (en) * 1996-01-11 1998-07-21 Fsi International Process for metals removal using beta-diketone or beta-ketoimine ligand forming compounds
US6631726B1 (en) * 1999-08-05 2003-10-14 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Apparatus and method for processing a substrate
JP2001118818A (ja) * 1999-08-12 2001-04-27 Uct Kk 紫外線処理装置及び紫外線処理方法
JP3961240B2 (ja) * 2001-06-28 2007-08-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140022653A (ko) * 2012-08-14 2014-02-25 주식회사 동진쎄미켐 광분해 고도산화공정을 이용한 금속막의 연마 장치 및 방법
KR20160084449A (ko) * 2013-11-11 2016-07-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 자외선 처리를 이용하여 금속 하드마스크의 제거를 강화시키는 시스템 및 방법
KR20160086375A (ko) * 2013-11-11 2016-07-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 후 폴리머의 제거 및 하드마스크 제거의 향상을 위한 방법 및 하드웨어
US10828680B2 (en) 2013-11-11 2020-11-10 Tokyo Electron Limited System and method for enhanced removal of metal hardmask using ultra violet treatment

Also Published As

Publication number Publication date
TW200608478A (en) 2006-03-01
EP1782461A2 (en) 2007-05-09
CN101006571A (zh) 2007-07-25
WO2006012174A3 (en) 2006-09-14
EP1782461A4 (en) 2008-05-28
JP2008504714A (ja) 2008-02-14
WO2006012174A2 (en) 2006-02-02
TWI271793B (en) 2007-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10347503B2 (en) Method and hardware for enhanced removal of post etch polymer and hardmask removal
US8206510B2 (en) Method and apparatus for an in-situ ultraviolet cleaning tool
JP3977807B2 (ja) 半導体ウエハなどのワークピースを取り扱う処理および装置
US5669979A (en) Photoreactive surface processing
JP3690619B2 (ja) 洗浄方法及び洗浄装置
JP3515521B2 (ja) 半導体ウェーハなどのワークピースの処理方法および処理装置
US6551409B1 (en) Method for removing organic contaminants from a semiconductor surface
KR20070026687A (ko) 기판을 세정 및 에칭하는 시스템 및 방법
US6235122B1 (en) Cleaning method and cleaning apparatus of silicon
US7682457B2 (en) Frontside structure damage protected megasonics clean
JP3776092B2 (ja) エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法
US20060112980A1 (en) Apparatus and method for treating surfaces of semiconductor wafers using ozone
WO2006031270A1 (en) System and methods for surface cleaning
JP2011124410A (ja) 半導体基板の表面処理装置及び方法
US6627846B1 (en) Laser-driven cleaning using reactive gases
KR20170105439A (ko) 기판의 기상 히드록실 라디칼 프로세싱을 위한 시스템 및 방법
JP4088810B2 (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US6489590B2 (en) Laser removal of foreign materials from surfaces
US20090029548A1 (en) Method for removing polymer residue from metal lines of semiconductor device
JP3329200B2 (ja) 半導体装置の製造方法および装置
KR100585083B1 (ko) 초박막 게이트 산화막 형성 방법
JP2006120681A (ja) 被処理体の洗浄処理装置と洗浄処理方法
JPH09237772A (ja) 基板の清浄化処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid