JP2008098633A - インプリントリソグラフィ - Google Patents

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Abstract

【課題】インプリント可能な材料の薄い連続的な層を形成するのにかかる時間が増大すること、インプリントテンプレートと基板の間からガスを放出するのに時間がかかること、テンプレートと基板の間に挟まれたガスが閉じ込められて気泡が形成されること等を防止するインプリントリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】一実施形態では、インプリントテンプレートを実質的に二分する中立面を有するインプリントテンプレートを支持する支持構造物と、インプリントテンプレートが支持構造物によって支持されているときアクチュエータが支持構造物とインプリントテンプレートの側部との間に位置するように、ある位置に位置するアクチュエータとを含み、アクチュエータが、インプリントテンプレートの中立面から変位されている場所でインプリントテンプレートと接する、インプリントリソグラフィ装置が開示される。
【選択図】図4b

Description

[0001] 本発明は、インプリントリソグラフィに関する。
[0002] リソグラフィでは、所与の基板エリア上でフィーチャの密度を高めるために、リソグラフィパターン内のフィーチャのサイズを削減することが継続的に望まれている。フォトリソグラフィでは、より小さなフィーチャを求める努力により、液浸リソグラフィや極端紫外(EUV)リソグラフィなど諸技術が開発されているが、それらはかなりコストがかかる。
[0003] ますます関心を集めている、潜在的にそれほどコストがかからない、より小さなフィーチャへの道は、いわゆるインプリントリソグラフィであり、インプリントリソグラフィは、一般に、パターンを基板上に転写するためにテンプレートの使用を必要とする。インプリントリソグラフィの利点は、フィーチャの解像度が、たとえばフォトリソグラフィでの場合のように放射ビームの波長、または投影システムの開口数によって制限されず、主に(スタンプとも呼ばれる)テンプレート上のパターン密度によって制限されるにすぎないことである。インプリントリソグラフィに対する3つの主な手法があり、それらの例が、図1aから図1cに概略的に示されている。
[0004] 図1aは、あるタイプのインプリントリソグラフィの例を示し、これは、しばしばマイクロコンタクトプリンティングと呼ばれる。マイクロコンタクトプリンティングは、分子11(典型的には、チオールなどのインク)の層をテンプレート10(たとえば、ポリジメチルシロキサン(PDMS)テンプレート)から、基板12および平坦化/転写層12’によって支持されるレジスト層13上に転写することを必要とする。テンプレート10は、その表面上にフィーチャのパターンを有し、分子層は、フィーチャ上に配置される。テンプレートがレジスト層に押し付けられたとき、分子11の層がレジスト上に転写される。テンプレートを除去した後で、転写された分子層によって覆われていないレジストのエリアが基板までエッチングされるように、レジストがエッチングされる。マイクロコンタクトプリンティングに関するさらに多くの情報については、たとえば米国特許第6180239号を参照されたい。
[0005] 図1bは、いわゆるホットインプリントリソグラフィ(またはホットエンボッシング)の例を示す。典型的なホットインプリントプロセスでは、基板12の表面上に塗布(cast)されている熱硬化性または熱可塑性ポリマー樹脂15内に、テンプレート14が押される。たとえば、この樹脂は、基板表面上に、または図の例のように平坦化/転写層12’上にスピンコートされ、ベークされる。熱硬化性ポリマー樹脂が使用されるとき、樹脂はある温度に加熱され、その結果、テンプレートと接触したとき、樹脂は、テンプレート上に画定されたパターンフィーチャに流れ込むように十分流動可能なものとなる。次いで、樹脂を熱硬化(架橋)するために樹脂の温度が高められ、その結果、樹脂は凝固し、所望のパターンを不可逆的に身に付ける。次いで、テンプレートを除去し、パターン形成された樹脂を冷却させることができる。熱可塑性ポリマー樹脂の層を使用するホットインプリントリソグラフィでは、熱可塑性樹脂が、テンプレートでインプリントされる直前に自由に流動可能な状態になるように加熱される。熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりかなり高い温度に樹脂を加熱することが必要となる可能性がある。テンプレートが流動可能な樹脂に押し込まれ、次いで、パターンを硬化するために、テンプレートが定位置にある状態で、そのガラス転移温度未満に冷却される。その後で、テンプレートが除去される。パターンは、樹脂の残りの層から浮き彫りにされたフィーチャを備えることになり、次いで、その残りの層を適切なエッチングプロセスによって除去し、パターンフィーチャだけを残すことができる。ホットインプリントリソグラフィプロセスで使用される熱可塑性ポリマー樹脂の例は、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリスチレン、ポリ(ベンジルメタクリレート)、またはポリ(シクロヘキシルメタクリレート)である。ホットインプリントに関するさらに多くの情報については、たとえば米国特許第4731155号および第5772905号を参照されたい。
[0006] 図1cは、UVインプリントリソグラフィの例を示し、これは、透明テンプレート、およびレジストとしてUV硬化可能な液体の使用を必要とする(「UV」という用語は、ここでは便宜上使用されるが、レジストを硬化するための任意の好適な化学線を含むものとして解釈すべきである)。UV硬化可能な液体は、しばしば、ホットインプリントリソグラフィで使用される熱硬化性または熱可塑性樹脂より粘性が低く、したがって、はるかに速く移動してテンプレートフィーチャを充填する可能性がある。石英テンプレート16が、図1bのプロセスと同様の形でUV硬化可能な樹脂17に付けられる。しかし、ホットインプリントのように加熱または温度サイクリングを使用するのではなく、テンプレートを介して樹脂上に与えられるUV放射で樹脂を硬化することによって、パターンが「凍結」される。テンプレートを除去した後で、パターンは、樹脂の残りの層から浮き彫りにされたフィーチャを備えることになり、次いで、その残りの層を適切なエッチングプロセスによって除去し、パターンフィーチャだけを残すことができる。UVインプリントリソグラフィによって基板をパターン形成する特定のやり方は、いわゆるステップ・アンド・フラッシュインプリントリソグラフィ(SFIL)であり、これは、たとえばIC製造で従来使用されている光学ステッパと同様の形で、いくつかの後続のステップにおいて基板をパターン形成するために使用することができる。UVインプリントに関するさらに多くの情報については、たとえば米国特許出願公開第2004−0124566号、米国特許第6334960号、PCT特許出願公開第WO02/067055号、J.Haismaによる「Mold−assisted nanolithography: A process for reliable pattern replication」(J.Vac.Sci.Technol.B14(6)、1996年11月/12月)という表題の論文を参照されたい。
[0007] 上記のインプリント技法の組合せもまた可能である。たとえば、レジストを加熱しUV硬化する組合せについて述べている米国特許出願公開第2005−0274693号を参照されたい。
[0008] インプリントリソグラフィに対する上述の手法、特にホットインプリントリソグラフィおよびUVインプリントリソグラフィでは、インプリント可能な材料(たとえば、インプリント液)が基板とテンプレートの間に挟まれ、テンプレートのエリア全体にわたって薄い連続的な層を形成する。インプリント可能な材料が基板とテンプレートの間に挟まれたとき、材料が外向きに押し出され、最終的に材料の薄い連続的な層を形成する。同時に、テンプレートと基板の間に存在するガス(たとえば、空気)もまた挟まれる。テンプレートが基板に接近するにつれて、インプリント可能な材料およびガスが外向きに、またテンプレートのフィーチャの周りで流れるのがより困難になる。テンプレートが基板に近づくほど、インプリント可能な材料は、流れるのがより遅くなる。したがって、インプリント可能な材料がゆっくり流れるため、薄い連続的な層を形成するのにかかる時間が増大する。同様に、テンプレートが基板に近づくほど、インプリントテンプレートと基板の間からガスを放出するのに、より長くかかる。また、テンプレートと基板の間に挟まれたガスが閉じ込められるおそれがあり、インプリントパターン内に欠陥を引き起こす気泡を形成する可能性がある。
[0009] 本発明の一態様によれば、支持構造物によって支持されたインプリントテンプレートと、支持構造物とインプリントテンプレートの側部との間に位置するアクチュエータとを備え、インプリントテンプレートが、インプリントテンプレートを実質的に二分する中立面を有し、アクチュエータが、インプリントテンプレートの中立面から変位されている場所でインプリントテンプレートと接する、インプリントリソグラフィ装置が提供される。
[00010] 本発明の一態様によれば、インプリントテンプレートを保持するのに適し、支持構造物によって支持されるインプリントテンプレートホルダと、支持構造物とインプリントテンプレートホルダの側部との間に位置するアクチュエータとを備え、インプリントテンプレートホルダが、インプリントテンプレートホルダを実質的に二分する中立面を有し、アクチュエータが、インプリントテンプレートホルダの中立面から変位されている場所でインプリントテンプレートホルダと接する、インプリントリソグラフィ装置が提供される。
[00011] 本発明の一態様によれば、インプリントテンプレートの側部に力を与えるステップを含み、インプリントテンプレートが、インプリントテンプレートを実質的に二分する中立面を有し、力が、インプリントテンプレートの中立面から変位されている場所で与えられ、力を与えることにより、インプリントテンプレートが曲がり、外向きに湾曲した表面を形成する、インプリントリソグラフィ方法が提供される。
[00012] 本発明の一態様によれば、インプリントテンプレートを保持しているインプリントテンプレートホルダの側部に力を与えるステップを含み、インプリントテンプレートホルダが、インプリントテンプレートホルダを実質的に二分する中立面を有し、力が、インプリントテンプレートホルダの中立面から変位されている場所で与えられ、力を与えることにより、インプリントテンプレートホルダが曲がり、テンプレートホルダが曲がることにより、インプリントテンプレートが曲がり、外向きに湾曲した表面を形成する、インプリントリソグラフィ方法が提供される。
[00013] 本発明の一態様によれば、インプリントテンプレートを実質的に二分する中立面を有するインプリントテンプレートを支持する支持構造物と、インプリントテンプレートが支持構造物によって支持されているときアクチュエータが支持構造物とインプリントテンプレートの側部との間に位置するように、ある位置に位置するアクチュエータとを備え、アクチュエータが、インプリントテンプレートの中立面から変位されている場所でインプリントテンプレートと接する、インプリントリソグラフィ装置が提供される。
[00014] 本発明の一態様によれば、インプリントテンプレートホルダを支持する支持構造物を備え、支持構造物がアクチュエータを備え、アクチュエータが、インプリントテンプレートホルダが支持構造物によって支持されているときアクチュエータが支持構造物とインプリントテンプレートホルダの側部との間に位置するように、ある位置に位置し、インプリントテンプレートホルダが、インプリントテンプレートホルダを実質的に二分する中立面を有し、アクチュエータが、インプリントテンプレートホルダの中立面から変位されている場所でインプリントテンプレートホルダと接する、インプリントリソグラフィ装置が提供される。
[00015] 次に、本発明の実施形態について、対応する符号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照しながら、例としてのみ述べる。
[00022] 図2aは、インプリントプロセス、具体的にはホットインプリントプロセスまたはUVインプリントプロセスを概略的に示す。インプリントテンプレート22が、基板21の真上に配置される。インプリント液20の液滴は、図では、基板21上に堆積される(しかし、インプリント液20の液滴は、インプリントテンプレート22上に提供される可能性がある)。基板21とインプリントテンプレート22の間に間隙があり、この間隙は、ガス23で充填される。
[00023] 図2bは、基板21に近づけられ、インプリント液20に接触されたインプリントテンプレート22、および/またはその逆を示す。インプリントテンプレート22がインプリント液20に接触したとき、インプリントテンプレート22と基板21の間の間隙が減少する。同時に、インプリント液20の各液滴によって覆われた、基板21の面積が増大する。したがって、インプリントテンプレート22と基板21の間の間隙が減少するため、インプリント液20は、さらに遠くに流れなければならない。インプリントテンプレート22が基板21に近づけられたとき、たとえばインプリントテンプレート22が抵抗を受ける。この抵抗は、インプリント液20の流れに対する抵抗に起因すると考えられ、また、インプリントテンプレート22と基板21の間のガス23の圧縮によるものである可能性がある。たとえばインプリントテンプレート22が基板21に近づけられたとき、一部のガス23がインプリントテンプレート22と基板21の間の間隙から押し出されることになり、一部のガス23は、インプリントテンプレート22と基板21の間の小さなポケット23a内に残る可能性がある。これらのガスポケット23aは、インプリントパターンから移動することが困難または不可能であるおそれがあり、したがって、インプリントテンプレート22によって形成されるインプリントパターン内で欠陥を引き起こす。
[00024] 図2aおよび図2bから、図のインプリントプロセスは、インプリントテンプレート22と基板21の間の間隙が減少したとき、増大された液体流および増大された抵抗により遅くなることがわかる。図2aおよび図2bはまた、インプリントパターン内で欠陥を引き起こす可能性があるガスポケット23aが形成され得ることを示す。1つまたは複数のこれらの問題を解決するために、インプリントテンプレート22がインプリント液20と接触したとき、インプリントテンプレート22と基板21の間の間隙がインプリントテンプレート22の中心から縁部にかけて増大するように、インプリントテンプレート22を曲げることが提案される。
[00025] 図3aは、曲げられたテンプレート22を示す。テンプレートは、基板21上に堆積されたインプリント液20上にパターンを刻むために、外向きに湾曲した表面が使用されるように曲げられる。図3bは、インプリント液20と接触する、曲げられたインプリントテンプレート22を示す。インプリントテンプレート22の外向きに湾曲した表面が、インプリント液20内にパターンを与えるために使用されるため、インプリントテンプレート21と基板22の間の間隙がインプリントテンプレート22の中心から縁部にかけて増大する。
[00026] インプリントテンプレート22と基板21の間の間隙がインプリントテンプレート22の中心から縁部にかけて増大するため、インプリント液20およびガス23は、インプリントテンプレート22の中心から離れて、より容易に流れることができる。インプリント液20およびガス23がより容易に流れることができるため、インプリントテンプレート22は、インプリント液20と接触したとき受ける抵抗が少なくなり、これはインプリントプロセスをより容易に行うことができることを意味する。さらに、インプリントテンプレート22の湾曲によりガス23がインプリントテンプレート22の中心から押し離されるため、ガスポケットがインプリントパターン内で形成する機会が低減される可能性がある。
[00027] 曲げられたインプリントテンプレート22がインプリント液20と接触した後で、インプリントテンプレート22をインプリント液20上に平坦化し、パターンをインプリント液20に刻み込むことができる。
[00028] インプリントテンプレート22を曲げるために、インプリント液と接触しないインプリントテンプレート22の側部(すなわち、インプリントテンプレート22の「裏面backside」)に設けられた圧力チャンバを使用することが提案される。圧力チャンバ内の圧力が、インプリントテンプレートを曲げるように増減される。しかし、インプリントテンプレートの裏面で圧力チャンバを使用することの欠点は、圧力のこれらの変化を与えるために、圧力チャンバがインプリントテンプレートの裏面に位置しなければならないことである。したがって、圧力チャンバの使用は、たとえばインプリント液20を硬化させるために使用されるUV放射の経路を遮る可能性がある。別の問題は、圧力チャンバの使用により、圧力チャンバを気密に維持する必要がある点で、厳しい構造上の制限が課される可能性があることである。圧力チャンバ内の圧力の変化により、インプリントテンプレート22が所期の方と反対の方に曲がることさえできる可能性があり、これは望ましくない。
[00029] 図4aおよび図4bは、本発明の一実施形態によるインプリント装置を示す。図4aは、装置の下面図を示し、図4bは、線I−Iに沿った図4aの装置の部分断面図を示す。
[00030] この装置は、実質的に平面状であるインプリントテンプレート30を含む。インプリントテンプレート30は、2つの実質的に正方形の表面を有し、その一方は、パターン形成領域30aを備え、その他方は、「裏面」30b(すなわち、インプリントテンプレート30の非パターン形成領域)として知られる。インプリントテンプレート30はまた、インプリントテンプレート30の周りに延在する4つの周辺側部を有する。支持構造物31が、インプリントテンプレート30の周囲に延びている。支持構造物31は、インプリントテンプレート30の周面を押し付けるピエゾ素子(圧電素子)32を使用して、インプリントテンプレート30を定位置で保持する。別法として、ピエゾ素子32は、インプリントテンプレート30内の1つまたは複数の凹部またはガイド(など)内に収容することができる。
[00031] 図4aは、インプリントテンプレート30の各側部が、たとえば7つのピエゾ素子32によって支持されることを示す。しかし、図4bから、インプリントテンプレート30を支持構造物31に取り付ける2層のピエゾ素子があることがわかる。第1の層のピエゾ素子32aは、インプリントテンプレート30の中立面NPの上方に位置する。ピエゾ素子32の第2の層は、インプリントテンプレート30の中立面NPの下方に位置する。第1の層のピエゾ素子32aおよび第2の層のピエゾ素子32bは、実質的に互いに平行に、また支持構造物31の各それぞれの側部に沿って延びる。
[00032] 純曲げで荷重されたとき、インプリントテンプレート30の中立面NPは、圧縮応力および引っ張り応力がゼロである所で平面である。中立面NPは、インプリントテンプレート30を介して、それを横切って延び、インプリントテンプレート30の周面のそれぞれを実質的に二分する。インプリントテンプレート30の中心に向かって導かれる力がインプリントテンプレート30の周面に与えられた場合、その力が中立面NPの上方に与えられるか、それとも下方に与えられるかに応じて、インプリントテンプレート30を(図4bに示されているインプリントテンプレート30の向きに対して)上または下に曲げることができる。一般に、インプリントテンプレート30は、力をインプリントテンプレートの側部に与えることによって曲げることができ、その力は、その側部を実質的に二分する中立面から変位された位置で与えられる。
[00033] 図5aから図5cは、インプリントテンプレート30を曲げるためにピエゾ素子32a、32bの層をどのように使用することができるかを示す。図5aから、電位差がピエゾ素子32a、32bの層にわたって与えられないとき、ピエゾ素子32a、32bは伸張も収縮もしないことがわかり、これはインプリントテンプレート30の周面に向かって、または周面から力が与えられないことを意味する。
[00034] 図5bでは、第1の層のピエゾ素子32aにわたって電圧が与えられており、その結果、ピエゾ素子は、テンプレート31の中心に向かって、また中立面NPの上方で力を与える。そのような力を与えることにより、インプリントテンプレートが下向きに曲がることがわかる。したがって、図5bは、電圧が上部層のピエゾ素子32aにわたって与えられたとき、ピエゾ素子32aは、インプリントテンプレート30の中立面NPの上方でインプリントテンプレート30の周縁部を押し付ける。上部層のピエゾ素子32aがそのような力を与えさせられたとき、インプリントテンプレート30は、強制的に下向きに曲げられ、これはまた、インプリントテンプレート30のパターン形成領域30aを下向きに曲げさせる。
[00035] パターン形成領域30aを含むインプリントテンプレート30が下向きに曲げられたとき、インプリントテンプレート30は、図3aおよび図3bの曲げられたテンプレート22に関連して述べられているものと同じやり方で使用することができる。曲げられたインプリントテンプレート30が、基板上に堆積されたインプリント液と接触した後で、上部層のピエゾ素子32aによってインプリントテンプレートに与えられた力を除去する(すなわち、上部層のピエゾ素子32aにわたる電圧がゼロに削減される)ことができる。たとえばインプリントテンプレートにその中立面NPの上方で与えられた力が除去されたとき、インプリントテンプレート30は、平らな状態に弛緩することになり、インプリントテンプレート30のパターン形成領域30aを平らな状態に弛緩させる。インプリントテンプレート30のパターン形成領域30aが平らな状態に弛緩すると、パターン形成領域30aのパターンの外縁部がインプリント液と接触することになり、テンプレート30が平坦化したとき液体およびガスを押し出し、液体の連続的な層を形成する。インプリントテンプレート30が平坦化された後で、パターンを(液体を加熱または冷却することにより、あるいはUV放射に曝すことによって)基板上のインプリント液に永久的に刻み込むことができる。
[00036] 図5cは、中立面NPの上方および下方で力を与えることにより、インプリントテンプレートをどのようにまっすぐにする(すなわち、伸ばす)ことができるかを示す。インプリントテンプレート30の中立面NPの上方および下方で等しい力が与えられるように、上部層のピエゾ素子32aにわたって、また下部層のピエゾ素子32bにわたって、電位差を与えることができる。中立面NPの上方および下方でそのような力を与えることは、インプリントテンプレート30を平坦化し、インプリントテンプレート30がインプリント液と接触したときインプリントテンプレート30を徐々に平坦化するために使用することができる。(上述のように)別法として、インプリントテンプレートは、力をインプリントテンプレートの側部に与えず、インプリントテンプレートが平らな状態に弛緩するのを許すことによって平坦化させることができる。
[00037] 図4および図5の実施形態について、支持構造物31によって支持されたインプリントテンプレート30を参照して述べた。代替の実施形態が、図6に示されている。図6では、インプリントテンプレート40が、テンプレートホルダ41によって保持される。次いで、テンプレートホルダ41は、上述のものと同じ形で、ピエゾ素子32を介して支持構造物31によって支持される。インプリントテンプレート30がどのように曲げられるかに関する図4および図5の説明の諸部は、図6のテンプレートホルダ41を曲げることに同等に当てはまる。インプリントホルダ41の側部に、その中立面NPから変位されて与えられる力により、ホルダが曲がることになる。インプリントテンプレート40は、テンプレートホルダ41が曲がることによりインプリントテンプレート40が曲がるような形で、テンプレートホルダ41によって保持される。
[00038] テンプレートホルダ41は、支持構造物31から取外し可能であっても、ピエゾ素子32によって支持構造物31に固定されてもよい。テンプレートホルダ41は、様々なインプリントテンプレートをインプリントホルダと共に使用することができるように、インプリントテンプレート40を解放可能に保持することができる。インプリントテンプレート40は、任意の好適な手段、たとえば静電力、接着剤または他の固定用液体、あるいはナットおよびボルトまたは他の締結具など機械的手段を使用して、テンプレートホルダ41によって定位置で保持させることができる。
[00039] 上記の実施形態では、インプリントテンプレート30の中立面NPの上方および下方で力を与えることについて、単純なオン・オフの形で述べた。たとえば、インプリントテンプレート30の中立面NPの上方で力を与えることにより、インプリントテンプレート30が下向きに曲がることになる。しかし、インプリントテンプレート30の曲げは、インプリントテンプレート30の中立面NPの上方および下方で様々な大きさの力を与えることによって達成することができる。中立面NPの上方で与えられた力が中立面NPの下方で与えられた力より大きい場合、インプリントテンプレート30は、(図に示されている向きで)下向きに曲がることになる。中立面NPの下方で与えられた力が中立面NPの上方で与えられた力より大きい場合、インプリントテンプレートは、上向きに曲がることになる。中立面の上方および下方で与えられた力が実質的に等しい場合、インプリントテンプレート30は平らなままとなる、または曲げられた状態から平らな状態に戻ることになる。
[00040] ピエゾ素子の数、タイプ、および構成は、インプリントテンプレートの所望の曲げ量、およびインプリントテンプレートそれ自体の構造に応じて変わる可能性があることが理解されるであろう。たとえば、25mmのパターン形成領域と共に30mmの面積を有するインプリントテンプレートについては、ピエゾ素子の特に適切な構成は、インプリントテンプレートの4つの側部のそれぞれに配置された2層(上部および下部層)のピエゾ素子を有し、それらの層のそれぞれについて、7つのピエゾ素子を有する可能性がある。上部層のピエゾ素子のそれぞれが130Nの力を発生することができる場合、10N/mmの分散圧力がテンプレートの上半分に与えられる可能性があり、これはインプリントテンプレートを、必要とされる量まで曲げるのに十分なはずである。別法として、各層に7つのピエゾ素子を設けるのではなく、たとえば約900Nの力を発生する単一の細長いピエゾ素子を各層に設けることができる。任意の好適な数のピエゾ素子を使用することができる。
[00041] インプリントテンプレート30の曲げ量は、基板上に堆積されるインプリント液によって決まる可能性がある。たとえば、インプリント液が液滴の形態で基板上に堆積される場合、インプリントテンプレートの曲げが基板の外縁部で液滴の高さを確実に超えるようにすることが有用である可能性がある。これは、インプリント液およびガスが、インプリント液と接触するインプリントテンプレートに流れ込む、したがってインプリントテンプレートに対する抵抗を低減するための空間を有することを保証するべきである。たとえば、インプリント液の液滴が、高さが約20マイクロメートル以下である場合、インプリントテンプレート30の曲げは、曲げられたインプリントテンプレート30の中心と、インプリントテンプレート30の外縁部との間の高さの差が約30マイクロメートルであるように構成することができる。しかし、曲げは、たとえば約100マイクロメートルの、中心と外縁部の間の高さの差を誘導するように、より誇張することができることが理解されるであろう。インプリントテンプレート30の正確な曲げ量は、様々なプロセス基準、たとえばインプリント液の性質、およびインプリントプロセスの必要とされる速度によって決まる可能性がある。
[00042] 曲げられたインプリントテンプレートがインプリント液上に平坦化されるとき、インプリントパターンがインプリント液内で永久的に固定される前に、インプリントパターンに対して補正が必要とされる可能性がある。たとえば、インプリントテンプレートが歪むおそれがあり、これは、補正されない場合、インプリント液内に刻まれたパターン内で歪みを引き起こすことになる。これらの歪みは、インプリントテンプレートの側部に沿った様々な点に力を与えることによって補正することができる。別の例では、パターンをわずかに拡大または縮小することが必要となる可能性があり、その場合には、パターンを拡大または縮小するために、インプリントテンプレートの両側で力を与えることができる。必要とされる補正の正確な性質(たとえば、力の大きさ)は、実験による試行から、またはコンピュータモデリングから決定することができる。
[00043] インプリントテンプレート30に対して力を誘導させるために、ピエゾ素子32にわたって電圧が与えられるとき、等しい反対向きの力が、ピエゾ素子が取り付けられている支持構造物31に対して作用することになることが理解されるであろう。ピエゾ素子32によって誘導された力により支持構造物31が歪むのを防止するために、支持構造物31は、構造的に補強することができる。
[00044] また、ピエゾ素子は、テンプレートを曲げるために、必ずしもテンプレートの両側で力を与える必要はないことが理解されるであろう。たとえば、ピエゾ素子は、インプリントテンプレートの片側に力を与えることができ、テンプレートを当接表面に押し付ける。当接表面は、等しい反対向きの反力をもたらすことになり、テンプレートを曲げさせる。
[00045] 上述の実施形態では、インプリントテンプレート30の中立面NPの上方および下方で力を与えるためにピエゾ素子32を使用することについて述べた。しかし、ピエゾ素子32の使用が必須ではないことが理解されるであろう。必要とされることは、インプリントテンプレート30が曲がるように、インプリントテンプレート30の中立面NPの上方および/または下方でインプリントテンプレート30に力を与えることができることだけである。力は、インプリントテンプレートの周面(すなわち、側部)に与えられる。これらの力は、いくつかの好適なやり方のいずれか1つで与えることができることが理解されるであろう。たとえば、ピエゾ素子32を使用するのではなく、1つまたは複数の液圧ミニチュアピストンを使用することができ、あるいは、1つまたは複数の小型リニア電気モータおよびてこを使用することができる(てこは、リニアモータによって発生される力を拡大し、インプリントテンプレートを曲げるのに十分な大きさの力を発生させるために使用される)。別法として、あるいは追加として、インプリントテンプレートの1つまたは複数のセクションに熱を与え、いくつかの場所でそれを伸長させ、したがって曲げさせることができる。熱は、(たとえば、1つまたは複数の加熱要素を使用して)直接的に、または赤外放射を使用してインプリントテンプレートの1つまたは複数のセクションを照射することによって与えることができる。インプリントテンプレート30に対して力を与えることが可能な、任意の1つまたは複数の好適なアクチュエータを使用することができる。アクチュエータは、テンプレートに与えられる力を正確に制御することができるように、個々に制御可能なものとすることができる。1つまたは複数の列のアクチュエータを使用することができる。これらの列は、互いに平行に延びることができ、中立面のどちら側に配置されてもよい。
[00046] 力がインプリントテンプレート30の周面に与えられるので、上記で指摘した、テンプレート30を曲げるための圧力チャンバの着想の場合のようにインプリントテンプレート30の裏面が遮られない。
[00047] ピエゾ素子(または力を与えることが可能な、どの要素を使用しても)がインプリントテンプレートに取り付けられる、または接続される場合、インプリントテンプレートを引っ張り、必ずしも押し付けない力を使用することができる。したがって、インプリントテンプレートの曲げは、インプリントテンプレートの周縁部を、その中立面の上方または下方で押し付ける、かつ/または引っ張ることによって達成することができる。一般に、インプリントテンプレートの曲げは、インプリントテンプレートの中立面の上方および下方で与えられる力の大きさの差によって決まる。
[00048] 1つまたは複数の実施形態について、インプリント液に関連して述べたが、1つまたは複数の実施形態は、インプリント液を含むことができるインプリント可能な材料に、より広く適用することができることが理解されるであろう。
[00049] 上記の実施形態は例としてのみ提供されていることが、当業者には理解されるであろう。以下の特許請求の範囲によって規定される本発明から逸脱することなしに、これら、および他の実施形態に様々な修正を加えることができることが理解されるであろう。
[00016] それぞれマイクロコンタクトプリンティング、ホットインプリント、UVインプリントの例を概略的に示す図である。 [00016] それぞれマイクロコンタクトプリンティング、ホットインプリント、UVインプリントの例を概略的に示す図である。 [00016] それぞれマイクロコンタクトプリンティング、ホットインプリント、UVインプリントの例を概略的に示す図である。 [00017] インプリントプロセス中の液体およびガスの流れを概略的に示す図である。 [00017] インプリントプロセス中の液体およびガスの流れを概略的に示す図である。 [00018] 改良されたインプリントプロセス中の液体およびガスの流れを概略的に示す図である。 [00018] 改良されたインプリントプロセス中の液体およびガスの流れを概略的に示す図である。 [00019] 本発明の一実施形態によるインプリント装置を概略的に示す図である。 [00019] 本発明の一実施形態によるインプリント装置を概略的に示す図である。 [00020] 図4aおよび図4bの装置の使用を概略的に示す図である。 [00020] 図4aおよび図4bの装置の使用を概略的に示す図である。 [00020] 図4aおよび図4bの装置の使用を概略的に示す図である。 [00021] 本発明の他の実施形態を概略的に示す図である。

Claims (30)

  1. インプリントテンプレートを実質的に二分する中立面を有する前記インプリントテンプレートを支持する支持構造物と、
    前記インプリントテンプレートが前記支持構造物によって支持されているときアクチュエータが前記支持構造物と前記インプリントテンプレートの側部との間に位置するように、ある位置に位置するアクチュエータと、
    を備え、
    前記アクチュエータが、前記インプリントテンプレートの前記中立面から変位されている場所で前記インプリントテンプレートと接する、
    インプリントリソグラフィ装置。
  2. 前記インプリントテンプレートが前記支持構造物によって支持されているときアクチュエータが前記インプリントテンプレートの前記中立面の各側に位置する、
    請求項1に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  3. 前記インプリントテンプレートの反対側に接するように、さらなるアクチュエータが前記支持構造物の反対側に設けられる、
    請求項1に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  4. 前記アクチュエータが、複数のアクチュエータの1つである、
    請求項1に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  5. 前記アクチュエータが個々に制御可能である、
    請求項4に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  6. 前記アクチュエータが、前記支持構造物の側部に沿って延びる列を形成する、
    請求項4に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  7. 前記アクチュエータが、前記支持構造物の側部に沿って延びる2つの列を形成する、
    請求項4に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  8. 前記2つの列が、実質的に互いに平行である、
    請求項7に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  9. 7つのアクチュエータが設けられる、
    請求項4に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  10. 前記アクチュエータがピエゾ素子である、
    請求項1に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  11. インプリントテンプレートを保持するのに適し、支持構造物によって支持されるインプリントテンプレートホルダと、
    前記支持構造物と前記インプリントテンプレートホルダの側部との間に位置するアクチュエータと、
    を備え、
    前記インプリントテンプレートホルダが、前記インプリントテンプレートホルダを実質的に二分する中立面を有し、前記アクチュエータが、前記インプリントテンプレートホルダの中立面から変位されている場所で前記インプリントテンプレートホルダと接する、
    インプリントリソグラフィ装置。
  12. アクチュエータが前記インプリントテンプレートホルダの前記中立面の各側に位置する、
    請求項11に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  13. 前記インプリントテンプレートホルダの反対側に接するように、さらなるアクチュエータが前記支持構造物の反対側に設けられる、
    請求項11に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  14. 前記アクチュエータが、複数のアクチュエータの1つである、
    請求項11に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  15. 前記アクチュエータが個々に制御可能である、
    請求項14に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  16. 前記アクチュエータが、前記支持構造物の側部に沿って延びる列を形成する、
    請求項14に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  17. 前記アクチュエータが、前記支持構造物の側部に沿って延びる2つの列を形成する、
    請求項14に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  18. 前記2つの列が、実質的に互いに平行である、
    請求項17に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  19. 7つのアクチュエータが設けられる、
    請求項14に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  20. 前記アクチュエータがピエゾ素子である、
    請求項11に記載のインプリントリソグラフィ装置。
  21. インプリントテンプレートの側部に力を与えるステップを含み、前記インプリントテンプレートが、前記インプリントテンプレートを実質的に二分する中立面を有し、前記力が、前記インプリントテンプレートの前記中立面から変位されている場所で与えられ、前記力を与えることにより、前記インプリントテンプレートが曲がり、外向きに湾曲した表面を形成する、
    インプリントリソグラフィ方法。
  22. インプリント可能な表面にパターンを刻み込むために、前記インプリントテンプレートの前記外向きに湾曲した表面を使用するステップをさらに含む、
    請求項21に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  23. 前記インプリントテンプレートを平坦化するために、前記インプリントテンプレートの前記中立面のどちらかの側に力を与えるステップをさらに含む、
    請求項21に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  24. 前記インプリントテンプレートの歪みを補正するために前記インプリントテンプレートに力を与えるステップをさらに含む、
    請求項21に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  25. 前記インプリントテンプレートの拡大を補正するために、前記インプリントテンプレートの両側に力を与えるステップをさらに含む、
    請求項21に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  26. インプリントテンプレートを保持しているインプリントテンプレートホルダの側部に力を与えるステップを含み、前記インプリントテンプレートホルダが、前記インプリントテンプレートホルダを実質的に二分する中立面を有し、前記力が、前記インプリントテンプレートホルダの前記中立面から変位されている場所で与えられ、前記力を与えることにより、前記インプリントテンプレートホルダが曲がり、前記テンプレートホルダが曲がることにより、前記インプリントテンプレートが曲がり、外向きに湾曲した表面を形成する、
    インプリントリソグラフィ方法。
  27. インプリント可能な表面にパターンを刻み込むために、前記インプリントテンプレートの前記外向きに湾曲した表面を使用するステップをさらに含む、
    請求項26に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  28. 前記インプリントテンプレートホルダおよび前記インプリントテンプレートを平坦化するために、前記インプリントテンプレートホルダの前記中立面のどちらかの側に力を与えるステップをさらに含む、
    請求項26に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  29. 前記インプリントテンプレートの歪みを補正するために前記インプリントテンプレートホルダに力を与えるステップをさらに含む、
    請求項26に記載のインプリントリソグラフィ方法。
  30. 前記インプリントテンプレートの拡大を補正するために、前記インプリントテンプレートホルダの両側に力を与えるステップをさらに含む、
    請求項26に記載のインプリントリソグラフィ方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010046923A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Toshiba Corp テンプレートの洗浄方法及びパターン形成方法
JP2010080918A (ja) * 2008-08-19 2010-04-08 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ
JP2010272860A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ装置
JP2013055097A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Hitachi High-Technologies Corp 微細構造転写装置
JP2019135791A (ja) * 2010-08-05 2019-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. インプリントリソグラフィ

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7632088B2 (en) * 2006-10-20 2009-12-15 Provost Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin Cyclic loading system and methods for forming nanostructures
NL1036034A1 (nl) 2007-10-11 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Imprint lithography.
GB2468120B (en) * 2009-02-20 2013-02-20 Api Group Plc Machine head for production of a surface relief
JP5661666B2 (ja) * 2012-02-29 2015-01-28 株式会社東芝 パターン形成装置及び半導体装置の製造方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04158364A (ja) * 1990-10-23 1992-06-01 Fujitsu Ltd 投影露光装置
JPH09240125A (ja) * 1996-03-04 1997-09-16 Motorola Inc 物品の面をスタンピングするための装置および方法
WO2004006076A2 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 Aurora Wireless Technologies, Ltd. Biometric private key infrastructure
JP2004523906A (ja) * 2000-10-12 2004-08-05 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート
US20050189767A1 (en) * 2002-08-21 2005-09-01 Gremco S.A. Spacer for putting into place on a tubular element
JP2005527406A (ja) * 2002-05-27 2005-09-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ スタンプから基板にパターンを転写する方法及び装置
JP2006018975A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Kawamura Seisakusho:Kk 転写印刷機及び転写印刷方法
JP2006510223A (ja) * 2002-12-13 2006-03-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 基板の面曲がりを使用する倍率補正
JP2006352115A (ja) * 2005-06-08 2006-12-28 Asml Netherlands Bv ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007531985A (ja) * 2004-02-18 2007-11-08 コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・メタルズ 分離可能な独立駆動型モジュールを有するインプリンティング装置
JP2007535121A (ja) * 2003-07-09 2007-11-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィ・プロセスにおける倍率拡大及びゆがみを補正するためのシステム
JP2008504141A (ja) * 2004-06-03 2008-02-14 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノスケール加工中に基板の寸法を変更する装置、システムおよび方法
JP2009517882A (ja) * 2005-12-01 2009-04-30 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 固化したインプリンティング材料からモールドを分離する方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4731155A (en) 1987-04-15 1988-03-15 General Electric Company Process for forming a lithographic mask
US6180239B1 (en) 1993-10-04 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Microcontact printing on surfaces and derivative articles
US5772905A (en) 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
EP1594001B1 (en) 2004-05-07 2015-12-30 Obducat AB Device and method for imprint lithography

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04158364A (ja) * 1990-10-23 1992-06-01 Fujitsu Ltd 投影露光装置
JPH09240125A (ja) * 1996-03-04 1997-09-16 Motorola Inc 物品の面をスタンピングするための装置および方法
JP2004523906A (ja) * 2000-10-12 2004-08-05 ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート
JP2005527406A (ja) * 2002-05-27 2005-09-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ スタンプから基板にパターンを転写する方法及び装置
WO2004006076A2 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 Aurora Wireless Technologies, Ltd. Biometric private key infrastructure
US20050189767A1 (en) * 2002-08-21 2005-09-01 Gremco S.A. Spacer for putting into place on a tubular element
JP2006510223A (ja) * 2002-12-13 2006-03-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 基板の面曲がりを使用する倍率補正
JP2007535121A (ja) * 2003-07-09 2007-11-29 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィ・プロセスにおける倍率拡大及びゆがみを補正するためのシステム
JP2007531985A (ja) * 2004-02-18 2007-11-08 コリア・インスティテュート・オブ・マシナリー・アンド・メタルズ 分離可能な独立駆動型モジュールを有するインプリンティング装置
JP2008504141A (ja) * 2004-06-03 2008-02-14 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノスケール加工中に基板の寸法を変更する装置、システムおよび方法
JP2006018975A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Kawamura Seisakusho:Kk 転写印刷機及び転写印刷方法
JP2006352115A (ja) * 2005-06-08 2006-12-28 Asml Netherlands Bv ステージ装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009517882A (ja) * 2005-12-01 2009-04-30 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 固化したインプリンティング材料からモールドを分離する方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080918A (ja) * 2008-08-19 2010-04-08 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ
JP2010046923A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Toshiba Corp テンプレートの洗浄方法及びパターン形成方法
JP4695679B2 (ja) * 2008-08-21 2011-06-08 株式会社東芝 テンプレートの洗浄方法及びパターン形成方法
US8501058B2 (en) 2008-08-21 2013-08-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning template and pattern forming method
JP2010272860A (ja) * 2009-05-19 2010-12-02 Asml Netherlands Bv インプリントリソグラフィ装置
US8845320B2 (en) 2009-05-19 2014-09-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography apparatus
JP2019135791A (ja) * 2010-08-05 2019-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. インプリントリソグラフィ
US10890851B2 (en) 2010-08-05 2021-01-12 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US10908510B2 (en) 2010-08-05 2021-02-02 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US11635696B2 (en) 2010-08-05 2023-04-25 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2013055097A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Hitachi High-Technologies Corp 微細構造転写装置

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