JP4671860B2 - インプリント・リソグラフィ - Google Patents
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- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 156
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 124
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 80
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 33
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000001494 step-and-flash imprint lithography Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920005593 poly(benzyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002776 polycyclohexyl methacrylate Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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Description
製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、媒体に第1のインプリントを形成する工程であって、インプリントが製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた媒体から分離する工程と、
媒体の第2の目標領域を親テンプレートと接触させて、媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、第2のインプリントが製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた媒体から分離する工程を有している。
製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、媒体に第1のインプリントを形成する工程であって、第1のインプリントが第1のパターンのフィーチャ及び第1の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた媒体から分離する工程と、
媒体の第2の目標領域を親テンプレートと接触させて、媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、第2のインプリントが第2のパターンのフィーチャ及び第2の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた媒体から分離する工程と、
第1及び第2の厚さの減少した箇所をエッチングして、製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
製造テンプレート基板に製造テンプレートパターンを形成するように製造テンプレート基板の露出領域をエッチングして、製造テンプレートを画定する工程と、を有している。
光透明製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の目標領域を親テンプレートと接触させて、媒体に製造テンプレートパターンを画定するインプリントを形成する工程と、
親テンプレートをインプリントされた媒体から分離して光透明製造テンプレートを実現する工程と、を有している。
光透明製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の目標領域を親テンプレートと接触させて、媒体に製造テンプレートパターンを形成する工程であって、インプリントがパターンのフィーチャ及び厚さの減少した箇所を備えるものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた媒体から分離する工程と、
厚さの減少した箇所をエッチングして、光透明製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
光透明製造テンプレート基板に製造テンプレートパターンを形成するように光透明製造テンプレート基板の露出領域をエッチングして、光透明製造テンプレートを画定する工程と、を有している。
製造テンプレート基板上の第1のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体にインプリントを形成する工程であって、インプリントが製造テンプレートパターンの部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
第1の媒体の第2の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、第2のインプリントが製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離して、製造テンプレートを実現する工程と、
デバイス基板上の第2のインプリント可能媒体を製造テンプレートと接触させて、製造テンプレートパターンに対応するインプリントを前記第2の媒体に形成する工程と、
製造テンプレートをインプリントされた第2の媒体から分離する工程と、を有している。
製造テンプレート基板上の第1のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体に第1のインプリントを形成する工程であって、第1のインプリントが第1のパターンのフィーチャ及び第1の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
第1の媒体の第2の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、第2のインプリントが第2のパターンのフィーチャ及び第2の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
第1及び第2の厚さの減少した箇所をエッチングして製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
製造テンプレート基板に製造テンプレートパターンを形成するように製造テンプレート基板の露出領域をエッチングして、製造テンプレートを画定する工程と、
デバイス基板上の第2のインプリント可能媒体を製造テンプレートと接触させて、製造テンプレートパターンに対応するインプリントを第2の媒体に形成する工程と、
製造テンプレートをインプリントされた第2の媒体から分離する工程と、を有している。
製造テンプレート基板上の第1のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体に第1のインプリントを形成する工程であって、第1のインプリントが製造テンプレートパターンの部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
第1の媒体の第2の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、第2のインプリントが製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離して製造テンプレートを実現する工程と、
デバイス基板上の第2のインプリント可能媒体を製造テンプレートと接触させて、製造テンプレートパターンに対応するインプリントを第2の媒体に形成する工程であって、第2の媒体のインプリントがパターンのフィーチャ及び厚さの減少した箇所を備えるものである工程と、
製造テンプレートをインプリントされた第2の媒体から分離する工程と、
第2の媒体のインプリントの厚さの減少した箇所をエッチングしてデバイス基板の領域を露出させる工程と、
デバイス基板の露出領域をエッチングしてデバイス基板に製造テンプレートパターンを形成する工程と、を有している。
製造テンプレート基板上の第1のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体に第1のインプリントを形成する工程であって、第1のインプリントが第1のパターンのフィーチャ及び第1の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
第1の媒体の第2の目標領域を親テンプレートと接触させて、第1の媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、第2のインプリントが第2のパターンのフィーチャ及び第2の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
親テンプレートをインプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
第1及び第2の厚さの減少した箇所をエッチングして製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
製造テンプレート基板に製造テンプレートパターンを形成するように製造テンプレート基板の露出領域をエッチングして、製造テンプレートを画定する工程と、
デバイス基板上の第2のインプリント可能媒体を製造テンプレートと接触させて、製造テンプレートパターンに対応するインプリントを第2の媒体に形成する工程であって、第2の媒体のインプリントがパターンのフィーチャ及び厚さの減少した箇所を備えるものである工程と、
製造テンプレートをインプリントされた第2の媒体から分離する工程と、
第2の媒体のインプリントの厚さの減少した箇所をエッチングしてデバイス基板の領域を露出させる工程と、
デバイス基板の露出領域をエッチングしてデバイス基板に製造テンプレートパターンを形成する工程と、を有している。
インプリント可能媒体をその上に有する基板を保持するように構成された基板保持器と、
テンプレート保持器で支持された親テンプレートをインプリント可能媒体と接触させて製造テンプレートパターンの一部分を画定する第1のインプリントをその媒体に形成し、親テンプレートをインプリント可能媒体と接触させて製造テンプレートパターンの他の部分を画定する第2のインプリントをその媒体に形成し、さらに、親テンプレートをインプリントされた媒体から分離するように構成されたテンプレート保持器と、
エッチング装置と、を有している。
インプリント可能媒体をその上に有する基板を保持するように構成された基板保持器と、
テンプレート保持器で支持された親テンプレートをインプリント可能媒体と接触させて媒体に第1のインプリントを形成し、第1のインプリントは第1のパターンのフィーチャ及び第1の厚さの減少した箇所を備えかつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものであり、親テンプレートをインプリント可能媒体に接触させて媒体に第2のインプリントを形成し、第2のインプリントは第2のパターンのフィーチャ及び第2の厚さの減少した箇所を備えかつ製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものであり、さらに、親テンプレートをインプリントされた媒体から分離するように構成されたテンプレート保持器と、第1及び第2の厚さの減少した箇所をエッチングして製造テンプレート基板の領域を露出させ、かつ最終パターンを製造テンプレート基板に形成するように製造テンプレート基板の露出領域をエッチングして製造テンプレートを画定するように構成されたエッチング装置と、を有している。
Claims (12)
- インプリント・リソグラフィ用の製造テンプレートを製造する方法であって、
製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、前記媒体に第1のインプリントを形成する工程であって、前記第1のインプリントが第1のパターンのフィーチャ及び第1の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、
前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、
前記媒体の第2の目標領域を前記親テンプレートと接触させて、前記媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、前記第2のインプリントが第2のパターンのフィーチャ及び第2の厚さの減少した箇所を備え、かつ前記製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、
前記第1及び第2の厚さの減少した箇所をエッチングして、前記製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
前記製造テンプレート基板に前記製造テンプレートパターンを形成するように前記製造テンプレート基板の前記露出領域をエッチングして、製造テンプレートを画定する工程と、を有し、
前記製造テンプレート基板及び前記親テンプレートが同じ又は同様な材料からなることを特徴とする、方法。 - 前記第1の目標領域及び前記第2の目標領域が互いに横方向に間隔を開けて配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の目標領域及び前記第2の目標領域が前記製造テンプレート基板に別々に設けられる、請求項2に記載の方法。
- 前記製造テンプレートパターンが前記製造テンプレート基板の表面の全てを実質的に覆っている、請求項1乃至3の何れかに記載の方法。
- 前記製造テンプレート基板の前記露出領域が、CHF3、CF4、O2、CL2、HBr及びSF6から成るグループから選ばれたエッチング剤を使用してエッチングされる、請求項1乃至4の何れかに記載の方法。
- 前記インプリント可能媒体が、光硬化可能材料、熱硬化可能材料、及び熱可塑性重合体材料から成るグループから選ばれる、請求項1乃至5の何れかに記載の方法。
- インプリント・リソグラフィ用の光透明製造テンプレートを製造する方法であって、
光透明製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の目標領域を親テンプレートと接触させて、前記媒体に製造テンプレートパターンを画定するインプリントを形成する工程であって、前記インプリントがパターンのフィーチャ及び厚さの減少した箇所を備えている工程と、
前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、
前記厚さの減少した箇所をエッチングして、前記光透明製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
前記光透明製造テンプレート基板に前記製造テンプレートパターンを形成するように前記光透明製造テンプレート基板の前記露出領域をエッチングして、光透明製造テンプレートを画定する工程と、を有し、
前記製造テンプレート基板及び前記親テンプレートが同じ又は同様な材料からなることを特徴とする、方法。 - 前記光透明製造テンプレートがUV放射に対して透明である、請求項7に記載の方法。
- 前記光透明製造テンプレート基板が石英で形成されている、請求項7または8に記載の方法。
- デバイス基板をパターン形成する方法であって、
製造テンプレート基板上の第1のインプリント可能媒体の第1の目標領域を親テンプレートと接触させて、前記第1の媒体に第1のインプリントを形成する工程であって、前記第1のインプリントが第1のパターンのフィーチャ及び第1の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、
前記親テンプレートを前記インプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
前記第1の媒体の第2の目標領域を前記親テンプレートと接触させて、前記第1の媒体に第2のインプリントを形成する工程であって、前記第2のインプリントが第2のパターンのフィーチャ及び第2の厚さの減少した箇所を備え、かつ前記製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
前記親テンプレートを前記インプリントされた第1の媒体から分離する工程と、
前記第1及び第2の厚さの減少した箇所をエッチングして前記製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
前記製造テンプレート基板に前記製造テンプレートパターンを形成するように前記製造テンプレート基板の前記露出領域をエッチングして、製造テンプレートを画定する工程と、
デバイス基板上の第2のインプリント可能媒体を前記製造テンプレートと接触させて、前記製造テンプレートパターンに対応するインプリントを前記第2の媒体に形成する工程であって、前記第2の媒体の前記インプリントがパターンのフィーチャ及び厚さの減少した箇所を備えるものである工程と、
前記製造テンプレートを前記インプリントされた第2の媒体から分離する工程と、
前記第2の媒体の前記インプリントの前記厚さの減少した箇所をエッチングして前記デバイス基板の領域を露出させる工程と、
前記デバイス基板の前記露出領域をエッチングして前記デバイス基板に前記製造テンプレートパターンを形成する工程と、を有し、
前記製造テンプレート基板及び前記親テンプレートが同じ又は同様な材料からなることを特徴とする、方法。 - 前記第2の媒体が光硬化可能材料である、請求項10に記載の方法。
- 前記製造テンプレート基板が石英で形成されている、請求項10または11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/025,835 US7686970B2 (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Imprint lithography |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009091525A Division JP2009158972A (ja) | 2004-12-30 | 2009-04-03 | インプリント・リソグラフィ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006191089A JP2006191089A (ja) | 2006-07-20 |
JP4671860B2 true JP4671860B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=36638896
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005377640A Active JP4671860B2 (ja) | 2004-12-30 | 2005-12-28 | インプリント・リソグラフィ |
JP2009091525A Pending JP2009158972A (ja) | 2004-12-30 | 2009-04-03 | インプリント・リソグラフィ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009091525A Pending JP2009158972A (ja) | 2004-12-30 | 2009-04-03 | インプリント・リソグラフィ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7686970B2 (ja) |
JP (2) | JP4671860B2 (ja) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7648641B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-01-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for creating a topographically patterned substrate |
US8011916B2 (en) * | 2005-09-06 | 2011-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, imprint apparatus, and process for producing structure |
JP5002207B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | パターンを有する構造体の製造方法 |
KR100746360B1 (ko) | 2006-08-31 | 2007-08-06 | 삼성전기주식회사 | 스템퍼 제조방법 |
US20080102380A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Mangat Pawitter S | High density lithographic process |
JP2008126450A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | モールド、その製造方法および磁気記録媒体 |
JP4996488B2 (ja) | 2007-03-08 | 2012-08-08 | 東芝機械株式会社 | 微細パターン形成方法 |
WO2009002272A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Agency For Science, Technology And Research | A method of making a secondary imprint on an imprinted polymer |
US7854877B2 (en) * | 2007-08-14 | 2010-12-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithography meandering order |
US20090166317A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of processing substrate by imprinting |
US8114331B2 (en) | 2008-01-02 | 2012-02-14 | International Business Machines Corporation | Amorphous oxide release layers for imprint lithography, and method of use |
US8029716B2 (en) * | 2008-02-01 | 2011-10-04 | International Business Machines Corporation | Amorphous nitride release layers for imprint lithography, and method of use |
US20090212012A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-08-27 | Molecular Imprints, Inc. | Critical dimension control during template formation |
JP4799575B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
KR20090128680A (ko) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 삼성전자주식회사 | 몰드 제조용 마스터, 이를 이용한 표시 장치 제조용 몰드및 그 제조 방법, 그리고 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 |
WO2010001538A1 (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | 株式会社日立製作所 | 微細構造体およびインプリント用スタンパ |
GB2468635B (en) * | 2009-02-05 | 2014-05-14 | Api Group Plc | Production of a surface relief on a substrate |
JP2010284814A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | スタンパの製造方法 |
NL2004735A (en) | 2009-07-06 | 2011-01-10 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
US20110031650A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Molecular Imprints, Inc. | Adjacent Field Alignment |
NL2005007A (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-01 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography method and apparatus. |
JP4922376B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | テンプレートの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2011093357A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Hoya株式会社 | インプリント用モールド及びその製造方法 |
JP2011258605A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-22 | Toshiba Corp | パターン形成方法および半導体デバイスの製造方法 |
US8293645B2 (en) | 2010-06-30 | 2012-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming photovoltaic cell |
JP5634313B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2014-12-03 | 富士フイルム株式会社 | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
NL2009004A (en) * | 2011-07-20 | 2013-01-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, and lithographic apparatus. |
KR101841619B1 (ko) | 2011-11-14 | 2018-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속선 격자 편광소자를 포함하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP6187616B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-30 | 大日本印刷株式会社 | テンプレートの製造方法 |
CN109240041B (zh) * | 2018-11-19 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接式压印模板及其制备方法和母模板 |
WO2022067613A1 (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 | 镭亚电子(苏州)有限公司 | 印制模板及其制造方法 |
Family Cites Families (70)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226171A (en) | 1975-08-22 | 1977-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Mask creation method |
JPH02185743A (ja) | 1989-01-10 | 1990-07-20 | Ricoh Co Ltd | 光ディスク基板複製装置 |
US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
US5597613A (en) * | 1994-12-30 | 1997-01-28 | Honeywell Inc. | Scale-up process for replicating large area diffractive optical elements |
US20040036201A1 (en) * | 2000-07-18 | 2004-02-26 | Princeton University | Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography |
US6309580B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-10-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography |
US6482742B1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-11-19 | Stephen Y. Chou | Fluid pressure imprint lithography |
US6518189B1 (en) * | 1995-11-15 | 2003-02-11 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for high density nanostructures |
US20030080471A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-01 | Chou Stephen Y. | Lithographic method for molding pattern with nanoscale features |
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
JP3415432B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2003-06-09 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
EP1003078A3 (en) * | 1998-11-17 | 2001-11-07 | Corning Incorporated | Replicating a nanoscale pattern |
JP3384757B2 (ja) | 1998-11-30 | 2003-03-10 | 株式会社有沢製作所 | 微細形状転写品の製造方法及び光学部材の製造方法 |
ID28988A (id) * | 1998-12-28 | 2001-07-19 | Corning Inc | Keramik alumina dengan luas permukaan yang tinggi dan kekuatan yang tinggi |
US6334960B1 (en) * | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
KR100335070B1 (ko) | 1999-04-21 | 2002-05-03 | 백승준 | 압축 성형 기법을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
US6517995B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Fabrication of finely featured devices by liquid embossing |
SE515607C2 (sv) * | 1999-12-10 | 2001-09-10 | Obducat Ab | Anordning och metod vid tillverkning av strukturer |
US6165911A (en) * | 1999-12-29 | 2000-12-26 | Calveley; Peter Braden | Method of patterning a metal layer |
US6923930B2 (en) * | 2000-01-21 | 2005-08-02 | Obducat Aktiebolag | Mold for nano imprinting |
JP2001234383A (ja) | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Nikon Corp | スタンパーの製造方法 |
SE515785C2 (sv) * | 2000-02-23 | 2001-10-08 | Obducat Ab | Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen |
SE515962C2 (sv) * | 2000-03-15 | 2001-11-05 | Obducat Ab | Anordning för överföring av mönster till objekt |
SE0001368L (sv) | 2000-04-13 | 2001-10-14 | Obducat Ab | Apparat och förfarande för elektrokemisk bearbetning av substrat |
SE0001367L (sv) | 2000-04-13 | 2001-10-14 | Obducat Ab | Apparat och förfarande för elektrokemisk bearbetning av substrat |
SE516194C2 (sv) * | 2000-04-18 | 2001-12-03 | Obducat Ab | Substrat för samt process vid tillverkning av strukturer |
US6365059B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-04-02 | Alexander Pechenik | Method for making a nano-stamp and for forming, with the stamp, nano-size elements on a substrate |
SE516414C2 (sv) * | 2000-05-24 | 2002-01-15 | Obducat Ab | Metod vid tillverkning av en mall, samt mallen tillverkad därav |
EP2264524A3 (en) * | 2000-07-16 | 2011-11-30 | The Board of Regents of The University of Texas System | High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography |
AU2001277907A1 (en) | 2000-07-17 | 2002-01-30 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
US7211214B2 (en) * | 2000-07-18 | 2007-05-01 | Princeton University | Laser assisted direct imprint lithography |
EP1309897A2 (en) * | 2000-08-01 | 2003-05-14 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography |
SE519478C2 (sv) * | 2000-09-19 | 2003-03-04 | Obducat Ab | Etsförfarande, såväl som ramelement, mask och förtillverkat substratelement för användning i sådan etsning |
EP1352295B1 (en) * | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
US6464778B2 (en) * | 2001-01-17 | 2002-10-15 | Promos Technologies Inc. | Tungsten deposition process |
US6964793B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
US6847433B2 (en) * | 2001-06-01 | 2005-01-25 | Agere Systems, Inc. | Holder, system, and process for improving overlay in lithography |
SE519573C2 (sv) | 2001-07-05 | 2003-03-11 | Obducat Ab | Stamp med antividhäftningsskikt samt sätt att framställa och sätt att reparera en sådan stamp |
JP3978706B2 (ja) | 2001-09-20 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 微細構造体の製造方法 |
JP2003109915A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 剥離性雰囲気でのインプリントリソグラフィー方法及び装置 |
US20030071016A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Wu-Sheng Shih | Patterned structure reproduction using nonsticking mold |
DE10201449C1 (de) * | 2002-01-16 | 2003-08-14 | Infineon Technologies Ag | Rechenwerk, Verfahren zum Ausführen einer Operation mit einem verschlüsselten Operanden, Carry-Select-Addierer und Kryptographieprozessor |
CA2380114C (en) * | 2002-04-04 | 2010-01-19 | Obducat Aktiebolag | Imprint method and device |
US7037639B2 (en) * | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
US6849558B2 (en) * | 2002-05-22 | 2005-02-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Replication and transfer of microstructures and nanostructures |
US7252492B2 (en) * | 2002-06-20 | 2007-08-07 | Obducat Ab | Devices and methods for aligning a stamp and a substrate |
MY164487A (en) | 2002-07-11 | 2017-12-29 | Molecular Imprints Inc | Step and repeat imprint lithography processes |
US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
US6900881B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
US7027156B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
JP3821069B2 (ja) | 2002-08-01 | 2006-09-13 | 株式会社日立製作所 | 転写パターンによる構造体の形成方法 |
JP3700001B2 (ja) | 2002-09-10 | 2005-09-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | インプリント方法及び装置 |
US6755984B2 (en) * | 2002-10-24 | 2004-06-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-casted silicon carbide nano-imprinting stamp |
US6916511B2 (en) * | 2002-10-24 | 2005-07-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of hardening a nano-imprinting stamp |
JP4340086B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2009-10-07 | 株式会社日立製作所 | ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法 |
WO2004086471A1 (en) | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization |
JP2004304097A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sharp Corp | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US20040209123A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Bajorek Christopher H. | Method of fabricating a discrete track recording disk using a bilayer resist for metal lift-off |
US6808646B1 (en) | 2003-04-29 | 2004-10-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of replicating a high resolution three-dimensional imprint pattern on a compliant media of arbitrary size |
TW570290U (en) * | 2003-05-02 | 2004-01-01 | Ind Tech Res Inst | Uniform pressing device for nanometer transfer-print |
TW568349U (en) * | 2003-05-02 | 2003-12-21 | Ind Tech Res Inst | Parallelism adjusting device for nano-transferring |
JP2005088444A (ja) | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 光透過性スタンパの製造方法及び光メモリ素子の製造方法 |
JP2005101201A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Canon Inc | ナノインプリント装置 |
JP4295592B2 (ja) | 2003-09-30 | 2009-07-15 | 大日本印刷株式会社 | 複製版の製造方法 |
JP4020850B2 (ja) | 2003-10-06 | 2007-12-12 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体の製造方法、製造装置、インプリントスタンパ及びその製造方法 |
KR100624414B1 (ko) | 2003-12-06 | 2006-09-18 | 삼성전자주식회사 | 회절 렌즈 어레이 몰드의 제조 방법 및 uv 디스펜서 |
KR20050075580A (ko) | 2004-01-16 | 2005-07-21 | 엘지전자 주식회사 | 나노 임프린트 리쏘그라피를 이용한 대면적 스탬프 제작방법 |
US20050189676A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-01 | Molecular Imprints, Inc. | Full-wafer or large area imprinting with multiple separated sub-fields for high throughput lithography |
-
2004
- 2004-12-30 US US11/025,835 patent/US7686970B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-28 JP JP2005377640A patent/JP4671860B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-03 JP JP2009091525A patent/JP2009158972A/ja active Pending
-
2010
- 2010-02-12 US US12/705,018 patent/US9341944B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060144275A1 (en) | 2006-07-06 |
US9341944B2 (en) | 2016-05-17 |
JP2006191089A (ja) | 2006-07-20 |
US7686970B2 (en) | 2010-03-30 |
US20100139862A1 (en) | 2010-06-10 |
JP2009158972A (ja) | 2009-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090403 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090820 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090902 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20091106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4671860 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |