JP4922376B2 - テンプレートの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

テンプレートの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、テンプレートの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置のリソグラフィ技術としてインプリント法(ナノインプリント法)が提案されている(例えば、特許文献1参照)。インプリント法に用いるテンプレートは通常、電子ビームリソグラフィによって作製される。そのため、一般的に多くの時間や費用が必要である。そこで、インプリント技術を用いて、親テンプレート(マザーテンプレート)から複数の子テンプレートを作製することが提案されている。
しかしながら、多数の同一のテンプレートが作製されるため、それらのテンプレートの管理及び識別が困難になる。
特開2008−270686号公報
本発明は、管理及び識別を容易に行うことが可能なテンプレートの製造方法等を提供する。
本発明の第1の視点に係るインプリント用のテンプレートの製造方法は、デバイスパターン及び複数の識別パターンを有する第1のテンプレートを用意する工程と、前記デバイスパターン及び少なくとも1つの所望の前記識別パターンをテンプレート基板に転写して第2のテンプレートを形成する工程と、を備える。
本発明の第2の視点に係るインプリント用のテンプレートの製造方法は、デバイスパターンを有する第1のテンプレートを用意する工程と、複数の識別パターンを有する第2のテンプレートを用意する工程と、前記デバイスパターン及び少なくとも1つの所望の前記識別パターンをそれぞれテンプレート基板に転写して第3のテンプレートを形成する工程と、を備える。
本発明の第3の視点に係る半導体装置の製造方法は、前記の方法によって製造されたテンプレートに形成されたパターンを半導体基板に転写する工程を備える。
本発明によれば、管理及び識別を容易に行うことが可能なテンプレートの製造方法等を提供するができる。
本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した平面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した平面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した平面図である。 本発明の第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した平面図である。 本発明の第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法の一部を模式的に示した平面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を示したフローチャートである。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
(実施形態1)
図1〜図6は、第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法を模式的に示した断面図である。図7〜図10は、第1の実施形態に係るテンプレートの製造方法を模式的に示した平面図である。
まず、図1に示すように、親テンプレート(第1のテンプレート)10を用意する。この親テンプレート10には、デバイスパターン領域100及び複数の識別パターン領域200が設けられている。図7に示すように、識別パターン領域200は、デバイスパターン領域100の外側に形成されている。
デバイスパターン領域100には、半導体装置(半導体集積回路装置)のデバイスパターンを形成するためのパターンが形成されている。デバイスパターンには、トランジスタ等の素子を形成するためのパターンや配線用のパターン等が含まれる。
識別パターン領域200には、識別パターンを形成するためのパターンが形成されている。識別パターンは、後の工程で作製される複数の子テンプレートを識別するために用いられる。複数の子テンプレートに対して互いに異なった識別パターンの組み合わせを割り当てることで、複数の子テンプレートを識別することできる。識別パターンには例えば、数字、アルファベット、バーコード、図形等を用いることができる。
次に、図2に示すように、インクジェット法を用いて、親テンプレート10の表面にインプリント剤(インプリント用レジスト)20を供給する。具体的には、デバイスパターン領域100及び少なくとも1つの所望の識別パターン領域200にインプリント剤20を選択的に供給する。本例では、図8に示すように、“1”、“2”、“4”、“7”、“8”、“A”及び“E”のパターンに対応する識別パターン領域200に、選択的にインプリント剤20を供給している。
次に、図3に示すように、親テンプレート10と子テンプレートを形成するためのテンプレート基板(例えばクオーツ等のガラス基板)30とを接触させる。そして、親テンプレート10とテンプレート基板30との間にインプリント剤20を介在させた状態で、インプリント剤20を硬化させる。これにより、親テンプレート10に形成されたパターン(デバイスパターン及び識別パターン)がインプリント剤20に転写され、インプリント剤パターンが形成される。
インプリント剤20を硬化させる方法には、光硬化(紫外線照射)や熱硬化等を用いることができる。光硬化性インプリント剤としては、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等があげられる。例えば、HDDA(1,6-hexanediol-diacrylate)やHEBDM(bis(hydroxyethyl)bisphenol-A dimethacrylate)等を用いることができる。熱硬化性インプリント剤としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン、ポリイミド等があげられる。また、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、アクリル等の熱可逆性樹脂を用いることも可能である。
次に、図4に示すように、テンプレート基板30から親テンプレート10を離型する。このとき、テンプレート基板30上には、硬化したインプリント剤パターン20が形成されている。すなわち、図9に示すように、デバイスパターン領域100にはデバイスパターン形成用のインプリント剤パターンが形成され、識別パターン領域200には所望の識別パターン形成用のインプリント剤パターンが形成される。
次に、図5に示すように、インプリント剤パターン20をマスクとして用いてテンプレート基板30をエッチングする。エッチングには、例えばドライエッチングを用いることができる。これにより、所定の深さまでテンプレート基板30がエッチングされる。
次に、図6に示すように、インプリント剤パターン20を除去する。これにより、図6及び図10に示すような子テンプレート(第2のテンプレート)30が形成される。
識別パターンの組み合わせを換えて上述した図1〜図6の工程を行うことで、互いに識別可能な複数の子テンプレートを作製することができる。すなわち、識別パターンの組み合わせが互いに異なる複数の子テンプレートを作製することができる。
以上のように、本実施形態では、親テンプレートに予め複数の識別パターンを形成しておき、子テンプレートを作製する際に所望の識別パターンの組み合わせを選択して、所望の識別パターンを子テンプレートに転写する。これにより、識別パターンの組み合わせが互いに異なる複数の子テンプレートを作製することができる。その結果、複数の子テンプレートを確実に識別することができ、複数の子テンプレートを的確に管理することが可能となる。また、1種類の親テンプレートから互いに識別可能な複数の子テンプレートを作製することができるため、製造コストや製造時間の増加もほとんどない。また、デバイスパターンの転写と同時に識別パターンを転写することができるため、製造工程を大幅に増加させることなく、効率的に子テンプレートを作製することができる。
なお、上述した実施形態では、所望の識別パターン領域に選択的にインプリント剤を供給することで、所望の識別パターンの組み合わせを得るようにしたが、選択的な光照射或いは選択的な加熱によってインプリント剤を選択的に硬化させることで、所望の識別パターンの組み合わせを得るようにしてもよい。例えば、所望の識別パターン領域以外の識別パターン領域をマスクして光が照射されないようにすればよい。
(実施形態2)
図11〜図16は、第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法を模式的に示した断面図である。図17〜図19は、第2の実施形態に係るテンプレートの製造方法を模式的に示した平面図である。なお、第1の実施形態で説明した事項についての説明は省略する。
まず、図11及び図17に示すように、親テンプレート(第1のテンプレート)50を用意する。また、図12及び図18に示すように、識別パターン用テンプレート(第2のテンプレート)60を用意する。親テンプレート50には、デバイスパターン領域100が設けられている。識別パターン用テンプレート60には、複数の識別パターン領域200が設けられている。
デバイスパターン領域100には、半導体装置(半導体集積回路装置)のデバイスパターンを形成するためのパターンが形成されている。識別パターン領域200には、識別パターンを形成するためのパターンが形成されている。デバイスパターン及び識別パターンについての基本的事項は第1の実施形態と同様であるため、説明は省略する。
次に、図13に示すように、インクジェット法を用いて、親テンプレート10の表面にインプリント剤(インプリント用レジスト)70を供給する。具体的には、デバイスパターン領域100に選択的にインプリント剤70を供給する。続いて、親テンプレート50と子テンプレートを形成するためのテンプレート基板(例えばクオーツ等のガラス基板)80とを接触させる。そして、親テンプレート50とテンプレート基板80との間にインプリント剤70を介在させた状態で、インプリント剤70を硬化させる。これにより、親テンプレート50に形成されたパターン(デバイスパターン)がインプリント剤70に転写され、インプリント剤パターンが形成される。さらに、テンプレート基板80から親テンプレート50を離型する。このとき、テンプレート基板80上に、硬化したインプリント剤パターン70が残る。
次に、図14に示すように、インクジェット法を用いて、識別パターン用テンプレート60の表面にインプリント剤(インプリント用レジスト)71を供給する。具体的には、少なくとも1つの所望の識別パターン領域200にインプリント剤71を選択的に供給する。続いて、識別パターン用テンプレート60とテンプレート基板80とを接触させる。そして、識別パターン用テンプレート60とテンプレート基板80との間にインプリント剤71を介在させた状態で、インプリント剤71を硬化させる。これにより、識別パターン用テンプレート60に形成されたパターン(所望の識別パターン)がインプリント剤71に転写され、インプリント剤パターンが形成される。
デバイスパターン領域100及び識別パターン領域200は、テンプレート基板に転写されたデバイスパターン及び識別パターンが互いに干渉しないような位置関係となっている。具体的には、デバイスパターン及び識別パターンともにテンプレートの凸部に形成されている。そのため、図14の工程でインプリント剤パターン71を形成する際に、すでに形成されているインプリント剤パターン70は識別パターン用テンプレート60に接触しない。
さらに、テンプレート基板80から識別パターン用テンプレート60を離型する。このとき、テンプレート基板30上に、硬化したインプリント剤パターン71が残る。これにより、図15に示すように、テンプレート基板80上にインプリント剤パターン70及び71が形成された構造が得られる。すなわち、デバイスパターン領域100にはデバイスパターン形成用のインプリント剤パターン70が形成され、識別パターン領域200には所望の識別パターン形成用のインプリント剤パターン71が形成される。
次に、インプリント剤パターン70及び71をマスクとして用いてテンプレート基板80をエッチングする。これにより、所定の深さまでテンプレート基板80がエッチングされる。さらに、インプリント剤パターン20を除去する。これにより、図16及び図19に示すような子テンプレート(第3のテンプレート)80が形成される。
識別パターンの組み合わせを換えて上述した図11〜図16の工程を行うことで、互いに識別可能な複数の子テンプレートを作製することができる。すなわち、識別パターンの組み合わせが互いに異なる複数の子テンプレートを作製することができる。
以上のように、本実施形態においても第1の実施形態と同様、識別パターンの組み合わせが互いに異なる複数の子テンプレートを作製することができる。その結果、複数の子テンプレートを確実に識別することができ、複数の子テンプレートを的確に管理することが可能となる。また、1種類の親テンプレート及び1種類の識別パターン用テンプレートから互いに識別可能な複数の子テンプレートを作製することができるため、製造コストや製造時間の増加もほとんどない。
なお、上述した実施形態では、所望の識別パターン領域に選択的にインプリント剤を供給することで、所望の識別パターンの組み合わせを得るようにしたが、選択的な光照射或いは選択的な加熱によってインプリント剤を選択的に硬化させることで、所望の識別パターンの組み合わせを得るようにしてもよい。例えば、所望の識別パターン領域以外の識別パターン領域をマスクして光が照射されないようにすればよい。
以上、第1及び第2の実施形態を説明したが、第1及び第2の実施形態の方法で得られた子テンプレートを用いて半導体装置を製造することが可能である。図20は、半導体装置の製造方法の概略を示したフローチャートである。
まず、第1或いは第2の実施形態の方法によって子テンプレートを作製する(S1)。次に、子テンプレートを用いてインプリントを実行する。すなわち、インプリント剤(インプリント用レジスト)に子テンプレートのパターンを転写して、半導体ウエハ上にレジストパターンを形成する(S2)。さらに、レジストパターンをマスクとして用いて半導体ウエハ上の導電膜や絶縁膜をエッチングして、所望のパターンを形成する(S3)。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
10、50…親テンプレート
20、70、71…インプリント剤
30、80…子テンプレート(テンプレート基板)
60…識別パターン用テンプレート
100…デバイスパターン領域
200…識別パターン領域

Claims (9)

  1. デバイスパターン及び複数の識別パターンを有する第1のテンプレートを用意する工程と、
    前記デバイスパターン及び少なくとも1つの所望の前記識別パターンをテンプレート基板に転写して第2のテンプレートを形成する工程と、
    を備えたことを特徴とするインプリント用のテンプレートの製造方法。
  2. 前記複数の識別パターンは、前記デバイスパターンが形成されている領域の外側の領域に形成されている
    ことを特徴とする請求項1に記載のテンプレートの製造方法。
  3. 前記第2のテンプレートを形成する工程は、
    前記デバイスパターン及び前記少なくとも1つの所望の識別パターンを前記第1のテンプレートと前記テンプレート基板との間に介在したインプリント剤に転写してインプリント剤パターンを形成する工程と、
    前記インプリント剤パターンをマスクとして用いて前記テンプレート基板をエッチングする工程と、
    を含むことを特徴とする請求項1に記載のテンプレートの製造方法。
  4. 前記インプリント剤パターンを形成する工程は、
    前記デバイスパターンが形成されている領域及び前記少なくとも1つの所望の識別パターンが形成されている領域に選択的にインプリント剤を供給する工程と、
    前記選択的に供給されたインプリント剤を前記第1のテンプレートと前記テンプレート基板との間に介在させた状態で硬化させる工程と、
    を含むことを特徴とする請求項3に記載のテンプレートの製造方法。
  5. デバイスパターンを有する第1のテンプレートを用意する工程と、
    複数の識別パターンを有する第2のテンプレートを用意する工程と、
    前記デバイスパターン及び少なくとも1つの所望の前記識別パターンをそれぞれテンプレート基板に転写して第3のテンプレートを形成する工程と、
    を備えたことを特徴とするインプリント用のテンプレートの製造方法。
  6. 前記デバイスパターン及び前記識別パターンは、テンプレート基板に転写されたデバイスパターン及び識別パターンが互いに干渉しないように設けられている
    ことを特徴とする請求項5に記載のテンプレートの製造方法。
  7. 前記第3のテンプレートを形成する工程は、
    前記デバイスパターンを前記第1のテンプレートと前記テンプレート基板との間に介在したインプリント剤に転写し且つ前記少なくとも1つの所望の識別パターンを前記第2のテンプレートと前記テンプレート基板との間に介在したインプリント剤に転写してインプリント剤パターンを形成する工程と、
    前記インプリント剤パターンをマスクとして用いて前記テンプレート基板をエッチングする工程と、
    を含むことを特徴とする請求項5に記載のテンプレートの製造方法。
  8. 前記インプリント剤パターンを形成する工程は、
    前記デバイスパターンが形成されている領域に選択的にインプリント剤を供給する工程と、
    前記デバイスパターンが形成されている領域に選択的に供給されたインプリント剤を前記第1のテンプレートと前記テンプレート基板との間に介在させた状態で硬化させる工程と、
    前記少なくとも1つの所望の識別パターンが形成されている領域に選択的にインプリント剤を供給する工程と、
    前記少なくとも1つの所望の識別パターンが形成されている領域に選択的に供給されたインプリント剤を前記第2のテンプレートと前記テンプレート基板との間に介在させた状態で硬化させる工程と、
    を含むことを特徴とする請求項7に記載のテンプレートの製造方法。
  9. 請求項1又は5の方法によって製造されたテンプレートに形成されたパターンを半導体基板に転写する工程を備えた
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5750992B2 (ja) * 2011-04-27 2015-07-22 大日本印刷株式会社 インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置
FR3029433B1 (fr) * 2014-12-04 2017-01-13 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'au moins une partie d'un film composite sur une membrane souple en polymere

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4667559B2 (ja) * 2000-05-30 2011-04-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置、フォトマスクおよび半導体装置の製造方法
US7686970B2 (en) * 2004-12-30 2010-03-30 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7771917B2 (en) * 2005-06-17 2010-08-10 Micron Technology, Inc. Methods of making templates for use in imprint lithography
CN1928711B (zh) * 2005-09-06 2010-05-12 佳能株式会社 模具、压印方法和用于生产芯片的工艺
CA2639982A1 (en) * 2006-01-24 2007-08-02 Mycrolab Pty Ltd Stamping methods and devices
US7998651B2 (en) * 2006-05-15 2011-08-16 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP2008132722A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Toshiba Corp ナノインプリント用モールドおよびその作成方法、ならびにデバイスの製造方法
JP4810496B2 (ja) 2007-04-25 2011-11-09 株式会社東芝 パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレート
JP2009098460A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Sony Corp 成形体、電子機器および真贋判定方法
US20100022036A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Ikuo Yoneda Method for forming pattern, and template

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