JP5874110B2 - パターン形成方法、モールドの回復方法、およびレプリカモールドの製造方法 - Google Patents
パターン形成方法、モールドの回復方法、およびレプリカモールドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5874110B2 JP5874110B2 JP2011278167A JP2011278167A JP5874110B2 JP 5874110 B2 JP5874110 B2 JP 5874110B2 JP 2011278167 A JP2011278167 A JP 2011278167A JP 2011278167 A JP2011278167 A JP 2011278167A JP 5874110 B2 JP5874110 B2 JP 5874110B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin
- atomic hydrogen
- hydrogen
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 66
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 202
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 202
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 83
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 50
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 32
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 26
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 14
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 9
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 8
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- HJUFTIJOISQSKQ-UHFFFAOYSA-N fenoxycarb Chemical compound C1=CC(OCCNC(=O)OCC)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 HJUFTIJOISQSKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N so4-so4 Chemical compound OS(O)(=O)=O.OS(O)(=O)=O CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
以下、原子状水素照射装置100を用いて原子状水素50を照射する際の条件について説明する。
原子状水素の平均自由行程(λ)は、以下の式1および2により推定できる。
Q=π(rH+rN2)2 ・・・・・(式2)
式中、Qは衝突断面積(m2)、nはガス分子の体積密度(個/cm3)、rHは水素原子の半径(m)、rN2は窒素分子の半径(m)をそれぞれ表す。
原子状水素は曲面に対しても照射可能であるため、たとえばロール式のインプリント用モールドに付着した樹脂も除去することができる。そのため、本技術はナノインプリントリソグラフィにおける生産性の向上とコストの低下に貢献することができる。
実施例1〜3では、Si板(3インチSi(100)ウエハ、K0G27、株式会社ワカテック)上に樹脂としてPAK−01(東洋合成工業株式会社)を回転塗布(4000rpm、20秒)することにより、約1.3μmの薄膜が形成された。薄膜の厚みの測定には、触針式表面形状測定器(DekTak 6M、株式会社ULVAC)を使用した。塗布後、窒素雰囲気下にて紫外線(i線:365nm、0.10mW/cm2)で露光することにより樹脂を硬化させた。紫外線(i線)の露光量は、実施例1および3では100mJ/cm2、実施例2では50mJ/cm2、100mJ/cm2、150mJ/cm2、および200mJ/cm2であった。なお、メーカーが推奨するPAK−01の露光量は100mJ/cm2である。
原子状水素照射装置として、OAPM−400(東京応化工業株式会社)を用いた。処理ガスとして、水素/窒素混合ガス(水素濃度は10体積%)、水素ガスの流量を30sccm、水素ガスの分圧を2.13Pa、Si板またはモールドの初期温度を室温、触媒体の温度を2400℃、触媒体とSi板またはモールドとの距離を100mmとした。以下の実施例では、特に言及しない限り、これらの条件を使用した。
触媒体温度が樹脂の除去速度に与える影響を調べた。図4は、実施の形態に係る回復工程における触媒体温度の影響を示すグラフである。図4(A)は、触媒体温度と樹脂の除去速度との関係を示すグラフである。いずれも露光量を100mJ/cm2とした。図4(B)は、触媒体温度がSi板の温度に及ぼす影響を示すグラフである。
触媒体温度を2400℃に固定し、樹脂への紫外線(i線)の露光量を50mJ/cm2、100mJ/cm2、150mJ/cm2、および200mJ/cm2の4つの条件とした以外は実施例1と同様にして、樹脂の架橋度が回復工程に及ぼす影響を調べた。
X線光電子分光(XPS)(ESCA−3400、株式会社島津製作所)を用いて、回復工程の前後における残膜の有無を解析した。図6は、Si板に付着した樹脂の残膜の有無を、X線光電子分光(XPS)を用いて解析した結果を示すグラフである。下から順に、樹脂を塗布する前のSi板の表面、樹脂をSi板に塗布したSi板の表面、回復工程を経た後のSi板の表面をそれぞれ解析した結果を示す。
凹凸が形成されたモールドに原子状水素を照射した場合に、樹脂の残膜を除去できるかどうかを解析した。図7は、回復工程の前後におけるモールドの表面の変化を示す光学顕微鏡写真である。図7(A)は、回復工程の前後においてモールドAを平面視した光学顕微鏡写真である。図7(B)は、回復工程の前後においてモールドBを平面視した光学顕微鏡写真である。図8は、回復工程の後において図7(A)のモールドAの一部を10000倍に拡大した状態を示す走査型電子顕微鏡写真である。図8(A)は、図7(A)のモールドAの領域Xを10000倍に拡大した状態を示す走査型電子顕微鏡写真である。図8(B)は、図7(A)のモールドAの領域Yを10000倍に拡大した状態を示す走査型電子顕微鏡写真である。図8(C)は、図8(B)のZ−Z断面を示す走査型電子顕微鏡写真である。走査型電子顕微鏡としては、TM−1000(株式会社日立ハイテクノロジーズ)を使用した。
実施例3と同様にして、XPSにより実施例4のモールドを解析した。図9は、図7(A)のモールドに付着した樹脂の残膜の有無を、X線光電子分光(XPS)を用いて解析した結果を示すグラフである。下から順に、比較のために回復工程を経た後の凹凸を有さないSi板表面(実施例3)、回復工程を経た後の凹凸が形成されたモールド表面をそれぞれ解析した結果を示す。
触媒体温度(WT)がSi板表面の表面粗さ(2乗平均粗さ)に及ぼす影響を調べた。樹脂を塗布していない点、触媒体温度(WT)を1560℃、1800℃、および2000℃とした点、触媒体−Si板間の距離を20mmとした点、水素ガスの分圧を4.53Paとした点以外は実施例1と同様の条件で、実験を行った。Si板表面の2乗平均粗さは、原子間力顕微鏡(JSPM−5200、日本電子株式会社)を用いてコンタクトモードにて測定した。
実施の形態に係る回復工程を用いて、熱可塑性樹脂の除去を試みた。光硬化性樹脂に代えて熱可塑性樹脂を用いた点、熱可塑性樹脂であり露光が不必要であるため樹脂の露光工程を省略した点以外は、実施例2と同様にして実験を行った。熱可塑性樹脂としては、熱ナノインプリントリソグラフィで広く用いられるポリスチレン(PS)およびポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いた。
比較例として、溶剤(剥離液)を用いてSi板に付着した樹脂の除去を試みた。溶剤として、レジストの剥離に広く用いられているモノエタノールアミン(EA)/ジメチルスルホキシド(DMSO)混合液(70質量%:30質量%:106溶剤ともいう)を用いた。溶剤温度は50℃であった。樹脂の除去に溶剤を用いた以外は、実施例2の100mJ/cm2の場合と同様に実験を行った。
Claims (6)
- ナノインプリント用モールドを用いて樹脂にパターンを形成する工程と、
パターンの形成に使用された前記ナノインプリント用モールドに対して原子状水素を照射することにより、樹脂が付着している場合に当該樹脂を除去する工程と、を含み、
前記原子状水素は、2300℃以上2500℃以下で加熱された触媒体に水素含有ガスを接触させることにより生成される、
パターン形成方法。 - 原子状水素が照射された前記ナノインプリント用モールドを用いて、再び樹脂にパターンを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 樹脂へのパターンの形成に使用されることによって樹脂が付着したナノインプリント用モールドに対して原子状水素を照射することにより、付着した樹脂を除去する工程を含み、
前記原子状水素は、2300℃以上2500℃以下で加熱された触媒体に水素含有ガスを接触させることにより生成される、
モールドの回復方法。 - 前記モールドは、レプリカモールドであることを特徴とする請求項3に記載のモールドの回復方法。
- マスターモールドを用いてレプリカモールドを成形する工程と、
前記レプリカモールドの成形に使用された前記マスターモールドに対して原子状水素を照射することにより、付着物が付着している場合に当該付着物を除去する工程と、を含み、
前記原子状水素は、2300℃以上2500℃以下で加熱された触媒体に水素含有ガスを接触させることにより生成される、
レプリカモールドの製造方法。 - 原子状水素が照射された前記マスターモールドを用いて、再びレプリカモールドを成形する工程をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のレプリカモールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011278167A JP5874110B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | パターン形成方法、モールドの回復方法、およびレプリカモールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011278167A JP5874110B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | パターン形成方法、モールドの回復方法、およびレプリカモールドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013131524A JP2013131524A (ja) | 2013-07-04 |
JP5874110B2 true JP5874110B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=48908883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011278167A Active JP5874110B2 (ja) | 2011-12-20 | 2011-12-20 | パターン形成方法、モールドの回復方法、およびレプリカモールドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5874110B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6971650B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2021-11-24 | 東京応化工業株式会社 | 表面加工樹脂フィルムの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3893447B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2007-03-14 | 松下電器産業株式会社 | レジスト剥離方法及びレジスト剥離装置 |
JP2006190866A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インプリント方法 |
JP2006270004A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Osaka Univ | レジスト膜の除去方法および除去装置 |
JP2008200997A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Hitachi Cable Ltd | ナノインプリント用金型の製造方法 |
US20090038636A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning method |
JP4695679B2 (ja) * | 2008-08-21 | 2011-06-08 | 株式会社東芝 | テンプレートの洗浄方法及びパターン形成方法 |
JP2010052175A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | ナノインプリント用マスターモールドの製造方法およびレプリカモールドの製造方法 |
JP2011066180A (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | テンプレート作成管理方法、テンプレート及びテンプレート作成管理装置 |
NL2005263A (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-30 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
-
2011
- 2011-12-20 JP JP2011278167A patent/JP5874110B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013131524A (ja) | 2013-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5019009B2 (ja) | インプリント用モールドの洗浄方法と洗浄装置およびインプリント用モールドの製造方法 | |
US20140263172A1 (en) | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing | |
US20070267764A1 (en) | Mold for photocuring nano-imprint and its fabrication process | |
EP2246738A1 (en) | Photomask and photomask/pellicle assembly | |
JP2005515617A (ja) | 非粘着性のモールドを使用する、パターン化された構造の複製 | |
JP2007144995A (ja) | 光硬化ナノインプリント用モールド及びその製造方法 | |
JP2007266384A (ja) | インプリント用モールド及びその製造方法 | |
US9164377B2 (en) | Method for cleaning imprinting mask | |
JP5111283B2 (ja) | クリーニング方法 | |
JP2008078550A (ja) | インプリントモールドおよびその製造方法およびパターン形成方法 | |
TWI483829B (zh) | 模板再生方法及再生裝置 | |
JP6852566B2 (ja) | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム | |
JP2010052175A (ja) | ナノインプリント用マスターモールドの製造方法およびレプリカモールドの製造方法 | |
JP2007220797A (ja) | ナノインプリントリソグラフィ方法 | |
JP5874110B2 (ja) | パターン形成方法、モールドの回復方法、およびレプリカモールドの製造方法 | |
JP6115300B2 (ja) | インプリント用モールド、インプリント方法、パターン形成体 | |
JP5651573B2 (ja) | テンプレート処理方法 | |
JPWO2007029810A1 (ja) | 3次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、3次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学素子 | |
JP5380602B2 (ja) | ナノインプリントリソグラフィ | |
JP2010137538A (ja) | インプリントモールド製造方法およびインプリントモールド | |
JP2012204381A (ja) | 樹脂除去方法および樹脂除去装置 | |
JP2012005939A (ja) | パターン形成方法 | |
JP6733163B2 (ja) | インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法 | |
JP2010120283A (ja) | マイクロレンズモールド製造方法およびマイクロレンズモールド原版 | |
Nakao et al. | Imprint-Mold-Cleaning by Vacuum Ultraviolet Light |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141211 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20141211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20141211 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5874110 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |