JP6852566B2 - パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム - Google Patents
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Description
前記被転写基材としては、石英ガラス基板を用いることができる。
本明細書に添付した図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりしている場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。
図1は、本実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示すフローチャートであり、図2及び図3は、本実施形態に係るパターン形成方法を含む凹凸構造体の製造方法の各工程を切断端面図にて示す工程フロー図である。
第1面11及びそれに対向する第2面12を有する基材10を準備し、当該基材10の第1面11上のパターン領域PA内にレジストパターン31を形成する(図1のS01,図2(A)〜(C)参照)。
まず、レジストパターン31に対応する凹凸構造41を有するインプリントモールド40を準備するとともに、基材10の第1面11上にインプリント樹脂膜30を形成する(図2(A)参照)。
インプリント処理により形成されたレジストパターン31の凹部31bの底部には、所定の厚さ(1nm〜20nm程度、好ましくは5nm〜10nm程度)の残膜部31cが存在する(図2(C)参照)。この残膜部31cは、基材10をエッチングする前に除去されるのが望ましい。残膜部31cを有するレジストパターン31に後述するガス暴露工程(図1のS04〜S07,図3(C)参照)を施すと、残膜部31cのエッチング耐性が向上し、残膜部31cを除去し難くなる。そこで、ガス暴露工程(図1のS04〜S07,図3(C)参照)を実施するよりも前に、残膜部31cを除去する(図2(D)参照)。
本実施形態においては、上述のようにして残膜部31cが除去されて得られたレジストパターン32は、後述するように活性エネルギー線の照射を受けた後、第1ガス及び第2ガスに曝されるが、それに先立ち、当該レジストパターン32の凸部の表面及び凹部の表面(残膜部31cが除去されて露出した基材10の第1面11の表面)を覆う吸着防止層を形成してもよい。後述する第1ガス暴露工程においてレジストパターン32を曝す第1ガスは、無機元素含有化合物を含むため、第1ガスに曝されることで、レジストパターン32の表面に無機元素含有化合物が吸着することがある。レジストパターン32の表面に無機元素含有化合物が吸着してしまうと、無機元素含有化合物がレジストパターン32の内部に浸透し難くなり、エッチング耐性を向上させる効果が奏され難くなる。また、レジストパターン32の凹部の表面(基材10の第1面11の表面)に無機元素含有化合物が堆積したり、残膜部31cが除去されきれずに樹脂材料が凹部に残存してしまったりすると、凹部から露出する基材10を加工(エッチング)し難くなる。そのため、第1ガス暴露工程を実施する前に、レジストパターン32の表面に吸着防止層を形成することで、無機元素含有化合物をレジストパターン32の表面に吸着させ難くし、内部に浸透しやすくすることができるとともに、無機元素含有化合物が内部に浸透したレジストパターン32をマスクとして基材10を加工(エッチング)しやすくすることができる。かかる吸着防止層を構成する材料としては、例えば、シランカップリング剤(例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン等に代表されるアルキルシランカップリング剤や、ベンゼン環、ベンゾフェノン基等を有するシランカップリング剤)、疎水性高分子ポリマー、グラフェン等の炭素膜等が挙げられ、吸着防止層は、例えば、液相法、気相法、CVDやALD等の蒸着法、スパッタリング法等により形成され得る。なお、レジストパターン31を形成する前に、基材10の第1面11上に予め上記吸着防止層を形成しておいてもよい。
続いて、基材10の第1面11に形成されているレジストパターン32に活性エネルギー線を照射する(図1のS02)。本実施形態において、パターン領域PAを複数の小領域(図3に示す態様においては3つの小領域)に区分し、各小領域内のレジストパターン321,322,323に、それぞれ異なる照射量で活性エネルギー線Eを照射する。レジストパターン32に活性エネルギー線Eが照射されることで、レジストパターン32を構成する樹脂材料の反応性官能基(特に電子を放出しやすい、求核性の高い官能基)の脱離又は変性が生じる。この活性エネルギー線Eの照射量に応じて反応性官能基の脱離又は変性の程度が異なる。反応性官能基の脱離又は変性が生じると、第1ガスに含まれる無機元素含有化合物の反応点(反応性官能基)の数が減少するため、活性エネルギー線の照射量の多いレジストパターン32よりも少ないレジストパターン32の方が高いエッチング耐性を有することになる。すなわち、パターン領域PAの各小領域内のレジストパターン321〜323に対する活性エネルギー線の照射量を異ならせることで、活性エネルギー線Eの照射された各小領域内のレジストパターン331〜333(図3(C)参照)のエッチング耐性を異ならせることができる。
次に、活性エネルギー線が照射されたレジストパターン32(321〜323)を有する基材10を第1ガス及び第2ガスに曝すが(図1のS04〜S07)、予め第1ガス暴露工程(図1のS04)の処理条件(第1処理条件)及び第2ガス暴露工程(図1のS06)の処理条件(第2処理条件)を設定する(図1のS03)。
上記のようにして設定された第1処理条件に従い、レジストパターン32(321〜323)に対して第1ガス暴露工程を行う(図1のS04)。具体的には、まず、第1処理条件に従い、レジストパターン32(321〜323)の周囲の雰囲気を、ルイス酸性を示す無機元素含有化合物を含有し、キャリアガスとして窒素(N2)等の不活性ガスを含有する第1ガスの雰囲気とすることで、当該第1ガスにレジストパターン32(321〜323)を曝す。レジストパターン32(321〜323)を第1処理条件に従って第1ガスに曝すことで、レジストパターン32(321〜323)内部において、レジストパターン32(321〜323)を構成する樹脂材料の化学構造中の反応性官能基と無機元素含有化合物とを反応させることができる。
次に、窒素(N2)等の不活性ガスを供給し、余剰の第1ガスをパージ(排気)する(図1のS05)。第1ガスをレジストパターン32(321〜323)に曝し続けると、反応性官能基と無機元素含有化合物との反応が経時的に進行し難くなるため、余剰の第1ガスをパージ(排気)し、第2ガス暴露工程(図1のS06)後に再び第1ガス暴露工程(図1のS04)を行うことで、反応性官能基と無機元素含有化合物との反応を効率的に進行させることができる。また、レジストパターン32(321〜323)の内部に無機元素含有化合物を効果的に浸透させることができる。かかる第1ガスパージ工程は、例えば10秒〜10000秒程度実施され得る。
続いて、第2処理条件に従い、酸化剤を含有する第2ガスにレジストパターン32を曝す(第2ガス暴露工程,図1のS06)。複数サイクルに亘って繰り返し第1ガスに曝されたレジストパターン32(321〜323)を第2ガスに曝すことで、レジストパターン32を構成する樹脂材料の反応性官能基に結合した無機元素含有化合物部位に含まれる残余の反応活性基が加水分解されて水酸基に置換される。その後に脱水縮合反応が起こることで、レジストパターン32(321〜323)のエッチング耐性を向上させることができる。
次に、窒素(N2)等の不活性ガスを供給し、余剰の第2ガスをパージ(排気)する(図1のS07)。かかる第2ガスパージ工程(図1のS07)は、例えば30秒〜10000秒程度実施されればよい。
上記第1ガス暴露工程及び第2ガス暴露工程(図1のS04〜S07)を施すことで、エッチング耐性が向上したレジストパターン33(331〜333)が得られるが(図3(C)参照)、当該レジストパターン33(331〜333)の凸部間から露出する基材10上に無機元素含有化合物由来の薄膜(無機元素含有化合物としてTMAを用いた場合にはAl2O3の薄膜,膜厚:0.1nm〜10nm程度)が形成されてしまう。この薄膜が残存していると、後述する基材10をエッチングして凹凸構造1a〜1cを形成する工程(図4参照)において、当該凹凸構造1a〜1cの寸法等の精度が低下するおそれがある。そのため、この薄膜をウェットエッチングにより除去するのが好ましい。
このようにして形成されたレジストパターン33をマスクとして用いて、基材10の第1面11側をドライエッチングし、凹凸構造1a〜1cを形成し(図4(A)〜(C)参照)、最後に残存するレジストパターン33を除去することで、凹凸構造1a〜1cを有する凹凸構造体1が製造される(図4(C)参照)。なお、本実施形態において製造される凹凸構造体1としては、例えば、インプリントモールド、フォトマスク、凹凸構造1a〜1cとしての配線パターンを有する半導体チップ等が挙げられる。
本実施形態において製造される凹凸構造体1としてのインプリントモールドは、レプリカモールドを製造するためのマスターモールドとして用いることができる。当該レプリカモールドの製造方法は、マスターモールドとしての凹凸構造体1と、第1面及びそれに対向する第2面を有し、第1面上にハードマスク層(金属クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸窒化クロム等からなる)が形成されているレプリカモールド用基材とを準備する工程、レプリカモールド用基材のハードマスク層上にインプリント樹脂膜(アクリル系、メタクリル系等の紫外線硬化性樹脂等からなる膜)を成膜する工程、凹凸構造体1の凹凸構造1a〜1cをインプリント樹脂膜に転写し、凹凸構造体1の凹凸構造1a〜1cを反転させた凹凸パターンをインプリント樹脂膜に形成する工程、レプリカモールド用基材のハードマスク層上に形成された凹凸パターンをマスクとしてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程、及びハードマスクパターンをマスクとしてレプリカモールド用基材の第1面側をエッチングして、凹凸構造体1の凹凸構造1a〜1cを反転させた凹凸構造をレプリカモールド用基材の第1面に形成する工程を含む。
続いて、本実施形態に係るパターン形成方法における第1ガス暴露工程及び第2ガス暴露工程(図1のS04〜S07)を実施可能なレジストパターン改質装置について説明する。図5は、本実施形態におけるレジストパターン改質装置の構成を概略的に示す概略構成図であり、図6は、本実施形態におけるレジストパターン改質装置の概略構成を示すブロック図である。
続いて、本実施形態におけるパターン形成システムについて説明する。図7及び図8は、本実施形態におけるパターン形成システムの概略構成を示すブロック図である。
反応性官能基としてのカルボニル基を有する電子線レジスト(PMMA,アルドリッチ社製)をシリコンウェハの一方面(第1面)上にスピンコートで塗布し、膜厚119nmのレジスト膜を形成した。当該レジスト膜を第1小領域と第2小領域とに区分し、第1小領域に対応する開口部及び第2小領域に対応する遮光部を有するマスクを介してレジスト膜に電子線を照射した(電子線照射量:2mC)。その後、ALD装置(ウルトラテック社製,製品名:SavannahS200)のチャンバに当該シリコンウェハをセットして第1ガス暴露工程(図1のS04)を実施した。
キャリアガス:窒素(N2)
処理圧力条件:466.6Pa(3.5Torr)
処理時間:1200秒
ガス流量:3.38×10-3Pa・m3/sec(20sccm)
処理圧力条件:933.2Pa(7.0Torr)
処理時間:500秒
ガス流量:3.38×10-3Pa・m3/sec(20sccm)
第1小領域に対応する開口部及び第2小領域に対応する遮光部を有するマスクを介してレジスト膜に電子線を照射した(電子線照射量:5mC)以外は、実施例1と同様にしてシリコンウェハの第1面上のレジスト膜厚(エッチング前及びエッチング後)を測定した。その結果、エッチング前の第1小領域のレジスト膜厚は115nm、第2小領域のレジスト膜厚は119nmであり、エッチング後の第1小領域のレジスト膜厚は69nm、第2小領域のレジスト膜厚は116nmであった。
レジスト膜に電子線を照射しなかった以外は、実施例1と同様にしてシリコンウェハの第1面上のレジスト膜厚(エッチング前及びエッチング後)を測定した。その結果、エッチング前のレジスト膜厚は119nmであり、エッチング後のレジスト膜厚は116nmであった。
第1ガス暴露工程、第1ガスパージ工程、第2ガス暴露工程及び第2ガスパージ工程を行わなかった以外は、実施例1と同様にしてシリコンウェハの第1面上のレジスト膜厚(エッチング前及びエッチング後)を測定した。その結果、エッチング前のレジスト膜厚は119nmであり、エッチング後のレジスト膜厚は24nmであった。
1a,1b,1c…凹凸構造
10…基材
11…第1面
12…第2面
31,32,33…レジストパターン
31a…凸部
31b…凹部
31c…残膜部
Claims (17)
- 第1面及びそれに対向する第2面を有する基材の当該第1面上のパターン領域に、複数の凸部及び凹部を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記パターン領域内に形成されている前記レジストパターンの少なくとも一部に活性エネルギー線を照射する露光工程と、
前記露光工程後、前記パターン領域内の前記レジストパターンを所定のガスに曝すガス暴露工程と
を有し、
前記ガス暴露工程は、ルイス酸性を示す無機元素含有化合物を含有する第1ガスに前記レジストパターンを所定の条件で曝すことで、前記無機元素含有化合物と前記レジストパターンを構成する材料とを前記レジストパターン内部にて化学反応させる第1ガス暴露工程と、前記第1ガス暴露工程後、酸化剤を含有する第2ガスに前記レジストパターンを曝す第2ガス暴露工程とを含むパターン形成方法。 - 前記ガス暴露工程を複数回繰り返し行う請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記露光工程において、前記パターン領域を複数の小領域に区分し、少なくとも、一の小領域内の前記レジストパターンに対する前記活性エネルギー線の照射量と、他の小領域内の前記レジストパターンに対する前記活性エネルギー線の照射量とを互いに異ならせるように、前記パターン領域内の前記レジストパターンに前記活性エネルギー線を照射する請求項1又は2に記載のパターン形成方法。
- 前記露光工程において、前記パターン領域のうち前記活性エネルギー線が照射される領域に対応する開口部と、前記活性エネルギー線が照射されない領域に対応する遮光部とを有する少なくとも1つの活性エネルギー線露光用マスクを用いて前記レジストパターンに前記活性エネルギー線を照射する請求項1〜3のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記第1ガス暴露工程は、前記レジストパターンの周囲の雰囲気を前記第1ガス雰囲気にする工程と、前記レジストパターンの周囲から前記第1ガスを排気する工程とを含む請求項1〜4のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記レジストパターン形成工程において、前記凸部及び凹部に対応する凹部及び凸部を有するインプリントモールドを用い、ヘリウムガス又は凝集性ガス雰囲気下でインプリント処理を行うことにより前記レジストパターンを形成する請求項1〜5のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記レジストパターン形成工程において、電子線リソグラフィー法又はフォトリソグラフィー法により前記レジストパターンを形成する請求項1〜5のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記基材が、石英ガラス基板又はシリコン基板である請求項1〜7のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 請求項1〜8のいずれかに記載のパターン形成方法により、前記基材の前記第1面上の前記パターン領域内に形成された前記レジストパターンをマスクとして、前記基材の前記第1面側をエッチングする工程を有する凹凸構造体の製造方法。
- 請求項9に記載の凹凸構造体の製造方法により製造された前記凹凸構造体をマスターモールドとして用いてレプリカモールドを製造する方法であって、
前記マスターモールドと、第1面及びそれに対向する第2面を有する被転写基材とを準備し、前記被転写基材の前記第1面上の被転写材料に前記マスターモールドの凹凸パターンを転写し、前記マスターモールドの凹凸パターンを反転させた凹凸パターンを形成する工程と、
前記被転写基材の前記第1面上に形成された前記凹凸パターンをマスクとして前記被転写基材の前記第1面側をエッチングする工程と
を有するレプリカモールドの製造方法。 - 前記被転写基材が、石英ガラス基板である請求項10に記載のレプリカモールドの製造方法。
- 第1面及びそれに対向する第2面を有する基材の当該第1面上のパターン領域に形成された、複数の凸部及び凹部を有するレジストパターンの少なくとも一部に活性エネルギー線が照射された前記レジストパターンに対し所定のガスを暴露するガス暴露部と、
前記ガス暴露部により前記ガスが暴露された前記レジストパターンの改質状態を検出する検出部と、
前記ガス暴露部における前記ガスの暴露処理を制御する制御部と
を備え、
前記ガス暴露部は、前記レジストパターンに対し、ルイス酸性を示す無機元素含有化合物を含有する第1ガス及び酸化剤を含有する第2ガスのそれぞれを所定の条件で暴露し、
前記検出部は、前記レジストパターンの改質状態として、前記レジストパターンを構成する樹脂材料と前記無機元素含有化合物との反応の進行度を検出し、
前記制御部は、前記レジストパターンに対する前記活性エネルギー線の照射量に関する照射関連情報及び前記検出部により検出された前記レジストパターンの改質状態に関する改質状態関連情報に基づき、前記ガス暴露部における前記ガスの暴露処理を制御するレジストパターン改質装置。 - 前記検出部は、前記レジストパターンを構成する樹脂材料と前記無機元素含有化合物との反応の進行度として、前記レジストパターンの光学特性又は重量の変化を検出する請求項12に記載のレジストパターン改質装置。
- 前記制御部は、前記レジストパターンを構成する樹脂材料に関する樹脂関連情報に基づいて、前記ガス暴露部における前記ガスの暴露処理に関するガス暴露処理条件を設定し、
前記ガス暴露部は、前記ガス暴露処理条件に従い、前記レジストパターンに前記ガスを暴露する請求項12又は13に記載のレジストパターン改質装置。 - 前記ガス暴露部は、前記パターン領域を複数に区分した各小領域のうち、一の小領域内の前記レジストパターンに対する前記活性エネルギー線の照射量と、他の小領域内の前記レジストパターンに対する前記活性エネルギー線の照射量とを互いに異ならせるように前記活性エネルギー線が照射された、前記パターン領域内の前記レジストパターンに対し前記ガスを暴露する請求項12〜14のいずれかに記載のレジストパターン改質装置。
- 前記ガス暴露部は、前記パターン領域のうち前記活性エネルギー線が照射される領域に対応する開口部と、前記活性エネルギー線が照射されない領域に対応する遮光部とを有する少なくとも1つの活性エネルギー線露光用マスクを介して前記活性エネルギー線が照射された前記レジストパターンに対し前記ガスを暴露する請求項12〜15のいずれかに記載のレジストパターン改質装置。
- 請求項12〜16のいずれかに記載のレジストパターン改質装置と、
前記ガス暴露部において前記ガスが暴露された前記レジストパターンをマスクとして前記基材をエッチングするエッチング装置と
を備えることを特徴とするパターン形成システム。
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