JP5363165B2 - 微細凹凸パターンの形成方法及び形成装置 - Google Patents
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また、本発明の請求項2は前記目的を達成するために、基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離工程を備えた微細凹凸パターンの形成方法において、前記剥離工程は、前記転写用基板の基板裏面側に、当接面が凸状な所定曲率に形成された固体物を当接させた状態で前記当接面に形成された多数の吸引孔で前記基板裏面を吸引することによって前記転写用基板を前記レジスト層側が凸な所定曲率に湾曲させる湾曲化工程と、前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与して剥離する際に、前記転写用基板の周縁部を固定した状態で前記固体物の吸引によって生じる反力によって前記当接面で前記基板裏面側を加圧して、前記転写用基板の前記所定曲率を剥離開始から剥離終了まで維持する加圧工程と、とを備えることを特徴とする微細凹凸パターンの形成方法を提供する。
金属材料に、半導体微細加工技術を用いて三次元立体加工を行って、図1(A)に示すように、微細凹凸パターン10Aを備えたモールド(型)10を成形する。この場合、金属材料で原版を成形加工し、原版を樹脂材料に転写加工して樹脂スタンパを作製し、この樹脂スタンパをモールド10として使用してもよい。モールド10の材料としては、目的に応じて適宜選択できるが、金属、石英、樹脂等を好適に使用できる。金属材料としては、Ni、Si又はSiO2、Cu、Cr、Ptなどを使用でき、樹脂材料としてはポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、フッソ樹脂等を使用できる。
図1(A)に示すように、レジスト層12を形成する樹脂素材を溶媒に溶解したレジスト液を基板16に塗布して、基板16上にレジスト層12が形成された転写用基板14を形成する。レジスト層12を形成する樹脂素材としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂を好ましく使用できる。また、基板16の材料としては、例えばガラス基板、Si基板等を用いることができる。
次に、図1(B)に示すように、転写用基板14のレジスト層12に、モールド10の微細凹凸パターン10Aを転写する。一般的に、モールド10を転写用基板14のレジスト層12に載せた重みだけでは、モールド10に形成された微細凹凸パターン10Aの凹部にレジスト層12のレジスト液が充填されないので、転写されない。そこで、モールド10の微細凹凸パターン10Aを転写用基板14のレジスト層12に転写するには、周囲の圧力条件を変化させて、強制的に充填することが必要となる。例えば次の充填方法を好適に使用できる。
次に、モールド10の微細凹凸パターン10Aが転写されたレジスト層12を硬化する。これにより、図2に示すように、モールド10と転写用基板14とが合体した合体物20が形成される。図2(A)は合体物20の縦断面図であり、図2(B)は上面図である。なお、本実施の形態では、合体物20が円形状のもので説明するが、これに限定されるものではなく、例えば四角形状でもよい。
次に、図1(C)に示すように、転写用基板14とモールド10とを互いに引き剥がす方向に剥離力Fを付与して剥離する。図1(C)は、転写用基板14を固定してモールド10を垂直方向上向きに引っ張ることによりモールド10を転写用基板14から剥離する例である。
試験Aでは、本発明の実施例1、比較例1、及び比較例2の3通りの剥離方法について剥離性を調べた。
縦・横100mm×100mm、厚み1mmのニッケル(Ni)材料を用いて、縦・横20mm×20mmのパターン形成エリアに、幅0.5μm、高さ2μm、ピッチ1μmの微細凹凸パターン(ライン&スペース形状)をステッパによるパターニング及びドライエッチングで作成し、モールド10とした。
UV硬化樹脂材料(例えば東洋合成製PAK−01)を含むレジスト液を、直径が147mm(6インチ)で厚みが0.7mmの円板状のガラス基板16(信越化学製)上にスピンコート塗布装置で塗布した。これにより、ガラス基板16上にレジスト層12が形成された転写用基板14を作製した。
転写用基板14のレジスト層12に、微細凹凸パターン10Aが形成されているモールド10を位置合わせした。そして、モールド側からインプリント装置でレジスト層12を加圧することで微細凹凸パターン10Aの凹部に残存している空気を圧力変化により除去しながら、モールド10の微細凹凸パターン10Aをレジスト層12に転写した。
転写工程の後、レジスト層12に光硬化樹脂の硬化波長である365nmの光を照射し、レジスト層12を硬化した。
試験結果を、図9の表1に示す。
試験Bでは、転写用基板14の基板裏面を加圧する適切なアシスト圧の範囲及び適切な曲率半径について調べた。モールド作製、塗布工程及び転写工程は、試験Aと同様であり、剥離工程において、アシスト圧を0〜1.3MPaの範囲で変化させた。アシスト圧0が試験Aの比較例1に相当する。
Claims (10)
- 基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離工程を備えた微細凹凸パターンの形成方法において、
前記剥離工程は、
前記転写用基板を前記レジスト層側が凸な所定曲率に湾曲させる湾曲化工程と、
前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与して剥離する際に、前記転写用基板の周縁部を前記転写用基板の前記湾曲方向に追従して首を振る構造の周縁部固定手段で固定した状態で基板裏面側を加圧して、前記転写用基板の前記所定曲率を剥離開始から剥離終了まで維持する加圧工程と、とを備えることを特徴とする微細凹凸パターンの形成方法。 - 基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離工程を備えた微細凹凸パターンの形成方法において、
前記剥離工程は、
前記転写用基板の基板裏面側に、当接面が凸状な所定曲率に形成された固体物を当接させた状態で前記当接面に形成された多数の吸引孔で前記基板裏面を吸引することによって前記転写用基板を前記レジスト層側が凸な所定曲率に湾曲させる湾曲化工程と、
前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与して剥離する際に、前記転写用基板の周縁部を固定した状態で前記固体物の吸引によって生じる反力によって前記当接面で前記基板裏面側を加圧して、前記転写用基板の前記所定曲率を剥離開始から剥離終了まで維持する加圧工程と、とを備えることを特徴とする微細凹凸パターンの形成方法。 - 前記所定曲率は、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることを特徴とする請求項1又は2の微細凹凸パターンの形成方法。
- 前記基板裏側を流体で加圧することにより、前記転写用基板の湾曲と前記基板裏面側への加圧とを一緒に行うことを特徴とする請求項1又は3の微細凹凸パターンの形成方法。
- 前記加圧工程は、前記剥離力を付与する前のタイミングで行うことを特徴とする請求項1〜4の何れか1の微細凹凸パターンの形成方法。
- 前記転写用基板が前記所定曲率に湾曲化する湾曲領域にのみ前記モールドの微細凹凸パターンが転写されていることを特徴とする請求項1〜5の何れか1の微細凹凸パターンの形成方法。
- 基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離装置を備えた微細凹凸パターンの形成装置において、
前記剥離装置は、
前記転写用基板の周縁部を固定する周縁部固定手段と、
前記転写用基板の基板裏面側に設けられ、加圧流体によって前記基板裏面側を膨らませることによって前記転写用基板を所定曲率に湾曲させると共に前記基板裏面を加圧する流体式の加圧手段と、
前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与する剥離力付与手段と、を備えると共に、
前記周縁部固定手段は、前記転写用基板の湾曲方向に追従して首を振る構造に形成されていることを特徴とする微細凹凸パターンの形成装置。 - 基板上にレジスト層が形成された転写用基板のレジスト層に、モールドの微細凹凸パターンを転写して硬化した後、前記転写用基板と前記モールドとを剥離する剥離装置を備えた微細凹凸パターンの形成装置において、
前記剥離装置は、
前記転写用基板の周縁部を固定する周縁部固定手段と、
前記転写用基板の基板裏面側に、当接面が凸状な所定曲率に形成された固体物を当接させた状態で前記当接面に形成された多数の吸引孔で前記基板裏面を吸引することによって前記転写用基板を前記所定曲率に湾曲させると共に、前記吸引によって生じる反力によって前記当接面で前記基板裏面を加圧する固体式の加圧手段と、
前記転写用基板と前記モールドとを互いに引き剥がす方向に剥離力を付与する剥離力付与手段と、を備えたことを特徴とする微細凹凸パターンの形成装置。 - 前記所定曲率は、曲率半径Rで1400〜2800mmの範囲であることを特徴とする請求項7又は8の微細凹凸パターンの形成装置。
- 前記周縁部固定手段は、前記転写用基板の周縁部を挟み込む構造に形成されていることを特徴とする請求項7〜9の何れか1の微細凹凸パターンの形成装置。
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