KR101682748B1 - 기판 액처리 장치, 및 기판 액처리 장치의 제어 방법 - Google Patents

기판 액처리 장치, 및 기판 액처리 장치의 제어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 기판 액처리 장치는, 회전 구동부에 의해 회전되는 회전판과, 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 연장되고 기판의 둘레 가장자리를 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부의 상단에 마련되고, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 안내하는 안내부와, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 위쪽으로부터 액체를 공급하는 공급부를 구비하며, 상기 안내부가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 적어도 3개 이상 마련되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖고 있는 것이다.

Description

기판 액처리 장치, 및 기판 액처리 장치의 제어 방법{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING DEVICE, AND CONTROL METHOD THEREOF}
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판 등의 기판을 액체에 의해 처리하는 기판 액처리 장치, 및 기판 액처리 장치의 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 집적 회로나 플랫 패널 디스플레이를 제조하는 공정에서는, 기판에 대하여 액체를 이용한 액처리가 행해진다. 이와 같은 처리를 행하기 위해, 기판의 외측 둘레부를 유지하고 회전하는 기판 유지부와, 기판 유지부에 유지되는 기판에 대하여 액체를 공급하는 액체 공급부와, 기판에 공급되어 기판의 회전에 의해 비산하는 액체를 받는 컵부를 갖는 매엽식의 기판 액처리 장치가 이용되는 경우가 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제2010-93190호 공보 및 일본 특허 공개 평10-209254호 공보 등을 참조).
그런데, 제조 비용 삭감에 대한 요청이 고조되고, 전술한 액처리 장치에 의한 기판의 액처리에서, 기판에 부착되는 파티클의 저감에 대한 요구가 높아지고 있다. 종래, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 함)에서는, 웨이퍼의 둘레 가장자리로부터 예컨대 약 5 ㎜ 폭의 영역보다 내측에 반도체 디바이스(칩)가 형성되어 있지만, 보다 많은 칩을 얻기 위해, 그 폭은 예컨대 약 2 ㎜로 감소되고 있다. 이 때문에, 웨이퍼 에지 근방에서도 파티클을 저감시킬 필요가 있다.
웨이퍼 에지 근방에서의 파티클의 발생 원인으로서, 웨이퍼에 공급되는 액체는, 액체가 공급되는 면(회로 형성면)으로부터 반대측의 면에 부착되어, 액체에 포함되는 파티클이 반대측의 면(회로 형성면과 반대측의 면)에 잔류하는 것을 들 수 있다. 이와 같이 발생하는 파티클은, 반대측의 면을 세정하는 것에 의해 저감하는 것도 가능하지만, 공정수의 증가, 더 나아가서는 제조비용의 증대로 이어지기 때문에 득책이 아니다. 이 때문에, 매엽식의 액처리 장치에서는, 액체가 반대측의 면에 부착되는 것을 저감시키는 것이 바람직하다.
본 발명은, 기판의 세정면과 반대측의 면에 액체가 부착되는 것을 막는 것이 가능한 매엽식의 기판 액처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 회전 가능한 회전판과, 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부에 설치되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖고, 상기 기판의 둘레 가장자리를 지지함으로써 상기 기판을 안내할 수 있는 안내부와, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 상측으로부터 액체를 공급하는 공급부와, 상기 회전판의 둘레 가장자리에 설치되고, 상기 기판을 압박하는 것에 의해 상기 기판을 파지하는 파지부를 구비하며, 상기 기판 지지부 및 상기 안내부는 하나의 상기 파지부의 양측에 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 설치되고, 상기 파지부와 상기 기판 지지부와 상기 안내부로 구성되는 세트가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 적어도 3개 이상 설치되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치가 제공된다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 회전 가능한 회전판과, 상기 회전판의 중심의 방향으로 경사진 경사면을 갖고, 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부에 설치되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖고, 상기 기판의 둘레 가장자리를 지지함으로써 상기 기판을 안내할 수 있는 안내부와, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 상측으로부터 액체를 공급하는 공급부와, 상기 회전판의 둘레 가장자리에 설치되고, 상기 기판을 압박하는 것에 의해 상기 기판을 파지하는 파지부를 구비하며, 상기 기판 지지부 및 상기 안내부는 하나의 상기 파지부의 양측에 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 설치되고, 상기 파지부와 상기 기판 지지부와 상기 안내부로 구성되는 세트가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라 적어도 3개 이상 설치되는 액처리 장치를 제어하는 액처리 장치의 제어 방법이 제공된다. 이 제어 방법은, 상기 안내부에 의해 상기 기판을 안내하면서, 상기 기판의 둘레 가장자리를 상기 기판 지지부의 상기 경사면에 지지함으로써, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 지지시키는 스텝과, 상기 파지부에 의해 상기 기판을 파지시키는 스텝과, 상기 기판을 회전시키는 스텝과, 상기 기판에 대하여 액체를 공급하는 스텝을 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치가 내장되는 기판 처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 개략 측면도이다.
도 3은 도 2의 액처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 4는 도 2의 액처리 장치의 웨이퍼 지지부에서의 회전 플레이트를 설명하는 설명도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 의한 액처리 장치를 도시하는 개략 측면도이다.
도 6은 도 5의 액처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 7은 도 2의 액처리 장치의 웨이퍼 지지부에서의 회전 플레이트를 도시하는 사시도이다.
도 8은 도 4의 회전 플레이트의 일부 단면도이다.
도 9는 도 5의 액처리 장치의 웨이퍼 지지부에 의해 지지되는 웨이퍼를 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은 도 5의 액처리 장치에 의한 효과를 설명하는 도면이다.
도 11은 도 5의 액처리 장치에 의한 다른 효과를 설명하는 도면이다.
도 12는 도 5의 액처리 장치에서의 웨이퍼 지지부의 변형예를 도시하는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 한정적이지 않은 예시의 실시형태에 대해서 설명한다. 첨부한 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다. 또한 도면은, 부재 또는 부품간의 상대비를 나타내는 것을 목적으로 하지 않고, 따라서, 구체적인 치수는, 이하의 한정적이지 않은 실시형태에 비추어, 당업자에 의해 결정되어야 한다.
처음에, 도 1을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 의한 기판 액처리 장치(이하에서 간단히 「액처리 장치」라고 칭함)를 포함하는 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시형태에 의한 기판 처리 장치를 도시하는 개략 평면도이다. 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 복수의(도시한 예에서는 4개의) 웨이퍼 캐리어(C)가 배치되는 캐리어 스테이션(S1)과, 캐리어 스테이션(S1)과 후술하는 액처리 스테이션(S3) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 반입출 스테이션(S2)과, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)가 배치되는 액처리 스테이션(S3)을 구비한다.
반입출 스테이션(S2)에는, 웨이퍼 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 스테이지(13)에 배치하고, 또한 스테이지(13)의 웨이퍼(W)를 취해 웨이퍼 캐리어(C)에 반입하는 반송 기구(11)가 구비되어 있다. 반송 기구(11)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 아암부(11a)를 갖고 있다. 반송 기구(11)는, 웨이퍼 캐리어(C)의 배열 방향(도면 중 X 방향)으로 연장되는 가이드(12)를 따라 이동할 수 있다. 또한, 반송 기구(11)는, X 방향에 수직인 방향(도면중의 Y 방향) 및 상하 방향으로 유지 아암부(11a)를 이동시킬 수 있고, 수평면 내에서 유지 아암부(11a)를 회전시킬 수 있다.
액처리 스테이션(S3)은, Y 방향으로 연장되는 반송실(16)과, 반송실(16) 내에서의 반입출 스테이션(S2)측에 배치되는 반전 기구(16a)와, 반송실(16)의 양측에 배치되는 복수의 액처리 장치(1)를 갖고 있다. 또한, 반송실(16)에는 반송 기구(14)가 마련되고, 반송 기구(14)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 아암부(14a)를 갖고 있다. 반송 기구(14)는, 반송실(16)에 마련되고, Y 방향으로 연장되는 가이드(15)를 따라 이동할 수 있다. 또한, 반송 기구(14)는, 유지 아암부(14a)를 X 방향으로 이동시킬 수 있고, 수평면 내에서 회전시킬 수 있다. 반송 기구(14)는, 반입출 스테이션(S2)의 전달 스테이지(13)와, 반전 기구(16a)와, 각 기판 처리 유닛(1) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 반전 기구(16a)는, 반송 기구(14)에 의해 반입된 웨이퍼(W)를 상하 반전한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어 스테이션(S1)의 웨이퍼 캐리어(C) 내에서는 회로 형성면이 상향(페이스 업)이 되도록 수용되어 있어, 회로 형성면이 상향인 채로 반송 기구(11)로부터 스테이지(13)를 통해 반송 기구(14)에 의해 반송된다. 그러나, 반전 기구(16a)에 의해, 웨이퍼(W)는 상하 반전되어, 회로 형성면이 하향(페이스 다운)이 된다. 이 후, 웨이퍼(W)는, 회로 형성면이 하향인 채로 반송 기구(14)에 의해 반전 기구(16a)로부터 취출되어, 반송 기구(14)에 의해 액처리 장치(1)에 반송된다.
또한, 기판 처리 장치(100)에는, 각종 부품 및 부재를 제어하는 제어부(17)가 마련되고, 제어부(17)의 제어 하에, 기판 처리 장치(100) 및 액처리 장치(1)가 동작하며, 예컨대 후술하는 액처리 장치의 제어 방법이 실시된다.
이상의 구성을 갖는 기판 처리 장치(100)에서는, 캐리어 스테이션(S1)에 배치되는 웨이퍼 캐리어(C)로부터 반송 기구(11)에 의해 웨이퍼(W)가 취출되고, 반송 기구(11)에 의해 스테이지(13)에 배치된다. 스테이지(13) 위의 웨이퍼(W)는, 액처리 스테이션(S3) 내의 반송 기구(14)에 의해, 반전 기구(16a)에 반입되고, 여기서 상하 반전되어, 재차 반송 기구(14)에 의해 액처리 장치(1)에 반입된다. 액처리 장치(1)에서는, 웨이퍼(W)의 상면(회로 형성면과 반대측의 면)이 소정의 세정액으로 세정되고, 예컨대 순수에 의해 세정액을 씻어 내고, 웨이퍼(W)의 상면이 건조된다. 웨이퍼(W)의 상면이 건조된 후, 웨이퍼(W)는, 반입시와 반대의 경로(수순)에 의해 웨이퍼 캐리어(C)에 복귀된다. 또한, 하나의 웨이퍼(W)가 세정되는 동안에, 다른 웨이퍼(W)가 다른 액처리 장치(1)에 순차 반송되어 세정된다.
다음에, 도 2 내지 도 4를 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에 대해서 설명한다. 도시하는 바와 같이, 액처리 장치(1)는, 대략 사각형의 하우징(21)과, 하우징(21) 내의 대략 중앙부에 마련되고, 상면이 개구되는 대략 원통형상의 컵부(22)와, 컵부(22)의 내측에 배치되고, 웨이퍼(W)를 유지하며 회전할 수 있는 웨이퍼 유지 회전부(23)와, 웨이퍼 유지 회전부(23)에 유지되는 웨이퍼(W)에 대하여 액체를 공급하고 웨이퍼(W)의 상면에 접하여 웨이퍼(W)의 상면을 세정하는 브러시(24)를 구비한다.
하우징(21)에는, 반송 기구(14)의 유지 아암부(14a)(도 1)에 의해 웨이퍼(W)를 하우징(21)에 반입출하는 반송구(21a)가 형성되어 있다. 반송구(21a)에는, 도시하지 않는 셔터가 마련되어, 반입출시에는 셔터가 열리고, 처리시에는 셔터는 닫히며, 반송구(21a)는 폐쇄되어 있다.
컵부(22)는, 도시하지 않는 승강 기구에 의해, 하우징(21) 내에서 도 2에 파선으로 도시하는 위쪽 위치와, 실선으로 도시하는 아래쪽 위치 사이에서 상하 이동 가능하다. 웨이퍼(W)의 반입출시에는, 컵부(22)는 아래쪽 위치에 위치됨으로써, 웨이퍼(W)의 반입출을 간섭하지 않고, 웨이퍼(W)의 처리시에는, 컵부(22)는 위쪽 위치에 위치됨으로써, 웨이퍼(W)에 대하여 공급되는 액체를 받아, 도시하지 않는 드레인으로부터 액체를 배출한다.
도 2를 참조하면, 웨이퍼 유지 회전부(23)는, 하우징(21)의 아래쪽에 배치되는 모터(M)에 접속되어 회전하는 회전 샤프트(23S)와, 하면의 대략 중앙부에서 회전 샤프트(23S)에 부착되는 회전 플레이트(23P)를 갖고 있다.
회전 샤프트(23S)에는, 그 중앙부를 관통하는 도관(23C)이 형성되어 있다. 도관(23C)의 하단으로부터는, 예컨대 질소 가스 공급원으로부터의 질소(N2) 가스를 공급할 수 있다. 후술하는 바와 같이, 웨이퍼 유지 회전부(23)의 회전 플레이트(23P)와, 웨이퍼 유지 회전부(23)에 의해 유지되는 웨이퍼(W) 사이에는 공간이 형성되어 있고, 도관(23C)을 통과한 N2 가스는, 도관(23C)의 상단으로부터 이 공간으로 흘러 나와, 외측 둘레를 향해 흐른다. 웨이퍼 유지 회전부(23) 더 나아가서는 웨이퍼(W)가 회전하면, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간이 웨이퍼(W) 위쪽의 공간보다 압력이 부압으로 된다. 그렇게 되면, 웨이퍼(W)의 중심부가 휘어, 웨이퍼(W) 상면의 평탄성이 악화되고, 액처리의 균일성도 또한 악화될 우려가 있다. 그러나, 그 공간에 N2 가스를 공급하고 있기 때문에, 웨이퍼(W) 중심부의 휨을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W) 사이의 공간으로부터 N2 가스가 분출하기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면에 공급되는 액체가 하면으로 돌아들어가 부착되는 것을 저감시키는 효과를 얻을 수 있다.
브러시(24)는, 수평면 내에서 회동 가능하고 상하 이동 가능한 아암(24A)에 의해 지지되어 있다. 아암(24A) 내에는, 웨이퍼(W)에 대하여 공급되는 액체가 흐르는 도관(24C)이 형성되어 있다. 아암(24A)이 회동하여 하강하고, 브러시(24)가 웨이퍼(W)의 상면에 접하는 동시에(또는 약간 전에), 소정의 액체 공급원으로부터의 액체(예컨대 탈이온수)가, 도관(24C) 내를 흘러, 브러시(24)의 기단에 형성된 개구(24B)로부터 웨이퍼(W)의 상면에 공급된다. 이것에 의해, 브러시(24)는 웨이퍼(W)의 상면에 접함으로써, 웨이퍼(W)의 상면을 세정하고, 브러시(24)에 의해 제거된 파티클이나 잔류물 등을 액체에 의해 씻어낼 수 있다. 브러시(24)는, 예컨대 다수의 플라스틱제의 실을 원기둥형으로 다발을 짓는 것에 의해 구성된다. 플러스틱제의 실은, 예컨대 PP(polypropylene), PVC(polyvinyl chloride), 우레탄, 나일론으로 만들 수 있다.
도 3을 참조하면, 회전 플레이트(23P)는 컵부(22)의 내경보다 작고, 웨이퍼(W)의 외경보다 큰 외경을 갖는 원판의 형상을 갖고 있다. 또한, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 회전 플레이트(23P)는, 외측 둘레 가장자리를 따라 배치되는 원환 형상을 갖는 웨이퍼 지지부(500)와, 웨이퍼 지지부(500) 위에 마련되고, 대략 120˚의 각도 간격으로 서로 이격되는 3개의 가이드 핀(40)과, 웨이퍼(W)의 에지를 누르는 파지부(23A)를 갖고 있다. 가이드 핀(40)은, 회전 플레이트(23P)의 중심을 향한 측면(40I)[도 4(b)]에 의해 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리를 안내하고, 웨이퍼 지지부(500)에 의해 회전 플레이트(23P) 위의 적정한 위치에 웨이퍼(W)를 지지시킨다. 또한, 가이드 핀(40)은, 가이드 핀(40)의 상면이, 웨이퍼 지지부(500)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)의 상면보다 높은 위치에 위치되는 높이를 갖고 있다. 가이드 핀(40)에 의해 안내되어 웨이퍼 지지부(500)에 지지된 웨이퍼(W)는, 파지부(23A)에 의해 파지된다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)는 회전 플레이트(23P)에 대하여 어긋나지 않고, 회전 플레이트(23P)에 의해 회전할 수 있다.
다음에, 도 5 내지 도 9를 참조하면서, 본 발명의 다른 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에서는, 전술한 실시형태에서의 웨이퍼 유지 회전부(23)와 상이한 웨이퍼 유지 회전부(23)를 갖고 있다. 이하, 본 실시형태에 의한 액처리 장치(1)를, 앞서 설명한 실시형태에 의한 액처리 장치(1)와의 상이점을 중심으로 설명하고, 동일한 구성의 부분에 대한 설명은 생략한다.
본 실시형태에서는, 웨이퍼 유지 회전부(23)는, 회전 플레이트(23P)의 하부 둘레 가장자리에 부착되고, 웨이퍼(W)의 에지를 누름으로써 웨이퍼(W)를 파지하는 3개(도 5에서는 2개만을 도시)의 파지 기구(23G)를 갖고 있다. 이들 3개의 파지 기구(23G)는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 서로 예컨대 120˚의 각도 간격으로 배치되어 있다.
재차 도 5를 참조하면, 각 파지 기구(23G)는, 회동축(23T)에 의해 회동 가능한 레버 부재(23L)와, 레버 부재(23L)가 화살표 Y로 도시하는 방향으로 회동하는 것에 의해 웨이퍼(W)의 에지에 접촉 가능한 파지부(23A)를 갖고 있다. 각 레버 부재(23L)의 원단부(遠端部)의 아래쪽에는, 레버 부재(23L)의 원단부를 상하 이동시키는 로드 부재(43)가 마련되어 있다. 로드 부재(43)는 아암(42)에 부착되고, 아암(42)은 승강 기구(41)(도 5)에 의해 상하 이동한다. 파지 기구(3G)의 동작에 대해서는 후술한다.
또한, 본 실시형태에서의 회전 플레이트(23P)는 대략 원형의 상면 형상을 가지며, 주위에 절결부(C1 및 C2)가 형성되어 있다. 절결부(C1 및 C2)는, 대략 60˚의 각도 간격으로 교대로 배치되어 있다. 절결부(C1)는, 회전 플레이트(23P)의 하부에 부착되는 파지 기구(23G)의 파지부(23A)가 회전 플레이트(23P)의 위쪽으로 돌출하는 것을 허용한다. 또한 절결부(C2)는, 반송 기구(14)의 유지 아암부(14a)(도 1)에 마련된 웨이퍼 유지 클로(14b)에 대응하여 마련되고, 웨이퍼 유지 클로(14b)가 회전 플레이트(23P)를 상하로 통과하는 것을 허용한다.
또한, 도 7을 참조하면, 회전 플레이트(23P)의 상면에는, 둘레 가장자리를 따라 연장되는 복수의 웨이퍼 지지부(51)가 마련되어 있다. 이러한 웨이퍼 지지부(51)는, 회전 플레이트(23P)의 절결부(C1 및 C2)에 맞춰, 앞서 설명한 실시형태에서의 웨이퍼 지지부(500)를 절결함으로써 형성될 수 있다. 도시를 생략하지만, 웨이퍼 지지부(51)는, 양단에서, 예컨대 나사 등으로 회전 플레이트(23P)에 부착되어 있다. 양단에서 고정됨으로써, 웨이퍼 지지부(51)의 부착 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 각 웨이퍼 지지부(51)는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 상면 평탄부(51A)와, 회전 플레이트(23P) 중앙을 향해 경사지는 경사면(51B)(즉 기판 지지면)을 갖고 있다. 경사면(51B)의 외측 둘레 가장자리[상면 평탄부(51A)와 경사면(51B)과의 경계]는, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 제1 원의 원주를 따라 위치되고, 경사면(51B)의 내측 둘레 가장자리는, 제1 원과 동심원으로, 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 제2 원의 원주를 따라 위치된다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 회전 플레이트(23P)에 배치하는 경우, 웨이퍼(W)는, 그 에지가 경사면(51B)에 접함으로써 지지된다(도 8 참조). 이 때, 웨이퍼(W)는, 회전 플레이트(23P)의 상면으로부터 이격되어 있다.
또한, 웨이퍼 지지부(51)의 상면 평탄부(51A)에는 가이드 핀(52)이 마련되어 있다. 가이드 핀(52)의 측면(52I), 하단에서, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)의 외측 둘레 가장자리에 접해 있다. 또한, 가이드 핀(52)에는, 회전 플레이트(23P) 중앙을 향해 경사지는 안내 경사면(52B)이 형성되어 있다. 유지 아암부(14a)(도 1)로부터 웨이퍼 지지부(51)에 웨이퍼(W)가 배치될 때에 웨이퍼(W)의 에지가 안내 경사면(52B)에 접하면, 웨이퍼(W)의 에지가 안내 경사면(52B)을 미끄러져 떨어지도록 안내되어, 웨이퍼(W)가 이동하게 되고, 이것에 의해 웨이퍼(W)가 위치 결정되어 웨이퍼 지지부(51)에 지지된다.
또한, 가이드 핀(52)은, 가이드 핀(52)의 상면이, 복수의 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)의 상면보다 높은 위치에 위치되는 높이를 갖고 있다.
또한, 도 7에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 지지부(51)에 마련된 가이드 핀(52)과, 파지 기구(23G)의 파지부(23A)에는, 대략 중앙부에서, 회전 플레이트(23)의 둘레 가장자리와 교차하는 방향으로 연장되는 홈부(G)가 형성되어 있다. 웨이퍼 지지부(51B)에 지지되는 웨이퍼(W)의 상면에 액체가 공급되는 경우, 이 체는, 홈부(G)를 통해 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 배출될 수 있다. 이 때문에, 가이드 핀(52)이나 파지부(23A) 부분에 액체가 체류하는 것을 저감할 수 있어, 액체의 체류에 의해 생길 수 있는 워터마크의 발생을 저감하는 것이 가능해진다.
다음에, 도 9를 참조하면서 파지 기구(23G)의 기능에 대해서 설명한다. 도 9는, 도 7에서의 선 I-I를 따라 취한 일부 단면도이다. 또한, 도 9의 (a)는, 예컨대 회전 플레이트(23P) 위에 웨이퍼(W)를 배치한 직후의 웨이퍼(W)와 파지 기구(23G)를 도시하고 있다. 도시하는 바와 같이, 도 9의 (a)에 파선으로 도시하는 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 의해 웨이퍼(W)의 에지가 지지되어 있다. 이 때, 승강 기구(41)(도 5)에 의해, 아암(42)은 위쪽으로 이동하고 있고, 로드 부재(43)가 파지 기구(23G)의 레버 부재(23L)의 원단을 위쪽으로 밀어 올리고 있다. 이 때문에, 레버 부재(23L)의 타단[회동축(23T)에 의해 지지되는 단부)에 마련된 파지부(23A)는 바깥쪽으로 기울어져 있다. 여기서, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이 아암(42)이 아래쪽으로 이동하면, 레버 부재(23L)는, 회전 플레이트(23P)의 하면에 마련된 압박 부재(23B)와 자중(自重)에 의해, 회동축(23T)을 중심으로 시계 방향으로 회동한다. 이것에 수반하여 파지부(23A)가 웨이퍼(W)의 에지를 내리 누른다. 3개의 파지 기구(23G)의 파지부(23A)가 에지를 내리 누름으로써, 웨이퍼(W)가 파지된다. 이 상태로, 모터(M)(도 5)가 회전하면, 회전 플레이트(23P)와, 이것에 부착된 파지 기구(23G)가 회전하고, 회전 플레이트(23P) 위에서 웨이퍼 지지부(51B)에 의해 지지되며, 파지 기구(23G)에 파지되는 웨이퍼(W)가 회전한다.
다음에, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)의 동작(액처리 장치의 제어 방법)에 대해서, 지금까지 참조한 도면을 적절하게 참조하면서 설명한다. 또한 이하에서는, 도 5 내지 도 9를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)를 예로 들어 설명한다. 또한, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(W)는, 액처리 스테이션(S3)의 반전 기구(16a)에 의해 상하 반전되어, 웨이퍼(W)의 회로 형성면이 아래를 향한 상태로, 액처리 장치(1)에 반입된다. 이하의 설명에서는, 웨이퍼(W)의 상면이라고 할 때에는, 웨이퍼(W)의 회로 형성면과 반대측의 면을 의미한다.
우선, 컵부(22)가 강하되어 도 5에 실선으로 도시하는 아래쪽 위치에 위치되고, 승강 기구(41)에 의해 아암(42) 및 로드 부재(43)가 위쪽으로 이동하여, 파지 기구(23)의 레버 부재(23L)를 밀어 올린다. 이것에 의해, 파지부(23A)가 바깥쪽으로 개방되어, 웨이퍼(W)가 배치되는 스페이스가 확보된다.
이어서, 하우징(21)의 반송구(21a)가 개방되고, 반송 기구(14)의 유지 아암부(14a)에 의해 웨이퍼(W)가 반송구(21a)로부터 하우징(21) 내에 반입되며, 웨이퍼 유지 회전부(23)의 위쪽에서 정지한다. 이어서, 유지 아암부(14a)가 하강하고, 유지 아암부(14a)로부터 웨이퍼 유지 회전부(23)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 이 때, 웨이퍼(W)는, 가이드 핀(52)에 의해 안내되어, 회전 플레이트(23P)의 둘레 가장자리의 상면에 마련된 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지된다. 구체적으로는, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)(도 7, 도 8) 전체에 걸쳐 웨이퍼(W)의 에지가 접하는 것에 의해, 웨이퍼(W)가 지지된다.
유지 아암부(14a)가 반송구(21a)로부터 외부로 후퇴한 후, 승강 기구(41)(도 5)에 의해 아암(42) 및 로드 부재(43)가 아래쪽으로 이동하는 것에 의해, 레버 부재(23L)가 회동하고, 그 결과, 파지부(23A)가 웨이퍼(W)의 에지를 누른다. 이것에 의해, 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지된 상태로, 웨이퍼(W)가 파지 기구(23G)에 의해 파지된다. 컵부(22)가, 도 5에 도시하는 위쪽 위치에 위치되면, 모터(M)에 의해 회전 샤프트(23S) 및 회전 플레이트(23P)의 회전이 시작된다. 이것에 의해, 웨이퍼 지지부(51)에 지지되고 파지 기구(23)에 의해 파지되는 웨이퍼(W)도 또한 회전한다. 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 500 rpm 내지 2000 rpm이어도 좋다. 이 때, 회전 샤프트(23S) 내에 형성되어 있는 도관(23C)으로부터, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 공간에 대하여 예컨대 N2 가스가 공급된다.
다음에, 브러시(24)의 아암(24A)이 회동하고, 브러시(24)가 도 5에 점선으로 도시하는 위치로 이동하며, 웨이퍼(W)의 상면을 향해 강하하다. 브러시(24)의 선단이 웨이퍼(W)의 상면에 접하는 동시에(또는 약간 전에), 브러시(24)의 개구부(24B)로부터 예컨대 DIW가 공급된다. 이 DIW는, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 상면에서 웨이퍼(W)의 에지를 향해 퍼져 가고, 웨이퍼(W)의 에지로부터 바깥쪽으로 흘러나온다.
이 후, 브러시(24)는, 아암(24A)이 회동하는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 에지를 향해 이동해 간다. 웨이퍼(W)의 회전과 브러시(24)의 이동에 의해, 웨이퍼(W)의 전체면에 브러시(24)가 접하고, 브러시(24)에 의해 제거된 파티클이나 불순물이 DIW에 의해 씻겨 흘려간다.
브러시(24)가, 웨이퍼(W)의 에지로부터 밖으로 이동한 후, DIW의 공급을 정지하고, 웨이퍼(W)의 상면을 건조시킨다. 이 후, 웨이퍼(W)를 반입했을 때의 수순의 역수순에 의해, 웨이퍼(W)가 하우징(21) 밖으로 반출된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에 의하면, 반송 아암(14a)(도 1)으로부터 웨이퍼 유지 회전부(23)에 전달될 때, 웨이퍼(W)는 가이드 핀(52)에 의해 안내되고, 회전 플레이트(23P) 위의 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 웨이퍼(W)의 에지가 접하도록 지지된다. 회전 플레이트(23P)가 회전하며, 브러시(24)가 하강하고 브러시(24)의 개구로부터 웨이퍼(W)에 액체가 공급되면, 액체는 웨이퍼(W)의 상면에서 바깥쪽으로 퍼지도록 흐른다. 이 때, 웨이퍼(W)의 에지는, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 접해 있기 때문에, 액체가 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것이 억제된다.
예컨대, 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이, 회전 플레이트(23P)의 둘레 방향을 따른 웨이퍼 지지부(51') 및 가이드 핀(52')의 길이가 대략 같은 경우[웨이퍼 지지부(51')가 가이드 핀(52')의 양측 방향으로 연장되지 않는 경우]에는, 웨이퍼(W)의 상면을 흐르는 액체는, 가이드 핀(52)의 측면(52I)에 충돌하여 비산하고, 회전 플레이트(23P)와 웨이퍼(W)의 간극으로부터 웨이퍼(W)의 하면으로 돌아들어가, 웨이퍼(W)의 하면에 부착된다(도면중의 화살표 A' 참조). 웨이퍼(W)의 하면에 액체가 부착되면, 액체중의 파티클이 웨이퍼(W)의 하면에 잔존할 우려가 있다. 웨이퍼(W) 하면의 파티클은, 웨이퍼(W)가 다음에 반송되는 반도체 제조 장치의 웨이퍼 지지부를 오염시키거나, 웨이퍼 캐리어 내에서 인접하는 다른 웨이퍼의 표면을 오염시키거나 하는 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 웨이퍼(W)의 상면에서는, 상면을 흐르는 액체에 의한 액막이 존재하기 때문에, 액체 중의 파티클이, 웨이퍼(W)의 상면에는 잔존하기 어렵다.
그러나, 본 발명의 실시형태에서는, 웨이퍼 지지부(51)가 가이드 핀(52)보다 길고, 가이드 핀(52)의 측방에서도 웨이퍼(W)의 에지가 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)에 접해 있다. 또한 웨이퍼 지지부(51)는, 회전 플레이트(23P)와의 사이에 간극을 형성하지 않고 마련되어 있다. 이 때문에, 도 10의 (b)에 도시하는 바와 같이, 가이드 핀(52)의 측면(52I)에 충돌하여 비산한 액체가 웨이퍼(W)의 하면으로 돌아들어가 부착되는 것이 억제된다. 즉, 본 발명의 실시형태에 의하면, 전술한 오염을 저감시키는 것이 가능해진다. 또한, 웨이퍼 지지부(51)의 경사면(51B)의 외측 둘레에 상면 평탄부(51A)를 갖는 것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면을 흐른 액체는, 흐름을 흐트러뜨리지 않고 웨이퍼(W) 바깥쪽으로 흘러나올 수 있다. 또한, 웨이퍼 지지부(51)의 길이를 길게 한 것에 의해, 도관(23C)으로부터 공급된 N2가 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 공간으로부터 분출되는 부분을 좁게 할 수 있어, N2의 유속을 빠르게 할 수 있다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 에지가 경사면(51B)에 접하지 않는 부분이어도, 액체가 웨이퍼(W)의 하면으로 돌아들어가 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 액처리 장치(1)에 의한 효과로서, 도 5 내지 도 9를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)를 예로 설명했지만, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)에서도, 액체가, 웨이퍼(W)의 상면을 흐르고, 가이드부(40)에 충돌하여 웨이퍼(W)의 이면에 부착되는 것이 억제되기 때문에, 같은 효과가 얻을 수 있다.
또한, 도 5 내지 도 9를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)에서는, 경사면(51B)에 의해 웨이퍼(W)의 에지를 넓은 범위에서 지지하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 휘어짐을 저감할 수 있다. 웨이퍼(W)의 휘어짐의 저감을 확인하기 위해 행한 실험의 결과를 도 11에 도시한다. 도 11의 (a)는, 비교를 위해, 도 10의 (a)에 도시하는 웨이퍼 지지부(51') 및 가이드 핀(52')을, 약 120˚의 각도 간격으로 3개 마련한 경우에서의, 브러시(24)에 의한 웨이퍼(W) 상면의 세정 후의 파티클 맵을 도시하고, 도 11의 (b)는, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)(도 5 내지 도 9)에서의, 브러시(24)에 의한 웨이퍼(W) 상면의 세정 후의 파티클 맵을 도시한다.
도 11의 (a)에서는, 대략 세잎 클로버(trifolium leaf) 형상의 범위에서는, 파티클이 적지만, 그 범위의 외측에서는 다수의 파티클이 있는 것을 알 수 있다. 이러한 분포는, 이하의 이유에 의해 생긴다고 고려된다. 즉, 짧은 웨이퍼 지지부에 의해 웨이퍼(W)의 에지가 지지되는 부분에서는 웨이퍼(W)가 거의 휘지 않기 때문에, 브러시(24)가 충분히 내리 눌려 파티클이 저감되는 한편, 그 부분 사이의 영역에서는 웨이퍼(W)가 비교적 크게 휘기 때문에, 회전하는 웨이퍼(W)의 상면에 대한 브러시(24)의 압박력이 전체 둘레에서 일정하지 않게 되어, 파티클을 충분히 저감할 수 없다.
한편, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에서는, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 상면 전체에서 일률적으로 파티클이 적다. 이것은, 웨이퍼(W)의 에지가 비교적 넓은 범위에서 경사면(51B)에 지지되기 때문에, 웨이퍼(W)의 평탄성이 좋은 것에 의한 것으로 생각된다. 또한, 경사면(51B)에 의해 웨이퍼(W)의 에지를 넓은 범위에서 지지하고 있기 때문에, 브러시(24)의 압박력에 의해 웨이퍼(W)에 걸리는 힘을 분산할 수 있어, 웨이퍼(W)의 에지에 흠집이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 전술한 파티클의 저감 효과는, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한 액처리 장치(1)에서도, 웨이퍼(W)가 둘레 가장자리를 따른 넓은 범위에서 지지되기 때문에, 마찬가지로 얻을 수 있다.
이상, 실시형태를 참조하면서 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시형태에 한정되지 않고, 첨부한 특허청구범위에 비추어, 여러 가지로 변형 또는 변경할 수 있다.
예컨대, 전술한 실시형태에서는, 액처리 장치(1)에 브러시(24)가 마련되고, 브러시(24)에 의해 웨이퍼(W)의 상면을 세정하는 경우에 대해서 설명했지만, 브러시(24)를 이용한 세정에 한정되지 않는다. 예컨대 브러시(24) 대신에, 청정 기체용 도관과, 탈이온수(DIW)용 도관이 마련되고, 청정 기체에 의해 DIW의 미스트를 분출하는 이류체 노즐을 액처리 장치(1)에 마련하며, 이것에 의해 웨이퍼(W)의 상면을 처리하여도 좋다. 물론, 액체만을 공급하는 액체 공급 노즐을 이용하여도 상관없다.
또한, 브러시(24)나 이류체 노즐 등 대신에, 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 액체를 토출하는 토출부에 초음파 진동자가 내장된 액체 공급 노즐을 이용하여도 좋다. 이 액체 공급 노즐에 의하면, 초음파 진동자로부터 발생한 예컨대 15 kHz∼400 kHz의 영역대, 또는 15 MHz 영역대나 3.0 MHz의 영역대의 고주파에 의해, 액체중에서 미세한 거품이 발생하여 파열되거나, 액체 분자의 진동이 촉진되거나 하기 때문에, 액처리 효율이나 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서, 웨이퍼(W)는, 회전 플레이트(23P) 위의 웨이퍼 지지부(51)에 의해, 웨이퍼(W)에서의 회로 형성면이 하향(페이스 다운)이 되도록 지지되어 있지만, 본 발명의 실시형태에 의한 액처리 장치(1)에서는, 회로 형성면이 상향(페이스 업)이 되도록 웨이퍼(W)를 유지하고, 예컨대 이류체 노즐을 이용하여 회로 형성면을 처리하여도 좋다. 이 경우라도, 웨이퍼(W)의 하면에의 액체의 부착을 피할 수 있기 때문에, 하면에서의 파티클을 저감하는 것이 가능해진다.
전술한 실시형태에서는, 회전 플레이트(23P)에 절결부(C2)가 형성되었지만, 절결부(C2)는, 액처리 장치(1)의 하우징(21) 내에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암부(14a)의 웨이퍼 유지 클로(14b)에 대응하여 형성되는 것에 지나지 않고, 불가결하지는 않다. 예컨대 회전 플레이트(23P)를 관통하여 상하 이동하는 3개의 리프트 핀을 이용하여 반송 아암부(14a)와 웨이퍼 유지 회전부(23) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 경우에는, 반송 아암부(14a)에 웨이퍼 유지 클로(14b)는 불필요하고, 따라서, 절결부(C2)를 회전 플레이트(23P)에 형성할 필요는 없다.
또한, 웨이퍼 지지부(51)의 형상은, 도시한 것에 한정되지 않고 여러 가지로 변형 가능하다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 예컨대 회전 플레이트(23P) 위에 배치되는 웨이퍼 지지부(51)는, 회전 플레이트(23P)의 회전 진행 방향측의 단부가, 끝이 가늘게 형성되고 선단이 예각 형상을 가져도 좋다. 이와 같이 하면, 회전 플레이트(23P)의 회전에 수반하여 웨이퍼 지지부(51)에 의해 난류가 야기되는 것을 방지할 수 있어, 웨이퍼(W) 상면의 액체를 비산시키지 않고 바깥쪽으로 흘릴 수 있다.
또한, 웨이퍼 지지부(51)와, 파지 기구(23G)의 파지부(23A) 사이의 간격을 가능한 한 좁히는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 액체가 웨이퍼(W)의 상면을 흘러 파지부(23A)에 충돌하고, 웨이퍼 지지부(51)와 파지부(23A) 사이로부터 들어가 웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것을 저감할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 하면의 에지 근방에서의 파티클의 발생을 보다 효과적으로 저감하는 것이 가능해진다. 또한, 웨이퍼(W)의 상면에는 액에 의한 액막이 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 상면에 파티클이 잔존하는 경우는 거의 없다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 파지 기구(23G)의 파지부(23A)가 웨이퍼(W)의 에지를 압박하는 것에 의해 웨이퍼(W)가 파지되었지만, 웨이퍼(W)를 저속으로(예컨대 10 rpm 내지 50 rpm 정도로) 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 상면에 DIW를 공급하여 상면을 세정하는 등의 경우에는, 파지 기구(23G)에 의한 파지는 불필요하고, 따라서, 액처리 장치(1)에 파지 기구(23G)를 마련하지 않아도 좋다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 6개의 웨이퍼 지지부(51)가 마련되어 있었지만, 이것에 한정되지 않고, 원하는 수의 웨이퍼 지지부(51)를 마련하여도 좋다. 또한 회전 플레이트(23P) 위의 인접하는 2개의 웨이퍼 지지부(51) 사이에서, 회전 플레이트(23P)의 둘레 가장자리[절결부(C2)를 포함]를 따른 융기부를 마련하여도 좋다. 이 경우, 융기부는, 웨이퍼 지지부(51)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 간격보다 작은 높이를 갖고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 융기부와 웨이퍼(W) 사이의 간격은, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 간격보다 좁아지기 때문에, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(23P) 사이의 공간을 흐르는 N2 가스를 보다 고속으로 분출시키는 것이 가능해진다. 따라서, 2개의 웨이퍼 지지부(51) 사이에서의 웨이퍼(W)의 하면에 대한 액체의 부착을 저감할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에서는, 반도체 웨이퍼를 액처리하는 경우를 예로 설명했지만, FPD용 유리 기판을 액처리하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.

Claims (16)

  1. 회전 가능한 회전판과,
    상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라서 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부와,
    상기 기판 지지부에 설치되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖고, 상기 기판의 둘레 가장자리를 지지함으로써 상기 기판을 안내할 수 있는 안내부와,
    상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 상측으로부터 액체를 공급하는 공급부와,
    상기 회전판의 둘레 가장자리에 설치되고, 상기 기판을 압박하는 것에 의해 상기 기판을 파지하는 파지부를 구비하며,
    상기 기판 지지부 및 상기 안내부는 하나의 상기 파지부의 양측에 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라서 설치되고, 상기 파지부와 상기 기판 지지부와 상기 안내부로 구성되는 세트가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라서 적어도 3개 이상 설치되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지부는, 상기 회전판의 중심의 방향으로 경사진 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 안내부는, 상기 회전판의 중심의 방향으로 경사진 안내 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회전판에는, 상기 기판 지지부와의 사이에서 상기 기판을 전달하는 반송 아암에 구비되며, 상기 기판을 유지하는 기판 유지 클로에 대응하여 설치되고, 상기 기판 유지 클로가 상기 회전판 및 상기 기판 지지부를 상하로 빠져 나가는 제1 절결부가 마련되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 파지부 및 상기 안내부 중 적어도 한쪽에, 상기 회전판의 둘레 가장자리와 교차하는 방향으로 연장되는 홈부가 형성되어 있고, 상기 홈부는, 상기 기판의 상면에 공급된 액체를 상기 기판의 외측으로 배출하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 절결부가 마련되는 것에 의해 분리되는 상기 기판 지지부에서의 상기 회전판의 회전 방향 상류측의 단부가 예각 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 회전판의 회전 중심을 따라 연장되어 회전 구동부에 접속되고, 상기 회전 구동부의 회전력을 상기 회전판에 전달하는 회전 축부를 더 구비하며,
    상기 회전 축부에는, 상기 회전판과, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 사이에 기체를 공급하는 공급관이 설치되는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공급부는, 상기 기판의 상면에 접하여 그 상면을 세정하는 세정 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  9. 회전 가능한 회전판과,
    상기 회전판의 중심의 방향으로 경사진 경사면을 갖고, 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 설치되고 기판을 지지하는 기판 지지부와,
    상기 기판 지지부에 설치되고, 상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판의 표면보다 높은 높이를 갖고, 상기 기판의 둘레 가장자리를 지지함으로써 상기 기판을 안내할 수 있는 안내부와,
    상기 기판 지지부에 의해 상기 둘레 가장자리가 지지되는 상기 기판에 대하여 상측으로부터 액체를 공급하는 공급부와,
    상기 회전판의 둘레 가장자리에 설치되고, 상기 기판을 압박하는 것에 의해 상기 기판을 파지하는 파지부를 구비하며,
    상기 기판 지지부 및 상기 안내부는 하나의 상기 파지부의 양측에 상기 회전판의 둘레 가장자리를 따라 설치되고, 상기 파지부와 상기 기판 지지부와 상기 안내부로 구성되는 세트가, 상기 회전판의 둘레 방향을 따라서 적어도 3개 이상 설치되는 액처리 장치를 이용하여,
    상기 안내부에 의해 상기 기판을 안내하면서, 상기 기판의 둘레 가장자리를 상기 기판 지지부의 상기 경사면에 지지함으로써, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 지지시키는 스텝과,
    상기 파지부에 의해 상기 기판을 파지시키는 스텝과,
    상기 기판을 회전시키는 스텝과,
    상기 기판에 대하여 액체를 공급하는 스텝
    을 포함하는 액처리 장치의 제어 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판을 상기 기판 지지부에 지지시키는 스텝은, 상기 기판 지지부와의 사이에서 상기 기판을 전달하는 반송 아암에 구비되며, 상기 기판을 유지하는 기판 유지 클로에 대응하여 상기 회전판 및 상기 기판 지지부에 마련되는 절결부를, 상기 기판 유지 클로가 빠져 나가게 하는 스텝을 포함하는 것인 액처리 장치의 제어 방법.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 파지부 및 상기 안내부 중 적어도 한쪽에, 상기 회전판의 둘레 가장자리와 교차하는 방향으로 연장되는 홈부가 형성되어 있고,
    상기 액체를 공급하는 스텝에서, 상기 홈부에 의해, 상기 기판의 상면에 공급된 액체를 상기 기판의 외측으로 배출시키는 것인 액처리 장치의 제어 방법.
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 액체를 공급하는 스텝은, 상기 기판의 상면에 접촉하여 그 상면을 세정하는 세정 부재를, 상기 기판 지지부에 의해 지지되는 상기 기판의 상기 상면에 접촉시키는 스텝을 포함하는 것인 액처리 장치의 제어 방법.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 기판 지지부에 의해 지지되는 상기 기판과 상기 회전판의 사이의 공간에 불활성 가스를 공급하는 스텝을 더 포함하는 액처리 장치의 제어 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
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