CN110660703B - 半导体处理系统及半导体处理系统的污染控制方法 - Google Patents

Abstract

本揭露有关于一种污染控制半导体处理系统及半导体处理系统的污染控制方法。污染控制半导体处理系统包含处理腔室、污染侦测系统、以及污染移除系统。处理腔室配置以处理晶圆。污染侦测系统配置以判断门的表面上的污染程度是否大于基准程度。污染移除系统配置以根据大于基准程度的污染程度，从门的表面移除污染物。

Description

半导体处理系统及半导体处理系统的污染控制方法

技术领域

本揭露实施例是有关于一种半导体处理系统，且特别是有关于一种具有污染控制的半导体处理系统。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高的储存容量、更快的处理系统、更高的性能、以及更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体工业持续缩小半导体元件的尺寸。这样的缩小增加了半导体制程的复杂性以及半导体制造系统中污染控制的需求。

发明内容

在一些实施方式中，提供一种半导体处理系统。半导体处理系统包含处理腔室、污染侦测系统、以及污染移除系统。处理腔室配置以处理晶圆且包含门。污染侦测系统配置以判断门的表面上的污染程度是否大于基准程度。污染移除系统配置以根据大于基准程度的污染程度，从门的表面上移除污染物。

在一些实施方式中，一种半导体处理系统。半导体处理系统包含处理腔室、污染侦测系统、以及污染移除系统。处理腔室配置以处理晶圆且包含门。污染侦测系统包含红外线发射器、红外线侦测器以及处理器。红外线发射器配置以沿着门的表面发射辐射。红外线侦测器配置以侦测辐射的部分的光学性质。处理器配置以根据光学性质判断表面上的污染程度。污染移除系统配置以根据污染程度从表面移除污染物。

在一些实施方式中，一种半导体处理系统的污染控制方法，此方法包含判断处理腔室门的侧面上的污染程度是否大于基准程度；根据大于基准程度的污染程度，从侧面移除污染物；以及根据等于或小于基准程度的侧面上的污染程度或处理腔室门的底面的污染程度，将晶圆送入或移出处理腔室。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。

图1A是绘示依照一些实施方式的一种具有污染控制处理腔室门的半导体处理系统的剖视图；

图1B是绘示依照一些实施方式的一种污染控制处理腔室门的剖视图；

图2是绘示依照一些实施方式的一种具有污染移除系统的半导体处理系统的剖视图；

图3是绘示依照一些实施方式的一种污染移除系统的等角图；

图4A至图4C是绘示依照一些实施方式的一种污染移除系统的气体喷嘴出口的配置；

图5是绘示依照一些实施方式的一种污染移除系统的气体喷嘴的等角图；

图6是绘示依照一些实施方式的一种半导体处理系统中的污染侦测系统的剖视图；

图7是绘示依照一些实施方式的一种污染侦测系统的剖视图；

图8是绘示依照一些实施方式的一种具有污染移除系统的半导体处理系统的剖视图；

图9A至图9C是绘示依照一些实施方式的一种污染移除系统的透视图；

图10是绘示依照一些实施方式的一种从半导体处理系统的处理腔室门上侦测及移除污染的方法的流程图。

现将参考附图描述说明性实施例。在附图中，相同的元件符号通常表示相同的、功能相似的及/或结构相似的元件。

【符号说明】

100 处理系统/半导体处理系统

102 污染控制处理腔室门/处理腔室门

102* 处理腔室门

103 液滴

104 晶圆

106 处理腔室

106w 腔室墙/处理腔室墙

107 金属层

107b 底面

107d 深度

107s* 表面

107s 侧面

107g 凹陷

108 层/疏水层

108s 表面

108t 厚度

110 拦截杯

112 晶圆载台

112a 晶圆托架

112b 旋转座

114 后喷嘴

116 遮蔽板

118 喷雾嘴

120 喷嘴臂

122 驱动元件

200 半导体处理系统

202 处理腔室门

202a 表面/侧面

202b 表面/侧面

224a 污染移除系统

224b 污染移除系统

226a 气流

226b 气流

330 气体喷嘴

330a 气体喷嘴出口

330b 喷嘴出口表面

332 气体管线

334 喷嘴制动器

338 对称轴

530 气体喷嘴

530a 气体喷嘴出口

530b 喷嘴出口表面

640 污染侦测系统

640a 红外线发射器

640b 红外线侦测器

640c 处理器

642 红外光

642a 部分

644 讯号

646 讯号

750 污染侦测系统

750a 红外线发射器

750b 红外线侦测器

750c 处理器

752 红外光

752a 部分

754 讯号

756 讯号

860 污染移除系统

862 污染移除装置

862a 擦拭元件

862b 支撑元件

862c 基板

1000 方法

1010、1020、1030、1040、1050、1060、1070、1080 操作

A 入射角/水接触角

B 入射角

C 角度

D_C 直径

L_A 长度

L_B 长度

W_A 宽度

W_B 宽度

具体实施方式

以下揭露提供许多不同的实施例或例子，以实施本揭露不同的特征。以下描述部件及配置的具体实施例或例子以简明本揭露。当然，这些仅为例子而非用以作为限制。举例来说，在下面说明中，第一特征形成于第二特征上或之上可包含第一特征与第二特征以直接接触形成的实施例，亦可包含额外特征形成于第一及第二特征之间的实施例，使得第一特征与第二特征可非直接接触。另外，本揭露可以在各种示例中重复元件符号及/或字母。这些重复本身并非指定所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。

空间相对关系的用语，例如：“在…之下(beneath)”、“在…下面(below)”、“较低(lower)”、“在…上面(above)”、“较高(upper)”、或之类的用语，可在此使用以简明描述如附图所绘示的一元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系的叙述。空间关系的用语，除了附图所描绘的定向之外，亦用以包含元件在使用或操作中的不同的定向。元件可另外定向(旋转90度或其他定向)，且在此使用的空间关系叙述可同样地照此解释。

应注意的是，说明书中提及“一个实施方式”、“一实施方式”、“一例示实施方式”、“示范”等等表示所描述的实施方式可能包含特定特征、结构、或特性，但每个实施方式可能无需包含此特定特征、结构、或特性。此外，这样的用语不必然指称相同实施方式。再者，当关于一实施方式描述一特定特征、结构、或特性时，不管有没有明确描述，关于其他实施方式实现这样的特征、结构、或特性时落在熟悉此技艺者的知识范围内。

应了解的是，在此的用词或术语是作描述之用，而非作为限制，因此本说明书的术语或用词由熟悉相关技艺者按照在此的教示来诠释。

如在此所使用，用语“约”表示一给定数量的数值可根据与标的半导体元件有关的特定技术节点而变化。在一些实施方式中，根据特定技术节点，用语“约”可表示一给定数量的数值在例如该数值的5％至30％的范围内变化(例如，该数值的±5％、±10％、±20％、或±30％)。

如在此所使用的用语“实质”表示一给定数量的数值可根据与标的半导体元件有关的特定技术节点而变化。在一些实施方式中，根据特定技术节点，用语“实质”可表示一给定数量的数值在例如该目标(或所欲)数值的5％的范围内变化。

在半导体元件的制造期间，半导体晶圆在不同的处理系统中接受不同的制程(例如，蚀刻、清洗、旋涂及/或化学机械研磨)。这些处理系统需要在处理晶圆期间以及在晶圆送入或移出处理腔室的期间提供污染控制的处理腔室，以防止或降低晶圆缺陷并保持处理过的晶圆的完整性。

在处理系统中，污染物可以是处理腔室内部表面(例如，处理腔室壁或处理腔室门)上的颗粒及/或流体的形式。这些污染物会在晶圆被送入和移出处理腔室时转移到晶圆上，而在晶圆上形成缺陷，这可能导致有缺陷的半导体元件因而造成良率损失。污染物可来自湿处理制程材料(例如，蚀刻剂、清洗溶液、光阻剂、去离子水、显影溶液、及/或浆料)，其在晶圆的湿处理期间粘附到处理腔室的内部表面。污染物也可以是水气形式，其可聚集在处理腔室的内部表面上。

本揭露提供例示性的污染侦测与移除系统，配置以防止及/或减少晶圆在送入或移出处理腔室的期间受到污染。在一些实施例中，污染侦测系统可配置以判断处理腔室门的表面的污染程度。根据污染侦测系统的输出，污染移除系统可配置以从处理腔室门的侧面及/或底面移除污染。在一些实施例中，污染侦测系统及/或污染移除系统可配置以根据处理腔室门的位置来操作。

在一些实施例中，污染移除系统可包含污染移除装置，配置以提供高压气流以从处理腔室门的表面移除污染物。气流可以相对于处理腔室门的侧面以小于90度的角度导向处理腔室门。在一些实施例中，污染移除系统可包含擦拭元件，其可配置以从处理腔室门的底面取出污染物。由于缺陷晶圆的减少，本揭露的污染侦测与移除系统可增加半导体元件的良率。在一些实施例中，与没有污染侦测与移除系统的处理系统相比，良率提高了约10％至约50％。

图1A是绘示依照一些实施方式的具有污染控制处理腔室门102的一种半导体处理系统100。处理系统100可配置以处理(例如蚀刻、清洗、涂覆、及/或化学机械研磨)含有硅及/或其他半导体材料的晶圆104。处理系统100可包含处理腔室106，处理腔室106具有耦合于处理腔室墙106w的污染控制处理腔室门102。处理腔室门102可配置以控制处理腔室106的出入，且可配置以在其操作期间沿着Z轴移动。处理腔室门102可包含金属层107以及涂覆在金属层107的侧面107s与底面107b的疏水层108，以防止及/或减少在晶圆104的湿处理过程中，湿气及/或湿处理材料(例如，蚀刻剂、清洗溶液、光阻剂、去离子水、及/或浆料)形式的污染物粘附，其会溅到未涂覆的处理腔室门102的表面107s上。

在一些实施例中，疏水层108可具有范围从约10nm至约10mm的厚度108t(例如，从约10nm至约50nm、从约100nm至约1μm、从约10μm至约100μm、或从约1mm至约10mm)，且可包含氟碳基化合物、具有疏水性官能团的硅烷基的化合物、或其组合。在一些实施例中，疏水性官能团可包含氟、氯、氨(NH₃)、三氟甲烷(CF₃)、或甲基(CH₃)。在一些实施例中，疏水性官能团可包含十二烷基三乙氧基硅烷(dodecyltriethoxysilane)、三氯十二烷基硅烷(trichlorododecylsilane)、3,3,3-三氟丙基三氯硅烷(3，3，3-trifluoropropyltrichlorosilane)、或3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷(3，3，3-trifluoropropyltrimethoxysilane)。在一些实施例中，疏水层108的表面108s可具有范围从约93度至约176度的水接触角。水接触角是固体表面的疏水性的判断基准。具有水接触角大于90度的固体表面可定义为疏水性，且水接触角可定义为液体界面碰到固体表面的角度。举例而言，在图1A中，水接触角A是形成在污染物的液滴103以及表面108s之间。因为表面108s的疏水性，水接触角A可以在约93度至约176度的范围内，因而防止液滴103粘附到表面108s。

在一些实施例中，疏水层108的形成可包括沉积制程，接着是退火制程。沉积制程可包含用氟碳基聚合物溶液或具有疏水性官能团的硅烷溶液选择性涂覆(例如，旋转涂覆、喷涂、或其他适合的涂覆方法)表面107s及107b。退火制程可包含在约100℃至约130℃的温度范围内对涂覆的表面107s及107b进行热处理，持续时间为约1小时至约2小时。

在一些实施例中，取代层108或除了层108以外，表面107s及107b可被粗糙化，以形成类似表面107s*(如图1B所示)的表面，其可提供具有范围从约93度至约176度的疏水性表面。图1B示出了具有粗糙表面107s*的处理腔室门102*。除非另有说明，否则处理腔室门102的讨论适用于处理腔室门102*。

粗糙表面107s*可包含数个凹陷107g。在一些实施例中，每一个凹陷107g具有范围从约16nm至约10μm的深度107d、以及范围从约3nm至约2μm的宽度107w。在一些实施例中，每一个凹陷可具有深宽比(深度107d对宽度107w的比例)等于或大于5(例如，约5.5、约6、约6.5、约7、约8、或约10)、或范围从约5至约12。可以基于表面107s*所需的水接触角来选择凹陷107g的数量、排列方式、及尺寸。

在一些实施例中，粗糙表面107s*的形成可包含在约100℃至约200℃的温度下，对处理腔室门102*的非粗糙表面进行激光处理，持续时间为约10秒至约30秒。激光处理包含使用具有波长范围从约800nm至约1000nm、脉冲能量范围为约1.5μJ至约2μJ、脉冲重复率范围为约1MHz至约1μM的飞秒光纤激光(femtosecond fiber laser)来辐射非粗糙表面。

请再次参照图1A，在一些实施例中，处理系统100可还包含拦截杯(catch cup)110、晶圆载台112、后喷嘴114、遮蔽板116、以及耦合于喷嘴臂120与驱动元件122的喷雾嘴118。处理系统100可包含操作所需的额外元件(图未示)，例如输送模组、湿式清洗站、机械手臂、泵浦、排放管线、加热元件、气体与化学品输送管、控制器、阀、以及对集束型设备(cluster tool)的其他元件(例如计算机单元、化学分析仪、质量流量控制器、压力控制器、阀、以及泵浦)的外部及内部电连接。这些额外的元件在本揭露的精神与范围内。

拦截杯110可配置以提供晶圆104湿处理的环境。拦截杯110的上部可向内倾斜，以帮助晶圆104在湿处理期间所收集的废弃物留在其内，且可透过耦合于拦截杯110的底部的排放系统帮助废弃物排放。

晶圆载台112包含晶圆托架112a以及旋转座112b，且可设置在拦截杯110中。晶圆托架112a可耦合于旋转座112b，且可配置以在晶圆104的湿式或干式处理期间，透过旋转座112b在不同的速度下托住并旋转晶圆104。在一些实施例中，晶圆托架112a可配置以透过夹持机构来牢固地夹持晶圆104，例如真空吸盘或静电吸盘。在一些实施例中，晶圆托架112a可进一步配置以倾斜或动态地改变倾斜角度。在一些实施例中，晶圆载台112可装配适合的加热机构，以将晶圆104加热到所需温度。

遮蔽板116可以设置在晶圆载台112的上方，且配置以在晶圆104进行湿处理步骤后，喷洒清洗溶液以从晶圆104的上表面清洗残留物。清洗溶液可包含，例如水，去离子水，氢氧化铵、过氧化氢、以及水的溶液，盐酸、过氧化氢、以及水的溶液，或其组合。此外或替代的，遮蔽板116可配置以排放气体到晶圆104的上表面，以在晶圆104已进行清洗步骤后干燥晶圆104。

在一些实施例中，遮蔽板116可配置以沿着Z轴移动，且可根据遮蔽板的操作模式来调整遮蔽板116与晶圆104之间的距离。举例而言，遮蔽板116可在晶圆清洗及/或晶圆干燥模式的操作期间下降靠近晶圆104，且可在完成晶圆清洗及/或干燥步骤之后抬升至初始位置。在一些实施例中，在湿处理步骤后，可以使用可延伸通过旋转座112b的后喷嘴114来清洗及/或干燥晶圆的后侧。后喷嘴114可配置以施加清洗溶液，以清洗及/或排放干燥气体来干燥晶圆104的后侧。

耦合于喷嘴臂120与驱动元件122的喷雾嘴118可配置以沿着X轴及/或Y轴扫过晶圆104的上表面，并以喷雾的形式施加一种或多种化学溶液(例如，蚀刻剂、清洗溶液、光阻剂、显影溶液及/或浆料)到晶圆104的上表面，以进行湿式处理。在一些实施例中，喷雾嘴118可绕驱动元件122枢转，并同时施加一种或多种化学溶液在晶圆104上。同时，当一种或多种化学溶液施加在晶圆104表面上时，可旋转晶圆104。在一些实施例中，喷雾嘴118和晶圆104之间的距离可以在湿式处理的持续时间内被调整或维持固定。在一些实施例中，喷嘴臂120可延伸以将喷雾嘴118定位在晶圆104的中心部分上方，以配送一种或多种化学溶液，且可在完成配送操作之后缩回，以使喷雾嘴118远离晶圆104移动。喷嘴臂120的移动可由驱动元件122(例如，马达或致动器)控制，且驱动元件122可由控制系统(未示出)控制。

喷雾嘴118可以通过一个或多个化学开关箱连接至装有化学溶液的外部槽体。化学开关箱可为化学分配系统，其中阀、流量计、感测器、化学品分配管线、及类似物是容纳在其中，且化学溶液在输送到喷雾嘴118之前预先混合。一个或多个化学开关箱可配置以控制配送至晶圆104上的一种或多种化学溶液的连接和输送速率。为了简洁的目的，图1并未示出化学开关箱及外部槽体。

图2是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种具有多个污染移除系统224a及224b的半导体处理系统200的剖视图。除非另有说明，否则上述对处理系统100的讨论适用于处理系统200。污染移除系统224a可配置以去除在晶圆104的湿处理期间以湿气及/或湿处理材料(例如，蚀刻剂、清洗溶液、光阻剂、去离子水、及/或浆料)形式粘在处理腔室门202的表面上的污染物。处理腔室门202的表面202b上的湿气及/或不必要的微粒形式的污染物可以用污染移除系统224b去除。在一些实施例中，半导体处理系统200可具有污染移除系统224a而不具有污染移除系统224b。在一些实施例中，处理腔室门202的表面202a上可具有或可不具有分别类似于处理腔室门102及102*的涂层108及粗糙表面107s*的疏水性涂层(未示出)及/或粗糙表面(未示出)。

污染移除系统224a及224b可配置成分别朝向表面202a及202b排放高速气流226a及226b，并引导这些气流226a及226b分别以入射角A及B冲击表面202a及202b，例如吹掉表面202a及202b的污染物。在一些实施例中，高速的范围从约5cm/sec至约20cm/sec，且入射角A及B的范围从约15度至约75度。

在一些实施例中，污染移除系统224a及224b可被控制在湿处理期间、在晶圆104上完成湿处理之后及/或在打开处理腔室门202之前操作。在图2中，处理腔室门202显示在一关闭位置。根据一些实施例，每一个污染移除系统224a及224b可以彼此独立地控制和操作。污染移除系统224a及224b可配置以分别在表面202a及202b上的固定区域排出气流226a及226b、及/或沿着Z轴及/或Y轴在各表面202a及202b上移动气流226a及226b。

气流226a及226b可经由耦合于一个或多个外部槽体的气体管线供应到污染移除系统224a及224b，外部槽体容纳高纯度(高于99.999％)且适合移除污染物的压力的气体。这些外部槽体可以是气体分配系统的部分，气阀与气体分配管路的网路容置于其中。为了简洁起见，外部槽体及其连接器并未示出。气流226a及226b可包含，例如干净的干燥气体，例如氮气、氦气、氩气的惰性气体，或其组合。

在一些实施例中，气流226a及226b的气体或气体混合物可根据表面202a及202b上侦测到的污染物类型来选择。这些气流226a和226b可以作为载气，其可以将污染物从表面202a及202b送走，但不与污染物产生化学反应。污染物可包括可用于晶圆104湿处理制程中的挥发性有机化合物、氨的衍生物(例如胺类)、酸(例如氢氟酸、盐酸等)、丙酮、二氧化硫、异丙醇、水蒸汽、或其他类型的化学品、或其组合。可选择气体或气体混合物，借此使其不与污染物产生化学反应而导致在表面202a及202b上形成沉积物、及/或导致形成可与晶圆104上的材料反应而在晶圆104上形成缺陷的气态产物或副产物。在一些实施例中，可选择可降低处理腔室106中的氧含量的气体或气体混合物，因为氧气可以与晶圆104的湿处理期间所使用的酸性溶液反应，而在晶圆104上形成缺陷。

在一些实施例中，如图3所绘示，每一个污染移除系统224a及224b可包含气体喷嘴330、气体管线332、及喷嘴制动器334。尽管每一个污染移除系统224a及224b显示为具有一个气体喷嘴330，但每一个污染移除系统224a及224b可包含一个或多个气体喷嘴。气体喷嘴330可离待去污表面(例如表面202a及202b)一沿着X轴的横向距离设置，此横向距离从约1cm至约5cm(例如从约1cm至约2cm、从约2cm至约3cm、从约3cm至约4cm、或从约4cm至约5cm)。气体喷嘴330可配置以通过数个气体喷嘴出口330a排出气流至表面202a及202b上，如以上参考图2所讨论的。当处理腔室门202位于关闭位置时，可以控制污染移除系统224a及/或224b中所使用的气体喷嘴330，以在晶圆104的湿处理期间及/或在湿处理完成之后连续地或周期性地运作。

气体喷嘴出口330a可以配置为任何形态或具有任何类型的几何形状，例如但不限于矩形、球形、或椭圆形。举例而言，图4A至图4C根据一些实施例绘示了可形成在气体喷嘴330的喷嘴出口表面330b上的气体喷嘴出口的不同形状与配置。图4A示出了矩形的气体喷嘴出口330a的一维阵列。每一个气体喷嘴出口330a可具有范围从约20cm至约40cm(例如，从约20cm至约25cm、从约25cm至约30cm、从约30cm至约35cm、或从约35cm至约40cm)的长度L_A以及范围从约0.5cm至约3cm(例如，从约0.5cm至约1cm、从约1cm至约1.5cm、从约1.5cm至约2cm、从约2cm至约2.5cm、或从约2.5cm至约3cm)的宽度W_A。图4B示出了矩形的气体喷嘴出口330a*的二维阵列。每一个气体喷嘴出口330a*可具有范围从约2cm至约6cm(例如，从约2cm至约3cm、从约3cm至约4cm、从约4cm至约5cm、或从约5cm至约6cm)的长度L_B以及范围从约0.5cm至约3cm(例如，从约0.5cm至约1cm、从约1cm至约1.5cm、从约1.5cm至约2cm、从约2cm至约2.5cm、或从约2.5cm至约3cm)的宽度W_B。图4C示出了圆形的气体喷嘴出口330a**的二维阵列。每一个气体喷嘴出口330a**可具有范围从约0.5cm至约3cm(例如，从约0.5cm至约1cm、从约1cm至约1.5cm、从约1.5cm至约2cm、从约2cm至约2.5cm、或从约2.5cm至约3cm)的直径D_C。

请再次参照图3，当气体喷嘴330的垂直对称轴338实质平行于Z轴时，气体喷嘴330的喷嘴出口表面330b可以相对于Z轴或YZ平面倾斜一角度C。倾斜的喷嘴出口表面330b可以帮助引导气流226a和226b，使得气流226a和226b以入射角A和B冲击表面202a和202b，如以上参考图2所讨论的。在一些实施例中，角度C的范围可从约30度至约60度。在一些实施例中，气流226a和226b的方向及造成的入射角A和B可以通过绕X轴旋转气体喷嘴330及其垂直对称轴338的方式来动态调整。当气体喷嘴330处于沿着X轴旋转的状态时，倾斜的表面330b与Z轴之间的角度可小于或大于角度C，角度C为当气体喷嘴330没有沿X轴旋转时的倾斜表面330b与Z轴之间的角度。在一些实施例中，气体喷嘴330绕X轴的旋转可透过耦合于气体喷嘴330的喷嘴制动器334来执行。在一些实施例中，气体喷嘴330可透过耦合于气体喷嘴330的马达(未示出)绕着Z轴旋转并沿着Z轴及/或Y轴移动。在表面去污操作期间，与气体喷嘴330保持固定在一个位置相比，气体喷嘴330在喷射气流的同时沿着Z轴及/或Y轴移动有助于增加从表面移除污染物的力。

从气体喷嘴出口330a排出的气流可经由气体管线332输送到气体喷嘴330，气体管线332可以耦合于包含容纳高纯度(高于99.999％)且适合移除污染物的压力的气体的一个或多个外部槽体。气体管线332还可以耦合于控制系统(未示出)，控制系统可以控制输送的气体类型、气体压力、输送速率、气体温度、及/或输送持续时间。在一些实施例中，控制系统可以具有例如阀门、感应器、流量计等类似装置。

在一些实施例中，每一个污染移除系统224a和224b可以具有形状如图5所示的气体喷嘴530的气体喷嘴，而不是气体喷嘴330。除非另有说明，否则气体喷嘴330的讨论适用于气体喷嘴530。根据一些实施例，尽管气体喷嘴530显示为具有圆形气体喷嘴出口530a，但气体喷嘴530可具有如图4A至图4C所示的成形和配置的喷嘴出口。类似于气体喷嘴330，气体喷嘴530可配置以通过气体喷嘴出口530a排放气流，此气流类似于排放于表面202a及202b上的气流226a及226b。与气体喷嘴330不同，当气体喷嘴530不处于旋转状态时，气体喷嘴530可具有与YZ平面实质平行的喷嘴出口表面530b。当气体喷嘴530利用喷嘴制动器(例如，喷嘴制动器334)旋转时，喷嘴出口表面530b可相对YZ平面倾斜范围从约15度至75度的角度。

图6绘示根据一些实施例的一种可作为半导体处理系统200的部分的污染侦测系统640的剖视图。污染侦测系统640可设置在处理腔室106中，且配置以判断处理腔室门202的内部表面202a上的污染程度。尽管污染侦测系统640是显示为设置在处理腔室106中，污染侦测系统也可以放置在处理腔室106外侧，以判断处理腔室门202的外部表面202b上的污染程度。污染侦测系统640可以由控制系统(未示出)控制，以在完成晶圆104的湿处理之后及/或在打开处理腔室门202之前运行。在图6中，处理腔室门202显示在关闭位置。根据污染侦测系统640的输出结果，污染移除系统224a的操作可由相同的控制系统或另一控制系统(未示出)控制。举例而言，如果污染侦测系统640输出的污染程度高于基准程度，则可以在打开处理腔室门202之前启动污染移除系统224a。另一方面，当污染侦测系统640输出的污染程度低于基准程度时，可打开处理腔室门202而不使污染移除系统224a运作。

本文使用的用语“基准程度”是指已视为对后续加工操作影响最小或对晶圆良率损失有任何明显影响的污染程度。基准程度可以透过历史污染数据与污染对晶圆良率的影响之间及/或历史污染数据与污染对后续操作或制程的影响之间的相关性研究来决定。在一些实施例中，基准程度可以是处理器640c中的数据库、服务器、或本地储存媒体(localstorage medium)上的一个或多个储存值。

污染侦测系统640可包含红外线发射器640a、红外线侦测器640b以及处理器640c，每一个元件都可在完成晶圆104上的湿处理后及/或打开处理腔室门202之前，由控制系统控制来操作。红外线发射器640a和红外线侦测器640b可以耦合于处理腔室墙106w面向处理腔室106的内侧。红外线发射器640a和红外线侦测器640b均可配置以实质地同时在污染侦测系统640的侦测操作期间沿着Z轴移动。举例而言，腔室墙106w内侧上的马达及导轨(未示出)可用来使红外线发射器640a及红外线侦测器640b在其操作期间沿着Z轴移动。当沿着Z轴连续地或以不连续的步骤移动时，红外线发射器640a可配置以沿着Y轴发射红外光642，且红外线侦测器640b可配置以接收红外光642的一部分642a并侦测所接收的部分642a的强度。借此，红外光642可沿着Y轴和Z轴扫描表面202a的污染物。

侦测到的强度可为表面202a上的污染程度的指标。例如，在表面202a存在污染物的情况下，由于污染物所发射的红外光642的散射或衍射，所接收的部分642a的强度会小于所发射的红外光642的强度。否则，所接收的部分642a的强度可实质上等于所发射的红外光642的强度。在一些例子中，红外线发射器640a可定位在使其操作期间的红外光642的路径离表面202a一沿着X轴的横向距离，此横向距离从约1μm至约1cm(例如从约1μm至约100μm、从约100μm至约500μm、从约500μmcm至约1mm、或从约1mm至约1cm)。

请再次参照图6，处理器640c可配置以接收具有红外线侦测器640b从部分642a侦测到的强度数据的讯号644，并根据强度数据来判断表面202a上的污染程度。处理器640c可更配置以将所判断的污染程度与基准程度进行比较，并输出可指出污染程度是否高于、等于或低于基准程度的讯号646。根据讯号646，可控制污染移除系统224a(图2)的操作。例如，如果讯号646指出高的污染程度，可启动污染移除系统224a以在处理腔室门202打开之前进行表面202a上的去污程序，如参考图2和图3所讨论的。否则，当讯号646指出污染程度等于或低于基准程度时，可打开处理腔室门202而不在表面202a上运行去污程序。

图7是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种可为图2的半导体处理系统200的部分的污染侦测系统750的剖视图。在一些实施例中，半导体处理系统200可具有污染侦测系统640、污染侦测系统750或两者。污染侦测系统750可配置以侦测处理腔室门202的底面202c上的污染程度。污染侦测系统750可以由控制系统(未示出)控制，以在打开处理腔室门202之后且在将晶圆104送入或移出处理腔室106之前运作。在图7中，处理腔室门202显示在开启位置。即使处理腔室门202是显示沿着Z轴垂直向上开启，处理腔室门202可沿着其他方向开启，例如垂直向下、或水平地绕着腔室墙106w上的垂直绞炼(未示出)开启。

污染侦测系统750可包含红外线发射器750a、红外线侦测器750b、及处理器750c，每一个元件都可在打开处理腔室门202之后并且在将晶圆104送入或移出处理腔室106之前，由控制系统控制来操作。红外线发射器750a与红外线侦测器750b可配置以在污染侦测系统750的侦测操作期间，实质同时地沿着Y轴移动。例如，机械手臂及/或制动器(未示出)可用于在红外线发射器750a以及红外线侦测器750b的操作期间，使其沿着Y轴移动。当沿着Y轴连续地或以不连续的步骤移动时，红外线发射器750a可配置以沿着X轴发射红外光752，且红外线侦测器750b可配置以接收红外光752的一部分752a并侦测所接收的部分752a的强度。借此，红外光752可沿着X轴和Y轴扫描表面202c的污染物。在一些实施例中，红外线发射器750a和红外线侦测器750b可位于处理腔室门202的底部和相对侧附近，使得在操作期间红外光752的路径距离底面202c一沿Z轴的横向距离，此横向距离从约1μm至约1cm(例如，从约1μm至约100μm、从约100μm至约500μm、从约500μmcm至约1mm、或从约1mm至约1cm)。

污染侦测系统750的操作可以类似于前述参考图6讨论的污染侦测系统640。红外线侦测器750b所侦测到的强度可为表面202c上的污染程度的指标。类似于处理器640c，处理器750c可配置以接收具有红外线侦测器750b从部分752a侦测到的强度数据的讯号754，并根据强度数据来判断表面202c上的污染程度。处理器750c可更配置以将所判断的污染程度与基准程度进行比较，并输出可指出污染程度是否高于、等于或低于基准程度的讯号756。可根据讯号756控制污染移除系统，例如以下参照图8所述的污染移除系统860的操作。例如，如果讯号756表示高的污染程度，可启动污染移除系统以在晶圆104送入或移出处理腔室106之前进行表面202c上的去污程序，如以下参考图8所讨论的。否则，当讯号756表示污染程度等于或低于基准程度时，可将晶圆104送入或移出处理腔室106而不在表面202c上运行去污程序。

图8是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种具有污染移除系统860的半导体处理系统200。污染移除系统860可配置以去除在晶圆104的湿处理期间以湿气及/或湿处理材料(例如，蚀刻剂、清洗溶液、光阻剂、去离子水、沉积溶液、及/或浆料)形式从表面202a及/或202b滑落而聚集在表面202c的污染物。在一些实施例中，当污染移除系统860配置以当处理腔室门202位于如图8所示的便于将晶圆104送入或移出处理腔室106的开启位置时，可以控制污染移除系统860。在一些实施例中，可根据污染侦测系统750(图7)的讯号756来控制污染移除系统860。举例而言，如果讯号756指出高的污染程度，可启动污染移除系统860以在表面202c进行去污程序。否则，当讯号756指出污染程度等于或低于基准程度时，可将晶圆104送入或移出处理腔室106而不在表面202c上运行去污程序。

污染移除系统860可包含污染移除装置862配置以透过从表面擦除污染物的方式，从表面202a、表面202b、及/或表面202c去除污染物。图9A至图9C绘示污染移除装置862的不同透视图。污染移除装置862可包含数个擦拭元件862a的阵列、数对支撑元件862b、以及用来承托擦拭元件862a及支撑元件862b的基板862c。虽然图8示出三个擦拭元件862a，但污染移除装置可包含二个或多个擦拭元件。每一个擦拭元件862a可由一对支撑元件862b所支撑，以在污染移除装置862进行擦拭操作的期间，防止擦拭元件862a的被支撑部分与其上部无支撑的部分一起弯曲。防止擦拭元件862a的下部弯曲的方式，可有助于在擦拭操作的期间，减少擦拭元件862a和基板862c间的界面应力与磨损，因而提高污染移除装置862的寿命。

擦拭元件862a可配置以在擦拭操作期间从表面202a、表面202b及/或表面202c擦除污染物。在一些实施例中，每一个擦拭元件862a可具有相同的尺寸。在一些实施例中，擦拭元件862a的阵列中的相邻擦拭元件可具有彼此不同的尺寸。例如，如图8及图9A至图9C所示，擦拭元件862a的阵列中的相邻擦拭元件可具有沿着Z轴(例如高度)彼此不同的垂直尺寸，且可具有沿着Y轴(例如长度)彼此相同的水平尺寸。在一些实施例中，擦拭元件862的阵列中的一个擦拭元件可比擦拭元件862的阵列中的另一个相邻的擦拭元件高约0.5cm至约2cm(例如从约0.5cm至约1cm、从约1cm至约1.5cm、或从约1.5cm至约2cm)。在一些实施例中，每一个擦拭元件862a可具有范围从约1cm至约5cm(例如从约1cm至约2cm、从约2cm至约3cm、从约3cm至约4cm、或从约4cm至约5cm)的高度，范围从约0.5cm至约1cm(例如，从约0.5cm至约0.6cm，从约0.6cm至约0.7cm、从约0.7cm至约0.8cm、从约0.8cm至约0.9cm、或从约0.9cm至约1cm)的宽度，以及范围从约10cm至约30cm(例如，从约10cm至约15cm、从约15cm至约20cm、从约20cm至约25cm、或从约25cm至约30cm)的长度。在一些实施例中，每一个支撑元件862b可具有范围从约0.1cm至约1cm(例如，从约0.1cm至约0.3cm、从约0.3cm至约0.5cm、从约0.5cm至约0.7cm、从约0.7cm至约0.9cm、或从约0.9cm至约1cm)的高度，范围从约0.1cm至约0.5cm(例如，从约0.1cm至约0.2cm、从约0.2cm至约0.3cm、从约0.3cm至约0.4cm、或从约0.4cm至约0.5cm)的宽度，及范围从约10cm至约30cm(例如，从约10cm至约15cm、从约15cm至约20cm、从约20cm至约25cm、或从约25cm至约30cm)的长度。擦拭元件862a及支撑元件862b可具有彼此相同的长度。擦拭元件862a可包含擦拭元件862a可包括天然橡胶或合成橡胶，且支撑元件862b可包括聚四氟乙烯或聚氯乙烯(PVC)。

请再次参照图8，污染移除系统860可还包含移动机构864(例如制动器、机械手臂…等)，配置以在擦拭操作期间使污染移除装置862沿着X轴移动。移动机构864可以将污染移除装置862定位在底面202c附近，使得擦拭元件862a中较短的一个可以与表面202c接触，且擦拭元件862a中较高的一个可以在擦拭操作的过程中与表面202a和202b接触。借此，具有不同高度的擦拭元件862a可有助于从底面202c，以及从形成在表面202a与表面202c之间、及表面202b和202c之间的处理腔室门202的底部边缘去除污染物。

图10是绘示依照本揭露的一些实施方式的用于从半导体处理系统的处理腔室门侦测并移除污染物的例示方法1000。此揭露并不限于此操作性的描述，相反地，其他操作是在本揭露的精神与范围内。应了解到的是，可执行额外的操作。而且，并非本揭露所提供的所有操作都需要被执行。此外，一些操作可同时执行或以图10中所示的不同顺序执行。在一些执行中，除了或代替目前描述的操作，可以进行一个或多个其他操作。出于说明目的，参考图2至图3及图6至图8的实施例描述方法1000。然而，方法1000不限于这些实施例。

在图10的操作1010中，对晶圆进行湿处理制程。例如，参考图2所示及讨论的，可在半导体处理系统200中对晶圆104进行湿处理制程。湿处理制程可包含蚀刻、清洗、旋转涂布、显影光阻、及/或化学机械研磨。

在图10的操作1020中，判断半导体处理系统的处理腔室门的侧面上的污染程度。例如，参考图6所示与讨论的，可使用污染侦测系统640判断处理腔室门202的侧面202a及/或侧面202b上的污染程度。

在图10的操作1030中，比较所判断的侧面上的污染程度与基准程度。例如，参考图6所示与讨论的，污染侦测系统640的处理器640c可比较判断的污染程度与基准程度，并输出可指出污染程度是否高于、等于或低于基准程度的讯号646。如果讯号646表示高的污染程度，方法1000可进行操作1040。否则，当讯号646表示污染程度不大于基准程度时，方法1000可进行操作1050。

在图10的操作1040中，根据侧面大于基准程度的污染程度，从处理腔室的侧面移除污染物。例如，参考图2及图6所示与讨论的，根据讯号646指出的侧面202a及/或侧面202b大于基准程度的污染程度，污染移除系统224a及/或污染移除系统224b可用于分别从表面202a及/或表面202b移除污染物。在一些实施例中，在污染去除程序后，方法1000可接着进行操作1020以判断侧面202a及/或侧面202b上的污染程度。可重复进行步骤1020及1030，直到处理器640c输出讯号646指出侧面202a及/或侧面202b上的污染程度不大于基准程度。在那种情况下，方法1000可进行到操作1050。

在图10的操作1050中，根据侧面不大于基准程度的污染程度，判断处理腔室门的底面的污染程度。例如，参考图7所示与讨论的，根据讯号646所指出的侧面202a及/或侧面202b不大于基准程度的污染程度，使用污染侦测系统740判断处理腔室门202的底面202c的污染程度。

在图10的操作1060中，将所判断的底面上的污染程度与基准程度进行比较。举例而言，参考图7所示与讨论的，污染侦测系统740的处理器740c可对所判断的污染程度与基准程度进行比较，并输出可指出污染程度是否高于、等于或低于基准程度的讯号756。如果讯号756表示高的污染程度，方法1000可进行操作1070。否则，如果讯号756表示污染程度不大于基准程度时，方法1000可进行操作1080。

在图10的操作1070中，可根据底面大于基准程度的污染程度，移除处理腔室的底面的污染物。例如，参考图7及图8所示与讨论的，污染移除系统860可用来根据讯号746指出的底面202c大于基准程度的污染程度，来移除底面202c的污染物。在一些实施例中，在污染去除程序中，方法1000可进行到操作1060，以判断底面202c的污染程度。可重复进行步骤1060及1070，直到处理器740c输出讯号756指出底面202c上的污染程度不大于基准程度。在那种情况下，方法1000可进行到操作1080。

在图10的操作1080中，根据底面上大于基准程度的污染程度，将处理过的晶圆输送出处理腔室外。例如，参考图7及图8所示与讨论的，可根据讯号756指出的底面202c不大于基准程度的污染程度，将晶圆104输送至处理腔室106外。

在一些实施例中，可在将晶圆送入处理腔室之前，进行操作1020至1070。可根据讯号756指出的底面202c不大于基准程度的污染程度，将晶圆输送至处理腔室中。

本揭露提供了例示性的污染侦测及移除系统，配置以在晶圆送入或移出处理腔室的期间，防止及/或实质消除晶圆污染。在一些实施例中，例示性的污染侦测系统(例如污染侦测系统640或污染侦测系统750)可配置以判断处理腔室门的表面的污染程度。基于污染侦测系统的输出，污染移除系统(例如污染移除系统224a、污染移除系统224b、或污染移除系统860)可配置以从处理腔室门(例如门202)的侧面(例如表面202a或表面202b)及/或底面(例如表面202c)上移除污染物。在一些实施例中，污染侦测系统及/或污染移除系统可配置以根据处理腔室门的位置来操作。

在一些实施例中，污染移除系统可包含污染移除装置(例如，气体喷嘴330或气体喷嘴530)，配置以提供高压气流，以从处理腔室门的表面移除污染物。气流可以相对于处理腔室门的侧面以小于90度的角度被导向处理腔室门。在一些实施例中，污染移除装置(例如装置862)可包含擦拭元件(例如擦拭元件862a)，其可配置成从处理腔室门的底面取出污染物。在本揭露中所描述的污染物侦测与移除系统的示例因为减少了晶圆的缺陷而增加了半导体元件的良率。在一些实施例中，与没有污染物侦测和去除系统的处理模组相比，良率提高了约10％至约50％。

在一些实施例中，半导体处理系统包含处理腔室、污染侦测系统配置、以及污染移除系统。处理腔室配置以处理晶圆且包含门，污染侦测系统配置以判断该门的表面上的污染程度是否大于基准程度，污染移除系统配置以根据大于基准程度的污染程度，从门的表面上移除污染物。

在一些实施例中，当门位于关闭位置时，污染侦测系统配置以判断门的侧面上的污染程度。

在一些实施例中，当门位于开启位置时，该污染侦测系统配置以判断门的底面的污染程度。

在一些实施例中，当门位于关闭位置时，污染移除系统配置以从门的侧面上移除污染物。

在一些实施例中，当门位于开启位置时，污染移除系统配置以从门的底面擦除污染物。

在一些实施例中，污染侦测系统配置以发射辐射、接收所发射的辐射的一部分、侦测所接收的部分的强度、以及根据所侦测的强度判断污染程度。

在一些实施例中，污染移除系统包含气体喷嘴，气体喷嘴配置以排出气流，而使气流以范围从实质15度至实质75度的入射角冲击门的侧面。

在一些实施例中，污染移除系统包含气体喷嘴，气体喷嘴配置以围绕水平轴线动态旋转，而利用气流以范围从实质15度至实质75度的入射角冲击门的侧面。

在一些实施例中，污染移除系统包含多个擦拭元件的一阵列与多个支撑元件，支撑元件配置以支撑阵列的擦拭元件中的每一个擦拭元件的下部，以在污染移除系统的擦拭操作的期间，防止每一个擦拭元件的下部与上部一起弯曲。

在一些实施例中，其中阵列的擦拭元件中的第一擦拭元件的高度大于阵列的擦拭元件中的第二擦拭元件的一度，且第一擦拭元件的长度实质上等于第二擦拭元件的长度。

在一些实施例中，半导体处理系统包含处理腔室、污染侦测系统以及污染移除系统。处理腔室配置以处理晶圆且包含门。污染侦测系统包含红外线发射器、红外线侦测器以及处理器。红外线发射器配置以沿着门的表面发射辐射。红外线侦测器配置以侦测辐射的一部分的光学性质。处理器配置以根据光学性质判断表面上的污染程度。污染移除系统配置以根据污染程度从表面移除污染物。

在一些实施例中，处理器更配置以判断污染程度是否大于基准程度。

在一些实施例中，污染移除系统包含具有喷嘴出口表面的气体喷嘴，喷嘴出口表面相对垂直面倾斜实质30度至实质60度的角度，且气体喷嘴配置以利用气流以一入射角为实质15度至实质75度冲击门的侧面。

在一些实施例中，红外线侦测器配置以接收该部分并侦测该部分的强度。

在一些实施例中，表面包含具有水接触角范围从实质93度至实质176度的疏水性涂层。

在一些实施例中，表面包含具有多个凹陷的一糙表面。

在一些实施例中，一种半导体处理系统的污染控制方法，方法包含判断处理腔室门的侧面上的污染程度是否大于基准程度、根据大于基准程度的污染程度，从侧面移除多个污染物。根据等于或小于基准程度的侧面上的污染程度或处理腔室门的底面的污染程度，将晶圆送入或移出处理腔室。

在一些实施例中，其中判断包含：从该侧面的一端发射红外线辐射、侦测从侧面的另一端所接收到的红外线辐射的一部分的强度、根据强度判断污染程度、以及比较污染程度与基准程度。

在一些实施例中，方法还包含：根据等于或小于基准程度的侧面的污染程度，且在将晶圆送入或移出处理腔室之前，判断底面的污染程度是否大于基准程度；根据大于基准程度的底面上的污染程度，从底面移除污染物；以及根据等于或小于基准程度的底面上的污染程度，将晶圆送入或移出处理腔室。

在一些实施例中，从侧面移除污染物包含利用气流以入射角范围从实质15度至实质75度冲击侧面。

上述已概述数个实施方式的特征，因此熟悉此技艺者可更了解本揭露的态样。熟悉此技艺者应了解到，其可轻易地利用本揭露做为基础，来设计或润饰其他制程与结构，以实现与在此所介绍的实施方式相同的目的及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也应了解到，这类对等架构并未脱离本揭露的精神和范围，且熟悉此技艺者可在不脱离本揭露的精神和范围下，在此进行各种的更动、取代与修改。

Claims (18)

1.一种半导体处理系统，其特征在于，该半导体处理系统包含:

一处理腔室，配置以处理一晶圆且包含一门，该门位于该处理腔室的一腔室壁的一外侧；

一污染侦测系统，配置以当该门位于一开启位置时，判断该门的一外表面上的一污染程度是否大于一基准程度；以及

一污染移除系统，配置以根据大于该基准程度的该污染程度，从该门的该外表面上移除多个污染物，该污染移除系统包含一气体喷嘴，该气体喷嘴配置以排出一气流而使该气流冲击该门的一侧面，且该气流不与所述污染物产生化学反应。

2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，当该门位于一关闭位置时，该污染侦测系统配置以判断该门的一侧面上的该污染程度。

3.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，当该门位于一关闭位置时，该污染移除系统配置以从该门的一侧面上移除所述污染物。

4.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，当该门位于一开启位置时，该污染移除系统配置以从该门的一底面擦除所述污染物。

5.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该污染侦测系统配置以发射一辐射、接收所发射的该辐射的一部分、侦测所接收的该部分的强度、以及根据所侦测的该强度判断该污染程度。

6.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该气流以范围从实质15度至实质75度的一入射角冲击该门的该侧面。

7.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该污染移除系统包含一气体喷嘴，该气体喷嘴配置以围绕一水平轴线动态旋转，而利用一气流以范围从实质15度至实质75度的一入射角冲击该门的一侧面。

8.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，该污染移除系统包含多个擦拭元件的一阵列与多个支撑元件，所述多个支撑元件配置以支撑该阵列的所述多个擦拭元件中的每一所述擦拭元件的一下部，以在该污染移除系统的一擦拭操作的期间，防止每一所述擦拭元件的该下部与一上部一起弯曲。

9.根据权利要求8所述的半导体处理系统，其特征在于，该阵列的所述擦拭元件中的一第一擦拭元件的一高度大于该阵列所述擦拭元件中的一第二擦拭元件的一高度；以及其中该第一擦拭元件的一长度实质上等于该第二擦拭元件的一长度。

10.一种半导体处理系统，其特征在于，该半导体处理系统包含：

一处理腔室，配置以处理一晶圆且包含一门，该门位于该处理腔室的一腔室壁的一外侧；

一污染侦测系统，包含：

一红外线发射器，配置以当该门位于一开启位置时，沿着该门的一底面发射一辐射，其中该门的该底面位于该处理腔室的该腔室壁的该外侧；

一红外线侦测器，配置以侦测该辐射的一部分的一光学性质；以及

一处理器，配置以根据该光学性质判断该底面上的一污染程度；

一污染移除系统，配置以根据该污染程度从该底面移除多个污染物，该污染移除系统包含一气体喷嘴，该气体喷嘴配置以排出一气流而使该气流冲击该门的一侧面，且该气流不与所述污染物产生化学反应；以及

一马达，耦合至该气体喷嘴，且配置以在排出该气流时沿着Z轴移动该气体喷嘴。

11.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该处理器更配置以判断该污染程度是否大于一基准程度。

12.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该气体喷嘴具有一喷嘴出口表面，该喷嘴出口表面相对一垂直面倾斜实质30度至实质60度的一角度，且该气体喷嘴配置以利用一气流以一入射角为实质15度至实质75度冲击该门的一侧面。

13.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该红外线侦测器配置以接收该部分并侦测该部分的一强度。

14.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该底面包含具有一水接触角范围从实质93度至实质176度的一疏水性涂层。

15.根据权利要求10所述的半导体处理系统，其特征在于，该底面包含具有多个凹陷的一粗糙表面。

16.一种半导体处理系统的污染控制方法，其特征在于，该方法包含：

判断一处理腔室门的一侧面上的一污染程度是否大于一基准程度；

根据大于该基准程度的该污染程度，藉由一气流从该侧面移除多个污染物，且该气流不与所述污染物产生化学反应；

根据等于或小于该基准程度的该侧面的该污染程度，当该处理腔室门位于一开启位置时，判断该处理腔室门的底面的一污染程度是否大于该基准程度，其中该处理腔室门的该底面位于一处理腔室的一腔室壁的一外侧；

根据大于该基准程度的该底面上的该污染程度，从该底面移除多个污染物；以及

在从该底面移除多个污染物后，根据等于或小于该基准程度的该侧面上的该污染程度或该处理腔室门的一底面的一污染程度，将一晶圆移出该处理腔室。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，该判断包含：

从该侧面的一端发射一红外线辐射；

侦测从该侧面的另一端所接收到的该红外线辐射的一部分的一强度；

根据该强度判断该处理腔室门的该侧面上的该污染程度；以及

比较该处理腔室门的该侧面上的该污染程度与该基准程度。

18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，从该侧面移除所述污染物包含利用该气流以一入射角范围从实质15度至实质75度冲击该侧面。

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