CN113161253B - 一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统 - Google Patents

一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,包括主控器,和包括红外发射器、红外接收器,以及包括串行数据检测电路和污染程度分析电路;红外接收器将当前时刻的红外线接收情况以高低电平的形式输入给串行数据检测电路处理;所述串行数据检测电路的输出端电性连接所述污染程度分析电路的输入端;所述串行数据检测电路将限定时间内连续检测到的红外线接收情况以高低电平的形式传递给所述污染程度分析电路进行分析;所述污染程度分析电路分析由所述串行数据检测电路传递的电平信号并通过三个输出端分别输出三种不同的红外线接收程度来表现不同的杂质污染程度。本发明能够给工作人员对不同污染程度的晶圆片进行差别性清洗提供直观提示。

Description

一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体是一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统。
背景技术
在半导体工艺中,晶圆片的表面由于在经历光刻等工艺后,会存在较多的杂质和毛边,而半导体工艺对晶圆片表面的清洁度要求极高,清洁不彻底或是存在各类毛边杂质都会对晶圆片的质量产生影响,从而对后续的半导体工艺产生较大的影响。因此,对晶圆片清洗后的表面杂质检测尤为重要。
在实际晶圆片加工生产中,晶圆片的清洗采用将整片晶圆片浸入硅片清洗液中,采用超声波清洗,并在清洗规定时间后,统一进行红外线检测,无论表面的杂质污染程度如何,都归类为两类,一类是检测合格,即杂质已经清洗完全;另一类是检测不合格,即杂质未清洗完全。而通常情况下,无论表面杂质污染的残留程度如何,都统一采用同样的清洗方式。这个统一重新清洗容易造成原本硅片清洗液中的杂质再次回沾到晶圆片表面上,容易出现本来污染不严重但因为重新回洗而带俩污染加重的情况,因此,对不同污染程度的晶圆片进行归类和有针对性的清洗是较为合理的方式。但同样的,现有的晶圆片加工产业并无对晶圆片表面杂质污染程度做出分析的工业环节,即现有技术无法判别晶圆片表面污染程度。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题,提供一种能够判别并提示晶圆片表面污染程度的晶圆片表面杂质污染程度检测系统。
本发明是通过以下技术方案来实现的:本发明提供一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,包括主控器,和包括用于检测杂质是否存在的红外发射器、红外接收器,以及包括串行数据检测电路和污染程度分析电路;所述红外发射器与所述主控器电性连接并由所述主控器控制而发射红外线;所述红外接收器的输出端与所述串行数据检测电路的输入端电性连接;所述红外接收器将当前时刻的红外线接收情况以高低电平的形式输入给所述串行数据检测电路处理;所述串行数据检测电路的输出端电性连接所述污染程度分析电路的输入端;所述串行数据检测电路将限定时间内连续检测到的红外线接收情况以高低电平的形式传递给所述污染程度分析电路进行分析;所述污染程度分析电路分析由所述串行数据检测电路传递的电平信号并通过三个输出端分别输出三种不同的红外线接收程度来表现不同的杂质污染程度。
采用上述技术手段能够产生的有益效果:能够通过对晶圆片表面杂质的检测来输出三种不同信号,三种不同信号代表三种不同的污染程度。
可选的,所述污染程度分析电路包括数据叠加电路和数据比较电路;所述数据叠加电路包括第一集成运放电路;所述第一集成运放电路的反相输入端电性连接第五电阻一端,所述第五电阻的另一端接地;所述第一集成运放电路的输出端电性连接反馈电阻并反馈至所述第一集成运放电路的反相输入端;所述第一集成运放电路的输出端还接入所述数据比较电路;由所述第一集成运放电路的输出端输出的电平信号在经过所述数据比较电路的比较处理后,由所述数据比较电路的三个输出端分别输出三个电平信号来表述三种杂质污染程度;所述第一集成运放电路的同相输入端同时电性连接第一电阻一端、第二电阻一端、第三电阻一端和第四电阻一端,所述第四电阻另一端接地;所述第一电阻另一端、所述第二电阻另一端和所述第三电阻另一端均接入由所述串行数据检测电路输出的电平信号。
采用上述技术手段能够产生的有益效果:通过数据叠加电路和数据比较电路来计算出代表三种不同污染程度的电压值,从而输出三种不同的输出信号。
可选的,所述第一电阻与第一D触发器的输出端电性连接,所述第二电阻与第二D触发端的输出端电性连接,所述第三电阻与第三D触发器的输出端电性连接,所述第一D触发器、所述第二D触发器和所述第三D触发器的输入端均与所述串行数据检测电路的输出端电性连接;所述第一D触发器、所述第二D触发器和所述第三D触发器的脉冲信号输入端均与第二脉冲信号发生器电性连接。
可选的,所述第一D触发器输入端与所述串行数据检测电路的输出端之间电性接入第一时控开关,所述第二D触发器输入端与所述串行数据检测电路的输出端之间电性接入第二时控开关,所述第三D触发器输入端与所述串行数据检测电路的输出端之间电性接入第三时控开关;所述第一时控开关、所述第二时控开关和所述第三时控开关均与所述主控器电性连接,并受所述主控器控制闭合时间。
可选的,所述第一时控开关闭合与所述第二时控开关闭合的间隔时间为相邻两个脉冲信号到达的时间差;所述第二时控开关闭合与所述第三时控开关闭合的间隔时间也为相邻两个脉冲信号到达的时间差;在一个脉冲信号到达时,所述第一时控开关闭合;在相邻的第二个脉冲信号到达时,所述第二时控开关闭合;在相邻的第三个脉冲信号到达时,所述第三时控开关闭合。
采用上述技术手段能够产生的有益效果:能够通过主控器控制第一时控开关、第二时控开关和第三时控开关的启闭,来从串行数据检测电路中获取不同的输出值,并将这些输出值输入数据叠加电路中进行计算,得出晶圆片表面的污染程度。
可选的,所述数据比较电路包括第二集成运放电路、第三集成运放电路、第四集成运放电路和第五集成运放电路;所述第一集成运放电路的输出端电性接入所述第二集成运放电路的正相输入端、所述第三集成运放电路的反相输入端、所述第四集成运放电路的正相输入端和所述第五集成运放电路的反相输入端;所述第二集成运放电路的反相输入端和所述第三集成运放电路正相输入端均输入第二基准电压,所述第四集成运放电路的反相输入端和所述第五集成运放电路正相输入端均输入第一基准电压;所述第二集成运放电路的输出端电性连接完全合格指示灯;所述第三集成运放电路的输出端和所述第四集成运放电路的输出端共同接入第四与门选择器的两个输入端,所述第四与门选择器的输出端电性连接基本合格指示灯;所述第五集成运放电路的输出端电性连接不合格指示灯。
采用上述技术手段能够产生的有益效果:数据叠加电路计算所得的数值再输入数据比较电路中进行比较而得出三挡不同污染程度范围,并通过三种指示灯来提示三种污染程度,方便用户判断。
可选的,所述串行数据检测电路包括第一JK触发器和第二JK触发器;所述红外接收器输出端与所述第一JK触发器的第一脚口电性连接;所述第一JK触发器的第三脚口和所述红外接收器的输出端共同电性接入第二与门选择器的两个输入端;所述第二与门选择器的输出端电性接入所述第二JK触发器的第五脚口;所述红外接收器的输出端还电性接入第二非门选择器的输入端,所述第二非门选择器的输出端电性接入第二JK触发器;所述第二JK触发器的第七脚口和所述红外接收器的输出端共同电性接入第一与门选择器的两个输入端,所述第一与门选择器的输出端电性接入第一非门选择器的输入端,所述第一非门选择器的输出端电性接入所述第一JK触发器的第二脚口;所述第二JK触发器的第七脚口和所述红外接收器的输出端共同电性接入第三与门选择器的两个输入端,所述第三与门选择器的输出端为所述数据选择电路的输出端;所述第一JK触发器和所述第二JK触发器的脉冲信号输入端均与第一脉冲信号发生器电性连接。
采用上述技术手段能够产生的有益效果:串行数据检测电路能够通过连续的几次检测结果来获的当前区域是否有污染的结果。
可选的,还包括圆形的晶圆片基座900,所述红外发射器和所述红外接收器均设置于所述晶圆片基座900两侧并与所述晶圆片基座900的其中一条直径处于同一条直线上;所述晶圆片基座900与电机固定连接,并在电机的带动下转动;所述电机与所述主控器电性连接,并受所述主控器控制。
本发明的有益效果是:
本发明能够检测到晶圆片表面不同的杂质污染程度,并通过不同的指示灯亮起来提示污染程度,从而给工作人员对不同污染程度的晶圆片进行差别性清洗提供直观提示。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明的实施例的串行数据检测电路的结构示意图;
图2为本发明的实施例的污染程度分析电路的结构示意图;
图3为本发明的实施例的主控器的结构示意图;
100-主控器;200-红外发射器;300-红外接收器;410-第一脉冲信号发生器;420-第二脉冲信号发生器;500-串行数据检测电路;510-第一JK触发器;520-第二JK触发器;600-污染程度分析电路;610-数据叠加电路;611-第一D触发器;612-第二D触发器;613-第三D触发器;620-数据比较电路;710-第一集成运放电路;720-第二集成运放电路;730-第三集成运放电路;740-第四集成运放电路;750-第五集成运放电路;810-完全合格指示灯;820-基本合格指示灯;830-不合格指示灯;900-晶圆片基座。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。
本发明公开一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统的实施例,用于检测晶圆片表面的杂质污染程度,从而可以帮助工作人员针对不同的污染程度来进行不同的清洗操作。
本实施例公开的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,包括主控器100,和包括用于检测杂质是否存在的红外发射器200、红外接收器300,以及包括串行数据检测电路500和污染程度分析电路600。
其中,如附图1所示,红外发射器200与主控器100电性连接并由主控器100控制而发射红外线。红外接收器300的输出端与串行数据检测电路500的输入端电性连接。红外接收器300将当前时刻的红外线接收情况以高低电平的形式输入给串行数据检测电路500处理。如附图2所示,串行数据检测电路500的输出端电性连接污染程度分析电路600的输入端。串行数据检测电路500将限定时间内连续检测到的红外线接收情况以高低电平的形式传递给污染程度分析电路600进行分析。污染程度分析电路600分析由串行数据检测电路500传递的电平信号并通过三个输出端分别输出三种不同的红外线接收程度来表现不同的杂质污染程度。在本实施例中,三个输出端分别连接完全合格指示灯810、基本合格指示灯820和不合格指示灯830。当完全合格指示灯810指示灯亮起时代表此时的晶圆片表面检测不到杂质;当基本合格指示灯820亮起时代表此时的晶圆片表面存在微量杂质,具体是否需要再度清洗或选择清洗的方式由工作人员判断;当不合格指示灯830亮起时,代表此时的晶圆片表面杂质较多,同样的,具体是否需要再度清洗或选择清洗的方式由工作人员判断。
具体的,如附图2所示,污染程度分析电路600包括数据叠加电路610和数据比较电路620。数据叠加电路610包括第一集成运放电路710。第一集成运放电路710的反相输入端电性连接第五电阻R5一端,第五电阻R5的另一端接地。
其中,如附图2所示,第一集成运放电路710的输出端电性连接反馈电阻Rf并反馈至第一集成运放电路710的反相输入端。第一集成运放电路710的输出端还接入数据比较电路620。由第一集成运放电路710的输出端输出的电平信号在经过数据比较电路620的比较处理后,由数据比较电路620的三个输出端分别输出三个电平信号来表述三种杂质污染程度。第一集成运放电路710的同相输入端同时电性连接第一电阻R1一端、第二电阻R2一端、第三电阻R3一端和第四电阻R4一端,第四电阻R4另一端接地。第一电阻R1另一端、第二电阻R2另一端和第三电阻R3另一端均接入由串行数据检测电路500输出的电平信号。
具体的,如附图2所示,第一电阻R1与第一D触发器611的输出端电性连接,第二电阻R2与第二D触发端的输出端电性连接,第三电阻R3与第三D触发器613的输出端电性连接,第一D触发器611、第二D触发器612和第三D触发器613的输入端均与串行数据检测电路500的输出端电性连接。第一D触发器611、第二D触发器612和第三D触发器613的脉冲信号输入端均与第二脉冲信号发生器420电性连接。
具体的,如附图2所示,第一D触发器611输入端与串行数据检测电路500的输出端之间电性接入第一时控开关K1,第二D触发器612输入端与串行数据检测电路500的输出端之间电性接入第二时控开关K2,第三D触发器613输入端与串行数据检测电路500的输出端之间电性接入第三时控开关K3。第一时控开关K1、第二时控开关K2和第三时控开关K3均与主控器100电性连接,并受主控器100控制闭合时间。
具体的,如附图2所示,第一时控开关K1闭合与第二时控开关K2闭合的间隔时间为相邻两个脉冲信号到达的时间差。第二时控开关K2闭合与第三时控开关K3闭合的间隔时间也为相邻两个脉冲信号到达的时间差。在一个脉冲信号到达时,第一时控开关K1闭合;在相邻的第二个脉冲信号到达时,第二时控开关K2闭合;在相邻的第三个脉冲信号到达时,第三时控开关K3闭合。
具体的,如附图2所示,数据比较电路620包括第二集成运放电路720、第三集成运放电路730、第四集成运放电路740和第五集成运放电路750;第一集成运放电路710的输出端电性接入第二集成运放电路720的正相输入端、第三集成运放电路730的反相输入端、第四集成运放电路740的正相输入端和第五集成运放电路750的反相输入端。第二集成运放电路720的反相输入端和第三集成运放电路730正相输入端均输入第二基准电压,第四集成运放电路740的反相输入端和第五集成运放电路750正相输入端均输入第一基准电压。第二集成运放电路720的输出端电性连接完全合格指示灯810。第三集成运放电路730的输出端和第四集成运放电路740的输出端共同接入第四与门选择器Y4的两个输入端,第四与门选择器Y4的输出端电性连接基本合格指示灯820。第五集成运放电路750的输出端电性连接不合格指示灯830。
具体的,如附图1所示,串行数据检测电路500包括第一JK触发器510和第二JK触发器520。红外接收器300输出端与第一JK触发器510的第一脚口电性连接。第一JK触发器510的第三脚口和红外接收器300的输出端共同电性接入第二与门选择器Y2的两个输入端。第二与门选择器Y2的输出端电性接入第二JK触发器520的第五脚口。红外接收器300的输出端还电性接入第二非门选择器F2的输入端,第二非门选择器F2的输出端电性接入第二JK触发器520。第二JK触发器520的第七脚口和红外接收器300的输出端共同电性接入第一与门选择器Y1的两个输入端,第一与门选择器Y1的输出端电性接入第一非门选择器F1的输入端,第一非门选择器F1的输出端电性接入第一JK触发器510的第二脚口。第二JK触发器520的第七脚口和红外接收器300的输出端共同电性接入第三与门选择器Y3的两个输入端,第三与门选择器Y3的输出端为所述数据选择电路的输出端。第一JK触发器510和第二JK触发器520的脉冲信号输入端均与第一脉冲信号发生器410电性连接。
具体的,如附图3所示,还包括圆形的晶圆片基座900,红外发射器200和红外接收器300均设置于晶圆片基座900两侧并与晶圆片基座900的其中一条直径处于同一条直线上。晶圆片基座900与电机固定连接,并在电机的带动下转动。电机与主控器100电性连接,并受主控器100控制。
本实施例的工作方式为:
晶圆片基座900上放置晶圆片,主控器100控制红外发射器200发射红外线扫过晶圆片表面,由红外接收器300接收发射的红外线,当红外接收器300接收到红外线时输出一个高电平给串行数据检测电路500。同时主控器100控制电机转动,从而控制晶圆片基座900也转动。当红外接收器300连续输出四个高电平给串行数据检测电路500时,串行数据检测电路500输出高电平。因此,在连续四个脉冲到达时,此时晶圆片基座900转动过的角度范围内,若连续四个红外线都被接收到,则说明这个角度范围内的晶圆片表面无污染。
在本实施例中,将圆形的晶圆片基座900的表面分成六个相等的扇形区域,相互对角的两个扇形区域属于同一检测范围。因此,本实施例需检测三组相互对角的扇形区域的杂质污染情况,以三组扇形区域均检测为无污染的情况为完全合格的情况,以两组扇形区域均检测为无污染的情况为基本合格的情况,以小于等于一组扇形区域检测为无污染的情况为不合格的情况。
由串行数据检测电路500处理过的电平信号被输入污染程度分析电路600中的数据叠加电路610,由数据叠加电路610进行加法运算。在污染程度分析电路600中的第二脉冲信号发生器420发出的脉冲信号时间间隔为在串行数据检测电路500中的第一脉冲信号发生器410发出的脉冲信号时间间隔的四倍。当串行数据检测电路500输出第一个高电平时,主控器100控制第一时控开关K1闭合,第二时控开关K2和第三时控开关K3断开,第一D触发器611接收到高电平后输出为高电平,第一电阻R1接入高电平;当串行数据检测电路500输出第二个高电平时,主控器100控制第二时控开关K2闭合,第一时控开关K1和第三时控开关K3断开,第二D触发器612接收到高电平后输出为高电平,第二电阻R2接入高电平;当串行数据检测电路500输出第三个高电平时,主控器100控制第三时控开关K3闭合,第一时控开关K1和第二时控开关K2断开,第三D触发器613接收到高电平后输出为高电平,第三电阻R3接入高电平。根据D触发器的输出端保持不变的特性,在第二脉冲信号发生器420连续发出三个电平信号时,有串行数据检测电路500也同时输出三个电平信号(输出的高低电平受红外接收器300的接收情况影响),串行数据检测电路500输出的三个电平信号通过第一D触发器611、第二D触发器612和第三D触发器613而被分别加到第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3,从而数据叠加电路610具有三个加数(三个加数即为三个电平夹在三个电阻上所带来的电压)。数据叠加电路610为三个加数之和,当串行数据检测电路500连续输出的三个电平均为高电平时,数据叠加电路610的输出电平用于表述完全合格;当串行数据检测电路500连续输出的三个电平只有两个为高电平时,数据叠加电路610的输出电平用于表述基本合格,当串行数据检测电路500连续输出的三个电平最多一个为高电平时,数据叠加电路610的输出电平用于表述不合格。
数据叠加电路610的输出端接入数据比较电路620。当数据叠加电路610的输出电压大于第二基准电压时(第二基准电压为串行数据检测电路500连续输出的三个电平只有两个为高电平时的数据叠加电路610输出电压),完全合格指示灯810亮起;当数据叠加电路610的输出电压小于于第二基准电压时,但大于第一基准电压时,(第一基准电压为串行数据检测电路500连续输出的三个电平只有一个为高电平时的数据叠加电路610输出电压),基本合格指示灯820亮起;当数据叠加电路610的输出电压小于第一基准电压时,不合格指示灯830亮起。
工作人员根据不同的亮起的指示灯来判断晶圆片表面的杂质情况,从而进行不同的清洗操作或归类。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
总之,以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所作的均等变化与修饰,皆应属本发明专利的涵盖范围。

Claims (8)

1.一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,包括主控器(100),和包括用于检测杂质是否存在的红外发射器(200)、红外接收器(300),以及包括串行数据检测电路(500)和污染程度分析电路(600);
所述红外发射器(200)与所述主控器(100)电性连接并由所述主控器(100)控制而发射红外线;所述红外接收器(300)的输出端与所述串行数据检测电路(500)的输入端电性连接;所述红外接收器(300)将当前时刻的红外线接收情况以高低电平的形式输入给所述串行数据检测电路(500)处理;
所述串行数据检测电路(500)的输出端电性连接所述污染程度分析电路(600)的输入端;所述串行数据检测电路(500)将限定时间内连续检测到的红外线接收情况以高低电平的形式传递给所述污染程度分析电路(600)进行分析;
所述污染程度分析电路(600)分析由所述串行数据检测电路(500)传递的电平信号并通过三个输出端分别输出三种不同的红外线接收程度来表现不同的杂质污染程度。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,所述污染程度分析电路(600)包括数据叠加电路(610)和数据比较电路(620);
所述数据叠加电路(610)包括第一集成运放电路(710);所述第一集成运放电路(710)的反相输入端电性连接第五电阻一端,所述第五电阻的另一端接地;
所述第一集成运放电路(710)的输出端电性连接反馈电阻并反馈至所述第一集成运放电路(710)的反相输入端;所述第一集成运放电路(710)的输出端还接入所述数据比较电路(620);由所述第一集成运放电路(710)的输出端输出的电平信号在经过所述数据比较电路(620)的比较处理后,由所述数据比较电路(620)的三个输出端分别输出三个电平信号来表述三种杂质污染程度;
所述第一集成运放电路(710)的同相输入端同时电性连接第一电阻一端、第二电阻一端、第三电阻一端和第四电阻一端,所述第四电阻另一端接地;
所述第一电阻另一端、所述第二电阻另一端和所述第三电阻另一端均接入由所述串行数据检测电路(500)输出的电平信号。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,所述第一电阻与第一D触发器(611)的输出端电性连接,所述第二电阻与第二D触发器(612)的输出端电性连接,所述第三电阻与第三D触发器(613)的输出端电性连接,所述第一D触发器(611)、所述第二D触发器(612)和所述第三D触发器(613)的输入端均与所述串行数据检测电路(500)的输出端电性连接;所述第一D触发器(611)、所述第二D触发器(612)和所述第三D触发器(613)的脉冲信号输入端均与第二脉冲信号发生器(420)电性连接。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,所述第一D触发器(611)输入端与所述串行数据检测电路(500)的输出端之间电性接入第一时控开关,所述第二D触发器(612)输入端与所述串行数据检测电路(500)的输出端之间电性接入第二时控开关,所述第三D触发器(613)输入端与所述串行数据检测电路(500)的输出端之间电性接入第三时控开关;
所述第一时控开关、所述第二时控开关和所述第三时控开关均与所述主控器(100)电性连接,并受所述主控器(100)控制闭合时间。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,所述第一时控开关闭合与所述第二时控开关闭合的间隔时间为相邻两个脉冲信号到达的时间差;所述第二时控开关闭合与所述第三时控开关闭合的间隔时间也为相邻两个脉冲信号到达的时间差;
在一个脉冲信号到达时,所述第一时控开关闭合;在相邻的第二个脉冲信号到达时,所述第二时控开关闭合;在相邻的第三个脉冲信号到达时,所述第三时控开关闭合。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,所述数据比较电路(620)包括第二集成运放电路(720)、第三集成运放电路(730)、第四集成运放电路(740)和第五集成运放电路(750);所述第一集成运放电路(710)的输出端电性接入所述第二集成运放电路(720)的正相输入端、所述第三集成运放电路(730)的反相输入端、所述第四集成运放电路(740)的正相输入端和所述第五集成运放电路(750)的反相输入端;
所述第二集成运放电路(720)的反相输入端和所述第三集成运放电路(730)正相输入端均输入第二基准电压,所述第四集成运放电路(740)的反相输入端和所述第五集成运放电路(750)正相输入端均输入第一基准电压;
所述第二集成运放电路(720)的输出端电性连接完全合格指示灯(810);
所述第三集成运放电路(730)的输出端和所述第四集成运放电路(740)的输出端共同接入第四与门选择器的两个输入端,所述第四与门选择器的输出端电性连接基本合格指示灯(820);
所述第五集成运放电路(750)的输出端电性连接不合格指示灯(830)。
7.根据权利要求6所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,所述串行数据检测电路(500)包括第一JK触发器(510)和第二JK触发器(520);所述红外接收器(300)输出端与所述第一JK触发器(510)的第一脚口电性连接;
所述第一JK触发器(510)的第三脚口和所述红外接收器(300)的输出端共同电性接入第二与门选择器的两个输入端;所述第二与门选择器的输出端电性接入所述第二JK触发器(520)的第五脚口;
所述红外接收器(300)的输出端还电性接入第二非门选择器的输入端,所述第二非门选择器的输出端电性接入第二JK触发器(520);
所述第二JK触发器(520)的第七脚口和所述红外接收器(300)的输出端共同电性接入第一与门选择器的两个输入端,所述第一与门选择器的输出端电性接入第一非门选择器的输入端,所述第一非门选择器的输出端电性接入所述第一JK触发器(510)的第二脚口;
所述第二JK触发器(520)的第七脚口和所述红外接收器(300)的输出端共同电性接入第三与门选择器的两个输入端,所述第三与门选择器的输出端为所述数据检测电路(500)的输出端;
所述第一JK触发器(510)和所述第二JK触发器(520)的脉冲信号输入端均与第一脉冲信号发生器(410)电性连接。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,其特征在于,还包括圆形的晶圆片基座(900),所述红外发射器(200)和所述红外接收器(300)均设置于所述晶圆片基座(900)两侧并与所述晶圆片基座(900)的其中一条直径处于同一条直线上;所述晶圆片基座(900)与电机固定连接,并在电机的带动下转动;所述电机与所述主控器(100)电性连接,并受所述主控器(100)控制。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201946574U (zh) * 2010-11-25 2011-08-24 无锡春辉科技有限公司 晶圆片表面清洗洁净度的检测装置
CN205825890U (zh) * 2015-11-18 2016-12-21 长春轨道客车股份有限公司 基于低压脉冲反射法的电线长度单端测量系统

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0795039B2 (ja) * 1986-11-13 1995-10-11 株式会社東芝 欠陥検査装置
JP2949286B2 (ja) * 1987-08-26 1999-09-13 松下電工株式会社 減光式二酸化炭素濃度感知器
JPH07221148A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Fujitsu Ltd 表面汚染評価装置及び表面汚染評価方法
EP1134084B1 (en) * 1998-11-27 2004-08-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Driver ic and optical print head
CN101750273A (zh) * 2008-12-03 2010-06-23 北京航峰科伟装备技术有限公司 三维油液污染度检测仪
CN203337511U (zh) * 2013-06-26 2013-12-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的污染物颗粒监控装置及快速热退火系统
US9091667B2 (en) * 2013-10-25 2015-07-28 Globalfoundries Inc. Detection of particle contamination on wafers
CN106033057A (zh) * 2015-03-10 2016-10-19 中国科学院微电子研究所 一种硅片表面颗粒污染成分无损快速在线检测方法及系统
KR102500603B1 (ko) * 2017-01-06 2023-02-17 레이브 엘엘씨 오염 식별 장치 및 방법
CN110660703B (zh) * 2018-06-29 2022-07-29 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体处理系统及半导体处理系统的污染控制方法
CN109781654A (zh) * 2019-03-12 2019-05-21 苏州协鑫光伏科技有限公司 硅片表面沾污的检测方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201946574U (zh) * 2010-11-25 2011-08-24 无锡春辉科技有限公司 晶圆片表面清洗洁净度的检测装置
CN205825890U (zh) * 2015-11-18 2016-12-21 长春轨道客车股份有限公司 基于低压脉冲反射法的电线长度单端测量系统

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