JPH10156229A - 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置 - Google Patents

洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置

Info

Publication number
JPH10156229A
JPH10156229A JP8321963A JP32196396A JPH10156229A JP H10156229 A JPH10156229 A JP H10156229A JP 8321963 A JP8321963 A JP 8321963A JP 32196396 A JP32196396 A JP 32196396A JP H10156229 A JPH10156229 A JP H10156229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
fluid jet
jet nozzle
gas
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8321963A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3315611B2 (ja
Inventor
Itaru Sugano
至 菅野
Masuta Tada
益太 多田
Mitsuhiro Ogawa
光博 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Toyo Sanso Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Taiyo Toyo Sanso Co Ltd
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Toyo Sanso Co Ltd, Mitsubishi Electric Corp filed Critical Taiyo Toyo Sanso Co Ltd
Priority to JP32196396A priority Critical patent/JP3315611B2/ja
Priority to TW087215182U priority patent/TW378787U/zh
Priority to US08/893,683 priority patent/US5918817A/en
Priority to KR1019970045664A priority patent/KR100276620B1/ko
Priority to DE19740996A priority patent/DE19740996B4/de
Priority to DE19758979A priority patent/DE19758979B4/de
Priority to CN97121532A priority patent/CN1093781C/zh
Publication of JPH10156229A publication Critical patent/JPH10156229A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3315611B2 publication Critical patent/JP3315611B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/02Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means designed to produce a jet, spray, or other discharge of particular shape or nature, e.g. in single drops, or having an outlet of particular shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0416Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
    • B05B7/0433Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with one inner conduit of gas surrounded by an external conduit of liquid upstream the mixing chamber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0416Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
    • B05B7/0441Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with one inner conduit of liquid surrounded by an external conduit of gas upstream the mixing chamber
    • B05B7/0475Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with one inner conduit of liquid surrounded by an external conduit of gas upstream the mixing chamber with means for deflecting the peripheral gas flow towards the central liquid flow
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0416Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
    • B05B7/0483Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with gas and liquid jets intersecting in the mixing chamber
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板等に付着した微小異物を、基板を
損傷せずに強力に除去する。 【解決手段】 液滴を気中に噴射して半導体基板等の表
面に付着した異物を洗浄するための洗浄用2流体ジェッ
トノズルにおいて、加圧されたガスと液体とを混合して
液滴を形成する混合部のガス流路の断面積を、液滴をガ
スとともに加速して気中に噴射する加速管の流路の断面
積より大きく形成する。また、加速管は円形直管形状ま
たはラバーノズル形状とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、洗浄用2流体ジ
ェットノズルに関するものであり、さらに詳しくは、半
導体基板等の上に付着している汚染物を除去する洗浄用
2流体ジェットノズルに関するものである。この発明
は、またこの洗浄用2流体ジェットノズルを用いて基板
上に付着している汚染物を除去する洗浄装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】一般に半導体の製造過程において、半導
体ウエハの表面上に種々の汚染物が付着する。例えば、
半導体ウエハの上にCVD法またはスパッタ法により絶
縁膜や金属膜を形成すると、その表面にパーティクル状
の汚染物が付着する。また、ドライエッチングによるパ
ターン形成後にはエッチング残さ(レジスト残さ)や金
属汚染物が付着する。これらの汚染物を除去する方法と
して、従来から高圧ジェット水洗浄、アイススクラバー
洗浄、及び洗浄用2流体ジェットノズルを用いた液滴噴
射の洗浄が提案されている。
【0003】図17は、高圧ジェット水洗浄と呼ばれる
方法による従来の洗浄装置の模式図である。この洗浄装
置では、ステージ6のうえに半導体ウエハ5を保持し、
これをモーター7により回転させる。この半導体ウエハ
5に対して、純水加圧器68より配管を通して接続され
ている高圧ジェットノズル69が配置されている。この
洗浄方法においては、まず、純水加圧器68によって純
水等の液体を50〜100kgf/cm2(kg重/c
2)の高圧に加圧し、配管を通して高圧ジェットノズ
ル69に供給する。高圧ジェットノズル69には、直径
0.lmm程度の孔があり、ここから液体が連続的に半
導体ウエハ5に噴出される。噴出された液体が半導体ウ
エハ5の表面に衝突することによって、半導体ウエハ5
の表面に付着している汚染物が除去され、洗浄が行われ
る。
【0004】この洗浄方法の問題点は、洗浄力が低く、
1μm以下のパーティクルを十分に除去できないことで
ある。洗浄力を高めるには、液体をより高圧に加圧し
て、高圧ジェットノズル69からの液体の噴出速度を高
くすればよいが、純水加圧器68が大型の装置になり、
経済的に得策ではない。具体例としては、液体の供給圧
力が100kgf/cm2の場合、液体の噴出速度は、
約130m/secとなる。
【0005】図18は、従来の洗浄用2流体ジェットノ
ズル70の断面図である。洗浄用2流体ジェットノズル
70は、その中をガスが通過する第1の管路72と、第
1の管路72の外側から、第1の管路72の側壁を貫通
し、第1の管路72内にまでその先端部が延び、その中
を液体が通過する第2の管路73とを備えている。第2
の管路73の先端部は、第1の管路72が延びる方向と
同じ方向に延びている。
【0006】この洗浄用2流体ジェットノズル70を用
いた、例えば半導体ウエハ用の洗浄装置の構成の模式図
を図19に示す。この洗浄装置は、洗浄カップ8と、洗
浄カップ8内の半導体ウエハ5を保持するステージ6
と、このステージ6を回転させるモーター7と、液滴を
半導体ウエハ5の表面に向けて噴出する洗浄用2流体ジ
ェットノズル70と、洗浄用2流体ジェットノズル70
に加圧したガスを供給するガス供給手段2aと、洗浄用
2流体ジェットノズル70に加圧した液体を供給する液
体供給手段3aとを備えている。洗浄カップ8には排気
口9が接続されている。また、洗浄用2流体ジェットノ
ズル70を保持し、移動させるロボットアーム4を備え
ている。
【0007】次にこの洗浄装置の動作について説明す
る。半導体ウエハ5をステージ6に固定し、所定の回転
数で回転する。ガス供給手段2aから加圧したガスを、
また液体供給手段3aから加圧した液体をそれぞれ洗浄
用2流体ジェットノズル70に供給する。洗浄用2流体
ジェットノズル70では、図18に示すように、ガスと
液体とが混合され、液体は粒状の液滴1に変化し、第1
の管路72内の図中a−b間でガスの流れによって加速
され、第1の管路72の先端から噴出される。噴出した
液滴1は、図19に示すように、半導体ウエハ5の表面
に衝突し、半導体ウエハ5の表面上に付着している汚染
物を除去する。半導体ウエハ5から除去された汚染物
と、半導体ウエハ5の表面衝突後に飛散した液滴1と、
洗浄用2流体ジェットノズル70から噴出したガスと
が、排気口9より洗浄カップ8内から排出される。洗浄
時、半導体ウエハ5の全面を洗浄するために、洗浄用2
流体ジェットノズル70を保持し、移動させるロボット
アーム4によって、洗浄用2流体ジェットノズル70を
半導体ウエハ5の表面に沿って水平方向に移動させてい
る。
【0008】この洗浄装置は、上述の高圧ジェット水洗
浄に比べて洗浄力が高い。また、従来のアイススクラバ
ー洗浄よりランニングコストが安い。また、この洗浄装
置は、洗浄力を広範囲に制御できるので、微細パターン
の破壊がなく、また硬度の小さい金属膜に損傷を与える
ことがない。しかし、アイススクラバー洗浄と比べて洗
浄効果が低いという問題点がある。この理由を次に説明
する。
【0009】洗浄用2流体ジェットノズルでの洗浄にお
いて、その洗浄力は液滴の速度に対応する。液滴の速度
は、ガスの流量と、液体の流量と、洗浄用2流体ジェッ
トノズル70の第1の管路72内の図中a−b間の距離
と、この間の第1の管路72の内側の断面積とによって
決定される。例えば、ガスの流量を200L/min、
液体の流量を100mL/min、a−b間の距離を1
00mm、第1の管路72の内径を4.35mmとする
と、液滴の速度は224m/secとなる。通常洗浄用
2流体ジェットノズルの形状は固定されているので、液
滴の速度は、ガスの流量と、液体の流量によって決定さ
れるが、特に体積が大きいガスの流量に支配される。
【0010】図18に示されているように、第1の管路
72は直管であり、ガスが通過する第2の管路73の外
側の第1の管路72の内部断面積は、図中a−b間の内
部断面積より小さくなる。従って、ガスの流量は、第2
の管路73の外側の、通路の一番狭い第1の管路72の
内部断面積によって律速される。すなわち、その速度が
制限される。通常ガスの供給圧力は、最大10kgf/
cm2までであり、特に半導体製造工場では最大7kg
f/cm2程度までを使用している。例えば、第2の管
路73の外径を3.2mmとすると、ガスが流れる第2
の管路73の外側の、第1の管路72の内部断面積は
6.8mm2となる。ガスの供給圧力を7kgf/cm2
とすると、ガスの流量は約200L/minとなる。こ
の場合の液滴の速度は、上記のように224m/sec
となる。
【0011】洗浄用2流体ジェットノズル70の先端の
部分が、図中a−b間のような直管形状の場合、この中
を流れるガスの速度は、ガスの流量を多くすると基本的
に音速度の約330m/secまで可能である。しかし
ながら、図18の形状の洗浄用2流体ジェットノズル7
0において、通常使用されるガスの供給圧力である最大
7kgf/cm2までの範囲では、液滴の速度は音速度
まで達しない。洗浄力は液滴の速度に依存しているの
で、この洗浄用2流体ジェットノズル70の洗浄力は、
通常使用しているガスの供給圧力範囲では低い。
【0012】ガスの供給圧力を通常使用範囲より高くす
ると、ガスの流量が増し、液滴の速度は高まるが、最大
値は上述のように音速度である。後で述べるが、アイス
スクラバー洗浄の場合の氷粒子と本洗浄の場合の液滴と
では、氷と液(例えば水)との物性値の違いにより、氷
粒子と液滴との衝突速度が同じ場合、洗浄力はアイスス
クラバー洗浄の方が高い。アイススクラバー洗浄におい
て、氷粒子の速度は最大音速度まで達することが可能で
あるので、この洗浄用2流体ジェットノズル70の洗浄
力は、アイススクラバー洗浄を上回ることができない。
【発明が解決しようとする課題】
【0013】また、この洗浄装置の問題点は、洗浄カッ
プ8の排気量を大きくする必要があるため経済的でない
ことと、排気を十分に行うために、洗浄用2流体ジェッ
トノズル70の半導体ウエハ5表面との角度を60°以
下にしており、このため洗浄力が十分でなく、また微細
パターンへのダメージ制御が困難となることである。半
導体ウエハ5からー旦除去された汚染物が、半導体ウエ
ハ5の表面へ再付着しないために、除去された汚染物と
液滴1とガスとを排気口9より洗浄カップ8内から排出
させなければならない。このために、排気口9は洗浄用
2流体ジェットノズル70の噴出口と対向した位置に配
置し、十分な排気量が必要である。具体的には、図19
の洗浄装置の場合、排気量は約5m3/min以上必要
である。
【0014】また、洗浄用2流体ジェットノズル70の
半導体ウエハ5との角度が60°以上の場合、液滴とガ
スの噴流は半導体ウエハ5の表面で反射して、洗浄カッ
プ8の上部開口から上に飛散し、半導体ウエハ5の表面
に汚染物を再付着させる。洗浄力は、液滴の衝突角度が
垂直に近いほど高く、また微細パターンへのダメージの
程度は、液滴の衝突角度が垂直に近いほど小さくなる。
液滴の衝突角度によって、微細パターンが受ける力(外
力)が変わり、微細パターンへのダメージの程度が変化
する。従って、半導体ウエハ5に対して斜めから液滴を
噴出すると、半導体ウエハ5の表面上で液滴の衝突角度
の違いが出て、微細パターンへのダメージを制御するこ
とが困難となる。
【0015】また、このような洗浄における問題点は、
半導体ウエハのみならず液晶基板、フォトマスク等の基
板の上に付着している汚染物を除去する場合においても
生じていた。
【0016】上述のように、従来の洗浄装置では、半導
体材料などに対する洗浄力が低く、特に微細な付着物を
十分に除去できないという問題があった。また、半導体
材料などに対するダメージを十分に制御できないという
問題があった。
【0017】それゆえに、この発明の目的は、半導体基
板等の表面上に付着している汚染物を強力に除去する洗
浄用2流体ジェットノズル、及びこれを用いた洗浄装置
を提供することにある。この発明の他の目的は、基板等
の上に付着している1μm以下の微小異物を除去するこ
とができるように改良された洗浄用2流体ジェットノズ
ル、及び洗浄装置を提供することにある。
【0018】この発明のさらに他の目的は、液滴の噴出
速度が音速度を越えることができるように改良された洗
浄用2流体ジェットノズル、及び洗浄装置を提供するこ
とにある。この発明のさらに他の目的は、ランニングコ
ストの安い洗浄装置を提供することにある。
【0019】この発明のさらに他の目的は、基板等の表
面に損傷を与えずに、基板等の表面上に付着している汚
染物を除去できるように改良された洗浄用2流体ジェッ
トノズル、及び洗浄装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】この発明の洗浄用2流体
ジェットノズルは、加圧されたガスと液体とを混合して
液滴を形成する混合部と、前記液滴を気中に噴射する加
速管部とを備え、前記混合部の前記ガスの流通路の最小
部分の断面積を前記加速管部の流通路の最小部分の断面
積より大きく形成したことを特徴とするものである。
【0021】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記加速管部の内形が円形の直管であることを
特徴とするものである。
【0022】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記加速管部を、その長さが30〜200m
m、管内の断面積が3mm2以上である直管形状とした
ことを特徴とするものである。
【0023】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記加速管部を、その内径が前記混合部との接
続側から前記液滴の噴出方向に向かって徐々に大きくな
るラバールノズル形状としたことを特徴とするものであ
る。
【0024】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記加速管部を、長さが30〜200mm、管
内の断面積が絞り部で3mm2以上としたことを特徴と
するものである。
【0025】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記混合部の形状を円柱状としたことを特徴と
するものである。また、この発明の洗浄用2流体ジェッ
トノズルは、前記混合部を、前記加速管部と接続する方
向に徐々に断面積を縮小するように形成したことを特徴
とするものである。
【0026】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記混合部を、前記ガスが通過する第1の管路
と、この第1の管路の中において前記ガスの通過方向に
前記液体を噴出する第2の管路とを備えたことを特徴と
するものである。
【0027】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記混合部を、前記ガスが通過する第1の管路
と、この第1の管路の中に配設され前記液体を噴出する
第2の管路と、この第2の管路の中に配設されさらに前
記ガスを噴出する第3の管路とを備えたことを特徴とす
るものである。
【0028】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記第1の管路を流れるガス及び第2の管路か
ら噴出される液体の方向を、前記液滴の噴出方向と同一
であることを特徴とするものである。
【0029】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記混合部に供給されるガス流入口の断面積が
前記加速管部の断面積より大きく形成されていることを
特徴とするものである。
【0030】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルは、前記加速管部の先端部に、液滴の噴出方向と略
直交する方向に整流板を備えたことを特徴とするもので
ある。
【0031】さらに、この発明の洗浄装置は、上述のい
ずれかの洗浄用2流体ジェットノズルと、前記洗浄用2
流体ジェットノズルの混合部に接続されて加圧ガスを供
給するガス供給手段と、前記洗浄用2流体ジェットノズ
ルの混合部に接続されて加圧液体を供給する液体供給手
段とを備えたことを特徴とするものである。
【0032】また、この発明の洗浄装置は、前記洗浄用
2流体ジェットノズルの加速管部の先端を、被洗浄材表
面から5〜50mm離れた位置に配置するようにしたこ
とを特徴とするものである。
【0033】また、この発明の洗浄装置は、前記2流体
ジェットノズルに供給するガス及び液体の供給圧力を、
それぞれ1〜10kgf/cm2としたことを特徴とす
るものである。
【0034】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を、図
について説明する。なお、各図を通して同一の符号は、
同一または相当の部分を示す。 実施の形態1.図1は、この発明の実施の形態に係る、
洗浄用2流体ジェットノズル10の構造を示す断面図で
ある。これは、加圧されたガスと液体とを混合して形成
した液滴を、気中において噴射し、被洗浄物表面に衝突
させることにより洗浄を行うものである。この洗浄用2
流体ジェットノズル10は、ノズル先端の部分で液滴の
加速を図る加速管11を有する加速部Aと、加圧された
ガスと液体を混合して液滴を形成する混合管12を有す
る混合部Bとから構成されている。混合管12には、加
圧されたガスの流入口2と液体の流入口3が設けられて
いる。
【0035】この洗浄用2流体ジェットノズル10の特
徴は、液滴を噴出するノズル先端の加速管11、すなわ
ち図中a−b間が円形直管形状で、長さが30〜200
mm、管内の断面積が3〜15mm2であることであ
る。また、加圧されたガス及び液体が各々配管を通して
混合される混合管12、すなわち図中b−c間は、円形
直管形状で、長さが3〜50mm、断面積が7〜100
mm2の空間を有していることである。さらに、前記混
合管12に供給されるガスの流入口2の断面積が7〜2
00mm2、また液体の流入口3の断面積が0.01〜
20mm2であることである。
【0036】具体的な例としては、ノズル先端の加速管
11は、図中a−b間の長さが100mm、管内の断面
積が7mm2であり、混合管12は、図中b−c間の長
さが30mm、断面積が20mm2の空間を有してお
り、ガスの流入口2の断面積が15mm2、液体の流入
口3の断面積が5mm2である。
【0037】図2は、前記洗浄用2流体ジェットノズル
10を備えた、例えば半導体ウエハ用の洗浄装置の構成
を示す模式図である。この洗浄装置は、半導体ウエハ5
の表面上に付着している汚染物を除去するものである。
この洗浄装置は、洗浄用2流体ジェットノズル10に接
続され、洗浄用2流体ジェットノズル10にガス、及び
液体を加圧供給するガス供給手段2a、及び液体供給手
段3aを備える。また、この装置は、半導体ウエハ5を
保持するステージ6と、ステージ6を回転させるモータ
ー7と、洗浄時の水滴の飛散を防止する洗浄カップ8と
を備えている。洗浄カップ8には排気口9が接続されて
いる。また、洗浄用2流体ジェットノズル10を保持
し、移動させるロボットアーム4を備えている。
【0038】次にこの洗浄装置の動作について説明す
る。半導体ウエハ5をステージ6に固定し、モーター7
により所定の回転数で回転する。ガス供給手段2aから
の加圧したガスと、液体供給手段3aからの加圧した液
体は、図1に示すように、ガス流入口2、及び液体流入
口3を通って洗浄用2流体ジェットノズル10の混合管
12内に供給される。洗浄用2流体ジェットノズル10
内の混合部Bでは、すなわち混合管12の図中b−c間
では、ガスと液体とが混合され、液体は粒状の液滴1に
変化する。液滴1は、洗浄用2流体ジェットノズル10
内のノズル先端の加速部、すなわち加速管11の図中a
−b間でガスの流れによって加速され、粒径は更に小さ
くなり、ノズル先端から噴出される。
【0039】噴出した液滴1は、図2に示すように、半
導体ウエハ5表面に衝突し、半導体ウエハ5表面上に付
着している汚染物を除去する。半導体ウエハ5から除去
された汚染物と、半導体ウエハ5の表面衝突後に飛散し
た液滴1と、洗浄用2流体ジェットノズル10から噴出
したガス流とは、排気口9より洗浄カップ8内から排出
される。洗浄時、半導体ウエハ5全面を洗浄するため
に、洗浄用2流体ジェットノズル10を保持し、移動さ
せるロボットアーム4によって、洗浄用2流体ジェット
ノズル10を半導体ウエハ5の表面に沿って水平方向に
移動させている。
【0040】図3は、図18に示した従来の洗浄用2流
体ジェットノズル70と比較した、この実施の形態の洗
浄用2流体ジェットノズル10のガスの供給圧力とガス
の流量との関係(流量特性)を示すグラフである。図3
において、流量線3−1は、図1に示したこの実施の形
態の洗浄用2流体ジェットノズル10のガス流量を示す
もので、先に具体例として説明したように、加速部Aの
内径が3mm(断面積は7mm2)、混合部Bの内部断
面積が20mm2のものである。また、流量線3−2
は、図18に示した従来の洗浄用2流体ジェットノズル
70のガス流量を示すもので、先に具体例として説明し
たように第1の管路72の内径が4.35mm(断面積
は15mm2)、第2の管路73の外径が6.8mm、
第2の管路73の外側の第1の管路72の内部断面積が
6.8mm2のものである。
【0041】図3から解るように、ガスの供給圧力が同
じ場合、従来の洗浄用2流体ジェットノズル70と比較
して、本発明の洗浄用2流体ジェットノズル10は、ガ
スの流量が大きくなる。これは、従来の技術の説明で述
べたように、図18に示した従来の洗浄用2流体ジェッ
トノズル70では、第1の管路72は直管であり、第2
の管路73の外側の、ガスが通過する第1の管路72の
内部断面積は、図中a−b間の断面積より小さくなる。
従って、ガスの流量は、第2の管路73の外側の、通路
の一番狭い、第1の管路の内部断面積によって律速され
て、すなわち速度が制限されて、少なくなる。
【0042】図4は、従来の洗浄用2流体ジェットノズ
ル70と比較した、この実施の形態の洗浄用2流体ジェ
ットノズル10のガスの供給圧力と液滴の噴出速度との
関係を示すグラフである。図4において、速度線4−1
は、この実施の形態の洗浄用2流体ジェットノズル10
の液滴の噴出速度を示し、速度線4−2は、従来の洗浄
用2流体ジェットノズル70の液滴の噴出速度を示す。
図4から解るように、ガスの供給圧力が同じ場合、従来
の洗浄用2流体ジェットノズル70と比較して、本発明
の洗浄用2流体ジェットノズル10は液滴の噴出速度が
速くなる。
【0043】具体的な例として、先に説明したのと同様
に、従来の洗浄用2流体ジェットノズル70のノズル先
端部の内径が4.35mm(断面積は15mm2)、本
発明の洗浄用2流体ジェットノズル10のノズル先端部
の加速管11の内径が3mm(断面積は7mm2)の場
合を想定する。本発明の洗浄用2流体ジェットノズル1
0での液滴の噴出速度は、ガスの供給圧力が約3kgf
/cm2で音速度に達することができる。従来の洗浄用
2流体ジェットノズル70での液滴の噴出速度は、ガス
の供給圧力が約7kgf/cm2で、224m/sec
である。従来の洗浄用2流体ジェットノズル70で音速
度に達するには、ガスの供給圧力が10kgf/cm2
以上必要である。従って、本発明の洗浄用2流体ジェッ
トノズルは、ガスの供給圧力がより低圧で液滴の噴出速
度を高めることができる。
【0044】図5は、本発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズル10のノズル先端の加速部A、すなわち加速管11
の図1中のa−b間の長さと液滴の噴出速度との関係を
示すグラフである。図5から解るように、洗浄用2流体
ジェットノズル10のノズル先端の加速部Aの長さが3
0mm以下では、液滴の噴出速度は遅い。これは、洗浄
用2流体ジェットノズル10の混合部Bで形成された液
滴1が、ノズル先端の加速部Aが短いために、ガスの流
れによる加速を十分に受けられないためである。また、
洗浄用2流体ジェットノズル10のノズル先端の加速部
Aの長さが200mm以上では、液滴の噴出速度は緩や
かに遅くなる。これは、ノズル先端の加速部Aが長いた
めに、配管内の流体抵抗力によってガスの流量が低下す
るためである。従って、洗浄用2流体ジェットノズル1
0のノズル先端の加速部Aの長さは、30〜200mm
が適当である。
【0045】図6は、洗浄用2流体ジェットノズルの液
滴の噴出速度と洗浄力との関係を、汚染物の除去率によ
って示した示すグラフである。図6より明らかなよう
に、洗浄力は液滴の噴出速度に比例して大きくなる。
【0046】図7は、この発明の洗浄用2流体ジェット
ノズル10のノズル先端の加速部Aの管内の断面積を変
化させた場合の、液体の流量と洗浄力との関係を、汚染
物の除去率によって示したグラフである。図7におい
て、曲線7−1、7−2、7−3は、それぞれノズル先
端の加速管11の内部断面積が、3mm2、5mm2、7
mm2の場合の洗浄力の変化を示すものである。このグ
ラフは、ノズル先端の加速部Aの管内の断面積のみを変
えた洗浄用2流体ジェットノズルにおいて、ガスの供給
圧力をー定にして、液体の流量を変化させたものであ
る。従って、ノズル先端の加速管11の管内の断面積が
大きい場合、ガスの流量は多くなる。
【0047】図7に見るように、液体の流量が少ない場
合、洗浄力は小さくなる。これは、液滴の個数が少ない
ので洗浄効率が低下したためである。この条件下で、十
分な除去率を得るための液体の流量は約100mL/m
in以上必要である。また、液体の流量が多い場合、洗
浄力は緩やかに小さくなる。これは、あるガスの流量に
対して、十分に加速できる液滴の量は限られているた
め、液体の流量が多すぎて、液滴の速度が遅くなったた
めである。
【0048】また、ノズル先端の加速部Aの管内の断面
積が小さいと、ガスの流量が少ないため、十分に加速で
きる液滴の量、つまり液体の流量は少なくなり、除去率
は低い。これに対し、ノズル先端の加速部Aの管内の断
面積が犬きいと、ガスの流量が多いため、十分に加速で
きる液滴の量、つまり液体の流量は多くなり、除去率は
高くなる。ただし、ノズル先端部の管内の断面積が大き
過ぎると、ガスの流量が多くランニングコストが高くな
り経済的に得策ではない。また、ガスの流量が多くな
り、洗浄カップ8内の排気を十分に行うための排気量を
増やす必要があり、ランニングコストが高くなり経済的
に得策ではない。これらを考慮すると、ノズル先端の加
速管11の管内の断面積は3mm2以上とすることが適
当である。また、その断面積は実際的には、3〜15m
2程度が実用的であり、実験等によればおおよそ7m
2程度が最適となる。さらに、流体抵抗力を小さくす
るため、ノズル先端の加速部Aの形状は円管で、かつ直
管が好ましい。
【0049】加圧されたガス及び液体が各々配管を通し
て混合されるノズル混合部Bの断面積は、少なくともノ
ズル先端の加速部Aの管内の断面積より大きくなければ
ならない。ノズル先端の加速部Aの管内の断面積より小
さい場合には、混合部Bでガスの流量が絞られて、十分
な洗浄力を得るための液滴の速度に達しない。また、混
合部Bの断面積が大きすぎる場合は、混合部での液滴の
微細化が十分になされず、洗浄効率が低くなる。混合部
Bの長さが短いと、混合部Bでの液滴の加速が不足し
て、十分な洗浄力を得られない。また、混合部Bの長さ
が長いと、混合部Bでの流体抵抗力が高くなり、ガスの
流量が少さくなって十分な洗浄力を得られない。従っ
て、これらを考慮すると、混合部Bの断面積は、少なく
ともノズル先端の加速部Aの適切な管内断面積の最小値
3mm2より大きくなければならず、従って3mm2以上
が適当である。また、実用的には3〜200mm2が適
当である。また、混合部Bの長さは3〜50mmが実用
的である。さらにまた、流体抵抗力を小さくするため、
混合部Bの形状は円管が好ましい。
【0050】前記混合部Bに供給されるガスの流入口2
の断面積は、ガスの流量を絞らないように、少なくとも
ノズル先端の加速部Aの管内の断面積の最小部分より大
きく、また、構造上混合部Bの断面積と同等以下にしな
ければならない。従って、ガス流入口2の断面積は、加
速部Aの適切な管内断面積の最小値3mm2より大き
く、少なくとも3mm2以上とする必要がある。また、実
用的には、7〜200mm2程度が適当である。また、
液体の流入口3の断面積は、十分な除去率を得るための
最低限の液体の流量、約100mL/min以上を流す
ための大きさが必要である。このためには、理論的にも
液体流入口3の断面積は0.04mm2以上あればよ
い。また、混合部Bでの液滴の微細化と、液滴の初速度
を高めるために、あまり大きすぎない方がよい。実用的
には0.04〜20mm2程度が適当である。
【0051】次に、本発明による洗浄用2流体ジェット
ノズルの動作、作用の基本的概念を、図8を用いて説明
する。図8は、噴射された液滴による洗浄作用を説明す
るための図である。先ず、図8(a)に示すように、液
滴1が半導体ウエハ5の表面へVoの速度で衝突すると
する。すると、図8(b)に示すように、液滴1の衝突
の際、液滴1の下部に、衝撃圧と呼ばれる圧力Pが生じ
る。次に図8(c)に示すように、この衝撃圧によっ
て、水平方向の放射流と呼ばれる流れVfが生じる。さ
らに、液滴1は図8(d)に示すように変形し、半導体
ウエハ5上の汚染物は、衝撃圧P、あるいはこの放射流
Vfから受ける力によって除去される。
【0052】衝撃圧Pは、次の式で与えられる。
【数1】 式中、Voは衝突速度、ρLは液体の密度、CLは液体中
の音速度、αは次式で示す低減係数を表わしている。
【数2】 式中、ρsは半導体ウエハ基板の密度、Csは半導体ウ
エハ基板中の音速度を表わしている。
【0053】放射流の速度Vfは、次式で表わされる。
【数3】
【0054】半導体ウエハ5上の汚染物を仮に球形のパ
ーティクルとすると、このパーティクルが受ける外力
(除去力、または洗浄力)Dは、次式で表わされる。
【数4】
【数5】 式中、CDは抗力係数、dはパーティクルの直径を表わ
している。尚、[式4]と[式5]は、形が違うが、結
果的に同じ値が得られる。これから分かるように、洗浄
力Dは液滴の衝突速度Voに比例しており、衝突速度V
oを上げると洗浄力Dは大きくなる。
【0055】洗浄力Dは液滴1の粒径には依存しない
が、液滴1が衝突する面積(これは、汚染物の除去率に
影響を及ぼす)が変化する。液体の供給量をー定とした
場合、液滴1の粒径を小さくすると、液滴1の個数は粒
径の3乗に反比例して増加し、一方、1個の液滴の衝突
する面積は、粒径の2乗に比例して減少する。結果とし
て、全体の液滴の衝突する面積が増加して、洗浄効果は
高まる。また、このモデルは液滴、いわゆる液体の粒子
だけでなく、従来の技術であるアイススクラバー洗浄の
場合の氷粒子にも適用できる。氷粒子の場合は、氷粒子
中の音速度CLが、水等の液体中の音速度より大きいた
め、衝突速度が同じ場合、氷粒子の洗浄力は液滴よりも
大きくなる。
【0056】上記モデルは液滴1が半導体ウエハ5の表
面へ垂直に衝突する場合を想定しているが、実際には、
ある角度を持たせているため、[式4]、[式5]は、
各々次式で表わされる。
【数6】
【数7】 式中、θは半導体ウエハ5表面方向との液滴1の衝突角
度を表わしている。
【0057】図9は液滴の衝突角度と洗浄力との関係
を、汚染物の除去率によって示したグラフである。図9
に示すように、液滴の衝突角度を犬きくすると、サイン
カーブに従って、洗浄力は大きくなる。
【0058】図10は、各種洗浄方法におけるパーティ
クルの粒径とその除去率との関係を示すグラフである。
図中ライン10−1は本発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズル10による洗浄、図中ライン10−2は従来の洗浄
用2流体ジェットノズル70による洗浄、図中ライン1
0−3は従来の高圧ジェット水洗浄による除去率を示す
曲線である。尚、従来の技術であるアイススクラバー洗
浄については記載していないが、ライン10−1と同程
度である。図10に示されているように、図中ライン1
0−3の高圧ジェット水洗浄では1μm以下のパーティ
クルが除去できない。また、図中ライン10−2の従来
の洗浄用2流体ジェットノズル70による洗浄では、高
圧ジェット水洗浄より洗浄力が高いが、0.1μmのパ
ーティクルが除去できない。これに対し、図中ライン1
0−1の本発明の洗浄用2流体ジェットノズル10によ
る洗浄は、これらより洗浄力が高く、0.1μm以下の
パーティクルの除去が可能である。
【0059】尚、上記実施の形態では、基板として半導
体ウエハを例示したが、この発明はこれに限られるもの
ではなく、液晶、フォトマスク等の基板の表面上に付着
している汚染物を除去する場合にも適用することができ
る。
【0060】実施の形態2.図11は、この発明の他の
実施の形態に係る、洗浄用2流体ジェットノズル20の
断面図である。この洗浄用2流体ジェットノズル20
は、ノズル先端の部分で液滴の加速を図る加速管21か
らなる加速部Aと、加圧されたガスと液体を混合して液
滴を形成する混合管22を含む混合部Bとから構成され
ている。混合管22には、加圧されたガスの流入口2
と、混合管22の側壁を貫通して混合管22中に液体の
流入口3が開口し、その先端部分が混合管22と同軸状
に配置された液体の流入管23が設けられている。
【0061】この洗浄用2流体ジェットノズル20の特
徴は次のとおりである。加圧されたガス及び液体が混合
される混合部B(図中b−d間)のうちの図中c−d間
は、従来の技術と同様に、外管(第1の管路22)にガ
ス、内管(第2の管路23)に液体が流れる2重管の構
造になっており、違いとしては、この部分のガスが通過
する第2の管路23の外側の、第1の管路22の内部断
面積が、ノズル先端の加速管11(図中a−b間)の断
面積よりも大きい点である。従って、ガスは、混合部B
内の2重管のところで律速されることがなく、すなわち
速度が制限されることがなく、従来の洗浄用2流体ジェ
ットノズル70より低い供給圧力で大流量が得られるの
で、液滴の噴出速度が速く、洗浄力が高い。
【0062】また、この洗浄用2流体ジェットノズル2
0のもう1つの特徴は、混合部B内の第2の管路23の
出口から先で、加速管21に接続されるまでの間(図中
b−c間)で、第1の管路22が加速管21の断面積ま
で徐々に細くなっている点である。これにより、図中b
−c間のガスの速度は、流体抵抗力の損失を受けること
なく、徐々に速くなる。第2の管路23の出口3から吐
出した液滴1は、このガスの流れにより徐々に加速さ
れ、より微細化される。従って、図1に示した実施の形
態の洗浄用2流体ジェットノズル10よりも、液滴1の
粒径が小さく、かつ液滴1の噴出速度が速くなり、洗浄
力が高い。
【0063】この洗浄用2流体ジェットノズル20の具
体的な例としては、ノズル先端の加速部A(図中a−b
間)の長さが100mm、管内の断面積が7mm2であ
り、混合部B(図中b−d間)の図中b−c間の長さが
20mm、図中c−d間の長さが20mm、図中c−d
間の第2の管路23の外側のガスが流れる部分の断面積
が20mm2、ガスの流入口2の断面積が20mm2、液
体の流入口3の断面積が3mm2である。さらに第1の
管路22と第2の管路23はともに円管形状で、混合部
Bの図中c部において同心円状に配置されているもので
ある。このように構成することにより、液滴がより微細
化され、かつ液滴の噴出速度が速く、従って洗浄力の高
い洗浄用2流体ジェットノズルを実現することができ
る。
【0064】実施の形態3.図12は、この発明の他の
実施の形態に係る、洗浄用2流体ジェットノズル30の
断面図である。この洗浄用2流体ジェットノズル30
は、ノズル先端の部分で液滴の加速を図る加速管31か
らなる加速部A(図中a−b)と、加圧されたガスと液
体を混合して液滴を形成する混合管32を含む混合部B
(図中b−d)とから構成されている。混合管32に
は、加圧されたガスの流入口2と、混合管32の側壁を
貫通して混合管32中に液体の流入口3が開口し、その
先端部分が混合管32と同軸状に配置された液体の流入
管33が設けられている。さらに、この液体の流入管3
3の中にガスの流入管34が同軸状に配置され、3重管
構造になっている。加圧されたガス及び液体が混合され
た後の、混合部Bの図中b−c間と、ノズル先端の加速
部A(図中a−b間)は、図11の実施の形態と同じで
ある。
【0065】この洗浄用2流体ジェットノズル30の特
徴は、次のとおりである。すなわち、この洗浄用2流体
ジェットノズル30は、混合部Bの図中c−d間におい
て、その中をガスが通過する第1の管路32と、第1の
管路32の外側から、第1の管路32の側壁を貫通し、
第1の管路32内にまでその先端部が延び、その中を液
体が通過する第2の管路33と、さらに第2の管路33
の外側から、第2の管路33の側壁を貫通し、第2の管
路33内にまでその先端部が延び、その中をガスが通過
する第3の管路34とを備えている。また、第3の管路
34の先端部と、第2の管路33の先端部は、第1の管
路32が延びる方向と同じ方向に延びている。
【0066】図11に示した実施の形態と同様に、この
3重管構造の部分、図中c−d間のガスが通過する第2
の管路33の外側の、第1の管路32の内部断面積は、
ノズル先端の加速部A(図中a−b間)の断面積よりも
大きい。第3の管路34の先端部では、第3の管路34
からでたガスと、第2の管路33内を流れる液体とが混
合して液滴が形成され、第1の管路32内で更にガスの
流れにより液滴の微細化が促進される。
【0067】結果として、図1あるいは図11で示した
実施の形態の洗浄用2流体ジェットノズルによる液滴よ
りもより微細な液滴が得られ、また液滴の噴出速度が速
くなる。具体的な例としては、従来の洗浄用2流体ジェ
ットノズル70での液滴の粒径が約20μm、図1で示
した実施の形態の洗浄用2流体ジェットノズル10での
液滴の粒径が約10μm、図11で示した実施の形態の
洗浄用2流体ジェットノズル20での液滴の粒径が約5
μm、図12で示した本実施の形態の洗浄用2流体ジェ
ットノズル30での液滴の粒径が約2μmである。従っ
て、本実施の形態の洗浄用2流体ジェットノズル30で
の洗浄力は、従来の洗浄用2流体ジェットノズル70は
もとより、図1あるいは図11で示した実施の形態の洗
浄用2流体ジェットノズルよりも高い。
【0068】実施の形態4.図13は、この発明の他の
実施の形態に係る、洗浄用2流体ジェットノズル40の
構造を示す断面図である。この洗浄用2流体ジェットノ
ズル40は、ノズル先端の部分で液滴の加速を図るラバ
ールノズル形状の加速管41からなる加速部A(図中a
−b)と、加圧されたガスと液体を混合して液滴を形成
する混合管42を含む混合部B(図中b−d)とから構
成されている。混合管42には、加圧されたガスの流入
口2と液体の流入口3が設けられている。加圧されたガ
ス及び液体が混合される混合部Bの管路42の図中b−
c間の形状は、図11で示した実施の形態の第1の管路
22と同じで、混合部Bの管路42の図中c−d間の形
状は、図1で示した実施の形態の混合部Bの図中b−c
間の形状と同じである。
【0069】本洗浄用2流体ジェットノズル40の特徴
は、ノズル先端の加速部A(図中a−b間)の内径が、
液滴の噴出口に向かって徐々に大きくなるラバールノズ
ル形状になっている点である。この2流体ジェットノズ
ル40のノズル先端の加速部A(図中a−b間)の長さ
は、実施の形態1の直管の場合と同様の理由で30〜2
00mmが適当である。また、加速部Aの管内の断面積
は、実施の形態1の直管の場合と同様の理由で、断面積
が最小の絞り部(スロート部)すなわち図中b部で、3
mm2以上必要である。また、実用的には3〜10mm2
程度が適当である。さらに、出口部、すなわち図中a部
での断面積は、少なくとも絞り部よりは大きく、3mm
2以上必要である。実用的には、6〜20mm2程度が適
当である。
【0070】ー般にラバールノズル(ラバール管)はガ
スを管路の中で超音速に増速するためのものであるが、
本洗浄用2流体ジェットノズル40は液滴を超音速まで
増速させるために、形状の最適化を行っている。図7に
見るように、十分な除去率を得るための液体の流量は約
100mL/min以上必要で、また、液体の流量が多
い場合は、ランニングコストが高くなり経済的に得策で
はないので、最適な液体の流量は100〜300mL/
minである。この流量の液滴を超音速まで加速させる
ための最小ガス流量は、200〜600L/minであ
る。
【0071】このガス流量を、通常使用されるガスの供
給圧力である最大7kgf/cm2までの範囲で得るた
めには、2流体ジェットノズル40の加速管41の絞り
部(スロート部)、図中b部の断面積を、3〜10mm
2あるいはそれ以上にしなければならない。また、2流
体ジェットノズル40の加速管41の出口部、図中a部
の断面積を、絞り部(スロート部)の断面積の2倍にす
れば液滴を超音速まで加速可能であるので、出口部の断
面積の最適値は6〜20mm2となる。この条件の2流
体ジェットノズル40で、液滴1の噴出速度は、音速度
の約1.5倍の約500m/secに達する。この2流
体ジェットノズル40は、上記のように液滴1を超音速
で噴出することが可能であるので、アイススクラバー洗
浄や、従来の2流体ジェットノズル70、さらには図
1、図11または図12で示した実施の形態の2流体ジ
ェットノズルより洗浄力が高い。
【0072】実施の形態5.図14は、この発明のさら
に他の実施の形態に係る、洗浄用2流体ジェットノズル
50の構造を示す断面図である。この洗浄用2流体ジェ
ットノズル50は、ノズル先端の部分で液滴の加速を図
る加速管51からなる加速部A(図中a−b)と、加圧
されたガスと液体を混合して液滴を形成する混合管52
を含む混合部B(図中b−d)とから構成されている。
混合管52には、加圧されたガスの流入口2と液体の流
入口3が設けられている。ノズル先端の加速部A(図中
a−b間)、および加圧されたガス及び液体が混合され
る混合部B(図中b−c間)の形状は、図1に示した実
施の形態と同じである。
【0073】本洗浄用2流体ジェットノズル50の特徴
は、ノズル先端の加速部Aの出口、図中a部、あるいは
図中a−b間に、噴出した液滴及びガスの噴流の方向を
制御する整流板55を備えている点である。この整流板
55は、洗浄用2流体ジェットノズル50の加速管51
から噴出方向と直角に10〜100mmの範囲で広がる
平板である。
【0074】図15は、前記の洗浄用2流体ジェットノ
ズル50を備えた、例えば半導体ウエハ用の洗浄装置の
構成を示す模式図である。この洗浄装置は、洗浄用2流
体ジェットノズル50にガス、及び液体を加圧供給する
ガス供給手段2a、及び液体供給手段3aを備えてい
る。また、この装置は、半導体ウエハ5を保持するステ
ージ6と、ステージ6を回転させるモーター7と、洗浄
時の水滴の飛散を防止する洗浄カップ8とを備えてい
る。洗浄カップ8には排気口9が接続されている。ま
た、洗浄用2流体ジェットノズル10を保持し、移動さ
せるロボットアーム4を備えている。前記整流板55
は、半導体ウエハ5表面から5〜50mm離れた位置に
配置し、半導体ウェハの表面とほぼ並行に広がるように
配置されている。
【0075】具体例としては、図14、図15に示すよ
うに、整流板55はノズル出口先端に取付けられた半径
50mmの円盤である。洗浄時、洗浄用2流体ジェット
ノズル50は半導体ウエハ5表面から20mm離れた位
置に垂直に配置され、半導体ウエハ5の表面全体を洗浄
するため、表面に沿って横移動する。つまり、整流板5
5は半導体ウエハ5の表面と20mm離れた位置に平行
に配置されている。
【0076】洗浄用2流体ジェットノズル50から噴出
した液滴1とガスの流れ(噴流)は、一旦半導体ウエハ
5の表面に衝突し、上方へ飛散しようとするが、整流板
55により抑さえられて、半導体ウエハ5の表面に沿っ
て分散する。洗浄用2流体ジェットノズル50から噴出
した直後の噴流は高速であるが、整流板55の整流効果
により整流板55の周囲での噴流は低速になる。具体的
な例としては、ノズル先端の加速部A(図中a−b間)
の長さが100mm、管内の断面積が7mm2で、ガス
の流量を150L/min、液体の流量を100mL/
minとした場合、噴出した直後の噴流の速度は、音速
度の330m/secであるが、整流板55の周囲での
噴流の速度は、0.4m/secとなる。
【0077】整流板がない場合は、洗浄用2流体ジェッ
トノズルから噴出した液滴とガスの流れ(噴流)は、半
導体ウエハ5の表面から反射して上方へ飛散する。半導
体ウエハ5の表面に付着している汚染物は、液滴の衝突
により半導体ウエハ5の表面よりー旦は除去されるが、
液滴とともに上方へ飛散した後、半導体ウエハ5の表面
に付着し、半導体ウエハ5を汚染させる。従って、整流
板55がない場合は、洗浄用2流体ジェットノズル50
から噴出した液滴とガスの流れ(噴流)、及び除去され
た汚染物を、速やかに半導体ウエハ5の表面上から排除
するために、洗浄用2流体ジェットノズルの噴出角度を
60°以下にし、これと対向した位置で大流量の排気を
行っている。
【0078】整流板55を備えることによって上記の問
題は解決されるため、洗浄用2流体ジェットノズルの噴
出角度を90°(垂直方向)にすることが可能で、洗浄
力が高くなる。また、整流板55の近傍では噴流の速度
を遅くするので、排気量を少なくすることが可能であ
る。具体的には、図18で説明した従来の洗浄用2流体
ジェットノズル70の場合、排気量は約5m3/min
以上必要であるが、本発明の洗浄用2流体ジェットノズ
ル50の場合は2m3/min以下で十分である。
【0079】整流板55の位置は、半導体ウエハ5の表
面からあまり離れると、噴流の飛散を抑さえる効果が小
さくなり、また、半導体ウエハ5の表面からあまり近づ
くと、整流板55と半導体ウエハ5の表面との間を流れ
るガスの流体抵抗力が大きくなるので、液滴の噴出速度
が遅くなる。このため、整流板55の位置は、半導体ウ
エハ5の表面から5〜50mm離れた所が最適である。
【0080】また、整流板55の形状は本実施の形態の
ような円盤の場合、その直径が小さいと、噴流の飛散を
抑さえる効果が小さくなり、また、その直径があまり大
きいと、現実的な装置構成上の取付け、及びロボットア
ーム4での移動が困難になる。このため、整流板55の
形状が円盤の場合、その半径は実用的に10〜100m
mが適当である。
【0081】実施の形態6.図16は、この発明のさら
に他の実施の形態に係る、洗浄用2流体ジェットノズル
60の構造を示す断面図である。この実施の形態は、変
形された整流板を有するノズルを示す。この洗浄用2流
体ジェットノズル60は、加速管61からなる加速部A
(図中a−b)と、混合管62を含む混合部B(図中b
−d)と、加速管61の先端に設けられた整流板65と
から構成されている。混合管52には、加圧されたガス
の流入口2と液体の流入口3が設けられている。ノズル
先端の加速部A(図中a−b間)、および加圧されたガ
ス及び液体が混合される混合部B(図中b−c間)の形
状は、図14に示した実施の形態と同じである。図16
(b)は、図16(a)の紙面に垂直な方向の整流板6
5の断面図、図16(c)は、液滴の噴射方向と逆方向
にノズル60を見た場合の整流板65と加速管61の端
面の図である。
【0082】この洗浄用2流体ジェットノズル60に備
えている整流板65は、液滴の噴射方向に開口すると共
に、一方の側面のみが開口した箱型の形状を有する。開
口された一方の側面は、排気口の方向に向くようにして
使用される。この場合、整流板65の整流効果により、
洗浄用2流体ジェットノズル60から噴出された噴流の
速度は整流板65の付近では遅くなり、かつ噴流の大部
分は、整流板65の開口された1方の側面から排気口9
へ向かって流れる。このため、排気効率が更に向上し
て、排気量を少なくすることが可能である。以上のよう
に、ノズルの先端またはその近傍に半導体基板など被洗
浄材から反射してくるガスおよび液滴の噴流を止める整
流板を設けることにより、排気効率が向上するため、洗
浄装置の排気量が少なくても十分な洗浄効果を上げるこ
とができる。
【0083】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の洗浄用
2流体ジェットノズルでは、加圧されたガスと液体とを
混合して液滴を形成する混合部のガス流通路の最小部分
の断面積を、液滴を気中に噴射する加速部の流路の断面
積の最小部分より大きくしたので、低いガス圧でも液滴
の噴射速度を高め、強力な洗浄を行うこができる。ま
た、加速部を円形の直管にし、あるいはその形状を最適
化したので、さらに高速の液滴噴射ができる。
【0084】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルでは、加速部を、その内径が混合部との接続側から
液滴の噴出方向に向かって徐々に大きくなるラバールノ
ズル形状とし、またその形状を最適化したので、音速を
超える液滴の噴射を実現することができる。
【0085】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルでは、加圧ガスと液体との混合部の形状を円柱状と
し、またその形状を最適化したので、液滴を最適に形成
し、洗浄効果を高めることができる。
【0086】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルでは、混合部を、加速部と接続する方向に徐々に断
面積を縮小するように形成し、またその形状を最適化し
たので、液滴の微細化をはかり、かつ高速の液滴噴射を
行うことができる。
【0087】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルでは、混合部に供給されるガス流入口の断面積およ
び液体の流入口の断面積を最適化したので、液滴の効果
的に微細化して洗浄効果を高めることができる。
【0088】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルでは、加圧ガスと液体の混合部を、ガスが通過する
外管と、この外管の中においてガスの通過方向に液体を
噴出する内管とを備えた2重構造にしたので、効果的に
微細な液滴を形成し、洗浄効果を上げることができる。
【0089】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルでは、加圧ガスと液体の混合部を、ガスが通過する
外管と、この外管の中に配設され液体を噴出する内管
と、さらにこの内管の中に配設されガスを噴出する第3
の管とを備えた3重構造にしたので、液滴の形成が効果
的に行え、かつその微細化を図ることができる。
【0090】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルでは、加速管の先端部付近に、液滴の噴出方向と略
直交する方向に整流板を備え、またその形状を最適化し
たので、半導体基板等の表面に損傷を与えずに、基板等
の表面上に付着している汚染物を除去できる。
【0091】また、この発明の洗浄装置では、上述のよ
うな洗浄用2流体ジェットノズルの動作を生かして、半
導体基板等の付着異物を強力に除去できる。また、整流
板を備えた洗浄用2流体ジェットノズルを用いることに
より、液滴の飛散を防止でき、排気量を少なくすること
ができる。
【0092】また、この発明の洗浄用2流体ジェットノ
ズルおよび洗浄装置では、2流体ジェットノズルに供給
するガス及び液体の供給圧力を適切に選択するので、上
述したような洗浄用2流体ジェットノズルおよびこれを
用いた洗浄装置の効果を適切に発揮させ、強力な洗浄を
行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1に係る洗浄用2流体
ジェットノズルの構造を示す断面図である。
【図2】 この発明の実施の形態の洗浄用2流体ジェッ
トノズルを備えた洗浄装置の構成を示す模式図である。
【図3】 洗浄用2流体ジェットノズルのガスの供給圧
力とガスの流量との関係(流量特性)を示すグラフであ
る。
【図4】 洗浄用2流体ジェットノズルのガスの供給圧
力と液滴の噴出速度との関係を示すグラフである。
【図5】 この発明の洗浄用2流体ジェットノズルのノ
ズル先端の加速部の長さと液滴の噴出速度との関係を示
すグラフである。
【図6】 洗浄用2流体ジェットノズルの液滴の噴出速
度と洗浄力または汚染物の除去率との関係を示すグラフ
である。
【図7】 この発明の洗浄用2流体ジェットノズルのノ
ズル先端の加速部の管内の断面積を変化させた場合の、
液体の流量と汚染物の除去率との関係を示すグラフであ
る。
【図8】 この発明の洗浄用2流体ジェットノズルの動
作、作用の基本的概念を説明するための図である。
【図9】 洗浄用2流体ジェットノズルの液滴の衝突角
度と洗浄力または汚染物の除去率との関係を示すグラフ
である。
【図10】 各種洗浄方法におけるパーティクルの粒径
とその除去率との関係を示すグラフである。
【図11】 この発明の実施の形態2に係る、洗浄用2
流体ジェットノズルの構造を示す断面図である。
【図12】 この発明の実施の形態3に係る、洗浄用2
流体ジェットノズルの構造を示す断面図である。
【図13】 この発明の実施の形態4に係る、洗浄用2
流体ジェットノズルの構造を示す断面図である。
【図14】 この発明の実施の形態5に係る、洗浄用2
流体ジェットノズルの断面図である。
【図15】 この発明の実施の形態に係る、洗浄用2流
体ジェットノズルを備えた洗浄装置の構成を示す模式図
である。
【図16】 この発明の実施の形態6に係る、変形され
た整流板を有する洗浄用2流体ジェットノズルの構造を
示す断面図である。
【図17】 従来の高圧ジェット水洗浄装置の模式図で
ある。
【図18】 従来の洗浄用2流体ジェットノズルの断面
図である。
【図19】 従来の洗浄用2流体ジェットノズルを備え
た洗浄装置の模式図である。
【符号の説明】
10,20,30,40,50,60 洗浄用2流体ジ
ェットノズル、11,21,31,41,51,61
加速管、12,22,32,42,52,62混合管
(第1管路)、23,33 第2管路、34 第3管
路、55、65整流板、2 ガス流入口、3 液体流入
口、2a ガス供給手段、3a 液体供給手段、A 加
速部、B 混合部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 光博 大阪府大阪市西区靱本町二丁目4番11号 大陽東洋酸素株式会社内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加圧されたガスと液体とを混合して液滴
    を形成する混合部と、前記液滴を気中に噴射する加速管
    部とを備え、前記混合部の前記ガスの流通路の最小部分
    の断面積を前記加速管部の流通路の最小部分の断面積よ
    り大きく形成したことを特徴とする洗浄用2流体ジェッ
    トノズル。
  2. 【請求項2】 前記加速管部の内形が円形の直管である
    ことを特徴とする請求項1に記載の洗浄用2流体ジェッ
    トノズル。
  3. 【請求項3】 前記加速管部を、その長さが30〜20
    0mm、管内の断面積が3mm2以上である直管形状と
    したことを特徴とする請求項1または2に記載の洗浄用
    2流体ジェットノズル。
  4. 【請求項4】 前記加速管部は、その内径が前記混合部
    との接続側から前記液滴の噴出方向に向かって徐々に大
    きくなるラバールノズル形状としたことを特徴とする請
    求項1に記載の洗浄用2流体ジェットノズル。
  5. 【請求項5】 前記加速管部は、長さが30〜200m
    m、管内の断面積が絞り部で3mm2以上としたことを
    特徴とする請求項4に記載の洗浄用2流体ジェットノズ
    ル。
  6. 【請求項6】 前記混合部の形状を円柱状としたことを
    特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の洗
    浄用2流体ジェットノズル。
  7. 【請求項7】 前記混合部は、前記加速管部と接続する
    方向に徐々に断面積を縮小するように形成したことを特
    徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の洗浄
    用2流体ジェットノズル。
  8. 【請求項8】 前記混合部は、前記ガスが通過する第1
    の管路と、この第1の管路の中において前記ガスの通過
    方向に前記液体を噴出する第2の管路とを備えたことを
    特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の洗
    浄用2流体ジェットノズル。
  9. 【請求項9】 前記混合部は、ガスが通過する第1の管
    路と、この第1の管路の中に配設され前記液体を噴出す
    る第2の管路と、この第2の管路の中に配設されさらに
    ガスを噴出する第3の管路とを備えたことを特徴とする
    請求項1ないし7のいずれか1項に記載の洗浄用2流体
    ジェットノズル。
  10. 【請求項10】 前記第1の管路を流れるガス及び第2
    の管路から噴出される液体の方向は、前記液滴の噴出方
    向と同一であることを特徴とする請求項8または9に記
    載の洗浄用2流体ジェットノズル。
  11. 【請求項11】 前記混合部に供給されるガス流入口の
    断面積が前記加速管部の断面積より大きく形成されてい
    ることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1項
    に記載の洗浄用2流体ジェットノズル。
  12. 【請求項12】 前記加速管部の先端部に、液滴の噴出
    方向と略直交する方向に整流板を備えたことを特徴とす
    る請求項1ないし11のいずれか1項に記載の洗浄用2
    流体ジェットノズル。
  13. 【請求項13】 請求項1ないし12のいずれか1項に
    記載の洗浄用2流体ジェットノズルと、前記洗浄用2流
    体ジェットノズルの混合部に接続されて加圧ガスを供給
    するガス供給手段と、前記洗浄用2流体ジェットノズル
    の混合部に接続されて加圧液体を供給する液体供給手段
    とを備えたことを特徴とする洗浄装置。
  14. 【請求項14】 前記洗浄用2流体ジェットノズルの加
    速管部の先端を、被洗浄材表面から5〜50mm離れた
    位置に配置するようにしたことを特徴とする請求項13
    に記載の洗浄装置。
  15. 【請求項15】 前記2流体ジェットノズルに供給する
    ガス及び液体の供給圧力を、それぞれ1〜10kgf/
    cm2としたことを特徴とする請求項13または14に
    記載の洗浄装置。
JP32196396A 1996-12-02 1996-12-02 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置 Expired - Lifetime JP3315611B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32196396A JP3315611B2 (ja) 1996-12-02 1996-12-02 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置
TW087215182U TW378787U (en) 1996-12-02 1997-06-28 Two-fluid cleaning jet nozzle and cleaning apparatus, and method utilizing the same
US08/893,683 US5918817A (en) 1996-12-02 1997-07-11 Two-fluid cleaning jet nozzle and cleaning apparatus, and method utilizing the same
KR1019970045664A KR100276620B1 (ko) 1996-12-02 1997-09-03 세정용 2류체제트노즐 및 이것을 이용한 세정장치와 세정방법
DE19740996A DE19740996B4 (de) 1996-12-02 1997-09-17 Zweifluid-Reinigungsstrahldüse sowie Reinigungsvorrichtung und Anwendungsverfahren dafür
DE19758979A DE19758979B4 (de) 1996-12-02 1997-09-17 Verfahren zur Herstellung einer Photomaske unter Verwendung einer Reinigungsvorrichtung, diese umfassend eine Zweifluid-Reinigungsstrahldüse
CN97121532A CN1093781C (zh) 1996-12-02 1997-10-24 双流体喷嘴、清洗装置、清洗方法及半导体装置制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32196396A JP3315611B2 (ja) 1996-12-02 1996-12-02 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10156229A true JPH10156229A (ja) 1998-06-16
JP3315611B2 JP3315611B2 (ja) 2002-08-19

Family

ID=18138391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32196396A Expired - Lifetime JP3315611B2 (ja) 1996-12-02 1996-12-02 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5918817A (ja)
JP (1) JP3315611B2 (ja)
KR (1) KR100276620B1 (ja)
CN (1) CN1093781C (ja)
DE (2) DE19740996B4 (ja)
TW (1) TW378787U (ja)

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002153826A (ja) * 2000-09-11 2002-05-28 Tadahiro Omi 気液混合洗浄装置及び気液混合洗浄方法
WO2003071594A1 (fr) * 2002-02-25 2003-08-28 Sumitomo Precision Products Co., Ltd Dispositif de traitement de substrats de type support
US6705331B2 (en) 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
US6708903B2 (en) 2001-11-14 2004-03-23 Renesas Technology Corp. Two-fluid cleaning jet nozzle, cleaning equipment and method of fabricating semiconductor device employing the same
US6729561B2 (en) 2000-05-30 2004-05-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Cleaning nozzle and substrate cleaning apparatus
JP2004202316A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Mitsubishi Chemicals Corp 洗浄用2流体ノズル及び洗浄方法
EP1470865A2 (en) 2000-06-30 2004-10-27 Shibuya Kogyo Co., Ltd. Cleaning nozzle and cleaning apparatus
JP2006159145A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Renesas Technology Corp 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置
KR100641026B1 (ko) * 2002-12-03 2006-11-02 주식회사 케이씨텍 슬릿형 노즐을 가지는 혼합 유체 분사 기구
JP2007311439A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2007324610A (ja) * 2007-07-09 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2008500869A (ja) * 2004-05-31 2008-01-17 テレスト エスピー.ゼット オー.オー. ウオーターミスト発生ヘッド
US7364626B2 (en) 2001-11-01 2008-04-29 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US8037891B2 (en) 2004-03-09 2011-10-18 Tokyo Electron Limited Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning apparatus
JP2012530379A (ja) * 2009-06-16 2012-11-29 ラム リサーチ コーポレーション 粒子汚染物除去方法
KR101210413B1 (ko) 2009-05-14 2012-12-10 도쿄 가코키 컴퍼니 리미티드 기판재의 표면 처리 장치
JP2013111713A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd 切削水の供給装置及び供給方法
US8580039B2 (en) 2009-08-31 2013-11-12 Hitachi Cable, Ltd. Surface treatment method of metal member and cleaning nozzle
JP2014069100A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Furusho Electric Industry Co Ltd 急冷ノズルを有する洗浄装置
JP2015103647A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板処理装置
JP2015103704A (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 株式会社東京精密 基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP2017001550A (ja) * 2015-06-11 2017-01-05 株式会社ダイフク 洗浄装置、それを用いた洗車機
JP2018001043A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 株式会社ダイフク 氷粒子噴射装置及び氷粒子噴射方法
JP6353599B1 (ja) * 2017-12-27 2018-07-04 リックス株式会社 二流体ノズル
US10090189B2 (en) 2013-11-19 2018-10-02 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle
JP2019084523A (ja) * 2017-11-10 2019-06-06 福岡県 噴射ノズルおよび噴射方法

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3410385B2 (ja) * 1999-04-19 2003-05-26 株式会社ディスコ 洗浄装置及び切削装置
DE19926119C2 (de) * 1999-06-08 2001-06-07 Fraunhofer Ges Forschung Strahlwerkzeug
DE10017240A1 (de) * 2000-04-06 2001-10-11 Bsh Bosch Siemens Hausgeraete Verfahren zur Reinigung von Reinigungsstrahlen
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6979362B2 (en) * 2001-04-24 2005-12-27 Jackson David P Apparatus and process for the treatment, delivery and recycle of process fluids used in dense phase carbon dioxide applications
JP3865602B2 (ja) 2001-06-18 2007-01-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP4011900B2 (ja) * 2001-12-04 2007-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
GB0130057D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Dunne Stephen T Liquid atomising system
JP4074814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
US20040045578A1 (en) * 2002-05-03 2004-03-11 Jackson David P. Method and apparatus for selective treatment of a precision substrate surface
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
KR100708037B1 (ko) * 2003-12-24 2007-04-16 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 유체공급노즐, 기판처리장치 및 기판처리방법
WO2006065725A1 (en) * 2004-12-13 2006-06-22 Cool Clean Technologies, Inc. Carbon dioxide snow apparatus
KR100727825B1 (ko) * 2005-10-10 2007-06-13 주식회사 케이씨텍 기판세정용 유체분사장치
US7389941B2 (en) * 2005-10-13 2008-06-24 Cool Clean Technologies, Inc. Nozzle device and method for forming cryogenic composite fluid spray
DE102006001319A1 (de) * 2006-01-09 2007-07-12 Wurz, Dieter, Prof. Dr.-Ing. Zweistoffdüse mit Lavalcharekteristik sowie mit Vorzerteilung in der Flüssigkeitszuleitung
CN101495248A (zh) * 2006-07-07 2009-07-29 Fsi国际公司 液体气溶胶颗粒去除方法
US7913351B2 (en) * 2006-08-28 2011-03-29 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus and cleaning method
JP5010875B2 (ja) * 2006-08-28 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP2008244318A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム
KR100837289B1 (ko) * 2007-08-29 2008-06-11 (주)제이스 수세용 세정 노즐
JP5127619B2 (ja) * 2008-07-24 2013-01-23 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 内視鏡洗浄消毒装置、内視鏡洗浄消毒装置を用いた内視鏡の洗浄方法
JP5650896B2 (ja) * 2009-09-03 2015-01-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
DE102010051227A1 (de) 2010-11-12 2012-05-16 Dental Care Innovation Gmbh Düse zur Abstrahlung von flüssigen Reinigungsmitteln mit darin dispergierten abrasiven Partikeln
KR101310031B1 (ko) * 2010-12-28 2013-09-24 주식회사 포스코 에어로졸 공급장치
US9393336B2 (en) 2011-07-08 2016-07-19 S. C. Johnson & Son, Inc. Insert for dispensing a compressed gas product, system with such an insert, and method of dispensing a compressed gas product
CN102319647A (zh) * 2011-09-19 2012-01-18 中国烟草总公司郑州烟草研究院 一种小流量双流体定量雾化喷嘴装置
US8657963B2 (en) * 2011-09-22 2014-02-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-situ backside cleaning of semiconductor substrate
CN103264027B (zh) * 2013-05-28 2016-06-22 北京航天试验技术研究所 一种液体火箭发动机试验管路清洗装置
TWI462148B (zh) * 2013-07-10 2014-11-21 Fluid nozzle and fluid nozzle device
JP2015017315A (ja) * 2013-07-15 2015-01-29 イビデン株式会社 表面処理装置および表面処理基板の製造方法
US20150107619A1 (en) * 2013-10-22 2015-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Wafer particle removal
CN104091756A (zh) * 2014-07-17 2014-10-08 上海华力微电子有限公司 一种洗涤器机台之喷头装置
CN104624542B (zh) * 2014-12-31 2016-09-14 广州兴森快捷电路科技有限公司 清洗装置
EP3147031A1 (en) * 2015-09-24 2017-03-29 Idfc Ag Fluid dispersal system
US10807117B2 (en) * 2015-10-05 2020-10-20 Tokyo Electron Limited Dispense nozzle with a dynamic liquid plug
RU2668033C1 (ru) * 2016-04-21 2018-09-25 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Трубметпром" (ООО "НТЦ "Трубметпром") Способ очистки цилиндрических длинномерных изделий и устройство для его осуществления
TWI772294B (zh) * 2016-05-09 2022-08-01 日商荏原製作所股份有限公司 基板清洗裝置
USD825741S1 (en) 2016-12-15 2018-08-14 Water Pik, Inc. Oral irrigator handle
DE102017101370A1 (de) * 2017-01-25 2018-07-26 Eisenmann Se Vorrichtung zum Vernebeln einer Spülflüssigkeit
BR112019020910A2 (pt) 2017-04-04 2020-04-28 Cleanlogix Llc aplicador de pulverização eletrostática de compósito de co2 passivo
CN109807102A (zh) * 2019-02-20 2019-05-28 贵州工程应用技术学院 一种用于机械加工的切屑冲洗一体化装置
CN111905845A (zh) * 2020-06-17 2020-11-10 西安交通大学 一种基于气流加速的多粒径高速液滴生成装置
KR102399733B1 (ko) * 2020-10-16 2022-05-18 조선대학교산학협력단 농업용 드론 노즐
JP2022128909A (ja) * 2021-02-24 2022-09-05 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ノズル及び液体噴射装置
CN113070261A (zh) * 2021-03-30 2021-07-06 苏州阿洛斯环境发生器有限公司 一种单点双流体清洗方法及装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1562194A (en) * 1923-02-10 1925-11-17 Cement Gun Construction Co Nozzle
US1894879A (en) * 1931-05-12 1933-01-17 Lay Joseph Coy Air gun
US2331421A (en) * 1941-03-24 1943-10-12 Bert C Redhead Hose nozzle holder
JPS525364B2 (ja) * 1973-01-31 1977-02-12
DE2658112A1 (de) * 1976-12-22 1978-07-06 Bjarne Sem Spruehduese
JPS59115456U (ja) * 1983-01-25 1984-08-04 富士重工業株式会社 洗浄ノズル装置
DE8320570U1 (de) * 1983-07-16 1983-12-15 Lechler Gmbh & Co Kg, 7012 Fellbach Zweistoff-zerstaeubungsduese
JPS60153981A (ja) * 1984-01-24 1985-08-13 株式会社洗車機サ−ビス 灰皿洗浄機
EP0171448B1 (de) * 1984-08-14 1988-02-03 Johann Szücs Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Stein- und Metalloberflächen
US4666083A (en) * 1985-11-21 1987-05-19 Fluidyne Corporation Process and apparatus for generating particulate containing fluid jets
US4815241A (en) * 1986-11-24 1989-03-28 Whitemetal Inc. Wet jet blast nozzle
US4787404A (en) * 1987-06-12 1988-11-29 International Business Machines Corporation Low flow rate-low pressure atomizer device
DE3916446A1 (de) * 1988-06-14 1990-03-15 Autobahnbaukombinat Veb Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von festen stoffen mittels druckwasserstrahl
DE3915210A1 (de) * 1989-05-10 1990-11-22 Lechler Gmbh & Co Kg Zweistoff-flachstrahlduese zur zerstaeubung von fluessigkeiten
US5129583A (en) * 1991-03-21 1992-07-14 The Babcock & Wilcox Company Low pressure loss/reduced deposition atomizer
DE4118538C2 (de) * 1991-06-06 1994-04-28 Maurer Friedrich Soehne Zweistoffdüse
DE4225590C2 (de) * 1992-08-03 1995-04-27 Johann Szuecs Vorrichtung für die Behandlung von empfindlichen Oberflächen, insbesondere von Skulpturen
JPH07121375B2 (ja) * 1993-06-25 1995-12-25 ブルーノックスジャパン株式会社 噴霧用ノズル
JPH07124503A (ja) * 1993-11-01 1995-05-16 Mitsubishi Chem Corp 二流体ノズル及びこれを用いる噴霧乾燥方法
JP3415670B2 (ja) * 1994-03-03 2003-06-09 三菱電機株式会社 ウエハ洗浄装置
JP3512868B2 (ja) * 1994-09-17 2004-03-31 大陽東洋酸素株式会社 洗浄方法
JP3504023B2 (ja) * 1995-05-26 2004-03-08 株式会社ルネサステクノロジ 洗浄装置および洗浄方法
US5725154A (en) * 1995-08-18 1998-03-10 Jackson; David P. Dense fluid spray cleaning method and apparatus

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6729561B2 (en) 2000-05-30 2004-05-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Cleaning nozzle and substrate cleaning apparatus
US6935576B2 (en) 2000-06-30 2005-08-30 Shibuya Kogyo Co., Ltd. Cleaning nozzle and cleaning apparatus
EP1470865A2 (en) 2000-06-30 2004-10-27 Shibuya Kogyo Co., Ltd. Cleaning nozzle and cleaning apparatus
JP2002153826A (ja) * 2000-09-11 2002-05-28 Tadahiro Omi 気液混合洗浄装置及び気液混合洗浄方法
US6705331B2 (en) 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
US6901938B2 (en) 2000-11-20 2005-06-07 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
US7364626B2 (en) 2001-11-01 2008-04-29 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6708903B2 (en) 2001-11-14 2004-03-23 Renesas Technology Corp. Two-fluid cleaning jet nozzle, cleaning equipment and method of fabricating semiconductor device employing the same
KR100474957B1 (ko) * 2001-11-14 2005-03-10 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 세정용 2유체 분사 노즐, 세정 장치 및 이들을 이용한반도체 장치의 제조 방법
WO2003071594A1 (fr) * 2002-02-25 2003-08-28 Sumitomo Precision Products Co., Ltd Dispositif de traitement de substrats de type support
KR100641026B1 (ko) * 2002-12-03 2006-11-02 주식회사 케이씨텍 슬릿형 노즐을 가지는 혼합 유체 분사 기구
JP2004202316A (ja) * 2002-12-24 2004-07-22 Mitsubishi Chemicals Corp 洗浄用2流体ノズル及び洗浄方法
US8037891B2 (en) 2004-03-09 2011-10-18 Tokyo Electron Limited Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning apparatus
JP2008500869A (ja) * 2004-05-31 2008-01-17 テレスト エスピー.ゼット オー.オー. ウオーターミスト発生ヘッド
JP4652040B2 (ja) * 2004-12-10 2011-03-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置
JP2006159145A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Renesas Technology Corp 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置
JP2007311439A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2007324610A (ja) * 2007-07-09 2007-12-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US9159593B2 (en) 2008-06-02 2015-10-13 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
KR101210413B1 (ko) 2009-05-14 2012-12-10 도쿄 가코키 컴퍼니 리미티드 기판재의 표면 처리 장치
JP2012530379A (ja) * 2009-06-16 2012-11-29 ラム リサーチ コーポレーション 粒子汚染物除去方法
US8580039B2 (en) 2009-08-31 2013-11-12 Hitachi Cable, Ltd. Surface treatment method of metal member and cleaning nozzle
JP2013111713A (ja) * 2011-11-29 2013-06-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd 切削水の供給装置及び供給方法
JP2014069100A (ja) * 2012-09-27 2014-04-21 Furusho Electric Industry Co Ltd 急冷ノズルを有する洗浄装置
US10090189B2 (en) 2013-11-19 2018-10-02 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle
JP2015103647A (ja) * 2013-11-25 2015-06-04 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板処理装置
JP2015103704A (ja) * 2013-11-26 2015-06-04 株式会社東京精密 基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP2017001550A (ja) * 2015-06-11 2017-01-05 株式会社ダイフク 洗浄装置、それを用いた洗車機
JP2018001043A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 株式会社ダイフク 氷粒子噴射装置及び氷粒子噴射方法
JP2019084523A (ja) * 2017-11-10 2019-06-06 福岡県 噴射ノズルおよび噴射方法
JP6353599B1 (ja) * 2017-12-27 2018-07-04 リックス株式会社 二流体ノズル
JP2019115901A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 リックス株式会社 二流体ノズル

Also Published As

Publication number Publication date
DE19758979B4 (de) 2012-07-19
CN1093781C (zh) 2002-11-06
KR19980063459A (ko) 1998-10-07
DE19740996B4 (de) 2010-06-10
TW378787U (en) 2000-01-01
US5918817A (en) 1999-07-06
CN1184715A (zh) 1998-06-17
KR100276620B1 (ko) 2001-04-02
DE19740996A1 (de) 1998-06-04
JP3315611B2 (ja) 2002-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3315611B2 (ja) 洗浄用2流体ジェットノズル及び洗浄装置ならびに半導体装置
JP3504023B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
CN104841660B (zh) 气液两相雾化清洗装置及清洗方法
JP4464850B2 (ja) 基板洗浄用2流体ノズル及び基板洗浄装置
TW201720538A (zh) 二相流霧化噴射清洗裝置
JP5650896B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6705331B2 (en) Substrate cleaning apparatus
TWI251857B (en) Two-fluid nozzle for cleaning substrate and substrate cleaning device
KR100858581B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100474957B1 (ko) 세정용 2유체 분사 노즐, 세정 장치 및 이들을 이용한반도체 장치의 제조 방법
US6578369B2 (en) Nozzle design for generating fluid streams useful in the manufacture of microelectronic devices
JP2529431B2 (ja) 洗浄装置
JP2008159989A (ja) ノズル、基板処理装置および基板処理方法
JP4036724B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP2007059417A (ja) 基板処理装置
JP2002270564A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP5311938B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007103883A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP4652040B2 (ja) 流体吐出ノズルおよびこれを用いた基板処理装置
JP2894451B2 (ja) ジェットスクラバー
JP3498837B2 (ja) 洗浄装置用ノズル
JP2008258441A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP3980213B2 (ja) エアロゾル洗浄装置
JP2005072058A (ja) 洗浄装置および洗浄方法
JP2005033092A (ja) 洗浄装置および洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080607

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090607

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100607

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130607

Year of fee payment: 11

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term