TWI747062B - 處理杯單元及基板處理裝置 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之處理杯單元係於進行對以水平姿勢保持之基板使用處理液之處理時以包圍基板周圍之方式設置，且包含下杯、上杯、第1槽部、振動構件、及排出部。上杯於下杯之上方以包圍基板周圍之方式配置。第1槽部形成於下杯，且貯留自基板飛散之處理液。振動構件使貯留於第1槽部之處理液振動。排出部排出第1槽部所貯留之處理液。

Description

處理杯單元及基板處理裝置
本發明係關於一種處理杯單元及具備其之基板處理裝置。
為進行對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板或光碟用玻璃基板等之基板使用顯影液、洗淨液、清洗液或光阻液等處理液的處理，而使用基板處理裝置。例如，於專利文獻1記載之基板處理裝置中，於基板由旋轉保持部水平支持且旋轉之狀態下，將處理液噴出至基板之被處理面之中央部。被處理面之中央部之處理液因伴隨基板旋轉之離心力而擴散至被處理面之整體。藉此，將處理液供給至基板之被處理面之整體。 [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-49679號公報
[發明所欲解決之問題]
於專利文獻1般之旋轉式基板處理裝置中，被處理面之處理液之一部分因離心力而飛散。為防止處理液飛散而污染基板處理裝置，以包圍旋轉保持部周圍之方式設置處理杯。然而，因於處理杯之壁面附著且殘存處理液，故污染處理杯。因此，必須頻繁保養處理杯。尤其，於處理液之黏度較高之情形，因附著於處理杯之處理液之量增加，故污染度增加。該情形時，保養處理杯之頻率變得更高。
本發明之目的在於提供一種降低保養頻率之處理杯單元及基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
(1)本發明之一態樣之處理杯單元係於進行對以水平姿勢保持之基板使用處理液之處理時以包圍基板周圍之方式設置者；且包含：下杯；上杯，其於下杯之上方以包圍基板周圍之方式配置；第1槽部，其形成於下杯，且貯留自基板飛散之處理液；振動構件，其使貯留於第1槽部之處理液振動；及排出部，其排出貯留於第1槽部之處理液。
於該處理杯單元中，於進行對以水平姿勢保持之基板使用處理液之處理時，設置下杯及上杯。上杯於下杯之上方以包圍基板周圍之方式配置。自基板飛散之處理液貯留於形成於下杯之第1槽部，且藉由振動構件振動後，由排出部排出。
根據該構成，藉由於第1槽部利用振動構件使處理液振動，而緩和處理液黏度變高之情況。因此，容易將處理液排出至處理杯單元外。該情形時，附著並殘存於下杯或上杯之壁面之處理液之量降低。藉此，可降低處理杯單元之保養頻率。
(2)亦可為，第1槽部進而貯留對自基板飛散之處理液進行溶解之溶解液。根據該構成，於基板處理中進而使用溶解處理液之溶解液時，除處理液外，溶解液進而貯留於第1槽部並溶解處理液。因此，用於基板處理之處理液之黏度較高時，亦藉由利用振動構件振動處理液而實現低黏度化。藉此，處理液更易排出至處理杯單元外。其結果，可降低處理杯單元之保養頻率。
(3)亦可為，處理杯單元進而包含：洗淨液噴出部，其以將自基板飛散之處理液導入第1槽部之方式噴出溶解該處理液之洗淨液。該情形時，除處理液外，洗淨液進而貯留於第1槽部並溶解處理液。因此，用於基板處理之處理液之黏度較高時，亦藉由利用振動構件振動處理液而實現低黏度化。藉此，處理液更易排出至處理杯單元外。其結果，可降低處理杯單元之保養頻率。
(4)亦可為，於第1槽部上方之上杯部分形成貫通孔，且洗淨液噴出部通過貫通孔將洗淨液噴出至第1槽部。該情形時，可藉由洗淨液容易地將自基板飛散之處理液導入第1槽部且溶解處理液。
(5)亦可為，第1槽部係沿下杯之外周部形成。該情形時，第1槽部與基板之距離足夠分開。藉此，可容易地防止貯留於第1槽部之處理液再度附著於基板。
(6)亦可為，處理杯單元進而包含：第2槽部，其以與第1槽部對向之方式形成於上杯；且第1槽部與第2槽部間，形成容許處理液散亂之散亂空間，第1槽部貯留於散亂空間內散亂之處理液。該情形時，於散亂空間內散亂之處理液失去動能，而受重力引導並落下。藉此，可容易地將自基板飛散之處理液貯留於第1槽部。
(7)亦可為，下杯之內緣部較上杯之內緣部位於更內側。該情形時，下杯之內緣部十分接近基板。因此，即便處理液之飛散距離較短時，亦可由下杯捕集處理液。又，可藉由形成於下杯之第1槽部貯留由下杯捕集之處理液。
(8)亦可為，下杯之內緣部位於基板之外緣部之下方。該情形時，下杯之內緣部十分接近基板。因此，即便處理液之飛散距離較短時，亦可由下杯捕集處理液。又，可藉由形成於下杯之第1槽部貯留由下杯捕集之處理液。
(9)亦可為，用於基板處理之處理液之黏度為100 cP以上300 cP以下。根據該構成，因藉由振動構件緩和處理液黏度變高之情況，故於用於基板處理之處理液之黏度較高時，附著並殘存於下杯或上杯之壁面之處理液之量亦降低。藉此，可降低處理杯單元之保養頻率。
(10)本發明之其他態樣之基板處理裝置係包含：旋轉保持裝置，其以水平姿勢保持基板並使之旋轉；處理液噴出部，其對由旋轉保持裝置保持之基板之被處理面噴出處理液；及本發明之一態樣之處理杯單元，其以包圍由旋轉保持裝置保持之基板周圍之方式設置。
於該基板處理裝置中，藉由旋轉保持裝置將基板以水平姿勢保持並旋轉。於該狀態下，藉由利用處理液噴出部對基板之被處理面噴出處理液而處理基板。因以包圍基板周圍之方式設置上述處理杯單元，故防止處理液之飛散而污染基板處理裝置。又，於處理杯單元中，因附著並殘存於下杯或上杯之壁面之處理液量降低，故可降低處理杯單元之保養頻率。 [發明之效果]
根據本發明，可降低處理杯單元之保養頻率。
(1)基板處理裝置之構成 以下，一面參照圖式一面對本發明之一實施形態之處理杯單元及基板處理裝置進行說明。圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之沿一方向之概略剖視圖。圖2係圖1之處理杯單元10之部分放大剖視圖。如圖1所示，基板處理裝置100包含處理杯單元10、旋轉保持裝置20及處理噴嘴30。處理杯單元10為防止處理液自基板W飛散之非旋轉杯，以包圍基板W周圍之方式設置。
旋轉保持裝置20為例如旋轉夾盤，包含驅動裝置21及旋轉保持部23。驅動裝置21為例如電動馬達，具有旋轉軸22。旋轉保持部23安裝於驅動裝置21之旋轉軸22之前端，於以水平姿勢保持基板W之狀態下繞鉛直軸被旋轉驅動。於以下說明中，如圖1之粗箭頭所示，於水平面內，將朝向旋轉保持部23所保持之基板W之中心部的方向定義為內側，且將其相反方向定義為外側。
處理噴嘴30連接於處理液供給系統A，且如圖1中虛線箭頭所示，設置為可於基板W之中心上方之處理位置與處理杯單元10之外側之待機位置間移動。處理噴嘴30於基板處理時，自待機位置移動至處理位置，且將處理液供給系統A所貯留之處理液噴出至旋轉之基板W之被處理面之中心附近。處理液供給系統A所貯留之處理液為例如光阻液等塗佈液，具有較高之黏度。於本例中，處理液之黏度為100 cP以上300 cP以下。
如圖2所示，處理杯單元10以包圍旋轉保持部23所保持之基板W之周圍之方式設置，且包含下杯11、上杯12及側壁部13。下杯11以包圍基板W下方之空間周圍之方式配置。於本例中，下杯11之內緣部位於較上杯12之內緣部更內側，且位於基板W之外緣部之下方。又，為防止配置於基板W下方之後述之防止霧附著構件17受下杯11干涉，而於下杯11之內緣部之上部形成缺口11n。
下杯11之上表面11a自內側朝外側朝斜下方稍稍傾斜。於下杯11之上表面11a形成沿下杯11之外周部朝下方凹陷且於水平面內圓環狀延伸之槽部11g。於槽部11g內，設置振動構件14。此處，亦可設置有於水平面內圓環狀延伸之1個振動構件14，又可以大致相等之角度間隔配置複數個振動構件14。振動構件14為例如超音波振動件。
上杯12以自側壁部13之後述之厚壁部13a之上部朝內側突出且包圍基板W之上方空間之周圍之方式配置於下杯11之上方。上杯12之下表面12a包含部分p1、p2、p3。下表面12a之部分p1自內側朝外側沿斜下方急劇傾斜。下表面12a之部分p2自部分p1之外周部朝外側朝斜下方緩慢傾斜。下表面12a之部分p3自部分p2之外周部朝外側大致水平地延伸。
藉此，下杯11之上表面11a與上杯12之下表面12a之間隔自內側朝外側逐漸減少。以下，將下杯11之上表面11a與上杯12之下表面12a之部分p2之間之空間稱為捕集空間V1。將下杯11之上表面11a與上杯12之下表面12a之部分p3之間之空間稱為集合空間V2。捕集空間V1之上下方向之最大長度為例如20 mm以上50 mm以下。捕集空間V1之徑向之最大長度為例如20 mm以上40 mm以下。
於上杯12之下表面12a形成沿上杯12之外周部朝上方凹陷且於水平面內圓環狀延伸之槽部12g。藉此，於下杯11之槽部11g與上杯12之槽部12g之間，形成較集合空間V2更大之散亂空間V3。於槽部12g之底部以大致相等之角度間隔形成沿大致上下方向延伸且連接於散亂空間V3之複數個貫通孔12h。於圖2中，僅圖示有1個貫通孔12h。
側壁部13包含厚壁部13a及薄壁部13b。於本例中，上杯12、厚壁部13a及薄壁部13b一體形成。於圖2中，上杯12、厚壁部13a、薄壁部13b之邊界以虛線圖示。厚壁部13a配置於下杯11及上杯12之外側。又，厚壁部13a之內緣部位於下杯11之外緣部之上方。於側壁部13之外周下部，形成朝上方凹陷且於水平面內圓環狀延伸之槽部13g。
薄壁部13b具有較厚壁部13a更小之厚度，且自厚壁部13a之外緣部之下方沿下杯11之外側及下杯11之下側而延伸。藉此，於薄壁部13b與下杯11之間形成排出空間V4。於厚壁部13a之內緣部與下杯11之外緣部之間，設置將散亂空間V3與排出空間V4連接之微小間隙S。
於下杯11之下方，設置連接於排出空間V4之排氣流道F1及廢液流道F2。排氣流道F1連接於圖1之排氣系統B。排氣系統B將自排氣流道F1排出之氣體導入工廠內之排氣設備。廢液流道F2位於排氣流道F1之外側，且連接於圖1之廢液系統C。廢液系統C將自廢液流道F2排出之液體導入工廠內之廢液設備。
於上杯12安裝有分別對應複數個貫通孔12h之複數個洗淨噴嘴15。複數個洗淨噴嘴15通過配管P連接於圖1之洗淨液供給系統D。另，配管P於上杯12之上部，於水平面內圓環狀地迴繞。各洗淨噴嘴15通過配管P及對應之貫通孔12h，將洗淨液供給系統D所貯留之洗淨液自上方噴出至散亂空間V3及槽部11g。藉此，下杯11、上杯12及側壁部13被洗淨，且洗淨液貯留於槽部11g。
貯留於洗淨液供給系統D之洗淨液為溶解處理液之清洗液等液體。具體而言，洗淨液亦可為例如PGME(propyleneglycol monomethyl ether：丙二醇單甲醚)，又可為PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate：丙二醇單甲醚乙酸酯)，亦可為環己酮。或，洗淨液亦可為例如PGME與PGMEA之混合液，其混合比亦可為例如7：3。
處理杯單元10進而包含突出部分16、防止霧附著構件17、及複數個氣體噴嘴18。突出部分16為用以將噴出至基板W之處理液回收之構件，具有例如圓板形狀。突出部分16以包圍圖1之驅動裝置21之旋轉軸22周圍之方式配置於基板W之下方。
防止霧附著構件17為防止後述之處理液之霧附著於基板W下表面的構件，例如具有大致圓板形狀。防止霧附著構件17以包圍圖1之旋轉保持部23之周圍之方式配置於基板W與突出部分16之間，且藉由未圖示之支持構件支持突出部分16。
防止霧附著構件17之上表面近接於基板W之與被處理面相反側之下表面，且沿基板W之下表面自內側朝外側延伸。藉此，防止霧附著構件17之上表面與基板W之下表面之間之空間V5維持為形成得較窄。防止霧附著構件17之上表面與基板W之下表面之間隔為例如2 mm以上3 mm以下，且最大為5 mm。
於本例中，防止霧附著構件17之上表面與基板W之下表面之間隔自內側朝外側逐漸減少。該情形時，可將空間V5形成得更窄。又，防止霧附著構件17之外緣部位於較基板W之外緣部更內側。該情形時，亦可將空間V5形成為狹窄。
複數之氣體噴嘴18連接於氣體供給部E，且以於基板W之下方朝斜上方貫通防止霧附著構件17之方式以大致等角度間隔設置。各氣體噴嘴18將氣體供給部E所封入之氣體供給至旋轉之基板W之下表面。供給至基板W之下表面之氣體沿基板W之下表面自內側導向外側。氣體供給部E所封入之氣體為例如氮。氣體供給部E所封入之氣體亦可為潔淨空氣等其他氣體。
(2)基板處理裝置之動作 參照圖1及圖2說明基板處理裝置100之動作。基板W於被處理面朝上方之狀態藉由旋轉保持部23保持為水平姿勢。於該狀態下，基板W藉由旋轉保持部23旋轉，且處理液自處理噴嘴30噴出至基板W之被處理面之中心附近。藉此，噴出至基板W之被處理面之中心附近之處理液藉由伴隨基板W旋轉之離心力而擴展至基板W之被處理面之整體，且於基板W之被處理面形成處理液之膜。
此處，於基板W以較特定旋轉速度更大之旋轉速度旋轉之情形，供給至基板W之被處理面之具有較高動能之處理液自基板W之被處理面甩出，且沿上下方向具有寬度地自基板W之周緣部朝外側飛散。自基板W飛散之處理液藉由下杯11之上表面11a與上杯12之下表面12a被捕集至捕集空間V1。
捕集空間V1所捕集之處理液沿下杯11之上表面11a及上杯12之下表面12a導向外側，且於集合空間V2集合並通過集合空間V2。通過集合空間V2之處理液到達飛散空間V3，且衝撞側壁部13之厚壁部13a並於散亂空間V3內沿上下方向及徑向散亂。散亂後之處理液之一部分失去動能且因重力而落下，藉此貯留於槽部11g。另一方面，散亂後之處理液之另一部分成為霧。
此種情形時，集合空間V2之間隔亦自內側朝外側逐漸減少。又，自基板W飛散之處理液自內側朝外側連續地通過集合空間V2。因此，處理液之霧由朝外側通過集合空間V2之處理液流推回，且處理液之霧未再通過集合空間V2回到捕集空間V1。藉此，防止處理液之霧逆流而附著於基板W之被處理面及下表面，且防止處理液之霧朝處理杯單元10外飛散。
又，藉由防止霧附著構件17，而較窄地形成防止霧附著構件17之上表面與基板W之下表面之間之空間V5。又，藉由複數個氣體噴嘴18，而沿基板W之下表面，自內側朝外側供給氣體。因此，空間V5維持正壓。再者，散亂空間V3之環境氣體通過間隙S導入排出空間V4後，自排氣流道F1排出。自排氣流道F1排出之氣體藉由排氣系統B導入工廠內之排氣設備。
根據上述構成，藉由防止霧附著構件17防止形成自基板W朝向基板W之下表面之氣流。因此，由處理杯單元10擋回之處理液之霧未附著於基板W之下表面，且基板W之被處理面之處理液未迴繞至下表面。藉此，於未以洗淨液洗淨基板W之下表面之情形，亦可防止處理液對基板下表面之污染。又，因由處理杯單元10擋回之處理液未附著於基板W之被處理面，故可防止形成於被處理面之膜受污染。
到達散亂空間V3之處理液之一部分附著於散亂空間V3所連接之處理杯單元10內之壁面。此處，洗淨液自複數個洗淨噴嘴15分別通過複數個貫通孔12h噴出至散亂空間V3及槽部11g。噴出至散亂空間V3之洗淨液於散亂空間V3所連接之處理杯單元10內之壁面傳遞且導向下方。藉此，附著於壁面之洗淨液被溶解，且與圖2中箭頭X所示之洗淨液一同貯留於下杯11之槽部11g內。
此處，被溶解且貯留於槽部11g內之處理液藉由利用設置於槽部11g內之振動構件14振動而低黏度化。經低黏度化之處理液藉由氣流通過間隙S而導入排出空間V4。此處，槽部11g因沿下杯11之外周部形成，故槽部11g與基板W之距離足夠分開。因此，容易防止經低黏度化之處理液逆流而再度附著於基板W。
又，即便是自槽部11g導入排出空間V4之處理液衝撞側壁部13之薄壁部13b，朝上方向擴展或上浮之情形，該處理液也會被槽部13g捕捉，且藉由重力回到下方之排出空間V4。其後，排出空間V4之處理液自廢液流道F2排出，藉由廢液系統C導入工廠內之廢液設備。
根據上述構成，處理液之黏度較高之情形，亦無處理液以附著於處理杯單元10之壁面的狀態殘存之情況。因此，防止處理杯單元10內之排氣及廢液用之路徑遭處理液堵塞。又，因處理液經低黏度化，故容易排出至處理杯單元10外。藉由該等，防止處理杯單元10之污染，亦防止處理液以顆粒產生於處理杯單元10內。因此，減少拆下處理杯單元10並洗淨之頻率或更換處理杯單元10之頻率。其結果，可降低處理杯單元10之保養頻率。
(3)變化例 於本實施形態中，下杯11之上表面11a自內側朝外側朝斜下方稍稍傾斜，但下杯11之形狀未限定於此。圖3係變化例之處理杯單元10之部分放大剖視圖。如圖3所示，下杯11之上表面11a亦可自內側朝外側朝斜上方傾斜。於該構成中，下杯11未與防止霧附著構件17干涉之情形，亦可不於下杯11形成缺口11n。或，下杯11之上表面11a亦可大致水平而幾乎不傾斜。
(4)效果 本實施形態之基板處理裝置100中，藉由旋轉保持裝置20將基板W以水平姿勢保持並旋轉。於該狀態下，藉由利用處理噴嘴30對基板W之被處理面噴出處理液而處理基板W。因以包圍基板W周圍之方式設置處理杯單元10，故可防止因處理液之飛散而污染基板處理裝置100。
於處理杯單元10中，防止霧附著構件17配置於基板W之下方。根據該構成，即便是自基板W飛散之處理液衝撞下杯11或上杯12而產生處理液之霧之情形，也可藉由防止霧附著構件17防止處理液之霧附著於基板W之下表面。藉此，可防止處理液污染基板W之下表面。又，因處理液未附著於基板W之下表面，故不必將用以洗淨基板W之下表面之洗淨液供給至基板W之下表面。因此，可削減基板處理中洗淨液之使用量。
又，於處理杯單元10中，自基板W飛散之處理液溶解且貯留於形成於下杯11之槽部11g，且藉由振動構件14振動後，自排出空間V4排出。根據該構成，藉由於槽部11g中利用振動構件14使處理液振動而低黏度化。因此處理液容易排出至處理杯單元10外。該情形時，附著並殘存於下杯11、上杯12或側壁部13之壁面之處理液之量降低。藉此，可降低處理杯單元10之保養頻率。
再者，於本實施形態中，下杯11之內緣部十分接近基板W。具體而言，下杯11之內緣部位於較上杯12之內緣部更內側。或，下杯11之內緣部位於基板W之外緣部或防止霧附著構件17之外緣部之下方。因此，即便因基板W之旋轉速度較小或處理液之黏度較大而使處理液之飛散距離較短時，亦可由下杯11捕集處理液。
由下杯11捕集之處理液導入形成於下杯11之槽部11g。藉此，可將處理液排出至處理杯單元10外。又，即便處理液於基板W附近衝撞下杯11且處理液之一部分成為霧時，亦藉由防止霧附著構件17防止處理液之霧附著於基板W之下表面。因此，可防止處理液污染基板W之下表面。
(5)其他實施形態 (a)於上述實施形態中，處理杯單元10包含氣體噴嘴18，但本發明並未限定於此。於防止霧附著構件17之上表面與基板W之下表面間之空間V5形成得足夠窄時，處理杯單元10亦可不含氣體噴嘴18。
(b)於上述實施形態中，處理杯單元10包含洗淨噴嘴15，但本發明並未限定於此。於可對處理液之黏度變高之情況加以緩和之情形，處理杯單元10亦可不含洗淨噴嘴15。又，於基板處理中，有使用溶解處理液之有機溶劑等溶解液之情況(例如預濕處理)。該情形時，除處理液外，於槽部11g內進而貯留溶解液，並溶解處理液。因此，於此種情形，處理杯單元10亦可不含洗淨噴嘴15。
(c)於上述實施形態中，處理杯單元10包含防止霧附著構件17，但本發明並未限定於此。於可防止處理液污染基板W之下表面之情形，處理杯單元10亦可不含防止霧附著構件17。例如，將洗淨液供給至基板W之下表面之洗淨噴嘴設置於基板處理裝置100，於附著於基板W下表面之處理液被除去之情形，處理杯單元10亦可不含防止霧附著構件17。
(6)請求項之各構成要件與實施形態之各部之對應關係 以下，雖對請求項之各構成要件與實施形態之各部之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。作為請求項之各構成要件，亦可使用具有請求項所記載之構成或功能之其他各種要件。
於上述實施形態中，基板W為基板之例，處理杯單元10為處理杯單元之例，下杯11為下杯之例，上杯12為上杯之例。槽部11g、12g分別為第1及第2槽部之例，振動構件14為振動構件之例，排出空間V4為排出部之例，洗淨噴嘴15為洗淨液噴出部之例，貫通孔12h為貫通孔之例。散亂空間V3為散亂空間之例，旋轉保持裝置20為旋轉保持裝置之例，處理噴嘴30為處理液噴出部之例，基板處理裝置100為基板處理裝置之例。
10:處理杯單元 11:下杯 11a:上表面 11g:槽部 11n:缺口 12:上杯 12a:下表面 12g:槽部 12h:貫通孔 13:側壁部 13a:厚壁部 13b:薄壁部 13g:槽部 14:振動構件 15:洗淨噴嘴 16:突出部分 17:防止霧附著構件 18:氣體噴嘴 20:旋轉保持裝置 21:驅動裝置 22:旋轉軸 23:旋轉保持部 30:處理噴嘴 100:基板處理裝置 A:處理液供給系統 B:排氣系統 C:廢液系統 D:洗淨液供給系統 E:氣體供給部 F1:排氣流道 F2:廢液流道 P:配管 p1～p3:部分 S:微小間隙 V1:捕集空間 V2:集合空間 V3:散亂空間 V4:排出空間 V5:空間 W:基板 X:箭頭
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之沿一方向之概略剖視圖。 圖2係圖1之處理杯單元之部分放大剖視圖。 圖3係變化例之處理杯單元之部分放大剖視圖。
10:處理杯單元
11:下杯
11a:上表面
11g:槽部
11n:缺口
12:上杯
12a:下表面
12g:槽部
12h:貫通孔
13:側壁部
13a:厚壁部
13b:薄壁部
13g:槽部
14:振動構件
15:洗淨噴嘴
16:突出部分
17:防止霧附著構件
18:氣體噴嘴
F1:排氣流道
F2:廢液流道
P:配管
p1~p3:部分
S:微小間隙
V1:捕集空間
V2:集合空間
V3:散亂空間
V4:排出空間
V5:空間
W:基板
X:箭頭

Claims (9)

  1. 一種處理杯單元，其係於進行對以水平姿勢保持之基板使用處理液之處理時以包圍基板周圍之方式設置者；且包含：下杯；上杯，其於上述下杯之上方以包圍基板周圍之方式配置；第1槽部，其形成於上述下杯，且貯留自基板飛散之處理液；振動構件，其使貯留於上述第1槽部之處理液振動；及排出部，其排出貯留於上述第1槽部之處理液；且上述第1槽部進而貯留對自基板飛散之處理液進行溶解之溶解液。
  2. 一種處理杯單元，其係於進行對以水平姿勢保持之基板使用處理液之處理時以包圍基板周圍之方式設置者；且包含：下杯；上杯，其於上述下杯之上方以包圍基板周圍之方式配置；第1槽部，其形成於上述下杯，且貯留自基板飛散之處理液；振動構件，其使貯留於上述第1槽部之處理液振動；排出部，其排出貯留於上述第1槽部之處理液；及洗淨液噴出部，其以將自基板飛散之處理液導入上述第1槽部之方式噴出溶解該處理液之洗淨液。
  3. 如請求項2之處理杯單元，其中於上述第1槽部之上方之上述上杯部分形成有貫通孔；且 上述洗淨液噴出部通過上述貫通孔將洗淨液噴出至上述第1槽部。
  4. 如請求項1或2之處理杯單元，其中上述第1槽部沿上述下杯之外周部形成。
  5. 如請求項1或2之處理杯單元，其進而包含：第2槽部，其以與上述第1槽部對向之方式形成於上述上杯；且上述第1槽部與上述第2槽部間，形成有容許處理液散亂之散亂空間；上述第1槽部貯留於上述散亂空間內散亂之處理液。
  6. 如請求項1或2之處理杯單元，其中上述下杯之內緣部較上述上杯之內緣部位於更內側。
  7. 如請求項1或2之處理杯單元，其中上述下杯之內緣部位於基板之外緣部之下方。
  8. 如請求項1或2之處理杯單元，其中用於基板處理之處理液之黏度為100cP以上300cP以下。
  9. 一種基板處理裝置，其包含：旋轉保持裝置，其以水平姿勢保持基板並使之旋轉；處理液噴出部，其對由上述旋轉保持裝置保持之基板之被處理面噴 出處理液；及如請求項1至8中任一項之處理杯單元，其以包圍由上述旋轉保持裝置保持之基板周圍之方式設置。
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