KR20040102630A - 린스 드레인유닛을 구비한 반도체 제조용 스핀 코터 - Google Patents

린스 드레인유닛을 구비한 반도체 제조용 스핀 코터 Download PDF

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KR20040102630A
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Abstract

반도체 제조용 스핀 코터를 제공한다. 이 반도체 제조용 스핀 코터는 웨이퍼가 안착되며 웨이퍼를 흡착고정하는 웨이퍼 척과, 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 회전시키는 구동유닛과, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛과, 웨이퍼에 소정 린스액을 분사하여 웨이퍼의 가장자리면과 웨이퍼의 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전되는 웨이퍼의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산하는 것을 방지해주도록 웨이퍼의 가장자리부를 에워싸게 설치되는 외측바울과, 웨이퍼의 하부를 커버하도록 설치되며 외측바울에 부딪친 다음 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액을 모아주는 내측바울과, 내측바울에 연통되도록 설치되며 내측바울에 모인 포토레지스트와 린스액 및 내측바울 주변에서 부유되는 분진을 외부로 배출시켜주는 배출유닛 및, 웨이퍼의 일측면에 설치되며 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액을 강제흡입하여 외부로 배출시켜주는 린스 드레인유닛을 포함한다.

Description

린스 드레인유닛을 구비한 반도체 제조용 스핀 코터{Spin coater used to manufacturing semiconductor, having rinse drain unit}
본 발명은 반도체 제조용 스핀 코터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 가장자리면과 뒷면을 세척할 경우 사용되는 린스(Rinse)액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등을 모두 외부로 강제 배출시킬 수 있도록 별도의 린스 드레인유닛을 구비한 반도체 제조용 스핀 코터에 관한 것이다.
일반적으로 하나의 반도체 소자를 제작하기 위해서는 순수 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer)의 상면에 일정 회로패턴(Pattern)을 갖는 반도체 박막을 복층으로 적층하는 과정을 반복해야만 한다.
여기에서, 이러한 반도체 박막을 형성하기 위해서는 웨이퍼의 상면에 포토레지스트를 도포하고 현상하는 등 다수의 후속 박막공정을 필요로 하게 된다.
이때, 이러한 다수의 후속 박막공정 중 포토레지스트 도포공정은 소정 빛을 받으면 변하는 물질인 포토레지스트를 웨이퍼 상에 얇고 균일하게 도포하는 공정으로, 대부분 스핀 코터에 의해 수행된다. 즉, 스핀 코터는 웨이퍼에 원심력을 준 상태에서 액상의 포토레지스트를 웨이퍼의 중심에 공급함으로써 웨이퍼 상에 포토레지스트 박막을 형성시키는 설비이다.
이하, 도 1을 참조하여 종래 스핀 코터(100)의 일예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이 종래 스핀 코터(100)는 웨이퍼(90)를 흡착하여 고정하는 웨이퍼 척(Chuck,120)과, 웨이퍼 척(120)에 고정된 웨이퍼(90)를 회전시키는 구동유닛과, 회전하는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛(미도시)과, 회전하는 웨이퍼(90)에 린스액을 분사하여 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 바울유닛(Bowl unit)과, 바울유닛에 모인 포토레지스트와 린스액 그리고 바울유닛 내부에서 부유되는 분진(미도시) 등을 모두 외부로배출시켜주는 배출유닛 및, 스핀 코터(100)를 전반적으로 제어해주는 중앙제어유닛(미도시)으로 구성된다.
이때, 웨이퍼 척(120)에는 배큠라인(vacuum line, 미도시)이 연결되어 웨이퍼(90)를 배큠으로 흡착하게 된다. 그리고, 구동유닛은 웨이퍼 척(120)의 하부에 설치되며 소정 회전력을 발생시키는 모터(Motor,130)와 이 모터(130)의 회전력을 웨이퍼 척(120)으로 전달해주는 회전축(140)으로 구성된다.
또한, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 모두 세척해주는 바, 웨이퍼(90)의 상부에 위치되어 웨이퍼(90)의 가장자리면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제1분사노즐(Nozzle,171)과, 웨이퍼(90)의 일측 하부에 위치되어 웨이퍼(90)의 일방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제2분사노즐(172)과, 웨이퍼(90)의 타측 하부에 위치되어 웨이퍼(90)의 타방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제3분사노즐(173) 및, 각 분사노즐(171,172,173)로 소정 린스액을 공급해주는 린스액 펌핑수단(미도시)으로 구성된다.
한편, 바울유닛은 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 역할을 수행하는 바, 웨이퍼(90)의 가장자리부를 에워싸도록 설치되어 포토레지스트와 린스액이 각 측면으로 비산되는 것을 방지해주는 외측바울(110)과, 웨이퍼(90)의 하부를 커버하도록 설치되어 포토레지스트와 린스액 등을 모아주는 내측바울(190)로 구성된다.
또한, 배출유닛은 내측바울(190)의 중앙부분에 설치되어 바울유닛 내부에서부유되는 분진 등을 모두 흡입하여 외부로 강제 배출시켜주는 이그조스트 라인(Exhaust line, 160)과, 내측바울(190)의 가장자리 부분에 설치되어 내측바울(190)에 모인 포토레지스트와 린스액 등을 외부로 배출시켜주는 드레인 라인(Drain line, 150) 및, 이그조스트 라인(160)이 분진 등을 강제 흡입할 수 있도록 이그조스트 라인(160)에 소정 배큠을 인가해주는 배큠발생수단(미도시)으로 구성된다.
따라서, 이와 같이 구성된 종래 스핀 코터(100)는 다음과 같이 작동된다.
즉, 외부로부터 포토레지스트 박막이 코팅(Coating)될 웨이퍼(90)가 웨이퍼 척(120)에 안착되면, 구동유닛은 웨이퍼(90)를 소정 알피엠(Revolutions Per Minute)으로 회전시키게 되고, 포토레지스트 공급유닛은 이 회전되고 있는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급하게 된다. 이에, 웨이퍼(90) 상면에는 소정 두께의 포토레지스트 박막이 형성되어지게 된다.
이후, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 소정 린스액을 분사해주어 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 세척해주게 된다. 이에, 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 분사되는 린스액은 각각 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 세척한 다음 외측바울(110)에 부딪치게 되고, 외측바울(110)에 부딪친 다음에는 내측바울(190)로 모두 모이게 된다. 따라서, 배출유닛은 이와 같이 모이는 포토레지스트와 린스액 그리고 바울유닛 내부의 부유되는 분진까지 모두 외부로 배출시키게 되며, 포토레지스트 박막증착공정은 완료되어진다.
그러나, 이와 같은 종래 스핀 코터(100) 중 각 분사노즐에서 분사된 린스액은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면에서 각각 세척역할을 수행한 다음 외측바울(110)에 부딪쳐 내측바울(190)의 상면으로 모이게 되고, 이 모인 후에는 배출유닛에 의해 외부로 배출되어져야 하는데, 종종 이상과 같이 외측바울(110)에 부딪친 린스액 중 일부는 외측바울(110)에 부딪친 다음 다시 리바운드되어 웨이퍼(90) 상면으로 침투하게 되는 문제점이 발생된다.
따라서, 이상과 같이 침투된 린스액 등은 추후 후속공정에 의해 진행될 회로패턴에 심각한 악영향을 미치게 되어 수율저하 등의 문제를 유발하게 된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 분사노즐에서 분사된 린스액이 웨이퍼의 가장자리면과 뒷면에서 각각 세척역할을 수행한 다음 모두 외부로 배출될 수 있도록 별도의 린스 드레인유닛을 더 구비한 반도체 제조용 스핀 코터를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 반도체 제조용 스핀 코터의 일예를 개략적으로 도시한 구성도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터의 일실시예를 개략적으로 도시한 구성도.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
100, 200 : 스핀 코터 110, 210 : 외측바울
120, 200 : 웨이퍼 척 130, 230 : 모터
140, 240 : 회전축 280 : 린스 드레인유닛
190, 290 : 내측바울
이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명 반도체 제조용 스핀 코터는 웨이퍼가 안착되며 웨이퍼를 흡착고정하는 웨이퍼 척과, 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 회전시키는 구동유닛과, 웨이퍼 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛과, 웨이퍼에 소정 린스액을 분사하여 웨이퍼의 가장자리면과 웨이퍼의 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전되는 웨이퍼의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산하는 것을 방지해주도록 웨이퍼의 가장자리부를 에워싸게 설치되는 외측바울과, 웨이퍼의 하부를 커버하도록 설치되며 외측바울에 부딪친 다음 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액을 모아주는 내측바울과, 내측바울에 연통되도록 설치되며 내측바울에 모인 포토레지스트와 린스액 및 내측바울 주변에서 부유되는 분진을 외부로 배출시켜주는 배출유닛 및, 웨이퍼의 일측면에 설치되며 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액을 강제흡입하여 외부로 배출시켜주는 린스 드레인유닛을 포함함에 있다.
이때, 상기 린스 드레인 유닛은 웨이퍼에서 비산되는 포토레지스트와 린스액이 모두 유입될 수 있도록 끝단부에 가이드부가 형성되며 웨이퍼에서 비산되는 포토레지스트와 린스액을 외부로 배출시켜주는 배큠배관과, 배큠배관으로 포토레지스트와 린스액이 강제흡입될 수 있도록 배큠배관에 소정크기의 배큠을 인가해주는 배큠펌프로 구성됨이 바람직하다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터(200)의 일실시예를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예인 반도체 제조용 스핀 코터(200)는 웨이퍼(90)를 흡착하여 고정하는 웨이퍼 척(220)과, 웨이퍼 척(220)에 고정된 웨이퍼(90)를 회전시키는 구동유닛과, 회전하는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)에 린스액을 분사하여 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 바울유닛과, 바울유닛에 모인 포토레지스트와린스액 그리고 바울유닛 내부에서 부유되는 분진 등을 모두 외부로 배출시켜주는 배출유닛과, 회전하는 웨이퍼(90)의 일측면에 설치되어 웨이퍼(90) 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주는 린스 드레인 유닛(280) 및, 스핀 코터(200)를 전반적으로 제어해주는 중앙제어유닛으로 구성된다.
보다 구체적으로 설명하면, 웨이퍼 척(220)에는 소정 배큠라인이 연결되어지게 되는 바, 웨이퍼 척(220)은 이 배큠에 의해 웨이퍼(90)를 강제 흡착시키게 된다.
그리고, 구동유닛은 웨이퍼 척(220)에 고정된 웨이퍼(90)를 회전시키는 역할을 하는 바, 웨이퍼 척(220)의 하부에 설치되며 소정 회전력을 발생시키는 모터(230)와, 이 모터(230)의 회전력을 웨이퍼 척(220)으로 전달해주는 회전축(240)으로 구성된다.
또한, 포토레지스트 공급유닛은 회전하는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급해주는 역할을 하게 되는데, 웨이퍼(90)의 상부에만 계속적으로 고정되어 있는 것이 아니라 웨이퍼(90)가 웨이퍼 척(220)에 안착되고 회전될 경우에만 선택적으로 웨이퍼(90)의 상부로 이동되어 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급해줄 수 있도록 구성된다. 즉, 포토레지스트 공급유닛은 일정거리 유동가능하게 설치된다.
한편, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 뒷면을 모두 세척해주는 바, 웨이퍼(90)의 상부에 위치되어 웨이퍼(90)의 가장자리면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제1분사노즐(271)과, 웨이퍼(90)의 일측 하부에 위치되어웨이퍼(90)의 일방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제2분사노즐(272)과, 웨이퍼(90)의 타측 하부에 위치되어 웨이퍼(90)의 타방향 밑면을 향해 소정 린스액을 분사해주는 제3분사노즐(273) 및, 이 제1ㆍ제2ㆍ제3분사노즐(271,272,273)로 공정에 따라 소정 린스액을 계속 공급해주는 린스액 펌핑수단으로 구성된다. 이때, 각 분사노즐에서 분사되는 소정 린스액은 신너임이 바람직하다.
그리고, 바울유닛은 회전하는 웨이퍼(90)의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산되는 것을 방지해주고 이들을 한꺼번에 모아주는 역할을 수행하는 바, 웨이퍼(90)의 가장자리부를 에워싸도록 설치되어 포토레지스트와 린스액이 각 측면으로 비산되는 것을 방지해주는 외측바울(210)과, 웨이퍼(90)의 하부를 커버하도록 설치되어 포토레지스트와 린스액 등을 모두 모아주는 내측바울(290)로 구성된다.
이때, 내측바울(290) 같은 경우 가장자리 부분과 중앙부분이 소정 높이의 단턱 등에 의해 구분되도록 형성되는데, 이상과 같이 형성되는 이유는 외측바울(210)에 부딪쳐 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액 등이 이 내측바울(290) 중 가장자리 부분으로만 모이도록 유도하기 위함이다.
또한, 배출유닛은 바울유닛 내부에서 부유되는 분진 등을 모두 흡입하여 외부로 강제 배출시켜주는 이그조스트 라인(260)과, 내측바울(290)에 모인 포토레지스트와 린스액 등을 외부로 배출시켜주는 드레인 라인(250) 및, 이 이그조스트 라인(260)이 분진 등을 강제 흡입할 수 있도록 이그조스트 라인(260)에 소정 배큠을 인가해주는 배큠발생수단으로 구성되는데, 이그조스트 라인(260)은 내측바울(290)중 중앙부분으로 연통되도록 설치되며, 드레인 라인(250)은 내측바울(290) 중 가장자리 부분에 연통되도록 설치된다. 이에, 외측바울(210)에 부딪쳐 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액 등은 이 내측바울(290)의 가장자리 부분에 연통되도록 설치된 드레인 라인(250)을 통해 외부로 배출되어지게 되는 것이다.
한편, 린스 드레인 유닛(280)은 회전하는 웨이퍼(90)의 일측면에 설치되어 웨이퍼(90) 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주게 되는 바, 소정 가이드부가 형성된 배큠배관(282)과, 이 배큠배관(282)으로 소정 배큠을 인가해주는 배큠펌프(285)로 구성된다.
구체적으로 설명하면, 배큠배관(282)의 상단부는 회전되는 웨이퍼(90)의 일측면에 위치되록 설치되되, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)이 설치되는 웨이퍼(90)의 일측면에 위치되도록 설치되어지는데, 이 상단부가 바로 가이드부(284)이다. 이때, 이 가이드부(284)는 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)이 각각 웨이퍼(90)의 가장자리 부분과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 소정 린스액을 분사할 경우 이 린스액이 각각 웨이퍼(90)의 가장자리 부분과 웨이퍼(90)의 뒷면에 리바운드된 다음 이 배큠배관(282)으로 모두 들어갈 수 있도록 가이드해주는 역할을 하며, 소정 간격으로 벌어진 '깔대기' 형태로 구현된다. 이에, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)에서 각각 웨이퍼(90)의 가장자리 부분과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 분사되는 소정 린스액은 웨이퍼(90)의 가장자리 부분에 위치한 포토레지스트와 웨이퍼(90)의 뒷면에 위치한 포토레지스트 등과 함께 이 가이드를 통하여 배큠배관(282)으로 유입되어지며, 이 유입된 다음에는 외부로 배출되어지게 되는것이다.
한편, 배큠펌프(285)는 이러한 배큠배관(282)으로 강한 배큠을 인가하주게 되는데, 이와 같이 배큠펌프(285)가 배큠배관(282)으로 강한 배큠을 인가해주기 때문에 이러한 배큠배관(282)의 가이드부(284)에는 강한 흡입력이 발생되어지고, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)로 분사된 다음 웨이퍼(90)에 리바운드된 소정 린스액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 종래와 같이 웨이퍼(90) 내부로 리바운드되지 못하고 모두 이러한 가이드부(284) 내부로 유입되어지게 되는 것이다.
이하, 이상과 같이 구성된 본 발명 반도체 제조용 스핀 코터(200)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 외부로부터 포토레지스트 박막이 코팅될 웨이퍼(90)가 웨이퍼 척(220)에 안착되면, 구동유닛은 웨이퍼(90)를 소정 알피엠으로 회전시키게 되고, 포토레지스트 공급유닛은 이 회전되고 있는 웨이퍼(90) 상에 포토레지스트를 공급하게 된다. 이에, 웨이퍼(90) 상면에는 소정 두께의 포토레지스트 박막이 형성되어지게 된다.
이후, 웨이퍼 린스유닛은 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 향해 소정 린스액을 분사해주어 웨이퍼(90)의 가장자리면과 웨이퍼(90)의 뒷면을 세척해주게 되는데, 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)이 분사하는 소정 린스액은 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트와 함께 강한 흡입력이 작용하는 배큠배관(282)으로 유입되어 외부로 배출되어지게 되고, 제3분사노즐(273)이 분사하는소정 린스액은 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트와 함께 외측바울(210)에 부딪친 다음 내측바울(290)로 모이게 된다.
이후, 내측바울(290)에 모인 소정 린스액과 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 배출유닛에 의해 외부로 배출되어지게 되는 것이다.
이상과 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터(200)에는 웨이퍼(90) 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주는 린스 드레인 유닛(280)이 더 구비되기 때문에 제1분사노즐(271)과 제2분사노즐(272)로 분사된 다음 웨이퍼(90)에 리바운드된 소정 린스액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 종래와 같이 웨이퍼(90) 내부로 리바운드되지 못하고 모두 이러한 가이드부 내부로 유입되어져 외부로 배출되어지게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조용 스핀 코터에는 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액 등을 강제 흡입하고 이를 배출시켜주는 린스 드레인유닛이 더 구비되기 때문에 제1분사노즐과 제2분사노즐로 분사된 다음 웨이퍼에 리바운드된 소정 린스액 및 이 린스액에 의해 세척되는 포토레지스트 등은 종래와 같이 웨이퍼 내부로 리바운드되지 못하고 모두 이러한 가이드부 내부로 유입되어져 외부로 배출되어지게 되는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 웨이퍼가 안착되며, 상기 웨이퍼를 흡착고정하는 웨이퍼 척;
    상기 웨이퍼 척에 고정된 상기 웨이퍼를 회전시키는 구동유닛;
    상기 웨이퍼 상에 포토레지스트를 공급해주는 포토레지스트 공급유닛;
    상기 웨이퍼에 소정 린스액을 분사하여 상기 웨이퍼의 가장자리면과 상기 웨이퍼의 뒷면을 세척해주는 웨이퍼 린스유닛;
    상기 회전되는 웨이퍼의 원심력에 의해 포토레지스트와 린스액이 외부로 비산하는 것을 방지해주도록 상기 웨이퍼의 가장자리부를 에워싸게 설치되는 외측바울;
    상기 웨이퍼의 하부를 커버하도록 설치되며 상기 외측바울에 부딪친 다음 하측으로 흐르는 포토레지스트와 린스액을 모아주는 내측바울;
    상기 내측바울에 연통되도록 설치되며 상기 내측바울에 모인 포토레지스트와 린스액 및 상기 내측바울 주변에서 부유되는 분진을 외부로 배출시켜주는 배출유닛 및;
    상기 웨이퍼의 일측면에 설치되며, 상기 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 비산되어지는 포토레지스트와 린스액을 강제흡입하여 외부로 배출시켜주는 린스 드레인유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스핀 코터.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 린스 드레인 유닛은
    상기 웨이퍼에서 비산되는 포토레지스트와 린스액이 모두 유입될 수 있도록 끝단부에 가이드부가 형성되며 상기 웨이퍼에서 비산되는 포토레지스트와 린스액을 외부로 배출시켜주는 배큠배관과,
    상기 배큠배관으로 포토레지스트와 린스액이 강제흡입될 수 있도록 상기 배큠배관에 소정크기의 배큠을 인가해주는 배큠펌프로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 스핀 코터.
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KR200469194Y1 (ko) * 2011-03-28 2013-10-01 스파킹 파워 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 부품 세척기
CN110444466A (zh) * 2018-05-06 2019-11-12 长鑫存储技术有限公司 光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置
CN113823550A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 中国科学院微电子研究所 一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100644051B1 (ko) * 2005-11-03 2006-11-10 동부일렉트로닉스 주식회사 포토 레지스트 코팅 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 이물 제거방법
KR200469194Y1 (ko) * 2011-03-28 2013-10-01 스파킹 파워 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 부품 세척기
CN110444466A (zh) * 2018-05-06 2019-11-12 长鑫存储技术有限公司 光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗方法及装置
CN113823550A (zh) * 2020-06-19 2021-12-21 中国科学院微电子研究所 一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法
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