JP2003282417A

JP2003282417A - 基板処理装置および飛散防止部材の洗浄方法

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Publication number: JP2003282417A
Application number: JP2002086358A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Hirai; 信行平井
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2002-03-26
Publication date: 2003-10-03
Anticipated expiration: 2022-03-26
Also published as: JP3761482B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理カップやスプラッシュガードなどの処理液
飛散防止部材に付着した処理液および処理液の結晶を良
好に洗い落とす。【解決手段】処理カップ４の回収溝４２に接続されてい
る回収ライン４６および排液ライン４７（回収バルブ４
８および排液バルブ４９）が閉じられた状態で、洗浄水
供給バルブ８２が開かれて、洗浄水供給管８１から処理
カップ４の回収溝４２に純水が供給されることにより、
回収溝４２内に純水が溜められる。そして、回収溝４２
内に仕切壁４３の上端近傍まで純水が溜められると、ス
プラッシュガード５が回収位置（図２(b)に仮想線で示
す位置）と最下方の退避位置（図２(b)に実線で示す位
置）との間で上下に往復動される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガ
ラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光
磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等に代表され
る各種の被処理基板に処理液を用いた表面処理を施すた
めの基板処理装置、および基板処理装置に備えられた飛
散防止部材の洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程で
は、基板に処理液（薬液または純水）を供給して基板の
表面処理を行うための基板処理装置が用いられる。基板
を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置では、たとえ
ば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックが
備えられていて、このスピンチャックによって基板が水
平面内で回転される一方で、その基板の表面に処理液が
供給されることにより、基板の表面に処理液による処理
が施される。また、処理液による処理後は、スピンチャ
ックによって基板を高速回転させて、基板の表面に付着
している処理液を遠心力で振り切って乾燥させる乾燥処
理が行われる。

【０００３】スピンチャックは、有底筒状の処理カップ
およびこの処理カップに対して昇降可能なスプラッシュ
ガードに囲まれた空間内に配置されている。これによ
り、基板の周縁から側方に飛散する処理液を処理カップ
またはスプラッシュガードで受け止めることができ、処
理カップおよびスプラッシュガードより外方への処理液
の飛散を防止することができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、基板から飛
散して処理カップまたはスプラッシュガードに付着した
処理液が乾燥して結晶化すると、この処理液の結晶がパ
ーティクルとなって基板汚染の原因となるおそれがあ
る。枚葉型の基板処理装置の中には、処理時に基板の上
面付近の気流が乱れることを防止するために、基板の上
面に近接した位置に対向配置される遮断板を備えたもの
がある。この遮断板が備えられている場合、たとえば、
遮断板を回転させつつ、その遮断板の上面に洗浄液を供
給して、遮断板の周縁から洗浄液を振り飛ばすことによ
り、処理カップおよびスプラッシュガードの内面に洗浄
液を供給して、処理カップおよびスプラッシュガードの
内面に付着した処理液を洗浄液で洗い流すことができ
る。また、このときスプラッシュガードを上下動させる
ことにより、スプラッシュガードの内面の広い範囲に処
理液を供給して、スプラッシュガードの内面をより良好
に洗浄することが考えられる。

【０００５】しかし、処理カップおよびスプラッシュガ
ードの内面に付着している処理液を洗い流すことはでき
ても、スプラッシュガードの外面に付着した処理液を洗
い流すことができず、このスプラッシュガードの外面に
付着した処理液の結晶化による基板汚染を防止すること
はできない。そこで、この発明の目的は、処理カップや
スプラッシュガードなどの飛散防止部材に付着した処理
液および処理液の結晶を良好に洗い落とすことのできる
基板処理装置を提供することである。

【０００６】また、この発明の他の目的は、処理カップ
やスプラッシュガードなどの飛散防止部材に付着した処
理液および処理液の結晶を良好に洗い落とす方法を提供
することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板
（Ｗ）に処理液を供給して処理する基板処理装置であっ
て、基板を保持して回転させる基板保持手段（１）と、
この基板保持手段の周囲を取り囲むように設けられてい
て、上記基板保持手段によって回転されている基板から
飛散した処理液を受け止めて、外方への処理液の飛散を
防止する飛散防止部材（４，５）と、洗浄液を貯留可能
であって、その貯留された洗浄液中に上記飛散防止部材
の少なくとも一部（５２）を浸漬可能に設けられた貯留
槽（４２）とを含むことを特徴とする基板処理装置であ
る。

【０００８】なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。この発明によれば、貯留槽に洗浄液を溜め、この
溜められた洗浄液に飛散防止部材の少なくとも一部を浸
漬させることにより、その浸漬させた一部に付着してい
る処理液を洗い落とすことができる。よって、飛散防止
部材の洗浄を定期的に行うことにより、飛散防止部材に
付着した処理液が乾燥して結晶化することを防止でき、
処理液の結晶による基板の汚染を防止することができ
る。また、たとえ飛散防止部材に処理液の結晶が付着し
ていても、その付着している処理液の結晶を洗い落とす
ことができる。

【０００９】なお、請求項２記載のように、上記基板処
理装置は、上記貯留槽内の洗浄液と上記飛散防止部材と
を相対的に移動させる相対移動手段をさらに含むことが
好ましい。貯留槽内の洗浄液と飛散防止部材とを相対的
に移動させることにより、とくに飛散防止部材に処理液
の結晶が付着している場合に、その処理液の結晶を良好
に洗い落とすことができる。上記相対移動手段は、請求
項３記載のように、上記飛散防止部材を往復移動させる
手段（５４）を含むものであってもよいし、請求項４記
載のように、その飛散防止部材を往復移動させる手段に
代えて、または、飛散防止部材を往復移動させる手段と
ともに、上記貯留槽内において洗浄液の供給および排液
を行う手段（４７，４９）を含むものであってもよい。
さらに、請求項５記載のように、上記相対移動手段は、
上記貯留槽内の洗浄液に超音波振動を付与する超音波振
動付与手段（９）を含むものであってもよい。

【００１０】また、請求項６記載のように、上記処理液
は、薬液を含み、上記飛散防止部材の少なくとも一部
は、上記基板保持手段による基板の回転時に当該基板か
ら飛散する薬液を受け止める部位（５２）を含んでいて
もよい。請求項７記載の発明は、基板保持手段（１）に
よって回転されている基板（Ｗ）に処理液を供給して処
理を施す基板処理装置において、上記基板保持手段の周
囲を取り囲むように設けられていて、上記基板保持手段
によって回転されている基板から飛散した処理液を受け
止めて、外方への処理液の飛散を防止する飛散防止部材
（４，５）を洗浄する方法であって、上記飛散防止部材
の少なくとも一部を収容可能な貯留槽（４２）に洗浄液
を貯留する工程と、この工程で上記貯留槽に貯留された
洗浄液中に上記飛散防止部材の少なくとも一部（５２）
を浸漬させる工程とを含むことを特徴とする飛散防止部
材の洗浄方法である。

【００１１】この方法によれば、請求項１に関連して述
べた効果と同様な効果を達成することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する
ための図である。この基板処理装置は、レジストアッシ
ング処理後の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」とい
う。）Ｗに付着しているポリマーを除去するための装置
である。より具体的には、たとえば、タングステン配線
またはポリシリコン配線をパターン形成する工程におい
て、ウエハＷ上にほぼ一様に形成されたタングステン配
線膜またはポリシリコン配線膜を選択的に除去するため
のエッチング処理、このエッチング処理に使用したレジ
ストパターンを除去するためのレジストアッシング処理
の後に、レジストアッシング処理で除去されずにポリマ
ーとなって残留したレジスト残渣を除去するためのポリ
マー除去装置である。

【００１３】このポリマー除去装置は、ウエハＷを水平
に保持して回転させるためのスピンチャック１と、スピ
ンチャック１に保持されたウエハＷの上面にポリマー除
去のための薬液を供給するための薬液ノズル２と、スピ
ンチャック１に保持されたウエハＷの上面に純水を供給
するための純水ノズル３とを備えている。ポリマー除去
のための薬液としては、有機アルカリ液を含む液体、有
機酸を含む液体、無機酸を含む液体、ふっ化アンモン系
物質を含む液体のうちの少なくともいずれか１つが使用
できる。そのうち、有機アルカリ液を含む液体として
は、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメ
チルスルホキシド）、ヒドロキシルアミン、コリンのう
ちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙げられる。
また、有機酸を含む液体としては、クエン酸、蓚酸、イ
ミノジ酸、および琥珀酸のうちの少なくともいずれか１
つを含む液体が挙げられる。また、無機酸を含む液体と
しては、ふっ酸および燐酸のうちの少なくともいずれか
１つを含む液体が挙げられる。その他、ポリマー除去液
としては、１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチ
オフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミ
ン、モノエタノールアミン、２−（２アミノエトキシ）
エタノール、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロ
マティックジオール、パーフレン、フェノールを含む液
体などのうちの少なくともいずれか１つを含む液体があ
り、より具体的には、１−メチル−２ピロリドンとテト
ラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロパノ
ールアミンとの混合液、ジメチルスルホキシドとモノエ
ターノルアミンとの混合液、２−（２アミノエトキシ）
エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混合
液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチル
ピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水とア
ロマティックジオールとの混合液、パーフレンとフェノ
ールとの混合液などのうちの少なくともいずれか１つが
挙げられる。その他、トリエタノールアミン、ペンタメ
チルジエチレントリアミンなどのアミン類、プロピレン
グリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルなどのうちの少なくともいずれか１つを含む液体が挙
げられる。

【００１４】スピンチャック１としては、たとえば、ウ
エハＷのデバイス形成面を上方に向けた状態で、そのウ
エハＷの非デバイス形成面（下面）を真空吸着すること
により、ウエハＷをほぼ水平に保持することができる真
空吸着式のもの（バキュームチャック）が用いられてい
る。この真空吸着式のスピンチャック１は、たとえば、
ウエハＷを保持した状態で、鉛直な軸線まわりに回転す
ることにより、その保持したウエハＷを水平面内で回転
させることができる。

【００１５】スピンチャック１は、処理カップ４内に収
容されている。処理カップ４は、スピンチャック１の周
囲を取り囲んでいて、底部には、ウエハＷの処理に用い
られた後の純水などを排液するための環状の排液溝４１
と、ウエハＷの処理のために用いられた後の薬液を回収
するための環状の回収溝４２とが筒状の仕切壁４３で仕
切られて形成されている。排液溝４１には、排液ライン
４４が接続されており、この排液ライン４４の途中部に
は、排液バルブ４５が介装されている。また、回収溝４
２には、回収ライン４６および排液ライン４７が接続さ
れている。回収ライン４６の途中部には、回収バルブ４
８が介装されており、排液ライン４７の途中部には、排
液バルブ４９が介装されている。

【００１６】処理カップ４に関連して、ウエハＷから飛
散する薬液または純水を捕獲するためのスプラッシュガ
ード５が設けられている。スプラッシュガード５は、ウ
エハＷの回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有して
おり、上方部の内面は、ウエハＷの回転軸線に対向する
ように開いた断面く字状の排液捕獲部５１となってい
る。また、スプラッシュガード５の下方部には、ウエハ
Ｗの回転半径方向外方に向かうに従って下方に向かう傾
斜曲面を有する回収液捕獲部５２が形成されている。回
収液捕獲部５２の上端付近には、処理カップ４の仕切壁
４３を受け入れるための仕切壁収納溝５３が形成されて
いる。

【００１７】スプラッシュガード５に関連して、たとえ
ば、ボールねじ機構などを含むスプラッシュガード昇降
駆動機構５４が設けられている。スプラッシュガード昇
降駆動機構５４は、スプラッシュガード５を、回収液捕
獲部５２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの端
面に対向する回収位置と、排液捕獲部５１がスピンチャ
ック１に保持されたウエハＷの端面に対向する排液位置
との間で上下動させる。また、スプラッシュガード昇降
駆動機構５４は、スピンチャック１に対するウエハＷの
搬入／搬出の際に、スプラッシュガード５を排液位置よ
りも下方の退避位置に退避させる。

【００１８】薬液ノズル２には、薬液供給源からの薬液
を供給する薬液供給配管２１が接続されている。この薬
液供給配管２１の途中部には、薬液ノズル２からの薬液
の吐出を制御するための薬液供給バルブ２２が介装され
ている。純水ノズル３は、たとえば、処理カップ４外に
設定された鉛直軸線を中心に揺動可能なアームの先端に
取り付けられたスキャンノズルであり、アームを揺動さ
せることによって、スピンチャック１に保持されたウエ
ハＷの上方に位置させて、そのウエハＷの上面の中央部
に純水を供給することができる。純水ノズル３には、純
水供給源からの純水を供給する純水供給配管３１が接続
されていて、この純水供給配管３１の途中部には、純水
ノズル３からの純水の吐出を制御するための純水供給バ
ルブ３２が介装されている。

【００１９】また、このポリマー除去装置には、スピン
チャック１に保持されたウエハＷの下面の周縁部に薬液
および純水を選択的に供給するためのバックリンスノズ
ル６が備えられている。バックリンスノズル６には、薬
液ノズル２によるウエハＷへの薬液供給に同期して薬液
が供給され、純水ノズル３によるウエハＷへの純水供給
に同期して純水が供給されるようになっている。このポ
リマー除去装置はさらに、マイクロコンピュータを含む
構成の制御部７を備えている。制御部７は、スピンチャ
ック１を回転させるための駆動機構やスプラッシュガー
ド５を昇降させるためのスプラッシュガード昇降駆動機
構５４の動作を制御する。また、薬液供給バルブ２２、
純水供給バルブ３２、排液バルブ４５，４９および回収
バルブ４８の開閉を制御する。

【００２０】ウエハＷに対する処理を開始する前の期間
には、スピンチャック１は停止しており、また、スピン
チャック１へのウエハＷの搬入が阻害されないように、
スプラッシュガード５はスピンチャック１によるウエハ
Ｗの保持位置よりも下方の退避位置に待避している。基
板搬送ロボット（図示せず）から処理対象のウエハＷが
スピンチャック１に受け渡されると、スプラッシュガー
ド５が、回収液捕獲部５２がウエハＷの周端面に対向す
る回収位置まで上げられる。また、スピンチャック１の
回転が開始されて、その後、ウエハＷ（スピンチャック
１）の回転速度が所定の速度に達すると、薬液ノズル２
およびバックリンスノズル６からウエハＷへの薬液の供
給が開始される。薬液ノズル２からの薬液は、ウエハＷ
の上面のほぼ中央部に供給されるようになっている。ウ
エハＷに供給された薬液は、ウエハＷの回転に伴って受
ける遠心力により、その供給位置からウエハＷの回転半
径方向外方側へと導かれる。これにより、ウエハＷの上
面および下面の周縁部には、ほぼ全域に薬液が隈無く行
き渡り、ウエハＷの上面および下面の周縁部に付着して
いるポリマー残渣が良好に除去される。

【００２１】この薬液処理の際に、ウエハＷの周縁から
振り切られて側方に飛散した薬液は、スプラッシュガー
ド５の回収液捕獲部５２に捕獲される。そして、この回
収液捕獲部５２を伝い、回収液捕獲部５２の下端縁から
処理カップ４の回収溝４２へと落下する。このとき、回
収バルブ４８が開成されて、排液バルブ４９が閉成され
ており、回収溝４２に集められた薬液は、回収ライン４
６を介して回収液処理設備に回収され、以降の薬液処理
に再利用される。これにより、薬液を使い捨てる構成に
比べて、薬液の消費量を格段に低減することができる。

【００２２】ウエハＷへの薬液の供給が所定時間に渡っ
て行われると、薬液ノズル２およびバックリンスノズル
６からの薬液の供給が停止される。そして、スプラッシ
ュガード５が、排液捕獲部５１がウエハＷの周端面に対
向する排液位置まで下げられる。その後、純水ノズル３
およびバックリンスノズル６からウエハＷへの純水の供
給が開始される。このとき、純水ノズル３からの純水
は、ウエハＷの上面のほぼ中央部に供給される。ウエハ
Ｗに供給された純水は、ウエハＷの回転に伴って受ける
遠心力により、その供給位置からウエハＷの回転半径方
向外方側へと導かれる。これにより、ウエハＷの上面お
よび下面の周縁部のほぼ全域に純水が隈無く行き渡り、
ウエハＷの上面および下面の周縁部に付着している薬液
がきれいに洗い流される。この純水による処理の後は、
ウエハＷが高速回転されて、ウエハＷに付着している純
水を振り切って乾燥させる処理が行われる。

【００２３】純水による処理の際に、ウエハＷの周縁か
ら振り切られて側方に飛散した純水は、スプラッシュガ
ード５の排液捕獲部５１に捕獲される。そして、この排
液捕獲部５１を伝い、排液捕獲部５１の下端縁から処理
カップ４の排液溝４１へと落下する。このとき、排液バ
ルブ４５は開成されており、排液溝４１に集められた薬
液は、排液ライン４４を介して排液処理設備へと排液さ
れる。乾燥処理の終了後は、スピンチャック１によるウ
エハＷの回転が停止される。また、スプラッシュガード
５が排液位置から退避位置まで下降される。そして、図
示しない搬送ロボットの働きによって、スピンチャック
１に保持されている処理後のウエハＷが搬出されてい
く。

【００２４】上述のように、ウエハＷの処理時には、ウ
エハＷから薬液が飛散して、スプラッシュガード５の内
面に付着する。また、薬液ノズル２およびバックリンス
ノズル６から吐出された薬液がウエハＷの表面で跳ね返
ってミストとなり、この薬液のミストが飛散して、処理
カップ４およびスプラッシュガード５の内面やスプラッ
シュガード５の外面に付着する。処理カップ４およびス
プラッシュガード５の内外面に付着した薬液が乾燥して
結晶化すると、その薬液の結晶がパーティクルとなって
ウエハＷを汚染するおそれがある。

【００２５】そこで、この実施形態に係る基板処理装置
では、処理カップ４の側面に洗浄水供給管８１が接続さ
れており、この洗浄水供給管８１から回収溝４２内に純
水を供給することができるようになっている。洗浄水供
給管８１の途中部には、制御部７によって開閉制御され
る洗浄水供給バルブ８２が介装されている。そして、た
とえば、所定枚数のウエハＷに対して処理を行う度に、
回収溝４２に純水が溜められて、この溜められた純水に
スプラッシュガード５を出没させることにより、処理カ
ップ４およびスプラッシュガード５の洗浄処理が行われ
るようになっている。

【００２６】図２は、処理カップ４およびスプラッシュ
ガード５の洗浄処理について説明するための図解的な断
面図である。処理カップ４およびスプラッシュガード５
の洗浄処理に際しては、まず、図２(a)に示すように、
スプラッシュガード５が、回収液捕獲部５２がウエハＷ
の周端面に対向する回収位置まで上げられる。そして、
処理カップ４の回収溝４２に接続されている回収ライン
４６および排液ライン４７（回収バルブ４８および排液
バルブ４９）が閉じられた状態で、洗浄水供給バルブ８
２が開かれて、洗浄水供給管８１から処理カップ４の回
収溝４２に純水が供給されることにより、回収溝４２内
に純水が溜められる。

【００２７】回収溝４２内に仕切壁４３の上端近傍まで
純水が溜められると、図２(b)に示すように、スプラッ
シュガード５が回収位置（図２(b)に仮想線で示す位
置）と最下方の退避位置（図２(b)に実線で示す位置）
との間で上下に往復動される。これにより、スプラッシ
ュガード５の仕切壁収納溝５３よりも外側の部位が回収
溝４２内の純水中に浸漬されたり、その純水中から出現
したりして、仕切壁収納溝５３よりも外側の部位（回収
液捕獲部５２）の内面および外面に付着した薬液が洗い
落とされる。また、スプラッシュガード５の仕切壁収納
溝５３よりも外側の部位が回収溝４２内の純水中に浸漬
されるときに、回収溝４２内に貯留されている純水が仕
切壁４３を超えて溢れ、この溢れた純水により、スプラ
ッシュガード５の仕切壁収納溝５３内が洗われるととも
に、処理カップ４の排液溝４１の内面に付着した薬液が
洗い流される。

【００２８】スプラッシュガード５の上下動が複数回繰
り返されると、排液ライン４７上の排液バルブ４９が開
かれて、スプラッシュガード５から洗い落とされた薬液
を含む回収溝４２内の純水が排水される。以上のよう
に、この実施形態の基板処理装置は、処理カップ４の回
収溝４２内に溜められた純水にスプラッシュガード５を
出没させることにより、処理カップ４およびスプラッシ
ュガード５に付着した薬液を洗い落とすことができる構
成になっている。ゆえに、処理カップ４およびスプラッ
シュガード５の洗浄処理を定期的に行うことにより、処
理カップ４およびスプラッシュガード５に付着した薬液
が乾燥して結晶化することを防止でき、薬液の結晶によ
るウエハＷの汚染を防止することができる。また、たと
え処理カップ４およびスプラッシュガード５に薬液の結
晶が付着していても、その付着している薬液の結晶を洗
い落とすことができる。

【００２９】なお、スプラッシュガード５の仕切壁収納
溝５３よりも内側の部位、つまり排液捕獲部５１は、ウ
エハＷを薬液で処理した後に行われる純水処理の際に、
ウエハＷから飛散する純水によって洗われるので、排液
捕獲部５１を積極的に洗浄しなくても、排液捕獲部５１
で薬液の結晶を生じるおそれはない。以上、この発明の
一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で
実施することもできる。たとえば、上述の実施形態で
は、処理カップ４の回収溝４２内に溜められた純水にス
プラッシュガード５を複数回出没させることにより、処
理カップ４およびスプラッシュガード５に付着した薬液
を洗い落とすとしたが、回収溝４２内に溜められた純水
に対するスプラッシュガード５の出没は１回だけであっ
てもよい。この場合、処理カップ４およびスプラッシュ
ガード５を良好に洗浄するために、たとえば、図１に示
すように、回収溝４２内の純水に超音波振動を付与する
ための超音波振動発生器９が処理カップ４の側面などに
設けられることが好ましい。

【００３０】また、回収溝４２内に溜められた純水に対
するスプラッシュガード５の出没が１回しか行われない
場合には、スプラッシュガード５が待避位置に移動され
て、排液捕獲部５１が回収溝４２内に収容された状態
で、洗浄水供給バルブ８２および排液ライン４７上の排
液バルブ４９をそれぞれ開閉させて、回収溝４２内に純
水を溜めたり、その溜められた純水を排水したりするこ
とにより、回収溝４２内の純水と処理カップ４およびス
プラッシュガード５との間に相対的な移動を生じさせる
ことが好ましい。こうすることにより、処理カップ４お
よびスプラッシュガード５をよりきれいに洗浄すること
ができる。

【００３１】また、排液溝４１に接続されている排液ラ
イン４４上の排液バルブ４５を閉じた状態で、純水ノズ
ル３を排液溝４１の上方に移動させて、その純水ノズル
３から排液溝４１に純水を供給して、排液溝４１内に純
水が溜めることにより、排液溝４１が積極的に洗浄され
てもよい。さらには、排液捕獲部５１が積極的に洗浄さ
れてもよく、この場合、たとえば、スプラッシュガード
５を排液位置に移動させた状態で、スピンチャック１に
ダミーウエハを保持させて回転させるとともに、このダ
ミーウエハの上面に純水ノズル３から純水を供給すれば
よい。こうすれば、ダミーウエハから飛散する純水によ
って排液捕獲部５１を洗浄することができる。

【００３２】また、処理カップ４の排液溝４１および回
収溝４２への純水の供給は、たとえば、スピンチャック
１にダミーウエハを保持させて回転させるとともに、こ
のダミーウエハの上面に純水ノズル３から純水を供給し
て、ダミーウエハからスプラッシュガード５の排液捕獲
部５１または回収液捕獲部５２に純水を飛散させ、その
飛散した純水を排液捕獲部５１または回収液捕獲部５２
からそれぞれ排液溝４１または回収溝４２に流下させる
ことにより達成されてもよい。

【００３３】基板処理装置による処理対象の基板は、ウ
エハに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマデ
ィスプレイパネル用ガラス基板および磁気／光ディスク
用基板などの他の種類の基板であってもよい。また、こ
の発明は、基板に処理液を用いた表面処理を施す装置で
あれば、基板の表面に付着しているポリマーを除去する
ための装置に限らず、たとえば、基板に処理液としての
エッチング液を供給して、基板の表面に形成されている
不要な金属薄膜をエッチング除去する装置や、基板に処
理液としての洗浄液を供給して、基板の表面を洗浄液で
洗浄する装置に適用されてもよい。

【００３４】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を説明するための図である。

【図２】処理カップおよびスプラッシュガードの洗浄処
理について説明するための図解的な断面図である。

【符号の説明】

１スピンチャック２薬液ノズル３純水ノズル４処理カップ５スプラッシュガード７制御部９超音波振動発生器４２回収溝４３仕切壁４６回収ライン４７排液ライン４８回収バルブ４９排液バルブ５１排液捕獲部５２回収液捕獲部５３仕切壁収納溝５４スプラッシュガード昇降駆動機構８１洗浄水供給管８２洗浄水供給バルブＷウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｆ 7/42 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１Ｂ５Ｆ０４６Ｈ０１Ｌ 21/304 ６５１ 21/30 ５７２Ｂ 21/306 21/306 Ｊ 21/30 ５６４Ｃ５６９ＣＦターム(参考） 2H088 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 JC19 2H096 AA25 AA27 AA28 LA02 LA30 3B201 AA46 AB08 AB40 BB01 BB83 BB92 CD22 CD24 CD33 CD43 5F043 CC16 DD19 EE05 EE40 5F046 JA05 MA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に処理液を供給して処理する基板処理
装置であって、基板を保持して回転させる基板保持手段と、この基板保持手段の周囲を取り囲むように設けられてい
て、上記基板保持手段によって回転されている基板から
飛散した処理液を受け止めて、外方への処理液の飛散を
防止する飛散防止部材と、洗浄液を貯留可能であって、その貯留された洗浄液中に
上記飛散防止部材の少なくとも一部を浸漬可能に設けら
れた貯留槽とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】上記貯留槽内の洗浄液と上記飛散防止部材
とを相対的に移動させる相対移動手段をさらに含むこと
を特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】上記相対移動手段は、上記飛散防止部材を
往復移動させる手段を含むものであることを特徴とする
請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】上記相対移動手段は、上記貯留槽内におい
て洗浄液の供給および排液を行う手段を含むものである
ことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装
置。
【請求項５】上記相対移動手段は、上記貯留槽内の洗浄
液に超音波振動を付与する超音波振動付与手段を含むも
のであることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか
に記載の基板処理装置。
【請求項６】上記処理液は、薬液を含み、上記飛散防止部材の少なくとも一部は、上記基板保持手
段による基板の回転時に当該基板から飛散する薬液を受
け止める部位を含むことを特徴とする請求項１ないし５
のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】基板保持手段によって回転されている基板
に処理液を供給して処理を施す基板処理装置において、
上記基板保持手段の周囲を取り囲むように設けられてい
て、上記基板保持手段によって回転されている基板から
飛散した処理液を受け止めて、外方への処理液の飛散を
防止する飛散防止部材を洗浄する方法であって、上記飛散防止部材の少なくとも一部を収容可能な貯留槽
に洗浄液を貯留する工程と、この工程で上記貯留槽に貯留された洗浄液中に上記飛散
防止部材の少なくとも一部を浸漬させる工程とを含むこ
とを特徴とする飛散防止部材の洗浄方法。