JPH01120023A - スピン現像装置 - Google Patents
スピン現像装置Info
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- JPH01120023A JPH01120023A JP27771487A JP27771487A JPH01120023A JP H01120023 A JPH01120023 A JP H01120023A JP 27771487 A JP27771487 A JP 27771487A JP 27771487 A JP27771487 A JP 27771487A JP H01120023 A JPH01120023 A JP H01120023A
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- JP
- Japan
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- substrate
- developing solution
- nozzle
- mechanics
- creeping
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- Pending
Links
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 17
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- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 11
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- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスピン現像装置に関する。
スピン現像装置において、基板を静止又は低速回転させ
た状態で現像すると、現像液が基板裏面へ回り込む現象
が起こり、基板裏面や搬送系の汚れという問題を生じ、
ゴミの発生や他装置のトラブルの原因となる。
た状態で現像すると、現像液が基板裏面へ回り込む現象
が起こり、基板裏面や搬送系の汚れという問題を生じ、
ゴミの発生や他装置のトラブルの原因となる。
そこで従来は、第２図（ａ）、（ｂ）の様な機構にて現
像液が基板裏面へ回り込むのを防止していた。基板１の
裏面に回り込んだ現像液３を、回り込み防止リング１０
により現像液がそれより内周側入口り込むのを防止する
。現像終了後、裏面洗浄ノズル８より裏面洗浄液を吐出
し、回り込んだ現像液を除去していた。
像液が基板裏面へ回り込むのを防止していた。基板１の
裏面に回り込んだ現像液３を、回り込み防止リング１０
により現像液がそれより内周側入口り込むのを防止する
。現像終了後、裏面洗浄ノズル８より裏面洗浄液を吐出
し、回り込んだ現像液を除去していた。
しかし従来技術では、
ａ）！＆板と回り込み防止リングの間隔ｄの調整が難し
い。間隔が小さいと基板のそり等により基板が回り込み
防止リングと当たってしまい、間隔が大きいと現像液の
回り込みを防止できない。
い。間隔が小さいと基板のそり等により基板が回り込み
防止リングと当たってしまい、間隔が大きいと現像液の
回り込みを防止できない。
ｂ）表面張力の小さい現像液においては、回り込み防止
リングでは防ぎきれない。現像液が裏面洗浄が可能な範
囲より内周側に回り込んでしまい、裏面洗浄を行なって
も現像液を除去しきれない。
リングでは防ぎきれない。現像液が裏面洗浄が可能な範
囲より内周側に回り込んでしまい、裏面洗浄を行なって
も現像液を除去しきれない。
という問題点があった。
そこで本発明は、この様な問題点を、解決する為、基板
裏面への現像液の回り込みを、簡単な調整で、現像液の
１！類に関係な（確実に防止できる機構を得る事を目的
とする。
裏面への現像液の回り込みを、簡単な調整で、現像液の
１！類に関係な（確実に防止できる機構を得る事を目的
とする。
本発明のスピン現像装置は、裏面洗浄機構を存するスビ
／現像１ｉ Ｉにおいて、裏面洗浄ノズルの外周側に流
体吐出口を設け、現像中の基板の裏面に流体を吹き付け
られるｉ構を取り付けた事を特徴とする。
／現像１ｉ Ｉにおいて、裏面洗浄ノズルの外周側に流
体吐出口を設け、現像中の基板の裏面に流体を吹き付け
られるｉ構を取り付けた事を特徴とする。
以下に本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図（ａ）において、フォトレジスト２を塗布し露光済
みの基板１の裏面に内カップ５に取り付けた回り込み防
止ノズル６より圧縮空気７を吹き付け、現像液３の回り
込みを防止する。
１図（ａ）において、フォトレジスト２を塗布し露光済
みの基板１の裏面に内カップ５に取り付けた回り込み防
止ノズル６より圧縮空気７を吹き付け、現像液３の回り
込みを防止する。
尚、第１図（ｂ）に示す様に、回り込み防止ノズルには
円周方向に多数の空気吐出口９が明けてあり、チャック
４に固定された基板が静止又は低速回転状態にあっても
、基板の円周方向全体に圧縮空気が行き渡る構造になっ
ている。
円周方向に多数の空気吐出口９が明けてあり、チャック
４に固定された基板が静止又は低速回転状態にあっても
、基板の円周方向全体に圧縮空気が行き渡る構造になっ
ている。
現像が終了したら基板を回転させながらリンス液により
現像液の除去を行ない、さらに裏面洗浄ノズル８より裏
面洗浄液を基板裏面に吹き付ける事により、基板裏面に
付いた僅かな現像液を簡単に除去できる。
現像液の除去を行ない、さらに裏面洗浄ノズル８より裏
面洗浄液を基板裏面に吹き付ける事により、基板裏面に
付いた僅かな現像液を簡単に除去できる。
この実施例では回り込み防止用の流体として圧縮空気を
使用したが、他に圧縮窒素や裏面洗浄液等を使う事もで
きる。また、裏面洗浄は回り込み防止で用いた液体の除
去も兼ねている。
使用したが、他に圧縮窒素や裏面洗浄液等を使う事もで
きる。また、裏面洗浄は回り込み防止で用いた液体の除
去も兼ねている。
以上述べた様に、本発明によれば、裏面洗浄ノズルの外
周側に流体吐出口を設け、基板裏面に流体を吹き付ける
ことにより、現像液が基板裏面に回り込むのを簡単な調
整で確実に防止でき、基板裏面や搬送系の汚れ、それに
よるゴミの発生や他装置のトラブルを低減できるという
効果がある。
周側に流体吐出口を設け、基板裏面に流体を吹き付ける
ことにより、現像液が基板裏面に回り込むのを簡単な調
整で確実に防止でき、基板裏面や搬送系の汚れ、それに
よるゴミの発生や他装置のトラブルを低減できるという
効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の現像液回り込み防
止機構の断面図と平面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は、
従来の現像液回り込み防止機構の断面図と平面図である
。 １・・・基板 ２・・・フォトレジスト ３・・・現像液 ４甲チヤツク ５・・・内カップ ６・・・回り込み防止ノズル ７・・・圧縮空気 ８・・・裏面洗浄ノズル ９・・・空気吐出口 １０・・・回り込み防止リング ｄ・・・基板と回り込み防止リングの間隔基 上 ６田つム御ＰＡＬ） １ニル
止機構の断面図と平面図、第２図（ａ）及び（ｂ）は、
従来の現像液回り込み防止機構の断面図と平面図である
。 １・・・基板 ２・・・フォトレジスト ３・・・現像液 ４甲チヤツク ５・・・内カップ ６・・・回り込み防止ノズル ７・・・圧縮空気 ８・・・裏面洗浄ノズル ９・・・空気吐出口 １０・・・回り込み防止リング ｄ・・・基板と回り込み防止リングの間隔基 上 ６田つム御ＰＡＬ） １ニル
Claims (1)
- 裏面洗浄機構を有する、スピン現像装置において、裏
面洗浄ノズルの外周側に、流体吐出口を設け、現像中の
基板の裏面に流体を吹き付けられる機構を取り付けた事
を特徴とする、スピン現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27771487A JPH01120023A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | スピン現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27771487A JPH01120023A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | スピン現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120023A true JPH01120023A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17587293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27771487A Pending JPH01120023A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | スピン現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120023A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999046064A1 (en) * | 1998-03-13 | 1999-09-16 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
| US6264752B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-07-24 | Gary L. Curtis | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
| US6318385B1 (en) | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
| US6350319B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-02-26 | Semitool, Inc. | Micro-environment reactor for processing a workpiece |
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| US6423642B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
| US6492284B2 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-10 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US6511914B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-01-28 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a workpiece using sonic energy |
| US6543156B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-04-08 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying |
| US6548411B2 (en) | 1999-01-22 | 2003-04-15 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for processing a workpiece |
| US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
| US6680253B2 (en) | 1999-01-22 | 2004-01-20 | Semitool, Inc. | Apparatus for processing a workpiece |
| US7217325B2 (en) | 1999-01-22 | 2007-05-15 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| SG171468A1 (en) * | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP27771487A patent/JPH01120023A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6447633B1 (en) | 1998-03-13 | 2002-09-10 | Semitdol, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
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| US6494956B2 (en) | 1998-03-13 | 2002-12-17 | Semitool, Inc. | System for processing a workpiece |
| US6558470B2 (en) | 1998-03-13 | 2003-05-06 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a microelectronic workpiece |
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| SG171468A1 (en) * | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
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