DE112007000442B4 - Substratbearbeitungsverfahren, Speichermedium und Substratbearbeitungseinrichtung - Google Patents

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Abstract

Substratbearbeitungsverfahren, das einen Siliziumwafer mit einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet und danach den Siliziumwafer trocknet, umfassend: einen ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der den Siliziumwafer mit einer ersten Chemikalienflüssigkeit, die eine SC-1 Lösung oder SC-2 Lösung umfasst, bearbeitet; und/oder einen zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der den Siliziumwafer mit einer zweiten Chemikalienflüssigkeit, die DHF (verdünnter Flusssäure) oder HF (Flusssäurelösung) umfasst, bearbeitet, nach dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt; und einen Trocknungsschritt, der den Siliziumwafer nach dem ersten oder zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt trocknet; dadurch gekennzeichnet, dass in dem Trocknungsschritt die Umgebungsfeuchte um den Siliziumwafer herum auf ein niedrigeres Niveau verringert wird als jenes in dem ersten oder zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt; und dass die Feuchte dadurch gesteuert wird, dass zwischen einem Zustand der Zufuhr von Reinluft zu einem den Siliziumwafer umgebenden Raum und einem Zustand der Zufuhr eines Gases mit niedrigem Taupunkt, das eine Feuchte hat, die niedriger als die der Reinluft ist, derart umgeschaltet wird, dass dem den...

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Substratbearbeitungsverfahren, ein Speichermedium, und eine Substratbearbeitungseinrichtung.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Bei dem Herstellungsprozess für Halbleiterbauelemente wird ein Reinigungsprozess zum Reinigen eines Halbleiter-Wafers (nachstehend als ”Wafer” bezeichnet) mit Prozesslösungen, wie beispielsweise einer Chemikalienflüssigkeit, und einer Spülflüssigkeit durchgeführt. Bei einem derartigen Reinigungsprozess wird, nach Durchführung eines Chemikalienflüssigkeitsbearbeitungsschritts, der eine Chemikalienflüssigkeit wie beispielsweise eine DHF-Lösung (Lösung einer verdünnten Flusssäure) dem Wafer zuführt, und nach Durchführung eines Spülschritts, der eine Spülflüssigkeit, wie beispielsweise entionisiertes Wasser, dem Wafer zuführt, ein Trocknungsschritt zum Trocknen des Wafers durchgeführt.
  • Als ein Beispiel für ein Verfahren zum Trocknen des Wafers ist ein Dampftrocknungsverfahren bekannt, welches den Wafer einem Dampf eines organischen Lösungsmittels, wie beispielsweise IPA (Isopropylalkohol), aussetzt. Weiterhin wurde, um die Erzeugung von Wassermarkierungen während eines Trocknungsschritts zu unterdrücken, ein Verfahren mit Zuführung entfeuchteter Luft vorgeschlagen, um hierdurch die Umgebungsfeuchte um den Wafer herum zu verringern (vergleiche beispielsweise die japanische Gebrauchsmuster-Offenlegungsveröffentlichung JP 6-9139 U ).
  • In DE 696 20 372 T2 wird ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Waschen oder zum Waschen-Trocknen von Substraten offenbart. Eine Halbleiterscheibe wird mit einer Chemikalienflüssigkeit behandelt und anschließend getrocknet, wobei der Trocknungsschritt in mehrere Phasen gegliedert ist, in denen Gase oder Gasgemische mit verschiedenen Feuchtegraden eingesetzt werden, welche durch einen Anteil an Isopropanoldampf in einem Stickstoffstrom eingestellt werden.
  • WO 2005/098918 A1 beschreibt eine Substratverarbeitungsvorrichtung mit einem Verarbeitungstank und einer Trocknungseinheit oberhalb des Verarbeitungstanks. Ein Siliziumwafer wird mit einer Chemikalienflüssigkeit wie DHF bearbeitet, die zur Erhöhung der Hydrophobie des Wafers nach seiner Bearbeitung führt. Während des Arbeitsschritts strömt Reinluft durch einen halbgeöffneten Deckel des Arbeitsraums in die Bearbeitungskammer. Darauf folgen ein Spülprozess und anschließend ein Trocknungsschritt, für den die Atmosphäre in der Kammer gegen eine trockene Stickstoffatmosphäre bei geschlossenem Deckel ausgetauscht wird.
  • In US 2005/0115671 A1 wird auch eine Substratverarbeitungsvorrichtung genannt, in der unter anderem eine Gasphasenbearbeitungseinheit vorgesehen ist, um Dampf auf das Substrat aufzubringen. Der Dampf kann dabei eine Chemikalienflüssigkeit, beispielsweise Fluorwasserstoffsäure aufweisen. Daneben kann auch eine Chemikalienflüssigkeitsbearbeitungseinheit vorgesehen sein, die Fluorwasserstoffsäure als Inhaltsstoff einer Ätzlösung zum Ätzen des Substrats vorsieht. Alternativ kann die Chemikalienflüssigkeitsbearbeitungseinheit einen Reinigungsbehandlungsschritt durchführen, bei dem eine Reinigungsflüssigkeit wie Fluorwasserstoffsäure, eine SC-1 Lösung oder eine SC-2 Lösung verwendet werden, um Fremdstoffe auf der Oberfläche des Substrats zu entfernen.
  • EP 0 833 375 A2 offenbart eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Reinigen von zu verarbeitenden Objekten, wodurch Wasserrückstände auf einer Oberfläche des Objekts zu vermeiden sind. Um Rückstände zu verhindern, wird inertes Gas, beispielsweise Stickstoff, auf den zu reinigenden Gegenstand, beispielsweise einen Wafer, geblasen. Der Raum der hierfür genutzten Trocknungskammer wird dabei von einem Raum, in dem ein Reinigungsverfahren durchgeführt wird, getrennt werden. Als Reinigungsflüssigkeit wird dabei unter anderem eine Mischung aus Ammoniak und Wasserstoffperoxid in einem Chemikalienflüssigkeitsbearbeitungsschritt verwendet. Diese Mischung wird in einem nachfolgenden Spülschritt beispielsweise durch reines Wasser abgespült.
  • US 2004/0060505 A1 beschreibt ein Substratbearbeitungsverfahren, das einen Siliziumwafer mit einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet und danach den Siliziumwafer trocknet. Es wird offenbart, einen Chemikalienflüssigkeitsbearbeitungsschritt, in dem der Siliziumwafer mit einer Chemikalienflüssigkeit, die eine Mischung aus Ammoniak und Wasserstoffperoxid oder eine DHF-Lösung umfasst, bearbeitet wird, durchzuführen, wobei vor und nach dem Chemikalienflüssigkeitsbearbeitungsschritt mit reinem Wasser gespült wird. Danach wird Stickstoff zugeführt, um den Wafer zu trocknen.
  • Um die Feuchte in der Umgebung um den Wafer herum zu verringern, muss eine erhebliche Menge an entfeuchteter Luft zugeführt werden. Dies erhöht die Kosten, die zur Bearbeitung des Wafers auftreten. Insbesondere führt in einem Fall, bei welchem eine Substratbearbeitungseinrichtung einen Bearbeitungsschritt durchführt, der aus verschiedenen Arten von Bearbeitungsschritten ausgesucht ist, in einer Bearbeitungskammer (einem Bearbeitungsraum), oder in einem Fall, in welchem die Substratbearbeitungseinrichtung durchgehend mehrere Arten von Bearbeitungsschritten durchführt, die Verringerung der Feuchte der Umgebung um den Wafer herum bei sämtlichen Bearbeitungsschritten zu erheblichen Erhöhungen der Bearbeitungskosten.
  • BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde angesichts der voranstehend geschilderten Umstände erzielt, und das Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung einer Vorgehensweise zur Bearbeitung eines Substrats, welche die Erzeugung von Wassermarkierungen auf einem Substrat verringern kann, und die Kosten für die Klimatisierung verringern kann.
  • Die vorliegende Erfindung wurde auf Grundlage der Erkenntnisse entwickelt, die als Ergebnis einer Untersuchung erhalten wurden, die von den vorliegenden Erfindern durchgeführt wurde, wobei nämlich ein Fall vorhanden ist, bei welchem der Trocknungsprozess in einer entfeuchteten Atmosphäre durchgeführt werden sollte, und ein Fall, bei welchem es nicht unverzichtbar ist, den Trocknungsprozess in der entfeuchteten Atmosphäre durchzuführen, abhängig von der Art einer Chemikalienflüssigkeit, mit welcher ein Substrat bearbeitet wird (also abhängig von der Art des Prozesses, der bei dem Substrat eingesetzt wird).
  • Um das voranstehend geschilderte Ziel zu erreichen, stellt die vorliegende Erfindung ein Substratbearbeitungsverfahren zur Verfügung, das ein Substrat mit einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, und danach das Substrat trocknet, wobei ein Schritt vorgesehen ist, die Umgebungsfeuchte um das Substrat herum zu steuern, abhängig von der Art der Chemikalienflüssigkeit.
  • Bei dem Substratbearbeitungsverfahren wird die Feuchte zumindest dann gesteuert, wenn das Substrat getrocknet wird.
  • Ein Fluid, welches IPA (Isopropylalkohol) enthält, kann zugeführt werden, nachdem das Substrat mit der Chemikalienflüssigkeit behandelt wurde, und die Feuchte kann gesteuert werden, wenn das IPA enthaltende Fluid zugeführt wird.
  • Das Verfahren kann umfassen: einen Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, welcher das Substrat mit der Chemikalienflüssigkeit bearbeitet; einen Spülbearbeitungsschritt, der das Substrat mit einer Spülflüssigkeit behandelt; einen Flüssigkeitsfilm-Ausbildungsschritt, der ein Fluid, welches IPA enthält, einer oberen Oberfläche des Substrats zuführt, um darauf einen Flüssigkeitsfilm auszubilden; und einen Trocknungsschritt, der das Substrat trocknet, wobei die Feuchte zumindest in dem Flüssigkeitsfilm-Erzeugungsschritt und/oder in dem Trocknungsschritt gesteuert werden kann.
  • In einem Fall, bei welchem die Hydrophobie des Substrats nach der Bearbeitung des Substrats mit der Chemikalienflüssigkeit erhöht werden soll, im Vergleich zu einem Fall, bei welchem das Substrat vorher mit der Chemikalienflüssigkeit behandelt wird, kann die Feuchte niedriger eingestellt werden, über das Steuern das Feuchte, im Vergleich zu einem Fall, in welchem die Hydrophobie des Substrats nicht erhöht werden soll.
  • In einem Fall, bei welchem die Chemikalienflüssigkeit eine DHF-Lösung (Lösung einer verdünnten Flusssäure) oder HF (Flusssäurelösung) ist, kann die Feuchte niedriger eingestellt werden, durch das Steuern der Feuchte, als in einem Fall, bei welchem die Chemikalienflüssigkeit eine SC-1-Lösung oder eine SC-2-Lösung ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird weiterhin ein Substratbearbeitungsverfahren zur Verfügung gestellt, das ein Substrat mit mehreren Arten von Chemikalienflüssigkeiten bearbeitet, und danach das Substrat trocknet, wobei das Verfahren umfasst: einen ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der das Substrat mit einer ersten Chemikalienflüssigkeit bearbeitet oder behandelt; einen zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der das Substrat mit einer zweiten Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, nach dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt; und einen Trocknungsschritt, der das Substrat trocknet, nach dem zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt; wobei zumindest in dem Trocknungsschritt die Umgebungsfeuchte um das Substrat herum auf ein niedrigeres Niveau verringert wird als in dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt. Die zweite Chemikalienflüssigkeit kann eine DHF-Lösung (Lösung von verdünnter Flusssäure) sein.
  • Die Taupunkttemperatur kann auf –40°C oder niedriger eingestellt werden, wenn die Feuchte verringert wird. Die Feuchte kann dadurch gesteuert werden, dass zwischen einem Zustand, bei welchem Reinluft von einer Gebläsefiltereinheit einem das Substrat umgebenden Raum zugeführt wird, und einem Zustand eines Gases mit niedrigem Taupunkt umgeschaltet wird, dessen Feuchte niedriger ist als jene der Reinluft. Das Gas mit niedrigem Taupunkt kann reine Trocknungsluft oder Stickstoffgas sein.
  • Weiterhin wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Speichermedium zur Verfügung gestellt, welches Software speichert, die von einem Steuercomputer ausgeführt werden kann, einer Substratbearbeitungseinrichtung zur Durchführung eines Chemikalienflüssigkeitsprozesses und eines Trocknungsprozesses für ein Substrat, wobei die Software so ausgebildet ist, dass sie die Substratbearbeitungseinrichtung dazu veranlasst, das voranstehend geschilderte Substratbearbeitungsverfahren auszuführen, wenn die Software von dem Steuercomputer ausgeführt wird.
  • Weiterhin wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Substratbearbeitungseinrichtung zur Verfügung gestellt, die ein Substrat mit einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, wobei die Einrichtung aufweist: mehrere Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrquellen, die unterschiedliche Arten von Chemikalienflüssigkeiten zuführen; einen Feuchte-Steuerungsmechanismus, der die Umgebungsfeuchte um das Substrat herum steuert; und eine Steuerung, welche den Feuchte-Steuerungsmechanismus steuert; wobei die Steuerung die Feuchte um das Substrat herum steuert, abhängig von der Art der Chemikalienflüssigkeit.
  • Die Substratbearbeitungseinrichtung kann eine Flüssigkeitszufuhrquelle aufweisen, welche ein Fluid zuführt, welches IPA enthält, wobei die Steuerung so ausgebildet sein kann, dass sie die Feuchte zumindest dann steuert, wenn das IPA enthaltende Fluid dem Substrat zugeführt wird.
  • Die Steuerung kann die Feuchte so steuern, dass in jenem Fall, in welchem die Hydrophobie des Substrats durch Zufuhr der Chemikalienflüssigkeit erhöht werden soll, die Feuchte auf einen niedrigeren Wert eingestellt wird als dann, wenn der Fall vorhanden ist, in welchem die Hydrophobie des Substrats nicht erhöht werden soll.
  • Die Steuerung kann die Feuchte so steuern, dass in einem Fall, bei welchem die Chemikalienflüssigkeit eine DHF-Lösung (Lösung aus verdünnter Flusssäure) ist, die Feuchte niedriger eingestellt wird als in einem Fall, in welchem die Chemikalienflüssigkeit eine SC-1-Lösung oder eine SC-2-Lösung ist.
  • Weiterhin wird gemäß der vorliegenden Erfindung eine Substratbearbeitungseinrichtung zur Verfügung gestellt, die ein Substrat mit einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, wobei die Einrichtung aufweist: mehrere Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrquellen, die unterschiedliche Arten von Chemikalienflüssigkeiten liefern; einen Feuchte-Steuerungsmechanismus, der die Umgebungsfeuchte um das Substrat herum steuert; und eine Steuerung, welche den Feuchte-Steuerungsmechanismus steuert; wobei die Steuerung so ausgebildet ist, dass sie die Einrichtung so steuert, dass ein erster Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt vorgesehen ist, der das Substrat mit einer ersten Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, ein zweiter Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der das Substrat mit einer zweiten Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, nach dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, und ein Trocknungsschritt, der das Substrat nach dem zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt trocknet, und so ausgebildet ist, dass die Umgebungsfeuchte um das Substrat so gesteuert wird, dass die Umgebungsfeuchte zumindest in dem Trocknungsschritt niedriger ist als in dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Trocknungsschritt. Die zweite Chemikalienflüssigkeit kann eine DHF-Lösung sein.
  • Eine Taupunkttemperatur kann auf –40°C oder niedriger eingestellt sein, wenn die Feuchte verringert wird. Die Substratbearbeitungseinrichtung kann so ausgebildet sein, dass sie aufweist: eine FFU (Gebläsefiltereinheit), welche Reinluft liefert; und eine Zufuhrquelle für Gas mit niedrigem Taupunkt, die ein Gas mit niedrigem Taupunkt liefert, dessen Feuchte niedriger ist als jene der Reinluft, und so ausgebildet ist, dass sie zwischen einem Zustand der Zufuhr der Reinluft und einem Zustand der Zufuhr des Gases mit niedrigem Taupunkt zur Umgebung des Substrats umschaltet. Die Substratbearbeitungseinrichtung kann mit einem Einlassbecher versehen sein, welcher die Reinluft empfängt, die von der FFU zugeführt wird; mit einem Reinluft-Zufuhrkanal, der die Reinluft in den Einlassbecher einlässt, zu einem Raum, welcher das Substrat umgibt; und einer Reinluft-Auslassöffnung, welche die Reinluft in dem Einlassbecher zu einem Raum außerhalb des Einlassbechers ausstößt.
  • Die Substratbearbeitungseinrichtung kann aufweisen: einen Hauptzufuhrkanal, der die Reinluft oder das Gas mit niedrigem Taupunkt in einen Raum einlässt, der das Substrat umgibt; einen Reinluft-Zufuhrkanal, der die Reinluft, die von der FFU zugeführt wird, in den Hauptzufuhrkanal einführt; und einen Versorgungskanal für Gas mit niedrigem Taupunkt, der das Gas mit niedrigem Taupunkt, das von der Versorgungsquelle für das Gas mit niedrigem Taupunkt geliefert wird, in den Hauptzufuhrkanal einbringt; und es kann eine Schalteinheit vorgesehen sein, um zwischen einem Zustand umzuschalten, bei welchem der Reinluft-Zufuhrkanal und der Hauptzufuhrkanal in Verbindung stehen, und einem Zustand, in welchem der Reinluft-Zufuhrkanal und der Hauptzufuhrkanal nicht in Verbindung stehen. In der Schalteinheit kann ein stromabwärtiges Ende des Reinluft-Zufuhrkanals so gerichtet sein, dass die Reinluft zu einem stromaufwärtigen Ende des Hauptzufuhrkanals ausgestoßen wird. Der Reinluft-Zufuhrkanal und der Hauptzufuhrkanal können sich entlang einer gemeinsamen, geraden Linie erstrecken. Der Zufuhrkanal für Gas mit niedrigem Taupunkt kann über die Schalteinheit mit dem Hauptzufuhrkanal verbunden sein. Ein stromabwärtiges Ende des Zufuhrkanals für das Gas mit niedrigem Taupunkt kann so gerichtet sein, dass das Gas mit niedrigem Taupunkt zu einer Position abgegeben wird, die sich von dem stromaufwärtigen Ende des Hauptzufuhrkanals unterscheidet. Das Gas mit niedrigem Taupunkt kann Reinluft oder ein Stickstoffgas sein.
  • Gemäß der Erfindung kann auch in jenem Fall, in welchem mehrere Arten von Bearbeitungsschritten selektiv in einer Kammer durchgeführt werden, oder in dem Fall, bei welchem mehrere Arten von Bearbeitungsschritten aufeinander folgend in einer Kammer durchgeführt werden, die Feuchte in der Umgebung um das Substrat nur dann verringert werden, wenn dies erforderlich ist, durch Steuern der Feuchte in der Umgebung des Substrats in Abhängigkeit von der Art der Chemikalienflüssigkeit, welche dem Substrat zugeführt wird. Daher können die Kosten verringert werden, die zum Verringern der Umgebungsfeuchte um das Substrat herum erforderlich sind. Beispielsweise können die Zufuhrmenge und die Kosten des Gases mit niedrigem Taupunkt, wie beispielsweise CDA, verringert werden. Hierdurch können die Kosten verringert werden, die zur Bearbeitung des Substrats erforderlich sind. Weiterhin kann die Erzeugung von Wassermarkierungen bei dem Substrat dadurch verhindert werden, dass wahlweise die Feuchte verringert wird.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Vertikalschnittansicht einer Substratbearbeitungseinrichtung bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine schematische Aufsicht der Anordnung von Bestandteilen in einem Bearbeitungsraum.
  • 3 ist eine erläuternde Ansicht zum Verdeutlichen des Aufbaus eines Feuchte-Steuerungsmechanismus.
  • 4 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche den Aufbau einer Schaltdämpfungsvorrichtung zeigt, und deren Zustand dann zeigt, wenn ein Reinluft-Zufuhrkanal und ein Hauptzufuhrkanal nicht in Verbindung stehen.
  • 5 ist eine schematische Vertikalschnittansicht, welche jenen Zustand erläutert, in welchem der Reinluft-Zufuhrkanal und der Hauptzufuhrkanal in Verbindung miteinander stehen.
  • 6 ist eine schematische Perspektivansicht zur Erläuterung des Betriebsablaufs einer Fluiddüse in einem IPA-Flüssigkeitsfilm-Ausformungsschritts.
  • 7 ist eine schematische Perspektivansicht zur Erläuterung des Betriebsablaufs einer Fluiddüse und einer Inertgasdüse in einem Trocknungsschritt.
  • BESTE ART UND WEISE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Als eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine Substratbearbeitungseinrichtung zum Reinigen der Oberfläche eines Silizium-Wafers als Substrat beschrieben. Wie in 1 gezeigt, ist in einer Kammer 2 einer Substratbearbeitungseinrichtung 1 bei der vorliegenden Ausführungsform eine Schleuderspannvorrichtung 3 so angeordnet, dass sie einen scheibenförmigen Wafer W im Wesentlichen horizontal haltert. In der Kammer 2 ist eine Düse 5 vorgesehen, die als Chemikalienflüssigkeitsdüse dient, um selektiv beispielsweise eine DHF-Lösung (Lösung aus verdünnter Flusssäure) zu liefern, eine SC-1-Lösung (eine Lösungsmischung aus Ammoniak, Wasserstoffperoxid und Wasser) und eine SC-2-Lösung (eine Mischlösung aus Flusssäure, Wasserstoffperoxid und Wasser) und die darüber hinaus als Chemikalienflüssigkeit zum Reinigen dient und auch als Spülflüssigkeitsdüse dient, um beispielsweise entionisiertes Wasser (DIW) als Spülflüssigkeit einem Wafer W zuzuführen. Die Düse 5 ist durch einen Düsenarm 6 gehaltert. In der Kammer 2 sind darüber hinaus eine Flüssigkeitsdüse 12 und eine Inertgasdüse 13 vorgesehen. Die Flüssigkeitsdüse 12 liefert eine IPA enthaltende Flüssigkeit, beispielsweise IPA-Flüssigkeit (Isopropylalkohol) als Fluid mit einer höheren Flüchtigkeit als entionisiertes Wasser, das eine Spülflüssigkeit darstellt. Die Inertgasdüse 13 als eine Trocknungsgasdüse dient dazu, ein Inertgas, beispielsweise Stickstoffgas (N2) als Trocknungsgas zuzuführen. Die Fluiddüse 12 und die Inertgasdüse 13 werden durch einen Trocknungsdüsenarm 15 gehaltert. Ein Feuchte-Steuerungsmechanismus 16 ist vorgesehen, um die Umgebungsfeuchte um den Wafer herum zu steuern, der von der Schleuderspannvorrichtung 3 gehaltert wird, also die Feuchte der Atmosphäre in der Kammer 2 (im Bearbeitungsraum S). Jedes der Bestandteile der Substratbearbeitungseinrichtung 1 wird in Abhängigkeit von den Befehlen eines Steuercomputers 17 gesteuert, als Steuerabschnitt, der eine CPU aufweist.
  • Wie in 2 gezeigt, befinden sich in der Kammer 2 eine Lade- und Entladeöffnung 18 zum Laden bzw. Entladen des Wafers W in den Bearbeitungsraum S in der Kammer 2 bzw. aus diesem heraus, und ein Verschluss 18a zum Öffnen und Schließen der Lade- und Entladeöffnung 18. Durch Schließen der Lade- und Entladeöffnung 18 kann die Atmosphäre, welche den Wafer W umgibt, also der Bearbeitungsraum S, in einen eng verschlossenen Zustand versetzt werden. Die Außenseite der Lade- und Entladeöffnung 18 dient als ein Transportbereich 20, zum Transportieren des Wafers W, und eine Transportvorrichtung 21, die einen Übertragungsarm 21a zum Haltern und Transportieren der Wafer W einzeln aufweist, ist in dem Transportbereich 20 vorgesehen. Wie in 1 gezeigt, ist ein Auslasskanal 24 zum Auslassen des Bearbeitungsraums S in dem Boden der Kammer 2 vorgesehen.
  • Wie in den 1 und 2 gezeigt, weist die Schleuderspannvorrichtung 3 drei Halteteile 3a auf, an ihrem oberen Abschnitt, um den Wafer W im Wesentlichen horizontal zu haltern, durch gegenseitige Anlage der Halteteile 3a an drei Positionen in Bezug auf den Umfangsrand des Wafers W. Ein Motor 25 zum Drehen der Schleuderspannvorrichtung 3 um ihre Drehzentrumsachse, die sich im Wesentlichen in Vertikalrichtung erstreckt, ist an dem unteren Abschnitt der Schleuderspannvorrichtung 3 angebracht. Wenn die Schleuderspannvorrichtung 3 durch Betrieb des Motors 25 gedreht wird, dreht sich der Wafer W im Wesentlichen in einer Horizontalebene um das Zentrum Po des Wafers W als Drehzentrum vereinigt mit der Schleuderspannvorrichtung 3. Bei der dargestellten Ausführungsform dreht sich der Wafer in Gegenuhrzeigerrichtung (CCW), bei Aufsicht von oben auf den Wafer W. Der Betrieb des Motors 25 wird von dem Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Der Düsenarm 6 ist oberhalb des Wafers W angeordnet, der auf der Schleuderspannvorrichtung 3 gehaltert wird. Das proximale Ende des Düsenarms 6 ist bewegbar entlang einer Führungsschiene 31 gehaltert, die im Wesentlichen in Horizontalrichtung verläuft. Ein Antriebsmechanismus 32 ist zum Bewegen des Düsenarms 6 entlang der Führungsschiene 31 vorgesehen. Durch Betreiben des Antriebsmechanismus 32 kann sich der Düsenarm 6 zwischen einer Position oberhalb des auf der Schleuderspannvorrichtung 3 gehalterten Wafers W und einer Position außerhalb (an der linken Seite in 1) des Umfangsrandes des Wafers W bewegen. Bei der Bewegung des Düsenarms 6 bewegt sich die Düse 5 relativ zum Wafer W von der Position im Wesentlichen oberhalb des Zentrums des Wafers W zu einer Position oberhalb von dessen Umfangsrand. Der Betrieb des Antriebsmechanismus 32 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Die Düse 5 ist an dem unteren Ende einer Hebewelle 36 angebracht, die von einem Hebemechanismus 35 nach unten vorsteht, der an der unteren Oberfläche des oberen Endes des Düsenarms 6 angebracht ist. Die Hebewelle 36 kann durch den Hebemechanismus 35 angehoben und abgesenkt werden, wodurch die Düse 5 frei wählbar in Bezug auf die Höhe angeordnet werden kann. Der Betrieb des Hebemechanismus 35 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Mehrere Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrquellen zum Zuführen voneinander verschiedener Chemikalienflüssigkeiten, beispielsweise drei Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrquellen 41, 42, 43, sind jeweils über einen Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrkanal 44, 45 bzw. 46 mit der Düse 5 verbunden. Hierbei ist ein Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrkanal 44, der an die Zufuhrquelle 41 für eine Chemikalienflüssigkeit (DHF-Lösung) zum Zuführen einer DHF-Lösung angeschlossen ist, ein Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrkanal 45, der an die Zufuhrquelle 42 für eine Chemikalienflüssigkeit (SC-1-Lösung) zum Zuführen einer SC-1-Lösung angeschlossen ist, und ein Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrkanal 46, der an die Zufuhrquelle 43 für eine Chemikalienflüssigkeit (SC-2-Lösung) zum Zuführen einer SC-2-Lösung angeschlossen ist, mit der Düse 5 verbunden. Weiterhin ist ein Spülflüssigkeits-Zufuhrkanal 48, der an eine Zufuhrquelle 47 für eine Spülflüssigkeit (DIW) zum Zuführen von DIW angeschlossen ist, mit der Düse 5 verbunden. Ein-/Ausschaltventile 44a, 45a, 46a und 48a sind jeweils in dem Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrkanal 44, 45 bzw. 46 bzw. in dem Spülflüssigkeits-Zufuhrkanal 48 angeordnet. Der Ein-/Ausschaltbetrieb jedes der Ein-/Ausschaltventile 44a, 45a, 46a und 48a wird von dem Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Die DHF-Lösung, die von der Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrquelle 41 zugeführt wird, ist eine Chemikalienflüssigkeit, die einen Film aus Siliziumoxid (SiO2) durch Ätzen entfernen kann, und als Reinigungs-Chemikalienflüssigkeit verwendet wird, um hauptsächlich natürliche Oxidfilme zu entfernen, die sich auf dem Wafer W abgelagert haben. Die SC-1-Lösung, die von der Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrquelle 42 zugeführt wird, wird als eine Reinigungs-Chemikalienflüssigkeit verwendet, um hauptsächlich organische Verunreinigungen und Teilchen (abgelagerte Teilchen) zu entfernen. Die SC-2-Lösung wird als eine Reinigungs-Chemikalienflüssigkeit zum Entfernen metallischer Verunreinigungen und dergleichen verwendet.
  • Der Trocknungsdüsenarm 15 ist oberhalb des Wafers W angeordnet, der auf der Schleuderspannvorrichtung 3 gehaltert wird. Das proximale Ende des Trocknungsdüsenarms 15 ist beweglich entlang einer Führungsschiene 51 gehaltert, die im Wesentlichen horizontal verläuft. Weiterhin ist ein Trocknungsmechanismus 52 vorgesehen, um den Trocknungsdüsenarm 15 entlang der Führungsschiene 51 zu bewegen. Durch den Betrieb des Antriebsmechanismus 52 kann sich der Trocknungsdüsenarm 15 zwischen einer Position oberhalb des Wafers W und einer Position außerhalb (der rechten Seite in 1) des Umfangsrandes des Wafers W bewegen. Entsprechend der Bewegung des Trocknungsdüsenarms 15 bewegen sich die Fluiddüse 12 und die Inertgasdüse 13 relativ zum Wafer W von einer Position etwa oberhalb des Zentrums des Wafers W zu einer Position oberhalb von dessen Umfangsrand. Der Betrieb des Antriebsmechanismus 52 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Ein Hebemechanismus 55, der eine Hebewelle 54 aufweist, ist an der unteren Oberfläche des oberen Endes des Trocknungsdüsenarms 15 angebracht. Die Hebewelle 54 ist so angeordnet, dass sie von dem Hebemechanismus 55 aus nach unten vorsteht, und die Fluiddüse 12 und die Inertgasdüse 13 sind an dem unteren Ende der Hebewelle 54 angebracht. Die Hebewelle 54 fährt durch den Betrieb des Hebemechanismus 55 aus bzw. zieht sich zusammen, wodurch entsprechend die Fluiddüse 12 und die Inertgasdüse 13 angehoben bzw. abgesenkt wird. Der Betrieb des Hebemechanismus 55 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert. In Abhängigkeit von den Befehlen von dem Steuercomputer 17 wird daher der Betrieb des Antriebsmechanismus 52 so gesteuert, dass der Trocknungsdüsenarm 15, die Fluiddüse 12, und die Inertgasdüse 13 sich in Horizontalrichtung bewegen, und wird der Betrieb des Hebemechanismus 55 so gesteuert, dass die Höhe der Fluiddüse 12 und der Inertgasdüse 13 eingestellt wird.
  • Die Fluiddüse 12 und die Inertgasdüse 13 werden so angeordnet, dass sie sich oberhalb des Wafers W entlang einer geraden Linie ausrichten, die in Durchmesserrichtung verläuft, welche das Zentrum des Wafers W und das Ende am weitesten rechts des Umfangsrandes des Wafers W verbindet. Weiterhin ist die Inertgasdüse 13 an der linken Seite der Fluiddüse 12 in 1 angeordnet. Wenn sich daher die Fluiddüse 12 entlang der Bewegungsrichtung D von dem Zentrum Po zur rechten Seite des Umfangsrandes des Wafers W in 1 durch die Bewegung des Trocknungsdüsenarms 15 bewegt, bewegt sich die Inertgasdüse 13 so, dass sie sich an die Fluiddüse 12 anschließt, während sie hinter der Fluiddüse 12 in Bewegungsrichtung D angeordnet ist, also in der Aufsicht zwischen dem Zentrum Po und der Fluiddüse 12 angeordnet ist.
  • Ein Fluid-Zufuhrkanal 67, der an eine Fluid-Zufuhrquelle 66 angeschlossen ist, beispielsweise an einen Tank, in welchem IPA-Flüssigkeit aufbewahrt wird, ist an die Fluiddüse 12 angeschlossen. Ein Ein-/Ausschaltventil 68 ist in dem Fluid-Zufuhrkanal 67 angeordnet. Der Ein-/Ausschaltbetrieb des Ein-/Ausschaltventils 68 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Ein Inertgaszufuhr-Düsenkanal 72, der an eine Versorgungsquelle 71 für ein Inertgas (N2) angeschlossen ist, ist mit der Inertgasdüse 13 verbunden. Ein Ein-/Ausschaltventil 73 ist in dem Inertgas-Zufuhrkanal 72 vorgesehen. Der Ein-/Ausschaltbetrieb des Ein-/Ausschaltventils 73 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Als nächstes wird der Feuchte-Steuerungsmechanismus 16 beschrieben. Wie in 1 gezeigt, weist der Feucht-Steuerungsmechanismus 16 eine Gaszufuhrkammer 91 auf, um saubere Luft oder CDA (saubere, getrocknete Luft (saubere Luft mit niedrigem Taupunkt)) als ein Feuchte-Steuergas (Luft) in einen Bearbeitungsraum S einzublasen, sowie eine Feuchte-Steuergas-Zufuhrleitung 92 zum Zuführen eines Feuchte-Steuergases zur Gaszufuhrkammer 91. Der Feuchte-Steuerungsmechanismus 16 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Die Gaszufuhrkammer 91 ist an dem Abschnitt der Decke der Kammer 2 angeordnet, also oberhalb des Wafers W, der durch die Schleuderspannvorrichtung 3 gehaltert wird. Wie in 3 gezeigt, sind mehrere Gasauslassöffnungen 91a zum Auslassen eines Feuchte-Steuergases aus dem Inneren der Gaszufuhrkammer 91 in der unteren Oberfläche der Gaszufuhrkammer 91 so vorgesehen, dass sie gleichmäßig über die gesamte untere Oberfläche verteilt sind. Hierbei sind die mehreren Gasauslassöffnungen 91a so angeordnet, dass sie gleichmäßig der gesamten unteren Oberfläche des Wafers W zugewandt sind, der von der Schleuderspannvorrichtung 3 gehaltert wird, so dass ein gerichteter Fluss nach unten des Feuchte-Steuergases in dem Bearbeitungsraum S ausgebildet wird. Als eine untere Platte 91b, welche die untere Oberfläche der Gaszufuhrkammer 91 bildet, kann eine gestanzte Platte (ein gestanztes Sieb), also eine Platte, die mit zahlreichen Löchern durch Pressstanzen versehen wurde, zum Beispiel eingesetzt werden, und es können die Löcher in der gestanzten Platte als die Gasauslassöffnungen 91a verwendet werden.
  • Das stromabwärtige Ende der Feuchte-Steuergas-Zufuhrleitung 92 (also ein horizontaler Abschnitt 101a eines Hauptflusskanals 101, der nachstehend genauer erläutert wird) ist mit der Seitenwand der Gaszufuhrkammer 91 verbunden.
  • Die Feuchte-Steuergas-Zufuhrleitung 92 weist auf: einen Hauptzufuhrkanal 101 zum Zuführen des Feuchte-Steuergases zu der Gaszufuhrkammer 91, und um dieses durch die Gaszufuhrkammer 91 in den Bearbeitungsraum S einzulassen; eine FFU (Gebläsefiltereinheit: Luftreinigungsvorrichtung) 102 als eine Feuchte-Steuergas-Zufuhrquelle zum Zuführen von Reinluft; einen Reinluft-Zufuhrkanal 103 zum Einbringen der Reinluft, die von der FFU 102 zugeführt wird, in den Hauptzufuhrkanal 101; eine CDA-Zufuhrquelle 104 als eine Feuchte-Steuergas-Zufuhrquelle (Zufuhrquelle für Gas mit niedrigem Taupunkt) zum Zuführen von CDA; und einen CDA-Zufuhrkanal (Zufuhrkanal für Gas mit niedrigem Taupunkt) 105 zum Zuführen von CDA, das von der CDA-Zufuhrquelle 104 zugeführt wurde, zum Hauptzufuhrkanal 101. Das stromaufwärtige Ende des Hauptzufuhrkanals 101 und das stromabwärtige Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 sind miteinander durch eine Schaltdämpfungsvorrichtung 107 als ein Schaltabschnitt verbunden. Das stromaufwärtige Ende des Hauptzufuhrkanals 101 und das stromabwärtige Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 sind ebenfalls miteinander durch die Schaltdämpfungsvorrichtung 107 verbunden.
  • Der Hauptzufuhrkanal 101 weist beispielsweise einen inneren Flusskanal in Form einer rohrförmigen Rohrleitung auf, die im Wesentlichen L-förmig ausgebildet ist, mit einem horizontalen Abschnitt 101a, der im Wesentlichen in Horizontalrichtung verläuft, und einem vertikalen Abschnitt 101b, der im Wesentlichen in Vertikalrichtung verläuft. Das obere Ende des horizontalen Abschnitts 101a ist zur Seitenwand der Gaszufuhrkammer 91 in offen. Das obere Ende des vertikalen Abschnitts 101b ist zu der Schaltdämpfungsvorrichtung 107a hin offen (einer unteren Oberfläche eines Gehäuses 121, wie dies nachstehend geschildert wird).
  • Die FFU 102 ist oberhalb außerhalb der Kammer 2 angeordnet, beispielsweise an einer Decke des Reinraums, in welchem die Substratbearbeitungseinrichtung 1 vorgesehen ist, oder an einer Decke eines Bearbeitungssystems, in welches die Substratbearbeitungseinrichtung 1 eingebaut ist. Bei der dargestellten Ausführungsform ist die FFU 102 an der Decke eines Transportbereichs 20 angeordnet. Obwohl nicht dargestellt, sind ein Gebläse zum Zuführen von Luft, ein Filter zum Reinigen der Luft, damit diese zu Reinluft wird, und dergleichen, innerhalb der FFU 102 angeordnet. Weiterhin sind eine Gleichrichterplatte, mehrere Reinluft-Auslassöffnungen zum Auslassen der Reinluft, und dergleichen, an der unteren Oberfläche der FFU 102 angeordnet, und wird gerichtete Reinluft von der unteren Oberfläche der FFU 102 abgegeben, um einen nach unten gerichteten Fluss der Reinluft zu erzeugen.
  • Ein Einlassbecher 110 zum Aufnehmen der Reinluft, die von der FFU 102 zugeführt wird, und um diese in den Reinluft-Zufuhrkanal 103 einzubringen, ist unterhalb der FFU 102 angeordnet. Der Einlassbecher 110 weist eine Öffnung 110a am oberen Ende auf, und ist so angeordnet, dass die Öffnung 110a entgegengesetzt zur unteren Oberfläche der FFU 102 angeordnet ist. Das stromaufwärtige Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 ist mit der unteren Oberfläche des Einlassbechers 110 verbunden. Weiterhin ist ein Zwischenraum 111, der als eine Reinluft-Auslassöffnung zum Auslassen der Reinluft aus dem Inneren des Einlassbechers 110 dient, zwischen dem oberen Rand an einer Seitenwand des Einlassbechers 110 und der unteren Oberfläche der FFU 102 vorgesehen.
  • Der Reinluft-Zufuhrkanal 103 weist beispielsweise einen inneren Flusskanal in Form einer rohrförmigen Rohrleitung auf, und erstreckt sich im Wesentlichen geradlinig in Vertikalrichtung von der unteren Oberfläche des Einlassbechers 110 aus nach unten. Das stromabwärtige Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 ist mit der oberen Oberfläche einer Schaltdämpfungsvorrichtung 107 verbunden (also einer oberen Oberfläche eines Gehäuses 121, wie dies nachstehend erläutert wird). Das stromabwärtige Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 und das stromaufwärtige Ende des vertikalen Abschnitts 101b des voranstehend beschriebenen Hauptzufuhrkanals 101 sind so angeordnet, dass sie einander zugewandt sind, wobei das Innere der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 (also eine Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123, wie dies nachstehend beschrieben wird) dazwischen angeordnet ist. Der Reinluft-Zufuhrkanal 103 und der vertikale Abschnitt 101b sind so angeordnet, dass sie im Wesentlichen auf einer gemeinsamen Vertikallinie ausgerichtet sind.
  • Als die CDA-Zufuhrquelle 104 kann beispielsweise ein Vorratsbehälter eingesetzt werden, in welchem CDA unter Druck aufbewahrt wird. Das CDA kann dadurch erzeugt werden, dass Verunreinigungen, wie beispielsweise organische Bestandteile, Wasser, und dergleichen, in Druckluft entfernt (gereinigt) werden, unter Verwendung einer Reinigungsvorrichtung, die mit einem Absorptionsmittel oder einem Katalysator gefüllt ist.
  • Die Feuchte von CDA ist deutlich niedriger als jene üblicher Luft (Atmosphärenluft) und jene der Reinluft, die von der FFU 102 zugeführt wird. Daher ist die Taupunkttemperatur niedriger als jene üblicher Luft und von Reinluft. Die Taupunkttemperatur des CDA, das von der CDA-Zufuhrquelle 104 zugeführt wird, beträgt vorzugsweise etwa –40°C oder weniger, und bevorzugter etwa –110°C bis etwa –120°C.
  • Ein Ein-/Ausschaltventil 112 ist in dem CDA-Zufuhrkanal 105 angeordnet, zum Umschalten zwischen einem Zustand, in welchem dessen stromaufwärtige Seite (die Seite der Zufuhrquelle 104) und dessen stromabwärtige Seite (die Seite der Schaltdämpfungsvorrichtung 107) miteinander in Verbindung stehen, und einem Zustand, in welchem sie voneinander getrennt sind. Das stromabwärtige Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 ist mit der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 verbunden. Der Ein-/Ausschaltbetrieb des Ein-/Ausschaltventils 112 wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Wie in den 4 und 5 gezeigt, weist die Schaltdämpfungsvorrichtung 107 ein Gehäuse 121 auf, und ein bewegliches Teil 122, das im Wesentlichen plattenförmig ausgebildet ist, welches die stromabwärtige Endöffnung des Reinluft-Zufuhrkanals 103 in dem Gehäuse 121 öffnet und schließt.
  • Das Gehäuse 121 ist im Wesentlichen quaderförmig ausgebildet, und weist eine Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 auf, die mit dem Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 verbunden ist, und eine CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124, die mit dem Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 verbunden ist. Die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 und die CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 sind so angeordnet, dass sie nebeneinander in Seitenrichtung angeordnet sind, und miteinander in Verbindung stehen. Bei der dargestellten Ausführungsform bildet die rechte Hälfte (an der Seite der inneren Seitenoberfläche 121c des Gehäuses 121) die Reinluft-Zufuhrkanalverbindung 123, und bildet die verbleibende linke Hälfte (an der Seite der inneren Seitenoberfläche 121d entgegengesetzt zur inneren Oberfläche 121c und zur Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123) die CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 in dem Raum innerhalb des Gehäuses 121.
  • In dem Abschnitt entsprechend der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 öffnet sich das untere Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 zur oberen Oberfläche (der Deckenoberfläche) 121a des Gehäuses 121 hin, und öffnet sich das stromaufwärtige Ende des Hauptzufuhrkanals 101 (des vertikalen Abschnitts 101b) zur unteren Oberfläche (Unterseite) 121b des Gehäuses 121 hin. Daher ist das Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 an einem Ort oberhalb des Endes des Hauptzufuhrkanals 101 angeordnet, und entgegengesetzt zum Ende des Hauptzufuhrkanals 101, wobei die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 dazwischen angeordnet ist; und ist das Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 in jene Richtung gerichtet, die ermöglicht, dass die Reinluft zum Ende des Hauptzufuhrkanals 101 abgelassen wird.
  • Das bewegbare Teil 122 ist in der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 angeordnet, und ist drehbar durch das Gehäuse 121 über eine Drehzentrumswelle 126 gehaltert. Die Drehzentrumswelle 126 ist an der Seite der oberen Oberfläche 121a des Gehäuses 121 in der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 an der Seite des Endes des Reinluft-Zufuhrkanals 103 angeordnet (also an der Seite der Innenseite 121c in Seitenrichtung), und haltert den Rand des bewegbaren Teils 122. Das bewegbare Teil 122 dreht sich um die Drehzentrumswelle 126 als Drehzentrum, so dass es eine Seitenoberfläche (obere Oberfläche) des bewegbaren Teils 122 dazu veranlassen kann, sich an das Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 anzunähern und von diesem zu entfernen. Im Einzelnen ist das bewegbare Teil 122 seitlich entlang der oberen Oberfläche 121a angeordnet, und kann sich zu der geschlossenen Position P1 zum Schließen des Endes des Reinluft-Zufuhrkanals 103 durch eine Seitenoberfläche des bewegbaren Teils 122 (4) bewegen, und zu einer geöffneten Position P2, zurückgezogen gegenüber dem Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103, um das Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 (5) zu öffnen. In der geöffneten Position P2 ist das bewegbare Teil 122 unterhalb der Drehzentrumsachse 126 in Vertikalrichtung angeordnet, so dass es sich entlang der inneren Seitenoberfläche 121c befindet. Der Drehbetrieb des bewegbaren Teils 122, also der Vorgang des Schaltens des Reinluft-Zufuhrkanals 103 zwischen dem Verbindungszustand und dem getrennten Zustand in Bezug auf den Hauptzufuhrkanal 101, wird durch den Steuercomputer 17 gesteuert.
  • Die CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 ist an der Seite der Innenseitenoberflächen 121d des Gehäuses 121 angeordnet. Das stromabwärtige Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 ist in die CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 eingeführt, so dass es in Vertikalrichtung die untere Oberfläche 121b des Gehäuses 121 durchdringt. Das stromabwärtige Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 ist offen, so dass es der Innenseitenoberfläche 121d zugewandt ist, und in jene Richtung gerichtet ist, bei welcher das CDA zur Innenseitenoberfläche 121d abgelassen wird. Im Inneren der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 ist daher das Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 an einem Ort angeordnet, an welchem es nicht dem Ende des Hauptzufuhrkanals 101 zugewandt ist, und ist in jene Richtung gerichtet, in welcher das CDA zu jener Position abgelassen wird, die sich vom Ende des Hauptzufuhrkanals 101 unterscheidet. Bei einer derartigen Ausbildung kann die Fließkraft des CDA, das von dem Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 abgelassen wird, geschwächt werden, im Vergleich zu einem Fall, in welchem das Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 zu der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 gerichtet ist, oder einem Fall, in welchem es so gerichtet ist, dass das CDA zum Ende des Hauptzufuhrkanals 101 abgelassen wird.
  • Als nächstes wird der Steuercomputer 17 beschrieben. Wie in 1 gezeigt, ist jedes der Funktionselemente der Substratbearbeitungseinrichtung 1 über eine Signalleitung an den Steuercomputer 17 angeschlossen, der automatisch den gesamten Betrieb der Substratbearbeitungseinrichtung 1 steuert. Mit den Funktionselementen sind hierbei beispielsweise sämtliche Elemente gemeint, die so arbeiten, dass vorbestimmte Bearbeitungsbedingungen des Motors 25, des Antriebsmechanismus 32, des Hebemechanismus 35, des Antriebsmechanismus 52, des Hebemechanismus 55, der Ein-/Ausschaltventile 44a, 45a, 46a, 48a, 68 und 73, der Schaltdämpfungsvorrichtung 107, des Ein-/Ausschaltventils 112, usw. erzielt werden, die voranstehend beschrieben wurden. Der Steuercomputer 17 ist typischerweise ein Allzweckcomputer, der Funktionen je nach Wahl auf Grundlage der auszuführenden Software bereitstellen kann.
  • Wie in 1 gezeigt, weist der Steuercomputer 17 einen Betriebsabschnitt 17a auf, der mit einer CPU (zentralen Verarbeitungseinheit) versehen ist, einen Eingabe-/Ausgabeabschnitt 17b, der mit dem Betriebsabschnitt 17a verbunden ist, und ein Speichermedium 17c, das in den Eingabe-/Ausgabeabschnitt 17b eingeführt ist, und Steuer-Software speichert. Steuer-Software zum Veranlassen der Substratbearbeitungseinrichtung 1, ein vorbestimmtes Substratbearbeitungsverfahren durchzuführen, das später beschrieben wird, mittels Ausführung durch den Steuercomputer 17, ist in dem Speichermedium 17c gespeichert. Durch Ausführung der Steuer-Software steuert der Steuercomputer 17 jedes der Funktionselemente der Substratbearbeitungseinrichtung 1 so, dass verschiedene Bearbeitungsbedingungen erreicht werden, die durch ein vorbestimmtes Prozessrezept festgelegt werden (beispielsweise die Anzahl der Drehungen des Motors 25). Das Substratbearbeitungsverfahren auf Grundlage der Steuer-Software umfasst einen Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, einen Spülschritt, einen Schritt zur Ausbildung eines IPA-Flüssigkeitsfilms, und einen Trocknungsschritt, wie dies im Einzelnen nachstehend geschildert wird, und es werden die Steuerungen zur Ausführung der Schritte nacheinander durchgeführt.
  • Das Speichermedium 17c kann fest an dem Steuercomputer 17 vorgesehen sein, oder kann abnehmbar an einem nicht dargestellten Lesegerät angebracht sein, das bei dem Steuercomputer 17 vorgesehen ist, und von dem Lesegerät gelesen werden. Bei einer besonders typischen Ausführungsform ist das Speichermedium 17c ein Festplattenlaufwerk, welches mit Steuer-Software durch eine Bedienungsperson eines Herstellers der Substratbearbeitungseinrichtung 1 installiert wird. Bei einer anderen Ausführungsform ist das Speichermedium 17c eine entfernbare Diskette, die mit Steuer-Software beschrieben ist, beispielsweise eine CD-ROM oder eine DVD-ROM. Eine derartige, entfernbare Diskette wird durch ein nicht dargestelltes optisches Lesegerät gelesen, das bei dem Steuercomputer 17 vorhanden ist. Weiterhin kann das Speichermedium 17c entweder ein RAM (Speicher mit wahlfreiem Zugriff) oder ein ROM (Nur-Lese-Speicher) sein. Weiterhin kann das Speichermedium 17c ein ROM des Kassettentyps sein. Zusammengefasst kann als das Speichermedium 17c jedes Speichermedium eingesetzt werden, das auf dem technischen Gebiet von Computern bekannt ist. In einer Fabrik, in welcher mehrere Substratbearbeitungseinrichtungen 1 vorhanden sind, kann die Steuer-Software in einem Steuercomputer gespeichert sein, um zusammen die Steuercomputer 17 für jede der Substratbearbeitungseinrichtungen 1 zu steuern. In diesem Fall wird jede der Substratbearbeitungseinrichtungen 1 durch einen Steuercomputer über ein Kommunikationsnetzwerk betrieben, um einen vorbestimmten Prozess auszuführen.
  • Als nächstes erfolgt die Beschreibung eines Verfahrens zum Bearbeiten eines Wafers W unter Verwendung der wie voranstehend geschildert ausgebildeten Substratbearbeitungseinrichtung 1. Die Substratbearbeitungseinrichtüng 1 kann mehrere Arten von Reinigungsprozessen durchführen, beispielsweise drei Arten von Reinigungsprozessen, nämlich einen ersten Reinigungsprozess L1, bei welchem DHF-Lösung eingesetzt wird, einen zweiten Reinigungsprozess L2, bei welchem SC-1-Lösung verwendet wird, und einen dritten Reinigungsprozess L3, bei welchem SC-2-Lösung verwendet wird, wobei einer von diesen in Abhängigkeit davon ausgewählt wird, was entfernt werden soll. Beispielsweise wird im Falle der Entfernung natürlicher Oxidfilme, die auf der Oberfläche des Wafers W vorhanden sind, der Reinigungsprozess L1 durchgeführt. Im Falle des Entfernens organischer Verunreinigungen oder Teilchen, die an der Oberfläche des Wafers W anhaften, wird der Reinigungsprozess L2 durchgeführt. Weiterhin wird im Falle des Entfernens metallischer Verunreinigungen, die sich auf der Oberfläche des Wafers W abgelagert haben, wird der Reinigungsprozess L3 durchgeführt.
  • Bevor ein Prozess mit dem Wafer W in der Substratbearbeitungseinrichtung 1 durchgeführt wird, erkennt der Steuercomputer 17 einen durchzuführenden Reinigungsprozess unter den Reinigungsprozessen L1, L2 und L3 unter Bezugnahme auf das ausgewählte Bearbeitungsrezept. Weiterhin führt der Steuercomputer 17 eine Steuerung zum Steuern der Feuchte in dem Bearbeitungsraum S durch, auf Grundlage des Reinigungsprozesses (L1, L2, L3), also auf Grundlage der Arten der Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W zugeführt werden soll.
  • Im Falle der Durchführung des Reinigungsprozesses L1, also im Falle der Verwendung der DHF-Lösung, wird IPA-Flüssigkeit nach dem Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt verwendet, wie dies nachstehend genauer erläutert wird. In diesem Fall wird CDA von der Gaszufuhrkammer 91 zugeführt, um die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S zu verringern. Im Fall der Durchführung des Reinigungsprozesses L2, also im Falle der Verwendung der SC-1-Lösung, wird IPA-Flüssigkeit nicht nach dem Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt eingesetzt, wie dies nachstehend erläutert wird. In diesem Fall wird Reinluft von der Gaszufuhrkammer 91 zugeführt. Auch im Falle der Durchführung des Reinigungsprozesses L3, also bei Verwendung der SC-2-Lösung, wird ebenso wie bei dem Reinigungsprozess L2 keine IPA-Flüssigkeit nach dem Chemikalienflüssigkeits-Reinigungsschritt eingesetzt. Auch in diesem Fall wird die Reinluft von der Gaszufuhrkammer 91 zugeführt. Wie voranstehend erwähnt, liefert der Steuercomputer 17 entweder das CDA oder die Reinluft an den Bearbeitungsraum 12 durch Betreiben des Feuchte-Steuerungsmechanismus 16 auf Grundlage der Auswahl des durchzuführenden Reinigungsprozesses L1, L2 oder L3, also abhängig von der Art der Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W zugeführt werden soll (genauer gesagt, abhängig davon, ob die IPA-Flüssigkeit nach dem Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt eingesetzt wird oder nicht oder abhängig von dem Ausmaß der Hydrophobie des Wafers W nach dem Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt).
  • Zuerst erfolgt die Beschreibung eines Falls, in welchem CDA von der Gaszufuhrkammer 91 zugeführt wird. In diesem Fall wird das bewegbare Teil 122 der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 in die geschlossene Position P1 versetzt (vergleiche 4), und befindet sich das Ein-/Ausschaltventil 112 im geöffneten Zustand, entsprechend Steuerbefehlen von dem Steuercomputer 17. Es wird daher ein Zustand eingestellt, bei welchem die FFU 102 und der Reinluft-Zufuhrkanal 103 von dem Hauptzufuhrkanal 101 durch das bewegbare Teil 122 abgetrennt sind, und die CDA-Zufuhrquelle 104 und der CDA-Zufuhrkanal 105 mit dem Hauptzufuhrkanal 101 verbunden sind.
  • In einem derartigen Zustand wird CDA, das von der CDA-Zufuhrquelle 104 geliefert wird, durch den CDA-Zufuhrkanal 105 in die CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 eingelassen. Wie in 4 gezeigt, wird in der CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 das CDA von dem Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 zur inneren Seitenoberfläche 121d abgelassen, die auf der Seite entgegengesetzt zur Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 in seitlicher Richtung angeordnet ist. Dann wird die Flussrichtung des CDA durch Stoß gegen die innere Seitenoberfläche 121d umgekehrt, so dass sie zur Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 gerichtet ist. Dann fließt das CDA von der CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 zur Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123, fließt in das Ende des Hauptzufuhrkanals 101, das an dem unteren Abschnitt der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 angeordnet ist, und wird dann durch den Hauptzufuhrkanal 101 in die Gaszufuhrkammer 91 eingelassen. Dann wird es vergleichmäßigt durch mehrere der Gasauslassöffnungen 91a, und von dort nach unten abgelassen. Wie voranstehend erwähnt, wird das von der CDA-Zufuhrquelle 104 zugeführte CDA dadurch in dem Bearbeitungsraum S eingegeben, dass es durch den CDA-Zufuhrkanal 105 hindurchgeht, die CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124, die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123, den Hauptzufuhrkanal 101, und die Gaszufuhrkammer 91, und zwar nacheinander. Das so dem Bearbeitungsraum S zugeführte CDA bewegt sich nach unten in dem Bearbeitungsraum S, und wird von dem Bearbeitungsraum S durch den Auslasskanal 24 abgegeben, der am Boden der Kammer 2 angeordnet ist. Da der Bearbeitungsraum S während der Zufuhr des CDA in dem Bearbeitungsraum S abgesaugt wird, wird die Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S durch das CDA ausgetauscht, und wird die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S verringert (wird die Taupunkttemperatur abgesenkt). Die Taupunkttemperatur der Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S wird auf dieselbe Taupunkttemperatur wie jene des CDA verringert, beispielsweise auf etwa –40°C oder weniger, vorzugsweise auf etwa –110°C bis –120°C. Hierdurch wird ermöglicht, die Menge an Wasser zu verringern, die in dem IPA-Flüssigkeitsfilm-Ausbildungsschritt des Reinigungsprozesses L1 oder des nachstehend erläuterten Trocknungsschritts eindringt. Weiterhin kann in dem nachstehend erläuterten Trocknungsschritt die Trocknungsleistung für den Wafer W verbessert werden. Normalerweise kann in dem Reinigungsraum, in welchem die Substratbearbeitungseinrichtung 1, usw. installiert sind, bei normaler Temperatur (etwa 23°C) und relativer Feuchte von etwa 40% bis 45%, die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S auf ein Niveau verringert werden, das niedriger ist als die relative Feuchte in dem Reinraum.
  • Wie voranstehend geschildert, kann in der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 infolge der Tatsache, dass das CDA zunächst von dem Ende des CDA-Zufuhrkanals 105 zur inneren seitlichen Oberfläche 121d abgelassen wird, und dann eine Richtungsumkehr erfährt, das CDA glatt mit geeigneter Flussgeschwindigkeit in die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 eingelassen werden. Weiterhin wird in der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 das CDA seitlich von der CDA-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 124 zu der Beinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 eingelassen, wird die Flussrichtung des CDA von der Seitenrichtung in die Vertikalrichtung in der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 geändert, und wird dann das CDA in die Endöffnung des Hauptflusskanals 101 unterhalb der Kammer 123 eingelassen. Daher kann die Flussgeschwindigkeit des CDA weiter verringert werden, und kann das CDA glatt mit geeigneter Flussgeschwindigkeit in das Ende der Hauptzufuhrkammer 101 eingelassen werden. Daher kann das CDA glatt mit stabiler Flussrate dem Bearbeitungsraum S zugeführt werden, und kann die Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S ordnungsgemäß durch das CDA ersetzt werden.
  • Durch seitliches Einlassen des CDA in die Gaszufuhrkammer 91 von deren Seitenwand aus, kann darüber hinaus das CDA gleichmäßig durch die jeweiligen Gasauslassöffnungen 91a abgelassen werden, nachdem das CDA durch das gesamte innere der Gaszufuhrkammer 91 diffundiert ist. Im Vergleich zu jenem Fall, bei welchem das CDA von der Decke der Gaszufuhrkammer 91 eingelassen wird, kann das CDA wirksamer über das gesamte Innere der Gaszufuhrkammer 91 diffundieren, und kann gleichmäßiger von den jeweiligen Gasauslassöffnungen 91a abgelassen werden. Daher kann das CDA dem gesamten Bearbeitungsraum S zugeführt werden, wodurch eine Verringerung der Feuchte in dem Bearbeitungsraum S ohne Ungleichmäßigkeiten sichergestellt wird.
  • Das Gebläse in der FFU 102 arbeitet ständig, unabhängig davon, ob entweder das CDA oder die Reinluft dem Bearbeitungsraum S zugeführt wird, und die Reinluft wird immer von der FFU 102 zugeführt. Wie voranstehend geschildert, kann in einem Fall, in welchem das stromabwärtige Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 durch das bewegbare Teil 122 verschlossen ist, die Reinluft, die von der FFU 102 zum Einlassbecher 110 zugeführt wird, und zum Reinluft-Zufuhrkanal 103, nicht in die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 fließen, und wird durch den Zwischenraum 111 (vgl. 3) nach außerhalb des Einlassbechers 110 abgelassen, so dass sie aus dem Einlassbecher 110 überläuft. Bei der Ausbildung, die es der Reinluft in dem Einlassbecher 110 ermöglicht, durch den Zwischenraum 111 abgegeben zu werden, wie voranstehend geschildert, kann ein Fluss in Rückwärtsrichtung der Reinluft zu der FFU 102 verhindert werden, selbst wenn die FFU 102 ständig in Betrieb ist, während die Reinluft nicht dem Bearbeitungsraum S zugeführt wird. Dies stabilisiert den Betrieb des Gebläses, und verhindert unerwünschte Auswirkungen auf die FFU 102. Weiterhin ist das Schalten der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 schneller als das Umschalten zwischen dem Betrieb und der Unterbrechung der FFU 102; und ist der Betriebswirkungsgrad der FFU 102 höher. Weiterhin kann die Reinluft, die durch den Zwischenraum 111 nach außerhalb des Einlassbechers 110 abgegeben wird, in den Transportbereich 20 eingelassen werden.
  • Als nächstes erfolgt die Beschreibung eines Falles, in welchem Reinluft von der Gaszufuhrkammer 91 zugeführt wird. In diesem Fall wird das bewegbare Teil 122 der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 in die geöffnete Position P2 verstellt (vgl. 5), und wird das Ein-/Ausschaltventil 112 in den geschlossenen Zustand versetzt, entsprechend Steuerbefehlen von dem Steuercomputer 17. Die FFU 102 und der Reinluft-Zufuhrkanal 103 stehen daher in Verbindung mit dem Hauptzufuhrkanal 101, und die CDA-Zufuhrquelle 104 und der CDA-Zufuhrkanal 105 sind von dem Hauptzufuhrkanal 101 abgeschaltet.
  • In dem voranstehend geschilderten Zustand fließt die Reinluft, die von der FFU 102 geliefert wird, durch den Öffnungsabschnitt 110a in den Einlassbecher 110, und wird dann von dem Einlassbecher 110 durch den Reinluft-Zufuhrkanal 103 in die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 eingelassen. Dann wird die Reinluft von der Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123 durch den Hauptzufuhrkanal 101 in die Gaszufuhrkammer 91 eingelassen. Dann wird die Reinluft durch die mehreren Gasauslassöffnungen 91a vergleichmäßigt, und von dort nach unten abgelassen. Wie voranstehend geschildert, geht die von der FFU 102 zugeführte Reinluft nacheinander durch den Einlassbecher 110, den Reinluft-Zufuhrkanal 103, die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123, den Hauptzufuhrkanal 101 und die Gaszufuhrkammer 91 hindurch, und wird dann in den Bearbeitungsraum S eingelassen. Die in den Bearbeitungsraum S zugeführte Reinluft sinkt in dem Bearbeitungsraum S herunter, und wird dann durch den Auslasskanal 24 von dem Bearbeitungsraum S abgelassen. Wie voranstehend geschildert wird, da ein Absaugen durchgeführt wird, während die Reinluft dem Bearbeitungsraum S zugeführt wird, die Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S durch die Reinluft ersetzt. In diesem Fall ist die Taupunkttemperatur der Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S beispielsweise im Wesentlichen identisch zu jener in dem Reinraum.
  • In einem Zustand, in welchem das bewegbare Teil 122 in die geöffnete Position P2 gestellt ist, hat sich das bewegbare Teil 122 aus einem Raum zwischen dem Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 und dem Ende des Hauptzufuhrkanals 101 zurückgezogen, so dass eine Störung des Flusses der Reinluft von dem Ende des Reinluft-Zufuhrkanals 103 zum Ende des Hauptkanals 101 durch das bewegbare Teil 122 verhindert werden kann. Da der Reinluft-Zufuhrkanal 103, die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123, und der vertikale Abschnitt 101b des Hauptzufuhrkanals 101 im Wesentlichen entlang einer gemeinsamen, geraden Linie ausgerichtet sind, kann darüber hinaus die im vergleichmäßigten Zustand von der FFU 102 zugeführte Reinluft glatt entlang im Wesentlichen in Vertikalrichtung herunter sinken, nacheinander durch den Einlassbecher 110, den Reinluft-Zufuhrkanal 103, die Reinluft-Zufuhrkanal-Verbindungskammer 123, und den vertikalen Abschnitt 101b des Hauptflusskanals 101. Daher kann eine Störung des Flusses der Reinluft, die in der FFU 102 vergleichmäßigt wurde, verhindert werden, und kann die Reinluft glatt in den Hauptzufuhrkanal 101 eingelassen werden, und mit stabiler Flussrate dem Bearbeitungsraum S zugeführt werden. Daher kann die Atmosphäre im Bearbeitungsraum S ordnungsgemäß durch die Reinluft ausgetauscht werden.
  • Weiterhin kann durch seitliches Einführen der Reinluft in die Gaszufuhrkammer 91 von deren Seitenwand aus die Reinluft gleichmäßig durch die jeweiligen Gasauslassöffnungen 91a abgelassen werden, nachdem die Reinluft durch das gesamte Innere der Gaszufuhrkammer 91 diffundiert ist. Im Vergleich zu jenem Fall, bei welchem die Reinluft von der Decke der Gaszufuhrkammer 91 eingelassen wird, kann daher die Reinluft wirksamer über das gesamte Innere der Gaszufuhrkammer 91 diffundieren, und kann gleichmäßiger aus den jeweiligen Gasauslassöffnungen 91a abgelassen werden. Daher kann die Reinluft dem gesamten Bearbeitungsraum S zugeführt werden, wodurch verlässlich die Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S durch die Reinluft ersetzt wird.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass eine Ausbildung möglich ist, bei welcher der Hauptanteil der Reinluft, die von der FFU 102 dem Einlassbecher 110 zugeführt wird, von der Innenseite des Einlassbechers 110 in den Reinluft-Zufuhrkanal 103 eingelassen wird, während der übrige Abschnitt der Reinluft durch den Zwischenraum 111 nach außerhalb des Einlassbechers 110 abgelassen wird. So können beispielsweise etwa 80% der Flussrate der Reinluft, die von der FFU 102 zugeführt wird, von der Innenseite des Einlassbechers 110 in den Reinluft-Zufuhrkanal 103 eingelassen werden, und können die übrigen etwa 20% nach außerhalb des Einlassbechers 110 abgelassen werden.
  • Als nächstes wird der Reinigungsprozess L1 beschrieben, bei welchem die Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W zugeführt wird, die DHF-Lösung ist. Zuerst wird die Lade- und Entladeöffnung 18 geöffnet, wird ein noch nicht gereinigter Wafer W durch den Transportarm 21a des Transportmechanismus 21 in den Bearbeitungsraum S eingeladen, in welchem die Feuchte durch die Zufuhr von CDA, wie voranstehend beschrieben, gesteuert (verringert) wird, und wird der Wafer W zu der Schleuderspannvorrichtung 3 transportiert, wie in 1 gezeigt. Für den Transport des Wafers W zu der Schleuderspannvorrichtung 3 werden der Düsenarm 6 und der Trocknungsdüsenarm 15 auf die Bereitschaftspositionen zurückgefahren, die sich rechts bzw. links der Schleuderspannvorrichtung 3 befinden, wie durch doppelt gepunktete, gestrichelte Linien in 2 dargestellt.
  • Nachdem der Wafer W zu der Schleuderspannvorrichtung 3 transportiert wurde, wird der Transportarm 21a aus dem Bearbeitungsraum S zurückgezogen, wird die Lade- und Entladeöffnung 18 durch den Verschluss 18a geschlossen, beginnen sich die Schleuderspannvorrichtung und der Wafer W zu drehen, infolge des Antriebs durch den Motor 25, und wird der Bearbeitungsschritt mit Chemikalienflüssigkeit (DHF-Lösung) begonnen. Zuerst wird der Düsenarm 6 zu einer Position oberhalb des Wafers W bewegt (gepunktet gestrichelte Linie in 2), und wird die Düse 5 über dem Zentrum Po des Wafers W angeordnet. Dann wird, während die Ein-/Ausschaltventile 45a, 46a und 48a geschlossen werden, das Ein-/Ausschaltventil 44a geöffnet, wird die DHF-Lösung dem Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrkanal 44 zugeführt, und wird die DHF-Lösung von der Düse 5 dem Zentrum Po des sich drehenden Wafers W zugeführt. Die dem Zentrum Po zugeführte DHF-Lösung verteilt sich infolge der Zentrifugalkraft über die gesamte obere Oberfläche des Wafers W. Daher wird ein Flüssigkeitsfilm aus der DHF-Lösung auf der oberen Oberfläche des Wafers W ausgebildet. Die Drehzahl des Wafers W während der Zufuhr der DHF-Lösung kann beispielsweise auf etwa 500 Umdrehungen pro Minute eingestellt werden. Nach Ausbildung des Flüssigkeitsfilms aus der DHF-Lösung wird die Zufuhr der DHF-Lösung von der Düse 5 unterbrochen, und wird die obere Oberfläche des Wafers W durch den Flüssigkeitsfilm aus der DHF-Lösung über einen vorbestimmten Zeitraum bearbeitet. Alternativ kann die Bearbeitung so durchgeführt werden, dass die Zufuhr der DHF-Lösung und die Drehung des Wafers W fortgesetzt werden. Wenn die Bearbeitung mit DHF-Lösung durchgeführt wird, steigt das Ausmaß der Hydrophobie der oberen Oberfläche des Wafers W auf einen höheren Wert als vor der Bearbeitung mit der DHF-Lösung an.
  • Nach der Fertigstellung der Bearbeitung mit der DHF-Lösung wird ein Spülschritt durchgeführt. Bei dem Spülschritt wird entionisiertes Wasser dem Zentrum Po des Wafers W von der Düse 5 zugeführt, während der Wafer W gedreht wird. Das dem Zentrum Po zugeführte, entionisierte Wasser verteilt sich infolge der Zentrifugalkraft über die gesamte obere Oberfläche des Wafers W. Die DHF-Lösung, die an der oberen Oberfläche des Wafers W anhaftet, wird von dem Wafer W durch das entionisierte Wasser abgespült. Die Drehzahl des Wafers W während des Spülens ist vorzugsweise höher als während der Zufuhr der DHF-Lösung, und kann beispielsweise auf etwa 1000 Umdrehungen pro Minute eingestellt werden. Nachdem der Wafer W ausreichend durch das entionisierte Wasser gespült wurde, wird die Zufuhr des entionisierten Wasser von der Düse 5 unterbrochen, und wird der Düsenarm 6 aus der Position oberhalb des Wafers W zurückgefahren, und in die Bereitschaftsposition zurückgestellt.
  • Nach dem voranstehend geschilderten Spülschritt wird ein Schritt zur Ausbildung eines IPA-Flüssigkeitsfilms durchgeführt, bei welchem ein Flüssigkeitsfilm aus IPA-Flüssigkeit auf dem Wafer W ausgebildet wird. Zuerst wird der Trocknungsdüsenarm 15 zu einer Position oberhalb des Wafers W bewegt (in 2 durch gepunktet gestrichelte Linien dargestellt), und wird die Fluiddüse 12 oberhalb des Zentrums Po des Wafers W angeordnet. Dann wird, wie in 6 gezeigt, während der Wafer W durch die Schleuderspannvorrichtung 3 gedreht wird, die IPA-Flüssigkeit von der Fluiddüse 12 dem Zentrum Po des Wafers W zugeführt. Die IPA-Flüssigkeit, die dem Zentrum Po zugeführt wird, verteilt sich über der gesamten Oberfläche des Wafers W infolge der Zentrifugalkraft, so dass die IPA-Flüssigkeit in Form eines Flüssigkeitsfilms die gesamte obere Oberfläche des Wafers W abdeckt. Die Drehzahl des Wafers W in dem Schritt zur Ausbildung des IPA-Flüssigkeitsfilms ist vorzugsweise niedriger als jene beim Spülen, und kann beispielsweise auf etwa 300 Umdrehungen pro Minute eingestellt sein.
  • Bei Ausbildung des Flüssigkeitsfilms aus der IPA-Flüssigkeit und auf der oberen Oberfläche des Wafers W, wie voranstehend geschildert, kann das reine Wasser durch IPA über der gesamten oberen Oberfläche des Wafers W ersetzt werden. Durch Bedeckung der oberen Oberfläche des Wafers W mit dem Flüssigkeitsfilm aus der IPA-Flüssigkeit kann darüber hinaus ein selbständiges Trocknen der oberen Oberfläche, insbesondere des Umfangsabschnitts der oberen Oberfläche des Wafers W, verhindert werden. Hierdurch kann die Erzeugung von Teilchen oder Wassermarken auf der oberen Oberfläche des Wafers W verhindert werden. Insbesondere kann die Erzeugung von Teilchen wirksam verhindert werden, obwohl die Hydrophobie der oberen Oberfläche des Wafers W durch die Chemikalienflüssigkeitsbearbeitung mit der DHF-Lösung erhöht wurde. Selbst bei einem Wafer W mit großem Durchmesser, kann die Erzeugung von Teilchen in der Nähe des Umfangsrandes des Wafers W unterdrückt werden (streifenförmige Wassermarken, usw., die durch die Ablagerung einer Chemikalienflüssigkeit und dergleichen erzeugt werden).
  • Nach Ausbildung des Flüssigkeitsfilms aus der IPA-Flüssigkeit auf der oberen Oberfläche des Wafers W, wie voranstehend geschildert, wird ein Trocknungsschritt durchgeführt, bei welchem die IPA-Flüssigkeit und Stickstoffgas dem Wafer W zugeführt werden, um einen Trocknungsbearbeitungsschritt durchzuführen, in welchem der Wafer W getrocknet wird. Zuerst wird in einem Zustand, in welchem die Fluiddüse 12 und die Inertgasdüse 13 in der Nähe eines Abschnitts oberhalb des Zentrums Po des Wafers W angeordnet sind, mit der Zufuhr der IPA-Flüssigkeit von der Fluiddüse 12 und der Zufuhr des Stickstoffgases von der Inertgasdüse 13 begonnen. Während der Wafer W durch die Schleuderspannvorrichtung 3 gedreht wird, wird dann der Trocknungsdüsenarm 15 bewegt, während die IPA-Flüssigkeit und das Stickstoffgas zugeführt werden. Daher bewegen sich die Fluiddüse 12 und die Inertgasdüse 13 vereinigt mit dem Trocknungsdüsenarm 15 in der Bewegungsrichtung D, in welcher sich die Zufuhrposition Sf für die IPA-Flüssigkeit von der Fluiddüse 12 und die Zufuhrposition Sn für das Stickstoffgas von der Inertgasdüse 13 an der oberen Oberfläche des Wafers entlang der Bewegungsrichtung D bewegen, um so eine Abtastung vom Zentrum Po zu Umfangsrand des Wafers W durchzuführen, wie in 7 gezeigt. Wie voranstehend geschildert werden, durch Bewegung der Zufuhrposition Sf für die IPA-Flüssigkeit und der Zufuhrposition Sn für das Stickstoffgas zumindest vom Zentrum Po zum Umfangsrand des Wafers W, während der Wafer W gedreht wird, die IPA-Lösung und das Stickstoffgas über der gesamten oberen Oberfläche des Wafers W zugeführt.
  • Die IPA-Flüssigkeit, die der oberen Oberfläche des sich drehenden Wafers W zugeführt wird, fließt zum Außenumfang des Wafers W infolge der Zentrifugalkraft. Weiterhin wird während der Bewegung der Zufuhrposition Sf für die IPA-Flüssigkeit von der Seite des Zentrums Po zum Umfang des Wafers W das Stickstoffgas, das von der Inertgasdüse 13 zugeführt wird, der Zufuhrposition Sn zugeführt, die sich in der Nähe der Zufuhrposition Sf für die IPA-Flüssigkeit befindet, und sich immer näher am Zentrum Po des Wafers W befindet als die Zufuhrposition Sf. Weiterhin bewegt sich die Zufuhrposition Sn für das Stickstoffgas von der Seite des Zentrums Po zur Seite des Umfangsrandes so, dass sie der Zufuhrposition Sf folgt, während sich die Zufuhrposition Sn zwischen dem Zentrum Po und der Zufuhrposition Sf befindet. Die Drehzahl des Wafers W in dem Trocknungsschritt kann beispielsweise auf dem Bereich von etwa 500 bis 800 Umdrehungen pro Minute eingestellt sein. Weiterhin kann die Bewegungsgeschwindigkeit der Zufuhrposition Sf für die IPA-Lösung und die Zufuhrposition Sn für das Stickstoffgas in der Bewegungsrichtung D beispielsweise auf etwa 150 Millimeter pro Sekunde eingestellt sein.
  • Wie voranstehend geschildert wird, durch Zufuhr des Stickstoffgases zur Zufuhrposition Sn in der Nähe der Zufuhrposition Sf an der Seite des Zentrums Po die IPA-Flüssigkeit, die der oberen Oberfläche des Wafers W zugeführt wurde, sofort zum Fließen durch das Stickstoffgas gezwungen, wodurch das Trocknen des Wafers W gefördert wird. Weiterhin kann die obere Oberfläche des Wafers W gleichmäßig und wirksam getrocknet werden. Da die Sauerstoffkonzentration, welche die Erzeugung der Wafer-Marken beeinflusst, verringert werden kann, kann darüber hinaus die Erzeugung von Wassermarken verhindert werden. Weiterhin kann die Erzeugung von Teilchen verhindert werden, hervorgerufen durch die Differenz der Flüchtigkeit zwischen IPA und entionisiertem Wasser, wodurch die Qualität des Wafers W verbessert wird.
  • Wenn sich die Zufuhrposition Sf für die IPA-Flüssigkeit zum Umfangsrand des Wafers W bewegt hat, wird die Zufuhr der IPA-Flüssigkeit aus der Fluiddüse 12 unterbrochen. Dann wird, nach Bewegung der Zufuhrposition Sn des Stickstoffgases zum Umfangsrand des Wafers W, die Zufuhr des Stickstoffgases von der Inertgasdüse 13 unterbrochen. Hiermit ist der Trocknungsschritt fertig gestellt.
  • Nach dem Trocknungsschritt wird die Drehung der Schleuderspannvorrichtung 3 unterbrochen, damit der Wafer W anhält, und wird die Lade- und Entladeöffnung 18 geöffnet. Der Transportarm 21a dringt in die Kammer 2 ein, empfängt den Wafer W von der Schleuderspannvorrichtung 3, und liefert den Wafer nach außerhalb der Kammer 2. Hiermit ist eine Gruppe von Prozessschritten für den Wafer W in der Substratbearbeitungseinrichtung 1 fertig gestellt.
  • Wie voranstehend geschildert, wird das CDA ständig von der Gaszufuhrkammer 91 dem Bearbeitungsraum S während des Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritts, des Spülschritts, des Schritts zur Ausbildung des Films aus IPA-Flüssigkeit, und des Trocknungsschritts zugeführt, um so den Zustand aufrechtzuerhalten, in welchem die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S verringert ist (Taupunkttemperatur von etwa –40°C oder darunter). Durch Verringern der Feuchte in der den Wafer W umgebenden Atmosphäre kann daher das Auflösen von Feuchtigkeit, die in dem Bearbeitungsraum S vorhanden ist, in der IPA-Lösung verhindert werden, die dem Wafer W zugeführt wurde, insbesondere wenn der Schritt zur Ausbildung des IPA-Flüssigkeitsfilms und der Trocknungsschritt durchgeführt werden. Hierdurch kann die Erzeugung von Teilchen auf dem Wafer W nach dem Trocknen verhindert werden. Weiterhin kann in dem Trocknungsschritt das Trocknen des Wafers W gefördert werden.
  • Gemäß von den Erfindern durchgeführten Untersuchungen stellte sich heraus, dass in einem Fall, in welchem sich ein Wafer W in einem stark hydrophoben Zustand befindet (also in einem Zustand, in welchem eine hydrophobe Schicht im Überschuss freigelegt ist, insbesondere in einem Zustand, in welchem der Siliziumoxidfilm entfernt ist), nach der Chemikalienflüssigkeitsbearbeitung, das Auftreten von Wassermarken auf dem Wafer W in dem nachfolgenden Trocknungsschritt wahrscheinlich ist, wenn der Wafer W unter Verwendung eines herkömmlichen Trocknungsverfahrens getrocknet wird, bei welchen beispielsweise der Wafer W gedreht wird, um die Flüssigkeit herunterzuschleudern, oder ein Trocknungsgas, wie beispielsweise Stickstoffgas, dem Wafer W zugeführt wird. Im Gegensatz hierzu stellte sich heraus, dass in einem Fall, in welchem sich der Wafer W in einem weniger hydrophoben Zustand nach der Chemikalienflüssigkeitsbearbeitung befindet (in einem Zustand, in welchem die hydrophobe Schicht in geringem Ausmaß freiliegt, oder in einem Zustand, in welchem eine hydrophile Oberfläche im Überschuss vorhanden ist), nach der Chemikalienflüssigkeitsbearbeitung wie bei dem Reinigungsprozess L2 und L3, die nachstehend geschildert werden, die Ausbildung von Wassermarkierungen auf dem Wafer W in dem nachfolgenden Trocknungsschritt unwahrscheinlich ist, selbst wenn der Wafer durch das herkömmliche Trocknungsverfahren getrocknet wird.
  • Als nächstes erfolgt die Beschreibung des Reinigungsprozesses L2, der nicht Gegenstand der beanspruchten Erfindung ist, bei welchem die Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W zugeführt ist, eine SC-1-Lösung ist. In dem Reinigungsprozess L2 wird ein Bearbeitungsschritt mit einer Chemikalienflüssigkeit (SC-1-Lösung), ein Spülschritt unter Verwendung von entionisiertem Wasser, und ein Trocknungsschritt zum Trocknen des Wafers W durchgeführt. Bei einem derartigen Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt wird, wenn die SC-1-Lösung dem Wafer W zugeführt wird, die Hydrophobie des Wafers W nicht erhöht, anders als im Falle der Zuführung der DHF-Lösung, und ist das Auftreten des Problems der Erzeugung von Teilchen und Wassermarken, dessen Auftreten im Falle der Verwendung der DHF-Lösung wahrscheinlich ist, unwahrscheinlich. Weiterhin kann der Schritt zur Ausbildung eines IPA-Flüssigkeitsfilms weggelassen werden. Darüber hinaus ist es in dem Trocknungsschritt nicht erforderlich, die IPA-Lösung zuzuführen, und kann die Spülflüssigkeit durch Drehen des Wafers W abgeschleudert werden, um den Wafer W zu trocknen, oder kann das Trocknen des Wafers W mittels Zufuhr von Stickstoffgas gefördert werden. Wie voranstehend geschildert, ist in jenem Fall, in welchem die Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W zugeführt werden soll, die SC-1-Lösung ist, die Hydrophobie des Wafers W niedrig, kann der Prozess ohne Verwendung von IPA-Flüssigkeit durchgeführt werden, und gibt es keine Möglichkeit für die Erzeugung von Teilchen oder Wassermarken auf dem Wafer W nach dem Trocknungsschritt, selbst wenn die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S nicht verringert wird. Dies bedeutet, dass Reinluft eingesetzt werden kann, die mit geringerem Kostenaufwand als für CDA zugeführt werden kann.
  • Als nächstes erfolgt die Beschreibung des Reinigungsprozesses L3, der nicht Gegenstand der beanspruchten Erfindung ist, bei welchem die Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W zugeführt wird, eine SC-2-Lösung ist. In dem Reinigungsprozess L3 wird ein Bearbeitungsschritt mit einer Chemikalienflüssigkeit (SC-2-Lösung), ein Spülschritt unter Verwendung von entionisiertem Wasser, und ein Trocknungsschritt mit Trocknen des Wafers W durchgeführt. Bei einem derartigen Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt wird, wenn die SC-2-Lösung dem Wafer W zugeführt wird, die Hydrophobie des Wafers W nicht erhöht, anders als im Falle der Zufuhr der DHF-Lösung, und ist das Problem der Erzeugung von Teilchen und Wassermarken, das im Falle der Verwendung der DHF-Lösung wahrscheinlich ist, unwahrscheinlich. Weiterhin kann der Schritt zur Ausbildung eines IPA-Flüssigkeitsfilms auch in dem Reinigungsprozess L3 weggelassen werden, ebenso wie beim Reinigungsprozess L2. Weiterhin ist es in dem Trocknungsschritt nicht erforderlich, die IPA-Lösung zuzuführen, und kann die Spülflüssigkeit durch Drehen des Wafers W abgeschleudert werden, um den Wafer W zu trocknen, oder kann das Trocknen des Wafers W mittels Zufuhr von Stickstoffgas gefördert werden. Wie voranstehend geschildert, kann auch in jenem Fall, in welchem die Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W zugeführt werden soll, die SC-2-Lösung ist, der Prozess ohne Einsatz von IPA-Flüssigkeit durchgeführt werden, und besteht keine Möglichkeit dafür, dass Teilchen oder Wassermarken auf dem Wafer W nach dem Trocknungsschritt vorhanden sind, selbst wenn die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S nicht verringert wird, wie in jenem Fall, in welchem die Lösung, die dem Wafer W zugeführt wird, die SC-1-Lösung ist. Daher kann Reinluft eingesetzt werden, die mit geringerem Kostenaufwand zugeführt werden kann als CDA.
  • Bei der voranstehend geschilderten Substratbearbeitungseinrichtung 1 wird die Umgebungsfeuchte um den Wafer W herum in Abhängigkeit von der Art der Chemikalienflüssigkeit gesteuert, die dem Wafer W zugeführt werden soll, so dass die Feuchte nur dann verringert wird, wenn dies erforderlich ist, also nur im Falle der Durchführung des Reinigungsprozesses L1, bei welchem die IPA-Lösung dem Wafer W zugeführt wird. Bei dem Reinigungsprozess L2 und L3, bei welchem keine IPA-Lösung zugeführt wird, kann daher relativ kostengünstige Reinluft, und dergleichen, zugeführt von der FFU 102, eingesetzt werden, so dass die zuzuführende Menge an CDA verringert werden kann. Hierdurch können die Kosten verringert werden, die bei der Wafer-Bearbeitung auftreten. Weiterhin kann durch Verringerung der Umgebungsfeuchte des Wafers W, wenn dies erforderlich ist, die Erzeugung von Teilchen (Wassermarken) auf dem Wafer W nach dem Reinigungsprozess verhindert werden.
  • Es wurde eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die voranstehenden Ausführungen beschränkt. Fachleute auf diesem Gebiet wissen, dass verschiedene Abänderungen oder Modifikationen innerhalb des Bereichs des technischen Grundkonzepts möglich sind, das in den Patentansprüchen angegeben ist, und diese sollen vom Umfang der vorliegenden Erfindung umfasst sein.
  • Beispielsweise wird bei der voranstehenden Ausführungsform die Feuchte der Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S auf zwei Niveaus gesteuert, von denen eines die Feuchte der Reinluft ist, die von der FFU 102 zugeführt wird, und das andere die Feuchte des CDA ist, das von der CDA-Zufuhrquelle 104 zugeführt wird. Allerdings kann die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S auf drei oder mehr Niveaus gesteuert werden, oder auf optionale Werte gesteuert werden. So kann beispielsweise das Mischungsverhältnis zwischen der Reinluft und dem CDA dadurch geändert werden, dass der Schrägstellwinkel des bewegbaren Teils 122 der Schaltdämpfungsvorrichtung 107 gesteuert wird, um das Ausmaß der Öffnung des Endes des Reinluft-Zufuhrkanals 103 zu steuern, und hierdurch die Feuchte des die Feuchte steuernden Gases zu steuern, das in den Bearbeitungsraum S eingelassen wird.
  • Weiterhin ist der Feuchte-Steuerungsmechanismus 16 nicht auf die bei der voranstehenden Ausführungsform geschilderte Ausbildung beschränkt, bei welcher die Feuchte unter Verwendung der Reinluft gesteuert wird, die von der FFU 102 zugeführt wird, und des CDA, das von der CDA-Zufuhrquelle 104 zugeführt wird. Der Feuchte-Steuerungsmechanismus 16 kann so ausgebildet sein, dass er eine Feuchtigkeitseinstelleinheit aufweist, welche den Feuchtigkeitsgehalt in dem die Feuchtigkeit steuernden Gas auf einen optionalen Wert steuern kann, oder einen Entfeuchter zum Entfeuchten das die Feuchte steuernden Gases. In diesem Fall kann die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S auf einen optionalen Wert dadurch gesteuert werden, dass das die Feuchte steuernden Gas, dessen Feuchte-Gehalt eingestellt wurde, in den Bearbeitungsraum S eingelassen wird, und hierdurch die Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S ersetzt wird.
  • Weiterhin ist das Gas, das als das die Feuchtigkeit steuernde Gas verwendet wird, nicht auf Luft (Reinluft, CDA) beschränkt. Es können andere Gase anstelle von Reinluft verwendet werden und es können andere Gase mit niedrigem Taupunkt anstelle von CDA eingesetzt werden. Das die Feuchtigkeit steuernde Gas kann auch ein Inertgas, wie etwa Stickstoffgas, sein. So können beispielsweise ein gereinigtes Inertgas (das eine übliche Taupunkttemperatur hat) und ein gereinigtes Inertgas mit einer niedrigen Taupunkttemperatur selektiv als das die Feuchte steuernde Gas zugeführt werden. Weiterhin werden zwar Gase (Reinluft, CDA) gleicher Art und mit unterschiedlichen Taupunkttemperaturen als das die Feuchte steuernde Gas bei der voranstehenden Ausführungsform eingesetzt, jedoch können auch Gase unterschiedlicher Arten mit unterschiedlichen Taupunkttemperaturen als das die Feuchte steuernde Gas eingesetzt werden. So kann beispielsweise die Reinluft, die von der FFU zugeführt wird, als das erste, die Feuchte steuernde Gas verwendet werden, und kann ein Stickstoffgas mit niedriger Taupunkttemperatur anstelle des CDA als ein zweites, die Feuchte steuerndes Gas eingesetzt werden.
  • Bei der voranstehenden Ausführungsform wird, wenn der Reinigungsprozess L1 durchgeführt wird, die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S verringert, bevor der Wafer W in dem Bearbeitungsraum S eingeladen wird, und wird die verringerte Feuchte in dem Bearbeitungsraum S während der Durchführung des Reinigungsprozesses L1 aufrechterhalten. Allerdings kann die verringerte Feuchte in dem Bearbeitungsraum zumindest in dem Schritt oder den Schritten mit Zufuhr der IPA-Lösung eingerichtet werden, also nur in dem Schritt zur Ausbildung eines IPA-Flüssigkeitsfilms und dem Trocknungsschritt. Daher ist die Verringerung der Feuchte in dem Bearbeitungsraum S nicht in dem Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt und in dem Spülschritt erforderlich. Allerdings wird eine gewisse Zeit benötigt, um die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S auf einen gewünschten Wert einzustellen, also die Atmosphäre in dem Bearbeitungsraum S durch CDA zu ersetzen. Daher ist es vorzuziehen, dass mit der Zufuhr von CDA begonnen wird, bevor mit dem Schritt zur Ausbildung des IPA-Flüssigkeitsfilms oder dem Trocknungsschritt begonnen wird, so dass die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S auf einen gewünschten Wert verringert wurde, wenn der Schritt zur Ausbildung eines IPA-Flüssigkeitsfilms oder der Trocknungsschritt durchgeführt wird. Die Feuchte-Steuerung, die während der voranstehend genannten Gruppe von Prozessschritten durchgeführt wird, die bei dem Wafer W eingesetzt werden (Umschaltung zwischen der Reinluftzufuhr und der CDA-Zufuhr), wird durch Steuerbefehle von dem Steuercomputer 17 durchgeführt.
  • Das IPA enthaltende Fluid, das in dem Schritt zur Ausbildung des IPA-Flüssigkeitsfilms zugeführt wird, und im Trocknungsschritt, in dem Reinigungsprozess L1, kann in Form eines Nebels, eines Sprühnebels oder eines Gases, sowie einer Flüssigkeit vorliegen. So können beispielsweise ein Nebel aus IPA-Flüssigkeit, ein Nebel aus einer IPA-Lösung, ein IPA-Dampf oder ein Dampf einer verdünnten IPA-Lösung als das Fluid eingesetzt werden, welches IPA enthält. Weiterhin kann ein Nebel einer IPA-Lösung, ein Nebel aus der IPA-Lösung, IPA-Dampf oder Dampf einer verdünnten IPA-Lösung, gemischt mit einem Gas, wie beispielsweise Stickstoffgas, auch als das Fluid verwendet werden, welches IPA enthält. Wenn ein derartiges Fluid, welches IPA enthält, eingesetzt wird, kann das Eindringen eines Anteils von Feuchtigkeit in IPA dadurch verhindert werden, dass die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S verringert wird. Als die Düse zum Zuführen des Fluids, welches IPA enthält, kann auch eine Düse für zwei Fluide eingesetzt werden.
  • Weiterhin kann das Fluid, welches IPA enthält, und in dem Schritt zur Ausbildung des IPA-Flüssigkeitsfilms zugeführt wird, und das Fluid, welches IPA enthält, das in dem Trocknungsschritt zugeführt wird, in unterschiedlichen Zuständen (Phasen) vorliegen. So kann beispielsweise eine Flüssigkeit, wie IPA-Flüssigkeit, in dem Schritt zur Ausbildung des IPA-Flüssigkeitsfilms eingesetzt werden, während ein Gas, wie ein IPA-Dampf oder ein Nebel aus IPA, in dem Trocknungsschritt eingesetzt werden kann.
  • Das Gas, das als das Trocknungsgas in dem Trocknungsschritt zugeführt wird, ist nicht auf Stickstoff beschränkt, sondern kann ein anderes Inertgas sein. Weiterhin ist ein derartiges Trocknungsgas nicht auf ein Inertgas beschränkt, sondern kann beispielsweise Luft sein. Auch in diesem Fall kann die IPA-Flüssigkeit, usw., die der oberen Oberfläche des Wafers W zugeführt wurde, weggespült werden, um das Trocknen des Wafers W zu fördern. Weiterhin kann das Trocknungsgas ein Gas in einem getrockneten Zustand sein, also ein Gas, dessen Feuchte zwangsweise gegenüber dem Normalwert abgesenkt wurde, und kann beispielsweise trockene Luft sein. Dann kann die Feuchte in der Nähe der Oberfläche des Wafers W verringert werden, um die Verdampfung der Flüssigkeit, wie beispielsweise der IPA-Flüssigkeit, zu fördern, die an dem Wafer W anhaftet, und kann das Trocknen des Wafers W noch wirksamer gefördert werden.
  • Die Art der Chemikalienflüssigkeit, die dem Wafer W in der Substratbearbeitungseinrichtung 1 zugeführt werden kann, ist nicht auf die drei Arten, also DHF, SC-1 und SC-2, beschränkt, sondern es kann sich um Chemikalienflüssigkeiten anderer Arten handeln, oder es können zwei oder weniger oder vier oder mehr Arten von Chemikalienflüssigkeiten zugeführt werden. Weiterhin ist die Art der Chemikalienflüssigkeit nicht auf solche zum Reinigen des Wafers W beschränkt, sondern kann es sich auch um eine ätzende Chemikalienflüssigkeit handeln, beispielsweise HF (Flusssäure). Es kann beispielsweise eine Reihe von Prozessschritten zum Ätzen, einschließlich beispielsweise eines Spülschritts und eines Trocknungsschritts, durch Versorgen des Wafers W mit der ätzenden Chemikalienflüssigkeit, wie beispielsweise HF (Flusssäure), durchgeführt werden, anstatt des Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritts, in dem Reinigungsprozess L1.
  • Die Bearbeitung, die in der Substratbearbeitungseinrichtung 1 durchgeführt wird, ist daher nicht auf drei Arten von Reinigungsprozessen L1, L2 und L3 beschränkt, sondern es kann die Ausführungsform bei verschiedenen Prozessen eingesetzt werden. Beispielsweise kann auch ein Einsatz bei einem Ätzprozess, einem Resist-Entfernungsprozess und einem Prozess zum Entfernen von Ätzresten erfolgen. Weiterhin wurde zwar entionisiertes Wasser als Beispiel für eine Spülflüssigkeit bei der vorliegenden Ausführungsform genannt, jedoch ist die Spülflüssigkeit nicht hierauf beschränkt.
  • Weiterhin können mehrere Arten von Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritten zur Bearbeitung des Wafers W durch Verwendung von Chemikalienflüssigkeiten unterschiedlicher Ordnung aufeinander folgend in den Bearbeitungsraum S durchgeführt werden. Im Falle der Verwendung der voranstehend beschriebenen mehreren Arten von Chemikalienflüssigkeiten kann dann, wenn die mehreren Arten von Chemikalienflüssigkeiten eine Chemikalienflüssigkeit enthalten, beispielsweise DHF-Lösung oder HF-Lösung, welche die Eigenschaft aufweist, die Hydrophobie des Wafers W zu erhöhen, die Feuchte des Bearbeitungsraums S vorzugsweise abgesenkt werden, zumindest in dem Trocknungsschritt nach Bearbeitung des Wafers W durch Einsatz der DHF-Lösung oder der HF-Lösung, auf einen Wert, der niedriger ist als jener in dem Schritt, der vor dem Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt unter Verwendung der DHF-Lösung oder der HF-Lösung durchgeführt wird, also einem Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der den Wafer W unter Verwendung einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, die keine DHF-Lösung oder HF-Lösung ist, und der niedriger ist als in dem Spülschritt. Wenn die Hydrophobie des Wafers W dadurch erhöht wird, dass die DHF-Lösung oder die HF-Lösung zugeführt wird, wird daher die Feuchte in dem Bearbeitungsraum S vorzugsweise auf einen Wert verringert, der niedriger ist als jener in dem Zustand, in welchem die Hydrophobie des Wafers W gering ist, bevor die DHF-Lösung oder die HF-Lösung zugeführt wird.
  • Beispielsweise kann, nach Einladen des Wafers W in die Substratbearbeitungseinrichtung 1, das Verfahren zuerst einen ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt durchführen, in welchem beispielsweise die SC-1-Lösung als die erste Chemikalienflüssigkeit zugeführt wird, die von der DHF-Lösung oder der HF-Lösung verschieden ist, um hierdurch den Wafer W zu bearbeiten; dann einen ersten Spülschritt durchführen, bei welchem der Wafer W gespült wird, durch Zufuhr beispielsweise von entionisiertem Wasser als Spülflüssigkeit; daraufhin den zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt durchführen, bei welchem beispielsweise eine Chemikalienflüssigkeit zugeführt wird, welche die Eigenschaft hat, die Hydrophobie des Wafers W zu erhöhen, etwa DHF-Lösung, um hierdurch den Wafer W zu bearbeiten; dann einen zweiten Spülschritt zum Spülen des Wafers W durchführen, durch Zufuhr von beispielsweise entionisiertem Wasser als Spülflüssigkeit; und dann einen Trocknungsschritt mit Trocknung des Wafers W durchführen. In dem Trocknungsschritt kann eine Trocknungsbehandlung unter Verwendung der IPA-Lösung ebenfalls durchgeführt werden, wie in dem Trocknungsschritt, der in dem Reingungsprozess L1 durchgeführt wird. Bei dem vierten Reinigungsprozess L4, welcher den ersten Chemikalien-Flüssigkeitsbearbeitungsschritt und den zweiten Chemikalien-Flüssigkeitsbearbeitungsschritt enthält, können organische Verunreinigungen und Teilchen unter Verwendung der SC-1-Lösung entfernt werden, und können spontane Oxidfilme durch Einsatz der DHF-Lösung entfernt werden.
  • In dem Reinigungsprozess L4 kann der Bearbeitungsraum S in einen Zustand mit verringerter Feuchte versetzt werden (in einen Zustand, in welchem ihm ein Gas mit niedrigem Taupunkt zugeführt wird), in dem Schritt oder den Schritten, die nach dem zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt durchgeführt werden, in welchem die DHF-Lösung verwendet wird, also in dem Schritt zur Ausbildung eines IPA-Flüssigkeitsfilms und in dem Trocknungsschritt. Wie voranstehend geschildert, kann auch im Falle der Durchführung mehrerer Arten von Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritten kontinuierlich in dem Bearbeitungsraum S die Menge an Gas mit niedrigem Taupunkt, die zugeführt werden muss, wesentlich verringert werden, durch Zuführen des Gases mit niedrigem Taupunkt nur dann, wenn es erforderlich ist, die Feuchte zu verringern. Weiterhin wird auch die Steuerung im Falle der Durchführung einer Reihe von Reinigungsprozessen L4, welche mehrere Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritte enthalten, von dem Steuercomputer 17 durchgeführt, und wird die Feuchte-Steuerung in dem Reingungsprozess L4 (Umschalten zwischen der Reinluftzufuhr und der CDA-Zufuhr) ebenfalls durch Steuerbefehle von dem Steuercomputer 17 durchgeführt.
  • Weiterhin ist bei der voranstehenden Ausführungsform zwar die Substratbearbeitungseinrichtung 1 von dem Bearbeitungstyp für einen einzigen Wafer (Substrat), welcher Wafer W einzeln bearbeitet, während ein einziger Wafer von einer Schleuderspannvorrichtung 3 gehaltert wird, jedoch kann die Ausführungsform auch bei einer portionsweise arbeitenden Bearbeitungseinrichtung eingesetzt werden, die zusammen mehrere Wafer W bearbeitet.

Claims (15)

  1. Substratbearbeitungsverfahren, das einen Siliziumwafer mit einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet und danach den Siliziumwafer trocknet, umfassend: einen ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der den Siliziumwafer mit einer ersten Chemikalienflüssigkeit, die eine SC-1 Lösung oder SC-2 Lösung umfasst, bearbeitet; und/oder einen zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der den Siliziumwafer mit einer zweiten Chemikalienflüssigkeit, die DHF (verdünnter Flusssäure) oder HF (Flusssäurelösung) umfasst, bearbeitet, nach dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt; und einen Trocknungsschritt, der den Siliziumwafer nach dem ersten oder zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt trocknet; dadurch gekennzeichnet, dass in dem Trocknungsschritt die Umgebungsfeuchte um den Siliziumwafer herum auf ein niedrigeres Niveau verringert wird als jenes in dem ersten oder zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt; und dass die Feuchte dadurch gesteuert wird, dass zwischen einem Zustand der Zufuhr von Reinluft zu einem den Siliziumwafer umgebenden Raum und einem Zustand der Zufuhr eines Gases mit niedrigem Taupunkt, das eine Feuchte hat, die niedriger als die der Reinluft ist, derart umgeschaltet wird, dass dem den Siliziumwafer umgebenden Raum, wenn nur der erste Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt durchgeführt wurde, Reinluft und andernfalls ein Gas mit niedrigem Taupunkt zugeführt wird.
  2. Substratbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei welchem die Taupunkttemperatur auf –40°C oder niedriger eingestellt wird, wenn die Feuchte gesteuert wird, um diese zu verringern.
  3. Substratbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, bei welchem die Reinluft von einer Gebläsefiltereinheit zugeführt wird.
  4. Substratbearbeitungsverfahren nach Anspruch 3, bei welchem das Gas mit niedrigem Taupunkt trockene Reinluft oder Stickstoffgas ist.
  5. Speichermedium, welches Software speichert, die von einem Steuercomputer einer Substratbearbeitungseinrichtung ausgeführt werden kann, um bei einem Siliziumwafer einen Chemikalienflüssigkeitsprozess und einen Trocknungsprozess durchzuführen, wobei die Software so ausgebildet ist, dass sie die Substratbearbeitungseinrichtung dazu veranlasst, das Substratbearbeitungsverfahren gemäß Anspruch 1 durchzuführen, wenn die Software von dem Steuercomputer ausgeführt wird.
  6. Substratbearbeitungseinrichtung, die einen Siliziumwafer mit einer Chemikalienflüssigkeit bearbeitet, und aufweist: mehrere Chemikalienflüssigkeits-Zufuhrquellen, die jeweils eine unterschiedliche Art einer Chemikalienflüssigkeit zuführen; einen Feuchte-Steuerungsmechanismus, der die Umgebungsfeuchte um den Siliziumwafer herum steuert; und eine Steuerung, welche den Feuchte-Steuerungsmechanismus steuert; wobei die Steuerung dazu ausgebildet ist, das Substratbearbeitungsverfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4 durchzuführen.
  7. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 6, wobei die Steuerung dazu ausgebildet ist, die Feuchte um den Siliziumwafer herum in Abhängigkeit von der Art der Chemikalienflüssigkeit zu steuern, und wobei die Steuerung so ausgebildet ist, dass sie die Feuchte so steuert, dass in einem Fall, in welchem die Hydrophobie des Siliziumwafers durch Zufuhr der Chemikalienflüssigkeit erhöht werden soll, die Feuchte auf einen niedrigeren Wert als in einem Fall eingestellt wird, in welchem die Hydrophobie des Siliziumwafers nicht erhöht werden soll.
  8. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 6, wobei die Steuerung dazu ausgebildet ist, die Feuchte um den Siliziumwafer herum in Abhängigkeit von der Art der Chemikalienflüssigkeit zu steuern, und wobei die Steuerung zum Steuern der Feuchte so ausgebildet ist, dass in einem Fall, in welchem die Chemikalienflüssigkeit eine Lösung von DHF ist, die Feuchte auf einen niedrigeren Wert eingestellt wird als in einem Fall, in welchem die Chemikalienflüssigkeit SC-1-Lösung oder SC-2-Lösung ist.
  9. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 7 oder 8, welche weiterhin eine Fluid-Zufuhrquelle aufweist, die ein IPA enthaltendes Fluid zuführt, wobei die Steuerung so ausgebildet ist, dass sie die Feuchte zumindest dann steuert, wenn das IPA enthaltende Fluid dem Siliziumwafer zugeführt wird.
  10. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 7 oder 8, bei welcher eine Taupunkttemperatur auf –40°C oder niedriger eingestellt wird, wenn die Feuchte verringert wird.
  11. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 7 oder 8, welche weiterhin aufweist: eine FFU (Gebläsefiltereinheit), welche Reinluft zuführt; und eine Zufuhrquelle für ein Gas mit niedrigem Taupunkt, die ein Gas mit niedrigem Taupunkt zuführt, das eine Feuchte aufweist, die niedriger ist als jene der Reinluft, wobei die Einrichtung so ausgebildet ist, dass sie zwischen einem Zustand der Zufuhr der Reinluft und einem Zustand der Zufuhr des Gases mit niedrigem Taupunkt zur Umgebung des Siliziumwafers umschaltet.
  12. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 11, welche weiterhin aufweist: einen Einlassbecher, der die von der FFU zugeführte Reinluft empfängt; einen Reinluft-Zufuhrkanal, der die Reinluft in dem Einlassbecher in einen den Siliziumwafer umgebenden Raum einlässt; und eine Reinluft-Auslassöffnung, welche die Reinluft in dem Einlassbecher zu einem Raum außerhalb des Einlassbechers ablässt.
  13. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 11, welche weiterhin aufweist: einen Hauptzufuhrkanal, der die Reinluft oder das Gas mit niedrigem Taupunkt in einen den Siliziumwafer umgebenden Raum einlässt; einen Reinluft-Zufuhrkanal, der die von der FFU zugeführte Reinluft in den Hauptzufuhrkanal einlässt; und einen Zufuhrkanal für Gas mit niedrigem Taupunkt, der das Gas mit niedrigem Taupunkt, das von der Zufuhrquelle für Gas mit niedrigem Taupunkt zugeführt wird, in den Hauptzufuhrkanal einlässt; wobei: eine Schalteinheit vorgesehen ist, zum Umschalten zwischen einem Zustand, in welchem der Reinluft-Zufuhrkanal und der Hauptzufuhrkanal in Verbindung stehen, und einem Zustand, in welchem der Reinluft-Zufuhrkanal und der Hauptzufuhrkanal nicht in Verbindung stehen; in der Schalteinheit ein stromabwärtiges Ende des Reinluft-Zufuhrkanals so gerichtet ist, dass es die Reinluft zu einem stromaufwärtigen Ende des Hauptzufuhrkanals ablässt; der Reinluft-Zufuhrkanal und der Hauptzufuhrkanal sich entlang einer gemeinsamen, geraden Linie erstrecken; der Zufuhrkanal für das Gas mit niedrigem Taupunkt über die Schalteinheit mit dem Hauptzufuhrkanal verbunden ist; und ein stromabwärtiges Ende des Zufuhrkanals für Gas mit niedrigem Taupunkt so gerichtet ist, dass es das Gas mit niedrigem Taupunkt zu einer Position ablässt, die verschieden von dem stromaufwärtigen Ende des Hauptzufuhrkanals ist.
  14. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 11, bei welcher das Gas mit niedrigem Taupunkt trockene Reinluft oder ein Stickstoffgas ist.
  15. Substratbearbeitungseinrichtung nach Anspruch 6, wobei die Steuerung dazu ausgebildet ist, die Einrichtung so zu steuern, dass ein erster Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt durchgeführt wird, der den Siliziumwafer mit einer ersten Chemikalienflüssigkeit, die eine SC-1 Lösung oder eine SC-2 Lösung umfasst, bearbeitet, ein zweiter Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, der den Siliziumwafer mit einer zweiten Chemikalienflüssigkeit, die DHF oder HF umfasst, bearbeitet, nach dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, und ein Trocknungsschritt, der den Siliziumwafer trocknet, nach dem zweiten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt, und so ausgebildet ist, dass sie die Umgebungsfeuchte um den Siliziumwafer herum so steuert, dass die Umgebungsfeuchte zumindest in dem Trocknungsschritt niedriger ist als jene in dem ersten Chemikalienflüssigkeits-Bearbeitungsschritt.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5143498B2 (ja) 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
JP5117365B2 (ja) * 2008-02-15 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5297056B2 (ja) * 2008-03-11 2013-09-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5173502B2 (ja) * 2008-03-14 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5084656B2 (ja) * 2008-07-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP5390873B2 (ja) * 2009-01-28 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20120103371A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Lam Research Ag Method and apparatus for drying a semiconductor wafer
JP5642574B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5474855B2 (ja) * 2011-03-15 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5472169B2 (ja) 2011-03-16 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5885989B2 (ja) 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5666414B2 (ja) * 2011-10-27 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
US9748120B2 (en) 2013-07-01 2017-08-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
JP5486708B2 (ja) * 2013-02-28 2014-05-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6005588B2 (ja) 2013-05-31 2016-10-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR20150000548A (ko) * 2013-06-24 2015-01-05 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
JP6221922B2 (ja) * 2014-04-25 2017-11-01 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP6454245B2 (ja) * 2014-10-21 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6411172B2 (ja) * 2014-10-24 2018-10-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6559602B2 (ja) * 2015-09-18 2019-08-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理チャンバ洗浄方法
KR102413271B1 (ko) * 2015-11-02 2022-06-28 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
JP2017157800A (ja) 2016-03-04 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
KR20170110199A (ko) * 2016-03-22 2017-10-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6767257B2 (ja) * 2016-12-22 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102521416B1 (ko) * 2017-05-24 2023-04-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7017343B2 (ja) * 2017-08-31 2022-02-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
EP3701561A4 (de) * 2017-10-23 2021-07-21 Lam Research AG Systeme und verfahren zur verhinderung der haftreibung von strukturen mit hohem aspektverhältnis und/oder zur reparatur von strukturen mit hohem aspektverhältnis
KR102022259B1 (ko) * 2017-10-24 2019-09-18 주식회사 앤아이윈 온도 및 습도 조절형 ?클린장비용 다층 및 멀티 웨이퍼 공정챔버의 제어장치
KR102160436B1 (ko) * 2019-01-08 2020-09-28 주식회사 앤아이윈 온도 및 습도 조절형 히터를 갖는 Ÿ‡클린장비용 웨이퍼 공정챔버
KR102267912B1 (ko) 2019-05-14 2021-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW202105495A (zh) 2019-05-23 2021-02-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0833375A2 (de) * 1996-09-27 1998-04-01 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von zu verarbeitenden Objekte
DE69620372T2 (de) * 1995-12-07 2002-11-21 Tokyo Electron Ltd Verfahren und Vorrichtung zum Waschen oder zum Waschen-Trocknen von Substraten
US20040060505A1 (en) * 2002-09-26 2004-04-01 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20050115671A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
WO2005098918A1 (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエア

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH069130A (ja) 1992-06-24 1994-01-18 Fuji Kiki Kogyo Kk 樹脂被覆ローラの軸端部材の構造及び樹脂被覆ローラ
JP2594717Y2 (ja) 1992-07-03 1999-05-10 国際電気株式会社 ウェーハ保持装置
JPH1022257A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Tokyo Electron Ltd 乾燥処理装置
US6027602A (en) * 1997-08-29 2000-02-22 Techpoint Pacific Singapore Pte. Ltd. Wet processing apparatus
JP4170943B2 (ja) 1999-10-19 2008-10-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2002110609A (ja) 2000-10-02 2002-04-12 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JP4100466B2 (ja) 2000-12-25 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR100493849B1 (ko) * 2002-09-30 2005-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 건조 장치
US20040060605A1 (en) * 2002-10-01 2004-04-01 Inox India Limited, An Indian Company Valve with non-refillable device for a pressurised container
US20050026455A1 (en) * 2003-05-30 2005-02-03 Satomi Hamada Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP4164816B2 (ja) 2004-02-27 2008-10-15 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの製造方法
JP4744228B2 (ja) 2004-08-10 2011-08-10 株式会社東芝 半導体基板洗浄液及び半導体基板洗浄方法
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
US8070884B2 (en) * 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5143498B2 (ja) * 2006-10-06 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69620372T2 (de) * 1995-12-07 2002-11-21 Tokyo Electron Ltd Verfahren und Vorrichtung zum Waschen oder zum Waschen-Trocknen von Substraten
EP0833375A2 (de) * 1996-09-27 1998-04-01 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vorrichtung und Verfahren zur Reinigung von zu verarbeitenden Objekte
US20040060505A1 (en) * 2002-09-26 2004-04-01 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20050115671A1 (en) * 2003-12-02 2005-06-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
WO2005098918A1 (ja) * 2004-04-02 2005-10-20 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエア

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