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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Substratbearbeitungsvorrichtung
zum Durchführen eines vorgegebenen Flüssigkeitsverfahrens,
wie zum Beispiel eines Reinigungsverfahrens, bei einem Substrat,
wie zum Beispiel einem Halbleiterwafer.
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2. Beschreibung des Stands
der Technik
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Bei
dem Verfahren der Herstellung von Halbleiterbauelementen oder Flachbildschirmeinrichtungen
(FPD) werden häufig Flüssigkeitsverfahren verwendet,
bei denen eine Verfahrensflüssigkeit auf ein Zielsubstrat,
wie zum Beispiel einen Halbleiterwafer oder ein Glassubstrat, zugeführt
wird. Zum Beispiel ist ein Reinigungsverfahren zum Entfernen von
Partikeln und/oder Verunreinigungen, die sich auf einem Substrat
abgelagert haben, ein Verfahren dieser Art.
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Als
eine zu diesem Zweck verwendete Substratbearbeitungsvorrichtung
ist eine Vorrichtung bekannt, die ein Reinigungsverfahren bei einem
auf einem Drehfutter gehaltenen Substrat, wie zum Beispiel einem
Halbleiterwafer, durchführt, bei dem eine Verfahrensflüssigkeit,
wie zum Beispiel eine chemische Flüssigkeit, auf das Substrat zugeführt
wird, während das Substrat gedreht wird. Im Allgemeinen wird
gemäß Vorrichtungen dieser Art eine Verfahrensflüssigkeit
auf das Zentrum eines Substrats zugeführt und das Substrat
gedreht, um die Verfahrensflüssigkeit nach außen
zu verteilen, wodurch ein Flüssigkeitsfilm gebildet wird
und die Verfahrensflüssigkeit von dem Substrat geschleudert
wird. Nach dem Reinigungsverfahren wird ein Spülverfahren durchgeführt,
indem eine Spülflüssigkeit, wie zum Beispiel aufbereitetes
Wasser, auf das Substrat zugeführt wird, während
das Substrat auf eine ähnliche Weise gedreht wird, wodurch
ein Flüssigkeitsfilm der Spülflüssigkeit
gebildet wird und die Spülflüssigkeit von dem
Substrat geschleudert wird. Angesichts dessen wird eine Struktur
vorgeschlagen, bei der ein Tropfbecher (Ablaufbecher) so angeordnet
ist, dass er ein Substrat umgibt und eine nach außen von
dem Substrat geschleuderte Verfahrensflüssigkeit oder Spülflüssigkeit
aufnimmt und abführt (siehe zum Beispiel die
japanische Patentanmeldung KOKAI, Veröffentlichungs-Nr.
2002-368066 ).
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Gemäß dieser
Substratbearbeitungsvorrichtung wird ein Substrat gedreht, um die
Verfahrensflüssigkeit oder die Reinigungsflüssigkeit
durch eine Zentrifugalkraft nach außen von dem Substrat
zu schleudern, während Gas um das Substrat herum abgesaugt
(ausgelassen) wird, so dass die Verfahrensflüssigkeit oder
die Reinigungsflüssigkeit gesammelt werden.
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Jedoch
wird, wenn die Absaugleistung (Auslassleistung) ungenügend
ist, Dunst oberhalb des Substrats erzeugt und dadurch Partikel auf
dem Substrat abgelagert.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER
ERFINDUNG
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Ein
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Substratbearbeitungsvorrichtung
bereitzustellen, die verhindern kann, dass Dunst oberhalb des Substrats
erzeugt wird.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Substratbearbeitungsvorrichtung
bereitgestellt, die umfasst: ein Substrathalteelement, das konfiguriert
ist, sich zusammen mit einem Substrat zu drehen, das darauf in einem
horizontalen Zustand gehalten wird; einen Drehmechanismus, der konfiguriert
ist, das Substrathalteelement zu drehen; einen Verfahrensflüssigkeitszuführmechanismus,
der konfiguriert ist, eine Verfahrensflüssigkeit auf das
Substrat zuzuführen; einen Drehbecher, der außerhalb
des Substrathalteelements so angeordnet ist, dass er das auf dem
Substrathalteelement gehaltene Substrat umgibt und sich zusammen
mit dem Substrathalteelement dreht, und einen Wandabschnitt aufweist,
der die von dem sich drehenden Substrat geschleuderte Verfahrensflüssigkeit aufnimmt;
einen Auslass-und-Ablauf-Becher, der außerhalb des Drehbechers
so angeordnet ist, dass er den Drehbecher und das Substrathalteelement
umgibt, und eine ringförmige Flüssigkeitsaufnahme, welche
die von dem sich drehenden Substrat geschleuderte Verfahrensflüssigkeit
aufnimmt, und einen an einer einwärtigen (inneren) Seite
der ringförmigen Flüssigkeitsaufnahme ausgebildeten
inneren ringförmigen Raum beinhaltet; und einen mit dem
inneren ringförmigen Raum des Auslass-und-Ablauf-Bechers
verbundenen Auslassmechanismus.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Substratbearbeitungsvorrichtung
bereitgestellt, die umfasst: ein Substrathalteelement, das konfiguriert
ist, sich zusammen mit einem Substrat zu drehen, das darauf in einem
horizontalen Zustand gehalten wird; einen Drehmechanismus, der konfiguriert
ist, das Substrathalteelement zu drehen; einen Verfahrensflüssigkeitszuführmechanismus,
der konfiguriert ist, eine Verfahrensflüssigkeit auf das
Substrat zuzuführen; einen Drehbecher, der außerhalb
des Substrathalteelements so angeordnet ist, dass er das auf dem
Substrathalteelement gehaltene Substrat umgibt und sich zusammen
mit dem Substrathalteelement dreht, und einen Wandabschnitt aufweist,
der die von dem sich drehenden Substrat geschleuderte Verfahrensflüssigkeit aufnimmt;
einen Auslassbecher, der außerhalb des Drehbechers so angeordnet
ist, dass er den Drehbecher und das Substrathalteelement umgibt,
und eine untere Wand, eine entlang eines Umfangs der unteren Wand
angeordnete ringförmige äußere Wand und
eine an einer einwärtigen (inneren) Seite der ringförmigen äußeren
Wand angeordnete ringförmige innere Wand beinhaltet; einen
Ablaufbecher, der innerhalb des Auslassbechers so angeordnet ist, dass
er den Drehbecher und das Substrathalteelement umgibt, so dass ein
unterer ringförmiger Raum zwischen dem Ablaufbecher und
der unteren Wand des Auslassbechers ausgebildet ist, ein äußerer
ringförmiger Raum zwischen dem Ablaufbecher und der ringförmigen äußeren
Wand des Auslassbechers ausgebildet ist und ein innerer ringförmiger
Raum zwischen dem Ablaufbecher und der ringförmigen inneren
Wand des Auslassbechers ausgebildet ist, wobei der Ablaufbecher
eine ringförmige Flüssigkeitsaufnahme beinhaltet,
welche die von dem sich drehenden Substrat geschleuderte Verfahrensflüssigkeit aufnimmt;
einen mit dem unteren ringförmigen Raum verbundenen Auslassmechanismus;
und ein Gasflussanpasselement, das zwischen dem äußeren ringförmigen
Raum und dem unteren ringförmigen Raum angeordnet ist,
wobei zumindest eine Lüftungsöffnung durch einen
Abschnitt des Ablaufbechers entfernt von der Flüssigkeitsaufnahme
oberhalb des unteren ringförmigen Raums ausgebildet und
zu einer neben dem Substrathalteelement liegenden Stelle hin geöffnet
ist.
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Zusätzliche
Ziele und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung
dargelegt und teilweise aus der Beschreibung offenkundig sein oder können
durch die Anwendung der Erfindung erfahren werden. Die Ziele und
Vorteile der Erfindung können insbesondere durch die nachstehend
dargelegten Mittel und Kombinationen realisiert und erhalten werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER VERSCHIEDENEN ANSICHTEN
DER ZEICHNUNGEN
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Die
beigefügten Zeichnungen, die in der Beschreibung enthalten
sind und einen Teil dieser bilden, veranschaulichen Ausführungsformen
der Erfindung und dienen zusammen mit der oben angeführten
allgemeinen Beschreibung und der nachfolgend angeführten
detaillierten Beschreibung der Ausführungsformen dazu,
die Grundsätze der Erfindung zu erklären.
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1 ist
eine Schnittdarstellung, die schematisch die Struktur einer Substratbearbeitungsvorrichtung
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt;
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2 ist
eine teilweise durchschnittene Draufsicht, die schematisch die Substratbearbeitungsvorrichtung
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt;
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3 ist
eine Ansicht, die schematisch einen in der in 1 gezeigten
Substratbearbeitungsvorrichtung verwendeten Flüssigkeitszuführmechanismus
zeigt;
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4 ist
eine vergrößerte Schnittdarstellung, die einen
in der in 1 gezeigten Substratbearbeitungsvorrichtung
verwendeten Auslass/Ablauf-Abschnitt zeigt;
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5 ist
eine Ansicht zum Erklären der Anordnung eines Drehbechers
und eines Führungselements, die in der in 1 gezeigten
Substratbearbeitungsvorrichtung verwendet werden;
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6A bis 6D sind
Ansichten zum Erklären des Ablaufs eines Reinigungsverfahrens,
das durch die Substratbearbeitungsvorrichtung gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung durchgeführt
wird;
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7 ist
eine vergrößerte Schnittdarstellung, die einen
Abschnitt nahe an dem Ablaufbecher und dem Auslassbecher zeigt;
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8 ist
eine Ansicht, die einen Zustand von Gasflüssen zeigt;
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9A bis 9D sind
Ansichten, die den Mechanismus einer Sequenz von Dunsterzeugung bis
zu Partikelablagerung zeigt;
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10 ist
eine Schnittdarstellung, die eine Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß einer
ersten Ausführungsform zeigt;
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11 ist
eine Schnittdarstellung, die eine Bearbeitungsvorrichtung 100b gemäß einer
zweiten Ausführungsform zeigt;
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12 ist
eine Draufsicht, die einen Auslass-und-Ablauf-Becher zeigt;
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13 ist
eine Schnittdarstellung, die eine Bearbeitungsvorrichtung 100c gemäß einer
dritten Ausführungsform zeigt;
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14 ist
eine Schnittdarstellung, die ein Beispiel dessen zeigt, wie die
Bearbeitungsvorrichtung 100c verwendet wird; und
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15 ist
eine Schnittdarstellung, die ein weiteres Beispiel dessen zeigt,
wie die Bearbeitungsvorrichtung 100c verwendet wird.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung werden nun mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben. In der folgenden Beschreibung wird eine Erklärung
eines Falls gegeben, in dem die vorliegende Erfindung auf eine Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung
angewandt wird, die ein Reinigungsverfahren auf den vorderen und
hinteren Oberflächen eines Halbleiterwafers (der nachfolgend
einfach als "Wafer" bezeichnet wird) durchführen kann.
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1 ist
eine Schnittdarstellung, die schematisch die Struktur einer Substratbearbeitungsvorrichtung
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung zeigt. 2 ist eine Draufsicht der in 1 gezeigten
Vorrichtung. 3 ist eine Ansicht, die schematisch
einen Verfahrensflüssigkeitszuführmechanismus
und einen Spülflüssigkeitszuführmechanismus
zeigt, die in der in 1 gezeigten Substratbearbeitungsvorrichtung
verwendet werden. 4 ist eine vergrößerte
Schnittdarstellung, die einen in der in 1 gezeigten
Substratbearbeitungsvorrichtung verwendeten Auslass/Ablauf-Abschnitt zeigt.
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Ein
Flüssigkeitsbearbeitungssystem (nicht gezeigt) enthält
mehrere darin angeordnete Vorrichtungen, von denen jede die gleiche
wie diese Substratbearbeitungsvorrichtung 100 ist. Wie
in 1 und 2 gezeigt, beinhaltet diese
Substratbearbeitungsvorrichtung 100 eine Bodenplatte 1 und
ein Waferhalteelement 2 zum drehbaren Halten eines Zielsubstrats
oder Wafers W. Das Waferhalteelement 2 kann durch einen
Drehmotor 3 gedreht werden. Ein Drehbecher 4 ist
so angeordnet, dass er den auf dem Waferhalteelement 2 gehaltenen
Wafer W umgibt und konfiguriert, sich zusammen mit dem Waferhalteelement 2 zu
drehen. Die Substratbearbeitungsvorrichtung 100 beinhaltet
ferner eine Vorderseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 5 zum
Zuführen einer Verfahrensflüssigkeit auf die vordere
Oberfläche des Wafers W und eine Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 zum
Zuführen einer Verfahrensflüssigkeit auf die hintere
Oberfläche des Wafers W. Ferner ist ein Auslass/Ablauf-Abschnitt 7 um
den Drehbecher 4 herum angeordnet. Ein Gehäuse 8 ist
so angeordnet, dass es den Bereich um den Auslass/Ablauf-Abschnitt 7 und
den Bereich oberhalb des Wafers W abdeckt. Das Gehäuse 8 ist
mit einem Gasflusseinlassabschnitt 9 an dem oberen Ende
versehen, der so angeordnet ist, dass er durch eine an einer seitlichen Seite
ausgebildete Einlassöffnung 9a einen von einer Gebläse/Filter-Einheit
(FFU) 9 des Flüssigkeitsbearbeitungssystems zugeführten
Gasfluss aufnimmt, so dass saubere Luft als ein abwärtiger
Fluss auf den auf dem Waferhalteelement 2 gehaltenen Wafer
W zugeführt wird.
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Das
Waferhalteelement 2 beinhaltet eine Drehplatte 11,
die aus einer in einem horizontalen Zustand festgesetzten runden
Platte gebildet ist. Das Zentrum des unteren Endes der Drehplatte 11 ist
mit einem zylindrischen Drehschaft 12 verbunden, der sich
vertikal nach unten erstreckt. Die Drehplatte 11 weist
an dem Zentrum eine runde Öffnung 11a auf, die
mit einer innerhalb des Drehschafts 12 ausgebildeten Bohrung 12a kommuniziert.
Eine Hebeelement 13, das die Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 hält,
ist durch die Bohrung 12a und die Öffnung 11a nach
oben und unten bewegbar. Wie in 2 gezeigt,
ist die Drehplatte 11 mit drei Haltezusätzen 14 zum
Halten des äußeren Rands des Wafers W versehen,
die mit regelmäßigen Abständen angeordnet sind.
Die Haltezusätze 14 sind konfiguriert, den Wafer
W in einem horizontalen Zustand zu halten, so dass der Wafer W leicht
von der Drehplatte 11 getrennt ist. Jeder der Haltezusätze 14 beinhaltet
einen Halteabschnitt 14a, der konfiguriert ist, den Rand
des Wafers W zu halten, einen Betätigungshebel 14b,
der sich von dem Halteabschnitt 14a in Richtung auf das Zentrum
der unteren Oberfläche der Drehplatte erstreckt, und einen
Drehschaft 14c, der den Halteabschnitt 14a so
hält, dass er vertikal drehbar ist. Wenn das entfernte
Ende des Betätigungshebels 14b durch einen Zylindermechanismus
(nicht gezeigt) nach oben gedrückt wird, wird der Halteabschnitt 14a nach außen
gedreht und löst den Griff auf den Wafer W. Jeder Haltezusatz 14 wird
durch eine Feder (nicht gezeigt) in eine Richtung vorgespannt, in
welcher der Halteabschnitt 14a den Wafer W hält,
so dass die Haltezusätze 14 den Wafer W halten
können, wenn der Zylindermechanismus nicht auf sie wirkt.
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Der
Drehschaft 12 wird durch die Bodenplatte 1 über
einen Lagermechanismus 15, der zwei Lager 15a aufweist,
drehbar gehalten. Der Drehschaft 12 ist mit einer Rolle 16 versehen,
die daran an dem unteren Ende angebracht ist. Der Schaft des Motors 3 ist
auch mit einer daran angebrachten Rolle 18 versehen. Ein
Riemen 17 ist um diese Rollen 16 und 18 herumgewickelt.
Der Drehschaft 12 wird durch die Rolle 18, den
Riemen 17 und die Rolle 16 durch Drehung des Motors 3 gedreht.
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Die
Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 ist
an einem Düsenhalteelement 22 angebracht, das an
dem entfernten Ende eines Düsenarms 22a gehalten
wird. Eine Verfahrensflüssigkeit oder dergleichen wird
von einem später beschriebenen Flüssigkeitszuführmechanismus 85 durch
einen in dem Düsenarm 22a ausgebildeten Flussdurchlass
zugeführt und dann von einem in der Düse 5 ausgebildeten
Düsenloch 5a ausgeführt. Zum Beispiel
umfasst die so ausgeführte Verfahrensflüssigkeit
eine chemische Flüssigkeit zur Waferreinigung, eine Spülflüssigkeit, wie
zum Beispiel aufbereitetes Wasser, und so weiter. Das Düsenhalteelement 22 ist
ferner mit einer daran angebrachten Trocknungslösemitteldüse 21 zum Ausführen
eines Trocknungslösemittels, wie zum Beispiel Isopropanol
(IPA), versehen. Ein Trocknungslösemittel, wie zum Beispiel
IPA, wird von einem in der Düse 21 ausgebildeten
Düsenloch 21a ausgeführt.
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Wie
in 2 gezeigt, ist der Düsenarm 22a durch
einen Antriebsmechanismus 81 um einen als eine zentrale
Achse verwendeten Schaft 23 drehbar, um die Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 zwischen
Waferreinigungspositionen oberhalb des Zentrums und des Umfangs
des Wafers W und einer Rückzugsposition außerhalb
des Wafers W zu bewegen. Ferner ist der Düsenarm 22a durch
einen Hebemechanismus 82, wie zum Beispiel einen Zylindermechanismus,
nach oben und unten bewegbar.
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Wie
in 3 gezeigt, weist der Düsenarm 22a einen
Flussdurchlass 83a auf, der darin ausgebildet und an einem
Ende mit dem Düsenloch 5a der Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 verbunden ist.
Das andere Ende des Flussdurchlasses 83a ist mit einer
Röhre 84a verbunden. Der Düsenarm 22a weist
ferner einen Flussdurchlass 83b auf, der darin ausgebildet
und an einem Ende mit dem Düsenloch 21a der Trocknungslösemitteldüse 21 verbunden
ist. Das andere Ende des Flussdurchlasses 83b ist mit einer
Röhre 84b verbunden. Vorgegebene Verfahrensflüssigkeiten
werden durch die Röhren 84a und 84b von
dem Flüssigkeitszuführmechanismus 85 zugeführt.
Der Flüssigkeitszuführmechanismus 85 beinhaltet
Quellen für chemische Reinigungsflüssigkeiten,
wie zum Beispiel eine DHF-Zuführquelle 86 zum Zuführen
verdünnter Fluorwasserstoffsäure (DHF) als einer
sauren chemischen Flüssigkeit und eine SC1-Zuführquelle 87 zum
Zuführen einer Ammoniak-Wasserstoffperoxyd-Lösung
(SC1) als einer basischen chemischen Flüssigkeit. Der Flüssigkeitszuführmechanismus 85 beinhaltet
ferner eine Spülflüssigkeitsquelle, wie zum Beispiel
eine DIW-Zuführquelle 88 zum Zuführen
von aufbereitetem Wasser (DIW) und eine Trocknungslösemittelquelle,
wie zum Beispiel eine IPA-Zuführquelle 95 zum
Zuführen von IPA. Die DHF-Zuführquelle 86,
die SC1-Zuführquelle 87 und die DIW-Zuführquelle 88 sind
mit Röhren 89, 90 und 91 verbunden,
die sich davon erstrecken. Die Röhren 89, 90 und 91 sind
mit der Röhre 84a durch Umschaltventile 92, 93 und 94 verbunden.
Dementsprechend werden die Ammoniak-Wasserstoffperoxyd-Lösung
(SC1), die verdünnte Fluorwasserstoffsäure (DHF)
und das aufbereitete Wasser (DIW) wahlweise der Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 durch
Betätigen der Umschaltventile 92, 93 und 94 zugeführt.
In diesem Fall ist die sich von der DIW-Zuführquelle 88 erstreckende
Röhre 91 mit der stromaufwärtigsten Seite
der Röhre 84a verbunden. Andererseits ist die
IPA-Zuführquelle 95 direkt mit der Röhre 84b verbunden,
die sich von dem Flussdurchlass 83b erstreckt und mit einem
Umschaltventil 96 darauf versehen ist. Dementsprechend
wird IPA der Trocknungslösemitteldüse 21 durch Öffnen
des Umschaltventils 96 zugeführt.
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Wie
oben beschrieben, dient der Flüssigkeitszuführmechanismus 85 als
ein Verfahrensflüssigkeitszuführmechanismus zum
Zuführen einer Ammoniak-Wasserstoffperoxyd-Lösung
(SC1) und einer verdünnten Fluorwasserstoffsäure
(DHF), die als Reinigungsverfahrensflüssigkeiten verwendet
werden. Der Flüssigkeitszuführmechanismus 85 dient außerdem
als ein Spülflüssigkeitszuführmechanismus
zum Zuführen von aufbereitetem Wasser (DIW), das als eine
Spülflüssigkeit verwendet wird. Der Flüssigkeitszuführmechanismus 85 dient
ferner als ein Trocknungslösemittelzuführmechanismus
zum Zuführen von IPA, das als ein Trocknungslösemittel
verwendet wird.
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Die
Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 weist
eine Düsenöffnung 6a auf, die durch das
Zentrum des Hebeelements 13 ausgebildet ist und sich in der
Längsrichtung erstreckt. Eine vorgegebene Verfahrensflüssigkeit
wird von einem Verfahrensflüssigkeitszuführmechanismus
(nicht gezeigt) von unterhalb in die Düsenöffnung 6a zugeführt
und dann von der Düsenöffnung 6a auf
die hintere Oberfläche des Wafers W ausgeführt.
Zum Beispiel umfasst die so ausgeführte Verfahrensflüssigkeit
eine Reinigungsverfahrensflüssigkeit, eine Spülflüssigkeit,
wie zum Beispiel aufbereitetes Wasser, und so weiter, wie bei der
Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5.
Der Flüssigkeitszuführmechanismus zum Zuführen
einer Verfahrensflüssigkeit in die Rückseiten- Flüssigkeitszufuhrdüse 6 kann
wie bei dem Flüssigkeitszuführmechanismus 85 strukturiert
sein, mit Ausnahme der IPA-Zuführleitung. Das Hebeelement 13 beinhaltet einen
Waferhaltekopf 24 an dem oberen Ende zum Halten des Wafers
W. Der Waferhaltekopf 24 ist mit drei Waferhaltestiften 25 zum
Halten des Wafers W (von denen nur zwei gezeigt sind) auf der oberen Oberfläche
versehen. Das untere Ende der Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 ist
durch ein Anschlussstück 26 mit einem Zylindermechanismus 27 verbunden.
Das Hebeelement 13 ist durch den Zylindermechanismus 27 nach
oben und unten bewegbar, um den Wafer W beim Laden und Entladen
des Wafers W nach oben und unten zu bewegen.
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Der
Drehbecher 4 beinhaltet einen ringförmigen Rinnenabschnitt 31,
der so geneigt ist, dass er sich von einer Stelle oberhalb des Endes
der Drehplatte 11 nach innen und oben erstreckt, und einen zylindrischen
Wandabschnitt 32, der sich von dem äußeren
Ende des Rinnenabschnitts 31 vertikal nach unten erstreckt.
Wie in der vergrößerten Ansicht der 4 gezeigt,
ist eine ringförmige Lücke 33 zwischen
dem Wandabschnitt 32 und der Drehplatte 11 ausgebildet,
so dass die durch die Drehung des Wafers W zusammen mit der Drehplatte 11 und
dem Drehbecher 4 gestreute Verfahrensflüssigkeit
oder Spülflüssigkeit durch die Lücke 33 nach
unten geführt wird.
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Eine
plattenartige Drehführung 35 ist zwischen dem
Rinnenabschnitt 31 und der Drehplatte 11 an einer
Höhe angeordnet, die im Wesentlichen die gleiche wie die
des Wafers W ist. Wie in 5 gezeigt, sind mehrere Abstandshalter 38 und 39 in
einer ringförmigen Ausrichtung zwischen dem Rinnenabschnitt 31 und
der Drehführung 35 und zwischen der Drehführung 35 und
der Drehplatte 11 angeordnet, um Öffnungen 36 und 37 auszubilden,
die es der Verfahrensflüssigkeit oder der Spülflüssigkeit
ermöglichen, durch sie hindurch zu treten. Der Rinnenabschnitt 31,
die Drehführung 35, die Drehplatte 11 und die
Abstandshalter 38 und 39 sind aneinander durch Schrauben 40 befestigt.
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Die
Drehführung 35 ist so angeordnet, dass ihre oberen
und unteren Oberflächen beinahe bis zu den vorderen und
hinteren Oberflächen des Wafers W verlaufen. Wenn eine
Verfahrensflüssigkeit auf das Zentrum der vorderen Oberfläche
des Wafers W von der Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 zugeführt
wird, während das Waferhalteelement 2 und der Drehbecher 4 zusammen
mit dem Wafer W durch den Motor 3 gedreht werden, wird
die Verfahrensflüssigkeit durch eine Zentrifugalkraft auf
der vorderen Oberfläche des Wafers W verteilt und von dem
Umfangsrand des Wafers W geschleudert. Die so von der vorderen Oberfläche
des Wafers W geschleuderte Verfahrensflüssigkeit wird durch
die obere Oberfläche der Drehführung 35 geführt.
Dann wird die Verfahrensflüssigkeit nach außen
durch die Öffnungen 36 abgeführt und
durch den Wandabschnitt 32 nach unten geführt.
In ähnlicher Weise wird, wenn eine Verfahrensflüssigkeit
auf das Zentrum der hinteren Oberfläche des Wafers W von
der Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 zugeführt
wird, während das Waferhalteelement 2 und der
Drehbecher 4 zusammen mit dem Wafer W gedreht werden, die
Verfahrensflüssigkeit durch eine Zentrifugalkraft auf der
hinteren Oberfläche des Wafers W verteilt und von dem Umfangsrand
des Wafers W geschleudert. Die so von der hinteren Oberfläche
des Wafers W geschleuderte Verfahrensflüssigkeit wird durch
die beinahe bis dahin verlaufende untere Oberfläche der
Drehführung 35 geführt. Dann wird die
Verfahrensflüssigkeit durch die Öffnungen 37 nach
außen abgeführt und durch den Wandabschnitt 32 nach
unten geführt. Zu diesem Zeitpunkt wird, da eine Zentrifugalkraft
auf die zu den Abstandshaltern 38 und 39 und dem Wandabschnitt 32 geführte
Verfahrensflüssigkeit wirkt, ein Dunst der Verfahrensflüssigkeit
daran gehindert, nach innen zurückzuströmen.
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Ferner
kann, da die von den vorderen und hinteren Oberflächen
des Wafers W geschleuderte Verfahrensflüssigkeit durch
die Drehführung 35 geführt wird, die
von dem Umfangsrand des Wafers W getrennte Verfahrensflüssigkeit
schwerlich turbulent werden. In diesem Fall ist es möglich,
die Verfahrensflüssigkeit aus dem Drehbecher 4 herauszuführen, während
verhindert wird, dass die Verfahrensflüssigkeit in Dunst übergeht.
Wie in 2 gezeigt, weist die Drehführung 35 Kerben 41 an
Stellen auf, die den Waferhaltezusätzen 14 entsprechen,
um die Waferhaltezusätze 14 aufzunehmen.
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Der
Auslass/Ablauf-Abschnitt 7 wird hauptsächlich
zum Sammeln von Auslassgas und Ablaufflüssigkeit verwendet,
die von dem durch die Drehplatte 11 und den Drehbecher 4 umgebenen
Raum abgeführt werden. Wie in der vergrößerten
Ansicht der 4 gezeigt, beinhaltet der Auslass/Ablauf-Abschnitt 7 einen
ringförmigen Ablaufbecher 51, der so angeordnet
ist, dass er die von dem Drehbecher 4 abgeführte
Verfahrensflüssigkeit oder Spülflüssigkeit aufnimmt,
und einen ringförmigen Auslassbecher 52, der den
Ablaufbecher 51 aufnimmt und koaxial mit dem Ablaufbecher 51 angeordnet
ist.
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Wie
in 1 und 4 gezeigt, beinhaltet der Ablaufbecher 51 eine
zylindrische äußere Seitenwand 53, die
vertikal außerhalb des Drehbechers 4 neben dem
Wandabschnitt 32 angeordnet ist, und eine innere Wand 54,
die sich von dem unteren Ende der äußeren Seitenwand 53 nach
innen erstreckt. Die innere Wand 54 ist mit einer inneren
Seitenwand 54a verbunden, die vertikal an der inneren Seite
angeordnet ist. Die äußere Seitenwand 53 und
die innere Wand 54 definieren einen ringförmigen
Raum, der als eine Flüssigkeitsaufnahme 56 zum
Aufnehmen der von dem Drehbecher 4 abgeführten
Verfahrensflüssigkeit oder Spülflüssigkeit
verwendet wird. Die obere Seite der äußeren Seitenwand 53 ist
als ein Erstreckungsabschnitt 53a ausgebildet, der sich
zu einer Stelle oberhalb des Drehbechers 4 erstreckt, um
zu verhindern, dass die Verfahrensflüssigkeit aus dem Ablaufbecher 51 herausgestoßen
wird. Die Flüssigkeitsaufnahme 56 beinhaltet eine
ringförmige Trennwand 55, die darin in einer ringförmigen
Ausrichtung des Ablaufbechers 51 außerhalb der
Haltezusätze 14 angeordnet ist und sich von der
inneren Wand 54 zu einer Stelle nahe an der unteren Oberfläche
der Drehplatte 11 erstreckt. Die Trennwand 55 dient
dazu, zu verhindern, dass durch die unterhalb der Drehplatte 11 nach
unten hervorstehenden Abschnitte der Haltezusätze 14 erzeugte
Streuluftströmungen Dunst aufnehmen und diesen auf den
Wafer W übertragen.
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Der
Ablaufbecher 51 weist eine Ablauföffnung 60 zum
Ablauf von der Flüssigkeitsaufnahme 56 auf, die
in der inneren Wand 54 an einer Stelle an der äußersten
Seite ausgebildet ist und mit einer Ablaufröhre 61 (siehe 1)
verbunden ist. Die Ablaufröhre 61 ist mit einem
Ablaufumschaltelement 111 versehen, das mit einer Säurenabführröhre 112a zum
Abführen saurer Ablaufflüssigkeit, einer Laugenabführröhre 112b zum
Abführen einer basischen Ablaufflüssigkeit, einer
Säurensammelröhre 112c zum Sammeln der
sauren chemischen Flüssigkeit und einer Laugensammelröhre 112d zum
Sammeln der basischen chemischen Flüssigkeit verbunden
ist, die sich alle vertikal nach unten erstrecken. Die Säurenabführröhre 112a,
die Laugenabführröhre 112b, die Säurensammelröhre 112c und
die Laugensammelröhre 112d sind jeweils mit Ventilen 113a, 113b, 113c und 113d versehen.
Durch diese Anordnung werden die Verfahrensflüssigkeiten
entsprechend ihrer Art getrennt gesammelt oder entsorgt. Spezifischer
wird, wenn ein Reinigungsvorgang unter Verwendung verdünnter
Fluorwasserstoffsäure (DHF) durchgeführt wird,
das Ablaufumschaltelement 111 auf die Säurensammelröhre 112c umgeschaltet,
um die Ablaufflüssigkeit der verdünnten Fluorwasserstoffsäure
(DHF) zu sammeln. Wenn ein Spülverfahren nach der Reinigung
unter Verwendung der verdünnten Fluorwasserstoffsäure
(DHF) durchgeführt wird, wird das Ablaufumschaltelement 111 auf
die Säurenabführröhre 112a umgeschaltet,
um die Ablaufflüssigkeit der mit der Spülflüssigkeit
vermischten verdünnten Fluorwasserstoffsäure (DHF)
zu entsorgen. Ferner wird, wenn ein Reinigungsvorgang unter Verwendung
einer Ammoniak-Wasserstoffperoxyd-Lösung (SC1) durchgeführt
wird, das Ablaufumschaltelement 111 auf die Laugensammelröhre 112d umgeschaltet,
um die Ablaufflüssigkeit der Ammoniak-Wasserstoffperoxyd-Lösung
(SC1) zu sammeln. Wenn ein Spülverfahren nach der Reinigung
unter Verwendung der Ammoniak-Wasserstoffperoxyd-Lösung
(SC1) durchgeführt wird, wird das Ablaufumschaltelement 111 auf
die Laugenabführröhre 112b umgeschaltet, um
die Ablaufflüssigkeit der mit der Spülflüssigkeit vermischten
Ammoniak-Wasserstoffperoxyd-Lösung (SC1) zu entsorgen.
Anstelle einer einzelnen Ablauföffnung 60 können
mehrere Ablauföffnungen 60 ausgebildet sein.
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Wenn
die Drehplatte 11 und der Drehbecher 4 zusammen
mit dem Wafer W gedreht werden, erzeugt die abgeführte
und von dem Drehbecher 4 aufgenommene Verfahrensflüssigkeit
oder Spülflüssigkeit einen kreisförmigen
Fluss innerhalb des Ablaufbechers 51 und wird durch die
Ablauföffnung 60 zu der Ablaufröhre 61 abgeführt.
Der kreisförmige Fluss kann auch nur durch Drehung der
Drehplatte 11 zusammen mit dem Wafer W erzeugt werden.
Jedoch ist bei dieser Ausführungsform die untere Seite
des Wandabschnitts 32 in den Ablaufbecher 51 eingefügt,
um einen kreisförmigen Gasfluss zu erzeugen, wenn der Drehbecher 4 gedreht
wird. In diesem Fall begleitet die Verfahrensflüssigkeit
oder die Spülflüssigkeit den kreisförmigen
Gasfluss innerhalb des Ablaufbechers 51 und erzeugt einen
kreisförmigen Fluss mit einer, verglichen mit einem kreisförmigen Fluss,
der nur durch Drehung des Wafers W und der Drehplatte 11 erzeugt
wird, höheren Geschwindigkeit. Folglich wird die Flüssigkeit
schneller von der Ablauföffnung 60 abgeführt.
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Der
Auslassbecher 52 beinhaltet eine äußere
Wand (ringförmiger äußerer Wandabschnitt) 64, die
sich vertikal außerhalb der vertikalen Wand 53 des
Ablaufbechers 51 erstreckt, und eine innere Wand (ringförmiger
innerer Wandabschnitt) 65, die an der einwärtigen
(inneren) Seite der Haltezusätze 14 angeordnet
ist und sich vertikal erstreckt, so dass sie ein oberes Ende neben
der Drehplatte 11 aufweist. Der Auslassbecher 52 beinhaltet
ferner eine untere Wand (unterer Wandabschnitt) 66, die
an der Bodenplatte 1 angeordnet ist, und eine obere Wand 67,
die sich von der äußeren Wand 64 gekrümmt nach
oben erstreckt, so dass sie einen Bereich oberhalb des Drehbechers 4 bedeckt.
Der Auslassbecher 52 wird hauptsächlich dazu verwendet,
Gaskomponenten von innerhalb des Drehbechers 4 und um diesen
herum durch eine ringförmige Einlassöffnung 68, die
zwischen der oberen Wand 67 und dem Rinnenabschnitt 31 des
Drehbechers 4 ausgebildet ist, zu sammeln und auszulassen.
Wie in 1 und 4 gezeigt, weist der Auslassbecher 52 Auslassöffnungen 70 auf,
die in dem unteren Ende ausgebildet sind und jeweils mit einer Auslassröhre 71 verbunden sind.
Die Auslassröhre 71 ist mit einem Saugmechanismus
(nicht gezeigt) an der stromabwärtigen Seite verbunden,
so dass Gas von dem Bereich um den Drehbecher 4 herum ausgelassen
wird.
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Ein äußerer
ringförmiger Raum 99a ist zwischen der äußeren
Wand oder äußeren Seitenwand 53 des Ablaufbechers 51 und
der äußeren Wand 64 des Auslassbechers 52 ausgebildet.
Ein ringförmiges Gasflussanpasselement 97 ist
zwischen dem unteren Ende des Ablaufbechers 51 und dem
unteren Ende des Auslassbechers 52 außerhalb der
Auslassöffnungen 70 angeordnet. Das Gasflussanpasselement 97 weist
eine Anzahl von Gasflussöffnungen 98 auf, die
darin ausgebildet und in einer ringförmigen Ausrichtung
angeordnet sind. Der äußere ringförmige
Raum 99a und das Gasflussanpasselement 97 dienen
dazu, einen in dem Auslassbecher 52 gesammelten Gasfluss
so anzupassen, dass er gleichmäßig von den Auslassöffnungen 70 abgeführt
wird. Spezifisch wird dieser Auslassgasfluss durch den ringförmigen
Raum oder äußeren ringförmigen Raum 99a gleichmäßig über
einen ringförmigen Bereich nach unten geführt
und dann durch das Gasflussanpasselement 97, das eine Anzahl
von Gasflussöffnungen 98 aufweist, einem Druckverlust
oder -widerstand ausgesetzt. Folglich wird der Gasfluss verteilt und
relativ gleichmäßig von überall her zu
den Auslassöffnungen 70 abgeführt, ungeachtet
des Abstands von den Auslassöffnungen 70.
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Andererseits
ist ein innerer ringförmiger Raum 99b zwischen
der inneren Seitenwand 54a des Ablaufbechers 51 und
der inneren Wand 65 des Auslassbechers 52 ausgebildet.
Ferner ist eine Lücke 77 zwischen dem Ablaufbecher 51 und
der unteren Wand des Auslassbechers 52 an der inneren Umfangsseite
des Ablaufbechers 51 ausgebildet. Durch die Einlassöffnung 68 gesammelte
Gaskomponenten fließen teilweise in die Flüssigkeitsaufnahme 56 des Ablaufbechers 51 sowie
den äußeren ringförmigen Raum 99a.
Dieser Gasfluss wird durch die Flüssigkeitsaufnahme 56 und
den inneren ringförmigen Raum 99b gleichmäßig über
einen ringförmigen Bereich nach unten geführt
und relativ gleichmäßig durch die Lücke 77 zu
den Auslassöffnungen 70 abgeführt.
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Wie
oben beschrieben, wird der Flüssigkeitsablauf von dem Ablaufbecher 51 unabhängig
von dem Gasauslass von dem Auslassbecher 52 durchgeführt,
so dass die Ablaufflüssigkeit und das Auslassgas getrennt
voneinander geführt werden. Ferner wird, da der Auslassbecher 52 so
angeordnet ist, dass er den Ablaufbecher 51 umgibt, aus
dem Ablaufbecher 51 heraus leckender Dunst schnell von den
Auslassöffnungen 70 abgeführt, so dass
zuverlässig verhindert wird, dass der Dunst nach außen diffundiert.
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Die
Substratbearbeitungsvorrichtung 100 beinhaltet eine Verfahrenssteuerung 121,
die einen Mikroprozessor (Computer) umfasst, der mit den jeweiligen
Komponenten der Substratbearbeitungsvorrichtung 100 verbunden
ist und diese steuert. Die Verfahrenssteuerung 121 ist
mit der Benutzerschnittstelle 122 verbunden, die zum Bespiel
eine Tastatur und eine Anzeige beinhaltet, wobei die Tastatur von einem
Verfahrensanwender verwendet wird, um Anweisungen zur Betätigung
der jeweiligen Komponenten der Substratbearbeitungsvorrichtung 100 einzugeben
und die Anzeige dazu verwendet wird, visualisierte Bilder des Betriebszustands
der jeweiligen Komponenten der Substratbearbeitungsvorrichtung 100 zu
zeigen. Ferner ist die Verfahrenssteuerung 121 mit einem
Speicherabschnitt 123 verbunden, der Anleitungen speichert,
d. h. Steuerprogramme für die Verfahrenssteuerung 121,
um die Substratbearbeitungsvorrichtung 100 so zu steuern,
dass verschiedene Verfahren durchgeführt werden, und Steuerprogramme
für die jeweiligen Komponenten der Substratbearbeitungsvorrichtung 100,
um vorgegebene Verfahren gemäß Verfahrensbedingungen
durchzuführen. Die Anleitungen sind in einem in dem Speicherabschnitt 123 beinhalteten
Speichermedium gespeichert. Das Speichermedium kann aus einem Medium
der stationären Art, wie zum Beispiel einer Festplatte
oder einem Halbleiterspeicher, oder einem Medium der tragbaren Art,
wie zum Beispiel einer CDROM, einer DVD oder einem Flash-Speicher,
gebildet sein. Alternativ können die Anleitungen online verwendet
werden, während sie von einer weiteren Vorrichtung zum
Beispiel über eine zugehörige Leitung wie benötigt übertragen
werden.
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Eine
benötigte Anleitung wird aus dem Speicherabschnitt 123 abgerufen
und durch die Verfahrenssteuerung 121 gemäß einer über
die Benutzerschnittstelle 122 eingegebenen Anordnung oder
dergleichen ausgeführt. Folglich kann die Substratbearbeitungsvorrichtung 100 ein
vorgegebenes Verfahren unter der Steuerung der Verfahrenssteuerung 121 durchführen.
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Als
nächstes wird mit Bezug auf 6A bis 8 eine
Erklärung eines Betriebs der Substratbearbeitungsvorrichtung 100 mit
der oben beschriebenen Struktur gegeben. Der nachfolgend beschriebene
Betrieb zum Durchführen eines Reinigungsverfahrens gemäß dieser
Ausführungsform wird durch die Verfahrenssteuerung 121 gemäß einer
in dem Speicherabschnitt 123 gespeicherten Anleitung gesteuert.
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Bei
dem Reinigungsverfahren unter Verwendung einer Verfahrensflüssigkeit
(chemischen Flüssigkeit) wird zunächst, wie in 6A gezeigt,
das Hebeelement 13 an die obere Position gesetzt und ein
Wafer W von einem Überführungsarm (nicht gezeigt)
auf die Haltestifte 25 des Waferhaltekopfs 24 überführt.
Dann wird, wie in 6B gezeigt, das Hebeelement 13 nach
unten auf eine Position bewegt, in welcher der Wafer W durch die
Haltezusätze 14 gehalten werden kann, und dann
der Wafer W durch die Haltezusätze 14 eingespannt.
Dann wird, wie in 6C gezeigt, die Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 von
der Rückzugsposition in die Waferreinigungsposition bewegt.
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In
diesem Zustand wird, wie in 6D gezeigt,
während das Halteelement 2 zusammen mit dem Drehbecher 4 und
dem Wafer W durch den Motor 3 gedreht wird, eine vorgegebene
Verfahrensflüssigkeit von der Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 und
der Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 zugeführt,
um ein Reinigungsverfahren durchzuführen.
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Bei
diesem Waferreinigungsverfahren wird, während der Wafer
W gedreht wird, die Verfahrensflüssigkeit von der Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 und
der Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 auf
das Zentrum der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche
des Wafers W zugeführt. Folglich wird die Verfahrensflüssigkeit
durch eine Zentrifugalkraft auf dem Wafer W nach außen
verteilt, während ein Reinigungsvorgang auf dem Wafer W
durchgeführt wird. Die für den Reinigungsvorgang
verwendete Verfahrensflüssigkeit wird dann von dem Umfangsrand
des Wafers W geschleudert. Bei dem Reinigungsverfahren wird die
Drehgeschwindigkeit des Wafers vorzugsweise auf 200 bis 700 rpm
(U/min) gesetzt. Der Durchsatz der Verfahrensflüssigkeit
wird vorzugsweise auf 0,5 bis 1,5 L/min gesetzt.
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Der
bei diesem Waferreinigungsverfahren verwendete, den Wafer W umgebende
Becher ist der Drehbecher 4, der zusammen mit dem Wafer
W gedreht wird. Dementsprechend wirkt, wenn die von dem Wafer W
geschleuderte Verfahrensflüssigkeit den Drehbecher 4 trifft,
eine Zentrifugalkraft auf die Verfahrensflüssigkeit und
wird dadurch verhindert, dass die Verfahrensflüssigkeit
gestreut (in Dunst umgewandelt) wird, anders als in einem Fall,
in dem ein ortsfester Becher zu demselben Zweck verwendet wird.
Dann wird die Verfahrensflüssigkeit durch den Drehbecher 4 nach
unten geführt und durch die Lücke 33 in
den Hauptbecherabschnitt 56a der Flüssigkeitsaufnahme 56 des
Ablaufbechers 51 abgeführt. Die durch den Ablaufbecher 51 aufgenommene
Verfahrensflüssigkeit wird durch die Ablauföffnung 60 zu der
Ablaufröhre 61 abgeführt, während
sie innerhalb des Ablaufbechers 51 umläuft. Zu
diesem Zeitpunkt wird zusammen mit der Drehung des Drehbechers 4 ein
kreisförmiger Gasfluss durch den Wandabschnitt 32 innerhalb
des Ablaufbechers 51 erzeugt und begleitet die Verfahrensflüssigkeit
den kreisförmigen Gasfluss innerhalb des Ablaufbechers 51.
Folglich erzeugt, wenn die Verfahrensflüssigkeit durch
die Ablauföffnung 60 zu der Ablaufröhre 61 abgeführt
wird, die Verfahrensflüssigkeit einen kreisförmigen
Fluss mit einer höheren Geschwindigkeit innerhalb des Ablaufbechers 51.
Da solch ein kreisförmiger Fluss mit einer höheren
Geschwindigkeit erzeugt wird, wird die Verfahrensflüssigkeit
durch die Ablauföffnung 60 zu der Ablaufröhre 61 in
einer kürzeren Zeit abgeführt.
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Ferner
werden Gaskomponenten hauptsächlich in dem Auslassbecher 52 von
innerhalb des Drehbechers 4 und um diesen herum durch die
ringförmige Einlassöffnung 68 gesammelt,
die zwischen der oberen Wand 67 und dem Rinnenabschnitt 31 des
Drehbechers 4 ausgebildet ist, und dann durch die Auslassöffnungen 70 zu
der Auslassröhre 71 ausgelassen.
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Nachdem
das Reinigungsverfahren unter Verwendung einer Verfahrensflüssigkeit
wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wird nachfolgend
ein Spülverfahren durchgeführt. Bei diesem Spülverfahren
wird die Zufuhr der Verfahrensflüssigkeit angehalten und
aufbereitetes Wasser als eine Spülflüssigkeit
von der Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 und
der Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 auf
die vorderen und hinteren Oberflächen des Wafers W zugeführt.
Zu diesem Zeitpunkt wird, wie bei dem Reinigungsverfahren unter
Verwendung einer Verfahrensflüssigkeit, während
das Halteelement 2 zusammen mit dem Drehbecher 4 und
dem Wafer W durch den Motor 3 gedreht wird, als eine Spülflüssigkeit
verwendetes aufbereitetes Wasser von der Vorderseiten-Flüssigkeitszuführdüse 5 und
der Rückseiten-Flüssigkeitszufuhrdüse 6 auf
das Zentrum der vorderen und hinteren Oberflächen des Wafers
W zugeführt. Folglich wird die Spülflüssigkeit
durch eine Zentrifugalkraft auf dem Wafer W nach außen
verteilt, während ein Spülvorgang auf dem Wafer
W durchgeführt wird. Das für den Spülvorgang
verwendete aufbereitete Wasser wird dann von dem Umfangsrand des
Wafers W geschleudert.
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Wie
bei der Verfahrensflüssigkeit werden das aufbereitete Wasser
oder die Spülflüssigkeit, die so herabgeschleudert
wurden, durch die Lücke 33 des Drehbechers 4 und
die Öffnungen, welche die Halteabschnitte 14a aufnehmen,
in die Flüssigkeitsaufnahme 56 des Ablaufbechers 51 abgeführt.
Dann werden das aufbereitete Wasser oder die Spülflüssigkeit
durch die Ablauföffnung 60 zu der Ablaufröhre 61 abgeführt,
während sie innerhalb des Ablaufbechers 51 umlaufen.
Zu diesem Zeitpunkt wird ein kreisförmiger Gasfluss durch
den Wandabschnitt 32 des Drehbechers 4 innerhalb
des Ablaufbechers 51 erzeugt und begleiten das aufbereitete Wasser
oder die Spülflüssigkeit den kreisförmigen
Gasfluss innerhalb des Ablaufbechers 51. Folglich wird
ein kreisförmiger Fluss mit einer höheren Geschwindigkeit
erzeugt und werden so das aufbereitete Wasser oder die Spülflüssigkeit
durch die Ablauföffnung 60 zu der Ablaufröhre 61 in
einer kürzeren Zeit abgeführt.
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Wie
oben beschrieben, kann, da die Verfahrensflüssigkeit oder
die Spülflüssigkeit von dem ringförmigen
Ablaufbecher 51 in einer kürzeren Zeit abgeführt
werden, die Flüssigkeitsersetzungsrate erhöht
werden, wenn mehrere Verfahrensflüssigkeiten verwendet
werden. Zusätzlich wird, wenn zwischen Verfahrensflüssigkeiten
verschiedener Arten umgeschaltet wird, verhindert, dass diese miteinander
vermischt werden, wenn sie abgeführt werden.
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Wenn
das Spülverfahren unter Verwendung von aufbereitetem Wasser
als einer Spülflüssigkeit auf dem Wafer W durchgeführt
wird, läuft das von dem Wafer W geschleuderte aufbereitete
Wasser innerhalb des Ablaufbechers 51 um und führt
einen Reinigungsvorgang an der Innenseite des Ablaufbechers 51 durch.
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Wie
oben beschrieben, bietet die Substratbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß dieser
Ausführungsform verschiedene Gegenmaßnahmen zur
Verhinderung von Dunsterzeugung. Ferner beinhaltet eine Substratbearbeitungsvorrichtung 100 gemäß einer
Ausführungsform Merkmale, die angesichts der Gasflüsse
an dem Umfang des Wafers W geschaffen wurden.
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7 ist
eine vergrößerte Schnittdarstellung, die einen
Abschnitt nahe an dem Ablaufbecher 51 und dem Auslassbecher 52 zeigt.
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Wie
in 7 gezeigt, beinhaltet das Waferhalteelement 2 die
Drehplatte 11, die konfiguriert ist, sich zusammen mit
einem Wafer W (in 7 nicht gezeigt), der darauf
in einem horizontalen Zustand gehalten wird, zudrehen, und ist der
Drehbecher 4 um die Drehplatte 11 herum angeordnet,
so dass er den Wafer W umgibt. Der Drehbecher 4 ist konfiguriert,
sich zusammen mit der Drehplatte 11 zu drehen und beinhaltet
den Wandabschnitt 32, der eine von dem Wafer W geschleuderte
Verfahrensflüssigkeit aufnimmt. Der Auslassbecher 52 ist
um den Drehbecher 4 herum angeordnet, so dass er den Drehbecher 4 und
die Drehplatte 11 umgibt. Der Auslassbecher 52 beinhaltet
die untere Wand 66, die ringförmige äußere
Wand 64, die entlang des äußeren Umfangs
der unteren Wand 66 angeordnet ist, und die ringförmige
innere Wand 65, die an einer einwärtigen (inneren)
Seite der ringförmigen äußeren Wand 64 (entlang
des inneren Umfangs der unteren Wand 66) angeordnet ist.
Innerhalb des Auslassbechers 52 umgibt der Ablaufbecher 51 den
Drehbecher 4 und die Drehplatte 11. Ein unterer
ringförmiger Raum 99c ist zwischen dem Ablaufbecher 51 und
der unteren Wand 66 des Auslassbechers 52 ausgebildet.
Ein äußerer ringförmiger Raum 99a ist
zwischen dem Ablaufbecher 51 und der ringförmigen äußeren
Wand 64 des Auslassbechers 52 ausgebildet. Ein
innerer ringförmiger Raum 99b ist zwischen dem
Ablaufbecher 51 und der ringförmigen inneren Wand 65 des Auslassbechers 52 ausgebildet.
Der Ablaufbecher 51 beinhaltet die ringförmige
Flüssigkeitsaufnahme 56 unterhalb des Wandabschnitts 32 des
Drehbechers 4 zum Aufnehmen von von dem Wafer W, der gedreht wird,
geschleuderter Verfahrensflüssigkeit. Der untere ringförmige
Raum 99c kommuniziert mit den Auslassöffnungen 70,
die jeweils durch die Auslassröhre 71 mit einem
Auslassmechanismus 200 verbunden sind. Das Gasflussanpasselement 97 ist
zwischen dem unteren ringförmigen Raum 99c und
dem äußeren ringförmigen Raum 99a angeordnet.
Das Gasflussanpasselement 97 beinhaltet mehrere Gasflussöffnungen 98,
die den äußeren ringförmigen Raum 99a.
mit dem unteren ringförmigen Raum 99c verbinden.
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Bei
der Bearbeitungsvorrichtung 100, die den oben beschriebenen
Ablaufbecher 51 und den oben beschriebenen Auslassbecher 52 beinhaltet, werden,
wenn Gas durch den Auslassmechanismus 200 ausgelassen wird,
Gasflüsse zwei verschiedener Arten, d. h. ein Gasfluss
in Richtung auf den Ablaufbecher 51 und ein Gasfluss in
Richtung auf den Auslassbecher 52, erzeugt. 8 zeigt
diese Gasflüsse.
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Wie
in 8 gezeigt, wird der Gasfluss A in Richtung auf
den Ablaufbecher oberhalb des Wafers W erzeugt und der Gasfluss
B in Richtung auf den Auslassbecher oberhalb des Gasflusses A erzeugt.
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Diese
zwei Gasflüsse A und B unterscheiden sich voneinander in
ihrer Stärke, so dass der Gasfluss B in Richtung auf den
Auslassbecher stärker als der Gasfluss A in Richtung auf
den Ablaufbecher ist. Da der Ablaufbecher 51 die Trennwand 55 und
die ausgesparte Flüssigkeitsaufnahme 56 unterhalb
des Drehbechers 4 und der Drehplatte 11 beinhaltet, weist
der entlang dieser Abschnitte vorliegende Raum eine komplexere Form
als der äußere ringförmige Raum 99a auf,
der im Wesentlichen gerade ist. Dementsprechend ist zu erwarten,
dass der Luftwiderstand des Auslassdurchlasses in Richtung auf den
Ablaufbecher größer ist und deshalb der Gasfluss
A in Richtung auf den Ablaufbecher schwächer als der Gasfluss
B in Richtung auf den Auslassbecher wird. 9A zeigt
die Gasflüsse oberhalb des Wafers W.
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Wie
in 9A gezeigt, ist oberhalb des Umfangs des Wafers
W der Gasfluss A (der Gasfluss in Richtung auf den Ablaufbecher)
schwächer, während der Gasfluss B (der Gasfluss
in Richtung auf den Auslassbecher) stärker ist. Über
die Fließgeschwindigkeit ausgedrückt ist der Gasfluss
A langsamer, während der Gasfluss B schneller ist. Wenn
der Gasfluss B zu schnell ist, kann der Gasfluss B schwerlich eine
laminare Strömung aufrecht erhalten und wird turbulent,
wie in 9B gezeigt. Wenn der Gasfluss B
turbulent ist, wird Dunst erzeugt, wie in 9C gezeigt.
In dieser Hinsicht ist es, da der nahe an dem Wafer W fließende
Gasfluss A schwächer ist, schwierig, den Dunst ausreichend
auszulassen. Um die Stärke des Gasflusses A zu erhöhen,
kann der Auslassmechanismus so eingestellt werden, dass er eine höhere
Auslassleistung (Absaugleistung) aufweist. Jedoch wird in diesem
Fall auch die Stärke des Gasflusses B erhöht und
wird der Gasfluss B dadurch viel turbulenter. Folglich verbleiben,
wie in 9D gezeigt, Partikel auf dem
Umfang des Wafers W und verschlechtern den Reinigungseffekt.
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Gemäß einer
angesichts dieses Problems gebildeten Ausführungsform sind
der Ablaufbecher 51 und der Auslassbecher 52 mit
wie nachfolgend beschriebenen Merkmalen versehen.
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(Erste Ausführungsform)
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10 ist
eine Schnittdarstellung, die eine Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß einer
ersten Ausführungsform zeigt.
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Wie
in 10 gezeigt, unterscheidet sich die Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß der
ersten Ausführungsform von der in 7 gezeigten
Bearbeitungsvorrichtung 100 dahingehend, dass der Ablaufbecher
und der Auslassbecher als ein Auslass-und-Ablauf-Becher 201 integriert
sind. In diesem Fall wird der äußere ringförmige
Raum 99a der in 7 gezeigten Bearbeitungsvorrichtung 100 weggelassen
und gibt es deshalb keinen Auslassdurchlass, durch den äußeren
ringförmigen Raum 99a. Mit Ausnahme des oben beschriebenen
Sachverhalts ist die in 10 gezeigte
Bearbeitungsvorrichtung 100a die gleiche, wie die in 7 gezeigte
Bearbeitungsvorrichtung 100.
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Spezifisch
beinhaltet der Auslass-und-Ablauf-Becher 201 eine ringförmige äußere
Wand 64a, eine ringförmige innere Wand 65, eine
untere Wand 66 und einen eingebauten ringförmigen
Rahmen 50, der eine Flüssigkeitsaufnahme 56 innerhalb
des durch die Wände umgebenen Raums bildet. Der Auslass-und-Ablauf-Becher 201 kann
als eine Struktur vorbereitet werden, bei der all die oben beschriebenen
Teile 64a, 65, 66 und 50 integral
geformt sind oder einige der Teile, wie zum Beispiel die ringförmige äußere
Wand 64a und der eingebaute Rahmen 50, integral
geformt sind. Alternativ kann der Auslass-und-Ablauf-Becher 201 als
eine Struktur vorbereitet werden, die aus den getrennt ausgebildeten
jeweiligen Teilen zusammengesetzt ist. Ein innerer ringförmiger
Raum 99b ist zwischen der ringförmigen inneren
Wand 65 und dem eingebauten Rahmen 50 ausgebildet
und ein unterer ringförmiger Raum 99c ist zwischen
der unteren Wand 66 und dem eingebauten Rahmen 50 ausgebildet.
Der eingebaute Rahmen 50 wird als ein Ausleger durch die
ringförmige äußere Wand 64a gehalten.
Eine Lücke 77 ist zwischen dem inneren freien
Ende 50e des eingebauten Rahmens 50 und der unteren
Wand 66 ausgebildet, um den inneren ringförmigen
Raum 99b mit dem unteren ringförmigen Raum 99c über
einen ringförmigen Bereich zu verbinden.
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Eine
ringförmige Kerbe 99ca ist in der unteren Seite
des eingebauten Rahmens 50 ausgebildet und dient als ein
Pufferraumabschnitt des unteren ringförmigen Raums 99c.
Der untere ringförmige Raum 99c ist mit einem
Auslassmechanismus 200 durch eine Auslassöffnung
oder Auslassöffnungen 70 verbunden, die zumindest
an einer Stelle direkt unterhalb der ringförmigen Kerbe 99ca ausgebildet sind.
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Die
Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß der
ersten Ausführungsform beinhaltet eine integrierte Form
des Ablaufbechers und des Auslassbechers und deshalb ist ein Gasfluss
in Richtung auf den Auslass-und-Ablauf-Becher 201 der einzige
durch den Auslassmechanismus 200 erzeugte Auslassgasfluss.
Mit anderen Worten werden die in 8 gezeigten
voneinander hinsichtlich der Stärke verschiedenen zwei
Gasflüsse A und B nicht erzeugt. Folglich wird eine Dunsterzeugung
zum Beispiel wegen des in den 9A bis 9D gezeigten
Mechanismus unterdrückt.
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Wie
oben beschrieben, verbleiben bei der Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß der
ersten Ausführungsform, da Dunst schwerlich oberhalb des Wafers
W erzeugt werden kann, im Wesentlichen keine Partikel auf dem Umfang
des Wafers W und wird so zum Beispiel der Reinigungseffekt nach
der Reinigung des Wafers W verbessert.
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Bei
der ersten Ausführungsform sind die Auslassöffnungen 70 unterhalb
des unteren ringförmigen Raums 99c ausgebildet,
aber die Auslassöffnungen 70 können unterhalb
des inneren ringförmigen Raums 99b ausgebildet
sein, während der untere ringförmige Raum 99c geschlossen
ist. In diesem Fall wird der innere ringförmige Raum 99b direkt durch
den Auslassmechanismus 200 ausgesaugt (ausgelassen).
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(Zweite Ausführungsform)
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11 ist
eine Schnittdarstellung, die eine Bearbeitungsvorrichtung 100b gemäß einer
zweiten Ausführungsform zeigt.
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Wie
in 11 gezeigt, unterscheidet sich die Bearbeitungsvorrichtung 100b gemäß der
zweiten Ausführungsform von der in 10 gezeigten
Bearbeitungsvorrichtung 100a dahingehend, dass zumindest
eine Lüftungsöffnung 202 oberhalb des
unteren ringförmigen Raums 99c ausgebildet und
zu einer Stelle neben der Drehplatte 11 des Waferhalteelements 2 hin
geöffnet ist. Mit Ausnahme des oben beschriebenen Sachverhalts
ist die in 11 gezeigte Bearbeitungsvorrichtung 100b die
gleiche, wie die in 10 gezeigte Bearbeitungsvorrichtung 100a.
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Spezifisch
ist diese zumindest eine Lüftungsöffnung 202 durch
einen Abschnitt des eingebauten Rahmens 50 entfernt von
der Flüssigkeitsaufnahme 56 ausgebildet, so dass
eine Stelle neben dem Waferhalteelement mit dem unteren ringförmigen
Raum 99c kommuniziert. Ferner ist diese zumindest eine Lüftungsöffnung 202 zu
der ringförmigen Kerbe 99ca hin geöffnet,
die in der unteren Seite des eingebauten Rahmens 50 ausgebildet
ist und als ein Pufferraumabschnitt des unteren ringförmigen
Raums 99c dient.
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Wie
bei der Bearbeitungsvorrichtung 100a wird, da die Bearbeitungsvorrichtung 100b gemäß der
zweiten Ausführungsform auch eine integrierte Form des
Ablaufbechers und des Auslassbechers beinhaltet, verhindert, dass
Dunst oberhalb des Wafers W erzeugt wird.
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Ferner
ist bei der Bearbeitungsvorrichtung 100b gemäß der
zweiten Ausführungsform, da die Lüftungsöffnung 202 oberhalb
des unteren ringförmigen Raums 99c ausgebildet
ist, der sich von unterhalb der Drehplatte 11 zu der Auslassröhre
erstreckende Auslassdurchlass größer als der der
Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß der
ersten Ausführungsform. Dieser größere
Auslassdurchlass ermöglicht es, dass Gas stärker
von der vorderen Oberfläche oder den vorderen und hinteren
Oberflächen des Wafers W ausgelassen (abgesaugt) wird,
so dass der Reinigungseffekt weiter verbessert wird.
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Wenn
mehrere Lüftungsöffnungen 202 ausgebildet
sind, wie in der Draufsicht der 12 gezeigt
ist, werden die Lüftungsöffnungen 202 vorzugsweise
in einer ringförmigen Ausrichtung oberhalb des unteren
ringförmigen Raums 99c angeordnet, so dass Gasflüsse
gleichmäßig erzeugt werden.
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(Dritte Ausführungsform)
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13 ist
eine Schnittdarstellung, die eine Bearbeitungsvorrichtung 100c gemäß einer
dritten Ausführungsform zeigt.
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Wie
in 13 gezeigt, unterscheidet sich die Bearbeitungsvorrichtung 100c gemäß der
dritten Ausführungsform von der in 7 gezeigten
Bearbeitungsvorrichtung 100 dahingehend, dass zumindest
eine Lüftungsöffnung 202 oberhalb des
unteren ringförmigen Raums 99c, wie bei der Bearbeitungsvorrichtung 100b gemäß der
zweiten Ausführungsform, ausgebildet ist. Wenn mehrere
Lüftungsöffnungen 202 ausgebildet sind,
werden die Lüftungsöffnungen 202 vorzugsweise
in einer ringförmigen Ausrichtung oberhalb des unteren
ringförmigen Raums 99c angeordnet, wie mit Bezug
auf die zweite Ausführungsform gezeigt. Mit Ausnahme des
oben beschriebenen Sachverhalts ist die in 13 gezeigte Bearbeitungsvorrichtung 100c die
gleiche, wie die in 7 gezeigte Bearbeitungsvorrichtung 100.
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Spezifisch
ist eine ringförmige Kerbe 99ca in der unteren
Seite des Ablaufbechers 51 ausgebildet und dient als ein
Pufferraumabschnitt des unteren ringförmigen Raums 99c.
Der untere ringförmige Raum 99c ist mit einem
Auslassmechanismus 200 durch eine Auslassöffnung
oder Auslassöffnungen 70, die zumindest an einer
Stelle direkt unterhalb der ringförmigen Kerbe 99ca ausgebildet
sind, verbunden. Eine Lücke 77 ist zwischen dem
inneren freien Ende 51e des Ablaufbechers 51 und
der unteren Wand 66 ausgebildet, um den inneren ringförmigen Raum 99b mit
dem unteren ringförmigen Raum 99c über
einen ringförmigen Bereich zu verbinden.
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Diese
zumindest eine Lüftungsöffnung 202 ist
durch einen Abschnitt des Ablaufbechers 51 entfernt von
der Flüssigkeitsaufnahme 56 ausgebildet, so dass
eine Stelle neben dem Waferhalteelement 2 mit dem unteren
ringförmigen Raum 99c kommuniziert. Ferner ist
diese zumindest eine Lüftungsöffnung 202 zu
der ringförmigen Kerbe 99ca hin geöffnet,
die in der unteren Seite des Ablaufbechers 51 ausgebildet
ist und als ein Pufferraumabschnitt des unteren ringförmigen
Raums 99c dient.
-
Die
Bearbeitungsvorrichtung 100c gemäß der
dritten Ausführungsform beinhaltet den Auslassbecher 52,
der den äußeren ringförmigen Raum 99a definiert,
und somit werden die in 8 gezeigten zwei Gasflüsse
A und B jeweils in Richtung auf den Ablaufbecher 51 und
den Auslassbecher 52, wie bei der in 7 gezeigten
Bearbeitungsvorrichtung 100, erzeugt.
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Jedoch
ist, da die Lüftungsöffnung 202 oberhalb
des unteren ringförmigen Raums 99c ausgebildet
ist, der sich von unterhalb der Drehplatte 11 zu der Auslassröhre
erstreckende Auslassdurchlass größer als der der
in 7 gezeigten Bearbeitungsvorrichtung 100.
In diesem Fall wird der Gasfluss A in Richtung auf den Ablaufbecher 51 verstärkt,
während der Gasfluss B in Richtung auf den Auslassbecher 52 geschwächt
wird. Folglich kann die Differenz der Stärke zwischen dem
Gasfluss A und dem Gasfluss B kleiner als jene sein, die durch die
in 7 gezeigte Bearbeitungsvorrichtung 100 erhalten
wird. Falls notwendig, kann die Differenz der Stärke zwischen dem
Gasfluss A und dem Gasfluss B auf Null gesetzt werden. In dieser
Hinsicht kann das Gasflussanpasselement 92 so eingestellt
werden, dass es einen vorgegebenen Gasflusswiderstand auf das durch den äußeren
ringförmigen Raum 99a fließende Auslassgas
ausübt, so dass das Ungleichgewicht des Gasflusswiderstands
zwischen dem durch den äußeren ringförmigen
Raum 99a verlaufenden Weg und dem durch den inneren ringförmigen
Raum 99b verlaufenden Weg ausgeglichen wird.
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Dementsprechend
wird, sogar wenn sowohl der Gasfluss A als auch der Gasfluss B erzeugt
werden, eine Dunsterzeugung zum Beispiel wegen des in 9A bis 9D gezeigten
Mechanismus unterdrückt und dadurch verhindert, dass Partikel
auf dem Wafer W verbleiben.
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Wie
oben beschrieben, verbessert die Bearbeitungsvorrichtung 100c gemäß der
dritten Ausführungsform auch den Reinigungseffekt.
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Ferner
kann die Bearbeitungsvorrichtung 100c gemäß der
dritten Ausführungsform auch wie folgt verwendet werden.
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14 ist
eine Schnittdarstellung, die ein Beispiel dessen zeigt, wie die
Bearbeitungsvorrichtung 100c verwendet wird. Dies ist ein
Beispiel, das angesichts eines Merkmals geschaffen wurde, bei dem
das Gasflussanpasselement 97 austauschbar ist.
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Wie
in 14 gezeigt, ist ein Gasflussanpasselement 97a zwischen
dem äußeren ringförmigen Raum 99a und
dem unteren ringförmigen Raum 99c eingefügt.
Das in 13 gezeigte Gasflussanpasselement 97 weist
mehrere Gasflussöffnungen 98 auf, die den äußeren
ringförmigen Raum 99a mit dem unteren ringförmigen
Raum 99c verbinden. Jedoch weist das bei diesem Beispiel
verwendete Gasflussanpasselement 97a keine Gasflussöffnungen 98 auf. Wenn
das Gasflussanpasselement 97a verwendet wird, das keine
Gasflussöffnungen 98 aufweist, ist der äußere
ringförmige Raum 99a von dem unteren ringförmigen
Raum 99c abgesperrt. Da der untere ringförmige
Raum 99c mit dem Auslassmechanismus 200 verbunden
ist und der äußere ringförmige Raum 99a von
dem unteren ringförmigen Raum 99c abgesperrt ist,
wird nur der in 8 gezeigte Gasfluss A in Richtung
auf den Ablaufbecher 51 ohne den Gasfluss B in Richtung
auf den Auslassbecher 52 erzeugt.
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Wie
oben beschrieben, wird, wenn das Gasflussanpasselement 97a verwendet
wird, um den äußeren ringförmigen Raum 99a von
dem unteren ringförmigen Raum 99c abzusperren,
nur der Gasfluss A in Richtung auf den Ablaufbecher 51 erzeugt,
um Dunsterzeugung oberhalb des Wafers W, wie bei der Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß der
ersten Ausführungsform, zu verhindern.
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Wenn
die Gasflussanpasselemente 97 und 97a austauschbar
sind, können das Gasflussanpasselement 97 mit
Gasflussöffnungen und das Gasflussanpasselement 97a ohne
Gasflussöffnungen gegeneinander ausgetauscht werden, um
wahlweise zwei Zustände festzulegen, bei denen der äußere ringförmige
Raum 99a mit dem unteren ringförmigen Raum 99c kommuniziert
bzw. der äußere ringförmige Raum 99a von
dem unteren ringförmigen Raum 99c abgesperrt ist.
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15 ist
eine Schnittdarstellung, die ein weiteres Beispiel dessen zeigt,
wie die Bearbeitungsvorrichtung 100c verwendet wird. Dies
ist ein Beispiel, das angesichts eines Merkmals geschaffen wurde,
bei dem die obere Wand 67 austauschbar ist.
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Wie
in 15 gezeigt, ist die obere Wand 67 auf
der ringförmigen äußeren Wand 64 angeordnet. Bei
diesem Beispiel ist die obere Wand 67 so angeordnet, dass
sie nicht nur die obere Seite des Ablaufbechers 51, sondern
auch den äußeren ringförmigen Raum 99a bedeckt,
wodurch dieser geschlossen wird.
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In
diesem Fall kann der äußere ringförmige Raum 99a durch
Verwendung der oberen Wand 67 geschlossen werden, so dass
nur der Gasfluss A in Richtung auf den Ablaufbecher 51 erzeugt
wird, so dass Dunsterzeugung oberhalb des Wafers W, wie bei der
Bearbeitungsvorrichtung 100a gemäß der ersten
Ausführungsform, verhindert wird.
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Wenn
das Gasflussanpasselement 97a ohne Gasflussöffnungen
verwendet wird und der äußere ringförmige
Raum 99a zu der Außenseite freigelegt ist, kann
der äußere ringförmige Raum 99a verschmutzt
werden. Um solch eine Verschmutzung zu verhindern, wird die obere
Wand 67 vorzugsweise so angeordnet, dass sie den äußeren
ringförmigen Raum 99a wie bei diesem Beispiel
schließt.
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Die
vorliegende Erfindung wurde mit Bezug auf Ausführungsformen
beschrieben, aber sie ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen
beschränkt und kann auf verschiedene Arten abgewandelt
werden. Zum Beispiel sind die oben beschriebenen Ausführungsformen
durch eine Reinigungsbearbeitungsvorrichtung zum Reinigen der vorderen
und hinteren Oberflächen eines Wafers beispielhaft dargestellt.
Jedoch kann die vorliegende Erfindung auf eine Reinigungsbearbeitungsvorrichtung zum
Reinigen von entweder nur der vorderen Oberfläche oder
nur der hinteren Oberfläche eines Wafers angewandt werden.
Ferner kann die vorliegende Erfindung anstatt für ein Reinigungsverfahren
auf eine Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen
eines anderen Flüssigkeitsverfahrens angewandt werden.
Bei den oben beschriebenen Ausführungsformen wird das Zielsubstrat
beispielhaft durch einen Halbleiterwafer dargestellt, aber die vorliegende
Erfindung kann auf ein anderes Substrat, wie zum Beispiel ein Substrat
für Flachbildschirmeinrichtungen (FPD), beispielsweise
ein Glassubstrat für Flüssigkristallanzeigeeinrichtungen
(LCD), angewandt werden.
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Zusätzliche
Vorteile und Abwandlungen werden dem Fachmann leicht ersichtlich
sein. Deshalb ist die Erfindung in ihren breiteren Aspekten nicht
auf die spezifischen Details und repräsentativen Ausführungsformen,
die hierin gezeigt und beschrieben werden, beschränkt.
Dementsprechend können verschiedene Abwandlungen gebildet
werden, ohne von dem Umfang des allgemeinen erfinderischen Konzepts
abzuweichen, der durch die angefügten Ansprüchen
und deren Äquivalente definiert wird.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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