DE102007050594A1 - Reinigungseinrichtung und Verfahren sowie computerlesbares Medium - Google Patents

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Norihiro Koshi Ito
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Abstract

Ein Steuermechanismus für eine Reinigungseinrichtung ist so voreingestellt, dass er die Einrichtung bei einem Reinigungsprozess oder einem Spülprozess so steuert, dass die Zufuhr einer Prozessflüssigkeit vorgesehen ist, welche entweder einer Reinigungsflüssigkeit oder einer Spülflüssigkeit entspricht, von einer Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für eine rückwärtige Oberfläche durch eine Flüssigkeitszufuhröffnung (24a), wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche eines Substrats (W) ausgebildet wird, und dann einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche unterbrochen und dann erneut in Gang gesetzt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird, damit der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat bearbeitet wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Reinigungseinrichtung und ein Reinigungsverfahren sowie ein computerlesbares Medium, zur Durchführung eines Reinigungsprozesses auf einem Substrat, beispielsweise einem Halbleiterwafer.
  • Bei dem Prozess der Herstellung von Halbleitervorrichtungen oder Flachbildschirm-Anzeigevorrichtungen (FPD) werden häufig Flüssigkeitsprozesse eingesetzt, bei welchen eine Prozessflüssigkeit einem Target-Substrat zugeführt wird, beispielsweise einem Halbleiterwafer oder einem Glassubstrat. Prozesse dieser Art umfassen beispielsweise einen Reinigungsprozess zum Entfernen von Teilchen und/oder Verunreinigungen, die sich auf einem Substrat abgelagert haben.
  • Als Flüssigkeitsbearbeitungseinrichtung, die zu diesem Zweck eingesetzt wird, ist die folgende Einrichtung bekannt, die ein einzelnes Substrat bearbeitet. Im Einzelnen wird ein Substrat, beispielsweise ein Halbleiterwafer, in einem sich drehenden Zustand gehalten, und wird eine Prozessflüssigkeit auf die vordere Oberfläche, die rückwärtige Oberfläche, oder die vordere und die rückwärtige Oberfläche des Wafers aufgebracht, während der Wafer gedreht wird. Daher bildet sich ein Flüssigkeitsfilm auf der vorderen Oberfläche, der rückwärtigen Oberfläche, oder auf der vorderen und der rückwärtigen Oberfläche des Wafers aus, wodurch ein Prozess durchgeführt wird.
  • Als Einrichtung zur Durchführung eines Reinigungsprozesses, während ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche oder der vorderen und der rückwärtigen Oberfläche eines Substrats ausgebildet wird, ist die folgende Einrichtung bekannt (beispielsweise japanische Patentanmeldung KOKAI Veröffentlichungsnummer 9-298181 ). Im Einzelnen ist eine drehbare Drehplatte unterhalb der rückwärtigen Oberfläche des Substrats angeordnet. Die Drehplatte weist eine Öffnung im Zentrum auf, die mit einer nicht-drehbaren Flüssigkeitszufuhrplatte versehen ist, welche die Funktion einer Substrathalterung hat, und eine Flüssigkeitszufuhröffnung. Die Flüssigkeitszufuhrplatte kann nach oben und unten bewegt werden, so dass die Flüssigkeitszufuhrplatte das Substrat in einem Zustand aufnimmt, in welchem es nach oben vorsteht, und dann nach unten bewegt wird, um das Substrat im horizontalen Zustand auf Halte-Zusatzgeräten anzuordnen, die auf der Drehplatte vorgesehen sind. Eine Reinigungsflüssigkeit oder eine Spülflüssigkeit wird von einer Flüssigkeitszufuhrdüse zugeführt, die sich von der Flüssigkeitszufuhröffnung nach unten erstreckt, in einen Zwischenraum zwischen dem Substrat und der Drehplatte, um einen Flüssigkeitsfilm auszubilden. In diesem Zustand wird eine Reinigung auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durchgeführt.
  • Die Flüssigkeitszufuhrplatte, welche die Flüssigkeitszufuhröffnung umgibt, kann durch eine Chemikalienlösung verunreinigt sein, die während eines Prozesses dort hin verstreut wurde. Weiterhin kann die Flüssigkeitszufuhrplatte verunreinigt werden, wenn mit ihr ein unbehandeltes Substrat in Kontakt gelangt, auf welchem sich Verunreinigungen befinden. Wenn ein Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung verunreinigt ist, kann dieser verunreinigte Abschnitt die rückwärtige Oberfläche des Substrats nach dem Reinigen berühren und verunreinigen, wenn das Substrat durch die Flüssigkeitszufuhrplatte zum Entladen gehaltert wird. Daher ist es vorzuziehen, die Flüssigkeitszufuhrplatte zu reinigen, wenn das Substrat bearbeitet wird. Allerdings ist üblicherweise die Flüssigkeitszufuhröffnung nicht-drehbar, und ist auch die Flüssigkeitszufuhrplatte um die Flüssigkeitszufuhröffnung nicht-drehbar. Daher kann ein Flüssigkeitsfilm nicht ausreichend auf der Flüssigkeitszufuhrplatte während eines Reinigungsprozesses oder eines Spülprozesses ausgebildet werden, was zu einer unzureichenden Reinigung führt.
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung einer Reinigungseinrichtung und eines Reinigungsverfahrens, welche ausreichend eine Reinigung auf dem Abschnitt um eine Flüssigkeitszufuhröffnung herum durchführen können, die sich im Zentrum der rückwärtigen Oberfläche eines Substrats befindet, wenn eine Reinigung auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durchgeführt wird. Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht in der Bereitstellung eines computerlesbaren Mediums, das ein Steuerprogramm zur Ausführung des Reinigungsverfahrens speichert.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Reinigungseinrichtung zur Verfügung gestellt, bei welcher vorgesehen sind: ein Substrathalteteil, das eine Drehplatte enthält, die so ausgebildet ist, dass sie sich in einem horizontalen Zustand drehen kann, und ein Halte- Zusatzgerät, das so ausgebildet ist, ein Substrat oberhalb der Drehplatte in einem horizontalen Zustand so zu haltern, dass es von der Drehplatte getrennt bzw. mit dieser vereinigt wird; ein Drehmechanismus, der dazu ausgebildet ist, die Drehplatte zusammen mit dem Substrat zu drehen; eine Flüssigkeitszufuhröffnung, die sich in der Nähe des Drehzentrums der Drehplatte befindet, und so ausgebildet ist, eine Flüssigkeit dem Zentrum einer rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuzuführen, das auf dem Halteteil gehaltert wird; eine Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche, die an die Flüssigkeitszufuhröffnung angeschlossen ist, und so ausgebildet ist, dass sie eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit zuführt, um die Reinigungsflüssigkeit und die Spülflüssigkeit durch die Flüssigkeitszufuhröffnung der rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuzuführen; ein Becher, der so ausgebildet ist, dass er das Substrat umgibt, das auf dem Substrathalteteil gehaltert wird; und ein Steuermechanismus, der so ausgebildet ist, dass er die Drehung des Substrats und die Zufuhr der Flüssigkeiten steuert, wobei der Steuermechanismus voreingestellt ist, um die Einrichtung zu steuern, damit ein Reinigungsprozess durchgeführt wird, welcher umfasst, die Drehplatte zusammen mit dem Substrat zu drehen, das von dem Halte-Zusatzgerät gehaltert wird, während die Reinigungsflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Zufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, dann aufeinander folgend ein Spülprozess durchgeführt wird, der umfasst, das Substrat zu drehen, während die Spülflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Spülflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, und dann ein Abschleuder- und Trocknungsprozess durchgeführt wird, der umfasst, das Substrat mit einer vorbestimmten Drehzahl zu drehen, wobei die Steuereinrichtung weiterhin so voreingestellt ist, dass sie die Einrichtung für den Reinigungsprozess oder den Spülprozess so steuert, dass die Zufuhr einer Prozessflüssigkeit vorgesehen ist, welche entweder der Reinigungsflüssigkeit oder der Spülflüssigkeit entspricht, von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, und dann einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen und dann erneut begonnen wird, von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird, damit der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat bearbeitet wird.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Reinigungsverfahren zur Verfügung gestellt, das in einer Reinigungseinrichtung durchgeführt wird, die ein Substrathalteteil aufweist, welches eine Drehplatte aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie sich im horizontalen Zustand drehen kann, und ein Halte-Zusatzgerät, das so ausgebildet ist, dass es ein Substrat oberhalb der Drehplatte im horizontalen Zustand haltert, damit es von der Drehplatte getrennt bzw. mit dieser vereinigt wird, einen Drehmechanismus, der dazu ausgebildet ist, die Drehplatte zusammen mit dem Substrat zu drehen, eine Flüssigkeitszufuhröffnung, die in der Nähe eines Drehzentrums der Drehplatte angeordnet ist, und dazu ausgebildet ist, eine Flüssigkeit auf das Zentrum einer rückwärtigen Oberfläche des Substrats aufzubringen, das auf dem Halteteil gehaltert wird, eine Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche, die an die Flüssigkeitszufuhröffnung angeschlossen ist, und dazu ausgebildet ist, eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit zuzuführen, um die Reinigungsflüssigkeit und die Spülflüssigkeit durch die Flüssigkeitszufuhröffnung der rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuzuführen, und einen Becher, der dazu ausgebildet ist, das Substrat zu umgeben, das auf dem Substrathalteteil gehaltert ist, wobei das Verfahren umfasst: Haltern des Substrats auf dem Substrathalteteil; Drehen der Drehplatte zusammen mit dem darauf gehalterten Substrat; Durchführung eines Reinigungsprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Reinigungsflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Zufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; dann aufeinander folgendes Durchführen eines Spülprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Spülflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Spülflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; und nachfolgendes Durchführen eines Abschleuder- und Trocknungsprozesses, der umfasst, das Substrat mit einer vorbestimmten Drehzahl zu drehen, wobei der Reinigungsprozess oder der Spülprozess umfasst, eine Prozessflüssigkeit zuzuführen, welche entweder der Reinigungsflüssigkeit oder der Spülflüssigkeit entspricht, von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, und dann einmaliges Unterbrechen der Zufuhr der Prozessflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche, und erneutes Beginnen der Zufuhr, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ausgebildet wird, damit der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat bearbeitet wird.
  • Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein computerlesbares Medium zur Verfügung gestellt, das ein Computerprogramm zur Ausführung auf einem Prozessor speichert, der bei einer Reinigungseinrichtung eingesetzt wird, die ein Substrathalteteil aufweist, das eine Drehplatte aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie sich im horizontalen Zustand dreht, und ein Halte-Zusatzgerät, das so ausgebildet ist, dass es ein Substrat oberhalb der Drehplatte im horizontalen Zustand so haltert, dass es von der Drehplatte getrennt bzw. mit dieser vereinigt wird, einen Drehmechanismus, der so ausgebildet ist, dass er die Drehplatte zusammen mit dem Substrat dreht, eine Flüssigkeitszufuhröffnung, die in der Nähe eines Drehzentrums der Drehplatte angeordnet ist, und dazu ausgebildet ist, eine Flüssigkeit dem Zentrum einer rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuzuführen, das auf dem Halteteil gehaltert ist, eine Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche, angeschlossen an die Flüssigkeitszufuhröffnung, und so ausgebildet, dass eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit zugeführt werden, um die Reinigungsflüssigkeit und die Spülflüssigkeit durch die Flüssigkeitszufuhröffnung der rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuzuführen, und einen Becher, der so ausgebildet ist, dass er das auf dem Substrathalteteil gehalterte Substrat umgibt, wobei das Computerprogramm, wenn es von dem Prozessor ausgeführt wird, die Reinigungseinrichtung so steuert, dass ein Reinigungsverfahren durchgeführt wird, bei welchem vorgesehen sind: Haltern des Substrats auf dem Substrathalteteil; Drehen der Drehplatte zusammen mit dem darauf gehalterten Substrat; Durchführung eines Reinigungsprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Reinigungsflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Zufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; dann aufeinander folgendes Durchführen eines Spülprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Spülflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Spülflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; und nachfolgendes Durchführen eines Abschleuder- und Trocknungsprozesses, welcher umfasst, das Substrat mit einer vorbestimmten Drehzahl zu drehen, wobei der Reinigungsprozess oder Spülprozess umfasst, eine Prozessflüssigkeit zuzuführen, welche entweder der Reinigungsflüssigkeit oder der Spülflüssigkeit entspricht, von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, und dann einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche unterbrochen und dann wieder in Gang gesetzt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird, damit der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat bearbeitet wird.
  • Bei dem ersten bis dritten Aspekt kann die Steuerung umfassen, eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit einzustellen, die eingesetzt wird, wenn erneut mit der Zufuhr der Prozessflüssigkeit begonnen wird, und zwar so, dass sie kleiner ist als jene, die eingesetzt wurde, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wurde. Die Steuerung kann umfassen, die Prozessflüssigkeit, die im Inneren der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche übrig geblieben ist, abzulassen, nachdem ein Prozess unter Verwendung der Prozessflüssigkeit fertig gestellt wurde. Wenn die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, und die rückwärtige Oberfläche des Substrats hydrophob ist, kann der Spülprozess umfassen, die Zufuhr der Prozessflüssigkeit zu unterbrechen, und die Prozessflüssigkeit abzulassen, die im Inneren der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche übrig geblieben ist, nach dem erneuten Beginn der Zufuhr der Prozessflüssigkeit. Wenn die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, und die rückwärtige Oberfläche des Substrats hydrophil ist, kann der Spülprozess umfassen, eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit einzustellen, die eingesetzt wird, wenn erneut mit der Zufuhr der Prozessflüssigkeit begonnen wird, und zwar so, dass sie kleiner ist als jene, die eingesetzt wurde, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wurde, und dann die Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit zu erhöhen. Die Steuerung kann umfassen, ein Trocknungsgas im Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durch einen Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus zuzuführen, vor dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  • Bei dem ersten bis dritten Aspekt kann, wenn die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, der Spülprozess umfassen, eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit einzustellen, die eingesetzt wird, wenn erneut mit der Zufuhr der Prozessflüssigkeit begonnen wird, und zwar so, dass sie kleiner ist als jene, die eingesetzt wurde, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wurde, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf dem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird, und dann die Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit zu erhöhen, wodurch der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat bearbeitet wird, dann die Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit zu verringern, und dann die Zufuhr der Prozessflüssigkeit zu unterbrechen, und die Steuerung kann umfassen, ein Trocknungsgas im Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durch einen Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus zuzuführen, vor dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  • Bei dem ersten bis dritten Aspekt kann die Drehplatte eine Öffnung im Zentrum aufweisen, und kann die Reinigungseinrichtung weiterhin eine nicht-drehbare Flüssigkeitszufuhrplatte aufweisen, die in der Öffnung angeordnet ist, und die Flüssigkeitszufuhröffnung aufweist. Die Flüssigkeitszufuhrplatte kann nach oben und unten beweglich durch die Öffnung ausgebildet sein, und so ausgebildet sein, dass sie sich nach oben und unten bewegt, während sie das Substrat haltert, um das Substrat zu dem Substrathalteteil und von diesem weg zu übertragen. Die Flüssigkeitszufuhrplatte kann eine obere Oberfläche aufweisen, die aus einem hydrophoben Material besteht. Die Steuerung kann umfassen, die Drehzahl des Substrats auf 200 bis 700 Umdrehungen pro Minute in dem Reinigungsprozess und dem Spülprozess einzustellen, und auf 500 bis 1200 Umdrehungen pro Minute in dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  • Zusätzliche Ziele und Vorteile der Erfindung werden in der nachfolgenden Beschreibung angegeben, und werden teilweise aus der Beschreibung deutlich, oder können beim Praktizieren der Erfindung gelernt werden. Die Ziele und Vorteile der Erfindung können mit Hilfe der Mittel und Kombinationen erzielt und erreicht werden, die nachstehend besonders hervorgehoben werden.
  • Die beigefügten Zeichnungen, welche in die Beschreibung eingeschlossen sind und einen Teil von dieser bilden, erläutern Ausführungsformen der Erfindung, und dienen zusammen mit der voranstehend erfolgten, allgemeinen Beschreibung und der nachstehenden, detaillierten Beschreibung der Ausführungsformen zur Erläuterung der Grundprinzipien der Erfindung.
  • 1 ist eine Schnittansicht, die schematisch den Aufbau einer Reinigungseinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine teilweise geschnittene Aufsicht, die schematisch die Reinigungseinrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 3 ist eine Ansicht, die schematisch einen Flüssigkeitszufuhrmechanismus zeigt, der bei der in 1 gezeigten Reinigungseinrichtung eingesetzt wird;
  • 4 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Bereich zeigt, der eine Flüssigkeitszufuhrplatte enthält, die bei der in 1 gezeigten Reinigungseinrichtung verwendet wird;
  • 5 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die eine Auslass/Ablassabschnitt zeigt, der bei der in 1 gezeigten Reinigungseinrichtung eingesetzt wird;
  • 6 ist ein Flussdiagramm, das den Betriebsablauf eines Reinigungsverfahrens gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 7A bis 7H sind schematische Ansichten zur Erläuterung des Betriebsablaufs des Reinigungsverfahrens gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 8 ist eine Ansicht, welche schematisch den Aufbau einer Einrichtung zur Durchführung bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 9 ist ein Flussdiagramm, das den Betriebsablauf eines Reinigungsverfahrens gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt, die eine der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist;
  • 10A bis 10I sind schematische Ansichten zur Erläuterung des Betriebsablaufs des Reinigungsverfahrens gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 11 ist ein Flussdiagramm, das den Betriebsablauf eines Reinigungsverfahrens gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt, die eine der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist;
  • 12A bis 12J sind schematische Ansichten zur Erläuterung des Betriebsablaufs des Reinigungsverfahrens gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 13 ist ein Flussdiagramm, das den Betriebsablauf eines Reinigungsverfahrens gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt, die eine der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
  • 14A bis 14L sind schematische Ansichten zur Erläuterung des Betriebsablaufs des Reinigungsverfahrens gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 15 ist ein Flussdiagramm, das den Betriebsablauf eines Reinigungsverfahrens gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • 16A bis 16H sind schematische Ansichten zur Erläuterung des Betriebsablaufs des Reinigungsverfahrens gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Nunmehr werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Nachstehend erfolgt eine Erläuterung eines Falles, bei welchem die vorliegende Erfindung bei einer Flüssigkeitsbearbeitungseinrichtung eingesetzt wird, die einen Reinigungsprozess auf der vorderen und der hinteren Oberfläche eines Halbleiterwafers durchführen kann (der nachstehend einfach als "Wafer" bezeichnet wird).
  • 1 ist eine Schnittansicht, die schematisch den Aufbau einer Reinigungseinrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2 ist eine Aufsicht auf die Reinigungseinrichtung. 3 ist eine Ansicht, die schematisch einen Flüssigkeitszufuhrmechanismus für eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit zeigt, der bei der in 1 gezeigten Reinigungseinrichtung verwendet wird. 4 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Bereich zeigt, der eine Flüssigkeitszufuhrplatte enthält, die bei der in 1 gezeigten Reinigungseinrichtung eingesetzt wird. 5 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Auslass/Abflussabschnitt zeigt, der bei der in 1 gezeigten Reinigungseinrichtung eingesetzt wird.
  • Ein Flüssigkeitsbearbeitungssystem (nicht gezeigt) enthält mehrere in ihm angeordnete Einrichtungen, die jeweils ebenso ausgebildet sind wie diese Reinigungseinrichtung 100. Diese Reinigungseinrichtung 100 weist eine Basisplatte 1 und ein Waferhalteteil 2 zum drehbaren Haltern eines Target-Substrats oder Wafer W auf. Das Waferhalteteil 2 kann durch einen Drehmotor 3 gedreht werden. Ein Drehbecher 4 ist um den Wafer W herum angeordnet, der auf dem Waferhalteteil 2 gehaltert wird, und so ausgebildet, dass er sich zusammen mit dem Waferhalteteil 2 dreht. Die Reinigungseinrichtung 100 weist weiterhin eine Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche zum Zuführen einer Prozessflüssigkeit auf die vordere Oberfläche des Wafers W auf, und eine Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche zum Zuführen einer Prozessflüssigkeit auf die rückwärtige Oberfläche des Wafers W. Weiterhin ist ein Auslass/Abflussabschnitt 7 um den Drehbecher 4 herum angeordnet. Eine Umhüllung 8 ist so angeordnet, dass sie den Bereich um den Auslass/Abflussabschnitt 7 und den Bereich oberhalb des Wafers W abdeckt. Die Umhüllung 8 ist mit einem Gasflusseinlassabschnitt 9 an der Oberseite versehen, der so ausgebildet ist, dass er durch eine Einlassöffnung 9a, die an einer Seite vorgesehen ist, einen Gasfluss empfängt, der von einer Gebläse/Filtereinheit (FFU) des Flüssigkeitsbearbeitungssystems zugeführt wird, so dass Reinluft als nach unten gerichteter Fluss dem Wafer W zugeführt wird, der auf dem Waferhalteteil 2 gehaltert ist.
  • Das Waferhalteteil 2 weist eine Drehplatte 11 auf, die als kreisförmige Platte ausgebildet ist, und in den horizontalen Zustand versetzt ist. Das Zentrum der Unterseite der Drehplatte 11 ist mit einer zylindrischen Drehwelle 12 verbunden, die sich vertikal nach unten erstreckt. Die Drehplatte 11 weist eine Öffnung 11a im Zentrum auf, die mit einer Bohrung 12a in Verbindung steht, die im Inneren der Drehwelle 12 vorhanden ist. Die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche erstreckt sich vertikal im Zentrum in einem Hebeteil 13, das sich durch die Bohrung 12a und die Öffnung 11a nach und unten bewegen kann. Wie in 2 gezeigt, ist die Drehplatte 11 mit drei Halte-Zusatzgeräten 14 versehen, die in regelmäßigen Abständen angeordnet sind, um den äußeren Rand des Wafers W zu haltern. Die Halte-Zusatzgeräte 14 sind so ausgebildet, dass sie den Wafer W im horizontalen Zustand haltern, so dass der Wafer W geringfügig von der Drehplatte 11 getrennt ist. Jedes der drei Halte-Zusatzgeräte 14 weist einen Halteabschnitt 14a auf, der so ausgebildet ist, dass er den Rand des Wafers W haltert, einen Betätigungshebel 14b, der sich von dem Halteabschnitt 14a zum Zentrum der unteren Oberfläche der Drehplatte erstreckt, und eine Drehwelle 14c, welche den Halteabschnitt 14a so haltert, dass er in Vertikalrichtung drehbar ist. Wenn das distale Ende des Betätigungshebels 14b durch einen (nicht dargestellten) Zylindermechanismus nach oben gedrückt wird, wird der Halteabschnitt 14a nach außen gedreht, und hebt das Haltern des Wafers W auf. Jedes Halte-Zusatzgerät 14 wird durch eine (nicht dargestellte) Feder vorgespannt, zu jener Richtung, in welcher der Halteabschnitt 14a den Wafer W haltert, so dass das Halte-Zusatzgerät 14 den Wafer W haltern kann, wenn dort der Zylindermechanismus nicht einwirkt.
  • Die Drehwelle 12 ist drehbeweglich durch die Basisplatte 1 über einen Lagermechanismus 15 gehaltert, welcher zwei Lager 15a aufweist. Die Drehwelle 12 ist mit einer Riemenscheibe 16 versehen, die an ihrem unteren Ende befestigt ist. Auch die Welle des Motors 3 ist mit einer Riemenscheibe 18 versehen, die daran befestigt ist. Ein Riemen 17 ist um diese Riemenscheiben 16 und 18 herumgeschlungen. Die Drehwelle 12 wird über die Riemenscheibe 18, den Riemen 17, und die Riemenscheibe 16 infolge der Drehung des Motors 3 gedreht.
  • Die Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche ist an einem Düsenhalteteil 22 angebracht, das auf dem distalen Ende eines Düsenarms 22a gehaltert ist. Eine Prozessflüssigkeit oder dergleichen wird von einem Prozessflüssigkeits-Zufuhrmechanismus 85 zugeführt, der nachstehend beschrieben wird, über einen Flusskanal, der in dem Düsenarm 22a vorgesehen ist, und wird dann von einem Düsenloch 5a zugeführt, das in der Düse 5 vorhanden ist.
  • Wie in 2 gezeigt, kann sich der Düsenarm 22a infolge eines Antriebsmechanismus 81 um eine Welle 23 drehen, die als eine Zentrumsachse eingesetzt wird, um die Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche zwischen Waferreinigungspositionen oberhalb des Zentrums und des Umfangs des Wafers W und eine Rückzugsposition außerhalb des Wafers W zu bewegen. Weiterhin kann der Düsenarm 22a nach oben und unten durch einen Hebemechanismus 82 bewegt werden, beispielsweise einen Zylindermechanismus.
  • Wie in 3 gezeigt, ist in dem Düsenarm 22a ein Flusskanal 83 vorgesehen, und an einem Ende an das Düsenloch 5a der Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche angeschlossen. Das andere Ende des Flusskanals 83 ist an eine Leitung 84a angeschlossen, die wiederum an einen Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85 angeschlossen ist. Eine vorbestimmte Flüssigkeit wird von dem Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85 durch die Leitung 84a und den Flusskanal 83 in die Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche transportiert.
  • Die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche weist ein Düsenloch 6a auf, das sich durch das Zentrum des Hebeteils 13 erstreckt, und sich in Längsrichtung erstreckt. Das untere Ende des Düsenloches 6a ist an eine Leitung 84b angeschlossen, die wiederum an den Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85 angeschlossen ist. Eine vorbestimmte Flüssigkeit wird von dem Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85 durch die Leitung 84b in die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche transportiert.
  • Der Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85 enthält Quellen für Reinigungschemikalienlösung, beispielsweise eine DHF-Zufuhrquelle 86 zum Zuführen verdünnter Flusssäure (DHF) als eine saure Chemikalienlösung und eine SC1-Zufuhrquelle 87 zum Zuführen von Ammoniak/Wasserstoffperoxid-Lösung (SC1) als eine alkalische Chemikalienlösung. Der Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85 weist weiterhin eine DIW-Zufuhrquelle 88 zum Zuführen gereinigten Wassers (DIW) als Spülflüssigkeit auf. Die DHF-Zufuhrquelle 86, die SC1-Zufuhrquelle 87, und die DIW-Zufuhrquelle 88 sind an von dort ausgehende Leitungen 89a, 90a und 91a angeschlossen. Die Leitungen 89a, 90a und 91a sind an die Leitung 84a über Verteilventile 92a, 93a und 94a angeschlossen. Daher werden Ammoniak/Wasserstoffperoxid-Lösung (SC1), verdünnte Flusssäure (DHF), und gereinigtes Wasser (DIW) selektiv in die Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche eingebracht, durch Betätigung der Verteilventile 92a, 93a und 94a.
  • Die DHF-Zufuhrquelle 86, die SC1-Zufuhrquelle 87, und die DIW-Zufuhrquelle 88 sind auch an von ihnen ausgehende Leitungen 89b, 90b und 91b angeschlossen. Die Leitungen 89b, 90b und 91b sind an die Leitung 84b über Verteilventile 92b, 93b und 94b angeschlossen. Daher werden Ammoniak/Wasserstoffperoxid-Lösung (SC1), verdünnte Flusssäure (DHF), und gereinigtes Wasser (DIW) selektiv in die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche eingebracht, durch Betätigung der Verteilventile 92b, 93b und 94b. Die Leitung 84b ist an ein Verteilventil 95 stromabwärts des Verteilventils 92b angeschlossen. Das Verteilventil 95 ist an eine Auslassleitung 96 angeschlossen. Die Auslassleitung 96 wird zum Ablassen von Flüssigkeit innerhalb des Düsenlochs 6a durch das Eigengewicht der Flüssigkeit oder durch Saugwirkung einer Saugvorrichtung oder dergleichen eingesetzt.
  • Die Leitungen 91a und 91b, die von der DIW-Zufuhrquelle 88 ausgehen, sind an die Seite am weitesten stromabwärts der Leitungen 84a und 84b angeschlossen.
  • Wie in der vergrößerten Ansicht von 4 dargestellt, ist das Hebeteil 13 an der Oberseite an eine Flüssigkeitszufuhrplatte 24 angeschlossen, die eine Flüssigkeitszufuhröffnung 24a zum Zuführen von Flüssigkeit im Zentrum aufweist, und mit dem Düsenloch 6a der Flüssigkeitszufuhrdüse 6 an der rückwärtigen Oberfläche in Verbindung steht. Die Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ist mit drei Waferhalterungsstiften 25 zum Haltern des Wafers W (von denen nur zwei gezeigt sind) auf der oberen Oberfläche versehen. Die Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ist als sich nach oben erweiternder Kegelstumpf ausgebildet, der ins Innere der Öffnung 11a während Prozessen zurückgezogen wird, wie in 4 gezeigt, so dass seine obere Oberfläche im Wesentlichen mit der oberen Oberfläche der Drehplatte 11 fluchtet. Die Öffnung 11a ist ebenfalls so geformt, dass sie einen Kegelstumpf entsprechend der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 bildet. Ein Zwischenraum 24b ist zwischen der Drehplatte 11 und der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 vorgesehen, so dass N2-Gas, das von unterhalb der Drehwelle 12 zugeführt wird, durch den Zwischenraum zwischen der Drehwelle 12 und dem Hebeteil 13 fließt, und durch den Zwischenraum 24b auf die rückwärtige Oberfläche des Wafers W ausgestoßen wird. Daher wird verhindert, dass Flüssigkeit ins Innere der Drehwelle 12 eindringt.
  • Das untere Ende des Hebeteils 13 ist an einen Zylindermechanismus 27 über einen Verbinder 26 angeschlossen. Das Hebeteil 13 wird durch den Zylindermechanismus 27 nach oben und unten bewegt, um den Wafer W nach und unten zu bewegen, wodurch der Wafer W eingeladen bzw. ausgeladen wird.
  • Der Drehbecher 4 weiset einen ringförmigen Überhangabschnitt 31 auf, der so schräg ausgebildet ist, dass er sich nach innen und oben von einem Ort oberhalb des Endes der Drehplatte 11 erstreckt, sowie einen zylindrischen, äußeren Wandabschnitt 32, der sich in Vertikalrichtung nach unten von dem äußeren Ende des Überhangabschnitts 31 erstreckt. Wie in der vergrößerten Ansicht von 5 dargestellt, ist ein ringförmiger Zwischenraum 33 zwischen dem äußeren Wandabschnitt 32 und der Drehplatte 11 vorhanden, so dass eine Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit, die durch Drehung des Wafers W zusammen mit der Drehplatte 11 und dem Drehbecher 4 verstreut wird, nach unten durch den Zwischenraum geführt wird.
  • Ein plattenartiges Führungsteil 35 ist zwischen dem Überhangabschnitt 31 und der Drehplatte 11 in einer Höhe im Wesentlichen derselben wie jener des Wafers W angeordnet. Öffnungen 36 und 37 sind zwischen dem Überhangabschnitt 31 und dem Führungsteil 35 sowie zwischen dem Führungsteil 35 und der Drehplatte 11 vorgesehen, damit eine Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit dort hindurchgehen kann. Die Öffnungen 36 und 37 werden durch mehrere Abstandsstücke (nicht gezeigt) festgelegt, die in Ringrichtung zwischen dem Überhangabschnitt 31 und dem Führungsteil 35 sowie zwischen dem Führungsteil 35 und der Drehplatte 11 angeordnet sind. Der Überhangabschnitt 31, das Führungsteil 35, die Drehplatte 11 und die Abstandsstücke sind aneinander durch Schrauben 40 befestigt (siehe 5).
  • Das Führungsteil 35 ist so angeordnet, dass dessen obere und untere Oberfläche annähernd kontinuierlich zur vorderen bzw. hinteren Oberfläche des Wafers W verlaufen. Wenn eine Prozessflüssigkeit dem Zentrum der vorderen Oberfläche des Wafers W von der Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche zugeführt wird, während das Waferhalteteil 2 und der Drehbecher 4 zusammen mit dem Wafer W durch den Motor 3 gedreht werden, wird die Prozessflüssigkeit durch Zentrifugalkraft auf der vorderen Oberfläche des Wafers W ausgebreitet, und wird von dem Umfangsrand des Wafers W abgeschleudert. Die Prozessflüssigkeit, die so von der vorderen Oberfläche des Wafers W abgeschleudert wurde, wird durch die obere Oberfläche des Führungsteils 35 geführt, die annähernd kontinuierlich dort hin übergeht. Dann wird die Prozessflüssigkeit nach außen durch die Öffnungen 36 abgelassen, und wird nach unten durch den äußeren Wandabschnitt 32 geführt. Entsprechend wird, wenn eine Prozessflüssigkeit dem Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W von der Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche zugeführt wird, während das Waferhalteteil 2 und der Drehbecher 4 zusammen mit dem Wafer W gedreht werden, die Prozessflüssigkeit durch Zentrifugalkraft auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W ausgebreitet, und wird von dem Umfangsrand des Wafers W abgeschleudert. Die so von der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W abgeschleuderte Prozessflüssigkeit wird durch die untere Oberfläche des Führungsteils 35 geführt, die annähernd kontinuierlich dort hin übergeht. Dann wird die Prozessflüssigkeit nach außen durch die Öffnungen 37 abgelassen, und wird durch den äußeren Wandabschnitt 32 nach unten geführt. Zu diesem Zeitpunkt wird, da eine Zentrifugalkraft auf die Prozessflüssigkeit auf dem äußeren Wandabschnitt 32 einwirkt, verhindert, dass ein Nebel der Prozessflüssigkeit nach innen hin zurückkehrt.
  • Weiterhin kann infolge der Tatsache, dass die von der vorderen und hinteren Oberfläche des Wafers W abgeschleuderte Prozessflüssigkeit durch das Führungsteil 35 geführt wird, die Prozessflüssigkeit, die sich vom Umfangsrand des Wafers W getrennt hat, kaum turbulent werden. In diesem Fall wird ermöglicht, die Prozessflüssigkeit aus dem Drehbecher 4 zu führen, während verhindert wird, dass die Prozessflüssigkeit in Nebel umgewandelt wird. Wie in 2 gezeigt, weist das Führungsteil 35 Ausnehmungen 41 an Orten entsprechend den Waferhalte-Zusatzgeräten 14 auf, um die Waferhalte-Zusatzgeräte 14 aufzunehmen.
  • Der Auslass/Abflussabschnitt 7 wird hauptsächlich dazu eingesetzt, Abgas und Ableitungsflüssigkeit zu sammeln, die von dem Raum abgelassen werden, der von der Drehplatte 11 und dem Drehbecher 4 umgeben ist. Wie aus der vergrößerten Ansicht von 5 hervorgeht, weist der Auslass/Abflussabschnitt 7 einen ringförmigen Abflussbecher 51 auf, der so angeordnet ist, dass er eine Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit aufnimmt, die von dem Drehbecher 4 abgelassen wurde, und einen ringförmigen Auslassbecher 52, der den Abflussbecher 51 umgibt, und koaxial mit dem Abflussbecher 51 angeordnet ist.
  • Wie in den 1 und 5 gezeigt, weist der Abflussbecher 51 eine vertikale und zylindrische äußere Wand 53 auf, die außerhalb des Drehbechers 4 in der Nähe des äußeren Wandabschnitts 32 angeordnet ist, und eine innere Wand 54, die sich von dem unteren Ende der äußeren Wand 53 aus nach innen erstreckt. Die innere Wand 54 ist mit einer vertikalen inneren Wand 54a an der Innenseite verbunden. Die äußere Wand 53 und die innere Wand 54 legen einen ringförmigen Raum fest, der als Flüssigkeitsaufnahme 56 zur Aufnahme einer Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit verwendet wird, die von dem Drehbecher 4 abgelassen werden. Die obere Seite der äußeren Wand 53 ist als ein Verlaufsabschnitt 53a ausgebildet, der sich zu einem Ort oberhalb des Drehbechers 4 erstreckt, um zu verhindern, dass eine Prozessflüssigkeit aus dem Abflussbecher 51 herausgeschleudert wird. Die Flüssigkeitsaufnahme 56 weist eine ringförmige Trennwand 55 auf, die in ihr in Ringrichtung des Abflussbechers 51 außerhalb der Halte-Zusatzgeräte 14 angeordnet ist, und sich von der inneren Wand 54 zu einem Ort in der Nähe der unteren Oberfläche der Drehplatte 11 erstreckt. Die Flüssigkeitsaufnahme 56 wird durch die Trennwand 55 in einen Hauptbecherabschnitt 56a und einen Hilfsbecherabschnitt 56b unterteilt. Der Hauptbecherabschnitt 56a wird zur Aufnahme von Flüssigkeit eingesetzt, die von dem Zwischenraum 33 abgelassen wird, während der Hilfsbecherabschnitt 56b dazu verwendet wird, Flüssigkeit aufzunehmen, die von Abschnitten in der Nähe der Halteabschnitte 14a der Halte-Zusatzgeräte 14 heruntertropft. Die untere Oberfläche 57 der Flüssigkeitsaufnahme 56 ist durch die Trennwand 55 in einen ersten Abschnitt 57a entsprechend dem Hauptbecherabschnitt 56a und einem zweiten Abschnitt 57b entsprechend dem Hilfsbecherabschnitt 56b unterteilt. Der erste und zweite Abschnitt 57a und 57b verlaufen schräg nach oben und innen (zum Drehzentrum hin). Die innere Seite des zweiten Abschnitts 57b erstreckt sich nach innen (zum Drehzentrum hin) weiter von einem Ort entsprechend den Halteabschnitten 14a der Halte-Zusatzgeräte 14. Die Trennwand 55 dient dazu, zu verhindern, dass Stör-Luftströmungen, die durch die Abschnitte der Halte-Zusatzgeräte 14 erzeugt werden, die nach unten unterhalb der Drehplatte 11 vorstehen, Nebel erzeugen und Nebel auf den Wafer W übertragen. In der Trennwand 55 ist ein Loch 58 vorgesehen, um eine Prozessflüssigkeit von dem Hilfsbecherabschnitt 56b zum Hauptbecherabschnitt 56a zu führen (siehe 1).
  • Der Abflussbecher 51 weist eine Abflussöffnung 60 zum Ablassen von der Flüssigkeitsaufnahme 56 auf, die in der inneren Wand 54 an einem Ort an der Seite am weitesten außen vorgesehen ist, und an ein Abflussrohr 61 angeschlossen ist (siehe 1). Das Abflussrohr 61 ist an ein Abflussschaltteil (nicht gezeigt) angeschlossen, so dass Prozessflüssigkeiten getrennt gesammelt oder abgelassen werden, abhängig von ihrer Art. Anstelle einer einzelnen Abflussöffnung 60 können mehrere Abflussöffnungen 60 vorgesehen sein.
  • Der Auslassbecher 52 weist eine äußere Wand 64 auf, die sich in Vertikalrichtung außerhalb der äußeren Wand 53 des Abflussbechers 51 erstreckt, und eine innere Wand 65, die an der Seite weiter innen gegenüber den Halte-Zusatzgeräten 14 angeordnet ist, und sich in Vertikalrichtung erstreckt, so dass sie ein oberes Ende in der Nähe der Drehplatte 11 aufweist. Der Auslassbecher 52 weist weiterhin eine untere Wand 66 auf, die auf der Basisplatte 1 angeordnet ist, und eine obere Wand 67, die sich nach oben erstreckt, und gekrümmt von der äußeren Wand 64 aus verläuft, um einen Bereich oberhalb des Drehbechers 4 abzudecken. Der Auslassbecher 52 wird hauptsächlich dazu verwendet, Gasbestandteile zu sammeln und abzulassen, von innerhalb des Drehbechers 4 und um diesen herum, durch eine ringförmige Einlassöffnung 68, die zwischen der oberen Wand 64 und dem Überhangabschnitt 31 des Drehbechers 4 vorgesehen ist. Wie in den 1 und 5 gezeigt, weist der Auslassbecher 52 Auslassöffnungen 70 auf, die im Boden vorgesehen sind, und jeweils an ein Auslassrohr 71 angeschlossen sind. Das Auslassrohr 71 ist an einen Saugmechanismus (nicht gezeigt) an der stromabwärtigen Seite angeschlossen, so dass Gas von dem Bereich um den Drehbecher 4 herum abgegeben wird. Die mehreren Auslassöffnungen 70 können selektiv durch Schalten eingesetzt werden, entsprechend den Arten von Prozessflüssigkeiten.
  • Ein äußerer, ringförmiger Raum 99a ist zwischen der äußersten Wand oder äußeren Wand 53 des Abflussbechers 51 und der äußeren Wand 64 des Auslassbechers 52 vorgesehen. Ein ringförmiges Gasflusseinstellteil 97 ist zwischen dem Boden des Abflussbechers 51 und dem Boden des Auslassbechers 52 außerhalb der Auslassöffnungen 70 angeordnet, und weist eine Anzahl an Gasflusslöchern 98 in Ringrichtung auf. Der äußere ringförmige Raum 99a und das Gasflusseinstellteil 97 dienen zur Einstellung des Gasflusses, der in dem Auslassbecher 52 gesammelt wird, und zu dessen gleichmäßiger Abgabe von den Auslassöffnungen 70. Im Einzelnen wird der Gasfluss nach unten durch den ringförmigen Raum oder den äußeren ringförmigen Raum 99a gleichmäßig über die gesamte Ringrichtung geführt, und wird dann mit einem Druckverlust oder einem Widerstand durch das Gasflusseinstellteil 97 zugeführt, das eine Anzahl an Gasflusslöchern 98 aufweist. Daher wird der Gasfluss dazu veranlasst, in einen verteilten Zustand zu gelangen, so dass er relativ gleichmäßig von überall her an die Auslassöffnungen 70 abgelassen wird, unabhängig von der Entfernung von den Auslassöffnungen 70.
  • Weiterhin ist ein innerer, ringförmiger Raum 99b zwischen der inneren Wand 54a des Abflussbechers 51 und der inneren Wand 65 des Auslassbechers 52 vorgesehen. Zwischenräume 77 sind zwischen dem Abflussbecher 51 und dem Auslassbecher 52 auf der Innenumfangsseite des Abflussbechers 51 vorhanden. Gasbestandteile, die durch die Einlassöffnung 68 gesammelt werden, fliegen geringfügig in die Flüssigkeitsaufnahme 56 des Abflussbechers 51, sowie in den äußeren, ringförmigen Raum 99a. Dieser Gasfluss wird nach unten von der Flüssigkeitsaufnahme 56 durch den inneren, ringförmigen Raum 99b und die Zwischenräume 57 überall gleichmäßig in Ringrichtung geführt, so dass der Gasfluss relativ gleichmäßig zu den Abflussöffnungen 70 abgelassen wird.
  • Wie voranstehend geschildert, wird der Abfluss von Flüssigkeit von dem Abflussbecher 51 unabhängig von dem Auslassen von Gasen von dem Auslassbecher 52 durchgeführt, so dass Ableitungsflüssigkeit und Abgas getrennt voneinander geführt werden. Da der Auslassbecher 52 so angeordnet ist, dass er den Abflussbecher 51 umgibt, wird Nebel, der aus dem Abflussbecher 51 herausgelangt, schnell von den Auslassöffnungen 70 abgegeben, so dass verlässlich verhindert wird, dass der Nebel nach außen diffundiert.
  • Die Substratbearbeitungseinrichtung 100 weist eine Prozesssteuerung 121 auf, die einen Mikroprozessor (Computer) aufweist, und die jeweiligen Bestandteile der Substratbearbeitungseinrichtung 100 sind an die Prozesssteuerung 121 angeschlossen, und werden durch diese gesteuert. Die Prozesssteuerung 121 ist mit einer Benutzerschnittstelle 122 verbunden, die beispielsweise eine Tastatur und eine Anzeige enthält, wobei die Tastatur von einer Prozess-Bedienungsperson dazu verwendet wird, Befehle für den Betrieb der jeweiligen Bestandteile der Substratbearbeitungseinrichtung 100 einzugeben, und die Anzeige zur Darstellung sichtbarer Bilder des Betriebszustands der jeweiligen Bestandteile der Substratbearbeitungseinrichtung 100 verwendet wird. Weiterhin ist die Prozesssteuerung 121 an einen Speicherabschnitt 123 angeschlossen, der Rezepturen speichert, also Steuerprogramme für die Prozesssteuerung 121 zum Steuern der Substratbearbeitungseinrichtung 100 so, dass verschiedene Prozesse durchgeführt werden, und Steuerprogramme für die jeweiligen Bestandteile der Flüssigkeitsbearbeitungseinrichtung 100 zur Durchführung vorbestimmter Prozesse in Abhängigkeit von Prozessbedingungen. Die Rezepturen sind in einem Speichermedium gespeichert, das in dem Speicherabschnitt 123 vorhanden ist. Das Speichermedium kann aus einer Festplatte oder einem Halbleiterspeicher bestehen, oder ein Medium des ortsveränderlichen Typs sein, beispielsweise eine CD-ROM, eine DVD oder ein Flash-Speicher. Alternativ können die Rezepturen Online eingesetzt werden, während sie von einer anderen Einrichtung über beispielsweise eine spezielle Leitung übertragen werden, je nach Erfordernis.
  • Eine erforderliche Rezeptur wird von dem Speicherabschnitt 123 zurückgeholt, und von der Prozesssteuerung 121 entsprechend einem Befehl oder dergleichen ausgeführt, der durch die Benutzerschnittstelle 122 eingegeben wurde. Daher kann die Substratbearbeitungseinrichtung 100 einen vorbestimmten Prozess gesteuert durch die Prozesssteuerung 121 durchführen.
  • Als nächstes erfolgt eine Erläuterung eines Reinigungsverfahrens, das in der Substratbearbeitungseinrichtung 100 mit der voranstehend geschilderten Ausbildung durchgeführt wird.
  • Zuerst wird ein Reinigungsverfahren gemäß einer ersten Ausführungsform unter Bezugnahme auf das in 6 gezeigte Flussdiagramm und die schematischen Ansichten erläutert, die in den 7A bis 7H gezeigt sind. Bei dieser Ausführungsform wird eine Reinigung auf der vorderen und der hinteren Oberfläche eines Wafers W unter Verwendung einer Reinigungsflüssigkeit durchgeführt, und wird dann eine Reinigung auf der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 durchgeführt, wenn ein Spülprozess durchgeführt wird. Bei dieser Ausführungsform werden die folgenden Operationen für einen Reinigungsprozess durch die Prozesssteuerung 121 entsprechend einer in dem Speicherabschnitt 123 gespeicherten Rezeptur gesteuert. Die folgende Erläuterung, die unter Bezugnahme auf die 6 und 7A bis 7H erfolgt, konzentriert sich auf die Reinigung, die auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W durchgeführt wird, und die Reinigung, die auf der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 durchgeführt wird. Wenn ein Reinigungsprozess, der eine Reinigungsflüssigkeit einsetzt, und ein Spülprozess, der gereinigtes Wasser einsetzt, auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W durchgeführt werden, werden jedoch auch ein Reinigungsprozess, der eine Reinigungsflüssigkeit einsetzt, und ein Spülprozess, der gereinigtes Wasser einsetzt, auf der vorderen Oberfläche des Wafers W durchgeführt.
  • Zuerst wird das Hebeteil 13 auf die obere Position eingestellt, und wird ein Wafer W von einem Übertragungsarm (nicht gezeigt) auf die Halterungsstifte 25 der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 aufgesetzt (Schritt 1-1 in 7A).
  • Dann wird das Hebeteil 13 nach unten bewegt, so dass die Flüssigkeitszufuhrplatte 24 auf eine vorbestimmte Position innerhalb der Öffnung 11a der Drehplatte 11 eingestellt wird. Dann wird der Wafer W durch die Halte-Zusatzgeräte 14 in einem Zustand eingespannt, bei welchem ein Zwischenraum zur Ausbildung eines Flüssigkeitsfilms zwischen dem Wafer W und der Drehplatte 11 und der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 gebildet wird. Dann wird der Wafer W zusammen mit den Halte-Zusatzgeräten 2 und dem Drehbecher 4 gedreht (Schritt 1-2 in 7B). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf etwa 200 bis 700 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Dann wird, während sich der Wafer W weiterhin dreht, eine vorbestimmte Reinigungsflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W zugeführt (Schritt 1-3 in 7C). Zu diesem Zeitpunkt bildet sich ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W. Am Anfang ist jedoch die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche nicht mit Flüssigkeit gefüllt, so dass sich kein Flüssigkeitsfilm auf der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausbildet, wenn mit der Zufuhr der Reinigungsflüssigkeit begonnen wird. In diesem Schritt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 200 bis 700 Umdrehungen pro Minute eingestellt, und ist die Zufuhrrate der Reinigungsflüssigkeit vorzugsweise auf 0,5 bis 2,0 L/min eingestellt.
  • Nachdem die Reinigung unter Verwendung der Reinigungsflüssigkeit fertig gestellt ist, wird die Prozessflüssigkeit in einem kontinuierlichen Vorgang von der Reinigungsflüssigkeit auf gereinigtes Wasser umgeschaltet, das als eine Spülflüssigkeit verwendet wird, um das gereinigte Wasser zuzuführen (Schritt 1-4 in 7D). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 200 bis 1000 Umdrehungen pro Minute eingestellt, und ist die Zufuhrrate gereinigten Wassers vorzugsweise auf 1,0 bis 2,0 L/min eingestellt. In diesem Schritt wird ein Flüssigkeitsfilm auf dem Wafer W ausgebildet, aber hat sich noch kein Flüssigkeitsfilm auf der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausgebildet. Daher wird die Zufuhr der Spülflüssigkeit oder des gereinigten Wassers einmal unterbrochen, so dass die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche mit der Prozessflüssigkeit gefüllt wird (Schritt 1-5 und 7E).
  • In diesem Zustand wird erneut mit der Zufuhr der Spülflüssigkeit oder des gereinigten Wassers begonnen, wodurch sich ein Flüssigkeitsfilm auf der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausbildet. Daher wird mit der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W ein Spülprozess durchgeführt, und wird bei der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 eine Reinigung mit gereinigtem Wasser durchgeführt (Schritt 1-6 und 7F).
  • Nachdem der Spülprozess fertig gestellt ist, wird das Ventil 95 geöffnet, um gereinigtes Wasser in dem Düsenloch 6a durch das Eigengewicht der Flüssigkeit abzulassen, oder durch die Saugwirkung einer Saugvorrichtung oder dergleichen (Schritt 1-7 und 7G). Dieser Schritt wird durchgeführt, um die Flüssigkeit von der oberen Oberfläche der Drehplatte 11 so weit wie möglich zu entfernen, und um zu verhindern, dass sich die Flüssigkeit mit einer anderen Flüssigkeit in dem Düsenloch 6a mischt.
  • Wenn zumindest die obere Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 aus einem hydrophoben Material besteht (beispielsweise einem Fluorkohlenstoffharz, etwa Teflon (Marke)), verbleiben darauf keine Wassertropfen, wenn der in 7G gezeigte Spülprozess fertig gestellt ist, da gereinigtes Wasser auf der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 zusammen mit gereinigtem Wasser auf dem Wafer W abgeschleudert wurde. Da die Flüssigkeitszufuhrplatte 24 nicht gedreht wird, ist es dann, wenn darauf Wassertropfen verbleiben, schwierig, diese durch den folgenden Trocknungsprozess zu entfernen. Wenn jedoch die obere Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 hydrophob ist, bleiben keine Wassertropfen übrig, wenn der Spülschritt fertig gestellt ist, so dass verhindert wird, dass der Wafer W durch übrig bleibende Wassertropfen verunreinigt wird, die sich auf ihm ablagern.
  • Nach dem Spülschritt wird ein Abschleuder- und Trocknungsvorgang auf dem Wafer W durchgeführt, während die Zufuhr der Spülflüssigkeit oder des gereinigten Wassers unterbrochen ist (Schritt 1-8 und 7H). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 500 bis 1200 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Die voranstehend beschriebene, erste Ausführungsform ermöglicht es, dass die Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausreichend durch die Spülflüssigkeit oder gereinigtes Wasser gereinigt wird, so dass diese Ausführungsform dann wirksam ist, wenn die Platte 24 der Reinigungsflüssigkeit nicht für längere Zeit ausgesetzt werden soll.
  • Obwohl die Flüssigkeitszufuhrplatte 24 durch die voranstehend geschilderte, erste Ausführungsform gereinigt wird, unterscheiden sich die Reinigungseigenschaften und/oder Trocknungseigenschaften abhängig davon, ob die rückwärtige Oberfläche des Wafers W hydrophob oder hydrophil ist. Daher werden die Prozessschritte vorzugsweise abgeändert in Abhängigkeit davon, ob die rückwärtige Oberfläche hydrophob oder hydrophil ist. Daher werden bevorzugte Ausführungsformen erläutert, die angesichts dieser Umstände entwickelt wurden.
  • Zunächst erfolgt eine Erläuterung der Ausbildung einer Einrichtung zur Durchführung derartiger bevorzugter Ausführungsformen, unter Bezugnahme auf 8. Wie in 8 gezeigt, sind die Anordnungen, welche der Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche und der Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche zugeordnet sind, ebenso wie jene, die in 3 gezeigt sind. Diese Abänderung unterscheidet sich hauptsächlich von 3 in der Hinsicht, dass ein Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85' anstelle des Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85 eingesetzt wird, der bei der ersten Ausführungsform verwendet wird.
  • Wie in 8 gezeigt, weist der Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85' Quellen für Reinigungschemikalienlösungen auf, etwa eine DHF-Zufuhrquelle 101 zum Zuführen verdünnter Flusssäure (DHF) als eine saure Chemikalienlösung, und eine SC1-Zufuhrquelle 102 zum Zuführen von Ammoniak-Wasserstoffperoxid-Lösung (SC1) als eine alkalische Chemikalienlösung. Der Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85' weist weiterhin eine DIW-Zufuhrquelle 103 zum Zuführen gereinigten Wassers (DIW) als eine Spülflüssigkeit auf. Die DHF-Zufuhrquelle 101, die SC1-Zufuhrquelle 102, und die DIW-Zufuhrquelle 103 sind an von dort ausgehende Leitungen 104, 105 und 106 angeschlossen. Die Leitungen 104, 105 und 106 sind an die Leitung 84 über Verteilventile 107, 108 und 109 angeschlossen. Die Leitung 84 ist an eine Leitung 84a angeschlossen, die mit einem Flusskanal 83 eines Düsenarms 22a in Verbindung steht, und an eine Leitung 84b, die mit dem unteren Ende des Düsenlochs 6a in Verbindung steht. Daher werden Ammoniak/Wasserstoffperoxid-Lösung (SC1), verdünnte Flusssäure (DHF), und gereinigtes Wasser (DIW) selektiv in die Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche und die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche durch Betätigung der Verteilventile 107, 108 und 109 zugeführt. Die Leitung 106, die an die DIW-Zufuhrquelle 103 angeschlossen ist, ist mit einem Flussraten-Verteilventil 110 zur Einstellung der Flussrate gereinigten Wassers versehen. Die Leitung 84b ist an ein Verteilventil 111 stromabwärts des Verteilventils 107 angeschlossen. Das Verteilventil 111 ist an eine Auslassleitung 112 angeschlossen. Die Auslassleitung 112 wird zum Ablassen von Flüssigkeit innerhalb des Düsenlochs 6a durch das Eigengewicht der Flüssigkeit verwendet (Ablassen infolge des Eigengewichts). Wenn die Auslassrate von Flüssigkeit, die durch ihr Eigengewicht abgelassen wird, zu hoch ist, können Flüssigkeitstropfen im Inneren der Auslassleitung 112 verbleiben. Angesichts dieses Problems ist die Auslassleitung 112 mit einer festen Öffnung 113 versehen, durch welche die Auslassrate gesteuert werden kann.
  • Die Leitung 84b ist mit einem Absperrventil 114 stromabwärts des Verbindungspunktes mit der Leitung 84 versehen. Das Absperrventil 114 wird dazu verwendet, die Flüssigkeitszufuhr zur Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche durch die Leitung 84 abzusperren. Die Leitung 84b ist darüber hinaus mit einem Verteilventil 115 stromabwärts des Absperrventils 114 versehen. Das Verteilventil 115 ist an eine Leitung 116 angeschlossen, die wiederum an eine DIW-Zufuhrquelle 112 für eine kleine Flussrate angeschlossen ist. Die DIW-Zufuhrquelle 117 für eine kleine Flussrate wird dazu verwendet, die Leitung 84b mit gereinigtem Wasser durch die Leitung 116 bei einer Flussrate zu versorgen, die kleiner ist als jene von gereinigtem Wasser, das von der DIW-Zufuhrquelle 103 durch die Leitung 106 zugeführt wird. Im Einzelnen wird, wenn gereinigtes Wasser der Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche mit einer kleinen Flussrate zugeführt wird, das Absperrventil 114 geschlossen, und das Verteilventil 115 geöffnet, damit gereinigtes Wasser mit einer kleinen Flussrate von der DIW-Zufuhrquelle 117 durch die Leitung 116 in die Leitung 84 geliefert wird. Wenn jedoch das Absperrventil 114 geschlossen ist, ist die Flussrate gereinigten Wassers, das in die Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche zugeführt wird, wesentlich erhöht. Daher wird entsprechend der Schließoperation des Absperrventils 114 das Flussraten-Verteilventil 110 betätigt, um die Flussrate gereinigten Wassers zu verringern, das in die Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche zugeführt wird.
  • Zusätzlich zu diesem Flüssigkeitszufuhrmechanismus 85' ist die Leitung 84b an eine Trocknungsgas-Zufuhrleitung 119 über ein Verteilventil 118 stromabwärts des Verteilventils 115 angeschlossen. Wenn das Verteilventil 118 geöffnet ist, wird ein Trocknungsgas, beispielsweise N2-Gas, von der Trocknungsgasleitung 119 durch die Leitung 84b in das Düsenloch 6a zugeführt, so dass das Trocknungsgas aus der Flüssigkeitszufuhröffnung 24a auf das Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W strömt.
  • Als nächstes erfolgt eine Erläuterung einer zweiten Ausführungsform, die eine der bevorzugten Ausführungsformen ist, durchgeführt unter Einsatz der in 8 dargestellten Anordnung, unter Bezugnahme auf das in 9 gezeigte Flussdiagramm und die schematischen Ansichten, die in den 10A bis 10I gezeigt sind. Die zweite Ausführungsform wird vorzugsweise bei einem Fall eingesetzt, bei welchem die rückwärtige Oberfläche eines Wafers W hydrophob ist.
  • Bei der zweiten Ausführungsform werden die gleichen Operationen wie jene des Schritts 1-1 bis zum Schritt 1-5 der ersten Ausführungsform durchgeführt, von einem Schritt der Übertragung eines Wafers bis zu einem Schritt, bei welchem einmal die Zufuhr gereinigten Wassers unterbrochen wird (Schritt 2-1 bis Schritt 2-5 und 10A- bis 10E).
  • Dann wird, wie im Schritt 1-6 der ersten Ausführungsform, die Zufuhr der Spülflüssigkeit oder des gereinigten Wassers erneut in Gang gesetzt (Schritt 2-6 und 10F). Allerdings ist zu diesem Zeitpunkt die Zufuhrrate gereinigten Wassers so eingestellt, dass sie niedriger ist als jene bei dessen erster Zufuhr (Schritt 2-4). Dies liegt daran, dass dann, wenn die Zufuhrrate zu hoch ist, sich kaum ein Flüssigkeitsfilm auf der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausbildet. Speziell wird die Zufuhrrate gereinigten Wassers bevorzugt auf 0,1 bis 0,3 L/min eingestellt. Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 100 bis 300 Umdrehungen pro Minute eingestellt. Wenn gereinigtes Wasser mit einer kleinen Zufuhrrate zugeführt wird, wird es von der DIW-Zufuhrquelle 117 für eine kleine Flussrate durch die Leitung 116 zugeführt.
  • Dann wird die Zufuhr gereinigten Wassers unterbrochen (Schritt 2-7 und 10G). Dies liegt daran, dass Flüssigkeit auf dem Umfangsabschnitt der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 übrig bleibt, und zu einer unzureichenden Trocknung führt, wenn gereinigtes Wasser im Inneren des Düsenloches 6a unmittelbar von einem Zustand aus abgelassen wird, in welchem gereinigtes Wasser zugeführt wird. Wenn die Zufuhr von gereinigtem Wasser unterbrochen wird, bevor es abgelassen wird, werden Wassersäulen dünn, die sich zwischen der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 und der rückwärtigen Oberfläche des Wafers gebildet haben, so dass verhindert wird, dass Flüssigkeit auf dem Umfangsabschnitt der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 verbleibt. Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 100 bis 300 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Daraufhin wird das Ventil 95 geöffnet, um gereinigtes Wasser in dem Düsenloch 6a durch das Eigengewicht der Flüssigkeit abzulassen, oder durch Saugwirkung einer Saugvorrichtung oder dergleichen (Schritt 2-8 und 10H). Dieser Schritt wird durchgeführt, um so weit wie möglich die Flüssigkeit von der oberen Oberfläche der Drehplatte 11 zu entfernen, und um zu verhindern, dass sich die Flüssigkeit mit einer anderen Flüssigkeit in dem Düsenloch 6a mischt, wie im Schritt 1-7 der ersten Ausführungsform.
  • Nachdem der Spülschritt durch Ablassen gereinigten Wassers fertig gestellt ist, wird ein Abschleuder- und Trocknungsvorgang auf dem Wafer W durchgeführt, während die Zufuhr der Spülflüssigkeit oder des gereinigten Wassers unterbrochen ist (Schritt 2-9 und 10I). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 1000 bis 2000 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Als nächstes erfolgt eine Erläuterung einer dritten Ausführungsform unter Bezugnahme auf das in 11 gezeigte Flussdiagramm und die schematischen Ansichten, die in den 12A bis 12J dargestellt sind. Die dritte Ausführungsform wird vorzugsweise bei einem Fall eingesetzt, bei welchem die rückwärtige Oberfläche eines Wafers W hydrophil ist.
  • Bei der dritten Ausführungsform werden die gleichen Operationen wie jene des Schritts 2-1 bis zum Schritt 2-6 der zweiten Ausführungsform durchgeführt, von einem Schritt der Übertragung eines Wafers bis zu einem Schritt des erneuten Beginnens der Zufuhr gereinigten Wassers (Schritt 3-1 bis Schritt 3-6 und 12A bis 12F).
  • Dann wird die Zufuhrrate des gereinigten Wassers erhöht (Schritt 3-7 und 12G). Dies liegt daran, dass gereinigtes Wasser, das von dem Düsenloch 6a zugeführt wurde, durch die rückwärtige Oberfläche des Wafers angezogen wird, und daran gehindert wird, sich aus der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 auszubreiten, wenn die rückwärtige Oberfläche des Wafers hydrophil ist. Durch Erhöhung der Zufuhrrate gereinigten Wassers kann gereinigtes Wasser einfach über der gesamten Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausgebreitet werden. Zu diesem Zeitpunkt ist die Zufuhrrate ein gereinigtem Wasser bevorzugt auf 0,5 bis 1,5 L/min eingestellt. Weiterhin ist zu diesem Zeitpunkt die Drehzahl des Wafers vorzugsweise auf 100 bis 300 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Danach wird das Ventil 95 geöffnet, um gereinigtes Wasser in dem Düsenloch 6a durch das Eigengewicht der Flüssigkeit oder die Saugwirkung einer Saugvorrichtung oder dergleichen abzulassen (Schritt 3-8 und 12H). Dieser Schritt wird durchgeführt, um so weit wie möglich die Flüssigkeit von der oberen Oberfläche der Drehplatte 11 zu entfernen, und um zu verhindern, dass sich die Flüssigkeit mit einer anderen Flüssigkeit in dem Düsenloch 6a mischt, wie im Schritt 1-7 der ersten Ausführungsform.
  • Danach wird ein Trocknungsgas, beispielsweise N2-Gas, von der Trocknungsgas-Zufuhrleitung 119 durch die Leitung 84b in das Düsenloch 6a zugeführt, und strömt aus der Flüssigkeitszufuhröffnung 24a auf das Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers (Schritt 3-9 und 12I). Da im Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers keine Zentrifugalkraft einwirkt, ist dort der Atmosphärenaustausch ineffizient, und neigt das Trocknen dazu, im Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers unzureichend zu sein, wenn die rückwärtige Oberfläche des Wafers hydrophil ist. Angesichts dieses Problems lässt man ein Trocknungsgas auf das Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers strömen, um das Trocknen zu erleichtern. Zu diesem Zeitpunkt ist die Flussrate des Trocknungsgases vorzugsweise eingestellt auf 1 bis 50 NL/min.
  • Dann wird N2-Gas abgeschaltet, und wird ein Abschleuder- und Trocknungsvorgang auf dem Wafer W durchgeführt (Schritt 3-10 und 12J). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 1000 bis 2000 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Als nächstes erfolgt eine Erläuterung einer vierten Ausführungsform unter Bezugnahme auf das in 13 gezeigte Flussdiagramm und die schematischen Ansichten, die in den 14A bis 14L gezeigt sind. Die zweite Ausführungsform und die dritte Ausführungsform, die voranstehend beschrieben wurden, sind vorzuziehen, wenn klar ist, ob die rückwärtige Oberfläche eines Wafers W hydrophob oder hydrophil ist. Allerdings kann es in der Praxis unklar sein, ob die rückwärtige Oberfläche eines Wafers W hydrophob oder hydrophil ist. Daher wurde die vierte Ausführungsform entwickelt, um ein Verfahren zur Durchführung eines ordnungsgemäßen Prozesses zur Verfügung zu stellen, unabhängig davon, ob ein Wafer W hydrophob oder hydrophil ist.
  • Bei der vierten Ausführungsform werden die gleichen Operationen wie jene von Schritt 3-1 bis Schritt 3-6 der dritten Ausführungsform durchgeführt, von einem Schritt der Übertragung eines Wafers bis zu einem Schritt des erneuten Beginnens der Zufuhr gereinigten Wassers (Schritt 4-1 bis Schritt 4-6 und 14A bis 14F). Dann wird unter Berücksichtigung eines Falles, bei welchem die rückwärtige Oberfläche des Wafers W hydrophil ist, die Zufuhrrate von gereinigtem Wasser erhöht (Schritt 4-7 und 14G), wie im Schritt 3-7 der dritten Ausführungsform.
  • Wenn jedoch die rückwärtige Oberfläche des Wafers hydrophob ist, verbleibt Flüssigkeit auf dem Umfangsabschnitt der Flüssigkeitszufuhrplatte 24, und führt zu einer unzureichenden Trocknung, wenn die Flüssigkeit im Inneren des Düsenlochs 6a unmittelbar von einem Zustand aus abgelassen wird, in welchem die Zufuhrrate an gereinigtem Wasser erhöht ist. Daher wird die Zufuhrrate an gereinigtem Wasser verringert (Schritt 4-8 und 14H). Zu diesem Zeitpunkt ist die Zufuhrrate an gereinigtem Wasser vorzugsweise auf 0,1 bis 0,3 L/min eingestellt. Weiterhin ist zu diesem Zeitpunkt die Waferdrehzahl vorzugsweise auf 100 bis 300 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Nachdem die Zufuhrrate des gereinigten Wassers so verringert wurde, wird die Zufuhr gereinigten Wassers unterbrochen (Schritt 4-9 und 14I), wie im Schritt 2-7 der zweiten Ausführungsform. Dies wird unter Berücksichtigung eines Falles durchgeführt, bei welchem die rückwärtige Oberfläche des Wafers hydrophob ist, da das folgende Problem hervorgerufen wird, wenn die Zufuhrrate des gereinigten Wassers nur verringert wird. Im Einzelnen verbleibt, wenn danach gereinigtes Wasser in dem Düsenloch 6a abgelassen wird, Flüssigkeit auf dem Umfangsabschnitt der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 zurück, und führt zu einer unzureichenden Trocknung. Daher wird die Zufuhr des gereinigten Wassers unterbrochen, bevor es abgelassen wird, so dass verhindert wird, dass Flüssigkeit auf dem Umfangsabschnitt der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 übrig bleibt, wie im Schritt 2-7 der zweiten Ausführungsform. Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W auf 100 bis 300 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Danach wird das Ventil 95 geöffnet, um gereinigtes Wasser in dem Düsenloch 6a durch das Eigengewicht der Flüssigkeit oder die Saugwirkung einer Saugvorrichtung oder dergleichen abzulassen (Schritt 4-10 und 14J). Dieser Schritt wird durchgeführt, um so weit wie möglich die Flüssigkeit von der oberen Oberfläche der Drehplatte 11 zu entfernen, und um zu verhindern, dass sich die Flüssigkeit mit einer anderen Flüssigkeit in dem Düsenloch 6a mischt, wie im Schritt 1-7 der ersten Ausführungsform.
  • Daraufhin lässt man unter Berücksichtigung eines Falles, bei welchem die rückwärtige Oberfläche des Wafers hydrophil ist, ein Trocknungsgas, etwa N2-Gas, von dem Düsenloch 6a auf das Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers strömen (Schritt 4-11 und 14K). Dies wird durchgeführt wie im Schritt 3-9 der dritten Ausführungsform, da das Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers dazu neigt, unzureichend getrocknet zu werden, wenn die rückwärtige Oberfläche des Wafers hydrophil ist. Daher lässt man ein Trocknungsgas auf das Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Wafers strömen, um das Trocknen zu erleichtern. Zu diesem Zeitpunkt ist die Flussrate des Trocknungsgases vorzugsweise eingestellt auf 1 bis 50 NL/min.
  • Dann wird das N2-Gas abgeschaltet, und wird ein Abschleuder- und Trocknungsvorgang auf dem Wafer W durchgeführt (Schritt 4-12 in 14L). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drehzahl des Wafers W vorzugsweise auf 1000 bis 2000 Umdrehungen pro Minute eingestellt.
  • Bei der ersten bis vierten Ausführungsform wird bei der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 eine Reinigung durch Verwendung einer Spülflüssigkeit oder gereinigten Wassers durchgeführt. Wenn die Flüssigkeitszufuhrplatte 24 stärker durch Verwendung einer Reinigungsflüssigkeit gereinigt werden soll, kann das folgende Reinigungsverfahren gemäß einer fünften Ausführungsform eingesetzt werden.
  • 15 ist ein Flussdiagramm, das den Betriebsablauf eines Reinigungsverfahrens gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Die 16A bis 16H sind schematische Ansichten zur Erläuterung von deren Betrieb. Bei dieser Ausführungsform wird die in 3 gezeigte Anordnung als Flüssigkeitszufuhrmechanismus eingesetzt.
  • Zunächst werden in den Schritten 5-1 bis 5-3 von 15, gezeigt in den 16A bis 16C, die gleichen Operationen durchgeführt wie jene der Schritte 1-1 bis 1-3 der ersten Ausführungsform, die in den 7A bis 7C gezeigt sind. In dem Zustand des Schrittes 5-3, gezeigt in 16C, wird ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche eines Wafers W ausgebildet. Allerdings ist zu Beginn die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche nicht mit Flüssigkeit gefüllt, so dass sich kein Flüssigkeitsfilm auf der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausbildet, wenn mit der Zufuhr der Reinigungsflüssigkeit begonnen wird. Daher wird die Zufuhr der Reinigungsflüssigkeit einmal unterbrochen, so dass die Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche mit der Reinigungsflüssigkeit gefüllt wird (Schritt 5-4 und 16D).
  • In diesem Zustand wird erneut mit der Zufuhr der Reinigungsflüssigkeit begonnen, wodurch sich ein Flüssigkeitsfilm auf der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausbildet. Daher werden die rückwärtige Oberfläche des Wafers W und die obere Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 gereinigt (Schritt 5-5 und 16E).
  • Nachdem die Reinigung unter Verwendung der Reinigungsflüssigkeit fertig gestellt ist, wird die Prozessflüssigkeit in einem kontinuierlichen Vorgang von der Reinigungsflüssigkeit auf gereinigtes Wasser umgeschaltet, das als eine Spülflüssigkeit eingesetzt wird, um einen Spülprozess durchzuführen (Schritt 5-6 und 16F). Zu diesem Zeitpunkt wird die Spülflüssigkeit oder das gereinigte Wasser von der Flüssigkeitszufuhrdüse 6 für die rückwärtige Oberfläche zugeführt, so dass sich ein Flüssigkeitsfilm aus gereinigtem Wasser auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W ausbildet. Weiterhin bildet sich zu diesem Zeitpunkt auch ein Flüssigkeitsfilm aus gereinigtem Wasser auf der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 aus, so dass mit der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ein Spülprozess durchgeführt wird.
  • Nachdem der Spülprozess fertig gestellt ist, wird das Ventil 95 geöffnet, um gereinigtes Wasser in dem Düsenloch 6a abzulassen, durch das Eigengewicht der Flüssigkeit oder die Saugwirkung einer Saugvorrichtung oder dergleichen (Schritt 5-7 und 16G). Dieser Schritt wird auf die gleiche Art und Weise durchgeführt wie im Schritt 1-7 der ersten Ausführungsform, der in 7G gezeigt ist.
  • Auch bei dieser Ausführungsform verbleiben, wenn zumindest die obere Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 aus einem hydrophoben Material besteht, keine Wassertropfen darauf, wenn der in 16G gezeigte Spülprozess fertig gestellt ist, da gereinigtes Wasser auf der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 zusammen mit gereinigtem Wasser auf dem Wafer W abgeschleudert wurde. Daher wird verhindert, dass der Wafer W durch übrig bleibende Wassertropfen verunreinigt wird, die auf ihm abgelagert wurden.
  • Nach dem Spülschritt wird, wie in 16H gezeigt, ein Abschleuder- und Trocknungsvorgang bei dem Wafer W durchgeführt, während die Zufuhr der Spülflüssigkeit oder des gereinigten Wassers unterbrochen ist (Schritt 5-8). Dieser Schritt wird auf dieselbe Weise wie im Schritt 1-8 durchgeführt, der in 7H gezeigt ist.
  • Wie voranstehend geschildert werden, wenn ein Reinigungsprozess unter Verwendung einer Reinigungsflüssigkeit und Spülprozess unter Verwendung gereinigten Wassers auf der rückwärtigen Oberfläche des Wafers W durchgeführt werden, auch ein Reinigungsprozess und ein Spülprozess auf der vorderen Oberfläche des Wafers W durchgeführt, während eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit oder gereinigtes Wasser jeweils von der Flüssigkeitszufuhrdüse 5 für die vordere Oberfläche zugeführt werden.
  • Wie voranstehend geschildert wird die Zufuhr einer Reinigungsflüssigkeit oder einer Spülflüssigkeit oder gereinigten Wassers einmal unterbrochen und dann wieder in Gang gesetzt, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Prozessflüssigkeit auf der oberen Oberfläche der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 ausgebildet wird, so dass die Oberfläche gereinigt wird. Daher wird wirksam verhindert, dass ein Wafer W verunreinigt wird, wenn ein Wafer W in Kontakt mit der Flüssigkeitszufuhrplatte 24 gelangt.
  • Bei der Reinigungseinrichtung 100 mit dem voranstehend geschilderten Aufbau ist der Becher, der einen Wafer W umgibt, der Drehbecher 4, der zusammen mit dem Wafer W gedreht wird. Während eines Reinigungsverfahrens, das in dieser Einrichtung durchgeführt wird, wirkt daher eine Zentrifugalkraft auf die Prozessflüssigkeit ein, wenn eine Prozessflüssigkeit von dem Wafer W abgeschleudert wird, und gegen den Drehbecher 4 auftrifft. In diesem Fall wird verhindert, dass die Prozessflüssigkeit verstreut wird (in Nebel umgewandelt wird), anders als in einem Fall, in welchem für denselben Zweck ein ortsfester Becher vorgesehen wird. Dann wird die Prozessflüssigkeit nach unten durch den Drehbecher 4 geführt, und wird durch den Zwischenraum 33 in den Hauptbecherabschnitt 56a des Abflussbechers 51 abgelassen. Da die Drehplatte 11 Löcher zum Einführen der Halteabschnitte 14a an Orten aufweist, wo die Halte-Zusatzgeräte 14 angebracht sind, fällt die Prozessflüssigkeit durch die Löcher in den Hilfsbecherabschnitt 56b des Abflussbechers 51. Die so von dem Abflussbecher 51 aufgenommene Prozessflüssigkeit wird von der Abflussöffnung 60 durch das Abflussrohr 61 abgelassen, während sie in dem Abflussbecher 51 umgewälzt wird. Weiterhin werden Gasbestandteile von innerhalb des Drehbechers 4 und um diesen herum in dem Auslassbecher 52 durch die ringförmige Einlassöffnung 68 gesammelt, die zwischen der oberen Wand 67 und dem Überhangabschnitt 31 des Drehbechers 4 vorhanden ist, und werden von den Auslassöffnungen 70 durch das Auslassrohr 71 abgelassen.
  • Infolge des Vorhandenseins des Drehbechers 4 kann der Abflussbecher 51 kleiner sein, solange er geeignet zum Ablassen ist. Weiterhin sind der Abflussbecher 51 und der Auslassbecher 52 voneinander unabhängig, so dass Abgas und Ableitungsflüssigkeit getrennt gesammelt und getrennt durch die Abflussöffnung 60 und die Auslassöffnungen 70 abgelassen werden. Daher ist es nicht erforderlich, einen speziellen Mechanismus zum Trennen von Ableitungsflüssigkeit und Abgas vorzusehen. Da der Abflussbecher 51 innerhalb des Auslassbechers 52 aufgenommen ist, kann darüber hinaus die Anordnung zum Sammeln von Abgas und Ableitungsflüssigkeit so ausgebildet sein, dass sie einen kleineren Raum einnimmt, so dass die Einrichtung kompakt mit einer kleinen Bodenaufstandsfläche sein kann. Da der Abflussbecher 51 innerhalb des Auslassbechers 52 aufgenommen ist, wird darüber hinaus ermöglicht, Nebel einer Prozessflüssigkeit festzuhalten, der aus dem Abflussbecher 51 herausgelangt ist, wodurch verhindert wird, dass der Nebel einen negativen Einfluss ausübt, während er aus der Einrichtung verstreut wird.
  • Bei den voranstehend beschriebenen Ausführungsformen wird eine Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche zugeführt, so dass ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird. Dann wird die Zufuhr der Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit unterbrochen, und dann wieder in Gang gesetzt, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit oder der Spülflüssigkeit auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird. Wenn die Reinigung auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durchgeführt wird, wird daher die Reinigung auch auf dem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum durchgeführt, so dass verhindert wird, dass das darauf gehalterte Substrat verunreinigt wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die voranstehend beschriebenen Ausführungsformen beschränkt, und kann auf verschiedene Arten und Weisen abgeändert werden. So diente bei den voranstehend beschriebenen Ausführungsformen eine Reinigungseinrichtung zum Reinigen der vorderen und rückwärtigen Oberfläche eines Wafers als Beispiel. Allerdings kann die vorliegende Erfindung auch bei einer Reinigungseinrichtung zum Reinigen nur der rückwärtigen Oberfläche eines Wafers eingesetzt werden. Bei den voranstehend beschriebenen Ausführungsformen diente als Beispiel für das Target-Substrat ein Halbleiterwafer, jedoch kann die vorliegende Erfindung auch bei einem anderen Substrat eingesetzt werden, beispielsweise einem Substrat für Flachbildschirm-Anzeigevorrichtungen (FPD), wobei stellvertretend hierfür ein Glassubstrat für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD) genannt wird.
  • Fachleuten auf diesem Gebiet werden leicht zusätzliche Vorteile und Abänderungen auffallen. Daher ist die Erfindung in ihren weiteren Aspekten nicht auf die speziellen Einzelheiten und repräsentativen Ausführungsformen beschränkt, die hier gezeigt und beschrieben wurden. Daher lassen sich verschiedene Abänderungen vornehmen, ohne vom Wesen oder Umfang des allgemeinen erfindungsgemäßen Konzepts abzuweichen.

Claims (24)

  1. Reinigungseinrichtung, bei welcher vorgesehen sind: ein Substrathalteteil (2), das eine Drehplatte (11) aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie sich im horizontalen Zustand dreht, und ein Halte-Zusatzgerät (14), das so ausgebildet ist, dass es ein Substrat (W) oberhalb der Drehplatte im horizontalen Zustand haltert, um dieses von der Drehplatte zu trennen bzw. mit dieser zu vereinigen; ein Drehmechanismus (3), der so ausgebildet ist, dass er die Drehplatte zusammen mit dem Substrat dreht; eine Flüssigkeitszufuhröffnung (24a), die in der Nähe eines Drehzentrums der Drehplatte angeordnet ist, und so ausgebildet ist, dass sie eine Flüssigkeit einem Zentrum einer rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuführt, das auf dem Halteteil gehaltert ist; eine Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche, die an die Flüssigkeitszufuhröffnung angeschlossen ist, und so ausgebildet ist, eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit zuzuführen, um die Reinigungsflüssigkeit und die Spülflüssigkeit durch die Flüssigkeitszufuhröffnung der rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuzuführen; ein Becher (4, 51), der so ausgebildet ist, dass er das Substrat umgibt, das auf dem Substrathalteteil gehaltert ist; und ein Steuermechanismus (121), der so ausgebildet ist, dass er die Drehung des Substrats und die Zufuhr der Flüssigkeiten steuert, wobei der Steuermechanismus so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass ein Reinigungsprozess durchgeführt wird, der umfasst, die Drehplatte zusammen mit dem Substrat zu drehen, das von dem Halte-Zusatzgerät gehaltert wird, während die Reinigungsflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Zufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, dann aufeinander folgend ein Spülprozess durchgeführt wird, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Spülflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Spülflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, und dann ein Abschleuder- und Trocknungsprozess durchgeführt wird, welcher umfasst, das Substrat mit einer vorbestimmten Drehzahl zu drehen, und wobei der Steuermechanismus weiterhin so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung für den Reinigungsprozess oder Spülprozess steuert, so dass die Zufuhr einer Prozessflüssigkeit vorgesehen ist, welche entweder der Reinigungsflüssigkeit oder der Spülflüssigkeit entspricht, von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, und dann einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche unterbrochen und dann erneut in Gang gesetzt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird, damit der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ebenso wie das Substrat bearbeitet wird.
  2. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 1, bei welcher der Steuermechanismus (121) so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit, die eingesetzt wird, wenn die Zufuhr der Prozessflüssigkeit erneut in Gang gesetzt wird, so eingestellt wird, dass sie kleiner ist als jene, die eingesetzt wurde, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wurde.
  3. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 1, bei welcher der Steuermechanismus (121) so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass die Prozessflüssigkeit, die im Inneren der Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche zurückgeblieben ist, abgelassen wird, nach Fertigstellung eines Prozesses, bei welchem die Prozessflüssigkeit eingesetzt wird.
  4. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 3, bei welcher die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, die rückwärtige Oberfläche des Substrats (W) hydrophob ist, und der Steuermechanismus (121) so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass der Spülprozess umfasst, die Zufuhr der Prozessflüssigkeit zu unterbrechen, und die Prozessflüssigkeit, die im Inneren der Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche zurückgeblieben ist, abzulassen, nach dem erneuten in Gang setzen der Zufuhr der Prozessflüssigkeit.
  5. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 2, bei welcher die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, die rückwärtige Oberfläche des Substrats (W) hydrophil ist, und der Steuermechanismus (121) so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass der Spülprozess die Einstellung einer Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit umfasst, die eingesetzt wird, wenn die Zufuhr der Prozessflüssigkeit erneut in Gang gesetzt wird, und zwar kleiner als jene, die eingesetzt wird, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wird, und dann die Erhöhung einer Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit.
  6. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 5, bei welcher die Einrichtung weiterhin einen Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus (119) aufweist, der so ausgebildet ist, dass ein Trocknungsgas einem Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats (W) zugeführt wird, das auf der Drehplatte (11) durch das Halte-Zusatzgerät (14) gehaltert ist, und der Steuermechanismus (121) so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass ein Trocknungsgas im Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats (W) durch den Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus zugeführt wird, vor dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  7. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, und der Steuermechanismus (121) so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass der Spülprozess die Einstellung einer Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit umfasst, die eingesetzt wird, wenn erneut die Zufuhr der Prozessflüssigkeit in Gang gesetzt wird, und zwar auf kleiner als jene, die eingesetzt wird, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf dem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung (24a) herum ausgebildet wird, dann eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit erhöht wird, wodurch der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat (W) bearbeitet wird, dann eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit verringert wird, und dann die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wird, und wobei die Einrichtung weiterhin einen Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus (119) aufweist, der so ausgebildet ist, dass er ein Trocknungsgas einem Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuführt, das auf der Drehplatte (11) durch das Halte-Zusatzgerät (14) gehaltert wird, und der Steuermechanismus so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass ein Trocknungsgas dem Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durch den Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus zugeführt wird, vor dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  8. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 1, bei welcher die Drehplatte (11) eine Öffnung (11a) in einem Zentrum aufweist, und die Reinigungseinrichtung weiterhin eine nicht-drehbare Flüssigkeitszufuhrplatte (24) aufweist, die in der Öffnung angeordnet ist, und die Flüssigkeitszufuhröffnung (24a) aufweist.
  9. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 8, bei welcher die Flüssigkeitszufuhrplatte (24) nach oben und unten durch die Öffnung (11a) bewegt werden kann, und so ausgebildet ist, dass sie sich nach oben und unten bewegt, während sie das Substrat (W) haltert, um das Substrat von dem Substrathalteteil (2) weg und zu diesem hin zu übertragen.
  10. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 8, bei welcher die Flüssigkeitszufuhrplatte (24) eine obere Oberfläche aufweist, die aus einem hydrophoben Material besteht.
  11. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 1, bei welcher der Steuermechanismus (121) so voreingestellt ist, dass er die Einrichtung so steuert, dass eine Drehzahl des Substrats (W) auf 200 bis 700 Umdrehungen pro Minute in dem Reinigungsprozess und dem Spülprozess eingestellt ist, und auf 500 bis 1200 Umdrehungen pro Minute in dem Abschleuder- und Trocknungsprozess eingestellt ist.
  12. Reinigungseinrichtung nach Anspruch 1, bei welcher der Becher einen Drehbecher (4) umfasst, der so ausgebildet ist, dass er das Substrat (W) umgibt, das auf dem Substrathalteteil (2) gehaltert ist, sich zusammen mit der Drehplatte (11) und dem Substrat dreht, und die Prozessflüssigkeit aufnimmt, die von dem sich drehenden Substrat abgeschleudert wird, sowie einen nicht-drehbaren Abflussbecher (51), der so ausgebildet ist, die von dem Drehbecher abgelassene Prozessflüssigkeit aufzunehmen und abzulassen.
  13. Reinigungsverfahren, das in einer Reinigungseinrichtung durchgeführt wird, die ein Substrathalteteil (2) aufweist, das eine Drehplatte (11) aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie sich in einem horizontalen Zustand dreht, und ein Halte-Zusatzgerät (14), das so ausgebildet ist, dass es ein Substrat (W) oberhalb der Drehplatte im horizontalen Zustand haltert, damit dieses von der Drehplatte getrennt bzw. mit dieser vereinigt wird, einen Drehmechanismus (3), der so ausgebildet ist, dass er die Drehplatte zusammen mit dem Substrat dreht, eine Flüssigkeitszufuhröffnung (24a), die in der Nähe des Drehzentrums der Drehplatte angeordnet ist, und so ausgebildet ist, dass sie eine Flüssigkeit einem Zentrum einer rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuführt, das auf dem Halteteil gehaltert ist, eine Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche, die an die Flüssigkeitszufuhröffnung angeschlossen ist, und so ausgebildet ist, dass sie eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit zum Zuführen der Reinigungsflüssigkeit und der Spülflüssigkeit durch die Flüssigkeitszufuhröffnung zur rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuführt, und einen Becher (4, 51), der so ausgebildet ist, dass er das Substrat umgibt, das auf dem Substrathalteteil gehaltert ist, wobei das Verfahren umfasst; Haltern des Substrats auf dem Substrathalteteil; Drehen der Drehplatte zusammen mit dem darauf gehalterten Substrat; Durchführen eines Reinigungsprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Reinigungsflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Zuflussöffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; dann aufeinander folgendes Durchführen eines Spülprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Spülflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Spülflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; und dann Durchführen eines Abschleuder- und Trocknungsprozesses, welcher umfasst, das Substrat mit einer vorbestimmten Drehzahl zu drehen, wobei der Reinigungsprozess oder Spülprozess die Zufuhr einer Prozessflüssigkeit umfasst, welche entweder der Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit entspricht, von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, und dann einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche zu unterbrechen und dann erneut in Gang zu setzen, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird, so dass der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat bearbeitet wird.
  14. Reinigungsverfahren nach Anspruch 13, bei welchem das Verfahren umfasst, eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit einzustellen, die eingesetzt wird, wenn die Zufuhr der Prozessflüssigkeit erneut in Gang gesetzt wird, und zwar so, dass sie kleiner ist als jene, die eingesetzt wird, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wird.
  15. Reinigungsverfahren nach Anspruch 13, bei welchem das Verfahren umfasst, die Prozessflüssigkeit abzulassen, die im Inneren der Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche zurückgeblieben ist, nach Fertigstellung eines Prozesses, bei welchem die Prozessflüssigkeit eingesetzt wird.
  16. Reinigungsverfahren nach Anspruch 15, bei welchem die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, die rückwärtige Oberfläche des Substrats (W) hydrophob ist, und der Spülprozess umfasst, die Zufuhr der Prozessflüssigkeit zu unterbrechen, und die Prozessflüssigkeit abzulassen, die im Inneren der Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche zurückgeblieben ist, nach erneutem in Gang setzen der Zufuhr der Prozessflüssigkeit.
  17. Reinigungsverfahren nach Anspruch 14, bei welchem die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, die rückwärtige Oberfläche des Substrats (W) hydrophil ist, und der Spülprozess umfasst, eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit einzustellen, die eingesetzt wird, wenn die Zufuhr der Prozessflüssigkeit erneut in Gang gesetzt wird, und zwar so, dass sie kleiner ist als jene, die eingesetzt wird, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wird, und dann eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit erhöht wird.
  18. Reinigungsverfahren nach Anspruch 17, wobei das Verfahren umfasst, ein Trocknungsgas dem Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats (W) durch einen Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus zuzuführen, vor dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  19. Reinigungsverfahren nach Anspruch 13, bei welchem die Prozessflüssigkeit die Spülflüssigkeit ist, und der Spülprozess umfasst, eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit einzustellen, die eingesetzt wird, wenn die Zufuhr der Prozessflüssigkeit erneut in Gang gesetzt wird, und zwar so, dass sie kleiner ist als jene, die eingesetzt wird, bevor einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf dem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung (24a) herum ausgebildet wird, dann eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit erhöht wird, wodurch der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat (W) bearbeitet wird, dann eine Zufuhrrate der Prozessflüssigkeit verringert wird, und dann die Zufuhr der Prozessflüssigkeit unterbrochen wird, und wobei das Verfahren umfasst, ein Trocknungsgas dem Zentrum der rückwärtigen Oberfläche des Substrats durch einen Trocknungsgas-Zufuhrmechanismus zuzuführen, vor dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  20. Reinigungsverfahren nach Anspruch 13, bei welchem die Drehplatte (11) eine Öffnung (11a) im Zentrum aufweist, und die Reinigungseinrichtung weiterhin eine nicht-drehbare Flüssigkeitszufuhrplatte (24) aufweist, die in der Öffnung angeordnet ist, und die Flüssigkeitszufuhröffnung (24a) aufweist.
  21. Reinigungsverfahren nach Anspruch 20, bei welchem sich die Flüssigkeitszufuhrplatte (24) nach oben und unten durch die Öffnung (11a) bewegen kann, und so ausgebildet ist, dass sie sich nach oben und unten bewegt, während sie das Substrat (W) haltert, um das Substrat von dem Substrathalteteil (2) weg und zu diesem hin zu übertragen.
  22. Reinigungsverfahren nach Anspruch 20, bei welchem die Flüssigkeitszufuhrplatte (24) eine aus einem hydrophoben Material bestehende obere Oberfläche aufweist.
  23. Reinigungsverfahren nach Anspruch 13, bei welchem das Verfahren umfasst, eine Drehzahl des Substrats (W) auf 200 bis 700 Umdrehungen pro Minute in dem Reinigungsprozess und dem Spülprozess einzustellen, und auf 500 bis 1200 Umdrehungen pro Minute in dem Abschleuder- und Trocknungsprozess.
  24. Computerlesbares Medium, das ein Computerprogramm zur Ausführung in einem Prozessor speichert, der bei einer Reinigungseinrichtung eingesetzt wird, welche ein Substrathalteteil (2) aufweist, das eine Drehplatte (11) aufweist, die so ausgebildet ist, dass sie sich im horizontalen Zustand dreht, und ein Halte-Zusatzgerät (14), das dazu ausgebildet ist, ein Substrat (W) oberhalb der Drehplatte im horizontalen Zustand zu haltern, damit es von der Drehplatte getrennt bzw. mit dieser vereinigt wird, einen Drehmechanismus (3), der so ausgebildet ist, dass er die Drehplatte zusammen mit dem Substrat dreht, eine Flüssigkeitszufuhröffnung (24a), die in der Nähe des Drehzentrums der Drehplatte angeordnet ist, und so ausgebildet ist, dass sie eine Flüssigkeit dem Zentrum einer rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuführt, das auf dem Halteteil gehaltert ist, eine Flüssigkeitszufuhrdüse (6) für die rückwärtige Oberfläche, die an die Flüssigkeitszufuhröffnung angeschlossen ist, und so ausgebildet ist, dass sie eine Reinigungsflüssigkeit und eine Spülflüssigkeit zuführt, um die Reinigungsflüssigkeit und die Spülflüssigkeit durch die Flüssigkeitszufuhröffnung der rückwärtigen Oberfläche des Substrats zuzuführen, und einen Becher (4, 51) der so ausgebildet ist, dass er das auf dem Substrathalteteil gehalterte Substrat umgibt, wobei das Computerprogramm, wenn es von dem Prozessor ausgeführt wird, die Reinigungseinrichtung so steuert, dass ein Reinigungsverfahren durchgeführt wird, welches umfasst: Haltern des Substrats auf dem Substrathalteteil; Drehen der Drehplatte zusammen mit dem darauf gehalterten Substrat; Durchführen eines Reinigungsprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Reinigungsflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Zuflussöffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Reinigungsflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; dann aufeinander folgendes Durchführen eines Spülprozesses, welcher umfasst, das Substrat zu drehen, während die Spülflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung zugeführt wird, wodurch ein Flüssigkeitsfilm aus der Spülflüssigkeit auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird; und dann Durchführen eines Abschleuder- und Trocknungsprozesses, welcher umfasst, das Substrat mit einer vorbestimmten Drehzahl zu drehen, wobei der Reinigungsprozess oder Spülprozess die Zufuhr einer Prozessflüssigkeit umfasst, welche entweder der Reinigungsflüssigkeit oder Spülflüssigkeit entspricht, von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche durch die Flüssigkeitszufuhröffnung, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auf der rückwärtigen Oberfläche des Substrats ausgebildet wird, um dann einmal die Zufuhr der Prozessflüssigkeit von der Flüssigkeitszufuhrdüse für die rückwärtige Oberfläche zu unterbrechen und dann erneut in Gang zu setzen, wodurch ein Flüssigkeitsfilm auch auf einem Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung herum ausgebildet wird, so dass der Abschnitt um die Flüssigkeitszufuhröffnung ebenso wie das Substrat bearbeitet wird.
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