DE69737240T2

DE69737240T2 - Rotiergerät und rotierverfahren

Info

Publication number: DE69737240T2
Application number: DE69737240T
Authority: DE
Inventors: Tsutomu Yokohama-shi DOI; Yoshiaki Yokohama-shi KUROKAWA; Naoaki Yokohama-shi SAKURAI
Original assignee: Toshiba Corp; Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 1996-11-15
Filing date: 1997-11-12
Publication date: 2007-06-21
Anticipated expiration: 2017-11-13
Also published as: DE69737240D1; TW417159B; CN1275933A; EP0976460A4; CN1097490C; KR20000053305A; WO1998022230A1; US6192903B1; EP0976460A1; EP0976460B1; KR100509800B1

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Rotationsbehandlungsvorrichtung und ein Rotationsbehandlungsverfahren, das ein zu behandelndes Objekt waschbehandelt, während es rotiert wird, und das das Objekt trocknet.
Technischer Hintergrund
Bei einer Flüssigkristall-Herstellvorrichtung und einer Halbleiter-Herstellvorrichtung wird beispielsweise ein Schritt benötigt, um ein zu behandelndes Objekt, wie beispielsweise ein Glassubstrat für einen Flüssigkristall und einen Halbleiterwafer, mit einem hohen Reinheitsgrad zu waschen. Um das obengenannte Material zu waschen und zu trocknen, wurde praktiziert, dass das Objekt, während es rotiert wird, durch Ausstoßen einer Behandlungslösung, wie beispielsweise reinem Wasser, gewaschen wird und ohne Ausstoßen der Behandlungslösung getrocknet wird, während es rotiert wird.
Um eine solche Behandlung durchzuführen, wurde die Rotationsbehandlungsvorrichtung verwendet. Die Rotationsbehandlungsvorrichtung umfasst einen Napfkörper. Innerhalb des Napfkörpers ist ein Rotationskörper vorgesehen, der durch den Rotationsantriebsmechanismus drehend angetrieben wird. Das Material wird auf der oberen Oberflächenseite des Rotationskörpers gehalten. Über dem Napfkörper ist eine Düse zum Ausstoßen einer Behandlungslösung auf das Objekt vorgesehen.
Dementsprechend ist es durch Ausstoßen der Behandlungslösung von der Düse auf das Objekt möglich, die gesamte obere Oberfläche des Objekts zu waschen.
Beispielsweise wird, falls das Objekt mit einer chemischen Lösung waschbehandelt wird, nachdem die Waschbehandlung mit der chemischen Lösung durchgeführt wurde, das Objekt mit reinem Wasser als Behandlungslösung bestrahlt, um eine Spülbehandlung durchzuführen, und, während das gespülte Material ohne Zuführen der Behandlungslösung rotiert wird, wird es getrocknet.
Manchmal tritt der Fall auf, dass durch das Rotieren des Rotationskörpers und das Ausstoßen der Behandlungslösung auf das Objekt ein Nebel erzeugt wird und auf dem gewaschenen und getrockneten Objekt wieder abgelagert wird, und das resultierende Objekt wird verunreinigt.
Es wurde praktiziert, dass ein Auslassrohr mit dem Boden des Napfkörpers verbunden wird, um zu ermöglichen, dass der innerhalb des Napfkörpers schwebende Nebel angesogen und ausgelassen wird, und dadurch der Nebel daran gehindert wird, dass er wieder auf dem zu behandelnden Objekt abgelagert wird.
Weiterhin wird der Nebel bei hohen Geschwindigkeiten von dem rotierenden Material nach außen in Richtung einer radialen Richtung verstreut und stößt gegen die Oberfläche der inneren Wand des Napfkörpers und wird zurückgeworfen. Der an der Oberfläche der inneren Wand des Napfkörpers zurückgeworfene Nebel wird in das obengenannte Auslassrohr eingesogen und aus dem Inneren des Napfkörpers ausgelassen.
Da jedoch der an der Oberfläche der inneren Wand des Napfkörpers zurückgeworfene Nebel eine unbestimmte Richtung auf weist, wird ein Teil des Nebels in dem Napfkörper an eine Stelle verstreut, an der ein durch das Auslassrohr erzeugter Sog nicht wirkt. Aus diesem Grund tritt manchmal der Fall ein, dass der Nebel teilweise auf dem Objekt wieder abgelagert wird, ohne von einem Luftstrom in dem Napfkörper erfasst zu werden.
Der obengenannte Napfkörper umfasst einen unteren Napf und einen auf dem unteren Napf montierten oberen Napf, so dass er aufwärts/abwärts bewegbar ist. In dem Fall, bei dem das Objekt an dem Rotationskörper befestigt wird und davon gelöst wird, wird der obere Napf abgesenkt, um den Rotationskörper freizusetzen, und die Befestigung/das Lösen wird beispielsweise durch einen Roboter ausgeführt.
In Übereinstimmung mit dem Napfkörper dieser Struktur muss ein Abstand zwischen dem oberen Napf und dem unteren Napf geschaffen werden, so dass der obere Napf eine aufwärts/abwärts bewegbare Struktur aufweist. Manchmal tritt der Fall auf, dass, falls eine Saugkraft an dem Auslassrohr erzeugt wird, um so ein Gas innerhalb des Napfkörpers auszulassen, Außenluft von dem Abstand zwischen dem unteren Napf und dem oberen Napf angesaugt wird. Da in der durch den Abstand zwischen dem unteren Napf und dem oberen Napf hindurchgetretenen Außenluft Staub enthalten ist, wird das zu verarbeitende Objekt dabei manchmal verunreinigt.
Es sollte bemerkt werden, dass, wenn der obere Napf in einer Aufwärts/Abwärts-Bewegung bewegt wird, ohne einen Abstand zwischen dem unteren Napf und dem oberen Napf zu schaffen, aufgrund ihrer Gleitbewegung Staub erzeugt wird, und es ist unvermeidbar, dass dieser auf dem Objekt abgelagert wird. Aus diesem Gesichtspunkt ist es besser, einen Abstand zu schaffen.
In dem Fall, bei dem ein Gas innerhalb des Napfkörpers durch das Auslassrohr angesaugt und ausgelassen wird, und falls die Richtung, in der ein Luftstrom innerhalb des Napfkörpers erzeugt wird, und die Richtung, in der ein Ansaugen durch das Auslassrohr innerhalb des Napfkörpers erzeugt wird, sich unterscheiden, tritt manchmal der Fall auf, dass der Nebel innerhalb des Napfkörpers mit einer geringeren Wahrscheinlichkeit problemlos in das Auslassrohr einströmt. Als ein Ergebnis schwebt der Nebel innerhalb des Napfkörpers und wird manchmal auf dem zu behandelnden Objekt abgelagert.
Die JP-A-8124846 offenbart eine Rotationsbehandlungsvorrichtung, umfassend: eine mit einem Rotationsfutter 21 ausgerüstete Behandlungsvorrichtung, wobei das Rotationsfutter 21 einen Halbleiterwafer W rotiert und hält, eine Behandlungsflüssigkeitszuführdüse 3, welche eine Entwicklungsflüssigkeit L auf die Oberfläche des Halbleiterwafers W zuführt, eine erste und eine zweite Reinigungsflüssigkeitssprühdüse 31 und 32, welche eine Spülflüssigkeit R gegen jeweils die Vorderseite und die Rückseite des Halbleiterwafers W sprühen, und eine zylinderförmige Wand 24, welche an einer Stelle benachbart zu dem hinteren Randteil des Wafers W angeordnet ist, wobei die Oberseite 24a der zylinderförmigen Wand 24 eingerichtet ist, so dass sie 5 bis 15 mm breit ist. Durch diesen Aufbau wird ermöglicht, dass ein Flüssigkeitsfilm der Spülflüssigkeit R zwischen dem Randteil des Halbleiterwafers W und der Oberseite 24a der zylinderförmigen Wand 24 gebildet wird, bevor eine Entwicklungsbehandlung durchgeführt wird, so dass die Entwicklungsflüssigkeit L durch den Flüssigkeitsfilm daran gehindert wird, die Rückseite des Wafers W zu erreichen.
Die JP-A-7066107 offenbart eine Rotationsbehandlungsvorrichtung, bei der ein Substrathalteteil 2 eine Haltefläche 4 aufweist, die größer ist als ein Wafer W, welcher in der Mitte davon gehalten wird. Ein Motor 13 rotiert das Substrathalteteil 2 um eine Achse, welche die Halteoberfläche 4 schneidet. Ein Bürstensäuberungsmechanismus 3 führt dem an dem Halteteil 2 gehaltenen Substrat W reines Wasser mit Ultraschallschwingungen zu und säubert eine Bürste. Ein Antistreuring 20 deckt die äußere Peripherie der Substrathalteoberfläche 4 gegenüber der Seite davon in Richtung der Oberseite ab und nimmt das von der Oberfläche des Substrats W gestreute reine Wasser auf. Eine Auslassleitung 22 ist unter dem Ring 20 angeordnet, um durch den Ring 20 aufgenommene Wassertropfen und Nebel abzulassen. Diese Struktur verhindert ein Wiederanhaften von Nebel und Flüssigkeitstropfen an dem Substrat.
Offenbarung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung stellt eine Rotationsbehandlungsvorrichtung zum Rotationsbehandeln eines zu behandelnden Objekts bereit, umfassend:
einen Napfkörper mit einem unteren Napf und einem oberen Napf, die relativ zueinander angeordnet sind, so dass sie bewegbar sind, wobei es einem zu behandelnden Objekt ermöglicht wird, geladen zu werden;
einen innerhalb des Napfkörpers vorgesehenen Rotationskörper, der das zu behandelnde Objekt hält;
Antriebsmittel zum Rotations-Antreiben des Rotationskörpers; und
ein Auslassrohr, das mit dem Boden des unteren Napfes verbunden ist, um zu ermöglichen, dass ein Gas in dem Napfkörper abgesaugt wird;
dadurch gekennzeichnet, dass an einer inneren Wandoberfläche des oberen Napfes eine streusichere Abdeckung vorgesehen ist, um einen Umfang des durch den Rotationskörper gehaltenen Objektes abzudecken, wobei die streusichere Abdeckung Ring-ähnlich ist und ein unteres Ende aufweist, das einge richtet ist, so dass es in einer höheren Position als eine obere Oberfläche des auf dem Rotationskörper gehaltenen Objektes ist, und wobei das untere Ende der streusicheren Abdeckung nach außen in einer radialen Richtung gekrümmt ist.
Ein Vorteil dieser Konstruktion ist, dass von einem Nebel, der von rotierendem Material verstreut und an der Oberfläche der inneren Wand des oberen Napfes zurückgeworfen wird, ein Teil des Nebels, der versucht, zu der oberen Oberflächenseite des Objektes zurückzukehren, gegen die äußere Umfangsoberfläche der streusicheren Abdeckung trifft und dort verbleibt. Dementsprechend ist weniger wahrscheinlich, dass er an einem Umfang verstreut wird, so dass anzunehmen ist, dass er zu der Auslassrohrseite gesogen wird und dass die Ablagerung des Nebels auf dem Objekt verhindert wird.
In Übereinstimmung mit einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Rotationsbehandlungsvorrichtung zum Rotationsbehandeln eines zu behandelnden Objektes eine Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung zum Abdecken des Abstandes zwischen dem oberen Napf und dem unteren Napf.
Dadurch wird Außenluft, sogar falls ein Gas innerhalb des Napfkörpers durch das Auslassrohr angesaugt wird, um so einen Nebel innerhalb des Napfkörpers abzulassen, durch die Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung daran gehindert, durch den Abstand zwischen dem unteren Napf und dem oberen Napf in den Napfkörper einzutreten.
In Übereinstimmung mit einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst die Rotationsbehandlungsvorrichtung weiterhin ein an einem inneren Boden des Napfkörpers montiertes Führungselement, um ein Gas in dem Napfkörper in das Auslassrohr zu führen.
Dadurch werden der innerhalb des Napfkörpers erzeugte Nebel und an der Oberflächenseite der Innenwand des Führungselement von dem unteren Napf eintretenden Außenluft durch das Führungselement geführt und von dem Napfkörper in das Auslassrohr in einem besseren Zustand abgelassen.
Kurze Beschreibung der Erfindung
1 ist eine Schnittansicht, die eine schematische Struktur einer gesamten Vorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
2 ist eine Perspektivansicht, die ein Halteelement davon zeigt;
3 ist eine Perspektivansicht, die eine Beziehung zwischen einer Rotationswelle und einem Sperrzylinder zeigt;
4 ist eine Frontansicht, die einen Lösemechanismus davon zeigt;
5 zeigt ein Diagramm, das ein Ergebnis von Experimenten damit zeigt; und
6 ist eine Schnittansicht, die einen Teil einer Variante einer Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung zeigt.
Beste Ausführungsform der Erfindung
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
Eine in der 1 gezeigte Rotationstrockenbehandlungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung umfasst eine Körperbasis 1. Eine zylinderförmige Aufnahme 2 ist in der Körperbasis 1 angeordnet, so dass sie sich durch die Körperbasis 1 in einer Aufwärts/Abwärtsrichtung hindurch erstreckt. Eine zylinderförmige Rotationswelle 3 ist in der Aufnahme 2 angeordnet, so dass ihr mittiger Abschnitt durch Lager 4 drehbar gelagert ist.
Der untere Endteil der obengenannten Rotationswelle 3 steht aus der Aufnahme 2 hervor, so dass eine angetriebene Riemenscheibe 5 an dem unteren Endteil der Welle 3 bereitgestellt wird. Ein Schrittmotor 6 ist nahe der angetriebenen Riemenscheibe 5 angeordnet. Eine Antriebsriemenscheibe 7 ist auf einer Rotationswelle 6a eines Schrittmotors 6 befestigt, und ein Riemen 8 ist zwischen der Antriebsriemenscheibe 7 und der angetriebenen Riemenscheibe 5 gespannt vorgesehen. Dementsprechend wird, falls der obengenannte Schrittmotor 6 betrieben wird, die Rotationswelle 2 drehend angetrieben.
Ein Rotationskörper 9 mit einem an einer oberen Oberfläche der Rotationswelle 3 befestigten Stempel 10 ist als eine integrierte Einheit an einem oberen Ende der Rotationswelle 3 befestigt. Vier Halteelemente 11 sind als aufrechte Elemente in einem 90°-Intervall in einer Umfangsrichtung des Rotationskörpers 9 angeordnet, so dass sie in einer Büchse 12 rotieren können. Das Halteelement 12 umfasst einen zylinderförmigen Abschnitt 13, wie in der 2 gezeigt. Dieser zylin derförmige Abschnitt 13 hat ein geschlossenes oberes Ende und ein offenes unteres Ende. Eine Stütze 14 ist an einem unteren Ende des zylinderförmigen Abschnitts 13 nach unten vorgesehen. Die Stützwelle 14 ist drehbar in der obengenannten Büchse 12 (in der 1 gezeigt) gelagert.
Ein Stützabschnitt 15 mit einem stromlinienförmigen Querschnitt ist einheitlich mit einer oberen Oberfläche des zylinderförmigen Abschnitts 13 vorgesehen. Ein Stützstift 16 und ein Sperrstift 17, der höher ist als der Stützstift 16, sind stehend auf einer oberen Oberfläche des Stützabschnitts 15 vorgesehen. Der Stützstift 16 ist im Wesentlichen mit einer Mittenachse der Stütze 14 ausgerichtet angeordnet und der Sperrstift 17 ist angeordnet, so dass er um einen vorbestimmten Abstand gegenüber einer Achse der Stützachse verschoben ist.
Ein Halbleiterwafer 21 wird als ein zu behandelndes Objekt auf den vier Halteelementen 11 bei der obengenannten Ausführungsformen gehalten, wie in der 1 gezeigt. Das heißt, dass der untere Randkantenoberflächenteil des Halbleiterwafers 21 auf den Stützstiften 16 abgestützt wird. Mit dem auf den Stützstiften 16 gelagerten Halbleiterwafer 21 wird das Halteelement 11 rotiert, wie unten beschrieben wird. Dadurch werden die an den Halteelementen 11 vorgesehenen Sperrstifte 17 exzentrisch rotiert, und sie stoßen an die äußere Randoberfläche des Halbleiterwafers 21 an, so dass der Halbleiterwafer 21 ohne Verschiebung in einer radialen Richtung gehalten wird.
Wie in der 1 gezeigt, ist zwischen dem Rotationskörper 9 und dem Stempel 10 eine Durchgangsöffnung 25 vorgesehen. In die Durchgangsöffnung 25 ist berührungslos ein Düsenkörper 26 eingeführt. Der Düsenkörper 26 weist eine konische Konfigura tion auf und ein Ende einer Düsenbohrung 27 ist an der oberen Oberfläche des Düsenkörpers 26 geöffnet.
Ein oberes Ende einer Stützwelle 28 ist mit einer unteren Endoberfläche des Düsenkörpers 26 verbunden und der obere Teil der Stützwelle 28 wird in einer Klammer 31 gehalten. Die Klammer 31 wird drehbar durch eine Lagerschale 29 an der Rotationswelle 3 abgestützt. Das heißt, dass der Düsenkörper 26 an der Klammer 31 durch die Stützwelle 28 gehalten wird.
Ein Gehäuse 33 wird neben der Klammer 31 in die obengenannte Rotationswelle 3 eingeführt. Das obere Ende des Gehäuses 33 wird an der Klammer 31 angeschlossen und der untere Endteil des Gehäuses 33 wird durch ein Lager 33a an der Rotationswelle 3 gelagert, so dass es drehbar ist.
Das obengenannte Gehäuse 33 weist eine erste Durchgangsöffnung 34, durch welche sich die Stützwelle 28 erstreckt, und eine zweite Durchgangsöffnung 36 auf, durch welche sich ein an einem Ende mit der Düsenbohrung 27 verbundenes Zuführrohr 35 erstreckt. Das andere Ende des Zuführrohrs 35 ist mit einem Zuführabschnitt zum Zuführen einer Behandlungslösung, wie beispielsweise einer chemischen Lösung oder einer Spüllösung, nicht gezeigt, verbunden. Dementsprechend kann eine Behandlungslösung von der Düsenbohrung 27 zu einer unteren Oberfläche des Halbleiterwafers 21 ausgestoßen werden.
Eine Düse 30 ist über dem an dem Rotationskörper 9 gehaltenen Halbleiterwafer 21 angeordnet. Die Düse 30 ist mit einem Zuführabschnitt zum Zuführen einer Behandlungslösung, wie beispielsweise einer chemischen Lösung, und einer Spüllösung, nicht gezeigt, verbunden.
Dementsprechend kann die Behandlungslösung auf die obere und die untere Oberfläche des an dem Halteelement 11 gehaltenen Halbleiterwafers 21 ausgestoßen werden. Das heißt, dass die obere und die untere Oberfläche des Halbleiterwafers 21 gewaschen und gespült werden können, bevor sie getrocknet werden.
Es sollte folgendes angemerkt werden: da der Düsenkörper 26 durch die Stützwelle 28 gehalten wird und berührungslos in Bezug auf die Rotationswelle 3 gehalten wird, wird der Rotationskörper 9 nicht rotiert, sogar falls er als eine Einheit bezüglich der Rotationswelle 3 gedreht wird.
An der unteren Oberflächenseite des obengenannten Rotationskörpers 9 ist ein Sperrzylinder 41 drehbar an dem oberen äußeren Randoberflächenteil der Rotationswelle 3 drehbar angeordnet. Wie in der 3 gezeigt, ist ein Flansch 42 an einem oberen Ende des Sperrzylinders 41 vorgesehen, und es stehen vier Verriegelungsstifte 43 in einem 90°-Intervall in einer radialen Richtung hervor.
Wie in der 2 gezeigt, greifen die Sperrstifte 43 in einen an einem Ende eines Hebels 44 geöffneten Eingriffsschlitz 45 ein. Das andere Ende des Hebels 44 ist an dem unteren Ende der Stützwelle 14 des Halteelements 11 montiert. Daher kann, wenn der Sperrzylinder 41 entgegen dem Uhrzeigersinn, wie durch einen Pfeil in den 3 und 4 gezeigt, gedreht wird und der Hebel 44 durch die Verriegelungsstifte 43 in der gleichen Richtung gedreht wird, das Halteelement 11 im Uhrzeigersinn um die mit dem Hebel 44 verbundene Stützwelle 14 im Uhrzeigersinn gedreht werden, wie durch einen Pfeil in der 2 gezeigt.
Da dadurch der Sperrstift 17 exzentrisch rotiert wird, stoßen die Sperrstifte 17 gegen die äußere Randoberfläche des durch die Stützstifte 16 abgestützten Halbleiterwafers 21, so dass die Lagerung des Halbleiterwafers 21 gesperrt werden kann. Das heißt, dass der durch die Stützstifte 16 gelagerte Halbleiterwafer 21 daran gehindert wird, in der radialen Richtung verschoben zu werden. Falls der Verriegelungszylinder 41 im Uhrzeigersinn rotiert wird, ist es möglich, den gesperrten Zustand des Halbleiterwafers 21 durch den Sperrstift 17 zu lösen.
Das Sperren und Lösen des Halbleiterwafers 21 durch die Sperrstifte 17, das heißt, die Drehung des Sperrzylinders 41, werden durch einen Lösemechanismus 51 ausgeführt. Wie in den 3 und 4 gezeigt, umfasst dieser Lösemechanismus 51 ein erstes Verriegelungsstück 52, das an der äußeren Umfangsoberfläche der Rotationswelle 3 vorgesehen ist und in einer Ausnehmung 41a in dem Sperrzylinder 41 angeordnet ist, und ein zweites Verriegelungsstück 53, das an der äußeren Umfangsoberfläche des Sperrzylinders 41 vorgesehen ist.
Eine Feder 54 ist zwischen dem ersten Verriegelungsstück 52 und dem zweiten Verriegelungsstück 53 gespannt. Diese Feder 54 zwingt den Sperrzylinder 41 in Richtung des ersten Verriegelungsstücks 52 durch das zweite Verriegelungsstück 53. Das heißt, dass der Sperrzylinder 41 in einer Richtung entgegengesetzt dem Uhrzeigersinn gezwungen wird, wie durch einen Pfeil in der 3 gezeigt.
Da dadurch der Sperrzylinder 41 normalerweise durch eine Zwangskraft der Feder 54 in Richtung des Uhrzeigersinns gezwungen wird, wird das Halteelement 11 durch den Verriegelungsstift 43 und den Hebel 44 im Uhrzeigersinn gedreht, so dass der Sperrstift 17 in einen gesperrten Zustand versetzt wird, indem er gegen die äußere Randoberfläche des Sperrstifts 17 anstößt.
Das Lösen des gesperrten Zustandes des Halbleiterwafers 21 durch die Sperrstifte 17 wird durch einen ersten Zylinder 61 und durch einen zweiten Zylinder 62 in dem obengenannten nahe des obengenannten Schrittmotors 6 angeordneten Lösemechanismus 51 bewirkt.
Das heißt, dass, wie in der 4 gezeigt, ein erster bewegbarer Körper 64 durch eine erste Linearführung 63 in den Richtungen von Pfeilen an dem ersten Zylinder 61 verschiebbar gelagert ist. Der erste bewegbare Körper 64 ist mit einem Stab 61a des ersten Zylinders 61 verbunden. Dadurch ist der erste bewegbare Körper 64 eingerichtet, so dass er reziprok entlang der ersten Linearführung 63 durch Betätigen der ersten Linearführung 63 angetrieben wird.
Ein Paar von beidseitigen Rollen 65 ist an dem vorderen Ende einer oberen Oberfläche des ersten bewegbaren Körpers 64 angeordnet, so dass es mit einem vorbestimmten Abstand zueinander beabstandet ist. Wenn der erste bewegbare Körper 64 in einer Vorwärtsrichtung angetrieben wird, halten die beidseitigen Rollen 65 das erste Verriegelungsstück 52, wie durch gepunktet-strichlierte Linien gezeigt ist. Dadurch wird die Rotationswelle 3 daran gehindert, zu rotieren.
Seitens des zweiten Zylinders 62 ist an einer zweiten Linearführung 67 ein zweiter bewegbarer Körper 68 montiert, so dass er in den Richtungen von Pfeilen verschiebbar ist. Eine Antriebsrolle 69 ist drehbar an den vorderen Enden einer oberen Oberfläche des zweiten bewegbaren Körpers 68 montiert. Dementsprechend wird die Anpressrolle 69 durch den zweiten Zylinder 62 in einer Vorwärts/Rückwärts-Richtung angetrieben.
Wenn der zweite Zylinder 62, falls das erste Verriegelungsstück 52 zwischen den paarweisen beidseitigen Rollen 65 gehalten wird, betrieben wird, um den zweiten bewegbaren Körper 68 in einer Vorwärtsrichtung anzutreiben, drückt die an dem vorderen Endteil des zweiten bewegbaren Körpers montierte Anpressrolle 69 auf das an dem Sperrzylinder 41 vorgesehene zweite Verriegelungsstück 53.
Dadurch wird der Sperrzylinder 41 gegen eine Zwangskraft der Feder 54 rotiert, und durch den Verriegelungsstüft 43 und den Hebel 44 wird das Halteelement 11 in einer entgegengesetzten Richtung zu dem eines Sperrzustandes rotiert. Dementsprechend wird der Sperrstift 17 exzentrisch in einer Richtung entgegen dem Uhrzeigersinn rotiert, so dass der gesperrte Zustand des Halbleiterwafers 21 gelöst wird.
Wie in der 1 gezeigt, ist an der äußeren Umfangsoberfläche des unteren Endteils der Rotationswelle 3 eine Nase 71 montiert, und die Nase 71 wird durch einen Mikrophotosensor 72 erfasst. Der Drehwinkel der Rotationswelle 3 durch den obengenannten Schrittmotor 6 wird durch ein Erfassungssignal des Mikrophotosensors 72 kontrolliert. Das heißt, dass, wenn der gesperrte Zustand des Halbleiterwafers 21 gelöst wird, der Drehwinkel der Rotationswelle 3 kontrolliert wird, um zu ermöglichen, dass das erste Verriegelungsstück 52 und das zweite Verriegelungsstück 53 in vorbestimmten Positionen relativ zu dem ersten und dem zweiten Zylinder 61 und 62 eingestellt werden.
Ein Napfkörper 80 ist über der oberen Oberfläche der Körperbasis 1 angeordnet. Der Napfkörper 80 umfasst einen bodenseitigen unteren Napf 75, wobei die Rotationswelle 3 sich durch eine Durchgangsöffnung 75a in dem Bodenabschnitt erstreckt, und einen ringförmigen oberen Napf 76, dessen äußere Umfangsoberfläche einen vorbestimmten Abstand 79 in Bezug zu einer Oberfläche einer inneren Wand des unteren Napfes 75 ausbil det. Ein Stab 78 eines Aufwärts/Abwärts-Antriebszylinders, nicht gezeigt, ist mit dem oberen Napf 76 verbunden, und durch den Betrieb dieses Zylinders wird der obere Napf 76 aufwärts/abwärts angetrieben.
Der Aufwärts/Abwärts-Bewegungshub des obengenannten Napfes 76 ist so eingestellt, dass er bei einer angehobenen Position die äußere Umfangsoberfläche des durch das Halteelement 11 gehaltenen Halbleiterwafers 21 abdeckt und in einer durch eine unterbrochene Linie gezeigten unteren Position sein oberes Ende in einer tieferen Position eingestellt aufweist, als die obere Oberfläche des Halbleiterwafers 21.
Dementsprechend wird, wenn der obere Napf 76 zu der durch die unterbrochene Linie in der 1 angezeigten Position abgesenkt ist, ein noch nicht behandelter Halbleiterwafer 21 zu den an dem Rotationskörper 9 angeordneten Halteelementen 11 durch einen nicht gezeigten Roboter zugeführt, und ein mit einer Behandlungslösung behandelter und dann getrockneter Halbleiterwafer 21 kann dabei aufgenommen werden.
Weiterhin sind an dem Boden des unteren Napfes 75 eine Mehrzahl von Auslassrohren 77 in einem vorbestimmten Intervall, beispielsweise einem 90°-Intervall, in einer Umfangsrichtung angeschlossen. Die Auslassrohre 77 sind durch einen Gas/Wasser-Abscheider zum Trennen eines Gases und einer Behandlungslösung, nicht gezeigt, mit einer Saugpumpe 90 verbunden. Dementsprechend kann die Behandlungslösung, Nebel, Gas etc. in dem Napfkörper 80 unter einer Ansaugkraft einer mit dem Auslassrohr 77 verbundenen Saugpumpe 90 angesaugt und ausgelassen werden.
Eine konkave Kreisbogenoberfläche 76a ist an einer Oberfläche einer inneren Wand des oberen Napfes 76 ausgebildet und über der kreisbogenförmigen Oberfläche 76a ist eine zylinderförmige streusichere Abdeckung 81 angeordnet, welche einen äußeren Umfangsoberflächenteil abdeckt, der geringfügig höher ist als die obere Oberfläche des durch das Halteelement 11 gehaltenen Halbleiterwafers 21. Das untere Ende der streusicheren Abdeckung 81 ist geringfügig höher, beispielsweise einige wenige Millimeter bis einige zehn Millimeter, bevorzugt etwa 10 Millimeter, eingestellt als die obere Oberfläche des Halbleiterwafers 21.
Die streusichere Abdeckung 81 ist aus einem synthetischen Harz einer besseren Korrosionswiderstandsfähigkeit, wie beispielsweise einem fluorhaltigen Harz, hergestellt und ist in einer zylinderförmigen Konfiguration ausgebildet. Ein oberer Krümmungsabschnitt 81a ist an dem oberen Endteil der Streumaterial-vermeidenden Abdeckung 81 ausgebildet und an dem Kreisbogenabschnitt 76a des oberen Napfes 76 beispielsweise angeschweißt oder angeschraubt. Weiterhin ist an dem unteren Endteil der streusicheren Abdeckung 81 ein unterer Krümmungsabschnitt 81b ausgebildet, welcher nach außen in der radialen Richtung gekrümmt ist.
Wenn der Rotationskörper 9 drehend angetrieben wird und der durch die Halteelemente 11 gehaltene Halbleiterwafer 21 als eine Einheit rotiert werden, wird eine Behandlungslösung von dem Halbleiterwafer 21 als ein Nebel verstreut und der Nebel wird an der Kreisbogenoberfläche 76a des oberen Napfes 76 zurückgeworfen.
Der gegen die Kreisbogenoberfläche 76a stoßende Nebel wird zum Großteil nach unten zurückgeworfen, da die Kreisbogenoberfläche 76a konkav ist, wobei jedoch manchmal der Fall auftreten kann, dass einiges davon nach oben bewegt und zurückgeworfen wird. Der nach oben bewegte und an der Kreisbo genoberfläche 76a zurückgeworfene Nebel stößt gegen die äußere Umfangsoberfläche der streusicheren Abdeckung 81, so dass der Nebel daran gehindert wird, auf dem an den Halteelementen 11 gehaltenen Halbleiterwafer 21 abgelagert zu werden.
Weiterhin weist der untere Endteil der streusicheren Abdeckung 81 den unteren gekrümmten Abschnitt 81b auf, der nach außen in der radialen Richtung gekrümmt ist. Aus diesem Grund trifft einiges von dem von dem Halbleiterwafer 21 verstreuten Nebel gegen die Oberfläche der inneren Wand des unteren gekrümmten Abschnitts 81b. Der gegen die Oberfläche der inneren Wand stoßende Nebel wird nach unten bewegt und zurückgeworfen. Aus diesem Grund werden, sogar falls die streusichere Abdeckung 81 vorgesehen ist, das Zurückwerfen des Nebels an der Oberfläche der inneren Wand und das Zurückkehren des Nebels zurück zu dem Halbleiterwafer 21 durch den unteren gekrümmten Abschnitt 81b verhindert.
Das heißt, da ein Abstand zwischen dem unteren Ende der streusicheren Abdeckung 81 und der oberen Oberfläche des Halbleiterwafers 21 schmäler eingestellt ist, wird der an der Kreisbogenoberfläche 76a des unteren Napfes 76 zurückgeworfene Nebel daran gehindert, auf der oberen Oberfläche des Halbleiterwafers 21 abgelagert zu werden. Andererseits trifft jedoch ein Teil des Nebels gegen den unteren Endteil der streusicheren Abdeckung 81. Der untere Endteil der streusicheren Abdeckung 81 ist jedoch an dem unteren gekrümmten Abschnitt 81b angeordnet, und der dort auftreffende Nebel wird nach unten zurückgeworfen, so dass er daran gehindert wird, sich auf dem Halbleiterwafer 21 abzulagern.
An der äußeren Umfangsoberfläche des oberen Napfes 76 ist eine Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 angeordnet. Die Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 ist, wie die streusichere Abdeckung 81, aus einem synthetischen Harz einer besseren Korrosionswiderstandsfähigkeit, wie beispielsweise einem fluorhaltigen Harz, hergestellt und zylinderförmig ausgebildet. Ein L-förmiger gekrümmter Abschnitt 82a ist an dem oberen Ende der Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 ausgebildet und der gekrümmte Abschnitt 82a ist an einem Befestigungsabschnitt 76b an dem oberen Teil der äußeren Umfangsoberfläche des oberen Napfes 76 angeordnet und befestigt.
An der äußeren Umfangswand des unteren Napfes 75 ist ein Aufnahmeschlitz 83 entlang eines vollen Umfangs des Napfes oben offen ausgebildet. In dem angehobenen Zustand des oberen Napfes 76 ist der untere Endteil der Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 in dem Aufnahmeschlitz angeordnet. Dadurch wird der obere Endteil des unteren Napfes 75, das heißt der äußere Umfangsteil der sich in dem Abstand 79 überlappenden unteren und oberen Näpfe 75 und 76, durch den unteren Endteil der Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 abgedeckt.
Durch Abdecken des obengenannten Abstandes 79 mit der Außenluftzutrittsabdeckung 82 wird die Außenluft daran gehindert, durch den Abstand 79 in den Napfkörper 80 einzutreten.
Mit der in den Aufnahmeschlitz 83 eingeführten Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 wird an der Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 und einer Fläche, wo der Aufnahmeschlitz 83 der Umfangswand des unteren Napfes 75 angeordnet ist, eine Labyrinthstruktur ausgebildet. Aus diesem Grund ist es möglich, mit der in den Aufnahmeschlitz 83 eingeführten Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82, die Außenluft besser daran zu hindern, durch den Abstand 79 einzutreten.
Falls in dem Aufnahmeschlitz 83 eine Flüssigkeit gehalten wird und der untere Endteil der Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 in die Flüssigkeit eingetaucht ist, wird eine Luftdichtigkeit zwischen der Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 und dem unteren Napf 75 aufrechterhalten, so dass ein Luftzutritt über den Abstand 79 positiv verhindert werden kann.
Da die obere Oberfläche des oberen Napfes 76 geöffnet ist, tritt Außenluft in den Napfkörper 80 ein. Die Rotationsbehandlungsvorrichtung ist jedoch üblicherweise innerhalb eines Reinraums installiert (nicht gezeigt). In den Reinraum strömt von einer Decke in Richtung einer Bodenoberfläche reine Luft, die nicht irgendwelche Partikel aufweist. Da dafür das reine Wasser von der oberen Öffnung des oberen Napfes 76 in das Innere des Napfkörpers 80 strömt, wird der Halbleiterwafer 21 im Wesentlichen nicht durch die Luft verunreinigt.
Es kann möglich sein, dass, wie in der 6 gezeigt, die Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82a als eine zylinderförmige balgförmige Struktur unter der Verwendung eines dehnbaren/kontrahierbaren Gummis und synthetischem Harz ausgebildet ist, wobei in diesem Fall ihr unteres Ende mit dem oberen Ende des unteren Napfes 75 und ihr oberes Ende mit dem Befestigungsabschnitt 76b des oberen Napfes 76 verbunden sind.
An dem Innenboden des unteren Napfes 75 ist ein Führungselement 85 vorgesehen und unter Verwendung eines synthetischen Harzes einer besseren Korrosionswiderstandsfähigkeit, wie beispielsweise einem fluorhaltigen Harz, in einer oben offenen schirmähnlichen Anordnung ausgebildet. Das heißt, dass das Führungselement 85 an seiner oberen Endseite kleiner ausgeführt ist als an seiner unteren Endseite, um eine zylinder förmige Konfiguration auszubilden, die von dem oberen Ende zu dem unteren Ende nach außen in einer radialen Richtung geneigt ist.
Die Oberfläche der Innenwand am oberen Ende des Führungselements 85 ist nahe der äußeren Umfangsoberfläche des Rotationskörpers 9 angeordnet und das untere Ende des Führungselements 85 ist an einem Zwischenteil in der radialen Richtung der Öffnung des Auslassrohres 77 an dem Boden des unteren Napfes 75 angeschlossen.
Durch Ausüben einer Saugkraft der Saugpumpe 90 auf den Napfkörper 80 werden Nebel und Gas innerhalb des Napfkörpers 80 auf der geneigten äußeren Umfangsoberfläche des Führungselements 85 geführt und gleichmäßig in das Auslassrohr 77 ausgelassen. Weiterhin wirkt, da das untere Ende des Führungselements 85 an dem Zwischenteil in der radialen Richtung des Auslassrohres 77 angeordnet ist, eine Saugkraft der Saugpumpe 90 durch das Auslassrohr 77 sowohl auf die äußere Umfangsoberfläche als auch auf die innere Wandoberflächenseite. Aus diesem Grund wird ein nicht nur auf der äußeren Umfangsseite, sondern auch auf der inneren Wandoberflächenseite des Führungselements 85 eintretender Nebel, wie auch ein auf der inneren Wandoberflächenseite von der Durchgangsöffnung 75a des unteren Napfes 75 eintretender Nebel von dem Auslassrohr 77 besser ausgelassen.
In dem Fall, bei dem der Halbleiterwafer 21 durch die so aufgebaute Rotationstrockenbehandlungsvorrichtung gewaschen und dann getrocknet wird, wird zuerst der obere Napf 76 abgesenkt und ein Halbleiterwafer 21 wird dem Rotationskörper 9 zugeführt (Halteelemente 11). Dann wird der obere Napf 76 angehoben und der Randkantenteil des an dem Rotationskörper 9 gehaltenen Halbleiterwafers 21 wird abgedeckt. Und der Rotati onskörper 9 wird rotiert, während innerhalb des Napfkörpers 80 durch die Saugpumpe 90 abgesaugt wird, und es wird eine Behandlungslösung zu der oberen und der unteren Oberfläche des Halbleiterwafers 21 zugeführt. Dadurch werden die obere und die untere Oberfläche des obengenannten Halbleiterwafers 21 beispielsweise durch die obengenannte Behandlungslösung gewaschen.
Nach der Waschbehandlung wird die Zufuhr der Behandlungslösung gestoppt und der Rotationskörper 9 wird bei einer hohen Geschwindigkeit rotiert, um zu bewirken, dass die auf dem Halbleiterwafer 21 abgelagerte Behandlungslösung verstreut wird. Und der Halbleiterwafer 21 wird trockenbehandelt.
Die Behandlungslösung wird zu dem rotierenden Halbleiterwafer 21 ausgestoßen und der Halbleiterwafer 21 wird trockenbehandelt, so dass die Behandlungslösung als ein Nebel verstreut wird und der Nebel stößt gegen die Kreisbogenoberfläche 76a des oberen Napfes 76.
Da die Kreisbogenoberfläche 76a konkav ist, wird der auf dem Halbleiterwafer 21 verstreute und gegen die Kreisbogenoberfläche 76a stoßende Nebel zum Großteil nach unten bewegt und zurückgeworfen. Aus diesem Grund strömt der Nebel entlang der äußeren Umfangsoberfläche des Führungselements 85 unter einer Saugkraft der Saugpumpe 90 und wird gleichmäßig in das Auslassrohr 77 ausgelassen.
Ein Teil des an der Kreisbogenoberfläche 76a des oberen Napfes 76 zurückgeworfenen Nebels wird, abhängig von dem Winkel, nach oben zurückgeworfen, indem er auf die Kreisbogenoberfläche 76a trifft. Der nach oben zurückgeworfene Nebel trifft jedoch gegen die äußere Umfangsoberfläche der an dem oberen Teil des oberen Napfkörpers 76 vorgesehenen streusicheren Ab deckung 81. Aus diesem Grund wird der auf der Kreisbogenoberfläche 76a des oberen Napfes 76 nach oben zurückgeworfene Nebel daran gehindert, auf dem Halbleiterwafer 21 abgelagert zu werden.
Das untere Ende der oben genannten streusicheren Abdeckung 81 ist an dem unteren gekrümmten Abschnitt 81b nach außen in der radialen Richtung gebogen geformt. Aus diesem Grund wird der geringfügig nach oben von der oberen Oberfläche des Halbleiterwafers 21 gestreute und gegen die innere Wandoberfläche des unteren gekrümmten Abschnitts 81b stoßende Nebel nach unten zurückgeworfen. Und der Nebel wird auf der äußeren Umfangsoberfläche des Führungselements 85 geführt und in das Auslassrohr 77 ausgelassen, so dass er nicht auf dem Halbleiterwafer 21 abgelagert wird.
Auf diese Weise wird der von dem drehenden Halbleiterwafer 21 verstreute Nebel besser daran gehindert, an der Innenwandoberfläche des oberen Napfes 76 zurückgeworfen zu werden und auf dem Halbleiterwafer 21 abgelagert zu werden, da die Innenwandoberfläche des oberen Napfes 76 konkav ausgeführt ist und die streusichere Abdeckung 81 an dem oberen Napf 76 vorgesehen ist.
Da der von innerhalb des Napfkörpers 80 in das Auslassrohr 77 ausgelassene Nebel gleichmäßig durch die äußere Umfangsoberfläche der geneigten kreisbogenförmigen Wand des Führungselements 85 geführt wird, ist anzunehmen, dass der Nebel von innerhalb des Napfkörpers 80 auch aufgrund dieses Vorgangs ausgelassen wird.
Da der während des Waschens erzeugte Nebel durch die streusichere Abdeckung 81 und das Führungselement 85 gleichmäßig und gut aus dem Inneren des Napfkörpers 80 ausgelassen wird, ver bleibt während des Trocknens nahezu kein Nebel innerhalb des Napfkörpers. Daher wird der Halbleiterwafer 21 beim nach dem auf das Waschen folgenden Trocknen davor bewahrt, durch den Nebel verunreinigt zu werden.
Da der Napfkörper 80 eingerichtet ist, so dass der Halbleiterwafer 21 an dem Rotationskörper 9 durch Absenken des unteren Napfes 76 befestigt und davon gelöst wird, wird der obengenannte Abstand 79 zwischen dem unteren Napf 75 und dem oberen Napf 76 sichergestellt. Es besteht jedoch ein Risiko, dass die Partikel enthaltende Außenluft von dem Abstand 79 in das Innere des Napfkörpers 80 eintritt, das heißt von dem überlappenden Bereich des unteren Napfes 75 und des oberen Napfes 76.
Der überlappende Bereich der jeweiligen Näpfe 75, 76 wird durch die Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 abgedeckt und aus diesem Grund wird die Außenluft daran gehindert, in den Abstand 79 des obengenannten überlappenden Bereiches in den Napfkörper 80 einzutreten, so dass keine Möglichkeit besteht, dass die Partikel enthaltende Außenluft auf dem Halbleiterwafer 21 abgelagert wird.
Weiterhin ist das untere Ende des an dem inneren Boden des unteren Napfes 75 angeordneten Führungselements 85 in einer radialen Richtung des Auslassrohres 77 auf dem Weg dazwischen angeordnet. Aus diesem Grund wirkt eine Saugkraft der innerhalb des Napfkörpers 80 über das Auslassrohr 77 wirkende Absaugpumpe 90 nicht nur an der äußeren Umfangsoberflächenseite, sondern auch an der Innenwandoberflächenseite des Führungselements 85.
Da die an der Innenwandoberflächenseite des Führungselements 85 wirkende Saugkraft die in den Napfkörper 80 aus der Durch gangsöffnung 75a des unteren Napfes 75 eintretende Außenluft ansaugt, ohne sie innerhalb des Napfkörpers 80 zu verteilen, werden in der aus der obengenannten Durchgangsöffnung 75a eintretenden Luft und in der Außenluft enthaltene Partikel daran gehindert, auf dem Halbleiterwafer 21 abgelagert zu werden.
Die 5 zeigt ein Ergebnis eines Zählens durch einen Partikelzähler von Partikeln über der oberen Oberfläche des an dem Rotationskörper 9 gehaltenen Halbleiterwafers 21. Die Kurve A in der 5 gibt den Fall wieder, bei dem weder eine streusichere Abdeckung 81 noch eine Außenluftzutrittverhinderungsabdeckung 82 vorhanden ist. In diesem Fall, falls die Drehzahl des Rotationskörpers 9 auf 600 UpM ansteigt, beginnt die Anzahl der Partikel zu steigen und bei 150 UpM steigt die Anzahl von Partikeln pro gegebener Einheitsfläche scharf über etwa 5100 an.
Die Kurve B gibt den Fall wieder, bei dem lediglich die streusichere Abdeckung 81 vorgesehen ist. In diesem Fall war im Vergleich mit der Kurve A eine Anstiegsrate von Partikeln klein gegenüber einem Anstieg der Drehzahl des Rotationskörpers 9 und, falls die Drehzahl bei 1500 UpM lag, war die Anzahl von Partikeln pro gegebener Einheitsfläche etwa 3500. Das heißt, es kann angenommen werden, dass das Zurückwerfen des Nebels an dem oberen Napf 76 und eine Ablagerung des Nebels auf dem Halbleiterwafer 21 durch Vorsehen der streusicheren Abdeckung 81 unterdrückt werden kann.
Die Kurve C gibt den Fall wieder, bei dem die streusichere Abdeckung 81 und die Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 vorgesehen sind. In diesem Fall wurden nahezu keine Partikel über der oberen Oberfläche des obengenannten Halbleiterwafers 21 erfasst, sogar falls die Drehzahl des Rotationskör pers 9 bei 1500 UpM lag. Das heißt, es wird angenommen, dass durch Vorsehen der streusicheren Abdeckung 81 und der Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 die Verunreinigung des Halbleiterwafers 21 mit der obengenannten Wirkung durch die streusichere Abdeckung 81 und der Außenluftzutrittsverhinderungswirkung durch die Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung 82 reduziert wird.
Obwohl bei der obengenannten Ausführungsform der Halbleiterwafer als ein zu behandelndes Objekt angegeben ist, ist es sogar bei Verwendung eines rechteckigen Glassubstrats in einer Flüssigkristallvorrichtung anstelle des Halbleitersubstrats möglich, zu verhindern, dass es verunreinigt wird, wenn eine Behandlung daran mit der Vorrichtung der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird.

Claims

Rotationsbehandlungsvorrichtung zum Rotationsbehandeln eines zu behandelnden Objektes, umfassend: einen Napfkörper (80) mit einem unteren Napf (75) und einem oberen Napf (76), die relativ zueinander angeordnet sind, so dass sie bewegbar sind, wobei es einem zu behandelnden Objekt ermöglicht wird, geladen zu werden; einen innerhalb des Napfkörpers vorgesehenen Rotationskörper (9), der das zu behandelnde Objekt hält; Antriebsmittel zum Rotations-Antreiben des Rotationskörpers; und ein Auslassrohr (77), das mit dem Boden des unteren Napfes verbunden ist, um zu ermöglichen, dass eine Behandlungslösung, Nebel oder Gas in dem Napfkörper abgesaugt werden; dadurch gekennzeichnet, dass an einer inneren Wandoberfläche des oberen Napfes eine streusichere Abdeckung (81) vorgesehen ist, um einen Umfang des durch den Rotationskörper gehaltenen Objektes abzudecken, wobei die streusichere Abdeckung Ring-ähnlich ist und ein unteres Ende aufweist, das eingerichtet ist, so dass es in einer höheren Position als eine obere Oberfläche des auf dem Rotationskörper gehaltenen Objektes ist, und wobei das untere Ende der streusicheren Abdeckung nach außen in einer radialen Richtung gekrümmt ist.
Rotationsbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Wandoberfläche des oberen Napfes (76) eine konkave Kreisbogenoberfläche (76a) ist.
Rotationsbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (79) zwischen dem oberen Napf und dem unteren Napf mit einer Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung (82) abgedeckt ist.
Rotationsbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Führungselement (85) an einem inneren Boden des Napfkörpers vorgesehen ist, um das Gas in dem Napfkörper in das Auslassrohr (77) zu führen.
Rotationsbehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand (79) zwischen dem oberen Napf und dem unteren Napf mit einer Außenluftzutrittsverhinderungsabdeckung (82) abgedeckt ist, wobei ein Führungselement an einem inneren Boden des Napfkörpers vorgesehen ist, um das Gas in dem Napfkörper in das Auslassrohr (77) zu führen.