JP2007263485A - 基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薬液を用いて基板Wを処理する方法において,前記薬液の種類に応じて,基板Wの周囲の湿度を調節するようにした。例えば少なくとも基板Wを乾燥させる乾燥処理工程において,湿度を調節するようにした。また,薬液を用いて基板Wを処理する薬液処理工程の後に,IPAを含む流体を供給し,少なくとも前記IPAを含む流体を供給する際に,前記湿度を調節すると良い。
【選択図】図3
Description
W ウェハ
1 基板処理装置
2 チャンバー
16 湿度調節機構
17 制御コンピュータ
17c 記録媒体
41 薬液(DHF液)供給源
42 薬液(SC−1液)供給源
43 薬液(SC−2液)供給源
47 リンス液供給源
91 ガス供給チャンバー
101 主供給路
102 FFU
103 クリーンエア供給路
104 CDA供給源
105 CDA供給路
107 切換ダンパ
112 開閉弁
Claims (23)
- 薬液を用いて基板を処理した後,基板を乾燥させる方法であって,
前記薬液の種類に応じて,前記基板の周囲の湿度を調節することを特徴とする,基板処理方法。 - 少なくとも前記基板を乾燥させる際に,前記湿度を調節することを特徴とする,請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記薬液を用いて基板を処理した後に,IPAを含む流体を供給し,
少なくとも前記IPAを含む流体を供給する際に,前記湿度を調節することを特徴とする,請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記薬液を用いて基板を処理する薬液処理工程と,リンス液を用いて基板を処理するリンス処理工程と,基板の上面にIPAを含む流体を供給して液膜を形成する液膜形成工程と,基板を乾燥させる乾燥処理工程とを行い,
前記乾燥処理工程においては,基板の上面にIPAを含む流体を供給し,
少なくとも前記液膜形成工程,及び/又は,前記乾燥処理工程において,前記湿度を調節することを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理方法。 - 前記薬液を用いて基板を処理した後に,前記薬液処理の前よりも前記基板の疎水性が強められる場合は,前記基板の疎水性が強められない場合よりも,前記湿度の調節によって前記湿度を低減することを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記薬液がDHF液又はHF液であるときは,前記薬液がSC−1液又はSC−2液であるときよりも,前記湿度の調節によって前記湿度を低減することを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理方法。
- 複数種類の薬液を用いて基板を処理した後,基板を乾燥させる方法であって,
第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と,
前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と,
前記第二の薬液処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥処理工程とを行い,
少なくとも前記乾燥処理工程において,前記基板の周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させることを特徴とする,基板処理方法。 - 前記第二の薬液はDHF液であることを特徴とする,請求項7に記載の基板処理方法。
- 前記湿度の調節によって前記湿度を低減する場合,露点温度を−40℃以下にすることを特徴とする,請求項1〜8のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記湿度の調節は,前記基板の周囲にFFUから供給されるクリーンエアを供給する状態と,前記クリーンエアよりも湿度が低い低露点ガスを供給する状態とを切り換えることにより行うことを特徴とする,請求項1〜9のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記低露点ガスは,CDA又は窒素ガスであることを特徴とする,請求項10に記載の基板処理方法。
- 基板の薬液処理及び乾燥処理を行う基板処理装置の制御コンピュータによって実行することが可能なソフトウェアが記録された記録媒体であって,
前記ソフトウェアは,前記制御コンピュータによって実行されることにより,前記基板処理装置に,請求項1〜11のいずれかに記載の基板処理方法を行わせるものであることを特徴とする,記録媒体。 - 薬液を用いて基板を処理する装置であって,
互いに異なる種類の薬液を供給する複数の薬液供給源と,基板の周囲の湿度を調節する湿度調節機構と,前記湿度調節機構を制御する制御部とを備え,
前記制御部は,前記薬液の種類に応じて前記基板の周囲の湿度を調節するように制御することを特徴とする,基板処理装置。 - IPAを含む流体を供給する流体供給源を備え,
前記制御部は,少なくとも前記IPAを含む流体を基板に供給する際に,前記湿度を調節するように制御することを特徴とする,請求項13に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は,前記薬液を供給することにより基板の疎水性が強められる場合は,前記基板の疎水性が強められない場合よりも,前記湿度を低減させるように制御することを特徴とする,請求項13又は14に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は,前記薬液がDHF液である場合は,前記薬液がSC−1液又はSC−2液である場合よりも,前記湿度を低減させるように制御することを特徴とする,請求項13〜15のいずれかに記載の基板処理装置。
- 薬液を用いて基板を処理する装置であって,
互いに異なる種類の薬液を供給する複数の薬液供給源と,基板の周囲の湿度を調節する湿度調節機構と,前記湿度調節機構を制御する制御部とを備え,
前記制御部は,第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と,前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と,前記第二の薬液処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥処理工程とを行うように制御し,かつ,少なくとも前記乾燥処理工程において,前記基板の周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させるように制御することを特徴とする,基板処理装置。 - 前記第二の薬液はDHF液であることを特徴とする,請求項17に記載の基板処理装置。
- 前記湿度を低減させる場合,露点温度を−40℃以下にすることを特徴とする,請求項13〜18のいずれかに記載の基板処理装置。
- クリーンエアを供給するFFUと,前記クリーンエアよりも湿度が低い低露点ガスを供給する低露点ガス供給源とを備え,
前記基板の周囲に前記クリーンエアを供給する状態と前記低露点ガスを供給する状態とを切り換えることが可能な構成としたことを特徴とする,請求項13〜19のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記FFUから供給される前記クリーンエアを取り込む取り込み用カップと,前記取り込み用カップ内のクリーンエアを前記基板の周囲に導入するクリーンエア供給路と,前記取り込み用カップ内のクリーンエアを前記取り込み用カップの外部に排出させるクリーンエア排出口とを備えることを特徴とする,請求項20に記載の基板処理装置。
- 前記クリーンエア又は前記低露点ガスを前記基板の周囲に導入する主供給路と,前記FFUから供給される前記クリーンエアを前記主供給路に導入するクリーンエア供給路と,前記低露点ガス供給源から供給される前記低露点ガスを前記主供給路に導入する低露点ガス供給路とを備え,
前記クリーンエア供給路と前記主供給路を連通させる状態と遮断する状態とを切り換える切換部を設け,
前記切換部において,前記クリーンエア供給路の下流端部は,前記主供給路の上流端部に向かって前記クリーンエアを吐出する方向に指向し,
前記クリーンエア供給路と前記主供給路は,互いに同一の直線上に備えられ,
前記低露点ガス供給路は,前記切換部を介して前記主供給路に接続され,
前記切換部において,前記低露点ガス供給路の下流端部は,前記主供給路の上流端部とは異なる位置に向かって前記低露点ガスを吐出する方向に指向していることを特徴とする,請求項20又は21に記載の基板処理装置。 - 前記低露点ガスは,CDA又は窒素ガスであることを特徴とする,請求項20〜22のいずれかに記載の基板処理装置。
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