TW200807521A - Substrate treatment method, recording medium and substrate treatment device - Google Patents

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200807521 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於基板處理方法、記錄媒體及基板處理裝 置。 【先前技術】 在半導體裝置的製造製程中，進行將半導體晶圓（以 Φ 下，稱爲「晶圓」）藉由藥液、沖洗液等的處理液加以洗 淨的洗淨處理。在該洗淨處理中，係在進行將DHF液 (稀氫氟酸）等的藥液供給至晶圓以施行處理的藥液處理 步驟、以及將純水等的沖洗液供給至晶圓以施行處理的沖 洗液處理步驟後，進行使晶圓乾燥的乾燥處理步驟。 就使晶圓乾燥的方法而言，已知有使晶圓曝露於IP A (異丙醇）等有機溶劑的蒸氣之蒸氣乾燥方式。又，有提 案爲了抑制乾燥時之水印的產生’而供給被除濕後的空 φ 氣，藉以使晶圓W周圍的溼度降低的方法（例如，參照 曰本國實用新案公開公報·’ IP6— 913〇U) 爲了降低晶圓W周圍的溼度，必須供給較多的除濕 空氣，所以晶圓之處理所需的成本會變高。尤其’當基板 處理裝置在一個處理室（處理空間）內實行從複數種處理 步驟選擇的步驟時’或者當基板處理裝置連續執行複數種 處理步驟時，在所有的處理步驟中降低晶圓周圍的溫度’ 會導致處理成本大幅度地增加。 200807521 (2) 【發明內容】 本發明係有鑑於上述問題點而開發者，其目 供一種可防止在基板產生水印，且可降低空調相 之基板處理技術。 本發明係依據發明人之硏究的結果所獲得「 的藥液處理時所使用之藥液的種類（實施於基板 種類），具有必須在除溼的氛圍中進行乾燥處理 Φ 與未必要在除溼的氛圍進行乾燥處理亦可的情形 而構成者。 爲了解決上述課題，根據本發明，可提供一 理方法，係在使用藥液處理基板後，使基板乾燥 理方法，其特徵爲：依據上述藥液的種類，調節 周圍的溼度。 在該基板處理方法中，亦可至少在使上述 時，調節上述淫度。 # 又，亦可在使用上述藥液處理基板後，供 (異丙醇）的流體，且至少在供給含上述IPA的 調節上述溼度。 i 亦可進行：使用上述藥液處理基板的藥液處 和使用沖洗液處理基板的沖洗液處理步驟；和將 流體供給至基板的上面，以形成液膜的液膜形成 使基板乾燥的乾燥處理步驟，且在上述乾燥處理 將含IPA的流體供給至基板的上面，至少在上述 步驟、及/或上述乾燥處理步驟中，調節上述溼) 的在於提 關的成本 依據基板 之處理的 的情形、 」的知見 種基板處 的基板處 上述基板 基板乾燥 給含IPA 流體時， 理步驟； 含IPA的 步驟；和 步驟中， 液膜形成 -5- (3) (3)

200807521 亦可在使用上述藥液處理後，上述基板的排水 述藥液處理前更爲增強的情形，相較於上述基板的 沒有增強的情形，更可藉由上述溼度的調節，降低 度。 亦可在上述藥液爲DHF (稀氫氟酸）液或HF ( 酸）液時，比上述藥液爲S C — 1液或S C - 2液時， 藉由上述溼度的調節，降低上述溼度。 再者，根據本發明，可提供一種基板處理方法， 使用複數種的藥液處理基板後，使基板乾燥的基板處 法，其特徵爲：進行：用第一藥液進行處理的第一藥 理步驟；和在上述第一藥液處理步驟後，用第二藥液 處理的第二藥液處理步驟；和在上述第二藥液處理 後，使基板乾燥的乾燥處理步驟，且至少在上述乾燥 步驟中’使上述基板周圍的濕度比上述第一藥液處理 時更爲降低。上述第二藥液亦可爲DHF (稀氫氟酸） 降低上述溼度時，亦可使露點溫度成爲- 40 °C以 上述溼度的調節亦可藉由切換：對基板的周圍供給從 (Fan Filter Unit :空氣清淨機）所供給之清淨空氣 態、與供給溼度比上述清淨空氣低之低露點氣體的狀 進行者。上述低露點氣體亦可爲CD A ( Clean Dried 低露點空菊i)或氮氣。 此外，根據本發明，可提供一種記錄媒體，係 可藉由進行基板的藥液處理及乾燥處理之基板處理 控制電腦來執行的軟體之記錄媒體，其特徵爲：上 :比上 i水性 .述溼 氫氟 更可 係在 ^理方 :液處 :進行 步驟 :處理 .步驟 液。 下。 FFU 的狀 :態而 Air : t錄有 :置的 :軟體 -6- 200807521 (4) 係利用上述控制電腦執行，藉以使上述基板處理裝置進行 上述基板處理方法。 再者，根據本發明，可提供一種基板處理裝置，係使 用藥液處理基板的基板處理裝置，其特徵爲：具備：供給 相互爲不同藥液的複數藥液供給源；和調節基板周圍的溼 ' 度之溼度調節機構；和控制上述溼度調節機構的控制部， 且上述控制部係以依據上述藥液的種類來調節上述基板周 φ 圍的溼度的方式加以控制。 該基板處理裝置中，亦可具備供給含IPA之流體的流 體供給源，且上述控制部係以至少在將含上述IPA的流體 供給至基板時，調節上述溼度的方式加以控制。 上述控制部亦可爲以藉由供給上述藥液使基板之排水 性增強的情形，比上述基板之排水性沒有增強的情形，更 降低上述溼度的方式加以控制。 上述溼度調節機構亦可爲上述藥液爲DHF (稀氫氟 φ 酸）液時，比上述藥液爲SC — 1液或SC - 2液時，更降 低上述溼度。 又，根據本發明，可提供一種基板處理裝置，係使用 藥液處理基板的裝置，其特徵爲：具備：供給相互爲不同 種類之藥液的複數藥液供給源；和調節基板周圍的溼度之 溼度調節機構；和控制上述溼度調節機構的控制部，且上 述控制部係以進行用第一藥液施行處理的第一藥液處理步 驟；和在上述第一藥液處理步驟後，用第二藥液施行處理 的第二藥液處理步驟；和在上述第二藥液處理步驟後，使 -7- (5) 200807521 基板乾燥的乾燥處理步驟的方式加以控制，且以至 述乾燥處理步驟中，使上述基板周圍的溼度比上述 液處理步驟時更爲降低的方式加以控制。上述第二 可爲DHF液。 使上述溼度降低時，露點溫度亦可成爲- 40 °C 又，亦可具備：供給清淨空氣的FFU ( Fan Filter 空氣清淨機）；和供給溼度比上述清淨空氣低的低 體之低露點氣體供給源，且構成可切換對上述基板 供給上述清淨空氣的狀態、與供給上述低露點氣 態。亦可具備：接取從上述FFU供給的上述清淨空 取用杯；和將上述接取用杯內的清淨空氣導入上述 周圍之清淨空氣供給管路；和將上述接取用杯內的 氣排出到上述接取用杯的外部之清淨空氣排出口。 亦可具備：將上述清淨空氣或上述低露點氣體 述基板的周圍之主供給管路；和將從上述FFU供給 清淨空氣導入上述主供給管路的清淨空氣供給管路 從上述低露點氣體供給源所供給的上述低露點氣體 述主供給管路的低露點氣體供給管路，且設置可 清淨空氣供給管路與上述主供給管路連通的狀態和 狀態予以切換的切換部。在上述切換部，上述清淨 給管路的下游端部亦可指向朝向上述主供給管路的 部吐出上述清淨空氣的方向。上述清淨空氣供給管 述主供給管路亦可相互具備於同一直線上。上述低 體供給管路亦可經由上述切換部連接於上述主供給 少在上 第一藥 藥液亦 以下。 Unit ： 露點氣 的周圍 體的狀 氣之接 基板的 清淨空 導入上 的上述 ;和將 導入上 將上述 遮斷的 空氣供 上游端 路與上 露點氣 管路。 -8- (6) (6)200807521 在上述切換部，上述低露點氣體供給管路的下游端部亦可 指向朝向與上述主供給管路之上游端部相異的位置，吐出 上述低露點氣體的方向。上述低露點氣體亦可爲CDA或 氮氣。 根據本發明，藉由依據供給至基板之藥液的種類，調 節基板周圍的溼度，可在一個處理室選擇性地進行複數種 處理步驟的構成時，又，在一個處理室連續進行複數種處 理步驟時，皆可以僅在需要時，使基板周圍的溼度降低。 因此’可將使基板周圍的溼度降低時所需要之成本減少。 可使例如CDA等低露點氣體的供給量及成本降低。依 此，可達成基板處理所需之成本的降低。又，在需要時令 溼度減少的話，可防止在基板產生水印。 【實施方式】 以下，說明將作爲基板之矽晶圓W的表面予以洗淨 的基板處理裝置，當作本發明較佳的實施型態。如第1圖 所示，本實施型態之基板處理裝置1的處理室2內，具有 將大致圓板狀的晶圓W保持大致水平的旋轉夾3。處理室 2內具有噴嘴5，該噴嘴5係爲對晶圓W選擇性地供給作 爲洗淨用藥液之例如DHF液（稀氫氟酸）、SC— 1液（氨 和過氧化氫和水的混合溶液）、S C - 2液（鹽酸和過氧化 氫和水的混合溶液）等的藥液噴嘴，又，供給作爲沖洗液 之例如純水（DIW)的沖洗液噴嘴。噴嘴5係由噴嘴臂6 所支持。處理室2內又具有：供給含有I p A的流體例如 200807521 (7) IPA (異丙醇）液，以作爲揮發性高於作爲沖洗液之 的流體之流體噴嘴1 2 ;和供給非活性氣體例如氮（ 氣以作爲乾燥用氣體之乾燥用氣體噴嘴的非活性氣體 1 3。流體噴嘴12與非活性氣體噴嘴1 3係由乾燥用噴 1 5所支持。設有可將由旋轉夾3所保持之晶圓W周 氛圍的溼度，即處理室2內（處理空間S中）之分圍 度予以調解的溼度調節機構1 6。基板處理裝置1之各 φ 的控制，係藉由作爲具備CPU之控制部的控制電腦 命令來執行。 如第2圖所示，處理室2設有：用以將晶圓W 搬出處理室2內之處理空間S的搬入搬出口 18、和 搬入搬出口 18的開關器（shutter ) 18a。藉由關閉搬 出口 1 8，可將晶圓W周圍的氛圍（即處理空間S ) 密閉狀態。搬入搬出口 1 8的外側係成爲搬送晶圓W 送區域20，在搬送區域20設有具有將晶圓W —片一 • 保持而予以搬送的搬送臂21a之搬送裝置21。如第1 示，在處理室2的底面，將處理空間S予以排氣的排 _ 路24係形成開口。 如第1圖及第2圖所示，旋轉夾3係於其上部具 個保持構件3 a，並且使這些保持構件3 a分別抵接於 W的周緣三部位，以將晶圓W保持水平。在旋轉夾 下部，安裝有使·旋轉夾3以大致垂直方向的旋轉中心 中心而旋轉的馬達2 5。藉由馬達2 5的驅動使旋轉夾 轉時，晶圓W會以晶圓W的大致中心p 0作爲旋轉中 純水 N2 ) 噴嘴 嘴臂 圍之 的溼 部位 17的 搬入 開關 入搬 成爲 的搬 片地 圖所 氣管 有三 晶圓 3的 軸爲 3旋 心， -10- (8) (8)200807521 而與旋轉夾3 —體地在大致水平面內旋轉。圖例中’從晶 圓 W的上方俯視觀之，晶圓 W係繞著逆時鐘方向 (CCW )的旋轉方向旋轉。馬達25的驅動係藉由控制電 腦1 7控制。 噴嘴臂6係具備於支持於旋轉夾3之晶圓W的上 方。噴嘴臂6的基端部係以沿著配置成大致水平的導軌3 1 移動自如的方式支持。具有使噴嘴臂6沿著導軌31移動 的驅動機構32。藉由驅動機構32的驅動，噴嘴臂6係可 在支持於旋轉夾3之晶圓W上方的位置與靠晶圓W周緣 的外側（第1圖中爲左側）的位置之間移動。隨著噴嘴臂 6的移動，噴嘴5會從晶圓W之大致中心之上方的位置朝 向周緣部之上方的位置，與晶圓 W相對地移動。驅動機 構32的驅動係藉由控制電腦1 7控制。 噴嘴5係安裝於固定於噴嘴臂6之前端下面的昇降機 構35的下方所突出之昇降軸36的下端。昇降軸36可藉 由昇降機構3 5昇降自如，藉此構成，可使噴嘴5位於任 意的高度。昇降機構3 5的驅動係藉由控制電腦1 7控制。 供給相互爲不同藥液的複數藥液供給源例如三個藥液 供給源41、42、43，係經由藥液供給管路44、45、46分 別連接於噴嘴5上。也就是說，與供給DHF液之藥液 (DHF液）供給源41連接的藥液供給管路44、與供給SC 一 1液之藥液（S C - 1液）供給源4 2連接的藥液供給管路 45、與供給SC - 2液之藥液（SC— 2液）供給源46連接 的藥液供給管路46係分別連接於噴嘴5。此外，噴嘴5 -11 - 200807521 (9) 上’連接有與供給DIW之沖洗液（DIW液）供給源47連 接的沖洗液供給管路48。藥液供給管路44、45、46及沖 洗液供給管路48上，分別介設有開關閥44a、45a、46a、 4 8a。各開關閥44a、45a、46a、48a的開關動作係藉由控 制電腦1 7控制。 又’從藥液供給源4 1供給的DHF液係可藉由飩刻去 除氧化矽膜（Si02 )的藥液，主要是作爲將附著於晶圓W φ 的自然氧化膜加以去除的洗淨用藥液使用。從藥液供給源 42供給的 SC - 1液主要是作爲將有機性的污垢、粒子 (附著粒子）等加以去除的洗淨用藥液使用。SC — 2液主 要是作爲將金屬雜質等加以去除的洗淨用藥液使用。 乾燥用噴嘴臂1 5係具備於旋轉夾3所支持之晶圓W 的上方。乾燥用噴嘴臂1 5的基端部係以沿著配置成大致 水平的導軌51移動自如的方式支持。又，具有使乾燥用 噴嘴臂1 5沿著導軌5 1移動的驅動機構52。藉由驅動機構 # 52的驅動，乾燥用噴嘴臂1 5可在晶圓W上方的位置、與 靠晶圓W周緣的外側（第1圖中爲右側）的位置之間移 動。隨著乾燥用噴嘴臂1 5的移動，流體噴嘴1 2及非活性 氣體噴嘴1 3得以從晶圓W之大致中心的上方位置朝向周 緣部的上方位置，與晶圓W相對地移動。驅動機構52的 驅動係藉由控制電腦1 7控制。 在乾燥用噴嘴臂15的前端下面，固定有具備昇降軸 54的昇降機構55。昇降軸54係以突出於昇降機構55下 方的方式配置，且在該昇降軸54的下端，安裝有流體噴 •12- 200807521 (10) 嘴1 2及非活性氣體噴嘴1 3。昇降軸5 4係藉由昇降機構 5 5的驅動而伸縮，依此，流體噴嘴1 2及非活性氣體噴嘴 1 3得以一體地昇降。昇降機構5 5的驅動係藉由控制電腦 17控制。亦即，藉由控制電腦17的命令，控制驅動機構 52的驅動，以使乾燥用噴嘴臂1 5、流體噴嘴1 2及非活性 ' 氣體噴嘴1 3移動於水平方向，且控制昇降機構5 5的驅 動，以調節流體噴嘴1 2及非活性氣體噴嘴1 3的高度。 φ 流體噴嘴1 2及非活性氣體噴嘴1 3 ’係以沿著朝向連 結晶圓 W的中心與周緣右端部之大致半徑方向的直線， 並列於晶圓W的上方的方式設置。又，非活性氣體噴嘴 1 3在第1圖中係設置於流體噴嘴12的左側。亦即，當流 體噴嘴12藉由乾燥用噴嘴臂1 5的移動，而在第1圖中沿 著從中心P〇朝向晶圓W之周緣部右側的移動方向D移動 時，非活性氣體噴嘴1 3在移動方向D係位於流體噴嘴1 2 的後方，即，俯視觀之，非活性氣體噴嘴1 3係以一邊配 • 置於中心Po與流體噴嘴12之間，一邊跟隨流體噴嘴12 移動的方式構成。 流體噴嘴12上，連接有與儲存IPA液之槽（tank) 等的流體供給源66連接的流體供給管路67。流體供給管 路6 7上介設有開關閥6 8。開關閥6 8的開關動作係藉由控 制電腦1 7控制。 非活性氣體噴嘴1 3上，連接有與非活性氣體（N2 ) 供給源7 1連接的非活性氣體管路72。非活性氣體管路72 上介設有開關閥73。開關閥73的開關動作係藉由控制電 -13- (11) (11)200807521 腦1 7控制。 繼之，說明溼度調節機構1 6。如第1圖所示，溼度調 解機構1 6具有將作爲濕度調節用氣體（空氣）的清淨空 氣（Clean Air)或 CDA ( Clean Dried Air (低露點清淨空 氣））吹入處理空間S的氣體供給處理室91 ;和將濕度 調節用氣體供給至氣體供給處理室91的溼度調節用氣體 供給線92。此外，溼度調節機構1 6係藉由控制電腦1 7控 制。 氣體供給處理室9 1係配置在處理室2的上面部， 即，配置在由旋轉夾3所保持之晶圓W的上方。如第3 圖所示，在氣體供給處理室9 1的下面，使濕度調節用氣 體從氣體供給處理室9 1的內部吐出的複數氣體吐出口 9 1 a，係以均等分布於下面整體的狀態設置。亦即，複數 氣體吐出口 9 1 a係以均等地對向於由旋轉夾3所保持之晶 圓W的上面整體的方式設置，且在處理空間S形成濕度 調節用氣體經整流後的下吹氣流（downflow )。此外，也 可以使用例如衝孔板（punching screen)，即，使用藉由 衝壓加工而開設有多數孔的板，作爲構成氣體供給處理室 9 1之下面的下板9 1 b ;也可以將該衝孔板的孔作爲氣體吐 出孔9 1 a。 在氣體供給處理室9 1的側壁，連接有溼度調節用氣 體供給線92的下游端部（後述之主供給管路101的水平 部 1 0 1 a ) 〇 溼度調節用氣體供給線92具有：將溼度調節用氣體 -14- 200807521 (12) 供給至氣體供給處理室9 1，且經由氣體供給處理室9 !導 入處理空間S的主供給管路1 0 1 ·，和作爲供給清淨空氣之 淫度調節用氣體供給源的FFU ( Fan Filter Unit :空氣清 淨機）102 ;和用以將從FFU 102供給之清淨空氣導入主供 給管路101的清淨空氣供給管路103 ;和作爲供給CDA之 溼度調節用氣體供給源（低露點氣體供給源）的CDA供 給源104 ;和用以將從CDA供給源104供給的CDA導入 φ 主供給管路1〇1的CDA供給管路（低露點氣體供給管 路）1 05。主供給管路1 0 1的上游端部與清淨空氣供給管 路1 03的下游端部，係經由作爲切換部的切換調節閘1 07 相互連接。主供給管路1〇1的上游端部與CDA供給管路 1 05的下游端部也是經由切換調節閘1 07相互連接。 主供給管路1 〇 1係爲例如管狀導管的內部流路，係形 成爲具有順沿大致水平方向延設的水平部1 0 1 a、與順沿大 致鉛直方向延設的鉛直部1 〇 1 b之大致L字型。水平部 • 101a的前端部係在氣體供給處理室91的側壁形成開口。 鉛直部1 0 1 b的上端部係在切換調節閘1 0 7 (後述之框體 1 2 1的下面）形成開口。 F F U 1 0 2係配設於處理室2的外部上方，係設置於例 如配置有基板處理裝置1之無塵室（Clean Room )的上面 部、或設置於內設有基板處理裝置1之處理系統的上面部 等。圖例中，FFU102係設置於搬送區域2〇的上面部。此 外，在此雖然沒有將顯示圖，但在FFU102的內部，設有 將空氣送風的送風機、將空氣清淨化以成爲清淨空氣 -15- 200807521 (13) (Clean Air )的過濾器等。又，在FFU102的下面則設有 整流板、將清淨空氣吐出的複數清淨空氣吐出口等，構成 從FFU 102的下面吐出整流後的清淨空氣，而形成清淨空 氣的下吹氣流（downflow)。 在FFU102的下方，具有承接由FFU102所供給的清 淨空氣以接取到清淨空氣供給管路1 03的接取用杯1 1 0。 該接取用杯1 1 0係以上面成爲開口部1 1 0a，且使開口部 φ 與FFU102的下面對向的方式設置。接取用杯110的 下面係與清淨空氣供給管路1 03的上游端部連接。又，在 接取用杯1 10之一側壁的上緣部與FFU 102的下面之間， 形成有將清淨空氣從接取用杯1 1 0內排出之作爲清淨空氣 排出口的間隙1 1 1。 清淨空氣供給管路1 03係爲例如管狀導管的內部流 路，係從接取用杯1 1 0的下面朝下方，沿著大致鉛直方向 筆直地延設。清淨空氣供給管路1 03的下游端部係連接於 • 切換調節閘1 07的上面（後述之框體121的上面）。清淨 空氣供給管路1 03的下游端部與上述主供給管路1 〇 1之鉛 直部101b的上游端部，係以夾著切換調節閘1〇7的內部 (後述之清淨空氣供給管路連接室1 23 )而相互對向的方 式設置，並且清淨空氣供給管路103與鉛直部10 lb係以 相互排列於大致同一鉛直線上的方式設置。 CDA供給源104係可使用例如將CDA在壓縮的狀態 儲存於內部的彈狀高壓氣體容器。此外，CDA係可藉由例 如使用充塡有吸附劑或觸媒的精製器以將壓縮空氣中的有 -16- 200807521 (14) 機物、水分等雜質加以精製（去除）而獲得。C D A的溼度 大幅低於一般的空氣（大氣）以及從FFU102所供給之清 淨空氣的溼度。即，露點溫度比一般的空氣及清淨空氣 低。從CDA供給源104供給之CDA的露點溫度，較佳爲 約—40°C以下，更理想爲約—l〇°C〜約一120°C。 CDA供給管路105上，介設有將上游測（CDA供給 源1 04側）與下游側（切換調節閘1 〇7側）遮斷的狀態以 φ 及連通的狀態加以切換的開關閥1 12。CDA供給管路1 〇5 的下游％部係連接於切換調節閘1 0 7。開關閥1 1 2的開關 動作可藉由控制電腦1 7控制。 如第4圖及第5圖所示，切換調節閘1 〇7具有：框體 1 2 1、與在框體1 2 1內開關清淨空氣供給管路1 〇3之下游 端部開口的大致平板狀可動構件1 2 2。 框體121係構成大致長方體狀，且具有連接清淨空氣 供給路1 〇 3之端部的清淨空氣供給管路連接室1 2 3、與連 # 接CDA供給管路105之端部的CDA供給管路連接室 124。清淨氣體供給管路連接室123與CDA供給管路連接 室124係以相互於橫向鄰接的方式並列設置，又，可相互 連通。圖例中，在框體121內的空間中，右半部（框體 1 2 1的內側面1 2 1 C側）係成爲清淨空氣供給管路連接室 1 23，剩下的左半部（與內側面1 2 1 c及清淨空氣供給管路 連接室123對向的內側面121d側）則成爲CDA供給管路 連接室124。 在對應於清淨空氣供給管路連接室1 23的部分，於框 -17- 200807521 (15) 體1 2 1的上面（上頂面）1 2 i a，清淨空氣供給管路i 〇3的 下游端部係形成開口，於框體1 2 1的下面（底面）1 2 i b， 主供給管路1 0 1 (鉛直部1 〇 1 b )的上游端部係形成開口。 亦即。清淨空氣供給管路〗〇 3的端部係位在主供給管路 1 〇 1之端部的上方，且設置於夾著主供給管路1 〇 1的端部 與清淨空氣供給管路連接室1 23而對向的位置，而指向朝 主供給管路1 0 1的端部吐出清淨空氣的方向。 φ 可動構件122係設置於清淨空氣供給管路連接室123 內，且經由旋轉中心軸1 26可旋轉地支持於框體1 2 1。旋 轉中心軸126係在清淨空氣供給管路連接室123之框體 1 2 1的上面1 2 1 a側，配置於清淨空氣供給管路1 03之端部 的側邊（內側面121 c側），且支持可動構件122的緣 部。可動構件1 22係以該旋轉中心軸1 26作爲旋轉中心而 旋轉，依此，可使可動構件122的一側面（上面）對清淨 空氣供給管路1 03的端部接近及分離。具體來說，可動構 φ 件122係沿著上面121a配置於橫向，且可移動於藉由可 動構件1 22的一側面閉塞清淨氣體供給管路1 03之端部的 閉塞位置P1 (第4圖）、與從清淨空氣供給管路1 03的 端部分離以使清淨空氣供給管路1 〇3的端部形成開口的敞 開位置P2 (第5圖）。在配置於敞開位置P2的狀態，可 動構件122係在旋轉中心軸126的下方，沿著內側面121c 配置於縱向。該可動構件1 22的旋轉動作，即，使清淨空 氣供給管路1 03對於主供給管路1 〇 1連通的狀態與遮斷的 狀態予以切換的動作係可藉由控制電腦1 7來控制。 -18- 200807521 (16) CDA供給管路連接室124係設置於框體121的內側面 121d側。CDA供給管路1〇5的下游端部係以於上下貫通 框體121之下面121b的方式，插入CDA供給管路連接室 124 ° CDA供給管路1〇5的下游端部係以與內側面i21d對 向的方式形成開口，且指向朝內側面1 2 1 d吐出CDA的方 向。亦即，在切換調節閘107的內部，CDA供給管路105 的端部係設置於沒有與主供給管路丨〇 i的端部對向的位 φ 置，且指向朝向與主供給管路1 0 1的端部相異的位置吐出 CDA的方向。依此方式構成時，相較於使CDA供給管路 1 0 5的端部指向清淨空氣供給管路連接室i 2 3側的情形、 或使之指向朝主供給管路1 0 1的端部吐出CDA的情形， 可將從CDA供給管路1〇5的端部所吐出之CDA的流勢減 弱。 繼之，說明控制電腦17。如第1圖所示，基板處理裝 置1的各功能要素係經由信號線，連接於將基板處理裝置 • 1整體的動作予以自動控制的控制電腦1 7。在此，構成要 素是指，爲了實現例如上述馬達2 5、驅動機構3 2、昇降 機構35、驅動機構52、昇降機構55、開關閥44a、45a、 46a、48a、68、73、切換調節閘l〇7、開關閥1 12等的預 定製程條件而動作的所有要素。典型來說，控制電腦1 7 係爲可依據所執行之軟體以實現任意之功能的廣用電腦。 如第1圖所示，控制電腦1 7係具備：具有CPU (中 央演算裝置）的演算部1 7a、和與演算部1 7a連接的輸入 輸出部1 7b、和插設於輸入輸出部i 7b且儲存有控制軟體 -19- (17) (17)200807521 的記錄媒體1 7c。該記錄媒體1 7c係記錄有可利用控制電 腦1 7執行，藉以對基板處理裝置1進行後述預定之基板 處理方法的控制軟體。控制電腦1 7係以執行該控制軟 體，藉以實現藉由預定的製程處理程式所定義之各式各樣 的製程條件（例如馬達25的旋轉數等）的方式，來控制 基板處理裝置1的各功能要素。此外，依據該控制軟體的 基板處理方法係如之後詳細說明那樣含有藥液處理步驟、 沖洗處理步驟、IPA液膜形成步驟及乾燥處理步驟，且可 依序實行進行此等步驟的控制。 記錄媒體17c亦可固定地設置於控制電腦17;或可裝 卸自如地裝設於控制電腦1 7所設置之沒有顯示圖的讀取 裝置，且可藉由該讀取裝置進行讀取。最典型的實施型態 中，記錄媒體1 7c係爲由基板處理裝置1之製造商的服務 人員安裝有控制軟體的硬碟機（ hard disk driver)。在其 他的實施型態中，記錄媒體1 7c係爲可供寫入控制軟體的 CD - ROM 或 DVD — ROM 之類的可移除式磁碟 (removable disk )。此種可移除式硬碟係可藉由設置於 控制電腦1 7之沒有顯示圖的光學讀取裝置來讀取。又， 記錄媒體 17c 亦可爲 RAM (random access memory)或 ROM (read only memory)之任一形式的構造。再者，記 錄媒體17c亦可爲卡匣式之ROM的構造。總之，可使用 電腦的技術領域中已知的任意構造作爲記錄媒體1 7c。此 外，在配置複數基板處理裝置1的工廠中，控制軟體亦可 儲存於將各基板處理裝置1之控制電腦1 7統括地予以控 -20- 200807521 (18) 制的管理電腦。此時，各基板處理裝置1係經由通信電路 藉由管理電腦操作，且執行預定的製程。 繼之，說明使用以上述方式構成之基板處理裝置1之 晶圓W的處理方法。該基板處理裝置1係可依據去除對 ' 象物選擇性地實施複數種洗淨處理，例如使用DHF液之 ' 第一洗淨處理L1、使用SC — 1液之第二洗淨處理L2、使 用SC — 2液之第三洗淨處理L3的三種洗淨處理。例如， φ 想要將產生於晶圓W表面的自然氧化膜加以去除時，係 進行洗淨處理L 1。想要將附著於晶圓W表面的有機性污 染或粒子加以去除時，可進行洗淨處理L2。又，想要將 附著於晶圓W表面的金屬雜質加以去除時，可進行洗淨 處理L3。 進行基板處理裝置1之晶圓W的處理前，控制電腦 1 7係藉由所選擇的製程處理程式來辨識實施洗淨處理 LI、L2、L3中的任一者？更且，控制電腦17係進行所實 φ 施的洗淨處理（L1、L2、L3 )，即，依據供給至晶圓W 之藥液的種類，進行調節處理空間S內之溼度的控制。 進行洗淨處理L1時，即，使用DHF液時，係如後述 詳細說明那樣，於藥液處理步驟後使用IPA液。此時，從 氣體供給處理室9 1供給CDA以使處理空間S內的溼度減 少。進行洗淨處理L2時，即，使用SC — 1液時，係如後 述詳細說明那樣，於藥液處理步驟後沒有使用IPA液。此 時’係從氣體供給處理室91供給清淨空氣。進行洗淨處 理L3時，即，使用SC - 2液時，也是與洗淨處理L2同 -21 - 200807521 (19) 樣地，於藥液處理步驟後沒有使用IPA液。此時也是從氣 體供給處理室91供給清淨空氣。如上所述，控制電腦1 7 係依據是否進行洗淨處理L1、L2、L3之任一者，即，依 據供給至晶圓W的藥液種類（進一步換言之，係依據藥 液處理步驟後是否使用IPA液，或依據藥液處理步驟後之 晶圓W之排水性的強度），將CDA與清淨空氣之任一者 藉由操作溼度調節機構1 6供給至處理空間1 2。 φ 首先，說明從氣體供給處理室9 1供給CDA的情形。 此時，依據控制電腦1 7的控制命令，使切換調節閘1 07 的可動構件122配置於閉塞位置P1 (參照第4圖），且 開關閥1 1 2係設成打開狀態。亦即，藉由可動構件1 22將 FFU102及清淨空氣供給管路1〇3從主供給管路101遮 斷，且使CDA供給源104及CDA供給管路105成爲對主 供給管路1 0 1連通的狀態。 在該狀態下，從CDA供給源104送出的CDA係通過 • CDA供給管路1〇5，導入切換調節閘107的€0人供給管 路連接室124。如第4圖所示，CDA係在CDA供給管路 連接室124中，從CDA供給管路105的端部，朝向位於 清淨空氣供給管路連接室123之相反側的內側面121 d於 橫向吐出。接著，CDA藉由衝撞內側面1 2 1 d，使流動的 方向轉換成朝逆向，即，轉換成朝向清淨空氣供給管路連 接室123側的方向。然後，CD A從CDA供給管路連接室 124朝向清淨空氣供給管路連接室123流入，且流入設置 於清淨空氣供給管路連接室1 23下部之主供給管路1 0 1的 -22- 200807521 (20) 端部，並經由主供給管路1 0 1，導入氣體供給處理室9 1 內。接著，通過複數氣體吐出口 9 1 a進行整流而朝下方吐 出。以此方式，從CDA供給源104供給的CDA係藉由依 序通過CDA供給管路105、CDA供給管路連接室124、清 淨空氣管路連接室1 23、主供給管路1 0 1、氣體供給處理 " 室91，而導入處理空間S內。被供給到處理空間S的 CDA係在處理空間S內下降，且藉由設置於處理室2底部 φ 的排氣管路24，從處理空間 S排出。以此方式，一邊將 CDA供給至處理空間S內，一邊進行處理空間S的排氣， 處理空間S內的氛圍被置換成CDA，且處理空間S內的溼 度減少（露點溫度變低）。處理空間S內之氛圍的露點溫 度可降低至與CD A相同的露點溫度，例如約-40 °C以 下，較理想係約—ll〇°C--120°C爲止。因此，在後述說 明之洗淨處理L 1的IPA液膜形成步驟或乾燥處理步驟 中，可降低被抓取入IPA之水分的量。此外，在後述說明 φ 的乾燥處理步驟中，可使晶圓 W的乾燥功能提升。一 般，設置基板處理裝置1等之無塵室（Clean Room)內的 溫度係爲常溫（約23 °C )，相對溫度係爲約40 %〜45 %，然而，處理空間S中的溫度可比該無塵室內的相對溫 度更爲降低。 如上所述，在切換調節閘107中，使CDA從CDA供 給管路1 0 5的端部朝內側面1 2 1 d吐出後，進行方向轉 換，藉此，可使CD A在導入清淨氣體供給管路連接室123 時，成爲適當的流速，以順暢地導入。又，在清淨氣體供 -23- (21) 200807521 給管路連接室123中，將CDA從CDA供給管路連接室 124朝向清淨空氣供給管路連接室123於橫向導入，且在 清淨空氣供給管路連接室123中，將CDA的流動方向從 橫向轉換成縱向，而導入下部之主供給管路1 0 1的端部開 口。因此，可使CDA的流速進一步降低’將CDA導入主 供給管路1 0 1的端部時，可成爲適當的流速，以順暢地導 入。因此，可將CDA以穩定的流量順暢地供給至處理空 | 間S，且可將處理空間S內的氛圍良好地置換成CDA。 再者，藉由將CDA從氣體供給處理室91的側壁橫向 導入，可使CDA擴散至氣體供給處理室91的內部整體 後，再經由各氣體吐出口 9 1 a均等地吐出。即，相較於將 CDA從氣體供給處理室9 1之上面部導入的情形，可使 CDA擴散至氣體供給處理室91的內部整體，並可從各氣 體吐出口 91a更均等地吐出。因此，可將CDA供給至處 理空間S整體，藉此構成，可確實均勻地使處理空間S內 C 的溼度降低。 無論是否將CDA與清淨空氣之任一者供給到處理空 間S內，FFU102內的送風機會經常作動，可從FFU102內 經常供給清淨空氣。如上所述，在清淨空氣丨03的下游端 部被可動構件122閉塞的狀態下，從FFU102供給至接取 用杯1 1 0及清淨空氣供給管路1 03的清淨空氣，無法流入 清淨空氣供給管路連接室1 23，而會通過間隙1 1 1 (參照 第3圖）從接取用杯〇溢出，並排出接取用杯i〇的外 部。如上所述，透過間隙1 1 1，可散逸接取用杯i丨〇內的 24 - (24) (24)200807521 內部整體，並從各氣體吐出口 9 1 a均勻地吐出。因此，可 將清淨空氣供給至處理空間S整體，依此，可確實地將處 理空間S內的氛圍置換成清淨空氣。 此外，亦可設成從FFU 102供給至接取用杯1 10之大 部分的清淨空氣，從接取用杯1 1 0內導入清淨空氣供給管 路1 03，剩下的一部分則通過間隙1 1 1排出接取用杯1 1 〇 的外部。例如，亦可設成從FFU102供給之清淨空氣的流 量中’約80%從接取用杯110內被導入清淨空氣供給管路 103，剩下的約20%則被排出接取用杯110的外部。 繼之，說明供給至晶圓W的藥液爲DHF液的洗淨處 理L1。首先，打開搬入搬出口丨8，利用搬送機構21的搬 送臂2 1 a，將尙未洗淨的晶圓w搬入藉由上述CDA的供 給而使溼度受到調節（降低）之狀態的處理空間S內，並 如第1圖所示那樣將晶圓W遞送至旋轉夾3。將晶圓W 遞送至旋轉夾3時，係如第2圖中兩點鏈線所示，事先使 噴嘴臂6及乾燥用噴嘴臂1 5分別退避至位於旋轉夾3左 右的待機位置。 晶圓W被遞送到旋轉夾3後，令搬送臂2 1 a從處理空 間S退出，利用開關器（shutter) 18a將搬入搬出口 18關 閉，藉由馬達25的驅動，使旋轉夾及晶圓W開始旋轉， 而開始藥液（DHF液）處理步驟。首先，使噴嘴臂6移動 到晶圓W的上方（第2圖中的一點鏈線），且將噴嘴5 配置於晶圓W的中心Po上方。接著，在關閉開關閥 45a、46a、48a的狀態，開啓開關閥44a，將DHF液輸送 -27· 200807521 (28) 令IPA液的供給位置Sf移動至晶圓w的周緣後，停 止流體噴嘴1 2供給I p A液。接著，令氮氣的供給位置 Sn移動至晶圓W的周緣後，停止從非活性氣體噴嘴1 3供 給氮氣。以此方式，結束乾燥處理步驟。 在乾燥處理步驟後，使旋轉夾3的旋轉停止以使晶圓 W靜止，並打開搬入搬出口 18。搬送臂21a進入處理室2 內，從旋轉夾3接取晶圓w，並從處理室2搬出。以此方 φ 式’結束基板處理裝置1之晶圓W之一連串的處理。 如上所述’在進行藥液處理步驟、沖洗處理步驟、 IPA液膜形成步驟、乾燥處理步驟期間，CDA可經常從氣 體供給處理室9 1供給至處理空間S，而可維持處理空間s 的溼度降低的狀態（露點溫度約一 40 °C以下）。以此方 式，藉由使晶圓W周圍之氛圍中的溼度降低，特別是在 進行IPA液膜形成步驟及乾燥處理步驟時，可防止處理空 間S中的水分溶進供給至晶圓w上的IPA液中。因此， • 可防止在乾燥後的晶圓W上產生粒子。又，在乾燥處理 步驟時，可促進晶圓W的乾燥。 * 此外，根據本案發明人的硏究，獲知在藥液處理後， - 於晶圓W之排水性增強的狀態（排水性層露出較多的狀 態’特別是氧化矽膜被去除的狀態）的情況下，在之後的 乾燥處理中，只利用一般的乾燥處理方法，即，例如僅使 晶圓W旋轉以將液體甩乾而予以乾燥，或將氮氣等的乾 燥用氣體供給至晶圓W而予以乾燥的話，會有容易在晶 圓W產生水印的傾向。相對於此，如以下說明之洗淨處 -31 - 200807521 (29) 理L2、L3所示，獲知在藥液處理後，於晶圓W之排水性 變弱的狀態（排水性層的露出較少的狀態、親水性的面較 多的狀態）的情況下，即便在之後的乾燥處理中，只利用 一般的乾燥處理方法予以乾燥時，也會有沒有在晶圓 W 產生水印的傾向。 繼之，說明供給至晶圓W的藥液爲SC — 1液的洗淨 處理L2。該洗淨處理L2中，係進行藥液（SC - 1液）處 φ 理步驟、使用純水的沖洗處理步驟、使晶圓 W乾燥的乾 燥處理步驟。在該藥液處理步驟中，將SC - 1液供給至晶 圓W時係如供給DHF液時，晶圓W之排水性增強的情形 不會產生，使用 DHF液時容易成爲問題之粒子及水印的 產生也幾乎不會成爲問題。又，IPA液膜形成步驟可加以 省略。再者，在乾燥處理步驟中，不需供給IPA液，亦可 藉由晶圓W的旋轉，將沖洗液甩乾而予以乾燥，或供給 氮氣以促進晶圓W的乾燥。如上所述，當供給至晶圓w φ 的藥液爲SC - 1液時，晶圓W之排水性的強度會減弱， 此外，不用使用IPA液即可進行處理，且即便沒有令處理 空間S內的溼度降低，也不用擔心乾燥後的晶圓w會產 生粒子或水印。即，可使用以比CDA更低的成本供給的 清淨空氣。 接著，說明供給至晶圓W的藥液爲S C - 2液的洗淨 處理L3。該洗淨處理L3中，係進行藥液（SC - 2液）處 理步驟、使用純水的沖洗處理步驟、使晶圓W乾燥的乾 燥處理步驟。在該藥液處理步驟中，將S C - 2液供給至晶 -32- 200807521 (30) 圓W時係如供給DHF液時，晶圓W之排水性增強的情形 不會產生，使用DHF液時容易成爲問題之粒子或水印的 產生也幾乎不會成爲問題。又，該洗淨處理L3也與洗淨 處理L2同樣地，IP A液膜形成步驟可加以省略。在乾燥 處理步驟中’不需要供給IPA液，亦可藉由晶圓W的旋 轉’將沖洗液甩乾而予以乾燥，或供給氮氣以促進晶圓W 的乾燥。如上所述，供給至晶圓 W的藥液爲SC — 2液 Φ 時，也是與S C - 1液的情形同樣，不用使用IP A液即可進 行處理，且即使沒有令處理空間S內的溼度降低，也不用 擔心乾燥後的晶圓 W會產生粒子或水印。即，可使用以 比C D A更低的成本供給的清淨空氣。 根據該基板處理裝置1，因應供給至晶圓W之藥液的 種類，調節晶圓W周圍的溼度，因此，可僅在必要時， 即，僅在進行IPA液供給至晶圓|的洗淨處理1^1時，令 溼度降低。也就是說，在沒有供給IPA液的洗淨處理 • L2、L3中，可使用從FFU102供給之比較廉價的清淨空氣 等，且可降低CDA的供給量。因此，可達成晶圓w之處 . 理所需之成本的降低。又，在必要時使晶圓W周圍的溼 度減少，可防止在洗淨處理後的晶圓 W產生粒子（水 印）。 以上’表示本發明之合適的實施型態之一例，但本發 明並不限定於此處說明的型態。只要是同行者，明顯可在 記載於專利申請範圍之技術思想的範疇內，想到各種的變 形例或修正例，應了解這些變形例或修正例當然是屬於本 -33- (31) (31)200807521 發明的技術範圍。 例如以上的實施型態中，處理空間S內之氛圍的溼度 可被調節成從FFU102所供給之清淨空氣的溼度、或從 CDA供給源104所供給之CDA之溼度的任一者，即，可 調節成兩階段，然而，亦可將處理空間S內的溼度調節成 三階段以上，亦可調節成任意的値。例如，亦可藉由調節 切換調節閘107之可動構件122的傾斜角度，且調整清淨 空氣供給管路103之端部的開度，改變清淨空氣與CD A 的混合比，依此，調節被導入處理空間S之溼度調節用氣 體的溼度。 又，溼度調節機構1 6的構成並不限定於以上的實施 型態所示那樣，使用從F F U 1 0 2供給的清淨空氣與從c D A 供給源1 04供給的CDA以進行濕度調節者。溼度調節機 構16亦可成爲具備可將濕度調節用氣體的水分含量調整 成任意値的水分調整器，或將濕度調節用氣體予以除濕的 除濕機之構成。此時，藉由將水分含量經調整後的淫度調 節用氣體導入處理空間S，以置換處理空間S內的氛圍， 可將處理空間S內的溼度調節成任意値， 此外，作爲濕度調節用氣體使用的氣體並不限定於空 氣（清淨空氣、CDA)。亦可使用其他的氣體來取代清淨 空氣，亦可使用其他的低露點氣體來取代CDA。淫度調節 用氣體亦可爲氮氣等的非活性氣體。例如，亦可選擇性地 供給清淨化（一般的露點溫度）的非活性氣體與清淨化之 低露點的非活性氣體，來作爲濕度調整用氣體。又，以上 -34- 200807521 (32) 的實施型態中’係使用同一種類但露點溫度不同的氣體 (清淨空氣、CDA )作爲濕度調節用氣體，但是，亦可使 用相互爲不同種類且具有相互爲不同露點溫度的氣體作爲 濕度調節用氣體。例如，亦可將從FFU供給的清淨空氣作 爲第一濕度調節用氣體使用，將低露點的氮氣作爲第二溼 度調節用氣體使用來取代CDA。 以上的實施型態中，進行洗淨處理L1時，係於將晶 φ 圓W搬入處理空間S前，事先使處理空間S的溼度減 少，且在進行洗淨處理L1的期間，維持處理空間S的溼 度降低的狀態。然而，亦可爲至少在供給IPA液的步驟， 即，僅在IPA液膜形成步驟及乾燥處理步驟中，使處理空 間S的溼度成爲降低的狀態。也就是說，在藥液處理步驟 及沖洗處理步驟中，處理空間S的溼度也可以不降低。然 而，在處理空間S的溼度被調節成所期望的値爲止前， 即，在處理空間S的氛圍被置換成CDA爲止前，需要某 # 程度的時間。因此，以在IPA液膜形成步驟或乾燥處理步 驟開始前，先開始供給CDA，且在進行IPA液膜形成步驟 或乾燥處理步驟進行時，成爲處理空間S的溼度降低成所 期望之値的狀態爲佳。實施於上述晶圓W之一連串的步 驟中的溼度調節（清淨空氣與CDA之供給的切換），係 藉由控制電腦1 7的控制命令來進行。 洗淨處理L1之1?八液膜形成步驟及乾燥處理步驟中 所供給之含IPA的流體除了液體狀的構成外，亦可爲霧狀 (mist )、噴灑狀、氣體狀的構成等。例如，亦可使用 -35- (33) 200807521 IPA液的噴霧（mist) 、IPA溶液的噴霧、IPA蒸 經稀釋後之IPA溶液的蒸氣等，作爲含IPA的流 者，亦可使用在IPA液的噴霧、IPA溶液的噴霧、 氣、或IPA溶液的蒸氣等中，混合有氮氣等的氣體 爲含IPA的流體。使用含有此種IPA的流體時，藉 理空間S的溼度減少，也可防止水分進入IPA。就 給含IPA之流體的噴嘴來說，亦可使用二流體噴嘴 fluid nozzle ) 〇 又，IPA液膜形成步驟中所供給之含IPA的流 乾燥處理步驟中所供給之含IPA的流體，亦可爲相 的狀態（相）者。例如，亦可在IPA液膜形成步驟 IPA液等的液體，且在乾燥處理步驟中使用IPA蒸 氣體或IPA的噴霧。 乾燥處理步驟中供給作爲乾燥用氣體的氣體並 於氮氣，亦可爲其他的非活性氣體。又，該乾燥用 不限定於非活性氣體，亦可爲例如空氣等。此時， 至晶圓W上面的IPA液等沖走，可促進晶圓W的 更且’乾燥用氣體亦可爲乾燥狀態的氣體，即，溼 般狀態更強制性降低的氣體，例如乾空氣（Dried 等。如此一來，可使晶圓W之表面附近的溼度降 可促進附著於晶圓W之IPA液等液體的蒸發，可 地促進晶圓W的乾燥。 基板處理裝置1中可供給至晶圓W之藥液的 不限定於DHF、SC — 1 ' SC — 2的三種類，亦可爲 氣、或 體。再 IPA蒸 者，作 由使處 用以供 (two- 體、與 互不同 中使用 氣等的 不限定 氣體並 將供給 乾燥。 度比一 Air ) 低，且 更有效 種類並 其他種 -36 - 200807521 (34) 類的藥液，亦可供給兩種類以下或四種類以上的藥液。 又，藥液的種類並不限定於晶圓W之洗淨用者，亦可爲 例如HF (氫氟酸）等的蝕刻用藥液。例如，就取代洗淨 處理L 1的藥液處理步驟來說，藉由將H F (氫氟酸）等的 蝕刻用藥液供給至晶圓W以進行鈾刻步驟，可進行包含 沖洗處理步驟、乾燥處理步驟等一連串的蝕刻處理。 亦即，基板處理裝置1中進行的處理並不侷限於三種 φ 類的洗淨處理L1、L2、L3，本實施型態可應用於各式各 樣的處理。例如，蝕刻處理、抗蝕劑去除處理、去除鈾刻 殘渣的處理等也可適用。又，本實施型態中係例示純水作 爲沖洗液，但是，沖洗液並不限定於此構成。 又，亦可在處理空間S依序進行使用相互不同種類的 藥液以處理晶圓W的複數種藥液處理步驟。如上所述， 在使用複數種藥液的情況下，當該複數種藥液含有增強晶 圓W之排水性之性質的藥液例如DHF液或HF液等時， # 至少在使用DHF液或HF液等以處理晶圓W後的乾燥處 理步驟中，使處理空間S的溼度比使用該DHF液或HF液 等的藥液處理步驟前所進行的步驟（即，使用D η F液或 HF液以外的其他藥液以處理晶圓W的藥液處理步驟時或 沖洗處理步驟時）更爲降低即可。也就時說，使處理空間 S的溼度在晶圓W的排水性因d H F液或H F液的供給而加 強的狀態後，比供給DHF液或HF液等之前之晶圓W的 排水性較弱的狀態更爲降低即可。 例如，將晶圓W搬入基板處理裝置1後，首先，進 -37 - (35) (35)200807521 行供給與DHF液或HF液不同的第一藥液例如sc - 1液 等，以進行處理晶圓W的第一藥液處理步驟，接著，供 給例如純水等作爲沖洗液，以進行將晶圓w施以沖洗處 理的第一沖洗處理步驟，然後，供給例如D H F液等加強 晶圓W之排水性之性質的藥液作爲第二藥液，以進行處 理晶圓W的第二藥液處理步驟，接著，供給例如純水等 作爲沖洗液，以進行將晶瞻W施以沖洗處理的第二沖洗 處理步驟，其後，進行使晶圓w乾燥的乾燥處理步驟亦 可。該乾燥處理步驟中係與洗淨處理L 1中所進行的乾燥 處理步驟同樣，亦可進行利用IP A液的乾燥處理。根據包 括該第一藥液處理步驟、第二藥液處理步驟的第四洗淨處 理L4，藉由使用SC - 1液，可去除有機性的污垢及粒 子，藉由使用DHF液’可去除自然氧化膜。 此外，在該洗淨處理L 4中，至少在使用D H F液之第 二藥液處理步驟後所進行的步驟，即，只有在ΙΡΑ液膜形 成步驟及乾燥處理步驟等中，構成將處理空間S的溼度降 低的狀態（供給低露點氣體的狀態）亦可。如上所述，即 使在處理空間S連續進行複數種藥液處理步驟的情況下， 藉由僅在需要時供給低露點氣體以使溼度降低，也可大幅 減少低露點氣體的供給量。又，如上所述，進行包含複數 藥液處理步驟之一連串洗淨處理L4時的控制，也是藉由 控制電腦1 7來進行，洗淨處理L4的溼度調節（清淨空氣 與CDA之供給的切換）也是藉由控制電腦1 7的控制命令 來進行。 -38- 200807521 (36) 再者，上述實施型態中，係例示利用旋轉夾3保持晶 圓W，以一片一片地進行處理的單片式基板處理裝置1， 然而，本實施型態亦可應用於將複數片的晶圓W —次進 行處理的分批式（batch )處理裝置。又，基板並不侷限於 半導體晶圓，亦可爲其他的LCD基板用玻璃或CD基板、 ' 印刷基板、陶瓷基板等。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明之一本實施型態的基板處理裝置之槪 略縱剖面圖。 第2圖係表示處理空間內的構件之配置的槪略平面 圖。 第3圖係說明溼度調節機構的構成之說明圖。 第4圖係表示切換調節閘的構成之槪略剖面圖，表示 清淨空氣供給管路與主供給管路遮斷的狀態之圖。 • 第5圖係說明清淨空氣供給管路與主供給管路連通的 狀態之槪略縱剖面圖。 第6圖係說明1?人液膜形成步驟中的流體噴嘴的動作 之槪略斜視圖。 第7圖係說明乾燥處理步驟中的流體噴嘴與非活性氣 體噴嘴的動作之槪略斜視圖。 【主要元件符號說明】 1 :基板處理裝置 -39 - 200807521 (37) 2 :處理室 3 :旋轉夾 5 :噴嘴 6 :噴嘴臂 1 2 :流體噴嘴 ' 1 3 :非活性氣體噴嘴 1 5 :乾燥用噴嘴臂 φ 1 6 :溼度調節機構 1 7 :控制電腦 1 8 :搬入搬出口 18a :開關器 2 0 :搬送區域 21 :搬送裝置 24 :排氣管路 2 5 :馬達 • 31 :導軌 32、52 :驅動機構 _ 35、55 :昇降機構 73 :開關閥 36、54 :昇降軸 41、42、43 :藥液供給源 44、45、46 :藥液供給管路 44a、 45a、 46a、 48a、 68、 66 :流體供給源 67 :流體供給管路 -40- (38) (38)200807521

7 1 :非活性氣體供給源 72 :非活性氣體供給管路 9 1 _·氣體供給處理室 91a:氣體吐出口 9 1 b :下板 -41

Claims (1)

1. 200807521 ⑴ 十、申請專利範圍 1. 一種基板處理方法，係在使用藥液處理基板後，使 基板乾燥的基板處理方法，其特徵爲： 依據上述藥液的種類，調節上述基板周圍的溼度。 2 ·如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，至 少在使上述基板乾燥時，調節上述溼度。 3 ·如申請專利範圍第2項之基板處理方法，其中，使 Φ 用上述藥液處理基板後，供給含IP A (異丙醇）的流體， 且至少在供給含上述IPA的流體時，調節上述溼度。 4 ·如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中， 係進行： 使用上述藥液處理基板的藥液處理步驟； 使用沖洗液處理基板的沖洗液處理步驟； 將含IPA的流體供給至基板的上面，以形成液膜的液 膜形成步驟；和 • 使基板乾燥的乾燥處理步驟， 且在上述乾燥處理步驟中，將含IPA的流體供給至基 ^ 板的上面， 至少在上述液膜形成步驟、及/或上述乾燥處理步驟 中^ g周卽上述淫度。 5·如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，使 用上述藥液處理基板後.，上述基板的排水性比上述藥液處 理前更爲增強的情形，相較於上述基板的排水性沒有增強 的情形，更可藉由上述溼度的調節，降低上述溼度。 -42- 200807521 (2) 6 ·如申sf專利範圍第1項之基板處理方法，其中，上 述藥液爲DHF (稀氫氟酸）液或HF (氫氟酸）液時，比 上述藥液爲S C — 1液或S C - 2液時，更可藉由上述溼度 的調節，降低上述溼度。 7 · —種基板處理方法，係在使用複數種的藥液處理基 板後，使基板乾燥的基板處理方法，其特徵爲： 進行： φ 用第一藥液處理基板的第一藥液處理步驟； 在上述第一藥液處理步驟後，用第二藥液處理基板的 第二藥液處理步驟；和 在上述第二藥液處理步驟後，使基板乾燥的乾燥處理 步驟， 且至少在上述乾燥處理步驟中，使上述基板周圍的濕 度比上述第一藥液處理步驟時更爲降低。 8 ·如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，上 # 述第二藥液係DHF (稀氫氟酸）液。 9·如申請專利範圍第1或7項之基板處理方法，其 ^ 中，藉由上述溼度的調節，降低上述溼度時，使露點溫度 成爲—40°C以下。 1 〇.如申請專利範圍第1或7項之基板處理方法，其 中，上述溼度的調節係藉由切換：對上述基板的周圍供給 從FFU ( Fan Filter Unit :空氣清淨機）所供給之清淨空 氣的狀態、與供給溼度比上述清淨空氣低之低露點氣體的 狀態而進行者。 -43- 200807521 (3) η·如申請專利範圍第ίο項之基板處理方法，其中， 上述低露點氣體係CD A ( Clean Dried Air :低露點清淨空 氣）或氮氣。 1 2 . —種記錄媒體，係記錄有可藉由進行基板的藥液 處理及乾燥處理之基板處理裝置的控制電腦來執行的軟體 ' 之記錄媒體，其特徵爲： 上述軟體係利用上述控制電腦執行，藉以使上述基板 φ 處理裝置進行申請專利範圍第1或7項之基板處理方法。 1 3 . —種基板處理裝置，係使用藥液處理基板的基板 處理裝置，其特徵爲： 具備： 供給相互爲不同種類之藥液的複數藥液供給源； 調節基板周圍的溼度之溼度調節機構；和 控制上述溼度調節機構的控制部， 且上述控制部係以依據上述藥液的種類來調節上述基 φ 板周圍的溼度的方式加以控制。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之基板處理裝置，其中， . 具備供給含IPA之流體的流體供給源，且上述控制部係以 至少在將含上述IPA的流體供給至基板時，調節上述溼度 的方式加以控制。 15·如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其中， 上述控制部係以藉由供給上述藥液使基板之排水性增強的 情形，比上述基板之排水性沒有增強的情形，更降低上述 溼度的方式加以控制。 -44 - 200807521 (4) 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項之基板處理裝置，其中， 上述控制部係以上述藥液爲DHF (稀氫氟酸）液時，比上 述藥液爲SC - 1液或SC 一 2液時，更降低上述溼度的方 式加以控制。 17. —種基板處理裝置，係使用藥液處理基板的裝 ' 置，其特徵爲： 具備： φ 供給相互爲不同種類之藥液的複數藥液供給源； 調節基板周圍的溼度之溼度調節機構；和 控制上述溼度調節機構的控制部， 且上述控制部係以進行用第一藥液施行處理的第一藥 液處理步驟；和在上述第一藥液處理步驟後，用第二藥液 施行處理的第二藥液處理步驟；和在上述第二藥液處理步 驟後，使基板乾燥的乾燥處理步驟的方式加以控制，且以 至少在上述乾燥處理步驟中，使上述基板周圍的溼度比上 • 述第一藥液處理步驟時更爲降低的方式加以控制。 18. 如申請專利範圍第17項之基板處理裝置，其中， 上述第二藥液係DHF液。 1 9 .如申請專利範圍第1 3或1 7項之基板處理裝置， 其中，使上述溼度降低時，係使露點溫度成爲一 40 °C以 下。 20.如申請專利範圍第13或17項之基板處理裝置， 其中， 具備： -45- 200807521 (5) 供給清淨空氣的 FFU ( Fan Filter Unit :空氣清淨 機）：和 供給溼度比上述清淨空氣低的低露點氣體之低露點氣 體供給源， * 且構成可切換對上述基板的周圍供給上述清淨空氣的 ' 狀態、與供給上述低露點氣體的狀態。 2 1.如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中， φ 具備： 接取從上述FFU供給的上述清淨空氣之接取用杯； 將上述接取用杯內的清淨空氣導入上述基板的周圍之 清淨空氣供給管路；和 將上述接取用杯內的清淨空氣排出至上述接取用杯的 外部之清淨空氣排出口。 22.如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中， 具備： • 將上述清淨空氣或上述低露點氣體導入上述基板的周 圍之主供給管路； 將從上述FFU供給的上述清淨空氣導入上述主供給管 路的清淨空氣供給管路；和 將從上述低露點氣體供給源所供給的上述低露點氣體 導入上述主供給管路的低露點氣體供給管路， 且設置可將上述清淨空氣供給管路與上述主供給管路 連通的狀態和遮斷的狀態予以切換的切換部， 在上述切換部，上述清淨空氣供給管路的下游端部係 -46 - 200807521 (6) 指向朝向上述主供給管路的上游端部吐出上述清淨空氣的 方向， 上述清淨空氣供給管路與上述主供給管路係相互具備 於同一直線上， 上述低Μ點氣體供給管路係經由上述切換部連接於上 ^ 述主供給管路， 在上述切換部，上述低露點氣體供給管路的下游端部 • 係指向朝向與上述主供給管路之上游端部相異的位置，吐 出上述低露點氣體的方向。 23·如申請專利範圍第20項之基板處理裝置，其中， 上述低I#點氣體係CDA( Clean Dried Air:低露點清淨空 氣）或氮氣。

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