JP2014236081A - 液処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】送風機を常時動作させたとしても、送風機よりも上流側にあるフィルタを延ばすことができる清浄ガス供給機構を提供する。【解決手段】液処理装置の処理室１０に清浄ガスを供給する清浄ガス供給機構３０は、上流端に気体取入口を有するとともに下流端が処理室に接続された供給経路３２を有している。供給経路３２には、送風機３４と、送風機より上流側に設けられたフィルタ３６と、送風機よりも下流側であってかつ処理室よりも上流側の第１位置３２ａにおいて供給経路から分岐するとともに、フィルタよりも下流側であってかつ送風機より上流側の第２位置３２ｂにおいて供給経路に接続された戻り経路３８とが設けられている。送風機から下流側に送られた清浄ガスを処理室に流す第１状態と、送風機から下流側に送られた清浄ガスを戻り経路を介して供給経路に戻す第２状態とを選択的に切り替える切替機構４０が設けられる。【選択図】図１

Description

本発明は、処理室内に清浄ガスを供給し、処理室内で被処理体に液処理を施す液処理装置に関する。

半導体装置の製造においては、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と呼ぶ）に、薬液、リンス液等を用いた洗浄処理が施される。洗浄処理においては、例えば、薬液処理工程、ＤＩＷリンス工程及び乾燥工程が順次行われる。乾燥工程に先立ち、或いは乾燥工程の初期に、ウエハ上のＤＩＷがＩＰＡ（イソプロピルアルコール）により置換される。また、ウオーターマークの発生を防止するために、乾燥工程を行う際に処理室内の湿度が低減される。処理室内を低湿度雰囲気にするために、クリーンドライエア（ＣＤＡ）と呼ばれる低湿度高清浄度空気が処理室内に供給される。

ＣＤＡ（以下、「ドライエア」と呼ぶ）の生成コストは高いため、低湿度雰囲気を必要としない薬液処理工程及びリンス工程においては処理室の天井部に設けたＦＦＵ（ファンフィルタユニット）により清浄空気を処理室内に供給し、低湿度雰囲気が必要とされる乾燥工程のみにおいてドライエアを処理室内に供給している。

周知のようにＦＦＵは、処理室外部の空気（クリーンルーム内の空気）をファンにより取り込むことにより空気の流れを形成し、空気流路に設けたフィルタにより空気を濾過して、清浄空気を生成するものである。

ドライエアを供給しているときにＦＦＵのファンを停止してしまうと、ファンを再起動した後に、ＦＦＵから供給される清浄空気の気流が安定して処理室内に形成されるまで時間がかかる。この観点からは、ＦＦＵのファンは停止させない方が望ましい。しかし、特許文献１に示すように、ドライエアが処理室に供給されているときにはドライエアよりも高湿度の清浄空気が処理室に供給されないようにしなければならないため、ＦＦＵのファンを常時動作させる場合にはＦＦＵの空気流路に設けられた遮断ダンパが閉状態とされる。このとき、遮断ダンパより上流側の空気流路の内圧の増加を防止するため、遮断ダンパより上流側に設けた風逃がし開口から空気流路の空気を捨てている。ところで、ファンより上流側にフィルタを設けた場合、ファンより上流側にあるフィルタを常時新しい空気が通過することになるので、フィルタの寿命が短くなる。

特開２００７−２６３４８５号公報

本発明は、送風機を常時動作させたとしても、送風機よりも上流側にあるフィルタの寿命を延ばすことができる清浄ガス供給機構を提供するものである。

本発明の実施形態によれば、内部にて被処理体に液処理が施される処理室と、前記処理室に清浄ガスを供給する清浄ガス供給機構と、を備え、前記清浄ガス供給機構は、上流端に気体取入口を有するとともに下流端が前記処理室に接続された供給経路と、前記供給経路に設けられ、前記供給経路に前記気体取入口から前記処理室に向かう清浄ガスの流れを形成する送風機と、前記供給経路の前記送風機より上流側に設けられたフィルタと、前記送風機よりも下流側であってかつ前記処理室よりも上流側の第１位置において前記供給経路から分岐するとともに、前記フィルタよりも下流側であってかつ前記送風機より上流側の第２位置において前記供給経路に接続された戻り経路と、前記送風機から下流側に送られた清浄ガスを前記処理室に流す第１状態と、前記送風機から下流側に送られた清浄ガスを前記戻り経路を介して前記供給経路に戻す第２状態とを選択的に切り替える切替機構と、を備えた液板処理装置が提供される。

上記の発明の実施形態によれば、送風機を動作させているときに送風機から下流側に送られた空気を戻り経路を介して供給経路に戻すように循環させることにより、フィルタを通過する空気流量をゼロまたは非常に小さくすることができる。このためフィルタの寿命を延ばすことができる。

本発明の一実施形態に係る液処理装置の構成を示す概略断面図。 清浄ガス供給機構の構成要素の３次元配置の一例を示す斜視図。

以下に添付図面を参照して発明の実施形態について説明する。

図１に示すように、液処理装置は処理室１０を有しており、この処理室１０の内部にて被処理体としての半導体ウエハ等の基板Ｗに対して、処理液を用いて所定の液処理が施される。処理室１０内には、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直軸線周りに回転させるスピンチャック１２すなわち基板保持構造が設けられている。

処理室１０内には、スピンチャック１２により保持された基板Ｗに処理流体を供給するためのノズル１４が設けられている。ノズル１４には、処理流体の供給源から、流量調整弁、開閉弁等を備えた処理流体供給制御機構１６を介して処理流体が供給される。

スピンチャック１２により保持された基板Ｗの周囲に、液受けカップ１８が設けられている。液受けカップ１８の底部には、排液路２０および排気路２２が接続されている。処理室１０の底部には、排気路２４が接続されている。排液路２０は図示しない工場廃液系に接続されている。排気路２２、２４は工場排気系の一部を成す内部が負圧にされた排気ダクト（図示せず）に接続されている。

なお、実際には、基板に施される一連の処理を行うのに必要とされる処理流体の種類に応じた数のノズル１４及び処理流体供給制御機構１６が設けられる。また、同様に、液受けカップ１８内には可動カップ体（図示せず）の位置切り替えにより処理流体の種類に応じた数の流路が形成されるようになっており、この流路の数に応じた複数系統の排液路２０及び排気路２２、２４が設けられている。このような構成は当該技術分野において周知であるので、図示および詳細な説明は省略する。

次に、清浄ガス供給機構３０の構成について詳述する。

清浄ガス供給機構３０は、クリーンルーム内の空間から取り入れた空気を処理室１０に向けて流すための供給経路としての供給ダクト３２を有している。供給ダクト３２内には、送風機３４が設けられている。

供給ダクト３２の送風機３４よりも上流側の位置（図示例では供給ダクト３２の上流端部である空気（気体）取入口の部分）には、第１フィルタとして分子状汚染物質、例えばアンモニア成分を吸着して除去するためのケミカルフィルタ３６が設けられている。ケミカルフィルタ３６は、空気中の粒子状物質を濾過することにより空気を清浄化するＵＬＰＡフィルタ等では捕捉することができない、酸、アルカリ、有機物等の化学物質を吸着して除去することにより空気を清浄化することができる。例えば、供給ダクト３２内に取り入れる空気にアンモニア成分が含まれていると、基板Ｗ上にアンモニア由来の生成物が発生してパーティクルの原因となってしまうが、このようなアンモニア成分はケミカルフィルタ３６により除去することが可能である。

送風機３４よりも下流側であってかつ処理室１０よりも上流側の第１位置３２ａにおいて、供給ダクト３２から、戻り経路としての戻りダクト３８が分岐している。この戻りダクト３８は、ケミカルフィルタ３６よりも下流側であってかつ送風機３４より上流側の第２位置３２ｂにおいて供給ダクト３２に接続されている。供給ダクト３２の第１位置３２ａには、切替ダンパ４０が設けられている。この切替ダンパ４０は、第１位置３２ａに流れてきた空気をそのまま処理室１０に向けて流すようにする第１状態と、第１位置３２ａに流れてきた空気を戻りダクト３８に流すようにする第２状態（図１に示す状態）とを選択的に切り替えることができる切替機構として機能する。

供給ダクト３２の下流端は、処理室１０の天井開口部に接続されている。この天井開口部には第２のフィルタとして空気中の粒子状物質を濾過するＵＬＰＡフィルタ４２が設けられている。処理室１０内のＵＬＰＡフィルタ４２の下方には、多数の開口を有する整流板４４が設けられている。

清浄ガス供給機構３０はさらに、クリーンルーム内の空間からケミカルフィルタ３６を介して取り入れた空気と比較して、湿度が低いガス（例えばドライエア）、或いは湿度および酸素濃度の両方が低いガス（例えば窒素ガス）を処理室内に供給する低湿度ガス供給ユニット４６をさらに有している。図示例では、低湿度ガス供給ユニット４６のガスノズル４８が供給ダクト３２内に低湿度ガスを吐出する。なお、ガスノズル４８は、ＵＬＰＡフィルタ４２と整流板４４との間の空間に低湿度ガスを吐出するように設けてもよいし、処理室１０の整流板４４の下方に低湿度ガスを吐出するように設けてもよい。

液処理装置は、その全体の動作を統括制御するコントローラ（制御部）２００を有している。コントローラ２００は、液処理装置の全ての機能部品（例えば、スピンチャック１２、処理流体供給制御機構１６、清浄ガス供給機構３０など）の動作を制御する。コントローラ２００は、ハードウエアとして例えば（汎用）コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム（装置制御プログラムおよび処理レシピ等）とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、あるいはＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が参照符号２０１で示されている。プロセッサ２０２は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体２０１から呼び出して実行させ、これによってコントローラ２００の制御の下で液処理装置の各機能部品が動作して所定の処理が行われる。

次に、上記の液処理装置によりコントローラ２００の制御下で実行される基板Ｗの処理の一例について説明する。

図示しない基板搬送アームにより基板Ｗが処理室１０内に搬送され、スピンチャック１２により保持される。処理室１０内には、清浄ガス供給機構３０により、基板Ｗの搬入前から清浄空気のダウンフローが形成されている。すなわち、切替ダンパ４０は第１状態となっており、かつ送風機３４が作動している。この状態において、クリーンルーム内の空気は、図１において白抜き矢印で示すように、供給ダクト３２の気体取入口にあるケミカルフィルタ３６を介して供給ダクト３２内に取り込まれる。ケミカルフィルタ３６を通るときに空気（ガス）は分子状汚染物質を除去されることにより清浄化される。この清浄化された空気すなわち清浄ガスは、供給ダクト３２内を処理室１０側に向けて流下し、ＵＬＰＡフィルタ４２を通過することによりパーティクルを除去されることにより更に清浄化される。ＵＬＰＡフィルタ４２から流出した空気は、整流板４４の開口から処理室１０内にして吹き出され、処理室１０内に清浄空気のダウンフローが形成される。

次に、スピンチャック１２に保持された基板Ｗが回転し、基板Ｗの中心にＤＨＦ供給用のノズル１４から処理液（薬液）としてのＤＨＦ（希フッ酸）が供給され、基板Ｗ上の金属汚染物質及び自然酸化膜等が除去される（薬液洗浄工程）。このとき、上記の清浄空気のダウンフローの一部は液受けカップ１８内に引き込まれ、排気路２２から排気される。この気流により、基板Ｗの周囲が清浄ガス雰囲気に維持され、また、基板Ｗに供給された後に基板Ｗから飛散した処理流体（ここではＤＨＦ）が、処理室１０内に拡散することが防止される。また、上記の清浄空気のダウンフローの他の一部は液受けカップ１８の半径方向外側の領域に向かって流れ、排気路２４から排出される。この気流により、液受けカップ１８の外側に処理流体の雰囲気が滞留することが防止される。

次に、基板Ｗの回転を継続しながら、基板ＷへのＤＨＦの供給を停止し、基板Ｗの中心にＤＩＷ供給用のノズル１４から処理液（リンス液）としてのＤＩＷ（純水）を供給する。これにより、基板Ｗ上に残存するＤＨＦ及び反応生成物が基板Ｗ上から洗い流される（リンス工程）。

次に、基板Ｗの回転を継続しながら、基板ＷへのＤＩＷの供給を停止し、基板Ｗの中心にＩＰＡ供給用のノズル１４から処理液（乾燥促進液）としてのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を吐出し、その後当該ノズルをからの基板Ｗ上へのＩＰＡ供給位置を徐々に半径方向外側に移動させてゆく。これにより、基板Ｗ上のＤＩＷがＩＰＡに置換される（ＩＰＡ置換工程）。

次に、基板ＷへのＩＰＡの供給を停止し、基板Ｗの回転を継続しながら、好ましくは基板の回転速度を増し、基板を乾燥させる（乾燥工程）。

上記の一連の処理において、予め決められたタイミングで、清浄ガス供給機構３０から処理室１０内に供給される清浄ガスが、清浄空気からドライエアに切り替えられる。「予め決められたタイミング」とは、例えば、遅くともＩＰＡが乾燥して少なくとも基板Ｗの表面の一部が露出する時点までに基板Ｗの周囲の雰囲気が低湿度空気雰囲気となるようなタイミングであり、具体的には、例えば、リンス処理の終了間際である。なお、ＩＰＡ置換工程の開始時点において基板Ｗの周囲の雰囲気が低湿度空気雰囲気となるようなタイミングで、上記の切替えを行ってもよい。

上記の清浄ガスの切替時には、送風機３４を動作させ続けたまま、切替ダンパ４０を第２状態に切り替えるとともに、低湿度ガス供給ユニット４６からドライエアの供給を開始する。これによりドライエアのダウンフローが処理室１０内に形成される。ドライエアも前述した清浄空気と同様に処理室１０及び液受けカップ１８内を流れ、排気路２２、２４から排出される。なお、ドライエアは高価であり、また、ＩＰＡ置換工程及び乾燥工程では基板Ｗ近傍は比較的清浄であるため汚染性雰囲気の除去の必要性は低い。このため、通常、ドライエアは清浄空気よりも低流量で処理室１０内に供給される。さらに、この清浄ガスの流量変化に合わせて、排気路２２、２４を介した排気の流量が図示しない流量調整弁（例えばバタフライ弁）の開度調整により減少させられる。

切替ダンパ４０を第２状態に切り替えることにより、供給ダクト３２内を流れる空気は、供給ダクト３２の切替ダンパ４０よりも下流側には流れなくなり、戻りダクト３８を通って、供給ダクト３２の送風機３４よりも上流側の位置に戻る（矢印Ｒを参照）。すなわち、供給ダクト３２の第１位置３２ａから第２位置３２ｂまでの区間及び戻りダクト３８により構成される循環経路内を循環して流れるようになる。このように循環空気流が形成されるため、供給ダクト３２の送風機３４よりも上流側の区間の圧力が概ね常圧に維持されるので、ケミカルフィルタ３６を通って供給ダクト３２内に流入する空気は殆ど無い。このため、その分ケミカルフィルタ３６の寿命を延ばすことができる。また、上記循環経路は外部から隔離されているため、切替ダンパ４０を第２状態から第１状態に切り替えた直後から、ケミカルフィルタ３６によりアンモニア成分等の分子状汚染物質が既に除去されている清浄空気を処理室１０に供給することができる。なお、循環空気流が形成されることにより、供給ダクト３２の第１位置３２ａ付近の圧力が過度に上昇することはない。このため、切替ダンパ４０が簡易な構造であっても下流側へのリークは生じ難く、ドライエアよりも高湿度の空気が切替ダンパ４０から下流側にリークしてドライエアに混合されることを防止できる。

基板Ｗ上のＩＰＡが蒸発して乾燥工程が完了すると、切替ダンパ４０を第１状態に切り替えるとともに、低湿度ガス供給ユニット４６からの低湿度ガスの供給を停止する。これにより再び、処理室１０内に清浄空気のダウンフローが形成されるようになる。前述したように低湿度ガスを処理室１０内に供給している間に送風機３４の運転がずっと継続されているので、安定した循環空気流が形成され、切替ダンパ４０を第１状態に切り替えると直ちに供給ダクト３２の第２位置３２ｂから下流側に空気が送りだされる。このため、切替ダンパ４０の切り替え後速やかに処理室１０内に清浄空気のダウンフローが形成された状態にすることができ、次の工程（この場合、下記の基板Ｗの搬出入工程）を直ちに開始することができる。この状態で、図示しない基板搬送アームにより基板Ｗが処理室１０から搬出されるとともに、次に処理する基板Ｗが処理室内に搬入されてスピンチャック１２により保持される。以上にて１枚の基板に対する一連の処理が終了する。

次に、図２を参照して、清浄ガス供給機構３０のケミカルフィルタ３６に近い側に位置する構成要素の好適な３次元配置について説明する。なお、以下の説明において、先頭のアルファベットが同じ参照符号で示されている点同士は、同一平面上に位置している。また、以下の説明において、「直方体」、「長方形」等の幾何学的形状を示す語は、厳密にその形状（「直方体」、「長方形」）である場合に限定されず、概ねその形状を有している場合も含む。

清浄ガス供給機構３０は、点Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を頂点とする直方体形状のハウジング３０Ｈを有する。このハウジング３０Ｈ内に、点Ａ５，Ａ２，Ａ４，Ａ６，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４を頂点とする直方体形状のケミカルフィルタ３６が配置される。Ａ５，Ａ２，Ａ４，Ａ６を頂点とする長方形の面が気体取入口となるケミカルフィルタ３６の入口面（図１の３６ａに相当）であり、このケミカルフィルタ３６の入口面に対応するハウジング３０Ｈの壁面には開口が形成されている。また、点Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４を頂点とする長方形の面がケミカルフィルタ３６の出口面（図１の３６ｂに相当）である。上記入口面及び出口面以外のケミカルフィルタ３６の面は、空気が通過できない壁面である。

清浄ガス供給機構３０のハウジング３０Ｈ内には、点Ａ７，Ａ８，Ａ９，Ａ６，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８（図２ではＣ８は隠れて見えないので図中にＣ８の符号は表示していない）を頂点とする直方体形状のケーシングを有する送風機３４が配置されている。送風機３４のケーシングの点Ｃ５，Ｃ６，Ａ７，Ａ８を頂点とする長方形の上面には、円形の空気取入口３４ａが設けられている。送風機３４のケーシングの点Ｃ５，Ａ７，Ｃ７，Ａ９を頂点とする長方形の側面には矩形の空気吹出口３４ｂが設けられている。これら２面以外の送風機３４のケーシングの面は、空気が通過できない壁面である。送風機３４のケーシング内には、ファン３４ｃが設けられている。ファン３４ｃとして多翼ファン、シロッコファン、ターボファン等が用いられており、送風機３４は輻流送風機として構成されている。ファン３４ｃは図２のＺ方向を向いた回転軸線を中心として回転し、これにより空気取入口３４ａから送風機３４のケーシング内に空気が取り入れられ、この空気はファン３４ｃから半径方向外向きに流出し、最終的に空気吹出口３４ｂを通って送風機３４のケーシングから図２中Ｘ方向に吹き出す。

一般的に、輻流送風機は、他形式の送風機（例えば軸流送風機、斜流送風機等）と比較して、同一流量に対して比較的高い風圧が得られる。従って、送風機３４として輻流送風機を用いることにより、切替ダンパ４０を第２状態から第１状態に切り替えたときに、処理室１０内に流出する気流の立ち上がりをより速くすることができる。なお、輻流送風機を用いることが上述の通り好ましいのであるが、他形式の送風機を用いることも可能である。

さらに清浄ガス供給機構３０のハウジング３０Ｈ内には、点Ｃ９，Ｃ１０，Ｃ３，Ｃ１１，Ａ１０，Ａ１１，Ａ３，Ａ１２頂点とする直方体形状のケーシングを有する切替ダンパ４０が設けられている。切替ダンパ４０のケーシングの点Ｃ９，Ｃ１０，Ａ１０，Ａ１１を頂点とする長方形形状の上面に第１開口４０ａが設けられ、点Ｃ９，Ａ１０，Ｃ３，Ａ３を頂点とする長方形形状の側面に第２開口４０ｂが設けられている。切替ダンパ４０は、点Ｃ９，Ａ１０を結ぶ線分に概ね相当する回動軸線を中心として回転する板状の羽根（図２には図示されていない）を有している。切替ダンパ４０の図示しない羽根により上面の第１開口４０ａが閉じられているときには（すなわち切替ダンパ４０の第１状態）、開放状態にある第２開口４０ｂを通って空気は処理室１０に向かって流れ、側面の第２開口４０ｂが閉じられているときには（すなわち切替ダンパ４０の第２状態）、開放状態にある第１開口４０ａを通って空気が送風機３４の上流側（この場合、送風機３４の空気取入口３４ａの上方）に戻される。清浄ガス供給機構３０のハウジング３０Ｈ内には、点Ｃ１０，Ｃ５，Ａ１１，Ａ７を頂点とする長方形の仕切板が設けられている。この仕切板の、切替ダンパ４０及び送風機３４の上方に位置するハウジング３０Ｈ内の空間が、図１における戻りダクト３８に相当する。

この図２に示した配置によれば、切替ダンパ４０の側面の第２開口４０ｂを閉じた状態で送風機３４を動作させたときに、清浄ガス供給機構３０のハウジング３０Ｈ内には、送風機３４の側面の空気吹出口３４ｂから流出し、切替ダンパ４０の第１開口４０ａを通過して送風機３４の空気取入口３４ａに流れ、再び送風機３４内に取り込まれた後に空気吹出口３４ｂから流出する循環空気流が生じる。

また図２に示すように、ハウジング３０Ｈ内には、ケミカルフィルタ３６の出口面（点Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４を頂点とする長方形の面）を一底面とし、ケミカルフィルタ３６の出口面から吹き出される空気の方向を高さ方向とする概ね柱体（幾何学的な意味における柱体／ここでは直方体）の形状を有するバッファ空間（点Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｃ１２，Ｃ４および隠れて見えない点Ｃ８を頂点とする直方体の空間）が設けられている。図２より明らかなように、バッファ空間とその下流側の空間とは、前記柱体の側面（本例ではこの側面のうち送風機３４によりふさがれていない点Ｃ１２，Ｂ１，Ｂ５，Ｃ６を頂点とする長方形の面）に相当する部分を介してのみ連通していることになる。このようなバッファ空間を設けることにより、バッファ空間の下流側で小さな圧力変動が生じたとしてもその圧力変動はバッファ空間により緩衝され、ケミカルフィルタ３６に圧力変動の影響が及びにくくなる。循環空気流の一部がケミカルフィルタ３６に向かって流れたとしても、この流れはバッファ空間により緩衝される。このため、切替ダンパ４０が第２状態にあるときに送風機３４を稼働させても、ケミカルフィルタ３６から流入または流出する空気の流れが発生し難くなる。なお、図１においてもこの特徴は示されており、ケミカルフィルタ３６の出口面３６ｂの正面に二点鎖線５２で囲まれたバッファ空間が設けられている。

再度図１を参照する。上記のようにケミカルフィルタ３６への循環流の流入を確実に防止するためには、供給ダクト３２のケミカルフィルタ３６よりも下流側であってかつ第２位置３２ｂよりも上流側（例えば図１において鎖線の箱５０で示す位置）に開閉可能な遮断機構である遮断ダンパを設けてもよい。この場合、切替ダンパ４０が第１状態にあるときに遮断ダンパが開状態となり、切替ダンパ４０が第２状態にあるときに遮断ダンパが閉状態となるように動作させればよい。このような切替えもコントローラ２００の制御の下で行うことができる。

なお、上述した液処理装置を複数台組み込んだ基板処理システムを構築する場合、システムレイアウトの関係上ケミカルフィルタ３０と処理室１０との間の経路距離が各液処理装置で同一にできないことがあるが、この場合には、各処理室用の清浄ガス供給機構のうちの切替ダンパ４０及びその上流側の構成（図２においてはＡ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を頂点とする直方体部分の構成）を同一として、切替ダンパ４０と処理室の間の経路距離を液処理装置間で異なるように設定してもかまわない。切替ダンパ４０及びその上流側の構成を同一にすることにより、各液処理装置の清浄ガス供給機構間でフィルタ寿命の差を無くすことができる。

上記実施形態において、液処理は、薬液洗浄工程およびこれに付随するＤＩＷリンス工程およびＩＰＡ置換工程を含む薬液洗浄処理であったが、これに限定されるものではなく、他の薬液を用いた薬液洗浄処理、あるいはエッチング処理であってもよい。さらには、液処理は、基板にレジスト液を塗布するレジスト膜形成処理であってもよいし、露光後のレジスト膜に現像液を供給する現像処理であってもよい。上記の清浄ガス供給機構は、上記の様々な液処理が行われる処理室に清浄ガスを供給することが可能である。

上記実施形態において、切替ダンパ４０が第２状態にあるときに処理室１０内に供給される気体（ガス）は、クリーンルーム内の空間からケミカルフィルタ３６を介して取り入れた空気と比較して湿度が低いガスであったが、これに限定されるものではなく、ケミカルフィルタ３６を介して取り入れた空気と異なる性質を持った任意の気体（ガス）とすることができ、清浄ガスでなくてもよい。上述した構成は、ケミカルフィルタ３６を介して取り入れた空気が処理室に供給される供給状態と供給されない非供給状態を切り替える必要がある液処理装置において、非供給状態から供給状態への切り替え時に速やかな供給の立ち上がりが求められる場合に広く適用することができる。

１０ 処理室
３０ 清浄ガス供給機構
３２ 供給経路（供給ダクト）
３４ 送風機
３６ フィルタ（ケミカルフィルタ）
３８ 戻り経路（戻りダクト）
４０ 切替機構（切替ダンパ）
４６ ガス供給部（低湿度ガス供給ユニット）
５０ 遮断機構（遮断ダンパ）
５２ バッファ空間

Claims (7)

1. 内部にて被処理体に液処理が施される処理室と、
   前記処理室に清浄ガスを供給する清浄ガス供給機構と、
   を備え、
   前記清浄ガス供給機構は、
   上流端に気体取入口を有するとともに下流端が前記処理室に接続された供給経路と、
   前記供給経路に設けられ、前記供給経路に前記気体取入口から前記処理室に向かう清浄ガスの流れを形成する送風機と、
   前記供給経路の前記送風機より上流側に設けられたフィルタと、
   前記送風機よりも下流側であってかつ前記処理室よりも上流側の第１位置において前記供給経路から分岐するとともに、前記フィルタよりも下流側であってかつ前記送風機より上流側の第２位置において前記供給経路に接続された戻り経路と、
   前記送風機から下流側に送られた清浄ガスを前記処理室に流す第１状態と、前記送風機から下流側に送られた清浄ガスを前記戻り経路を介して前記供給経路に戻す第２状態とを選択的に切り替える切替機構と、
   を備えたことを特徴とする液処理装置。
2. 前記フィルタは分子状汚染物質を除去するケミカルフィルタである、請求項１記載の液処理装置。
3. 前記供給経路内に、前記フィルタの出口面を一底面とするとともに前記フィルタの出口から吹き出される清浄ガスの方向を高さ方向とする柱体の形状を有するバッファ空間が設けられ、前記バッファ空間は、前記柱体の側面に相当する部分のみを介して前記バッファ空間の下流側の空間と連通している、請求項１または２記載の液処理装置。
4. 前記フィルタより下流側であってかつ前記第２位置よりも上流側に、前記戻り経路を流れる清浄ガスが前記フィルタに向かうことを防止する開閉可能な遮断機構を設けたことを特徴とする、請求項１記載の液処理装置。
5. 前記切替機構が前記第２状態にあるとき、前記処理室に前記清浄ガスと異なるガスを供給するガス供給部をさらに備えたことを特長とする、請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の液処理装置。
6. 前記切替機構が前記第２状態になっているときに、前記送風機が動作している、請求項５記載の液処理装置。
7. 前記送風機は輻流送風機である、請求項１から６のうちのいずれか一項に記載の液処理装置。

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